JPS5989653A - ４−ヒドロキシフエニルアセトニトリルの製造方法 - Google Patents
４−ヒドロキシフエニルアセトニトリルの製造方法Info
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- JPS5989653A JPS5989653A JP20007182A JP20007182A JPS5989653A JP S5989653 A JPS5989653 A JP S5989653A JP 20007182 A JP20007182 A JP 20007182A JP 20007182 A JP20007182 A JP 20007182A JP S5989653 A JPS5989653 A JP S5989653A
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- solvent
- hydroxyphenylacetonitrile
- hydrogen halide
- benzyloxyphenyl
- acetonitrile
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本Ｑ明［，４−ヒドロキシフェニルアセトニトリルの工
業的に有利な製造方法に関する。さらに詳１．（ｔ−ｊ
、４−ベンジルオキシフェニル了セトニトリル（以下ｒ
ＰＯＮＰＪという）を溶媒中でノ・ロゲ／化水素ガスと
反応させることを特徴とする４−ヒドロキシフェニルア
セトニトリルの製造方法に関スる。４−ヒドロキシフェ
ニルアセトニトリ １− ルＩｒｉ農薬および医薬として有用な物質の製造に用い
られる重要な中間体であり特に加水分解しニトリル＆ｉ
了ミド基に変換することによりβ−ブロッカ−の合成中
間体となり得るし、加水分解しパラヒドロキシフェニル
酢酸に変換することによりな化合物でおる。
業的に有利な製造方法に関する。さらに詳１．（ｔ−ｊ
、４−ベンジルオキシフェニル了セトニトリル（以下ｒ
ＰＯＮＰＪという）を溶媒中でノ・ロゲ／化水素ガスと
反応させることを特徴とする４−ヒドロキシフェニルア
セトニトリルの製造方法に関スる。４−ヒドロキシフェ
ニルアセトニトリ １− ルＩｒｉ農薬および医薬として有用な物質の製造に用い
られる重要な中間体であり特に加水分解しニトリル＆ｉ
了ミド基に変換することによりβ−ブロッカ−の合成中
間体となり得るし、加水分解しパラヒドロキシフェニル
酢酸に変換することによりな化合物でおる。
従来４−ヒドロキシフェニル了セトニ） ＋１ルの製造
方法と１．では、４−丁セトキシベンンルアセテートを
メタノール中シアノ化カリウムと反応させる方法（Ｈ，
ＨＦ３．ｙａＦ３ｈｉ、 Ｓ、 ０ｈｔａ、 、 Ｂｕ
ｌｌｊＩｕｎｔ？Ｃ！ｈｅｍでシアン化ナト１１ウムお
よび水酸化ナトＩ）ラムと１３０℃に加熱する方法（特
開昭５４−１４８７４４号公報）、ハラクレゾール全ア
セチル化して４−アセトキシトルエンとし塩素化剤を用
いて４−アセトキシベンジルクロライドを得、ついでシ
アン化カリウムと反応させることによって４−ヒドロ
２− キシフェニルアセトニトリルに転化させる方法（特開昭
５６−９００５２号公報）等が知られている。しかしな
がらこれらの方法は出発原料が工業的に入手固溶である
か、中間体の結晶性が悪いなどその分離精製がきわめて
むつかしい等の理由からいずれも優れた工業的製造方法
とは言い難い。
方法と１．では、４−丁セトキシベンンルアセテートを
メタノール中シアノ化カリウムと反応させる方法（Ｈ，
ＨＦ３．ｙａＦ３ｈｉ、 Ｓ、 ０ｈｔａ、 、 Ｂｕ
ｌｌｊＩｕｎｔ？Ｃ！ｈｅｍでシアン化ナト１１ウムお
よび水酸化ナトＩ）ラムと１３０℃に加熱する方法（特
開昭５４−１４８７４４号公報）、ハラクレゾール全ア
セチル化して４−アセトキシトルエンとし塩素化剤を用
いて４−アセトキシベンジルクロライドを得、ついでシ
アン化カリウムと反応させることによって４−ヒドロ
２− キシフェニルアセトニトリルに転化させる方法（特開昭
５６−９００５２号公報）等が知られている。しかしな
がらこれらの方法は出発原料が工業的に入手固溶である
か、中間体の結晶性が悪いなどその分離精製がきわめて
むつかしい等の理由からいずれも優れた工業的製造方法
とは言い難い。
本発明者らは従来法の欠点を克服すべく鋭意研究した結
果工業的に容易に入手可能な原料を用い。
果工業的に容易に入手可能な原料を用い。
高収率かつ高純度の目的物を合成する方法を見出し本発
明を完成した。本発明の出発原料であるＰＣＮＰｉｊ次
式により合成し得る（％開閉５７−１４９２４１号公報
）。
明を完成した。本発明の出発原料であるＰＣＮＰｉｊ次
式により合成し得る（％開閉５７−１４９２４１号公報
）。
多くのアルコキシフェニルアセトニトリル類はエーテル
結合を開裂させる反応条件下ではニトリル基が加水分解
されカルボン酸または了ミドになったり、還元されアミ
ノメチル体を生成したり、もしくＨ，二）＋１ル基がそ
のまま保持される条件下ではエーテル結合の開裂が行わ
れないなど、ヒドロキシフェニルアセトニトリルを高収
率で得ることは難しい。本発明者らはアルコキシ基の種
類とエーテル結合の開裂の容易さに関し検討した結果ベ
ンジル基をもつニトリル、ＰＣＮＰがニトリル基を保持
【、つる条件下できわめて容易に開裂し遊離水酸基とな
ることを見出した。本発明方法は。
結合を開裂させる反応条件下ではニトリル基が加水分解
されカルボン酸または了ミドになったり、還元されアミ
ノメチル体を生成したり、もしくＨ，二）＋１ル基がそ
のまま保持される条件下ではエーテル結合の開裂が行わ
れないなど、ヒドロキシフェニルアセトニトリルを高収
率で得ることは難しい。本発明者らはアルコキシ基の種
類とエーテル結合の開裂の容易さに関し検討した結果ベ
ンジル基をもつニトリル、ＰＣＮＰがニトリル基を保持
【、つる条件下できわめて容易に開裂し遊離水酸基とな
ることを見出した。本発明方法は。
ＰＣＮＰをべ／セン。トルエン等の溶媒に溶解した後ハ
ロゲン化水素ガスを導入しつつ加温しニトリル基を保持
してベンジル基の脱離を行うものである。ハロゲン化水
素としては塩化水素、臭化水素を用いることが゛できる
が経済的見地からは塩化水素ガスが好ま１−い。さらに
反応をより促進させ。
ロゲン化水素ガスを導入しつつ加温しニトリル基を保持
してベンジル基の脱離を行うものである。ハロゲン化水
素としては塩化水素、臭化水素を用いることが゛できる
が経済的見地からは塩化水素ガスが好ま１−い。さらに
反応をより促進させ。
副生成物を抑え０反応金より温和な条件で本発明方法を
実施する為必要に応じ、ジメチルアミン塩酸塩、トリエ
チルアミン、ピリジン、キノリン等のアミン［、Ｎ、Ｎ
ンメチルホルムアミド等のアミド類およびトリオクチル
メチルアンモニウムクロＩＪ ）”、 ） ＋３エチ
ルベンジルアンモニウムクロリド等の第四級アンモニウ
ム塩の１種または２種以上を少量添加すると好ましい結
果が得られる。
実施する為必要に応じ、ジメチルアミン塩酸塩、トリエ
チルアミン、ピリジン、キノリン等のアミン［、Ｎ、Ｎ
ンメチルホルムアミド等のアミド類およびトリオクチル
メチルアンモニウムクロＩＪ ）”、 ） ＋３エチ
ルベンジルアンモニウムクロリド等の第四級アンモニウ
ム塩の１種または２種以上を少量添加すると好ましい結
果が得られる。
反応は５０℃〜１００℃の温度範囲で行うのが好ましく
、３０℃以下ではベンジル基の脱離が遅く実用的でな（
，１００℃以上の温度では、目的物の収率が低下するた
め好ましくない。
、３０℃以下ではベンジル基の脱離が遅く実用的でな（
，１００℃以上の温度では、目的物の収率が低下するた
め好ましくない。
本発明方法において、エーテル結合をハロゲン化水素ガ
スで開裂させるが、その際、）・ロゲン化ベンジルが定
量的に生成し、このものは、ＰＯＮＰＩｉ造の出発原料
であるベンジルフェニルエーテル製造の原料として回収
・再使用できることも本発明の特徴のひとつである。ま
た、べ／ジル基をフェノール性水酸基の保護基としてい
ることによってエーテル結合の開裂が容易になるばかり
でなく結晶性がよく原料段階での精製もきわめて容易で
ある。反応後、４−ヒドロキシフェニルアセトニトリル
を反応液から取出すには溶媒およびノ１０ゲン化ベンジ
ル等を留去したあと真空黒部によって得るか、水を加え
たあと酢酸エチル、メチルイソブチルケトン等の溶媒で
抽出することによって高収率で得ることができる。
スで開裂させるが、その際、）・ロゲン化ベンジルが定
量的に生成し、このものは、ＰＯＮＰＩｉ造の出発原料
であるベンジルフェニルエーテル製造の原料として回収
・再使用できることも本発明の特徴のひとつである。ま
た、べ／ジル基をフェノール性水酸基の保護基としてい
ることによってエーテル結合の開裂が容易になるばかり
でなく結晶性がよく原料段階での精製もきわめて容易で
ある。反応後、４−ヒドロキシフェニルアセトニトリル
を反応液から取出すには溶媒およびノ１０ゲン化ベンジ
ル等を留去したあと真空黒部によって得るか、水を加え
たあと酢酸エチル、メチルイソブチルケトン等の溶媒で
抽出することによって高収率で得ることができる。
本発明ｊｄ、’ＰＣＮＰｆ原料としニトリル基を保持し
たままエーテル結合を開裂させて４−ヒドロキシフェニ
ルアセトニトリルｔｌ−製造する方法を提供するもので
あり、経済性が高（工業的に有利な製造方法である。
たままエーテル結合を開裂させて４−ヒドロキシフェニ
ルアセトニトリルｔｌ−製造する方法を提供するもので
あり、経済性が高（工業的に有利な製造方法である。
胤下１本発明金実施例を示［７てさらに詳しく説明する
が１本発明はこれらに限定されるものではない。
が１本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例
Ｐ ＣＮ Ｐ １２．４ ｆ （０，［１５モル）、ト
ルエン２５ｍ１ 、ピリジン３．９５ ｆ７！の溶液に
塩化水素ガスを２０−７分の速度で導入し、攪拌しなが
ら８０℃に加熱した。１０時間反応を続けたあと塩化水
素ガスの導入を止め減圧下トルエンを留去して５．Ｏｆ
の４−ヒドロキシフェニル了セトニトリルヲ得た（収率
７５チ）。瓜ｐ、６７〜６８℃ ＮＭＲ（ＤＭ８０−ｄ、＋ＣＤＱｌ、） ：δ３．６８
（ｓ、 ２Ｈ）、 ６．８０（ｄ、 ２Ｈ，Ｊ＝＝８．
５Ｈｚ ）７１５（４，２Ｈ，Ｊ＝８．５Ｈ２）、 ９
．５０（ｂｓ、 ＩＨ） ６− 実施例２ Ｐ ＣＮ Ｐ ６．２４ ｆ （０，０２モル）トルエ
ン８．１Ｖ、ジメチルアミ／塩酸塩２．４２の溶液に塩
化水素ガスを１５４／分の速度で導入し、攪拌しながら
８０℃に加熱した。７時間反応を続けたあと塩化水素ガ
スの導入を止め減圧下トルエンを留去して２１５ｆｔＤ
ａ−ヒドロキシフェニルアセトニトリルを得た（収率８
０チ）。
ルエン２５ｍ１ 、ピリジン３．９５ ｆ７！の溶液に
塩化水素ガスを２０−７分の速度で導入し、攪拌しなが
ら８０℃に加熱した。１０時間反応を続けたあと塩化水
素ガスの導入を止め減圧下トルエンを留去して５．Ｏｆ
の４−ヒドロキシフェニル了セトニトリルヲ得た（収率
７５チ）。瓜ｐ、６７〜６８℃ ＮＭＲ（ＤＭ８０−ｄ、＋ＣＤＱｌ、） ：δ３．６８
（ｓ、 ２Ｈ）、 ６．８０（ｄ、 ２Ｈ，Ｊ＝＝８．
５Ｈｚ ）７１５（４，２Ｈ，Ｊ＝８．５Ｈ２）、 ９
．５０（ｂｓ、 ＩＨ） ６− 実施例２ Ｐ ＣＮ Ｐ ６．２４ ｆ （０，０２モル）トルエ
ン８．１Ｖ、ジメチルアミ／塩酸塩２．４２の溶液に塩
化水素ガスを１５４／分の速度で導入し、攪拌しながら
８０℃に加熱した。７時間反応を続けたあと塩化水素ガ
スの導入を止め減圧下トルエンを留去して２１５ｆｔＤ
ａ−ヒドロキシフェニルアセトニトリルを得た（収率８
０チ）。
実施例３
２メチルアミン塩酸塩にかえてトリオクチルメチルアン
モニウムクロライド０．６６ｆ、）ルエン７７１、水０
．１８ｆ、反応時間’ｉｉ６時間とした以外は実施例２
と同様に反応を行い、１７ｆの４＝ヒドロキシフエニル
アセトニトリル’ｌ！７’Ｃ（［４６４チ）。
モニウムクロライド０．６６ｆ、）ルエン７７１、水０
．１８ｆ、反応時間’ｉｉ６時間とした以外は実施例２
と同様に反応を行い、１７ｆの４＝ヒドロキシフエニル
アセトニトリル’ｌ！７’Ｃ（［４６４チ）。
特許出願人 日産化学工業株式会社
−７兜−
５１１−
Claims (2)
- （１）４−ベンジルオキシフェニル了セトニトリルを溶
媒中でハロゲン化水素ガスと反応させることを特徴とす
る４−ヒドロキシフェニルアセトニトリルの製造方法。 - （２） アミン類、アミド類訃よび第４級アンモニウ
ム塩の１棟または２種以上を共存させることを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20007182A JPS5989653A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | ４−ヒドロキシフエニルアセトニトリルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20007182A JPS5989653A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | ４−ヒドロキシフエニルアセトニトリルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5989653A true JPS5989653A (ja) | 1984-05-23 |
Family
ID=16418357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20007182A Pending JPS5989653A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | ４−ヒドロキシフエニルアセトニトリルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5989653A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08235325A (ja) * | 1995-11-10 | 1996-09-13 | Hitachi Maxell Ltd | Ｉｃカードリーダーライター |
| JP4822649B2 (ja) * | 2000-08-04 | 2011-11-24 | インヴィスタ テクノロジーズ エスアエルエル | ３−ヒドロキシアルカンニトリルおよびヒドロキシアミノアルカンの製造方法 |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP20007182A patent/JPS5989653A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08235325A (ja) * | 1995-11-10 | 1996-09-13 | Hitachi Maxell Ltd | Ｉｃカードリーダーライター |
| JP4822649B2 (ja) * | 2000-08-04 | 2011-11-24 | インヴィスタ テクノロジーズ エスアエルエル | ３−ヒドロキシアルカンニトリルおよびヒドロキシアミノアルカンの製造方法 |
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