JPS5923436Y2 - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPS5923436Y2 JPS5923436Y2 JP9583983U JP9583983U JPS5923436Y2 JP S5923436 Y2 JPS5923436 Y2 JP S5923436Y2 JP 9583983 U JP9583983 U JP 9583983U JP 9583983 U JP9583983 U JP 9583983U JP S5923436 Y2 JPS5923436 Y2 JP S5923436Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- refractive index
- layer
- light receiving
- transparent substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、ファクシミリ等の読み取り系に用いる原稿
と1:1に対応する大きさの充電変換装置に関するもの
である。
と1:1に対応する大きさの充電変換装置に関するもの
である。
従来、ファクシミリ等の送信原稿の読み取り系について
は、第1図に示すように送信原稿1をけい光灯等の照明
光源2で均一に照明し、その反射光をレンズ3によって
充電変換装置4に結像させて時系列の電気信号を得てい
た。
は、第1図に示すように送信原稿1をけい光灯等の照明
光源2で均一に照明し、その反射光をレンズ3によって
充電変換装置4に結像させて時系列の電気信号を得てい
た。
この場合、充電変換装置4は、MOSあるいはCCD等
のIC技術によって製造された20mm程度のチップサ
イズであるため、送信原稿1としてA 4 (= 20
0 mm x 290mm)を用いると、レンズの縮率
は1/10程度となり、送信原稿1から光電変換装置4
までの距離は相当大きく、そのため装置が大形化する欠
点があった。
のIC技術によって製造された20mm程度のチップサ
イズであるため、送信原稿1としてA 4 (= 20
0 mm x 290mm)を用いると、レンズの縮率
は1/10程度となり、送信原稿1から光電変換装置4
までの距離は相当大きく、そのため装置が大形化する欠
点があった。
この欠点を解決するため、送信原稿1と1:1に対応す
る大形の充電変換装置が提案されている。
る大形の充電変換装置が提案されている。
この光電変換装置は、第2図に示すように、透明基板5
上に受光素子6の列を蒸着あるいはフォトレジスト技術
により形威し、その上部に透明保護層7を設けたもので
ある。
上に受光素子6の列を蒸着あるいはフォトレジスト技術
により形威し、その上部に透明保護層7を設けたもので
ある。
透明基板5の下方におかれた照明光源(図示せず)から
の光束8は、透明基板5、受光素子6同志の間隙、透明
保護層7を通って送信原稿1を照明し、その反射光を受
光素子6で捕え光電変換するものであるが、透明保護層
7は送信原稿1との摩擦に対する強度、安定性、あるい
は照明光束を効率よく導入する点からある程度の厚さを
有することが必要である。
の光束8は、透明基板5、受光素子6同志の間隙、透明
保護層7を通って送信原稿1を照明し、その反射光を受
光素子6で捕え光電変換するものであるが、透明保護層
7は送信原稿1との摩擦に対する強度、安定性、あるい
は照明光束を効率よく導入する点からある程度の厚さを
有することが必要である。
このため送信原稿1から受光素子6までの厚さのため十
分に密着させることが不可能で、透明保護層7が一種の
導光路となり、反射光が拡散伝達して隣接する受光素子
6へ到達し、分解能が低下する欠点があった。
分に密着させることが不可能で、透明保護層7が一種の
導光路となり、反射光が拡散伝達して隣接する受光素子
6へ到達し、分解能が低下する欠点があった。
この考案は上記の欠点を除去するため、受光素子と送信
原稿の中間に厚み方向に屈折率分布が変化する導光層を
設けたものである。
原稿の中間に厚み方向に屈折率分布が変化する導光層を
設けたものである。
以下、この考案について詳細に説明する。
第3図はこの考案の一実施例を示す主走査方向の部分正
断面図であり、その要点は透明保護層の上部に厚み方向
に変化する屈曲率分布をもつ導光層を設けたことである
。
断面図であり、その要点は透明保護層の上部に厚み方向
に変化する屈曲率分布をもつ導光層を設けたことである
。
第3図で、1は送信原稿、5はガラス板等の透明基板、
6はCdS 、 Se等の受光素子、7は透明保護層、
8は照明光束、9は屈折率分布をもつ導光層で、透明な
高屈折率層10と透明または不透明な低屈折率層11と
からなっている。
6はCdS 、 Se等の受光素子、7は透明保護層、
8は照明光束、9は屈折率分布をもつ導光層で、透明な
高屈折率層10と透明または不透明な低屈折率層11と
からなっている。
製造に際しては、透明基板5上に蒸着、ホトレジスト技
術により受光素子6の列を形成し、さらに受光素子6の
列を透明保護層7で被覆し、その上部に導光層9をその
各高屈折率層10が各受光素子6を対向するようにして
形成する。
術により受光素子6の列を形成し、さらに受光素子6の
列を透明保護層7で被覆し、その上部に導光層9をその
各高屈折率層10が各受光素子6を対向するようにして
形成する。
なお、第3図では各受光素子6の電極、配線は省略され
ている。
ている。
第4図は上記実施例の動作説明のための部分拡大断面図
である。
である。
以下これによって動作を説明する。
照明光束8は照明光源(図示せず)から発せられる光束
の一部であるが、透明基板5、受光素子6同志間の間隙
、透明保護層7、導光層9を通して送信原稿1を照明す
る。
の一部であるが、透明基板5、受光素子6同志間の間隙
、透明保護層7、導光層9を通して送信原稿1を照明す
る。
照明された送信原稿1からの反射光は送信原稿1から四
方、人力に拡散放射されるが、大部分は直近の受光素子
6に捕獲され、光電変換される。
方、人力に拡散放射されるが、大部分は直近の受光素子
6に捕獲され、光電変換される。
拡散放射される光束のうち反射角の大きい光束は導光層
9の高屈折率層10を伝搬し、隣接する受光素子6へ向
うが、途中にある低屈折率層11で全反射され、本体の
受光素子6に捕獲される。
9の高屈折率層10を伝搬し、隣接する受光素子6へ向
うが、途中にある低屈折率層11で全反射され、本体の
受光素子6に捕獲される。
したがって、隣接する受光素子6へ洩れる妨害光が極め
て小さくなり、高分解能が確保される。
て小さくなり、高分解能が確保される。
上記の場合、導光層9は、例えば、プラスチック材料の
光重合等の手段により1枚のプラスチックシートに一括
して製作することができる。
光重合等の手段により1枚のプラスチックシートに一括
して製作することができる。
この実施例では、送信原稿1からの反射光が低屈折率層
11で効率的に全反射−されるため、さらに高分解能化
が期待できる。
11で効率的に全反射−されるため、さらに高分解能化
が期待できる。
なお、副走査方向(受光素子の配列方向と直角方向)に
対しても拡散防止用の低屈折率層11が設けられている
が、主走査方向(受光素子の配列方向)はど分解能に対
する寄与は小さいと考えられるので、これは省略するこ
とも可能である。
対しても拡散防止用の低屈折率層11が設けられている
が、主走査方向(受光素子の配列方向)はど分解能に対
する寄与は小さいと考えられるので、これは省略するこ
とも可能である。
また、上記各実施例では、導光層9と透明保護層7を別
構成としたが、導光層9自体が透明保護層7を兼ねても
よく、その場合にはより簡易な構成となる。
構成としたが、導光層9自体が透明保護層7を兼ねても
よく、その場合にはより簡易な構成となる。
以上説明したように、この考案は送信原稿と受光素子と
の中間に厚み方向に低屈折率層の巾が変化する屈折率分
布をもつ導光層を設けたので、隣接する受光素子へ洩れ
る光束を防ぐことができ、分解能の低下をなくすことが
できる。
の中間に厚み方向に低屈折率層の巾が変化する屈折率分
布をもつ導光層を設けたので、隣接する受光素子へ洩れ
る光束を防ぐことができ、分解能の低下をなくすことが
できる。
さらに、使用するファクシミリ装置を小形化、簡易化で
きる利点を有する。
きる利点を有する。
第1図は従来のファクシミリ等の送信原稿の読み取り系
の斜視図、第2図は従来の充電変換装置の部分断面図、
第3図、第4図はこの考案の一実施例を示す充電変換装
置の部分正断面図およびその拡大図である。 図中、1は送信原稿、5は透明基板、6は受光素子、7
は透明保護膜、8は照明光束、9は導光層、10は高屈
折率層、11は低屈折率層である。
の斜視図、第2図は従来の充電変換装置の部分断面図、
第3図、第4図はこの考案の一実施例を示す充電変換装
置の部分正断面図およびその拡大図である。 図中、1は送信原稿、5は透明基板、6は受光素子、7
は透明保護膜、8は照明光束、9は導光層、10は高屈
折率層、11は低屈折率層である。
Claims (1)
- 透明基板上に形威した受光素子の列の上部にこれらの受
光素子を保護する透明保護層を形成し、この透明保護層
の上部に前記各受光素子を囲むように配置された低屈折
率層とそれ以外の部分を高屈折率層とした屈折率分布を
もつ導光層を設け、透面基板下部に設置した照明光源よ
り透明基板を通して原稿を照明し、反射光を受光素子に
導く光電変換装置において、前記低屈折率層を導光層の
厚み方向に上面から次第に薄くなるようにしたことを特
徴とする充電変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9583983U JPS5923436Y2 (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9583983U JPS5923436Y2 (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 光電変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5950449U JPS5950449U (ja) | 1984-04-03 |
JPS5923436Y2 true JPS5923436Y2 (ja) | 1984-07-12 |
Family
ID=30228683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9583983U Expired JPS5923436Y2 (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5923436Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6754501B2 (ja) * | 2017-07-28 | 2020-09-09 | パイオニア株式会社 | 電磁波検出装置 |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP9583983U patent/JPS5923436Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5950449U (ja) | 1984-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3093244B2 (ja) | 照明系の改良された光電変換装置及び該装置を搭載した情報処理装置 | |
US4446364A (en) | Photoelectric converter on a transmissive substrate having light shielding | |
JP3180043B2 (ja) | 画像入力装置 | |
JPS5923436Y2 (ja) | 光電変換装置 | |
JPS5846067B2 (ja) | 光電変換装置 | |
JPS5846181B2 (ja) | 密着形イメ−ジセンサ | |
US5144458A (en) | Total contact type image sensor | |
JPS6276357A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPS5846182B2 (ja) | 光電変換装置 | |
JPS5814073B2 (ja) | 光電変換装置 | |
JPH0710088B2 (ja) | 画像読取装置 | |
JPH0617323Y2 (ja) | 完全密着型イメ−ジセンサ | |
JPH0328109B2 (ja) | ||
JPS58173960A (ja) | 原稿読取装置 | |
JP3018560B2 (ja) | イメージセンサ | |
JPH02105773A (ja) | 画像読取り装置 | |
JPS62128271A (ja) | 画像読み取り装置 | |
JPH03291049A (ja) | 密着型イメージセンサ | |
JPH02131068A (ja) | 読み取り走査ユニット | |
JPS61135272A (ja) | リニアイメ−ジセンサ | |
JPS62209849A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
JPS62142461A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPS63288560A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
JPS62262563A (ja) | 密着形イメ−ジセンサ | |
JPH0461546A (ja) | イメージセンサ |