JPS60157715A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS60157715A JPS60157715A JP59010998A JP1099884A JPS60157715A JP S60157715 A JPS60157715 A JP S60157715A JP 59010998 A JP59010998 A JP 59010998A JP 1099884 A JP1099884 A JP 1099884A JP S60157715 A JPS60157715 A JP S60157715A
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は、多層から成る磁性薄膜を非磁性基体表面上に
有する磁気記録媒体に関する。より詳細には、本発明は
表面性、配向性の良好な垂直磁化型磁気記録媒体に関す
る。
有する磁気記録媒体に関する。より詳細には、本発明は
表面性、配向性の良好な垂直磁化型磁気記録媒体に関す
る。
従来技術
近年、磁気記録の高密度化を目的として記録媒体の磁性
体薄膜面に垂直の方向に磁化させる方式のいわゆる垂直
磁化型磁気記録媒体がいくつか提案されている。かかる
垂直磁化型磁気記録媒体の1つとして、ポリイミド基板
上にM o −F e −N iの低抗磁力材層を、更
にその上にCo−Crの磁気記録層を形成した2層構造
の磁性薄膜から成る磁気記録媒体が(特公昭5B−91
号)公報にUH示されている。磁性薄膜をこのような2
層構造とした場合、低保磁力の高透磁率磁性層によって
Co −Cr垂直磁化膜裏面の磁気回路が部分的に閉じ
られ、減磁作用が更に軽減され、残留磁化が強まる冶の
利点がある。
体薄膜面に垂直の方向に磁化させる方式のいわゆる垂直
磁化型磁気記録媒体がいくつか提案されている。かかる
垂直磁化型磁気記録媒体の1つとして、ポリイミド基板
上にM o −F e −N iの低抗磁力材層を、更
にその上にCo−Crの磁気記録層を形成した2層構造
の磁性薄膜から成る磁気記録媒体が(特公昭5B−91
号)公報にUH示されている。磁性薄膜をこのような2
層構造とした場合、低保磁力の高透磁率磁性層によって
Co −Cr垂直磁化膜裏面の磁気回路が部分的に閉じ
られ、減磁作用が更に軽減され、残留磁化が強まる冶の
利点がある。
このように磁性薄膜をそれぞれ異る特性を有する層から
成る多層構造とすることにより全体として所留の性質を
有する磁性薄膜を得ることも可能になる。
成る多層構造とすることにより全体として所留の性質を
有する磁性薄膜を得ることも可能になる。
上記した2層構造の磁性薄膜を形成する場合、従来、非
磁性基体を室温以上(特開昭54−51804号公報の
実施例では2 s o ’c )に加熱し、その上に低
保磁力の高透磁率磁性層をスパッタリングにより形成し
、更にその上にCo−Crの磁気記録層をスパッタリン
グにより形成する方法がとられている。
磁性基体を室温以上(特開昭54−51804号公報の
実施例では2 s o ’c )に加熱し、その上に低
保磁力の高透磁率磁性層をスパッタリングにより形成し
、更にその上にCo−Crの磁気記録層をスパッタリン
グにより形成する方法がとられている。
かかる方法によった場合、第1図に示すように低保磁力
の高透磁率磁性層1の平均結晶粒径Bは、Co−Cr膜
2の平均結晶粒径Aと同等あるいはそれ以上となってし
まう。この場合、高透磁率磁性層1の表面は微視的に凹
凸が大きくなり、この上にCo−Cr膜2を形成すると
この微視的凹凸の影響を受けてCo−Crの柱状の結晶
粒の配向性は乱れ、またCo−Cr膜の表面性も悪くな
る。
の高透磁率磁性層1の平均結晶粒径Bは、Co−Cr膜
2の平均結晶粒径Aと同等あるいはそれ以上となってし
まう。この場合、高透磁率磁性層1の表面は微視的に凹
凸が大きくなり、この上にCo−Cr膜2を形成すると
この微視的凹凸の影響を受けてCo−Crの柱状の結晶
粒の配向性は乱れ、またCo−Cr膜の表面性も悪くな
る。
さらに、低保磁力の高透磁率磁性層の表面には様々な結
晶面、例えば(110)、(111)、(10o)面が
露出しており、この表面上に垂直磁化膜となる磁気記録
層を形成するならば、形成初期過程において高透磁率磁
性層表面の様々な結晶面の影響を受けることになる。低
保磁力の高透磁率磁性層としてパーマロイ膜、垂直磁化
膜となる磁気記録層としてCo−Cr膜を使用する場合
には、パーマロイの(111)面上にCo−Crの(o
ol)面が成長しやす(、Co−Crの結晶は第2図で
矢印の方向に成長しやすい。このためCo−Crの結晶
の配向性が乱れ、C6−Cr膜の表面性も悪くなる。
晶面、例えば(110)、(111)、(10o)面が
露出しており、この表面上に垂直磁化膜となる磁気記録
層を形成するならば、形成初期過程において高透磁率磁
性層表面の様々な結晶面の影響を受けることになる。低
保磁力の高透磁率磁性層としてパーマロイ膜、垂直磁化
膜となる磁気記録層としてCo−Cr膜を使用する場合
には、パーマロイの(111)面上にCo−Crの(o
ol)面が成長しやす(、Co−Crの結晶は第2図で
矢印の方向に成長しやすい。このためCo−Crの結晶
の配向性が乱れ、C6−Cr膜の表面性も悪くなる。
発明の目的
本発明の目的は、配向性、表面性の優れた多層構造の磁
性薄膜を有してなる磁気記録媒体を提供することにある
。
性薄膜を有してなる磁気記録媒体を提供することにある
。
発明の描成
本発明の目的は、非磁性基体表面上に磁性薄膜を多B!
iに形成した磁気記録媒体において、平均結晶粒径Aを
有する磁性層と該層に瞬接した平均結晶粒径Bを有する
磁性層との2層を含み、平均結晶粒径Bを有する磁性層
が非磁性基体に一層近く、かつB <、Aとなるように
することにより達成される。
iに形成した磁気記録媒体において、平均結晶粒径Aを
有する磁性層と該層に瞬接した平均結晶粒径Bを有する
磁性層との2層を含み、平均結晶粒径Bを有する磁性層
が非磁性基体に一層近く、かつB <、Aとなるように
することにより達成される。
すなわち、隣接する2層の下層の平均結晶粒径が上層の
平均結晶粒径に比べ充分小さければ、第6図に示したよ
うに、下層表面の微視的な凹凸は小さくなり、また下層
表面の様々な結晶面の影響も平均化されるため無視でき
るようになる。その結果、上層の結晶成長の配向性は乱
されることがなくなり、また表面性もよくなる。
平均結晶粒径に比べ充分小さければ、第6図に示したよ
うに、下層表面の微視的な凹凸は小さくなり、また下層
表面の様々な結晶面の影響も平均化されるため無視でき
るようになる。その結果、上層の結晶成長の配向性は乱
されることがなくなり、また表面性もよくなる。
本発明の好適な実fi態様は、非磁性基体表面上に小さ
な平均結晶粒径Bを有する低保磁力の高透磁率磁性膜の
層を形成し、その上に平均結晶粒径Aを有する垂直磁化
膜の層を形成して成る垂直磁化型磁気記録媒体である。
な平均結晶粒径Bを有する低保磁力の高透磁率磁性膜の
層を形成し、その上に平均結晶粒径Aを有する垂直磁化
膜の層を形成して成る垂直磁化型磁気記録媒体である。
低保磁力の高透磁基磁性腺ハバーマロイ、アルパーム、
センダスト等の合金、各m7エライト等を用いて形成す
ることができ、パーマロイが高い透磁率を有する点から
好適に使用できる。低保磁力の高透磁率磁性膜の形成に
は、蒸着、スパッタリング、メッキ、CVDなどが利用
できる。スパッタリングを利用する場合には、基体温度
、放電電力、Arガス圧などによって低保磁力の高透磁
率磁性膜の平均結晶粒径Bを制御することができる。す
なわち、基体温度、放電電力およびArガス圧を下げる
ほど平均結晶粒径Bは小さくなり、これらの因子を好適
に選定1 することによりB<TA1好ましくはB<、Aとするこ
とができる。
センダスト等の合金、各m7エライト等を用いて形成す
ることができ、パーマロイが高い透磁率を有する点から
好適に使用できる。低保磁力の高透磁率磁性膜の形成に
は、蒸着、スパッタリング、メッキ、CVDなどが利用
できる。スパッタリングを利用する場合には、基体温度
、放電電力、Arガス圧などによって低保磁力の高透磁
率磁性膜の平均結晶粒径Bを制御することができる。す
なわち、基体温度、放電電力およびArガス圧を下げる
ほど平均結晶粒径Bは小さくなり、これらの因子を好適
に選定1 することによりB<TA1好ましくはB<、Aとするこ
とができる。
後に実施例中で示すが、垂直磁化膜の平均結晶粒径Aに
比べて低保磁力の高透磁率磁性膜の平均結晶粒径Bが小
さくなるにつれて、垂直磁化膜の結晶配向性の指標であ
る△Qso (hap (002’)面の四ツキングカ
ーブの半値幅)が小さくなり、垂直磁化膜の結晶配向性
が高まる。そしてB <E−Aとなると、△Qso<5
°となり、垂直磁化型磁気記録媒体として好ましい特性
を持つようになる。さらに、B<1人となると△Qso
< 3°となるため非常に好ましい。
比べて低保磁力の高透磁率磁性膜の平均結晶粒径Bが小
さくなるにつれて、垂直磁化膜の結晶配向性の指標であ
る△Qso (hap (002’)面の四ツキングカ
ーブの半値幅)が小さくなり、垂直磁化膜の結晶配向性
が高まる。そしてB <E−Aとなると、△Qso<5
°となり、垂直磁化型磁気記録媒体として好ましい特性
を持つようになる。さらに、B<1人となると△Qso
< 3°となるため非常に好ましい。
垂直磁化膜としては、コバルト・クロム(Co−Cr)
、コバルト・バナジウム(Co−V )等の合金、コバ
ルト−リン(Co−P)等を用いることができ、Co−
Crが垂直異方性を容易に制御し得る点から好適に用い
られる。
、コバルト・バナジウム(Co−V )等の合金、コバ
ルト−リン(Co−P)等を用いることができ、Co−
Crが垂直異方性を容易に制御し得る点から好適に用い
られる。
垂直磁化膜の形成にも、蒸着、スパッタリング、メッキ
、CvDなどが用いられる。
、CvDなどが用いられる。
本発明における平均結晶粒径は膜断面を走査型電子顕微
鏡(SEM)や透過型電子顕微鏡(TEM)で観察する
ことにより直接的にめることができる。またX線回折に
よっても平均結晶粒径を間接的にめることができる(カ
リティ「X線回折要要論」(アグネ)第9章)が、精度
的に問題があり好ましくない。
鏡(SEM)や透過型電子顕微鏡(TEM)で観察する
ことにより直接的にめることができる。またX線回折に
よっても平均結晶粒径を間接的にめることができる(カ
リティ「X線回折要要論」(アグネ)第9章)が、精度
的に問題があり好ましくない。
本発明は、上記の好適な具体例のみに限られず、多数の
種類の磁性層に適用することができ、表面性及び配向性
の改良された多層構造の磁性薄膜を有する磁気記録媒体
を提供することができる。
種類の磁性層に適用することができ、表面性及び配向性
の改良された多層構造の磁性薄膜を有する磁気記録媒体
を提供することができる。
以下本発明を実施例に基づきさらに詳しく説明する。
〔実施例1〕
厚さ50μ情のポリイミドフィルム全基体ホルダーに装
着して真空容器内に入れ、真空容器内を2X10 To
rrまで排気した。次にArガスを1X10 Torr
まで導入した。基体は基体近傍を循環する冷謀によって
様々な温度に冷却された。パーマロイ合金をRFi力5
0Wで15分間スパッタリングしてこの基体上にパーマ
ロイの膜を形成した。得られたパーマロイ膜は組成が元
素の重量基準でFe:Ni :Mo=17:78:5で
あり膜厚は0.5μη2であった。様々な基体温度で得
られたパーマロイ膜の平均結晶粒径BをTEMで膜断面
を観察することによりめた結果第4図に示すようになっ
た。
着して真空容器内に入れ、真空容器内を2X10 To
rrまで排気した。次にArガスを1X10 Torr
まで導入した。基体は基体近傍を循環する冷謀によって
様々な温度に冷却された。パーマロイ合金をRFi力5
0Wで15分間スパッタリングしてこの基体上にパーマ
ロイの膜を形成した。得られたパーマロイ膜は組成が元
素の重量基準でFe:Ni :Mo=17:78:5で
あり膜厚は0.5μη2であった。様々な基体温度で得
られたパーマロイ膜の平均結晶粒径BをTEMで膜断面
を観察することによりめた結果第4図に示すようになっ
た。
次に、様々な基体温度で得られたパーマロイ膜上に、基
体温度を室温・Arガス圧を5X10−3Torr、R
F定電力200Wで10分間Co−Crをスパッタリン
グして、パーマロイ膜上にCo−Cr合金膜の層を形成
した2層膜を得た。Co−Cr合金膜の組成は重量基準
でCo:Cr =80 : 20で膜厚は05μmであ
った。得られたCo−Cr膜の平均結晶粒径AをTEM
で膜断面を観察することによりめた結果、パーマロイ膜
を形成した時の基体温度によらず一定で、500Aであ
った。
体温度を室温・Arガス圧を5X10−3Torr、R
F定電力200Wで10分間Co−Crをスパッタリン
グして、パーマロイ膜上にCo−Cr合金膜の層を形成
した2層膜を得た。Co−Cr合金膜の組成は重量基準
でCo:Cr =80 : 20で膜厚は05μmであ
った。得られたCo−Cr膜の平均結晶粒径AをTEM
で膜断面を観察することによりめた結果、パーマロイ膜
を形成した時の基体温度によらず一定で、500Aであ
った。
また、この2層膜のX線回折では、Co−Crの〔00
1〕軸が膜面に対して垂直方向に配向していることがわ
かり、hcp (002)面のロッキングカーブをとっ
たところその半値幅△Qsoはパーマロイ膜の平均粒子
径Bに対して第5図に示すように変化した。この図から
パーマロイ膜の平均結晶粒径BとCo−Cr膜の平均結
晶粒径Aとの比、B/AがB/A<’−の時△Qso<
5°となり、垂直磁化型磁気記録媒体として好適な性質
を有するようになり、またB/A<’−の時は△Q、O
<3°となりさらに好ましいことがわかる。
1〕軸が膜面に対して垂直方向に配向していることがわ
かり、hcp (002)面のロッキングカーブをとっ
たところその半値幅△Qsoはパーマロイ膜の平均粒子
径Bに対して第5図に示すように変化した。この図から
パーマロイ膜の平均結晶粒径BとCo−Cr膜の平均結
晶粒径Aとの比、B/AがB/A<’−の時△Qso<
5°となり、垂直磁化型磁気記録媒体として好適な性質
を有するようになり、またB/A<’−の時は△Q、O
<3°となりさらに好ましいことがわかる。
第6図にB/A=215のサンプルの顕微鏡写真(X1
25)を示した。表面性も良好であることがわかる。
25)を示した。表面性も良好であることがわかる。
〔比較例1〕
厚さ50μmのポリイミドフィルムを基体ホルダーに装
着して真空容器内に入れ、真空容器内を2X10 To
rrまで排気した。次にArガスを5×10””’ T
orrまで導入し、基体を250℃に加熱した。パーマ
ロイ合金をRF電力200Wで10分間スパッタリング
してこの基体上にパーマロイの膜を形成した。得られた
パーマロイ膜は組成が元素の重量基準でFe:Ni:M
o=17:78:5であり、膜厚は0.5μmであった
。また、このパーマロイ膜の平均結晶粒径Bは、TEM
で膜断面を観察することによりめた結果B二60OAで
あった。
着して真空容器内に入れ、真空容器内を2X10 To
rrまで排気した。次にArガスを5×10””’ T
orrまで導入し、基体を250℃に加熱した。パーマ
ロイ合金をRF電力200Wで10分間スパッタリング
してこの基体上にパーマロイの膜を形成した。得られた
パーマロイ膜は組成が元素の重量基準でFe:Ni:M
o=17:78:5であり、膜厚は0.5μmであった
。また、このパーマロイ膜の平均結晶粒径Bは、TEM
で膜断面を観察することによりめた結果B二60OAで
あった。
次に、基体温度を室温とし、他の条件は上記と同様にし
てスパッタリングを行ないパーマロイ膜上にCo−Cr
合金膜の層を形成した。このCo−Cr合金膜の組成は
重量基準でCo:Cr=80:20で膜厚はα5μmで
あった。またこのCo−Cr膜の平均結晶粒径AをTE
Mで膜断面を観察することによりめた結果、A=50O
Aであった。
てスパッタリングを行ないパーマロイ膜上にCo−Cr
合金膜の層を形成した。このCo−Cr合金膜の組成は
重量基準でCo:Cr=80:20で膜厚はα5μmで
あった。またこのCo−Cr膜の平均結晶粒径AをTE
Mで膜断面を観察することによりめた結果、A=50O
Aであった。
上記の2層膜のX線回折で、hCp(002)面のロッ
キングカーブをとったところ、その半値幅&ま△Qso
= 12°と大きく、Co−0r結晶の配向性が乱れ
ていることがわかる。この膜の表面は第7図に顕微鏡写
真(X125)で示すように凹凸が多し−。
キングカーブをとったところ、その半値幅&ま△Qso
= 12°と大きく、Co−0r結晶の配向性が乱れ
ていることがわかる。この膜の表面は第7図に顕微鏡写
真(X125)で示すように凹凸が多し−。
上記実施例においてはCo−Cr膜の平均結晶粒径Aは
パーマロイ膜の平均結晶粒径に拘りなく5oouであっ
た。C□−Crの組成及び蒸着条件を変えて他の平均結
晶粒径Aの用いて実施例1と同様なパーマロイ膜上にC
o−Cr膜を形成したところ、B<’−A、特にB<i
、Aが好適なこと力(確認できた。
パーマロイ膜の平均結晶粒径に拘りなく5oouであっ
た。C□−Crの組成及び蒸着条件を変えて他の平均結
晶粒径Aの用いて実施例1と同様なパーマロイ膜上にC
o−Cr膜を形成したところ、B<’−A、特にB<i
、Aが好適なこと力(確認できた。
これらの事実は、パーマロイ膜の平均結晶粒径BとCo
−Cr膜の平均結晶性粒径Aとがnfl /J、サイ程
良いというものではなく、両者が相関的に作用して初め
てすぐれた表面性と配向性が得られることを示す。例え
ばパーマロイ膜の小さい結晶粒の上にGo−Cr膜の同
程度の小さい結晶粒が支えられたのでは配向性は満足で
ない。パーマロイ膜の小さい結晶粒数個の上にCo−C
r膜の1つの結晶粒が支えられたときパーマロイ膜のこ
れら数個の結晶粒の平均表面か水平化されてco−Cr
結晶粒にすぐれた配向性を与えるものと思われる。これ
はあくまで仮設であるが、実験事実を良く説明するよう
に思われる。
−Cr膜の平均結晶性粒径Aとがnfl /J、サイ程
良いというものではなく、両者が相関的に作用して初め
てすぐれた表面性と配向性が得られることを示す。例え
ばパーマロイ膜の小さい結晶粒の上にGo−Cr膜の同
程度の小さい結晶粒が支えられたのでは配向性は満足で
ない。パーマロイ膜の小さい結晶粒数個の上にCo−C
r膜の1つの結晶粒が支えられたときパーマロイ膜のこ
れら数個の結晶粒の平均表面か水平化されてco−Cr
結晶粒にすぐれた配向性を与えるものと思われる。これ
はあくまで仮設であるが、実験事実を良く説明するよう
に思われる。
以上のように、本発明によると配向性及び表面性の良い
垂直磁化型磁気記録媒体が得られる。
垂直磁化型磁気記録媒体が得られる。
第1図は従来の方法により製造される垂直磁化型磁気記
録媒体の照型図、第2図は同媒体の高透磁率層の表面状
態と結晶配向を示す模型図、第3図は本発明の方法で製
造される垂直磁化型磁気記録媒体の模型図、第4図は本
発明の実施例における高透磁率層の平均結晶粒径Bと基
体温度の関係を示すグラフ、第5図は粒径Bと垂直磁化
膜の配写真である。 第5図 第6図 第7図 手続補正書 昭和59年 3月21日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 事件の表示 昭和59年 特願第10998 壮発明の
名称 磁気記録媒体 補「[:を−する者 事(’lとの関係 特許出願人 名ill (306)ティーディーケイ株式会社代理人 補正の対象 一願書兵発朋者圓鴇Uば」栴−一 明細書の」−゛6′−“′−゛° −′1←溌明の詳細
な説明の欄補正の内容 別紙の通り 1、 明細書第3頁第12〜16行に[特開昭54−5
18044とあるを[特公昭5B−914と訂正する。 2、 回書第6直下から第3行にrQJとあるを「θ」
と訂正する。 3、 図面中筒2図及び第5図を別紙の通り訂正する。 抽1〔の対象 ・−願個4弓圓ル隷袖■庇ん蟲滞し一一=−明細書の発
明つ烙雨−寺詐請求の噺■←発明の詳細な説明の欄hi
i il二の内容 別紙の通り 明細書中筒7頁第1行及び第3行、第9頁第12行、第
16行及び第18行、第11頁第5行にrQsoJとあ
るを「θso」と訂正する。
録媒体の照型図、第2図は同媒体の高透磁率層の表面状
態と結晶配向を示す模型図、第3図は本発明の方法で製
造される垂直磁化型磁気記録媒体の模型図、第4図は本
発明の実施例における高透磁率層の平均結晶粒径Bと基
体温度の関係を示すグラフ、第5図は粒径Bと垂直磁化
膜の配写真である。 第5図 第6図 第7図 手続補正書 昭和59年 3月21日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 事件の表示 昭和59年 特願第10998 壮発明の
名称 磁気記録媒体 補「[:を−する者 事(’lとの関係 特許出願人 名ill (306)ティーディーケイ株式会社代理人 補正の対象 一願書兵発朋者圓鴇Uば」栴−一 明細書の」−゛6′−“′−゛° −′1←溌明の詳細
な説明の欄補正の内容 別紙の通り 1、 明細書第3頁第12〜16行に[特開昭54−5
18044とあるを[特公昭5B−914と訂正する。 2、 回書第6直下から第3行にrQJとあるを「θ」
と訂正する。 3、 図面中筒2図及び第5図を別紙の通り訂正する。 抽1〔の対象 ・−願個4弓圓ル隷袖■庇ん蟲滞し一一=−明細書の発
明つ烙雨−寺詐請求の噺■←発明の詳細な説明の欄hi
i il二の内容 別紙の通り 明細書中筒7頁第1行及び第3行、第9頁第12行、第
16行及び第18行、第11頁第5行にrQsoJとあ
るを「θso」と訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)少なくとも2層からなる磁性薄膜を非磁性基体表面
上に形成してなる磁気記録媒体において、平均結晶粒径
Aを有する磁性層と該層に隣接した平均結晶粒径Bを有
する磁性層との2層を含み、平均結晶粒径Bを有する磁
性層が非磁性基体に一層近く、B<ヲAであることを特
徴とする磁気記録媒体。 2)B<百Aであることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の磁気記録媒体。 3)平均結晶粒径Aを有する磁性層が低保磁力の高透磁
率磁性膜であり、平均結晶粒径Bを有する磁性層が垂直
磁化型膜であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
または第2項記載の磁気記録媒体。 4)平均結晶粒径Aを有する磁性層がコバル)−クロム
膜であり、平均結晶粒径Bを有する磁性層がパーマロイ
膜であることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし
第3項のいずれかに記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59010998A JPS60157715A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 磁気記録媒体 |
US06/691,883 US4636448A (en) | 1984-01-26 | 1985-01-16 | Magnetic recording medium |
DE19853501819 DE3501819A1 (de) | 1984-01-26 | 1985-01-21 | Magnetaufzeichnungsmedium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59010998A JPS60157715A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60157715A true JPS60157715A (ja) | 1985-08-19 |
Family
ID=11765801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59010998A Pending JPS60157715A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 磁気記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4636448A (ja) |
JP (1) | JPS60157715A (ja) |
DE (1) | DE3501819A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4990389A (en) * | 1984-10-12 | 1991-02-05 | Nippon Gakki Seizo Kabushiki Kaisha | Disk for magnetic recording |
JPH0640361B2 (ja) * | 1985-03-07 | 1994-05-25 | 日本ビクター株式会社 | 垂直磁気記録再生方法 |
JP2522246B2 (ja) * | 1986-05-06 | 1996-08-07 | ブラザー工業株式会社 | 薄膜磁気記録媒体の製造方法 |
US4939045A (en) * | 1987-03-23 | 1990-07-03 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium |
ES2040343T3 (es) * | 1987-06-08 | 1993-10-16 | Esselte Meto International Gmbh | Dispositivos magneticos. |
JP2728498B2 (ja) * | 1988-05-27 | 1998-03-18 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体 |
US5582924A (en) * | 1989-01-09 | 1996-12-10 | Esselte Meto International Gmbh | Magnetic materials for security applications |
US5368948A (en) * | 1989-01-09 | 1994-11-29 | Esselte Meto International Produktions | Magnetic materials for security applications |
JPH04102223A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-03 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置 |
US5324593A (en) * | 1992-02-18 | 1994-06-28 | Hmt Technology Corporation | Thin film medium with layered film gradient |
JPH0573881A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-26 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
US6194058B1 (en) | 1998-07-31 | 2001-02-27 | Quantegy, Inc. | Multi-layer magnetic recording medium, method and system of manufacture |
US7736765B2 (en) * | 2004-12-28 | 2010-06-15 | Seagate Technology Llc | Granular perpendicular magnetic recording media with dual recording layer and method of fabricating same |
US8110298B1 (en) | 2005-03-04 | 2012-02-07 | Seagate Technology Llc | Media for high density perpendicular magnetic recording |
US8119263B2 (en) * | 2005-09-22 | 2012-02-21 | Seagate Technology Llc | Tuning exchange coupling in magnetic recording media |
US8697260B2 (en) * | 2008-07-25 | 2014-04-15 | Seagate Technology Llc | Method and manufacture process for exchange decoupled first magnetic layer |
US7867637B2 (en) * | 2008-11-17 | 2011-01-11 | Seagate Technology Llc | Low coupling oxide media (LCOM) |
US9142240B2 (en) | 2010-07-30 | 2015-09-22 | Seagate Technology Llc | Apparatus including a perpendicular magnetic recording layer having a convex magnetic anisotropy profile |
US9963777B2 (en) | 2012-10-08 | 2018-05-08 | Analog Devices, Inc. | Methods of forming a thin film resistor |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58141433A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-22 | Teijin Ltd | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5758226A (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-07 | Toshiba Corp | Magnetic recording medium |
JPS5798135A (en) * | 1980-12-11 | 1982-06-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium |
JPS57208631A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-21 | Hitachi Ltd | Vertical magnetic recording medium |
JPS5891A (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 熱交換装置 |
JPS5968815A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-18 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
JPS60117413A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1984
- 1984-01-26 JP JP59010998A patent/JPS60157715A/ja active Pending
-
1985
- 1985-01-16 US US06/691,883 patent/US4636448A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-01-21 DE DE19853501819 patent/DE3501819A1/de active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58141433A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-22 | Teijin Ltd | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3501819A1 (de) | 1985-08-01 |
US4636448A (en) | 1987-01-13 |
DE3501819C2 (ja) | 1989-06-01 |
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