JPS60207396A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
- Publication number
- JPS60207396A JPS60207396A JP6348184A JP6348184A JPS60207396A JP S60207396 A JPS60207396 A JP S60207396A JP 6348184 A JP6348184 A JP 6348184A JP 6348184 A JP6348184 A JP 6348184A JP S60207396 A JPS60207396 A JP S60207396A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- substrate body
- ceramic
- filler
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は配線基板に関する。
配線基板において、その基板本体にアルミナセラミック
のよらなセラミックを用b1その表面に厚膜又は薄膜に
よって1線を形成し、併せて適当な回路素子を形成又は
装填するよりにし+本のけよ(知られてbる。そしてこ
れらの配線を保護するために耐摩耗性、耐酸化性のよら
な膜で基板本体の表面をコーティングするとと本知られ
ている。
のよらなセラミックを用b1その表面に厚膜又は薄膜に
よって1線を形成し、併せて適当な回路素子を形成又は
装填するよりにし+本のけよ(知られてbる。そしてこ
れらの配線を保護するために耐摩耗性、耐酸化性のよら
な膜で基板本体の表面をコーティングするとと本知られ
ている。
ところでこのよう々保護膜は普通スパッタリング或−け
蒸着により薄膜に形成される。しかじ前記のよりに基板
本体としてセラミックを用いるとき、その表面の影響を
受けて薄膜の緻密性雀低下することがある。第1図はセ
ラミック性の基板本体Aの表面に、薄膜Bを形成したと
きの拡大断面図を示したもので一周知のようにセラミッ
クの表面は、セラミックの粒径(l−1111m程11
1”)に応じた凹凸カr無数に存在して−る。このより
な表面にスパッタ等により膿を成長させてい(と−この
凹凸の影響を受けて、微細な隙間CB各凹凸の境附近か
らのびるよりに発生する。すなわち膜材料の結晶は互い
に連続しないようになるのである。
蒸着により薄膜に形成される。しかじ前記のよりに基板
本体としてセラミックを用いるとき、その表面の影響を
受けて薄膜の緻密性雀低下することがある。第1図はセ
ラミック性の基板本体Aの表面に、薄膜Bを形成したと
きの拡大断面図を示したもので一周知のようにセラミッ
クの表面は、セラミックの粒径(l−1111m程11
1”)に応じた凹凸カr無数に存在して−る。このより
な表面にスパッタ等により膿を成長させてい(と−この
凹凸の影響を受けて、微細な隙間CB各凹凸の境附近か
らのびるよりに発生する。すなわち膜材料の結晶は互い
に連続しないようになるのである。
そのため成#螢、環境試験なり水分の多す個所に放置し
て訃(と、この隙間Cを通って水分雀基板本体Aの表面
に到達することがある。この水分によって基板本体A上
の配線等が浸食されてしtqよりKなる。
て訃(と、この隙間Cを通って水分雀基板本体Aの表面
に到達することがある。この水分によって基板本体A上
の配線等が浸食されてしtqよりKなる。
この発明はセラミック製の基板本体に保護膜を形成する
場合の耐食性の向上を図ることを目的とする。
場合の耐食性の向上を図ることを目的とする。
この発明は薄膜状に成膜された保護膜の表面を。
保護膜中の微細な隙間に浸透可能な充填剤で被覆したこ
とを特徴とする。
とを特徴とする。
この発明の実施例を図によって説明する。図はこの発明
をサーマルプリントヘッドに適用した場合の実施例を示
す。第2図はとのサーマVプリントヘツFの製造工程を
順次水したもので、まず基板本体lとしてアルミナセラ
ミック製のものを用い、その表面にグレーズからなる突
出部2を設ける(第2図A)。つbで基板本体1.突出
部2の表面にプリント用の発熱抵抗層8を、及びその表
面に通電用の導電層4を形成してからホトエツチング工
程により所定のパターンどおりにパターニングする。図
中8Aは発熱部、4Aけ発熱部8Aへの通電部であるC
第2図B)。このあと基板本体lの表面に保護膜すを形
成する(11.2図C)。
をサーマルプリントヘッドに適用した場合の実施例を示
す。第2図はとのサーマVプリントヘツFの製造工程を
順次水したもので、まず基板本体lとしてアルミナセラ
ミック製のものを用い、その表面にグレーズからなる突
出部2を設ける(第2図A)。つbで基板本体1.突出
部2の表面にプリント用の発熱抵抗層8を、及びその表
面に通電用の導電層4を形成してからホトエツチング工
程により所定のパターンどおりにパターニングする。図
中8Aは発熱部、4Aけ発熱部8Aへの通電部であるC
第2図B)。このあと基板本体lの表面に保護膜すを形
成する(11.2図C)。
保護膜は導電層4の表面を含む全表面を覆りが。
導電層4のらち外部に接続される端部すなわち外部端子
6(第8図参照)の設着領域は除外される。
6(第8図参照)の設着領域は除外される。
以上の構成は従来のこの種サーマルプリントヘッドと大
差はな−。そして成膜された保護膜5にはセラミック製
の基板本体の表面の凹凸に影響されて微細な隙間光発生
すること≠!避けられなりことけ、すでに述べたとおり
である。なお基板本体の表面と保護膜との間に別の膜(
たとえば耐酸化p111)が介在して−るような場合で
本、保護膜は基板本体の凹凸の影響を受けて隙間は発生
する、保護膜5としてはたとえば耐摩耗性が要求される
場合、五酸化タンタルが適当で、又その膜厚に′i1〜
5μm程廖である。
差はな−。そして成膜された保護膜5にはセラミック製
の基板本体の表面の凹凸に影響されて微細な隙間光発生
すること≠!避けられなりことけ、すでに述べたとおり
である。なお基板本体の表面と保護膜との間に別の膜(
たとえば耐酸化p111)が介在して−るような場合で
本、保護膜は基板本体の凹凸の影響を受けて隙間は発生
する、保護膜5としてはたとえば耐摩耗性が要求される
場合、五酸化タンタルが適当で、又その膜厚に′i1〜
5μm程廖である。
保護膜す内の隙間の存在をな(すため、この発明では、
この隙間に浸透可能な充填剤で保護膜すの表面を被覆す
る(第2図D)。フけその被覆層を示す。充填剤として
Fi隙間への浸透に十分な流動性を有する樹脂が適当で
ある。サーマルプリントヘッドに適用する場合−被覆層
7もsob以上の高温下にさらされるので一耐熱性の樹
脂づヨ望ましく、具体的にはポリイミド、テフロン等が
好適である、これらを印刷等により塗布すればよL/−
h。
この隙間に浸透可能な充填剤で保護膜すの表面を被覆す
る(第2図D)。フけその被覆層を示す。充填剤として
Fi隙間への浸透に十分な流動性を有する樹脂が適当で
ある。サーマルプリントヘッドに適用する場合−被覆層
7もsob以上の高温下にさらされるので一耐熱性の樹
脂づヨ望ましく、具体的にはポリイミド、テフロン等が
好適である、これらを印刷等により塗布すればよL/−
h。
又ポリイミドを使用する場合−その前駆体を塗布して赤
ら、所要の個所をエツチング除去したあと。
ら、所要の個所をエツチング除去したあと。
キュアーするよらにしてもよい。なおこの充填剤以上の
よりにして充填剤7で保護pJbの表面を覆りと、この
充填剤7が保護膜す内の微細なVim。
よりにして充填剤7で保護pJbの表面を覆りと、この
充填剤7が保護膜す内の微細なVim。
に浸透し、この隙間を埋めてしまう7したがって以後こ
の隙間を水分等値I浸入することカよな(、そのため基
板本体上の2gw層0回路素子等例水分により浸食され
ないよりになる。なお被覆層7の膜厚としては05〜5
μmで十分である。
の隙間を水分等値I浸入することカよな(、そのため基
板本体上の2gw層0回路素子等例水分により浸食され
ないよりになる。なお被覆層7の膜厚としては05〜5
μmで十分である。
以上詳述したよりにこの発明により、基板本体をセラミ
ック製とし、その表面に保護膜を成膜した場合でも、そ
の表面をfに充填剤で被覆することにより、保護膜内の
結晶の不連続性による隙間を充填したので、この隙間に
よる浸食を確実に防止でき、耐食性を向上させることが
できると−った効果を奏する。
ック製とし、その表面に保護膜を成膜した場合でも、そ
の表面をfに充填剤で被覆することにより、保護膜内の
結晶の不連続性による隙間を充填したので、この隙間に
よる浸食を確実に防止でき、耐食性を向上させることが
できると−った効果を奏する。
第1図は基板本体と保護膜との臆面にかける拡大断面図
−第2図はこの発明の実施例を示す製作工程の断面図、
第8図は同斜視図である。 1・・・・・・基板本体、4A・・・・・・通電部、5
・・・・・・保護膜。 7・・・・・・被覆層
−第2図はこの発明の実施例を示す製作工程の断面図、
第8図は同斜視図である。 1・・・・・・基板本体、4A・・・・・・通電部、5
・・・・・・保護膜。 7・・・・・・被覆層
Claims (1)
- 表面に配MI−hIバターニンゲされであるセラミック
製の基板本体の表面を、薄膜の保護膜で覆ってなる配線
基板にお込て、前記保護膜内の、結晶の不連続による隙
間に浸透し得る流動性をもつ充填剤からなる被覆層を前
記保護膜の表面に設けて々る配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6348184A JPS60207396A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6348184A JPS60207396A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 配線基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60207396A true JPS60207396A (ja) | 1985-10-18 |
JPH0365672B2 JPH0365672B2 (ja) | 1991-10-14 |
Family
ID=13230468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6348184A Granted JPS60207396A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60207396A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009246401A (ja) * | 2003-09-26 | 2009-10-22 | Medtronic Minimed Inc | 高信頼性多層回路基板およびその形成方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS504391A (ja) * | 1973-05-16 | 1975-01-17 | ||
JPS5846079A (ja) * | 1981-09-12 | 1983-03-17 | Santen Pharmaceut Co Ltd | ベンゾチアゾリン環を有するエ−テル類 |
-
1984
- 1984-03-31 JP JP6348184A patent/JPS60207396A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS504391A (ja) * | 1973-05-16 | 1975-01-17 | ||
JPS5846079A (ja) * | 1981-09-12 | 1983-03-17 | Santen Pharmaceut Co Ltd | ベンゾチアゾリン環を有するエ−テル類 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009246401A (ja) * | 2003-09-26 | 2009-10-22 | Medtronic Minimed Inc | 高信頼性多層回路基板およびその形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0365672B2 (ja) | 1991-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH03205165A (ja) | サーマルヘッド | |
US4768038A (en) | Thermal printhead integrated circuit device | |
JPS60207396A (ja) | 配線基板 | |
JPH0712694B2 (ja) | サ−マルヘツド | |
JPS649647B2 (ja) | ||
JPS61263299A (ja) | 集積回路装置 | |
JP3462056B2 (ja) | サーマルヘッドおよびその製造方法 | |
JP2547325Y2 (ja) | サーマルヘッド | |
JP2551773B2 (ja) | サ−マルヘツド | |
JPS62162559A (ja) | 通電転写記録ヘツド | |
JPS6319358B2 (ja) | ||
JP2000006456A (ja) | サーマルヘッドおよびその製造方法 | |
JP3301821B2 (ja) | 印刷抵抗体の形成方法 | |
JPS643670B2 (ja) | ||
JPH02238955A (ja) | 厚膜型サーマルヘッド | |
JPS63267564A (ja) | サ−マルヘツド | |
JPH02206562A (ja) | サーマルヘッド | |
JPH01204762A (ja) | サーマルヘッド | |
JPS6153060A (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
JPS6016354B2 (ja) | サ−マルヘツド | |
JPS63309467A (ja) | サ−マルヘツド | |
JPH01283163A (ja) | ハイブリッドic用耐摩耗層 | |
JPH0586755B2 (ja) | ||
JPS6292859A (ja) | 薄膜感熱記録ヘツド | |
JPH02184458A (ja) | サーマルヘッドの製造方法 |