JPS5944750A - 磁気絶縁形イオンダイオ−ド - Google Patents
磁気絶縁形イオンダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS5944750A JPS5944750A JP57154700A JP15470082A JPS5944750A JP S5944750 A JPS5944750 A JP S5944750A JP 57154700 A JP57154700 A JP 57154700A JP 15470082 A JP15470082 A JP 15470082A JP S5944750 A JPS5944750 A JP S5944750A
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- JP
- Japan
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- anode
- magnetically insulated
- dielectric
- dielectric material
- auxiliary
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/022—Details
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は軽イオンビーム慣性核融合装置などに用いら１
１る高出力パルスイオン源に適する磁気絶縁形イオンダ
イオードに関する。
１る高出力パルスイオン源に適する磁気絶縁形イオンダ
イオードに関する。
従来の磁気絶縁形・ｆオンダイオードは、第１図に示す
ように、断面が長円の板状の陽極１とこの陽極１の周部
を・所定間隙を有して取り囲む工うに設けた陰極２とこ
の陰極の一面に孔設しｆｃスリット３とで秤１．成され
このスリット３からイオンビーム４を引出すようになっ
ていて、これら全体は図示しない７（空容器内に配置さ
れている。陰極２は断面Ω状の導体からなり、磁場発生
用コイルの役割を兼用し硅−場発生用電源５がらこの導
体に電流を流すことに工っで、陽極と平行な磁場Ｂを発
生する。このＪ、うに構成したイオンダイオードの陽極
１と陰極２との間に例えば１００Ｔ（Ｖ以上の高電圧を
放電、用看記源６から印加することにエリ、陽極１と陰
極２どの間に目、プラズマが生じ、このプラズマのイメ
ンをＰ、極に設けたスリット３を通して外部に導き出し
、イオンビーム４を得る。陽極１のｍｉ Ｋ−）−Ｊ、
ＲＥ体７が短冊状に設りらｉｌている。このイオンビ
ーム４が得られる原理を説明するために、陽極１と陰極
２との間を拡大して断面で示したのが第２図である。電
子ｅは磁場Ｂにエリ曲り“らＪ１陽伊１には達しない。
ように、断面が長円の板状の陽極１とこの陽極１の周部
を・所定間隙を有して取り囲む工うに設けた陰極２とこ
の陰極の一面に孔設しｆｃスリット３とで秤１．成され
このスリット３からイオンビーム４を引出すようになっ
ていて、これら全体は図示しない７（空容器内に配置さ
れている。陰極２は断面Ω状の導体からなり、磁場発生
用コイルの役割を兼用し硅−場発生用電源５がらこの導
体に電流を流すことに工っで、陽極と平行な磁場Ｂを発
生する。このＪ、うに構成したイオンダイオードの陽極
１と陰極２との間に例えば１００Ｔ（Ｖ以上の高電圧を
放電、用看記源６から印加することにエリ、陽極１と陰
極２どの間に目、プラズマが生じ、このプラズマのイメ
ンをＰ、極に設けたスリット３を通して外部に導き出し
、イオンビーム４を得る。陽極１のｍｉ Ｋ−）−Ｊ、
ＲＥ体７が短冊状に設りらｉｌている。このイオンビ
ーム４が得られる原理を説明するために、陽極１と陰極
２との間を拡大して断面で示したのが第２図である。電
子ｅは磁場Ｂにエリ曲り“らＪ１陽伊１には達しない。
磁場Ｂによるイオンの曲りは僅かで陰極２のスリット３
を通りビーム４として夕■用：に導かれる。なお、スリ
ット３の数は理解し易いように図示しである。プラズマ
４は陽極１の表面近傍に陽極シースプラズマ８として存
在する。１８３図に陽極シースプラズマ８の生成原理を
示ｆｏ陽極１の表面に突起９を設け、陽極１と隣接突起
９との凹部にポリエチレン、ボロンナイトライド（ＢＮ
）等のＵ電体７を充ｔｊＡ、密着させる。この工うな状
態で陽極−陰極間に高電圧を印加すると、陽棲部の三重
点１０（金属・ｗ８電休・真空部が接する点）で雷、界
が著しく強くなり、誘正１体を構成している原子、例え
ばポリエチレンではその中の水素、炭素、ＢＮではホウ
素が放出されて、陽極部で放電プラズマ（陽極シースプ
ラズマ）８が生じる２、 このような放電プラズマの生成法を用い次従来のイオン
ダイメート゛（７は三ｆ・１４点の近傍にのみ放電がｊ
ｈ中するので誘電体の寿命目高々数十ショットしか利用
出滓ず、短時間で消耗してり、−＋う欠点があった。
を通りビーム４として夕■用：に導かれる。なお、スリ
ット３の数は理解し易いように図示しである。プラズマ
４は陽極１の表面近傍に陽極シースプラズマ８として存
在する。１８３図に陽極シースプラズマ８の生成原理を
示ｆｏ陽極１の表面に突起９を設け、陽極１と隣接突起
９との凹部にポリエチレン、ボロンナイトライド（ＢＮ
）等のＵ電体７を充ｔｊＡ、密着させる。この工うな状
態で陽極−陰極間に高電圧を印加すると、陽棲部の三重
点１０（金属・ｗ８電休・真空部が接する点）で雷、界
が著しく強くなり、誘正１体を構成している原子、例え
ばポリエチレンではその中の水素、炭素、ＢＮではホウ
素が放出されて、陽極部で放電プラズマ（陽極シースプ
ラズマ）８が生じる２、 このような放電プラズマの生成法を用い次従来のイオン
ダイメート゛（７は三ｆ・１４点の近傍にのみ放電がｊ
ｈ中するので誘電体の寿命目高々数十ショットしか利用
出滓ず、短時間で消耗してり、−＋う欠点があった。
〔発明の目的」
本発明ＩＪ、 」二連した従来ゾはの欠点を改良しｔも
ので、ｉｉＳ電休の体命全署１〜く向上した磁気絶縁形
イオンダ・ｆオートイＣ」是伊どづ−ること金目〔白ど
する。
ので、ｉｉＳ電休の体命全署１〜く向上した磁気絶縁形
イオンダ・ｆオートイＣ」是伊どづ−ること金目〔白ど
する。
本発明は、従来のものが［１り極プラズマの生成企三３
１シ点の強電界にのみ依存り、−Ｃいｌこのに対し、本
発明Ｃは誘電体表面に第２の陽極すなわち補助陽極を設
け、こり補助トす極と陽極と苓ンｆンピーダンス要素（
抵抗もしくはインダクタンス）？介して接続して構成す
ることにより、この工うな接続状態で陽極に早い立上り
のパルスを印加すると、陽極と補助陽附どの間に？、Ｚ
位差７５粍［二じ、このため陽極突起部と補助陽極との
間で誘電体表面に沿った沿面放電が容易に起る↓うに構
成した磁気絶縁形イオンダイオードである○ 〔発明の効果〕 本発明によれば補助陽極を用いることにエリ、ＩＮ電休
体面に沿った一様な陽極プラズマが生じさせることがで
き、このため誘電体の極部的な消耗が起らず長寿命のイ
オンダイオードが得られる。
１シ点の強電界にのみ依存り、−Ｃいｌこのに対し、本
発明Ｃは誘電体表面に第２の陽極すなわち補助陽極を設
け、こり補助トす極と陽極と苓ンｆンピーダンス要素（
抵抗もしくはインダクタンス）？介して接続して構成す
ることにより、この工うな接続状態で陽極に早い立上り
のパルスを印加すると、陽極と補助陽附どの間に？、Ｚ
位差７５粍［二じ、このため陽極突起部と補助陽極との
間で誘電体表面に沿った沿面放電が容易に起る↓うに構
成した磁気絶縁形イオンダイオードである○ 〔発明の効果〕 本発明によれば補助陽極を用いることにエリ、ＩＮ電休
体面に沿った一様な陽極プラズマが生じさせることがで
き、このため誘電体の極部的な消耗が起らず長寿命のイ
オンダイオードが得られる。
また一様な沿面放電を起すので、容易に高電流密度の一
様なビームが得られる。
様なビームが得られる。
以下本発明の実施例について詳細に説明する。
なお以下の説明において陽極部以外の構成部分について
は従来と同様であるためその詳細な説明を省略する。第
４図に本発明による陽極部の第一の実施例を示す。陽極
１に複数条の突起９を帯状に設ける。この突起と突起の
間に誘電体７（例えばポリエチレン、ＢＮ等）を陽極１
に密着するように充填させ、さらにこの誘電体７の上に
線状の補助陽極１１を平行かつ中央に配置し密着させる
。
は従来と同様であるためその詳細な説明を省略する。第
４図に本発明による陽極部の第一の実施例を示す。陽極
１に複数条の突起９を帯状に設ける。この突起と突起の
間に誘電体７（例えばポリエチレン、ＢＮ等）を陽極１
に密着するように充填させ、さらにこの誘電体７の上に
線状の補助陽極１１を平行かつ中央に配置し密着させる
。
この補助陽極１１と陽極１とをインピーダンス１１２を
介して接続する。このような状態で陽極１に高圧パルス
を印加すると補助陽極１１には充電電流ＩＣが流れる。
介して接続する。このような状態で陽極１に高圧パルス
を印加すると補助陽極１１には充電電流ＩＣが流れる。
このときインピーダンスＺ１２があるため補助陽極１１
の電位は陽極１エリＺＩｅだけ差が生じる。このＸＬ位
差により陽極突起９と補助陽極１ノとの間に沿面放電８
が生じる。この放電は防電体表面のほぼ全域にわ／ヒっ
て均一に生ずる。この均・−放電により誘電体の長寿命
化が可能となった。
の電位は陽極１エリＺＩｅだけ差が生じる。このＸＬ位
差により陽極突起９と補助陽極１ノとの間に沿面放電８
が生じる。この放電は防電体表面のほぼ全域にわ／ヒっ
て均一に生ずる。この均・−放電により誘電体の長寿命
化が可能となった。
また補助陽極を設けることにエリ、放電の生成に再現性
が著しく改着され乙。したがってビームの特性も再現性
が良くなった。
が著しく改着され乙。したがってビームの特性も再現性
が良くなった。
なお補助陽極１ノの形状および配置は、例えば第５図に
示す工うに、誘電体ｌ内に補助陽極１ノを一部ＢＫ出す
るに埋め込み、この露出させた補助陽極１１の表面を突
起９の表面どほぼ同一平面上に配置することによって安
定し／こ動作をさせることができる○まｆｃ第６図に示
すように補助陽極１１を完全に１１ 電体７の中に埋め
込んでも良い。
示す工うに、誘電体ｌ内に補助陽極１ノを一部ＢＫ出す
るに埋め込み、この露出させた補助陽極１１の表面を突
起９の表面どほぼ同一平面上に配置することによって安
定し／こ動作をさせることができる○まｆｃ第６図に示
すように補助陽極１１を完全に１１ 電体７の中に埋め
込んでも良い。
次に本発明の他の実施例について説明する。なお、陽極
部以外の構成部分について前述したものと同一であるた
めにその説明および図を省略して示す。すなわち第７図
乃至第９図では本発明の陽極部部分のみ示す。
部以外の構成部分について前述したものと同一であるた
めにその説明および図を省略して示す。すなわち第７図
乃至第９図では本発明の陽極部部分のみ示す。
第７図に示す本発明の実施例は、陰極２と対面する位置
にアルミナあるいはボロンナイトライドなどからなる板
状誘電体１３を設け、この板状誘電体１３の陰極２側の
表面に短冊状の陽極１４と補助陽極１５とが交互に夫々
が離間して固着配設されている。ｌ１ｌＩｒ接する陽極
１４と補助陽極１５とはインピーダンス擬木１６によっ
て接続されている。そして陽極１４および補助陽極１５
の材質を例えばチ・タン（ＴＪ） のような水素化物
を作りゃすい金属で椛成し、あらかじめ水素もしくは水
素の同位体もしくはモの同位体の混合物を吸蔵させであ
る。この工うに構成した陽極（！ｌ’ｌ’：）ｚ ４に
立ちエリの早いパルス電圧を印加すると、陽極１４と補
助陽極１５とに充電電流１ｃ が流れる。このとき、
陽極１４と補助陽極１５との間にＺＩｃ の電子差が
生じ、陽極１４と補助陽極１５との間で沿面放電が生じ
、ｌｌｉ；３極プラズマ８が生じる。この陽極プラズマ
から、本図では示さないが陰極２に設けｆｃ開口部（ス
リット３）を通し、外部にイオンビーム４を引出せる。
にアルミナあるいはボロンナイトライドなどからなる板
状誘電体１３を設け、この板状誘電体１３の陰極２側の
表面に短冊状の陽極１４と補助陽極１５とが交互に夫々
が離間して固着配設されている。ｌ１ｌＩｒ接する陽極
１４と補助陽極１５とはインピーダンス擬木１６によっ
て接続されている。そして陽極１４および補助陽極１５
の材質を例えばチ・タン（ＴＪ） のような水素化物
を作りゃすい金属で椛成し、あらかじめ水素もしくは水
素の同位体もしくはモの同位体の混合物を吸蔵させであ
る。この工うに構成した陽極（！ｌ’ｌ’：）ｚ ４に
立ちエリの早いパルス電圧を印加すると、陽極１４と補
助陽極１５とに充電電流１ｃ が流れる。このとき、
陽極１４と補助陽極１５との間にＺＩｃ の電子差が
生じ、陽極１４と補助陽極１５との間で沿面放電が生じ
、ｌｌｉ；３極プラズマ８が生じる。この陽極プラズマ
から、本図では示さないが陰極２に設けｆｃ開口部（ス
リット３）を通し、外部にイオンビーム４を引出せる。
、
尚、第７図に示ｆ工うに個々の補助陽極には、独立した
インピーダンス要素を接続することが望ましいが、補助
陽極群を一括して接続し、この補助陽極群に一つのイン
ピーダンス要素を介して主陽極（群）に接続しても良い
。
インピーダンス要素を接続することが望ましいが、補助
陽極群を一括して接続し、この補助陽極群に一つのイン
ピーダンス要素を介して主陽極（群）に接続しても良い
。
前述した実施例ではビームになる原子はＦ５電休ヲ拾成
している原子、例えばポリエチレン中の水素、炭素、ボ
ロンナイトライド中のホウ素等を利用していたので、誘
電体の寿命を長くする工夫は可能であるが消耗は避りら
第１ｔＪいが、この実Ｍν例の工うに構成することによ
−）て誘電体を直接ビーム原子として利用しｌ、（い磁
、気絶Ｈ：形形材オンダイオ・ドを提供できる。。
している原子、例えばポリエチレン中の水素、炭素、ボ
ロンナイトライド中のホウ素等を利用していたので、誘
電体の寿命を長くする工夫は可能であるが消耗は避りら
第１ｔＪいが、この実Ｍν例の工うに構成することによ
−）て誘電体を直接ビーム原子として利用しｌ、（い磁
、気絶Ｈ：形形材オンダイオ・ドを提供できる。。
すなわちこの実Ａｌｉ例で１曾、陽極を金属水零化物を
用い、この７１・′素（あるいは水素の同位体）をビー
ムに用い、しかも陽極プラズマ５の生成を容易にするた
め補助陽極音用い、主陽極とこの補助陽極とをインピー
ダンス要素を介して接続する。この工うな措成で主陽極
に立上りの？いパルスを印加すると、補助陽極との間に
電位差が生じ、誘電体表面で放電が生じる。このとき金
属水素化物の電極から水素または水素の同位体（同位体
の混合物でも可）が放出され、水素プラズマが生じる。
用い、この７１・′素（あるいは水素の同位体）をビー
ムに用い、しかも陽極プラズマ５の生成を容易にするた
め補助陽極音用い、主陽極とこの補助陽極とをインピー
ダンス要素を介して接続する。この工うな措成で主陽極
に立上りの？いパルスを印加すると、補助陽極との間に
電位差が生じ、誘電体表面で放電が生じる。このとき金
属水素化物の電極から水素または水素の同位体（同位体
の混合物でも可）が放出され、水素プラズマが生じる。
この陽極水素プラズマからイオンビームを引出すことが
可能となつりｊｏこの工うに金属水素化物電極を用い、
しかも補助陽極を用いることにエリ、純度の高い水素プ
ラズマが陽極部にほぼ一様に生ずるので純度の高い高電
流密度の水素プラズマが生じる。しかもパルスビームを
引出した休止期間中に水素ガスを補給することにエリ放
電で遊園した水素を再び金属に吸蔵させることが出来る
のでダイオードの寿命ｉａ、飛躍的に向上した。第８図
に本発明のその池の実施例を示す。この実施例では誘電
体１３の裏面に陽極１４と同電位の導体１７を密着させ
てある０この工うに背後電極ｆ、設けることにエリ、主
陽極１４と補助陽極１５間の静電容量が増大するので、
それに応じて充電電流１ｃ が大きくなり、同一のイ
ンピーダンスｚ１６に対し大きな電位差ＺＩｃ が生
じる。この皮め、主陽極１４と補助陽極１５間の放電が
容易に起り、ざらにまｆＣ，第９図に示す工うに背後電
極１７と補助陽極１５とを直接接続しても良く、効果は
第８図の例と同様である。
可能となつりｊｏこの工うに金属水素化物電極を用い、
しかも補助陽極を用いることにエリ、純度の高い水素プ
ラズマが陽極部にほぼ一様に生ずるので純度の高い高電
流密度の水素プラズマが生じる。しかもパルスビームを
引出した休止期間中に水素ガスを補給することにエリ放
電で遊園した水素を再び金属に吸蔵させることが出来る
のでダイオードの寿命ｉａ、飛躍的に向上した。第８図
に本発明のその池の実施例を示す。この実施例では誘電
体１３の裏面に陽極１４と同電位の導体１７を密着させ
てある０この工うに背後電極ｆ、設けることにエリ、主
陽極１４と補助陽極１５間の静電容量が増大するので、
それに応じて充電電流１ｃ が大きくなり、同一のイ
ンピーダンスｚ１６に対し大きな電位差ＺＩｃ が生
じる。この皮め、主陽極１４と補助陽極１５間の放電が
容易に起り、ざらにまｆＣ，第９図に示す工うに背後電
極１７と補助陽極１５とを直接接続しても良く、効果は
第８図の例と同様である。
第１図は従来装置の一部切欠斜視図、第２図は原理を示
す説明図、第３図は陽極部を示す一部ＩＮＦ面図、第４
図は本発明のイオンダイオードの要部を示す断面図、第
５図乃至第９図は本発明の他の実施例を示す要部断面図
である。 １・・・陽極部、２・・・陰極、４・・・イオンビーム
、１３・・・誘電体、１４・・・陽極、１５・・・補助
陽極、１６・・・インピーダンス、１７・・・背後電極
。 （７３１７）代理人 弁邸士 則 近 慾イ４ｉ （
ほか１名）第 １ 図
第 ２ ９第３図 第 ５ 図 第 １Ｓ 図
す説明図、第３図は陽極部を示す一部ＩＮＦ面図、第４
図は本発明のイオンダイオードの要部を示す断面図、第
５図乃至第９図は本発明の他の実施例を示す要部断面図
である。 １・・・陽極部、２・・・陰極、４・・・イオンビーム
、１３・・・誘電体、１４・・・陽極、１５・・・補助
陽極、１６・・・インピーダンス、１７・・・背後電極
。 （７３１７）代理人 弁邸士 則 近 慾イ４ｉ （
ほか１名）第 １ 図
第 ２ ９第３図 第 ５ 図 第 １Ｓ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）陽極シースプラズマを生成する陽極部と、この陽
極部で生成した陽極シースプラズマからイオンを引出す
陰極と、この陰極と前記陽極との間を電子が移動するの
を防ぐ磁場発生装置とを具備したものにおいて、前記陽
極部にインピーダンス要素を接続してなる補助陽極を設
は友ことを特徴とする磁気絶縁形イオンダイオード。 （２）陽極部を表面に凹凸部の形成された金属板状の陽
極とこの陽極の凹部に充填付着してなる誘電体とで格成
し、補助陽極を前記誘電体に接触させて配設してなるこ
とを特徴とする特ＦＦ請求の範囲第１項記載の磁気絶縁
形イオンダイオード。 （３）補助陽極を誘電体の表面に配置したことを特徴と
する特ｉｆ請求の範囲第２項記載の磁気絶縁形イオンダ
イオード。 （４）補助陽極を誘電体の中に埋設したことを特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載の磁気絶縁形イオンダイオ
ード。 （５）誘電体の表面に補助陽極の−・部が露出してなる
ことを特ｔＸｔどする特許請求の範囲第４項記載の磁気
絶縁形イメンダイオード１、 （６）誘電体をポリエチレン樹脂とし／こことを特徴と
する特許請求の範囲第２項記載の磁気絶縁形イオンダイ
オード。 （力 誘電体をボロ：／ナイトライドとしたことを特徴
とする特８′「請求の範囲第２項記載の磁気絶縁形ｉオ
ンダイオ−１！。 （８）陽極部を板状Ｈか電体とこの誘電体の表面に配置
した祷ｔ（の陽極と、この陽極ど離間しかつ前記誘電体
の表面に配置１．だ補助陽極とで構成したことを特徴と
する特ｌｖｆ請求の範囲第１項記載の磁気絶縁形イオン
ダイオ・−ド。 （９）誘電体の裏面に金８板を面設しこの金属板と陽極
の電位とを同電位としたことを特徴とする特許請求の範
囲第８項記載の磁気絶縁形イオンダイオード。 ０（１）陽、甑を水沢・ヨもしく１才水素の同位体を吸
蔵させてなる水素吸蔵性金属とし之ことを特徴とする特
許請求の範囲第８項記載の磁気絶縁形イオンダイオード
。 （１１）水素吸蔵性金ｉをＴＩ としたことを特徴と
する特Ｖｒ請求の範囲第１０項記載の磁気絶縁形イオン
ダイオード。 ０２） ｆｉ１ｍ休をアルミナとしたことを特徴とす
る特Ｉ′「請求の範囲＃ｉ） ８項記載の磁気絶縁形イ
オンダイ、！！Ｉ′ド。 （１３） 誘電体をボロンナイトライドとしたことを
特徴とする特Ｈ′「請求の範囲第８項記載の磁気絶縁形
イオンダイオード（、 （＋４） 陽極上補助陽極とを接続してなるインピー
ダンス要素の組ＨＩＱ組としたことを特徴とする特！！
′ｒ請求の範囲第８項記載の磁気絶縁形イオンダイオー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154700A JPS5944750A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 磁気絶縁形イオンダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154700A JPS5944750A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 磁気絶縁形イオンダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5944750A true JPS5944750A (ja) | 1984-03-13 |
Family
ID=15590030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57154700A Pending JPS5944750A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 磁気絶縁形イオンダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944750A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6511774B1 (en) | 1997-01-16 | 2003-01-28 | Mitsubishi Paper Mills Limited | Separator for nonaqueous electrolyte batteries, nonaqueous electrolyte battery using it, and method for manufacturing separator for nonaqueous electrolyte batteries |
| JP2006299283A (ja) * | 1999-05-13 | 2006-11-02 | Three M Innovative Properties Co | 接着剤付き物品 |
| US7250210B2 (en) | 1993-10-29 | 2007-07-31 | 3M Innovative Properties Company | Pressure-sensitive adhesives having microstructured surfaces |
| US8313822B2 (en) | 2007-07-17 | 2012-11-20 | Lintec Corporation | Pressure-sensitive adhesive sheet |
-
1982
- 1982-09-07 JP JP57154700A patent/JPS5944750A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7250210B2 (en) | 1993-10-29 | 2007-07-31 | 3M Innovative Properties Company | Pressure-sensitive adhesives having microstructured surfaces |
| US6511774B1 (en) | 1997-01-16 | 2003-01-28 | Mitsubishi Paper Mills Limited | Separator for nonaqueous electrolyte batteries, nonaqueous electrolyte battery using it, and method for manufacturing separator for nonaqueous electrolyte batteries |
| JP2006299283A (ja) * | 1999-05-13 | 2006-11-02 | Three M Innovative Properties Co | 接着剤付き物品 |
| US8313822B2 (en) | 2007-07-17 | 2012-11-20 | Lintec Corporation | Pressure-sensitive adhesive sheet |
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