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JPS5937736Y2 - 半導体集積回路の良否判定装置 - Google Patents

半導体集積回路の良否判定装置

Info

Publication number
JPS5937736Y2
JPS5937736Y2 JP1977110274U JP11027477U JPS5937736Y2 JP S5937736 Y2 JPS5937736 Y2 JP S5937736Y2 JP 1977110274 U JP1977110274 U JP 1977110274U JP 11027477 U JP11027477 U JP 11027477U JP S5937736 Y2 JPS5937736 Y2 JP S5937736Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
terminal
circuit element
semiconductor integrated
pulse signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1977110274U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5435865U (ja
Inventor
良夫 小堀
豊 脇
Original Assignee
日本電気株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
Priority to JP1977110274U priority Critical patent/JPS5937736Y2/ja
Publication of JPS5435865U publication Critical patent/JPS5435865U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS5937736Y2 publication Critical patent/JPS5937736Y2/ja
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は半導体集積回路の検査装置に関し、とくにP
N接合法によって回路素子間を分離しているモノリシッ
ク集積回路の分離の良否の判定装置に関する。
モノリシック集積回路は同一の半導体基板上に形成され
る複数個回路素子により構成されるため、回路素子が互
いに短絡して回路の機能を失なわないように回路素子間
を絶縁分離する必要がある。
一般には回路素子間KPN接合を形成してPN接合の逆
阻止特性を利用するいわゆるPN接合法による分離が用
いられている。
しかしながら、集積回路の製造上のバラツキから分離が
完全でないことが原因となって誤動作を起すことがある
このため\従来から、モノリシック集積回路の製造工程
には分離の良否を判定する工程が入れられている。
従来、回路素子間の分離の良否を判定する方法としてつ
ぎの2つの方法が多く用いられている。
1つの方法は回路素子電極部と回路素子が形成される半
導体基板間のもれ電流、ブレークダウン電圧およば容量
などの測定値から経験的に判定する方法であり、他の方
法は実際に使用される装置に集積回路を組込み、実用条
件で動作させて判定する方法である。
しかしながら、前者では単に回路素子の静的な特性パラ
メータを単独に測定するだけであるから、実際に動作さ
せたときの動的な特性パラメータとの相関が明確になっ
ていない限り分離の良否の判定は経験にたよらざるを得
ず、実用性に乏しい欠点がある。
また、後者は確実な判定を下せる利点はあるカヘその集
積回路が使用されるあらゆる条件に対応した回路や装置
を製作し、個々に判定しなければならず、多くの費用と
時間が必要である欠点がある。
本考案の目的はこれらの欠点を解消した実用的かつ安価
な分離の良否判定装置を提供することにある。
本考案によれば、集積回路の任意の回路素子にパルス信
号を印加する手段と、他の任意の回路素子に所定のバイ
アス電圧を印加する手段と、この他の任意の回路素子の
電気的特性を検出する手段とを含んで構成されることを
特徴とする集積回路の良否判定装置が得られる。
とくに本考案によればモノリシック集積回路を構成する
複数個の互いに分離された回路素子間または任意の回路
素子と回路素子が形成される半導体基板間にパルス信号
を与える手段とこのパルス信号が与えられる回路素子に
隣接して形成される他の分離された回路素子の特性を測
定する手段とを有し、パルス信号を加えて、回路素子の
特性または動作状態を変化さセ、特性の変化量を検出し
て、モノリシック集積回路を構成する回路素子間の分離
の良否を判定する装置が得られる。
つぎに第1図を参照しながら本考案の構成と動作につい
て説明する。
第1図は本考案の一実施例を示すブロック図であって、
モノリシック集積回路ICの任意の回路素子の電極端子
1と接地端子Gの間にパルス信号を与えるためのパルス
信号発生器O8Cが接続され、パルス信号が与えられる
回路素子に隣接した他の回路素子の電極端子2と接地端
子Gの間にバイアス回路Vs 、端子2に流れる電流を
検出するための抵抗RD1端子2と端子G間の電圧、お
よび端子2に流れる電流をff1lf9し判定するため
の判定回路C,VIP、判定結果を表示するための表示
回路DI SPから成る特性測定器が接続される。
1ず、パルス信号を与えない状態で、端子2と接地端子
Gの間にバイアス回路vsから使用条件と等価なバイア
スを与え、判定回路CMPKより端子間電圧および端子
電流を測定する。
このときの端子電圧および端子電流は回路素子が完全に
分離されているときの電圧、電流値に等しい。
つぎに、端子1と接地端子Gの間にパルス発生器O8C
からパルス信号を与えながら端子2と接地端子G間の端
子電圧、端子電流を判定回&MPにより測定する。
このとき、測定される端子電圧端子電流値がパルス信号
を与えないときと同値ならば分離が完全であると判定で
き、変動のある場合には分離は完全でないと判定できる
したがって、パルス信号を与えないときの端子電圧、電
流値を基準として、パルス信号を与えたときの端子電圧
、電流値を判定回路CMPで比較し、判定結果を表示回
路DISPK表示することによりモノリシック集積回路
を構成する回路素子間の分離の良否を判定することがで
きる。
なお、電圧、電流値の測定をどちらか一方だけにしても
、良否の判定は可能である。
このようにして、本考案によれば次のような著しい利点
を得ることができる。
すなわち、本考案では、パルス発生器とバイアス回路の
出力調整によって、実際の使用条件に適合したあらゆる
条件での判定が下せるばう)りか、構成が簡単であるた
めに取扱いが簡単でありかつ安価な装置を得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本考案の一実施例を示すブロック図である。 IC・・・・・・モノリシック集積回路、O8C・・・
・・・パルス発生器、vs・・・・・・バイアス回路、
CMP・曲・判定回路、DISP・・・・・表示回路、
RD・・・・・・電流検出用抵抗器、1〜4・・・・・
・任意の回路素子電極端子、G・・・・・・接地端子。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 複数個の互いに分離された回路素子間を含んで構成され
    る半導体集積回路の良否判定装置において、所定の回路
    素子の電極端子と接地端子との間にパルス信号を与える
    手段と、該パルス信号が与えられる所定の回路素子に隣
    接した他の回路素子の電極端子と前記接地端子との間に
    バイアス電圧を与える手段と、該バイアス電圧により前
    記他の回路素子の電極端子に流れる電流を検出する手段
    と、該電流の測定および判定を行なう手段と、該判定の
    結果を表示する手段とを有することを特徴とする半導体
    集積回路の良否判定装置。
JP1977110274U 1977-08-17 1977-08-17 半導体集積回路の良否判定装置 Expired JPS5937736Y2 (ja)

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Publication Number Publication Date
JPS5435865U JPS5435865U (ja) 1979-03-08
JPS5937736Y2 true JPS5937736Y2 (ja) 1984-10-19

Family

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JP1977110274U Expired JPS5937736Y2 (ja) 1977-08-17 1977-08-17 半導体集積回路の良否判定装置

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5384482A (en) * 1976-12-29 1978-07-25 Fujitsu Ltd Test method for ic

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5384482A (en) * 1976-12-29 1978-07-25 Fujitsu Ltd Test method for ic

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JPS5435865U (ja) 1979-03-08

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