JPS60139653A - シクロペンテン誘導体 - Google Patents
シクロペンテン誘導体Info
- Publication number
- JPS60139653A JPS60139653A JP58248712A JP24871283A JPS60139653A JP S60139653 A JPS60139653 A JP S60139653A JP 58248712 A JP58248712 A JP 58248712A JP 24871283 A JP24871283 A JP 24871283A JP S60139653 A JPS60139653 A JP S60139653A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- formula
- amino
- cyclopentene
- acid
- Prior art date
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、式
で表わされる3−アミノ−5−ヒドロキシ−1−シクロ
ペンテン−1−メタノールまたはその水酸基が保護され
た化合物、またはそれらの光学活性体・あ“’4;t+
tltD酸付加塩に関す6・式(1)の化合物において
、水酸基が保護された化合物とは有機合成化学の分野で
常用されている保護基により保護された化合物を意味す
る。
ペンテン−1−メタノールまたはその水酸基が保護され
た化合物、またはそれらの光学活性体・あ“’4;t+
tltD酸付加塩に関す6・式(1)の化合物において
、水酸基が保護された化合物とは有機合成化学の分野で
常用されている保護基により保護された化合物を意味す
る。
1位のメタノール部の水酸基の保護基としては、たとえ
ば、ホルミル、アセチル、クロロアセチル、トリクロロ
アセチル、トリフルオロアセチル、メトキシカルボニル
、フェノキシカルボニル、トリチルオキシカルボニル、
β−ベンゾイルプロピオニル、ピバロイル、ベンゾイル
などのアシル基、トリチル、メトキシトリチル、ジメト
キシトリチル、トリメトキシトリチルなどのトリチル基
、メトキシメチル基などがあげられる。5位の水酸基の
保護基としては、たとえばホルミル、アセチル、メトキ
シカルボニル、第三ブト□キシカルボニル、ベンゾイル
、p−クロロベンゾイルオキシカルボニルなどのアシル
基、第三ブチル、メトキシメチル、゛α−メトキシエチ
ル、α−エトキシエチルなどのアルキル基、ベンジル、
0−ニトロベンジル、トリチルな、どのアラルキル基、
テ′トラヒドロピラニル、メトキシテトラヒドロピラニ
ルなどのピラニル基、トリメチルシリル、第三ブヂルジ
メチルシリル、第三ブチルジフェニルシリルなどのシリ
。
ば、ホルミル、アセチル、クロロアセチル、トリクロロ
アセチル、トリフルオロアセチル、メトキシカルボニル
、フェノキシカルボニル、トリチルオキシカルボニル、
β−ベンゾイルプロピオニル、ピバロイル、ベンゾイル
などのアシル基、トリチル、メトキシトリチル、ジメト
キシトリチル、トリメトキシトリチルなどのトリチル基
、メトキシメチル基などがあげられる。5位の水酸基の
保護基としては、たとえばホルミル、アセチル、メトキ
シカルボニル、第三ブト□キシカルボニル、ベンゾイル
、p−クロロベンゾイルオキシカルボニルなどのアシル
基、第三ブチル、メトキシメチル、゛α−メトキシエチ
ル、α−エトキシエチルなどのアルキル基、ベンジル、
0−ニトロベンジル、トリチルな、どのアラルキル基、
テ′トラヒドロピラニル、メトキシテトラヒドロピラニ
ルなどのピラニル基、トリメチルシリル、第三ブヂルジ
メチルシリル、第三ブチルジフェニルシリルなどのシリ
。
ル基などがあげられる。また、1位のメタノール部およ
び5位の水酸基は1 、 、j、 3.、.3−テトラ
イソプロピルジシロキサン−1,3−ジイル基などで同
時に保護されていてもよい。
び5位の水酸基は1 、 、j、 3.、.3−テトラ
イソプロピルジシロキサン−1,3−ジイル基などで同
時に保護されていてもよい。
本発明の化合物には、1位および5位の水酸基の両方が
保護された化合物ばかりでなく、一方が保護された化合
物も包含される。
保護された化合物ばかりでなく、一方が保護された化合
物も包含される。
本発明の化合物(1)は、一般式
(式中、Rはホルミル、カルバモイル、メトキシカルボ
ニル、第三ブトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボ
ニル等のアミノ基の保護基を示す、)で表わされる化合
物を、好ましくは、J、 Chem。
ニル、第三ブトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボ
ニル等のアミノ基の保護基を示す、)で表わされる化合
物を、好ましくは、J、 Chem。
Res、、1979. 24〜25または同1979゜
181〜197に記載されているように、適当な゛ 有
機溶媒中、アミンの存在下に、1.3−ジクロCl−1
,1,3,−テトライソプロピルジシロキサンと反応さ
せて、1位のメタノール曹の水酸基と5位の水酸基とを
保護して、得られる一般式−(式中、iPrはイソプロ
ピルを示し、Rは前記と同義である。) で表わされる化合物とN、N’−チオカルボニルジイミ
ダゾール、アルキルキサンテート、アリールキサンテー
トまたは、ピリジルキサンテートとをベンゼンなどの有
機溶媒中にて反応さセて、一般式 %式%) (式中、R1は1−イミダゾリル、メチルチオJフェニ
ルチオ、2−ピリジルチオなどを示し、R21Prは前
記と同義である。) で表わされる化合物を得、これをベンゼン、トルエンな
どの有機溶媒中、加熱下、好ましくは、α。
181〜197に記載されているように、適当な゛ 有
機溶媒中、アミンの存在下に、1.3−ジクロCl−1
,1,3,−テトライソプロピルジシロキサンと反応さ
せて、1位のメタノール曹の水酸基と5位の水酸基とを
保護して、得られる一般式−(式中、iPrはイソプロ
ピルを示し、Rは前記と同義である。) で表わされる化合物とN、N’−チオカルボニルジイミ
ダゾール、アルキルキサンテート、アリールキサンテー
トまたは、ピリジルキサンテートとをベンゼンなどの有
機溶媒中にて反応さセて、一般式 %式%) (式中、R1は1−イミダゾリル、メチルチオJフェニ
ルチオ、2−ピリジルチオなどを示し、R21Prは前
記と同義である。) で表わされる化合物を得、これをベンゼン、トルエンな
どの有機溶媒中、加熱下、好ましくは、α。
α′−アゾビスイソブチロニトリルなどのラジカル開始
剤を触媒として用いて水素化トリブチル錫などでラジカ
ル的に還元して、一般式 (式中4 R+ i P rは前記と同義である。)で
表わされる化合物を得、次いで、たとえばフッ化テトラ
ブチルアンモニウムによりシリル基を脱離し、さらにア
ミノ基保護基をも脱離することによって製造される。
1 このようにして得られる目的化合物は、シリカゲル、吸
着樹脂などの吸着剤に吸着させて溶出するカラムクロマ
トグラフィーやイオン交換樹脂を用いる方法などにより
分離精製することができる。
剤を触媒として用いて水素化トリブチル錫などでラジカ
ル的に還元して、一般式 (式中4 R+ i P rは前記と同義である。)で
表わされる化合物を得、次いで、たとえばフッ化テトラ
ブチルアンモニウムによりシリル基を脱離し、さらにア
ミノ基保護基をも脱離することによって製造される。
1 このようにして得られる目的化合物は、シリカゲル、吸
着樹脂などの吸着剤に吸着させて溶出するカラムクロマ
トグラフィーやイオン交換樹脂を用いる方法などにより
分離精製することができる。
また、常法により塩酸、臭化水素酸、”ノン酸、硝酸、
硫酸などの無機酸またはp−トルエンスルホン酸、メタ
ンスルホン酸、クエン酸、乳酸、マレイン酸、フマール
酸、コハク酸、酒石酸などの有機酸で処理することによ
り、対応する酸付加塩にすることができる。 、 、 上記の原料化合物(I[)は、シクロペンタジェンとア
セチレンジカルボン酸ジメチル生から3段階で得られる
式 、 で表わされる化合物を、一方のエステル基のみを選択的
に不斉加水分解しうる能力を有するエステラーゼまたは
微生物の培養液、菌体もしくは菌体処理物で処理して得
られるモノエステル化合物より製造することができる。
硫酸などの無機酸またはp−トルエンスルホン酸、メタ
ンスルホン酸、クエン酸、乳酸、マレイン酸、フマール
酸、コハク酸、酒石酸などの有機酸で処理することによ
り、対応する酸付加塩にすることができる。 、 、 上記の原料化合物(I[)は、シクロペンタジェンとア
セチレンジカルボン酸ジメチル生から3段階で得られる
式 、 で表わされる化合物を、一方のエステル基のみを選択的
に不斉加水分解しうる能力を有するエステラーゼまたは
微生物の培養液、菌体もしくは菌体処理物で処理して得
られるモノエステル化合物より製造することができる。
すなわち、シクロペンタジェンとアセチレンジカルボン
酸ジメチルとをディールス・アルダ−反応に付して得た
ビシクロ(2,2,1)へブタ−2,5−ジエン−2,
3−ジカルボン酸ジメチルを四酸化オスミウムで酸化し
、得られた5、6−ジヒドロキシ(2,2゜1〕ヘプタ
−2−エン−2,3−ジカルボン酸ジメチルのヒドロキ
シ基をイソプロピリデン基で保護して毎られる化合物(
Vl)をブタ肝臓由来エステラーゼで不斉加水分解して
モノメチルエステル体とし、これをオゾン酸化して2.
3−ジメチルメチレンジオキシ−4−メトキサツルシク
ロペンクン−1−カルボン酸を得、これを順次2,3−
・ジメチルメチレンジオキシ−4−ホルミルシクロペン
クン−1−カルボン酸、6.7−シメチルメチレンジオ
キシー3−オキサビシクロ(3,2゜1〕オクタン−2
−オン、2,3−ジメチルメチレンジオキシ−4−フェ
ニルセレノメチルシクロペンクン−1−カルボン酸に変
換し、次いで、クルチウス反応によりイソシアネート化
した後、2゜3−ジメチルメチレンジオキシ−4−フェ
ニルセレノメチルシクロペンタン−1−カルバミン酸メ
チルを得、これをエキソメチレン化して、2.3−ジメ
チルメチレンジオキシ−4−メチレンシクロペンクン−
1−カルバミン酸メチルを得、これをエポキシ化して6
.7−シメチルメチレンジオキシー1−オキサスピロ(
2,4)へブタン−5−カルバミン酸メチルを得、これ
を2.3−ジメチルメチレンジオキシ−4−ヒドロキシ
−4−シクロペンテン−1−カルバミン酸メチルに変換
し、次いで、ジメチルメチレン基を常法により脱離する
ことにより得られる。
酸ジメチルとをディールス・アルダ−反応に付して得た
ビシクロ(2,2,1)へブタ−2,5−ジエン−2,
3−ジカルボン酸ジメチルを四酸化オスミウムで酸化し
、得られた5、6−ジヒドロキシ(2,2゜1〕ヘプタ
−2−エン−2,3−ジカルボン酸ジメチルのヒドロキ
シ基をイソプロピリデン基で保護して毎られる化合物(
Vl)をブタ肝臓由来エステラーゼで不斉加水分解して
モノメチルエステル体とし、これをオゾン酸化して2.
3−ジメチルメチレンジオキシ−4−メトキサツルシク
ロペンクン−1−カルボン酸を得、これを順次2,3−
・ジメチルメチレンジオキシ−4−ホルミルシクロペン
クン−1−カルボン酸、6.7−シメチルメチレンジオ
キシー3−オキサビシクロ(3,2゜1〕オクタン−2
−オン、2,3−ジメチルメチレンジオキシ−4−フェ
ニルセレノメチルシクロペンクン−1−カルボン酸に変
換し、次いで、クルチウス反応によりイソシアネート化
した後、2゜3−ジメチルメチレンジオキシ−4−フェ
ニルセレノメチルシクロペンタン−1−カルバミン酸メ
チルを得、これをエキソメチレン化して、2.3−ジメ
チルメチレンジオキシ−4−メチレンシクロペンクン−
1−カルバミン酸メチルを得、これをエポキシ化して6
.7−シメチルメチレンジオキシー1−オキサスピロ(
2,4)へブタン−5−カルバミン酸メチルを得、これ
を2.3−ジメチルメチレンジオキシ−4−ヒドロキシ
−4−シクロペンテン−1−カルバミン酸メチルに変換
し、次いで、ジメチルメチレン基を常法により脱離する
ことにより得られる。
本発明の化合物のうち、光学活性体、特に上記のように
して得られる(−)異性体が有用である。
して得られる(−)異性体が有用である。
すなわち、本発明の化合物の(−)異性体は、たとえば
次に示すようにL5178Y細胞に対し生育阻害作用を
示す2′−デオキシネプラノシンA(特開昭57−10
2.889号)の合成中間体と−して有用である。
次に示すようにL5178Y細胞に対し生育阻害作用を
示す2′−デオキシネプラノシンA(特開昭57−10
2.889号)の合成中間体と−して有用である。
I
以下、参考例および実施例により本発明を具体的に説明
するが、本発明はそれらに限定されるもので、はない。
するが、本発明はそれらに限定されるもので、はない。
参考例=2.3−ジヒドロキシ−゛4−ヒドロキシメチ
ル−4−シクロペンテン−1−力ルハミン酸メチルの製
造 特願昭58−116151号に記載した参考例(a)〜
(i)と同様にして、5.6−シメチルメチレンジオキ
シビシクロ[2,2,13へブタ−2−エン−2,3−
ジカルボン酸ジメチルから製造される融点139〜14
0℃で〔α〕+5−−−67.2° (C= 0.5
、クロロホルム)を示す2゜3−ジメチルメチレンジオ
キシ−4−ヒドロキシメチル−4−シクロペンテン−1
−カルバミン酸メチル75mgを50%合水酢酸に溶か
し、50℃で5時間攪拌する0反応後、溶媒を完全に留
去し、残液を塩化メチレンとメタノールの9:x繰合溶
媒を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトにより精
製すると、結晶62.jgが得られる。これ−19 をアセトンとへキ号ンの3=1混合溶媒から再結晶する
と、融点126.5〜128℃の標記化合物が白色結晶
として得られる。
ル−4−シクロペンテン−1−力ルハミン酸メチルの製
造 特願昭58−116151号に記載した参考例(a)〜
(i)と同様にして、5.6−シメチルメチレンジオキ
シビシクロ[2,2,13へブタ−2−エン−2,3−
ジカルボン酸ジメチルから製造される融点139〜14
0℃で〔α〕+5−−−67.2° (C= 0.5
、クロロホルム)を示す2゜3−ジメチルメチレンジオ
キシ−4−ヒドロキシメチル−4−シクロペンテン−1
−カルバミン酸メチル75mgを50%合水酢酸に溶か
し、50℃で5時間攪拌する0反応後、溶媒を完全に留
去し、残液を塩化メチレンとメタノールの9:x繰合溶
媒を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトにより精
製すると、結晶62.jgが得られる。これ−19 をアセトンとへキ号ンの3=1混合溶媒から再結晶する
と、融点126.5〜128℃の標記化合物が白色結晶
として得られる。
実施例
2.3−ジヒドロキシ−4−ヒドロキシメチル−4−シ
クロペンテン−1−カルバミン酸メチル72−gを無水
ジメチルホルムアミド2mlに熔かし、これにイミダゾ
ール10611gを加え、室温にて攪拌しながら、1,
3−ジクロロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジ
シロキサン122鵬8を滴下する。M温にて2時間攪拌
し、飽和食塩水に注ぎ、酢酸エチルで抽出する。酢酸エ
チル層を水洗し、芒硝で乾燥後、減圧下に溶媒を留去す
る。得られた残渣をヘキサンと酢酸エチルとの3:l混
合溶媒を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトにて
精製すると、3位の水酸基と4位のメタノール部の水酸
基が1.1,3.3−テトライソプロピルジシロキサン
−1,3−ジイル基で保護された化合物87−Rが得ら
れる。
クロペンテン−1−カルバミン酸メチル72−gを無水
ジメチルホルムアミド2mlに熔かし、これにイミダゾ
ール10611gを加え、室温にて攪拌しながら、1,
3−ジクロロ−1,1,3,3−テトライソプロピルジ
シロキサン122鵬8を滴下する。M温にて2時間攪拌
し、飽和食塩水に注ぎ、酢酸エチルで抽出する。酢酸エ
チル層を水洗し、芒硝で乾燥後、減圧下に溶媒を留去す
る。得られた残渣をヘキサンと酢酸エチルとの3:l混
合溶媒を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトにて
精製すると、3位の水酸基と4位のメタノール部の水酸
基が1.1,3.3−テトライソプロピルジシロキサン
−1,3−ジイル基で保護された化合物87−Rが得ら
れる。
プロトン核磁気共鳴スペクトル(重クロロホルふ/TM
S)δ+1.07 (28H’、・d、 J = 41
1z) +3.14 (IN、、d、J−5Hz) ;
3.70 (3H,s、) + 3.99 (I H,
’ddd、J =2.5−、、 5Hz)+4.36
(2H,s)+4.56 (LH,br);4.99
(11(、d、J=511z) ;5.64 (IH。
S)δ+1.07 (28H’、・d、 J = 41
1z) +3.14 (IN、、d、J−5Hz) ;
3.70 (3H,s、) + 3.99 (I H,
’ddd、J =2.5−、、 5Hz)+4.36
(2H,s)+4.56 (LH,br);4.99
(11(、d、J=511z) ;5.64 (IH。
bra )
質量スペクトル(m/e)+ 445 (M”)+42
8 (M” −0H) ; 403この化合物35−g
を無水ベンゼン3mlに溶かし、アルゴン気流下にN、
N’−チオカルボニルジイミダゾール28−gを加え、
5時間攪拌還流する。
8 (M” −0H) ; 403この化合物35−g
を無水ベンゼン3mlに溶かし、アルゴン気流下にN、
N’−チオカルボニルジイミダゾール28−gを加え、
5時間攪拌還流する。
冷却後、溶媒を留去し、ヘキサンと酢酸エチルの2:1
混合溶媒を用いてシリカゲルカラムクロマトを行い、次
いでヘキサンから結晶化させると、融点107.5〜1
08.5℃の白色結晶が得られる。
混合溶媒を用いてシリカゲルカラムクロマトを行い、次
いでヘキサンから結晶化させると、融点107.5〜1
08.5℃の白色結晶が得られる。
この白色結晶27mgを無水トルエン1細1に溶かし、
α、α′−アゾビスイソブチロニトリル8mgを加え、
70℃に加熱攪拌する。これに水素化トリブチル錫20
ttllを加え、3時間攪拌しながら還流する。冷後、
溶媒を留去して得られる残渣をヘキサンと酢酸エチルの
4:l混合溶媒を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロ
マトにより精製すると、融点104〜106℃の式 で表わされる化合物が得られる。
α、α′−アゾビスイソブチロニトリル8mgを加え、
70℃に加熱攪拌する。これに水素化トリブチル錫20
ttllを加え、3時間攪拌しながら還流する。冷後、
溶媒を留去して得られる残渣をヘキサンと酢酸エチルの
4:l混合溶媒を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロ
マトにより精製すると、融点104〜106℃の式 で表わされる化合物が得られる。
プロトン核磁気共鳴スペクトル(重クロロホルム/TM
S)δ:1.06 (28H,brs) ;2.1.4
(2H,m) ;3.67 (3H,a) +4.3
5 (2H,s)+4.12 (2H,br);5.1
5 (IN、tofdd);5.60 (IH,I)質
量スペクトル(m/e) : 429 (M” ) 1
386 (M” −CO(CHs)2)このようにして
得られた化合物72驕gを無、水テトラヒドロフラン5
mlに溶かし、アルゴン気流■に室温で攪拌しながら、
°1モルのフン化テトラブチルアンモニウムのテト?ヒ
ドロフラン溶液o、装置1を滴下する。室温にて30分
間攪拌し、溶媒を留去する。残留した油状物をシリカゲ
ルに吸着させ、展開溶媒として酢酸エチル、次いてテト
ラヒドロフランを用いてドライシリカゲルカラムクロマ
トにて精製すると、3−ヒドロキシ−4−ヒドロキシメ
チル−4−シクロペンテン−1−カルバミン酸メチル3
1mg(定量的)がシロップとして得られる。
S)δ:1.06 (28H,brs) ;2.1.4
(2H,m) ;3.67 (3H,a) +4.3
5 (2H,s)+4.12 (2H,br);5.1
5 (IN、tofdd);5.60 (IH,I)質
量スペクトル(m/e) : 429 (M” ) 1
386 (M” −CO(CHs)2)このようにして
得られた化合物72驕gを無、水テトラヒドロフラン5
mlに溶かし、アルゴン気流■に室温で攪拌しながら、
°1モルのフン化テトラブチルアンモニウムのテト?ヒ
ドロフラン溶液o、装置1を滴下する。室温にて30分
間攪拌し、溶媒を留去する。残留した油状物をシリカゲ
ルに吸着させ、展開溶媒として酢酸エチル、次いてテト
ラヒドロフランを用いてドライシリカゲルカラムクロマ
トにて精製すると、3−ヒドロキシ−4−ヒドロキシメ
チル−4−シクロペンテン−1−カルバミン酸メチル3
1mg(定量的)がシロップとして得られる。
Rf値−J、15(塩化メチレン:メタノール−9:■
) 赤外線吸収スペクトル(cs −’ 、液膜法):33
50 (OH); 1690〜171G (Co2CH
。
) 赤外線吸収スペクトル(cs −’ 、液膜法):33
50 (OH); 1690〜171G (Co2CH
。
);1460;106G
プロトン核磁気共鳴スペクトル(重クロロホルム、重メ
タノール/TNs)δ1.10(21(。
タノール/TNs)δ1.10(21(。
m、CH2)+ 3.60 (3H,s、Co> CH
3); 4.0’0 (2H,s、0)(); 4.2
l (2H。
3); 4.0’0 (2H,s、0)(); 4.2
l (2H。
s、C旦20H)i4.80 (21(、br、QC旦
。
。
NCH);5.6B (IH,s、::C=C11−)
;6.96 (IH,a、NH) 、質量スペクトル(m/s)’: 169 (M” −H20) このカルバミン酸メチル化合物31−gを無水テトラヒ
ドロフランに溶かし、ジイソプロピルエチルアミン0.
2mlを加え、水冷下にメトキシメチルクロライド0.
1mlを滴下する。室温にて1日攪拌し、溶媒を留去し
て酢酸エチルにて抽出する。酢酸エチル層を常法により
処理した後、残留した油状物を展開溶媒として酢酸エチ
ルとへキサンの1:2混合溶媒を用いて精製すると、3
−メトキシメトキシ−4−メトキシメトキシメチル−4
−シクロペンテン−1−力ルバミン酸メチル38−g(
収率83%)がシロップとして得られる。
;6.96 (IH,a、NH) 、質量スペクトル(m/s)’: 169 (M” −H20) このカルバミン酸メチル化合物31−gを無水テトラヒ
ドロフランに溶かし、ジイソプロピルエチルアミン0.
2mlを加え、水冷下にメトキシメチルクロライド0.
1mlを滴下する。室温にて1日攪拌し、溶媒を留去し
て酢酸エチルにて抽出する。酢酸エチル層を常法により
処理した後、残留した油状物を展開溶媒として酢酸エチ
ルとへキサンの1:2混合溶媒を用いて精製すると、3
−メトキシメトキシ−4−メトキシメトキシメチル−4
−シクロペンテン−1−力ルバミン酸メチル38−g(
収率83%)がシロップとして得られる。
Rf値−0,64(酢酸エチル)
赤外線吸収スペクトル(cs −’ 、液膜法):33
30 (NH)il?00〜1720 (Co2CH+
);1530 プロトン核磁気共鳴スペクトル(重クロロホルム/TM
S)δ: 1.94 (IH,ddd、J−4,3゜7
.14Hz、CH);2.3B (IH,ddd、3゜
7.14H3CH) ;3.38 (6H,a。
30 (NH)il?00〜1720 (Co2CH+
);1530 プロトン核磁気共鳴スペクトル(重クロロホルム/TM
S)δ: 1.94 (IH,ddd、J−4,3゜7
.14Hz、CH);2.3B (IH,ddd、3゜
7.14H3CH) ;3.38 (6H,a。
(OCH3) 2 ) s 3.67 (3H,、s。
CO2CHa ) ; 4.1 B (2H,S、 C
且20H)+4.66 (4H,s、(OCH20)2
) ;4.80 <3H,m、NCR,(OCR)2
) i 5.84(IH,tl、 ′:;C=C旦−) 質量スペクトル(m/e) : 244 (M” −0
CH3) ;213 (M” (OCH3)2)こうし
て得られた0−メトキシメチル化合物38−gをメタノ
ール541に熔かし、2.5規定水酸化カリウム水溶液
4mlを加え、12時間攪拌還流する。冷後、溶媒を留
去し、クロロホルムにて数回抽出する。クロロホルム層
を常法にて処理すると、粗油状物として3−メトキシメ
トキシ−4−メトキシメトキシメチル−4−シクロペン
テン−1−アミンが得られる。
且20H)+4.66 (4H,s、(OCH20)2
) ;4.80 <3H,m、NCR,(OCR)2
) i 5.84(IH,tl、 ′:;C=C旦−) 質量スペクトル(m/e) : 244 (M” −0
CH3) ;213 (M” (OCH3)2)こうし
て得られた0−メトキシメチル化合物38−gをメタノ
ール541に熔かし、2.5規定水酸化カリウム水溶液
4mlを加え、12時間攪拌還流する。冷後、溶媒を留
去し、クロロホルムにて数回抽出する。クロロホルム層
を常法にて処理すると、粗油状物として3−メトキシメ
トキシ−4−メトキシメトキシメチル−4−シクロペン
テン−1−アミンが得られる。
赤外線吸収スペクトル(am−’、液膜法)=3350
1940;2860+1190;1080プロトン核磁
気共鳴スペクトル(重クロロホルム/TMS)δ+ 2
.00. 2.30 (2H,m。
1940;2860+1190;1080プロトン核磁
気共鳴スペクトル(重クロロホルム/TMS)δ+ 2
.00. 2.30 (2H,m。
CH2):3.3B (6H,a、(OCHa)2)+
4.06 (br、NH2) i4.2G (2H,s
。
4.06 (br、NH2) i4.2G (2H,s
。
CH20)’+4.66 (4H,s、(OCH20)
2) ; 4.70〜4.80 (2B、 m、 OC
H,C,ILN) +5.90 (IH,s、 ′;C
−C且−)質量スペクトル(m/e) + 186 (
M” −0CHa ); 172 (M+−OCHa
0CHa )+ 155 (M” (OCHI)2)こ
の粗油状物を常法によりメトキシメチル基を脱離させ、
次いで塩酸塩とすることにより、目的とする3−アミノ
−5−ヒドロキシ−1−シクロペンテン−1−メタノー
ル塩酸塩が結晶として得られる。
2) ; 4.70〜4.80 (2B、 m、 OC
H,C,ILN) +5.90 (IH,s、 ′;C
−C且−)質量スペクトル(m/e) + 186 (
M” −0CHa ); 172 (M+−OCHa
0CHa )+ 155 (M” (OCHI)2)こ
の粗油状物を常法によりメトキシメチル基を脱離させ、
次いで塩酸塩とすることにより、目的とする3−アミノ
−5−ヒドロキシ−1−シクロペンテン−1−メタノー
ル塩酸塩が結晶として得られる。
特許出願人 吉富製薬株式会社
東洋醸造株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 式 で表わされる3−アミノ−5−ヒドロキシ−1−シクロ
ペンテン−1−メタノール、またはその水酸基が保護さ
れた化合物またはそれらの光学活性体、あるいはそれら
の酸付加塩。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58248712A JPS60139653A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | シクロペンテン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58248712A JPS60139653A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | シクロペンテン誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60139653A true JPS60139653A (ja) | 1985-07-24 |
JPH0477739B2 JPH0477739B2 (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=17182213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58248712A Granted JPS60139653A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | シクロペンテン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60139653A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6392085B2 (en) * | 1992-02-25 | 2002-05-21 | Smithkline Beecham Corporation | Therapeutic nucleosides |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP58248712A patent/JPS60139653A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6392085B2 (en) * | 1992-02-25 | 2002-05-21 | Smithkline Beecham Corporation | Therapeutic nucleosides |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0477739B2 (ja) | 1992-12-09 |
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