JPS5973555A - エステル−アゾキシ化合物 - Google Patents
エステル−アゾキシ化合物Info
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- JPS5973555A JPS5973555A JP57185150A JP18515082A JPS5973555A JP S5973555 A JPS5973555 A JP S5973555A JP 57185150 A JP57185150 A JP 57185150A JP 18515082 A JP18515082 A JP 18515082A JP S5973555 A JPS5973555 A JP S5973555A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C291/00—Compounds containing carbon and nitrogen and having functional groups not covered by groups C07C201/00 - C07C281/00
- C07C291/02—Compounds containing carbon and nitrogen and having functional groups not covered by groups C07C201/00 - C07C281/00 containing nitrogen-oxide bonds
- C07C291/08—Azoxy compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
- C09K19/3001—Cyclohexane rings
- C09K19/3086—Cyclohexane rings in which at least two rings are linked by a chain containing nitrogen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2601/00—Systems containing only non-condensed rings
- C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
- C07C2601/14—The ring being saturated
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエステル−アゾキシ化合物に関する。
さらに詳しくはネマチック液晶相をもち、液晶表示素子
用液晶材料の一成分として使用できるエステル−アゾキ
シ化合物に関する。
用液晶材料の一成分として使用できるエステル−アゾキ
シ化合物に関する。
周知のとうり、ネマチック液晶は電場の影響で光散乱・
複屈折などの電気光学的性質が著しく変化する性質をも
ち、様々な表示原理を応用した液晶表示装置に広く利用
されている。代表的なものには、ねじれ配向をもつネマ
チック液晶の股肉を電界により制御するTN型。これに
二色性染料などを添加してゲスト・ホスト効果をもたせ
たGH型。さらに光学活性物質などを添加し螺旋状の分
子配列を利用した相転移型表示素子などがある。
複屈折などの電気光学的性質が著しく変化する性質をも
ち、様々な表示原理を応用した液晶表示装置に広く利用
されている。代表的なものには、ねじれ配向をもつネマ
チック液晶の股肉を電界により制御するTN型。これに
二色性染料などを添加してゲスト・ホスト効果をもたせ
たGH型。さらに光学活性物質などを添加し螺旋状の分
子配列を利用した相転移型表示素子などがある。
これらに用いられる液晶材料に要求される性質はそれぞ
れに異なるが、いずれにおいても化学的に安定であるこ
と。また室温をふくみ、かつ広い温度範囲でネマチック
状態であることが必要である。
れに異なるが、いずれにおいても化学的に安定であるこ
と。また室温をふくみ、かつ広い温度範囲でネマチック
状態であることが必要である。
また、現在のところ単一化合物で液晶表示材料に要求さ
れる諸条件を全て満たすものはなく、数種の液晶性化合
物を混合しである程度実用に耐える液晶組成物を形成し
ている。
れる諸条件を全て満たすものはなく、数種の液晶性化合
物を混合しである程度実用に耐える液晶組成物を形成し
ている。
本発明の目的はこのような実状において、液晶せ科
組成物ゝe>−成分として使用され、その特性の改良に
役立つ化合物を提供することである。
役立つ化合物を提供することである。
即ち本発明の化合物は
(式中R,R’は炭素数1〜8個の直鎖アルキル基を示
す。)で表わされる P−(トランス−4−アルキルシ
クロへキシルカルボニルオキシ) p/−アルキルア
ゾキシベンゼンである。
す。)で表わされる P−(トランス−4−アルキルシ
クロへキシルカルボニルオキシ) p/−アルキルア
ゾキシベンゼンである。
以下にこの化合物の製造工程を簡単に説明するOt
工程1: R’−@−NHトー→R’ −o−NH2a
HOt八 市販のP−アルキルアニリンを5Nm酸により塩I!i
12塩とした後、当輩の亜硝酸ソーダでジアゾ化しジア
ゾニウム塩を裂取する。
HOt八 市販のP−アルキルアニリンを5Nm酸により塩I!i
12塩とした後、当輩の亜硝酸ソーダでジアゾ化しジア
ゾニウム塩を裂取する。
前記ジアゾニウム塩と市販のフェノールを10%苛性ソ
ーダ中でカップリングせしめ P−アルキル−P′−ヒ
ドロキシアゾベンゼンを裂取する市販のトランス−4−
アルキルシクロヘキサンカルボン酸を塩化チオニルと反
応せしめ トランス−4−アルキルシクロヘキサンカル
ボン酸クロライドを裂取する。
ーダ中でカップリングせしめ P−アルキル−P′−ヒ
ドロキシアゾベンゼンを裂取する市販のトランス−4−
アルキルシクロヘキサンカルボン酸を塩化チオニルと反
応せしめ トランス−4−アルキルシクロヘキサンカル
ボン酸クロライドを裂取する。
工1.J 4 : R−Fo 01 + R’ ヘ辷N
=N−o−OHF −0i−00−@−N= N(←R
1前記P−アルキルーP′−ヒドロキシアゾベンゼンと
トランス−4−アルキルシクロへキサンカルボン酸クロ
ライドをエステル化し、P−()ランス−4−アルキル
シクロヘキシルカルボニルオキシ 工程5 : R−■ーcoー◎ーN=Nー◎←R′1 前記P C)ランス−4−アルキルシクロヘキシルカ
ルボニルオキシ ンゼンを35%過酸化水素水で酸化せしめ、P−(トラ
ンス−4−アルキルシクロへキシルカルボニルオキシ)
−P′−アルキルアゾキシベンゼンを裂取する。
=N−o−OHF −0i−00−@−N= N(←R
1前記P−アルキルーP′−ヒドロキシアゾベンゼンと
トランス−4−アルキルシクロへキサンカルボン酸クロ
ライドをエステル化し、P−()ランス−4−アルキル
シクロヘキシルカルボニルオキシ 工程5 : R−■ーcoー◎ーN=Nー◎←R′1 前記P C)ランス−4−アルキルシクロヘキシルカ
ルボニルオキシ ンゼンを35%過酸化水素水で酸化せしめ、P−(トラ
ンス−4−アルキルシクロへキシルカルボニルオキシ)
−P′−アルキルアゾキシベンゼンを裂取する。
こうして得た本発明の化合物は約70℃〜230℃の範
囲でネマチック液晶相を呈する。従ってこれらだけでは
、室温からそれ以下の低温液晶を形成するのは困難であ
るが、既存の液晶性化合物、あるいは液晶組成物と少量
混合することによりその液晶温度範囲を広げることは容
易である。特にその透明点( at−p)を高める。さ
らにこれらはそ、の構造から、従来より知られている下
記a。
囲でネマチック液晶相を呈する。従ってこれらだけでは
、室温からそれ以下の低温液晶を形成するのは困難であ
るが、既存の液晶性化合物、あるいは液晶組成物と少量
混合することによりその液晶温度範囲を広げることは容
易である。特にその透明点( at−p)を高める。さ
らにこれらはそ、の構造から、従来より知られている下
記a。
bの化合物群の中間的性質を示し、電気光学特性、安定
性なども保証される。
性なども保証される。
a,)ランス−4−アルキルシクロへキサンカルボン酸
−47−アルコキシフェニルエステル 一般式 R−ト00ベトOR’ (1 b.p−p’−ジアルキルアゾキシベンゼン一般式R+
N=N+R’ 以下実施例として、本発明の化合物の製造例及び応用例
を示し、その態様をさらに詳しく説明する。
−47−アルコキシフェニルエステル 一般式 R−ト00ベトOR’ (1 b.p−p’−ジアルキルアゾキシベンゼン一般式R+
N=N+R’ 以下実施例として、本発明の化合物の製造例及び応用例
を示し、その態様をさらに詳しく説明する。
実施例1
P−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシルカルボニ
ルオキシ〕−P′−ペンチルアゾキシベンゼンの製造 工程1: P−ペンチルアニリン16.3ftt36%
塩酸2 5 m tに加熱溶解した後0〜5℃に冷却し
た。これに亜硝酸ソーダ7、6f/水20mt溶液を徐
々に滴下し、都度十分に攪拌混合してジアゾニウム塩を
つくった。
ルオキシ〕−P′−ペンチルアゾキシベンゼンの製造 工程1: P−ペンチルアニリン16.3ftt36%
塩酸2 5 m tに加熱溶解した後0〜5℃に冷却し
た。これに亜硝酸ソーダ7、6f/水20mt溶液を徐
々に滴下し、都度十分に攪拌混合してジアゾニウム塩を
つくった。
工程2: あらかじめ作成冷却しておいたフエ/−ル9
.4f/10%苛性ソーダ溶液の攪拌下に、前記ジアゾ
ニウム塩溶液を徐々に滴下しカップリングを行なった。
.4f/10%苛性ソーダ溶液の攪拌下に、前記ジアゾ
ニウム塩溶液を徐々に滴下しカップリングを行なった。
反応後適当社の希釈塩酸溶液に注ぎ込み沈でんを得、こ
れを口過した。この沈でんを数回水洗した後、さらにヘ
キサンを用い、これに易溶な不純物を徐いた。さらにト
ルエンより再結晶を行ない、P−ペンチル−P′−ヒド
ロキシアゾベンゼンを製取した。
れを口過した。この沈でんを数回水洗した後、さらにヘ
キサンを用い、これに易溶な不純物を徐いた。さらにト
ルエンより再結晶を行ない、P−ペンチル−P′−ヒド
ロキシアゾベンゼンを製取した。
工程3: 一方)ランス−4−ペンチルシクロヘキサ
ンカルボン酸 tを塩化チオニル mlと還流下に
加熱した。反応後過剰の塩化チオニルを減圧下で完全に
除失し、残留物の減圧蒸留を行なった。留分bp 10
5〜b のトランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸ク
ロライドを得た。
ンカルボン酸 tを塩化チオニル mlと還流下に
加熱した。反応後過剰の塩化チオニルを減圧下で完全に
除失し、残留物の減圧蒸留を行なった。留分bp 10
5〜b のトランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸ク
ロライドを得た。
工程4 : 前記P−ヘンチルーP′−ヒドロキシア
ゾベンゼン2.51とトリエチルアミン1.9wtのエ
チルエーテル20 m l溶液を0〜5℃に冷却し、こ
れに前記トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸クロライド21のエチルエーテル10mt溶液を徐
々に加え、都度十分攪拌混合した後、この混合物をさら
に1時間還流下に加熱した。反応後、適当量の水を加え
てトリエチルアミンの塩酸塩を溶解し、分液ロート中で
エーテル層を水、5%苛性ソーダ、5N塩酸でそれぞれ
洗浄した。エーテル溶液を無水硫酸ソーダで乾燥後、エ
ーテルを留去し、残留物をエタノールより再結晶した。
ゾベンゼン2.51とトリエチルアミン1.9wtのエ
チルエーテル20 m l溶液を0〜5℃に冷却し、こ
れに前記トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸クロライド21のエチルエーテル10mt溶液を徐
々に加え、都度十分攪拌混合した後、この混合物をさら
に1時間還流下に加熱した。反応後、適当量の水を加え
てトリエチルアミンの塩酸塩を溶解し、分液ロート中で
エーテル層を水、5%苛性ソーダ、5N塩酸でそれぞれ
洗浄した。エーテル溶液を無水硫酸ソーダで乾燥後、エ
ーテルを留去し、残留物をエタノールより再結晶した。
これはP−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシルカ
ルボニルオキシ) p/−ペンチルアゾベンゼンであ
る。
ルボニルオキシ) p/−ペンチルアゾベンゼンであ
る。
工N 5 : 前記P −()ランス−4−ペンチル
シクロヘキシルカルボニルオキシ) p/−ペンチル
アゾベンゼン3.3Fと氷酢酸100mtと35%過酸
化水素水2.9 m lを8時間75〜80℃に加熱し
た。反応後室温まで冷却、再結晶した生成物を口過し、
さらにエタノール及びヘキサンでそれぞれ再結晶した。
シクロヘキシルカルボニルオキシ) p/−ペンチル
アゾベンゼン3.3Fと氷酢酸100mtと35%過酸
化水素水2.9 m lを8時間75〜80℃に加熱し
た。反応後室温まで冷却、再結晶した生成物を口過し、
さらにエタノール及びヘキサンでそれぞれ再結晶した。
これは本発明の目的物であるP−()ランス−4−ペン
チルシクロヘキシルカルボニルオキシ) p/−ペン
チルアゾキシベンゼンである。
チルシクロヘキシルカルボニルオキシ) p/−ペン
チルアゾキシベンゼンである。
実施例2〜21
実施例1と同様の手段により、対応するP−フルキルア
ニリンとトランス−4−アルキルシクロへキサンカルボ
ンサンより以下の化合物を製取した。
ニリンとトランス−4−アルキルシクロへキサンカルボ
ンサンより以下の化合物を製取した。
5i11例2: P−()ランス−4−エチルシクロ
ヘキシルカルボニルオキシ) p/−メチルアゾキシ
ベンゼン。
ヘキシルカルボニルオキシ) p/−メチルアゾキシ
ベンゼン。
実m例!: P −()ランス−4−プロピルシクロ
ヘキシルカルボニルオキシ)−P′−メチルアゾキシベ
ンゼン。
ヘキシルカルボニルオキシ)−P′−メチルアゾキシベ
ンゼン。
実施例4:p−()ランス−4−ブチルシクロヘキシル
カルボニルオキシ) p/−メチルアゾキシベンゼン
。
カルボニルオキシ) p/−メチルアゾキシベンゼン
。
実施例s: P−()ランス−4−エチルシクロヘキ
シルカルボニルオキシ) p/−エチルアゾキシベン
ゼン。
シルカルボニルオキシ) p/−エチルアゾキシベン
ゼン。
実施例6: P−()ラン玉−4−プロピルシクロヘ
キシルカルボニルオキシ) p/−エチルアゾキシベ
ンゼン。
キシルカルボニルオキシ) p/−エチルアゾキシベ
ンゼン。
実m例7 : p −()ランス−4−ブチルシクロ
ヘキシルカルボニルオキシ) p/−エチルアゾキシ
ベンゼン。
ヘキシルカルボニルオキシ) p/−エチルアゾキシ
ベンゼン。
実m例8: P−()ランス−4−ペンチルシクロヘ
キシルカルボニルオキシ)−P′−エチルアゾキシベン
ゼン。
キシルカルボニルオキシ)−P′−エチルアゾキシベン
ゼン。
実m例9: F−()ランス−4−エチルシクロヘキ
シルカルボニルオキシ) p/−プロピルアゾキシベ
ンゼン。
シルカルボニルオキシ) p/−プロピルアゾキシベ
ンゼン。
実施例10: P−()ランス−4−プロピルシクロ
ヘキシルカルボニルオキシ) p/−プロピルアゾキ
シベンゼン。
ヘキシルカルボニルオキシ) p/−プロピルアゾキ
シベンゼン。
実施例11: P−()ランス−4−ブチルシクロヘ
キシルカルボニルオキシ) p/−プロピルアゾキシ
ベンゼン。
キシルカルボニルオキシ) p/−プロピルアゾキシ
ベンゼン。
実施例12: P−()ランス−4−ペンチルシクロ
ヘキシルカルボニルオキシ) −P/−プロピルアゾキ
シベンゼン。
ヘキシルカルボニルオキシ) −P/−プロピルアゾキ
シベンゼン。
実施例13: P−()ランス−4−ヘキシルシクロ
へキシルカルボニルオキシ) −Pl−プロピルアゾキ
シベンゼン。
へキシルカルボニルオキシ) −Pl−プロピルアゾキ
シベンゼン。
実施例14: P−()ランス−4−へブチルシクロ
ヘキシルカルボニルオキシ) −Pl−・プロピルアゾ
キシベンゼン。
ヘキシルカルボニルオキシ) −Pl−・プロピルアゾ
キシベンゼン。
実施例153 P−()=ランスー4−プロビルシク
ロヘキシル力ルポニルオキシ) Pl−ブチルアゾキ
シベンゼン。
ロヘキシル力ルポニルオキシ) Pl−ブチルアゾキ
シベンゼン。
実施例16: P−()ランス−4−ブチルシクロヘ
キシルカルボニルオキシ) p/−ブチルアゾキシベ
ンゼン。
キシルカルボニルオキシ) p/−ブチルアゾキシベ
ンゼン。
実施例17: P−()ランス−4−ペンチルシクロ
ヘキシルカルボニルオキシ) p/−ブチルアゾキシ
ベンゼン。
ヘキシルカルボニルオキシ) p/−ブチルアゾキシ
ベンゼン。
実施例18: P−()ランス−4−へキシルシクロ
ヘキシルカルボニルオキシ) p/−ブチルアゾキシ
ベンゼン。
ヘキシルカルボニルオキシ) p/−ブチルアゾキシ
ベンゼン。
実施例19: P−()ランス−4−へブチルシクロ
ヘキシルカルボニルオキシ) −Pl−ブチルアゾキシ
ベンゼン。
ヘキシルカルボニルオキシ) −Pl−ブチルアゾキシ
ベンゼン。
実施例20: P−()ランス−4−プロピルシクロ
ヘキシルカルボニルオキシ) p/−ペンチルアゾキ
シベンゼン。
ヘキシルカルボニルオキシ) p/−ペンチルアゾキ
シベンゼン。
実施例21: P−(hランス−4−ブチルシクロヘ
キシルカルボニルオキシ) p/−ペンチルアゾキシ
ベンゼン。
キシルカルボニルオキシ) p/−ペンチルアゾキシ
ベンゼン。
尚、実施例1〜21の化合物の遷移点を表−1に示す。
実施例22
表−2
表2に示す液晶組成物をつくり、示差熱分析装置を用い
てそれぞれの遷移点を測定した。この結果を第1図に示
す。図において横軸の本発明の化合物の添加割合0,1
0,20,30wt% の遷移点は表2のそれぞれ組成
物A、B、O,Dのそれに対応する。
てそれぞれの遷移点を測定した。この結果を第1図に示
す。図において横軸の本発明の化合物の添加割合0,1
0,20,30wt% の遷移点は表2のそれぞれ組成
物A、B、O,Dのそれに対応する。
曲線■は試料を一旦溶解〜凝固後の融点(濯、p)の、
直線■は試料がネマチック相〜等方性液体に遷移する温
度(ol、p)の、曲線■は冷却時試料がネマチック相
〜スメクチック相に辺移する湿度の、また曲線■は同じ
くスメクチック相〜結晶化する温度のそれぞれ添加割合
による傾向を示す。
直線■は試料がネマチック相〜等方性液体に遷移する温
度(ol、p)の、曲線■は冷却時試料がネマチック相
〜スメクチック相に辺移する湿度の、また曲線■は同じ
くスメクチック相〜結晶化する温度のそれぞれ添加割合
による傾向を示す。
第1図に示される如く、本発明の化合物の添加量を増加
することにより、そのネ→チック液晶温度範囲は確実に
広がる。しかもその程度は非常に顕著である。
することにより、そのネ→チック液晶温度範囲は確実に
広がる。しかもその程度は非常に顕著である。
また、組成物Bを厚さ7μ常のTN型液晶セルに封入し
電圧■。Sコントラスト特性を調べた。
電圧■。Sコントラスト特性を調べた。
この結果を第2図に示す。これは従来の3v駆動用の液
晶組成物と比較しても遜色なく、十分実用にたえるもの
である。
晶組成物と比較しても遜色なく、十分実用にたえるもの
である。
以上説明した如く、本発明の化合物は液晶表示素子用液
晶材料の一成分と使用され、その特性を低減することな
く、その液晶温度範囲を格段に広げる効果をもつ。
晶材料の一成分と使用され、その特性を低減することな
く、その液晶温度範囲を格段に広げる効果をもつ。
第1図は本発明の化合物を含有する液晶組成物の逓移点
を示す図であり、含有量によるその傾向を示す図である
。 第2図は本発明の化合物を含有する液晶組成物ノミ圧V
、Sコントラスト特性を示す図である。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第10 エステルーア7” ’f >ItH31yy74−ス(
wt%)第2図
を示す図であり、含有量によるその傾向を示す図である
。 第2図は本発明の化合物を含有する液晶組成物ノミ圧V
、Sコントラスト特性を示す図である。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第10 エステルーア7” ’f >ItH31yy74−ス(
wt%)第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (式中R,R’は炭素数1〜8個の直鎖アルキル基を示
す。) で表わされるエステル−アゾキシ化合物。 2)上記一般式において Rは炭素数2〜7個の、R1は炭素数1〜5個の直鎖ア
ルキル基を示す特許請求の範囲第1項記載のエステル−
アゾキシ化合物。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57185150A JPS5973555A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | エステル−アゾキシ化合物 |
DE19833335556 DE3335556A1 (de) | 1982-10-20 | 1983-09-30 | Ester-azoxy-verbindungen |
US06/540,985 US4518226A (en) | 1982-10-20 | 1983-10-11 | Ester-azoxy compounds |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57185150A JPS5973555A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | エステル−アゾキシ化合物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5973555A true JPS5973555A (ja) | 1984-04-25 |
Family
ID=16165730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57185150A Pending JPS5973555A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | エステル−アゾキシ化合物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4518226A (ja) |
JP (1) | JPS5973555A (ja) |
DE (1) | DE3335556A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3580134D1 (de) * | 1984-07-07 | 1990-11-22 | Shudo Koichi Prof Dr Chem | Benzoesaeurederivate. |
US4643533A (en) * | 1985-04-11 | 1987-02-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Differentiating spatial light modulator |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE758449A (fr) * | 1970-03-28 | 1971-04-16 | Merck Patent Gmbh | Substances nematiques |
BE787198A (fr) * | 1971-08-07 | 1973-02-05 | Merck Patent Gmbh | Composes et melanges nematiques |
US4009934A (en) * | 1974-01-11 | 1977-03-01 | Eastman Kodak Company | Electro-optic display devices and methods |
US4113647A (en) * | 1976-08-13 | 1978-09-12 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Liquid crystalline materials |
JPS5387986A (en) * | 1977-01-12 | 1978-08-02 | Seiko Epson Corp | Display element |
US4293434A (en) * | 1978-08-08 | 1981-10-06 | VEB Werk fur Fernsehelektronik Berlin im VEB Kombinat Mikroelektronik | Liquid crystal compounds |
EP0065869B1 (en) * | 1981-05-21 | 1984-07-25 | Crystaloid Electronics Company | Liquid crystalline materials incorporating dichroic dye and optical displays utilizing same |
-
1982
- 1982-10-20 JP JP57185150A patent/JPS5973555A/ja active Pending
-
1983
- 1983-09-30 DE DE19833335556 patent/DE3335556A1/de not_active Withdrawn
- 1983-10-11 US US06/540,985 patent/US4518226A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3335556A1 (de) | 1984-08-02 |
US4518226A (en) | 1985-05-21 |
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