JPS60107651A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS60107651A JPS60107651A JP58215030A JP21503083A JPS60107651A JP S60107651 A JPS60107651 A JP S60107651A JP 58215030 A JP58215030 A JP 58215030A JP 21503083 A JP21503083 A JP 21503083A JP S60107651 A JPS60107651 A JP S60107651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- layer
- thin film
- film
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は主として半導体の製造に使用されるフォトマス
クに関する。
クに関する。
一般にこの種フォトマスクは透明ガラスの基板上にクロ
ムの単層膜或はクロム及び酸化クロムの二層膜から成る
クロム系の薄膜をスノぐツタリングにより形成し、該薄
膜の表面にさらにフォトレジストの層全形成して得られ
るか、スパッタリングにより形成されたクロム系の薄膜
の表面は極めて不安定（活性）であり、空気中の翁機物
全急速に吸着して表面張力が低、下するためその表面は
疎水性となって洗浄が円穴Ｅになり、でらに例えば市販
の７オトレジストの１６２ ’ｆＪ稲’Ｊ 記薄膜から
剥れ易くなり、しかもフォトレジストを塗布したフォト
マスクは長ルＪの保存に耐え得ない不部会を生じ、特に
超ＬＳＩ等で要求をれる飯細なパターンの加工全行なう
に不同きである。
ムの単層膜或はクロム及び酸化クロムの二層膜から成る
クロム系の薄膜をスノぐツタリングにより形成し、該薄
膜の表面にさらにフォトレジストの層全形成して得られ
るか、スパッタリングにより形成されたクロム系の薄膜
の表面は極めて不安定（活性）であり、空気中の翁機物
全急速に吸着して表面張力が低、下するためその表面は
疎水性となって洗浄が円穴Ｅになり、でらに例えば市販
の７オトレジストの１６２ ’ｆＪ稲’Ｊ 記薄膜から
剥れ易くなり、しかもフォトレジストを塗布したフォト
マスクは長ルＪの保存に耐え得ない不部会を生じ、特に
超ＬＳＩ等で要求をれる飯細なパターンの加工全行なう
に不同きである。
本発明はこうした不都合がなく微細加工に適したフォト
マスクを提供することを目的としたもので、透明ガラス
の基板上にクロム系の薄膜をスパッタリングで形成し、
きらに該薄膜の表面にフォトレジストの層を形成する式
のものに於て、該クロム系の薄膜とフォトレジストの層
の間に、モリブデン、タングステン、タンタル等の高融
点金属の酸化＠或は鉄又はニッケルの酸化物或はアルミ
ニウムの酸化物若しくはシリコンの酸化物の層を形成し
て成る。
マスクを提供することを目的としたもので、透明ガラス
の基板上にクロム系の薄膜をスパッタリングで形成し、
きらに該薄膜の表面にフォトレジストの層を形成する式
のものに於て、該クロム系の薄膜とフォトレジストの層
の間に、モリブデン、タングステン、タンタル等の高融
点金属の酸化＠或は鉄又はニッケルの酸化物或はアルミ
ニウムの酸化物若しくはシリコンの酸化物の層を形成し
て成る。
本発明の実施例全図面につき説明するに、（１）は透明
なガラス製の基板、（２）は該基板の表面にスパッタリ
ングで形成したクロム系の薄ｖ全示し、誤薄膜（２）は
クロムの単Ｎ膜或はクロムの膜と酸化クロムの股の二層
膜で形成される。（３）は市販の例えば重クロム酸塩の
感光物質とポリビニールアルコールとかう成るフォトレ
ジストの層でＳ該Ｎ（３）に豚油膜ｔ２１の上面に形成
した膜状の中間層（４）上に設けらｎる。咳中間層（４
）はモリブデン１タングステン１タンタル等の約２６０
０度を越える高融点金属の酸化物、鉄又はニッケルの酸
化物、或はアルミニウムの酸化物若しくはシリコンの酸
化物全スパッタリング或は真空蒸着で約１０ＯＡ以下の
厚さで薄（形成することが好ましく）こうし７ｔ ｆｌ
ｆ化物の中間層（４）ヲ不安定なりロム系の簿膜（２）
上に形成することにより表面張力の低下が防止てれ、フ
ォトレジストの層（３）を大きな何着力で（１’ ＊
しておく口とが出来るＯ 該中間層（４）をガラス基板１１１の醸化クロムの薄１
０Ｘの厚さに形成しｆｃ場合、該酸化クロムの薄膜ｆｉ
ｌの水の接触角は第２図の曲ａｉ Ａで示すように時間
と共に余シ増大することがなく、その増大率は曲線Ｂで
示すような従来の中間層＋４１のない酸化クロムの薄膜
（２）のみの場合よりも大幅に小さくなった。そしてこ
の接触角の小はい中間ａ（４）を形成することでフォト
レジストの層（３）との付着性が同上し、洗浄に耐え得
、濃硫酸にも耐え得る耐薬品性の良いものが得らｎた〇
同様にモリブデン、タンタル、鉄又はニラナル、アルミ
ニウム、シリコンの各糸化物を真空蒸着した場合も薄膜
（２）の水の接触角は時間と共に余り増大することがな
く、フォトレジストの層（３）の付着性も良好でめった
。
なガラス製の基板、（２）は該基板の表面にスパッタリ
ングで形成したクロム系の薄ｖ全示し、誤薄膜（２）は
クロムの単Ｎ膜或はクロムの膜と酸化クロムの股の二層
膜で形成される。（３）は市販の例えば重クロム酸塩の
感光物質とポリビニールアルコールとかう成るフォトレ
ジストの層でＳ該Ｎ（３）に豚油膜ｔ２１の上面に形成
した膜状の中間層（４）上に設けらｎる。咳中間層（４
）はモリブデン１タングステン１タンタル等の約２６０
０度を越える高融点金属の酸化物、鉄又はニッケルの酸
化物、或はアルミニウムの酸化物若しくはシリコンの酸
化物全スパッタリング或は真空蒸着で約１０ＯＡ以下の
厚さで薄（形成することが好ましく）こうし７ｔ ｆｌ
ｆ化物の中間層（４）ヲ不安定なりロム系の簿膜（２）
上に形成することにより表面張力の低下が防止てれ、フ
ォトレジストの層（３）を大きな何着力で（１’ ＊
しておく口とが出来るＯ 該中間層（４）をガラス基板１１１の醸化クロムの薄１
０Ｘの厚さに形成しｆｃ場合、該酸化クロムの薄膜ｆｉ
ｌの水の接触角は第２図の曲ａｉ Ａで示すように時間
と共に余シ増大することがなく、その増大率は曲線Ｂで
示すような従来の中間層＋４１のない酸化クロムの薄膜
（２）のみの場合よりも大幅に小さくなった。そしてこ
の接触角の小はい中間ａ（４）を形成することでフォト
レジストの層（３）との付着性が同上し、洗浄に耐え得
、濃硫酸にも耐え得る耐薬品性の良いものが得らｎた〇
同様にモリブデン、タンタル、鉄又はニラナル、アルミ
ニウム、シリコンの各糸化物を真空蒸着した場合も薄膜
（２）の水の接触角は時間と共に余り増大することがな
く、フォトレジストの層（３）の付着性も良好でめった
。
尚、中間層（４）は薄膜（２）の形成時に同時に処理し
て該薄膜（２）の構成物中に＠有袋せることによっても
達成出来る。
て該薄膜（２）の構成物中に＠有袋せることによっても
達成出来る。
このように本発明のフォトマスクはガラス基板にスパッ
タリングで形成されるクロム系の薄膜とフォトレジスト
の層の間に、タングステン等の高融点金税の酸化物、鉄
又はニラナルの＝化物、アルミニウム、シリコンの各酸
化物の層全形成するもので、これによりフォトレジスト
の層がクロム系のＰｌ膜に強く付着し＼洗浄を自由に行
なえ、微細なパターンを形成するに当り不良品の発生を
少なく出来、長期保存することが出来る等の効果がある
。
タリングで形成されるクロム系の薄膜とフォトレジスト
の層の間に、タングステン等の高融点金税の酸化物、鉄
又はニラナルの＝化物、アルミニウム、シリコンの各酸
化物の層全形成するもので、これによりフォトレジスト
の層がクロム系のＰｌ膜に強く付着し＼洗浄を自由に行
なえ、微細なパターンを形成するに当り不良品の発生を
少なく出来、長期保存することが出来る等の効果がある
。
第１図は本発明の実施例の断面図Ａ第２図は水の接触角
の変化金示す線図である。 （１）・・・・・・ガラス基板 １２Ｊ・・・・・・ク
ロム系の薄膜（３）・・・・・・フォトレジストのｊ〜
ｊ（４）・・・・・・中 間層外２名
の変化金示す線図である。 （１）・・・・・・ガラス基板 １２Ｊ・・・・・・ク
ロム系の薄膜（３）・・・・・・フォトレジストのｊ〜
ｊ（４）・・・・・・中 間層外２名
Claims (1)
- 透明カラスの基板上にクロム系の薄膜をスパッタリング
で形成し、はらに該薄膜の表面にフォトレジストのＲ′
！ｉｌ−形成する式のものに於て、該クロム系の薄膜と
フォトレジストの層の間に・モリブデン、タングステン
、タンタル等の高融点金属の酸化物或は鉄又はニッケル
の酸化物或はアルミニウムの酸化物若しくはシリコンの
酸化物の層全形成して成るフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58215030A JPS60107651A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58215030A JPS60107651A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107651A true JPS60107651A (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=16665581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58215030A Pending JPS60107651A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107651A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02198835A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-07 | Toppan Printing Co Ltd | マスター用ガラス基板 |
| JP2023037572A (ja) * | 2021-09-03 | 2023-03-15 | エスケーシー ソルミックス カンパニー，リミテッド | ブランクマスク及びそれを用いたフォトマスク |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS492483A (ja) * | 1972-04-19 | 1974-01-10 | ||
| JPS5265673A (en) * | 1975-11-26 | 1977-05-31 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask and method of manufacture thereof |
| JPS5340301A (en) * | 1976-09-21 | 1978-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | Mask form for photo engraving |
-
1983
- 1983-11-17 JP JP58215030A patent/JPS60107651A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS492483A (ja) * | 1972-04-19 | 1974-01-10 | ||
| JPS5265673A (en) * | 1975-11-26 | 1977-05-31 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask and method of manufacture thereof |
| JPS5340301A (en) * | 1976-09-21 | 1978-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | Mask form for photo engraving |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02198835A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-07 | Toppan Printing Co Ltd | マスター用ガラス基板 |
| JP2023037572A (ja) * | 2021-09-03 | 2023-03-15 | エスケーシー ソルミックス カンパニー，リミテッド | ブランクマスク及びそれを用いたフォトマスク |
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