JPS60131650A - 光メモリデイスクおよびその製造方法 - Google Patents
光メモリデイスクおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS60131650A JPS60131650A JP58240106A JP24010683A JPS60131650A JP S60131650 A JPS60131650 A JP S60131650A JP 58240106 A JP58240106 A JP 58240106A JP 24010683 A JP24010683 A JP 24010683A JP S60131650 A JPS60131650 A JP S60131650A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- disk substrate
- teox
- disk
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
木発萌は、レーザ光照射により記録膜に情報をビット記
録する光メモリディスクおよびその製造方法に関するも
のである。
録する光メモリディスクおよびその製造方法に関するも
のである。
従来例の構成とその問題点
近年、実時間での記録再生が可能な光メモリディスクが
大容量高密度メモリとして大いに期待されている。これ
は例えば高速回転するディスクにレーザ光を照射してそ
の記録膜にビット記録し、同じレーザ光によって読み取
るものである。記録再生を非接触で行うため、ピックア
ップおよびディスクを傷つけないこと、お工び情報への
アク七スが高速でできる等の利点を有している。
大容量高密度メモリとして大いに期待されている。これ
は例えば高速回転するディスクにレーザ光を照射してそ
の記録膜にビット記録し、同じレーザ光によって読み取
るものである。記録再生を非接触で行うため、ピックア
ップおよびディスクを傷つけないこと、お工び情報への
アク七スが高速でできる等の利点を有している。
このような光メモリディスクを可能にする記録膜として
、Ｔ ｅｏ、ｘ （、Ｃ） （ｘ （ｊ ）薄膜がある
。このＴｅＯｘはＴ ｅ Ｏ２とＴｅとの混合物である
。この薄膜はレーザ光照射による熱により相変態が生じ
、反射率の増大および透過率の減少によって記録ビット
を形成するものである。
、Ｔ ｅｏ、ｘ （、Ｃ） （ｘ （ｊ ）薄膜がある
。このＴｅＯｘはＴ ｅ Ｏ２とＴｅとの混合物である
。この薄膜はレーザ光照射による熱により相変態が生じ
、反射率の増大および透過率の減少によって記録ビット
を形成するものである。
ＴｅＯｘ’薄膜を形成する方法として、真空蒸着法が最
適ヤあり、第１図にその蒸着方法の一例を説明する。Ｔ
ｅ蒸着源１とＴ ｅ Ｏ２蒸−源２を設け、ディスク基
板３を回転させながら、それぞれの蒸着源１，２の温度
を制御して蒸着を行う。
適ヤあり、第１図にその蒸着方法の一例を説明する。Ｔ
ｅ蒸着源１とＴ ｅ Ｏ２蒸−源２を設け、ディスク基
板３を回転させながら、それぞれの蒸着源１，２の温度
を制御して蒸着を行う。
ＴｅＯｘ薄膜はその組成すなわちＴｅＯｘのＸの値によ
って、その特性が大きく変化する。第２図はＴｅＯｘ薄
膜の組成による熱転移温度の差異を測定したものである
。ガラス基板に蒸着されたこれらの膜は、加熱しながら
その透過率を測定すると、特定温度で透過率の転移が見
られる。Ｔｅ成分の多い組成（ＴｅＯ２成分値の小さな
組成）では熱転移温度が低いのに対し、ＴｅＯ２成分の
多い組成（ＴｅＯｘ薄膜値の大きな組成）では熱転移温
度が高くなっている。レーザ光によって加熱昇温して膜
を相変態させて〜記録ビットを形成させる場合、この転
移温度が低いほど記録感度が高い材料であるといえる。
って、その特性が大きく変化する。第２図はＴｅＯｘ薄
膜の組成による熱転移温度の差異を測定したものである
。ガラス基板に蒸着されたこれらの膜は、加熱しながら
その透過率を測定すると、特定温度で透過率の転移が見
られる。Ｔｅ成分の多い組成（ＴｅＯ２成分値の小さな
組成）では熱転移温度が低いのに対し、ＴｅＯ２成分の
多い組成（ＴｅＯｘ薄膜値の大きな組成）では熱転移温
度が高くなっている。レーザ光によって加熱昇温して膜
を相変態させて〜記録ビットを形成させる場合、この転
移温度が低いほど記録感度が高い材料であるといえる。
これより、Ｔｅ成分の多い組成（以下、Ｔｅ ｒｉ’ｃ
ｈな組成と呼ぶ）はど高感度な記録膜になり得るわけで
ある。
ｈな組成と呼ぶ）はど高感度な記録膜になり得るわけで
ある。
次に、これらのＴｅＯｘ薄膜の安定性を調べた結果が第
３図である。ガラス基板上に蒸着した組成の異なるＴｅ
Ｏｘ薄膜を４０°Ｃ，ｅｏ％の湿度中に長時間放置して
、透過率の変化を測定した。Ｔ’ｅｒｉｃｈな組成の膜
は数時間で透過率に著しい変化を示すが、Ｔ ｅ Ｏ２
ｒｉｃｈな膜は全く変化がみられず、非常に安定である
。
３図である。ガラス基板上に蒸着した組成の異なるＴｅ
Ｏｘ薄膜を４０°Ｃ，ｅｏ％の湿度中に長時間放置して
、透過率の変化を測定した。Ｔ’ｅｒｉｃｈな組成の膜
は数時間で透過率に著しい変化を示すが、Ｔ ｅ Ｏ２
ｒｉｃｈな膜は全く変化がみられず、非常に安定である
。
以上の結果より、ＴｅＯｘ薄膜は、記録感度および変化
量の点では、Ｔｏτｉｃｈな組成が有利であるが、安定
性の点からみるとＴｅＯ２ｒｉｃｈな組成が優れており
、どちらも一長一短がある問題点を有している。
量の点では、Ｔｏτｉｃｈな組成が有利であるが、安定
性の点からみるとＴｅＯ２ｒｉｃｈな組成が優れており
、どちらも一長一短がある問題点を有している。
発明の目的
本発明は上記の問題点を解消するもので、記録感度が高
く、かつ安定性に優れた光メモリディスクおよびその製
造方法を提供することを目的とする０ 発明の構成 本発明は金属または半金属Ｍと酸素０との組成比がＭＯ
ｘ （０（ｘ （Ａ 、 ＡはＭの量を１と、した場合
の酸素０の量を化学等量比で表わした値）である記録用
の薄膜をディスク基板上に形成し、前記薄膜の厚さ方向
で、前記ディスク基板に近い部分に対し、前記ディスク
基板に遠い部分で酸素量が多くなるように設定した光メ
モリディスクであり、また、これを製造するに際し、Ｍ
Ｏｘを主成分とする焼結体を蒸着源とし、前記ディスク
基板にＭｏｗを蒸着する少くとも初期において、蒸着速
度を連続的に上昇させるようにしたものである。
く、かつ安定性に優れた光メモリディスクおよびその製
造方法を提供することを目的とする０ 発明の構成 本発明は金属または半金属Ｍと酸素０との組成比がＭＯ
ｘ （０（ｘ （Ａ 、 ＡはＭの量を１と、した場合
の酸素０の量を化学等量比で表わした値）である記録用
の薄膜をディスク基板上に形成し、前記薄膜の厚さ方向
で、前記ディスク基板に近い部分に対し、前記ディスク
基板に遠い部分で酸素量が多くなるように設定した光メ
モリディスクであり、また、これを製造するに際し、Ｍ
Ｏｘを主成分とする焼結体を蒸着源とし、前記ディスク
基板にＭｏｗを蒸着する少くとも初期において、蒸着速
度を連続的に上昇させるようにしたものである。
実施例の説明
記録時にレーザ光の出力を上げてビット記録を行い、加
、熱変態によって生じたビット部の反射率変化を、出力
を下げたレーザ光によって再生する光ディスクの場合１
．ビーザ光の照射される側の記録膜の組成が光ディスク
の特性を左右する大きな要素となる。そこで、レーザ光
が照射される側、すなわち、ディスク基板近傍のＴｅＯ
ｘ薄膜において、ディスク基板に近づくに従って、Ｔ、
ｅ ｒｉｃｈな組成に連続的に変化させて、記録感度を
高めるとともにＴｅＯｘ薄膜の他の領域では、Ｔ ｅ
Ｏ２ｒｉｃｈ表組成として、安定性を高める構成とする
。
、熱変態によって生じたビット部の反射率変化を、出力
を下げたレーザ光によって再生する光ディスクの場合１
．ビーザ光の照射される側の記録膜の組成が光ディスク
の特性を左右する大きな要素となる。そこで、レーザ光
が照射される側、すなわち、ディスク基板近傍のＴｅＯ
ｘ薄膜において、ディスク基板に近づくに従って、Ｔ、
ｅ ｒｉｃｈな組成に連続的に変化させて、記録感度を
高めるとともにＴｅＯｘ薄膜の他の領域では、Ｔ ｅ
Ｏ２ｒｉｃｈ表組成として、安定性を高める構成とする
。
次に、上記のＴｅＯｘ薄膜の構成を可能にする製造方法
について説明する。第４図は製造方法を示す模式構成図
である。ノ・−ス４に蒸着源であるＴｅＯｘ焼結体５を
セットする。このＴｅＯｘ焼結体５に電子ビーム６が集
中的に当てられ、その極部加熱によって蒸着物質が蒸発
する。ＴｅＯｘ焼結体６の上方に、レーザ光案内用の溝
トラツク７を有するディスク基板８が回転しており、溝
トラック７を有する面にＴｅＯｘ薄膜が蒸着される。
について説明する。第４図は製造方法を示す模式構成図
である。ノ・−ス４に蒸着源であるＴｅＯｘ焼結体５を
セットする。このＴｅＯｘ焼結体５に電子ビーム６が集
中的に当てられ、その極部加熱によって蒸着物質が蒸発
する。ＴｅＯｘ焼結体６の上方に、レーザ光案内用の溝
トラツク７を有するディスク基板８が回転しており、溝
トラック７を有する面にＴｅＯｘ薄膜が蒸着される。
ＴｅＯｘ焼結体５を電子ビームによって加熱する場合、
電子ビームのパワーを低くして蒸着速度を低くすると、
Ｔｅ ｒｉｃｈな膜が形成される。逆にパワーを上げて
蒸着速度を高くするとＴ ｅ Ｏ２ｒｉｃｈな膜が形成
される。これはＴｅ の蒸発温度が４５０’Ｃであるの
に対し、Ｔ ｅ Ｏ２の蒸発温度は７３３°Ｃと高くな
っているためである。したがって加熱温度を低くすると
Ｔｅのみが蒸発しゃすくＴｅ ｒｉｃｈ な膜が形成さ
れるが、加熱温度が高くなるとＴ ｅ Ｏ２も蒸発しゃ
すくなり、Ｔｅ０２ｒｉｃｈな膜が形成される。
電子ビームのパワーを低くして蒸着速度を低くすると、
Ｔｅ ｒｉｃｈな膜が形成される。逆にパワーを上げて
蒸着速度を高くするとＴ ｅ Ｏ２ｒｉｃｈな膜が形成
される。これはＴｅ の蒸発温度が４５０’Ｃであるの
に対し、Ｔ ｅ Ｏ２の蒸発温度は７３３°Ｃと高くな
っているためである。したがって加熱温度を低くすると
Ｔｅのみが蒸発しゃすくＴｅ ｒｉｃｈ な膜が形成さ
れるが、加熱温度が高くなるとＴ ｅ Ｏ２も蒸発しゃ
すくなり、Ｔｅ０２ｒｉｃｈな膜が形成される。
そこでディスク基板にＴｅＯｘ薄膜を蒸着するに際して
、少なくともその初期において、蒸着速度を連続的に上
昇させることにより、基板に近い方から遠い方に向かっ
てＴｅ ｒｉｃｈ な組成からＴｅ０２ｒｉｃｈな組成
に連続的に変化させることができる。
、少なくともその初期において、蒸着速度を連続的に上
昇させることにより、基板に近い方から遠い方に向かっ
てＴｅ ｒｉｃｈ な組成からＴｅ０２ｒｉｃｈな組成
に連続的に変化させることができる。
第６図のａの溝トラツクを形成したアクリル等のディス
ク基板９に第６図に示す蒸着速度の時間的変化でＴｅＯ
ｘ薄膜１ｏを約１２０ ｎｍの膜厚で形成し、さらに保
護基板１１を接着層１２を介して密着構造にした完成さ
せたディスクの模式図である。第５図すは、同様に薄膜
の上に樹脂コーティング１２をほどこした上に、ハード
コート層１３を設けたディスクである。このディスクを
１８００ｒｐｍで回転させ、矢印１４の方からレーザ光
を照射し５ ＭＨｚの単位周波数を記録した。その結果
、５ｓｄＢを超えるＣ／Ｎ比が得られ、かつ、４０’Ｃ
。
ク基板９に第６図に示す蒸着速度の時間的変化でＴｅＯ
ｘ薄膜１ｏを約１２０ ｎｍの膜厚で形成し、さらに保
護基板１１を接着層１２を介して密着構造にした完成さ
せたディスクの模式図である。第５図すは、同様に薄膜
の上に樹脂コーティング１２をほどこした上に、ハード
コート層１３を設けたディスクである。このディスクを
１８００ｒｐｍで回転させ、矢印１４の方からレーザ光
を照射し５ ＭＨｚの単位周波数を記録した。その結果
、５ｓｄＢを超えるＣ／Ｎ比が得られ、かつ、４０’Ｃ
。
湿度９ｏ％の雰囲気に放置しても６年以上でも有意な変
化は見られていない。
化は見られていない。
なお、蒸着源としてＴｅＯｘ焼結体としたが、他の成分
、たとえばＧｅ、Ｓｎ等が添加されたＴｅＯｘ焼結体に
おいても、主成分がＴｅＯｘ焼結体であれば、その効果
は同様である。
、たとえばＧｅ、Ｓｎ等が添加されたＴｅＯｘ焼結体に
おいても、主成分がＴｅＯｘ焼結体であれば、その効果
は同様である。
連続的に酸素量を増加させるかわりに、階段状に、いわ
ば、多層膜状に酸素のより多い膜成分を形成しても、同
様に安定性のすぐれた膜を得ることができる。
ば、多層膜状に酸素のより多い膜成分を形成しても、同
様に安定性のすぐれた膜を得ることができる。
前記実施例ではＴ ｅ Ｏｘを例にして示したが、Ｇｅ
０ｘ（０（ｘ（２）、５ｎＯｘ（０＜）Ｃ＜２ ）。
０ｘ（０（ｘ（２）、５ｎＯｘ（０＜）Ｃ＜２ ）。
Ｉｎ０ｘ（０（ｘ（１，５）、Ｂ１０ｘ（０（ｘ＜１．
５）等金属または手金属Ｍと酸素０との組成比がＭＯｘ
（０（ｘ （Ａ 、 ＡはＭの量を１とした場合の酸素
０の量を化学量比で表わした値）である記録用の薄膜に
も実現可能である。
５）等金属または手金属Ｍと酸素０との組成比がＭＯｘ
（０（ｘ （Ａ 、 ＡはＭの量を１とした場合の酸素
０の量を化学量比で表わした値）である記録用の薄膜に
も実現可能である。
発明の効果
以上のように本発明によれば、ディスク基板に近い部分
に対し、遠い部分で酸素量が多くなっているので、記録
感度が良く、しかも安定性に優れた光ディスクを得るこ
とができ、しかも、製造に際しては蒸着速度をコントロ
ールするだけでよいので、容易に実施することができる
ものである。
に対し、遠い部分で酸素量が多くなっているので、記録
感度が良く、しかも安定性に優れた光ディスクを得るこ
とができ、しかも、製造に際しては蒸着速度をコントロ
ールするだけでよいので、容易に実施することができる
ものである。
第１図は従来のＴｅＯｘ薄膜を形成する方法の一例を示
す斜視図、第２図は組成を変えたＴｅＯｘ薄膜の熱転移
温度を測定した特性図、第３図は組成を変えたＴｅＯｘ
薄膜の安定性を調べた特性図、第４図は本発明の光メモ
リディスクの製造方法を実施した装置の原理図、第６図
ａ、ｂはそれぞれ本発明の実施例における光メモリディ
スクの断正面図、第６図は第４図の装置における蒸着速
度の時間的変化の一例を示す特性図である。 ８．９・・・・・・ディスク基板、５・・・・・・Ｔｅ
Ｏｘ焼結体、１ｏ・・・・・・ＴｅＯｘ薄膜、１１・・
・・・・保護基板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
２ 図 ン逼１ｃ ４１ ｔ−ｃノ 王１＋’Ｗｉ（１２！ｉＷ） 図 ρ
す斜視図、第２図は組成を変えたＴｅＯｘ薄膜の熱転移
温度を測定した特性図、第３図は組成を変えたＴｅＯｘ
薄膜の安定性を調べた特性図、第４図は本発明の光メモ
リディスクの製造方法を実施した装置の原理図、第６図
ａ、ｂはそれぞれ本発明の実施例における光メモリディ
スクの断正面図、第６図は第４図の装置における蒸着速
度の時間的変化の一例を示す特性図である。 ８．９・・・・・・ディスク基板、５・・・・・・Ｔｅ
Ｏｘ焼結体、１ｏ・・・・・・ＴｅＯｘ薄膜、１１・・
・・・・保護基板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
２ 図 ン逼１ｃ ４１ ｔ−ｃノ 王１＋’Ｗｉ（１２！ｉＷ） 図 ρ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）金属または半金属Ｍと酸素Ｏとの組成比がＭＯｘ
（０（ｘ （Ａ 、 ＡはＭの量を１とした場合の酸
素Ｏの量を化学等量比で表わした値）である記録用の薄
膜をディスク基板１に形成し、前記薄膜の厚さ方向で、
前記ディスク基板に近い部分に対し、前記ディスク基板
に遠い部分で酸素量が多くなるように設定した光メモリ
ディスク。 （２） ＭＯｘとしてＧｅＯｘ （０（ｘ （２） 、
Ｓ ｎｃ）ｘ（０＜ｘ（２）、Ｔｅ０ｘ（０＜ｘ〈２
）、’ Ｉｎ０ｘ（０（ｘ〈１．６ ）、Ｂ１０ｘ（
０（ｘ（１，５）のうちの１つを用いた特許請求の範囲
第１項記載の光メモリディスク。 （３）Ａの値が前記ディスク基板に近い方から遠い方に
向って連続的に大きくなるように設定した特許請求の範
囲第１項または第２項記載の光メモリディスク。 素０の量を化学等量比で表わした値）である記録用の薄
膜をディスク基板上に形成するに際し、ＭＯｘを主成分
とする焼結体を蒸着源とし、前記ディスク基板にＭＯｘ
を蒸着する少くとも初期において、蒸着速度を連続的に
上昇させることを特徴とする光メモリディスクの製造方
法。 （６）ディスク基板１ｃ ＭＯｘ を蒸着するに際し電
子ビーム蒸着法を用いることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光メモリゾ９＝りの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58240106A JPS60131650A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 光メモリデイスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58240106A JPS60131650A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 光メモリデイスクおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60131650A true JPS60131650A (ja) | 1985-07-13 |
| JPH0465462B2 JPH0465462B2 (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=17054575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58240106A Granted JPS60131650A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 光メモリデイスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60131650A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323235A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録担体 |
| JPH03120634A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-22 | Dowa Mining Co Ltd | 光ディスクおよびその製造法 |
| WO2004005041A1 (ja) * | 2002-07-09 | 2004-01-15 | Sony Corporation | 光記録媒体 |
| WO2004032130A1 (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光学的情報記録媒体とその製造方法 |
| WO2004080724A1 (ja) * | 2003-03-13 | 2004-09-23 | Sony Corporation | 光記録媒体 |
| JP2006116948A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-05-11 | Ricoh Co Ltd | 追記型光記録媒体 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5046317A (ja) * | 1973-08-29 | 1975-04-25 | ||
| JPS563442A (en) * | 1979-06-20 | 1981-01-14 | Toshiba Corp | Optical memory disk and its manufacture |
| JPS57208299A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Recording method of optical information |
| JPS5854338A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体および記録方法 |
-
1983
- 1983-12-20 JP JP58240106A patent/JPS60131650A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5046317A (ja) * | 1973-08-29 | 1975-04-25 | ||
| JPS563442A (en) * | 1979-06-20 | 1981-01-14 | Toshiba Corp | Optical memory disk and its manufacture |
| JPS57208299A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Recording method of optical information |
| JPS5854338A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体および記録方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323235A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録担体 |
| JPH03120634A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-22 | Dowa Mining Co Ltd | 光ディスクおよびその製造法 |
| WO2004005041A1 (ja) * | 2002-07-09 | 2004-01-15 | Sony Corporation | 光記録媒体 |
| US7390546B2 (en) | 2002-07-09 | 2008-06-24 | Sony Corporation | Optical recording medium |
| WO2004032130A1 (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光学的情報記録媒体とその製造方法 |
| CN100373481C (zh) * | 2002-10-01 | 2008-03-05 | 松下电器产业株式会社 | 光学信息记录介质及其制造方法 |
| US7485355B2 (en) | 2002-10-01 | 2009-02-03 | Panasonic Corporation | Optical information recording medium and method for manufacturing the same |
| WO2004080724A1 (ja) * | 2003-03-13 | 2004-09-23 | Sony Corporation | 光記録媒体 |
| US7464391B2 (en) | 2003-03-13 | 2008-12-09 | Sony Corporation | Optical recording medium |
| JP2006116948A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-05-11 | Ricoh Co Ltd | 追記型光記録媒体 |
| JP4627704B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2011-02-09 | 株式会社リコー | 追記型光記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0465462B2 (ja) | 1992-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60177446A (ja) | 光デイスク記録媒体 | |
| JPH029955B2 (ja) | ||
| JPS60131650A (ja) | 光メモリデイスクおよびその製造方法 | |
| JPS61190734A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPS60157894A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH0582838B2 (ja) | ||
| JPS6288152A (ja) | 光学情報記録部材 | |
| JPS60236133A (ja) | 光デイスク及びその製造方法 | |
| JPH029954B2 (ja) | ||
| JPS6216193A (ja) | 光学情報記録部材 | |
| JPH02276036A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH023114A (ja) | 情報記録用薄膜 | |
| JPH0375940B2 (ja) | ||
| JP2696754B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPS60160037A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPS60234248A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPS62154341A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS60226037A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH0829616B2 (ja) | 情報の記録用部材 | |
| JP2571557B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP2576959B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPS63175243A (ja) | 光学情報記録再生部材の製造方法 | |
| JPH03231891A (ja) | 光情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS63263642A (ja) | 情報記録用薄膜 | |
| JPS61168142A (ja) | 光記録媒体 |