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JPS5947737A - 半導体装置用測定装置 - Google Patents

半導体装置用測定装置

Info

Publication number
JPS5947737A
JPS5947737A JP15665882A JP15665882A JPS5947737A JP S5947737 A JPS5947737 A JP S5947737A JP 15665882 A JP15665882 A JP 15665882A JP 15665882 A JP15665882 A JP 15665882A JP S5947737 A JPS5947737 A JP S5947737A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor
probe
spine
spines
prober
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15665882A
Other languages
English (en)
Inventor
Mutsuo Kubo
久保 睦雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP15665882A priority Critical patent/JPS5947737A/ja
Publication of JPS5947737A publication Critical patent/JPS5947737A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の特性測定(ブロービング)技術に
関する。
トランジスタやIC(集積回路)等の半導体装置の製造
プロセスにおいて、ウェハ段階でブロービングによる特
性測定が行われる。
このブロービングは第1図に示すようにウェハ1表面に
形成された半導体装置の外部引き出し用電極(アルミニ
ウムより成るボンディング・パッド)2,3上にプロー
ブ針4.5・・・・・・な接触させて通mすることによ
りそのとき生じた抵抗値等から半導体装置の電気的特性
を測定するものであるが、グローブ針と上記電極どの間
の安定したオーミック接触上な得るためにあらかじめ一
組のセンサ針6,7でウェハな感知しその位@ケ確定し
′Cいる。これまでのセンサ針6,7は鉄又け、タング
ステン等よりなる2本の導体の川・?変長接触さけたも
のでグローブ位置調整部(図示しlfい)を′センサ針
がウェハのスクライブエリア9に当るように調整(XY
方向)しCおき、ウェハステージ8が所定位置まで上昇
したときそ第1まで導通(7ていた2本のセンサ針6,
7が断線4るよ5に高さく2方向)を調整し、2本のセ
ンサ6,7に流第1る電流の有無でウェハ1の存在な感
知するようにしている。
このような従来型のグローバを使う場合、セ/す針6,
7がX−Y方向でずれると、スクライブエリア9から外
れて素子領VGlOの要部を針で傷付けるおそれがあり
、又、七ンリ−=r6.7のA%さのばらつきによりプ
ローブ剣4,5の(i11F+、不良力ら測定精度がわ
るくなるという開角があった。
本発明は上記した問題を解消するためになされたもので
ある。したかって不発明の一つの目的はセンサ針による
半導体の損傷の発生な防止することであり、他の一つの
目的はセンサ針をなくすことで調整操作を簡素化したプ
ローブ針間を提供することにある。
以下実施例にそって本発明の内容を具体的に説明する。
第2図に本発明を原理的に説明するための半導体装置測
定用プローバの一実施例が示される。
この発明によれば、プローブ針L 1 、12.13・
・・・・・のうち一部の針11.12tセンサ針として
兼用させたものでポンディングパッドとプローブ針との
位置関係の確定後にセンサ針に連設するセ/す回路から
電気的に切り離してプローブ針として使用し特性の測定
を行なうものである。
このグローバ装置の使用は例えば第3図のフローチャー
トを参照し下記のように説明される。
(1)  ステージが下降位置にあるときはグローブ針
にはグローバ電流は流れないつ (2)  ステージが上昇してセンサとなるプローブ針
11.12に素子(ウエノ\)が接触したとぎ、プロー
ブ針間にセンサ電流が流itてこの電流の有無でウェハ
1を感知したことに1.cろ。
(31このセンサ電流によりリレー14が動作しセンサ
回路15を切り鐸ず。
(4)この間にもステージ8は上昇し、所定の高さで停
止する。
(5) このあと少し遅れてブローパ針11,12゜1
3にプローブ針間が流れ、測定が開始さ才しる。
以上実施例で述べた本発明によ才′シげ、半導体装置内
の導通しているプローブ針σ)一部をセンサ針として使
用することでこれまでの専用センサ針がなくなり、(1
)センサ針による素子面の損傷がなくなる。(2)セン
サ針σ)調整が不要とな−て測定作業が簡紡化され能率
化さrLる。 +31測定装置次の構造も簡単になる等
の諸効果がもたらされろう本発明は半導体装置のブロー
ビング−・般に適用できる。特に高集積化されたICに
おいて多数のプローブ針な必要とし針の間隔が狭い場合
に不発明を適用して有効である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこれまでのブロービングの形態の一例を示す正
面断面斜面図である。 第2図は本発明によるブロービングの一実施形態な示す
正面断面斜面図である。 第3図は本発明によるブロービングの経時変化を示す比
較曲線図である。 1・・・ウェハ、2.3・・・ItL 4.5・・・プ
ローブ針、6.7・・・センサ針、8・・・ウェハステ
ージ(台)、9・・・スクライプエリア、10・・・素
子領域、11゜12・・・センサ針な兼ねたグローブ針
、13・・・他のプローブ針、14・・・リレー、15
・・・セ/す回路。 第  1  図 / 第  2 図 第  3  図 (′)      (2)(J)(く)      (
5)        ヨ今馬ηレーーイz;−ri巴θ
イ丁 電ヌえ   看l 17j−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、半導体装置の所定部分にプローブ針を接触させてそ
    の半導体装置の電気的特性な測定する装置において、上
    記グローブ針な上記部分の位置な感知するためのセンサ
    針として兼用させたことを特徴とする半導体装置用測定
    装置。
JP15665882A 1982-09-10 1982-09-10 半導体装置用測定装置 Pending JPS5947737A (ja)

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JP15665882A JPS5947737A (ja) 1982-09-10 1982-09-10 半導体装置用測定装置

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JP15665882A JPS5947737A (ja) 1982-09-10 1982-09-10 半導体装置用測定装置

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JPS5947737A true JPS5947737A (ja) 1984-03-17

Family

ID=15632465

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JP15665882A Pending JPS5947737A (ja) 1982-09-10 1982-09-10 半導体装置用測定装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5947737A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05340964A (ja) * 1992-06-05 1993-12-24 Mitsubishi Electric Corp ウエハ及びチップの試験装置
US5315237A (en) * 1990-08-06 1994-05-24 Tokyo Electron Limited Touch sensor unit of prober for testing electric circuit and electric circuit testing apparatus using the touch sensor unit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5315237A (en) * 1990-08-06 1994-05-24 Tokyo Electron Limited Touch sensor unit of prober for testing electric circuit and electric circuit testing apparatus using the touch sensor unit
JPH05340964A (ja) * 1992-06-05 1993-12-24 Mitsubishi Electric Corp ウエハ及びチップの試験装置

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