JPS594460A - 電気集塵装置 - Google Patents
電気集塵装置Info
- Publication number
- JPS594460A JPS594460A JP11154382A JP11154382A JPS594460A JP S594460 A JPS594460 A JP S594460A JP 11154382 A JP11154382 A JP 11154382A JP 11154382 A JP11154382 A JP 11154382A JP S594460 A JPS594460 A JP S594460A
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- dust
- wave
- control
- dust collection
- charging
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気集塵装置に関する。
従来、この種の集塵装置として、サイリスク制御方式の
ものが一般化しているが、このような装置においては、
電気比抵抗が１０１１〜１０１３Ω−副の範囲の煤塵（
以下ダストという）に対しては、火花頻発、逆電離等の
現象の発生の丸め忙集塵性能が著しく低下する。
ものが一般化しているが、このような装置においては、
電気比抵抗が１０１１〜１０１３Ω−副の範囲の煤塵（
以下ダストという）に対しては、火花頻発、逆電離等の
現象の発生の丸め忙集塵性能が著しく低下する。
本発明はこのような事情に鑑みて提案されたもので、高
抵抗ダストに対する集塵性能を高め、電源の数を少なく
し、消費電力を節減する電気集塵装置を提供することを
目的とし、−次側の商用周波数電源を変圧器５サイリス
ク等の電流制御要素を介して二次側直流高電圧に変換し
、これを荷電室の集塵電極忙印加して集塵するようにし
たものにおいて、複数の荷電室と、上記二次側直流高電
圧の前半の半波、後半の半波および又は全波を選択的に
取出しこれを上記複数の荷電室の集塵電極にそれぞれ選
択的に印加する切換スイッチ回路とを具えたことを特徴
とする。
抵抗ダストに対する集塵性能を高め、電源の数を少なく
し、消費電力を節減する電気集塵装置を提供することを
目的とし、−次側の商用周波数電源を変圧器５サイリス
ク等の電流制御要素を介して二次側直流高電圧に変換し
、これを荷電室の集塵電極忙印加して集塵するようにし
たものにおいて、複数の荷電室と、上記二次側直流高電
圧の前半の半波、後半の半波および又は全波を選択的に
取出しこれを上記複数の荷電室の集塵電極にそれぞれ選
択的に印加する切換スイッチ回路とを具えたことを特徴
とする。
本発明の一実施例を図面について説明すると、第１図は
その回路図、第２図は第１図の各部の二次電流を示す波
形図、第３図は第１図の制御フローチャートを示す図、
第４図は第１図の集塵室の出口ダスト量を示す線図、第
５図は集塵電極の電圧電流線図、第６図は第１図による
集塵性能とコントロールとの関係を示す線図、第７図は
第１図におけるダストの比抵抗と最適荷電方法との関係
を示す図である。
その回路図、第２図は第１図の各部の二次電流を示す波
形図、第３図は第１図の制御フローチャートを示す図、
第４図は第１図の集塵室の出口ダスト量を示す線図、第
５図は集塵電極の電圧電流線図、第６図は第１図による
集塵性能とコントロールとの関係を示す線図、第７図は
第１図におけるダストの比抵抗と最適荷電方法との関係
を示す図である。
まず第１図において、ＳＤはＡＣ２２０Ｖを変圧するス
ライダック、ＳＣＲはスライダックＳＤの出力回路に挿
入されサイリスタ制御回路５ＣＲＣによシ制御されるサ
イリスタ、ＡＣＬはサイリスタＳＣＲの出力回路に挿入
されたリアクタ、ＭＴはトランス、 ＲＥＣはそれぞれ
整流器％ Ｓ Ｗ６ ＊ＳＷｔ ＊ ＳＷｌはそ
れぞれ整流器ＲＥＣの出力回路に挿入された切換スイッ
チ、ＥＰｋ 、 ＥＰＢはそれぞれ集塵電極Ａ、Ｂを有
する集塵室、ＤＭは集塵室ＥＰＡに付設されダスト量を
モニターする光散乱式、光透過式、β線式等のダストモ
ニター、Ｖ／１０は集塵室ＥＰＢに付設されその集塵電
極の電圧電流特性を検出するＶ／Ｉ検出器、ＡＮＤはダ
ストモニターＤＭ、集塵室ＥＰＡ 、 ＥＰＢ％ｖ７エ
検出器Ｖ／検出器上／ＩＤ入力端子に接続され、切換ス
イッチＳ Ｗ６ ａ Ｓ Ｗｌ ＃ Ｓ Ｗ＠
ａリアクタＡＣＬ 、スライダックＳＤがそれぞれ出力
端子に接続されたアンド回路である。
ライダック、ＳＣＲはスライダックＳＤの出力回路に挿
入されサイリスタ制御回路５ＣＲＣによシ制御されるサ
イリスタ、ＡＣＬはサイリスタＳＣＲの出力回路に挿入
されたリアクタ、ＭＴはトランス、 ＲＥＣはそれぞれ
整流器％ Ｓ Ｗ６ ＊ＳＷｔ ＊ ＳＷｌはそ
れぞれ整流器ＲＥＣの出力回路に挿入された切換スイッ
チ、ＥＰｋ 、 ＥＰＢはそれぞれ集塵電極Ａ、Ｂを有
する集塵室、ＤＭは集塵室ＥＰＡに付設されダスト量を
モニターする光散乱式、光透過式、β線式等のダストモ
ニター、Ｖ／１０は集塵室ＥＰＢに付設されその集塵電
極の電圧電流特性を検出するＶ／Ｉ検出器、ＡＮＤはダ
ストモニターＤＭ、集塵室ＥＰＡ 、 ＥＰＢ％ｖ７エ
検出器Ｖ／検出器上／ＩＤ入力端子に接続され、切換ス
イッチＳ Ｗ６ ａ Ｓ Ｗｌ ＃ Ｓ Ｗ＠
ａリアクタＡＣＬ 、スライダックＳＤがそれぞれ出力
端子に接続されたアンド回路である。
このような装置において、切換スイッチＳＷ。
ＳＷｌ ＋ ＳＷ２がそれぞれオンのときは、各集塵を
極Ａ、Ｈには第２図（４）に示すように、全波整流波形
の二次電流が流れ、切換スイッチＳＷ。
極Ａ、Ｈには第２図（４）に示すように、全波整流波形
の二次電流が流れ、切換スイッチＳＷ。
がオン％ＳＷ１又はＳＷ、がオンのときは、それぞれ集
塵電極Ａ又はＢのみに同図（にの全波整流の二次電流が
流れ、切換スイッチＳＷｏがオフ、ＳＷｉおよび８Ｗ＝
がそれぞれオンのとき波形の二次電流がそれぞれ流れる
。
塵電極Ａ又はＢのみに同図（にの全波整流の二次電流が
流れ、切換スイッチＳＷｏがオフ、ＳＷｉおよび８Ｗ＝
がそれぞれオンのとき波形の二次電流がそれぞれ流れる
。
ここで、二次電流の導通角βは、同図では９０°である
が、スライダックＳＤ、リアクタＡＣＬ 、サイリスタ
ＳＣＲ等によシミ源が６０サイクルの場合Ｏ〜８ ｍｓ
の範囲で制御可能である。
が、スライダックＳＤ、リアクタＡＣＬ 、サイリスタ
ＳＣＲ等によシミ源が６０サイクルの場合Ｏ〜８ ｍｓ
の範囲で制御可能である。
■ まず、集塵室の集塵効率が低下してきたとき、つま
シ出ロダスト量Ｓｏが増加してきたときは・ダストモニ
ターＤＭの出力信号が、第４図に示すようＫｓ８ｏｍ□
を越えるので、第３図に示すように、各制御装置の作用
によシ、下記するような荷電増強運転入が開始される。
シ出ロダスト量Ｓｏが増加してきたときは・ダストモニ
ターＤＭの出力信号が、第４図に示すようＫｓ８ｏｍ□
を越えるので、第３図に示すように、各制御装置の作用
によシ、下記するような荷電増強運転入が開始される。
（１）荷電室の数を増加して、ダスト量がｓｏ ＭＡＮ
以下になれば、そのままのコントロール状態に保つ。そ
の際、コントロールするのは、後室側の１〜２室程度で
、性能的に十分余裕があるときは、いくつかの室への荷
電をオフすることがある。
以下になれば、そのままのコントロール状態に保つ。そ
の際、コントロールするのは、後室側の１〜２室程度で
、性能的に十分余裕があるときは、いくつかの室への荷
電をオフすることがある。
（２）ダスト量がｓｏ ＭＡＸを越えていれば、後記す
るように、Ｖ／Ｉ検出器の出力信号が出れば、切換スイ
ッチＳＷｏをオフすることによシ全波荷電から半波荷電
に切換えるが、Ｖ／Ｉ検出器の出力信号が出なければ、
この切換は行なわれない。ダスト量Ｓｏがｓｏ ＷＡＸ
以下になれば、その状態を維持する。下記以降の制御は
逆電離が生起しているときに効果がある。ここで、各集
塵室ＥＰＡ 、 Ｆ！ＰＲのＶ／Ｉ検出器では、集塵極
の電圧ＶをＯから徐々に上昇させたときの電流Ｉの変化
は、第５図に示すように、一定時間間隔ごとにマイコン
制御によυサンは５）以上となると逆電離が生起したと
して出力信号を出す。
るように、Ｖ／Ｉ検出器の出力信号が出れば、切換スイ
ッチＳＷｏをオフすることによシ全波荷電から半波荷電
に切換えるが、Ｖ／Ｉ検出器の出力信号が出なければ、
この切換は行なわれない。ダスト量Ｓｏがｓｏ ＷＡＸ
以下になれば、その状態を維持する。下記以降の制御は
逆電離が生起しているときに効果がある。ここで、各集
塵室ＥＰＡ 、 Ｆ！ＰＲのＶ／Ｉ検出器では、集塵極
の電圧ＶをＯから徐々に上昇させたときの電流Ｉの変化
は、第５図に示すように、一定時間間隔ごとにマイコン
制御によυサンは５）以上となると逆電離が生起したと
して出力信号を出す。
（３）ダスト量ＳＯがｓｏ ＭＡＷ以上のときは、リア
クタＡＣＬを徐々に小さくしてゆく（第６図参照）。こ
こで、リアクタＡＣＬは３段階程度可変になってお’）
、Ｓ６ＭＡＸ以下になれば、その状態に保つ。
クタＡＣＬを徐々に小さくしてゆく（第６図参照）。こ
こで、リアクタＡＣＬは３段階程度可変になってお’）
、Ｓ６ＭＡＸ以下になれば、その状態に保つ。
（４） ダスト量がｓｏ ＭＡ！以上のときは、−次
電圧を昇圧する。ここで、−次電圧は１００〜２２０ｖ
を５段階可変とし、ダスト量検出および一次電圧昇圧を
繰シ返す。その際、サイリスタＳＣＲは上記の制御とは
無関係に定電流制御又は火花制御されている。
電圧を昇圧する。ここで、−次電圧は１００〜２２０ｖ
を５段階可変とし、ダスト量検出および一次電圧昇圧を
繰シ返す。その際、サイリスタＳＣＲは上記の制御とは
無関係に定電流制御又は火花制御されている。
以上を綜合すると制御装置の標準状態は、制御（１）：
全室荷電 制御（２）：全波荷電（スイッチ８Ｗｏはオンのまま〕
制御（３）：リアクタＡＣＬは大 制御（４）ニー次電圧は１００■ となシ、制御（１）で運転しているときは、制御（２）
以降、制御（２）で運転しているときは制ｎ ＋３＋以
降、制御（３）で運転しているときは制御（４）が標準
状態にセットされる。
全室荷電 制御（２）：全波荷電（スイッチ８Ｗｏはオンのまま〕
制御（３）：リアクタＡＣＬは大 制御（４）ニー次電圧は１００■ となシ、制御（１）で運転しているときは、制御（２）
以降、制御（２）で運転しているときは制ｎ ＋３＋以
降、制御（３）で運転しているときは制御（４）が標準
状態にセットされる。
■ 集塵室の集塵効率が上昇してきたとき、っまル出ロ
ダスト量Ｓｏが保証値を大巾に下廻ってきたときは、ダ
ストモニタ〜ＤＭからの出方がダストｉ Ｓｏ ＭＥＮ
に対応する値以下になれば、荷電室数を減らし、省エネ
ルギ運転Ｂを開始する。
ダスト量Ｓｏが保証値を大巾に下廻ってきたときは、ダ
ストモニタ〜ＤＭからの出方がダストｉ Ｓｏ ＭＥＮ
に対応する値以下になれば、荷電室数を減らし、省エネ
ルギ運転Ｂを開始する。
すなわち、荷電室をまず１つだけ減少させ、ダスト量が
まだＳｏ旧Ｎ以下であれば、さらに荷電室を減らす。
まだＳｏ旧Ｎ以下であれば、さらに荷電室を減らす。
１［Ｉ Ｖ／Ｉ特性からの制御を述べると、集塵電極
電圧のピーク値Ｖ、とその平均値ｖ０の積ＶｐＸ ｖ□
は、第６図に示すように、集塵性能と相関性があシ、両
者のピークは互いに対応して生起するのでｖｐｘＶｒｎ
の値が最大になるように二次側の各切換スイッチＳ Ｗ
ｌ ａ Ｓ Ｗｌ ＃ Ｓ Ｗｌおよび一次側のリ
アクタＡＣＬ 、スライダックＳＤの制御を行なう。
電圧のピーク値Ｖ、とその平均値ｖ０の積ＶｐＸ ｖ□
は、第６図に示すように、集塵性能と相関性があシ、両
者のピークは互いに対応して生起するのでｖｐｘＶｒｎ
の値が最大になるように二次側の各切換スイッチＳ Ｗ
ｌ ａ Ｓ Ｗｌ ＃ Ｓ Ｗｌおよび一次側のリ
アクタＡＣＬ 、スライダックＳＤの制御を行なう。
その際のコントロ−ルはダストモニターＤＭやＶ／Ｉ検
出器Ｖ／ＩＤの信号等によシ同図に示すように、１は全
波荷電、２は半波荷電、３〜５はリアクタｋＣＬ、６〜
１０はスライダック８ＤＫよルニ次側の電圧波形を鋭く
した荷電によ）行なわれる。これらのコントロールの中
で１は集塵性の良いダスト、１０は集塵性の思込ダスト
に対しそれぞれ効果的である。
出器Ｖ／ＩＤの信号等によシ同図に示すように、１は全
波荷電、２は半波荷電、３〜５はリアクタｋＣＬ、６〜
１０はスライダック８ＤＫよルニ次側の電圧波形を鋭く
した荷電によ）行なわれる。これらのコントロールの中
で１は集塵性の良いダスト、１０は集塵性の思込ダスト
に対しそれぞれ効果的である。
その際、Ｖ、 Ｘ ｖｒｎ値は初期値をＯとして、一定
時間間隔で検出され、コントロール１（全波荷電）にお
けるｖｐＸｖｎｌｌが前のサンブリング時のそれよシも
大きければ、コントロール２へ進み、コントロール２に
おけるＶｐｘ Ｖ、、がコントロールＩＫおけるそれに
比して大きければ、さらにフントロール３へと進ミ、コ
ントロール３でのｖ、ｘｖｒｒｌ値がコントロール２よ
シ小さくなっていれば、逆にコントロール２へ戻シ、同
様にしてコントロール２でのｖｐ ”ｍ 値１ｔｃよシ
コントロール１又は３へと進むことによシ、集塵室は常
に最大集塵効率ｖｐｘ ＶｒｎＭＡＸ付近で運転される
。
時間間隔で検出され、コントロール１（全波荷電）にお
けるｖｐＸｖｎｌｌが前のサンブリング時のそれよシも
大きければ、コントロール２へ進み、コントロール２に
おけるＶｐｘ Ｖ、、がコントロールＩＫおけるそれに
比して大きければ、さらにフントロール３へと進ミ、コ
ントロール３でのｖ、ｘｖｒｒｌ値がコントロール２よ
シ小さくなっていれば、逆にコントロール２へ戻シ、同
様にしてコントロール２でのｖｐ ”ｍ 値１ｔｃよシ
コントロール１又は３へと進むことによシ、集塵室は常
に最大集塵効率ｖｐｘ ＶｒｎＭＡＸ付近で運転される
。
以上述べた制御要領１．ｎ、ｍを綜合すると、第７図に
示すようになる。
示すようになる。
要するに本発明によれば、−次側の商用周波数電源を変
圧器、サイリスタ等の電流制御要素を介して二次側直流
高電圧に変換し、これを荷電室の集塵電極に印加して集
塵するようにしたものにおいて、複数の荷電室と、上記
二次側直流高電圧の舵手の牛波、後手の半波および又は
全波を選択的に取出しこれを上記複数の荷電室の集塵電
極にそれぞれ選択的に印加する切換スイッチ回路とを具
えた仁とによシ、高性能の電気集塵装置を得るから、本
発明は産業上極めて有益なものである。
圧器、サイリスタ等の電流制御要素を介して二次側直流
高電圧に変換し、これを荷電室の集塵電極に印加して集
塵するようにしたものにおいて、複数の荷電室と、上記
二次側直流高電圧の舵手の牛波、後手の半波および又は
全波を選択的に取出しこれを上記複数の荷電室の集塵電
極にそれぞれ選択的に印加する切換スイッチ回路とを具
えた仁とによシ、高性能の電気集塵装置を得るから、本
発明は産業上極めて有益なものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図は第１
回者部の二次電流を示す波形図、第３図は第１図の制御
フローチャートを示す図、第４図は第１図の集塵室の出
口ダスト量を示す線図、第５図は集塵電極の電圧電流線
図、第６図は第１図による集塵性能とコントロールとの
関係を示す線図、第７図は第１図におけるダストの比抵
抗と最適荷電方法との関係を示す図である。 Ａ、Ｂ・・・集塵電極、ＡＣＬ・・・リアクタ、ＡＮＤ
・・。 アンド回路、ＤＭ・・・ダストモニター、ＥＰＡ、ＥＰ
Ｂ・・・集塵室、ＭＴ・・・変圧器、ＲＥＣ・・・整流
器、 ＳＣＲサイリスク、５ＣＲＣ・・・サイリスタ制
御回路、ＳＤ・・・スライダックｓ Ｓ Ｗｅ ａ
Ｓ Ｗｌ ＋ Ｓ Ｗｓ・・・切換スイッチ、Ｖ／
ＩＤ・・・Ｖ／Ｚ検出器。
回者部の二次電流を示す波形図、第３図は第１図の制御
フローチャートを示す図、第４図は第１図の集塵室の出
口ダスト量を示す線図、第５図は集塵電極の電圧電流線
図、第６図は第１図による集塵性能とコントロールとの
関係を示す線図、第７図は第１図におけるダストの比抵
抗と最適荷電方法との関係を示す図である。 Ａ、Ｂ・・・集塵電極、ＡＣＬ・・・リアクタ、ＡＮＤ
・・。 アンド回路、ＤＭ・・・ダストモニター、ＥＰＡ、ＥＰ
Ｂ・・・集塵室、ＭＴ・・・変圧器、ＲＥＣ・・・整流
器、 ＳＣＲサイリスク、５ＣＲＣ・・・サイリスタ制
御回路、ＳＤ・・・スライダックｓ Ｓ Ｗｅ ａ
Ｓ Ｗｌ ＋ Ｓ Ｗｓ・・・切換スイッチ、Ｖ／
ＩＤ・・・Ｖ／Ｚ検出器。
Claims (1)
- 一次側の商用周波数電源を変圧器、サイリスタ等の電流
制御要素を介して二次側直流高電圧に変換し、これを荷
電室の集塵電極に印加して集塵するようにしたものにお
いて、複数の荷電室と、上記二次側直流高電圧の前半の
半波、後半の半波および又は全波を選択的に取出しこれ
を上記複数の荷電室の集塵電極にそれぞれ選択的に印加
する切換スイッチ回路とを具えたことを特徴とする電気
集塵装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11154382A JPS594460A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 電気集塵装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11154382A JPS594460A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 電気集塵装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS594460A true JPS594460A (ja) | 1984-01-11 |
Family
ID=14564034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11154382A Pending JPS594460A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 電気集塵装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594460A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6255381B1 (en) | 1995-11-27 | 2001-07-03 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Process for manufacturing an acrylic antislipping agent composed of small amounts of solid content |
| US6569933B1 (en) | 1998-04-19 | 2003-05-27 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Granulate composition of antiblocking agents and additives for polymer production |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11154382A patent/JPS594460A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6255381B1 (en) | 1995-11-27 | 2001-07-03 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Process for manufacturing an acrylic antislipping agent composed of small amounts of solid content |
| US6569933B1 (en) | 1998-04-19 | 2003-05-27 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Granulate composition of antiblocking agents and additives for polymer production |
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