JPS5922337B2 - ガス・パネル装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はガス・パネル装置の製造方法に関し、更に詳細
にはモノリシック構造を有するガス・ディスプレイ・パ
ネルの製造方法に関する。

ガス放電を利用したディスプレイ・パネルは周知であり
、種々のものが提案されているが、ガス・パネルの１つ
の典型的な構造は１対のガラス・プレートを利用する。

各ガラス・プレートの表面には複数の平行な導体が形成
される。

好ましくは、導体セットは壁電荷による記憶作用を利用
するため誘電体層により被覆される。

ガラス・プレートは夫々のガラス・プレートの導体が互
いに直交する関係で且つ夫々の導体が対向する関係で配
置される。

ガラス・プレートの間にはその周辺部にロッドの如きス
ペーサが配置され、これにより対向導体間の間隔従って
放電間隔が限定される。

直交導体の交点位置は表示セルを形成する。

ガラス・プレートの周囲部はイオン化可能なガスを含む
ガス放電小室を形成するために密封される。

このような構造のガス・ディスプレイ・パネルの製造方
法の一例は特開昭４８−７９９７２号に開示されている
。

しかしながら、パネルの周辺部にスペーサ・ロッドを置
いて放電間隔を定める場合は、ガラス・プレートがいく
ぶんたわみ易いため、パネルの中心部と周辺部の放電間
隔に差が生じ易い。

特にこの傾向はパネルが大形化する程著しくなる。

放電開始電圧は放電間隔の関数であるから、放電間隔が
セル位置によって変動することは信頼性のある動作を妨
げる要素である。

もしスペーサ・ロンドの数を増やしパネルの中心部にも
配置するようにすれば、この放電間隔変動の問題はいく
ぶん軽減される。

しかしながら、ガラス・ブレート自体の平面度に限界が
あるため、スペーサ・ロッドの数を増やしても、すべて
のセルにおいて一様な放電間隔を維持することは事実上
不可能である。

また、ガラス・プレートの平面度が完全でない場合はガ
ラス・プレートを極端に近づけることができず、このこ
とはセル密度従って解像度の増大を妨げる原因になる。

スペーサ・ロッドを厳密に配置しガラス・プレートの平
面度を完全にすることは非常に困難であり、非常に不経
済である。

従って パネル動作の信頼性を高め且つ高密度のセルを
実現するためには、ガラス・プレートの平面度にできる
だけ制約されないようにガス・パネルを製造することが
必要である。

特開昭４７−１２号は１枚のガラス・プレート上に直交
導体セットの両方を支持する構造のガス・パネルを示し
ている。

一方の導体セットはこのガラス・プレート上に形成され
、誘電体層により被覆される。

他方の導体セットは一方の導体セットと直交するように
この誘電体層上に形成される。

直交する導体セットに隣接する領域にイオン化可能なガ
スを保持するためにカバー・プレートが取付けられる。

このガス・パネルでは直交する導体セットの両方が１枚
のガラス・プレートにより支持されるから、ガラス・プ
レートの平面度による放電間隔変動の問題が解決される
。

しかしながらこのガス・パネルでは、直交する導体セッ
トの間の領域は誘電体層によって完全に充満されている
ため、放電は交点付近の誘電体層の表面に沿って生じ、
直交導体の交点位置でガラス・プレートに垂直な方向で
生じることはできなかった。

そのためセルが明確に限定されず、セル密度を高めるこ
とができないだけでなく、表示の質も良好に得られなか
った。

特開昭４８−５６０５９号は特開昭４７−１２号と同様
に、誘電体層を間に有する直交導体セントを１枚のガラ
ス・プレート上に支持する構造のガス・パネルを示して
いる。

この特開昭４８−５６０５９号においては、直交導体の
交点位置に隣接する誘電体領域に各交点毎に１つずつ小
さな空洞即ち盲孔が設けられ、これにより各交点位置に
放電用ガス空間を与えるようにしている。

しかしながら空洞は直交導体の交点と位置的に整列して
いないため、依然としてセル密度を高めることができな
い。

特開昭４８−３７０７３号は誘電体層を間に有する直交
導体セットを１枚の絶縁基板上に支持する構造の放電装
置を示しているが、この放電装置は別に設けられた表示
部の表示電極を選択駆動するための解読回路として働く
マトリクス回路であって、表示装置ではなく、又放電は
予め決められた位置でしか生じることができない。

従って本発明の主目的はモノリシック構造を有する改良
されたガス・パネル装置の製造方法を提供することであ
る。

本発明のもう１つの目的はガラス・プレートの平面度に
関係なくすべてのセルにおいて一様な放電間隔を維持す
ることができ且つセル密度を高めて高解像度の表示を実
現することができるガス・ディスプレイ・パネルの製造
方法を提供することである。

本発明の更にもう１つの目的は直交する導体セットの両
方が１枚の基板上に一体的に支持され且つイオン化可能
なガスが直交導体の交差領域において導体間に存在しつ
るように一方の導体セットがスペーサ手段によって他方
の導体セット上に浮かされた構造を有するガス・ディス
プレイ・パネルの製造方法を提供することである。

本発明の他のもう１つの目的は直交導体セットの両方が
１枚の基板上に一体的に支持され且つイオン化可能なガ
スが直交導体の交差領域において導体間に存在しうるよ
うに一方の導体セットがスペーサ手段によって他方の導
体セット上に浮かされ且つ直交導体が誘電体被覆により
イオン化可能なガスから隔離されているガス・ディスプ
レイ・パネルの製造方法を提供することである。

本発明に従うガス・ディスプレイ・パネルを製造する方
法は複数の細長い第１導体を表面に有する基板を準備す
ることから開始される。

第１導体は誘電体により被覆されつる。

次に、予定の処理によって除去可能な第１物質の領域及
びこの処理によって除去不可能な絶縁性の第２物質の領
域から成り第２物質の領域が第１導体の間に位置してい
る如きスペーサ層が第１導体上に形成される。

′：次に、複数の細長い第２導体が第１導体と交差する
ようにスペーサ層上に形成される。

第２導体は誘電体により被覆されうる。

次に第２導体の間から上記予定の処理が施されて第１物
質が除去される。

最後に、第１導体及び第２導体の交差位置の領域全体を
覆うようにカバー・プレートが取付けられる。

更に詳細に云えば、本発明に従う１つの良好な実施例に
おいては、先ず、複数の平行な第１導体が基板上に形成
される。

次に、第１導体上に第１誘電体層が付着される。

次に、例えばアルミニウムの如き金属の層が誘電体層上
に付着され、スペーサ手段となるべき第１導体間の領域
が酸化される。

金属領域及び金属酸化物領域から成るスペーサ層上に第
２誘電体層が付着され、第２誘電体層上に、第１導体と
直交する関係で複数の平行な第２導体が形成される。

第２導体上に第３誘電体層が付着される。

次に、第２導体の間からスペーサ層領域を露出させるよ
うにそのスペーサ層領域上の第２及び第３の誘電体層領
域がエツチングにより除去される。

残っている第２及び第３の誘電体層領域は第２導体の上
面、下面及び側面を完全に被覆する。

その後、第２導体の間から露出されたスペーサ層領域は
エツチング液と接触され、これによりスペーサ層の金属
領域が除去される。

最後に、第１及び第２の導体の交差領域を覆うようにカ
バー・プレートが取付けられた。

本発明の作用効果を列記すれば、以下のとおりである。

（１） ガラス・プレートのような１つの絶縁基板上
に、第１導体、スペーサ、及び第２導体をモノリシック
構造として形成することにより、絶縁基板の平面後に関
係なく、全表示領域において一様な放電間隔を与えるこ
とができる。

即ち、絶縁基板の平面度が完全でない場合であっち、パ
ネル導体及びスペーサは絶縁基板の表面形状のとおりに
形成され、例えば、絶縁基板が湾曲していればパネル導
体及びスペーサはその湾曲面に沿って形成され、従って
、絶縁基板の平面度に関係なく、スペーサ及び誘電体層
（パネル導体が誘電体層を持つ場合）の厚さによって決
まる一定の放電間隔を与えることができ、放電間隔変動
の問題なしに大寸法のガス・パネルを形成できる。

（２）放電はパネル導体の交差位置の放電空間で生じる
から、前述の特開昭４７−１２号及び特開昭４８−５６
０６９号に比べてセル密度を高めることができ且つ表示
の質も改善できる。

（３）本発明のガス・パネルは半導体の技術分野で慣用
されている付着技術、フォトリソグラフィック・マスキ
ング及びエツチング技術の利用によって、モノリシック
構造として製造でき、従ってセル密度を高め、高解像度
の表示を容易に実現することができる。

本発明では、第１導体と第２導体との交差位置に放電空
間を有するガス・パネルをモノリシック構造として形成
する関係上、金属スペーサ層を選択的に酸化し、第２パ
ネル導体をスペーサ層上に形成した後にスペーサ層の非
酸化領域を除去するステップが必要になるが、これはエ
ツチングにより簡単に行なうととができる。

スペーサ層の非酸化領域を除去して放電空間を形成した
後にスペーサ層の酸化領域上に細長いワイヤ導線を渡し
ても類似の構造が得られるが、導線の配置、固定が厄介
で、製造が面倒になるだけでなく、セル密度を上げるの
も難しい。

本発明のモノリシック構造によれば、半導体技術の延長
として、非常に高いセル密度を簡単に実現できる。

次に図面を参照して本発明の良好な実施例について説明
する。

第１図は本発明に従って、モノリシック構造を有するガ
ス・ディスプレイ・パネルを製造するための種々の段階
を示している。

先ず、第１図のＡに示されるように、絶縁基板例えばガ
ラス・プレート１の上に複数の平行な導体２が形成され
る。

図では例示のため４本の導体のみが示されている。

導体２は、ガラス・プレート１の上面に金属を一様な厚
さに真空蒸着し、次に周知のフォトリソグラフィック・
マスキング及びエツチング技術を用いて形成される。

勿論、導体２の形成されるべき表面領域のみを露出する
ようにガラス・プレート１の表面を選択的にマスクして
金属を蒸着してもよく、或いは他の知られている方法で
付着されてもよい。

この例ではガラス・プレート１が表示面となるため、導
体２はＳ ｎ ０２又は（Ｉｎ２Ｏ３＋ ５ｎ０２）の
如き透明導体でつくられるのがよい。

Ｓ ｎ ０２の場合、スパッタリングにより５ｏＯ２を
１μの厚さに付着し、その後Ｓ ｎ ０２膜を導体パタ
ーンにフォトレジストで選択的にマスタし、塩酸又は硫
酸でＳｎＯ□をエツチングすることにより形成される。

導体２は巾１３０μ、間隔４０μである。

導体２はＳ ｎ ０２の電子ビーム蒸着又は４００℃−
７００℃に加熱したガラス・プレートへのＳ ｎ Ｏ１
４の吹き付けによっても形成されうる。

表示セルとなるべき位置に光出力を高めるための小さな
孔を有する銅又はアルミニウムの如き不透明導体又は音
叉形に分割された不透明導体を導体２として用いること
も可能である。

導体２が銅の如き良導電体で形成される時は０．５μの
厚さにされる。

導体２は、後に更に詳細に説明するように、導体２の全
表面を誘電体層で被覆して後の金属エツチング処理から
導体２を保護できるようにするため、ガラス・プレート
１の端まで届かないうちに終端するように形成されるの
がよい。

次に導体２の上に誘電体層３が付着される。

誘電体層３の材料はＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，５１４Ｎ４
等でよく、Ｓ ｒ ０２の場合はガラス・プレート１を
室温乃至２００℃程度に加熱し、ＲＦスパッタリングに
より２μの厚さに付着される。

１３．５６ ＭＨｚ、５００−１０００ＷのＲＦパワー
の場合、付着速度は約２５０λ／分であり、２μの厚さ
に対しては約８０分のスパッタリングが行われる。

導体２はガラス・プレート１の端まで届かないように形
成されているから、導体２の上面のみならず、側面及び
端部をも誘電体層３で被覆することができる。

その後、第１図のＡに示されるように、誘電体層３の上
に金属層４が一様な厚さに付着される。

この金属としては付着が容易であること、エツチングが
容易であること、及び酸化された時に絶縁性の高い酸化
物を形成することの要件を満たすものが使用される。

この目的にはアルミニウムが最も適している。

アルミニウムはガラス・プレート１の加熱温度３００°
Ｃ及び真空度Ｉ ＸＩ ０−６Ｔｏｒ ｒにおいて真空
蒸着することにより付着される。

アルミニウム・スペーサ層４の厚さは１０μである。

アルミニウム層４は、以後明らかとなるように、導体２
に駆動信号を供給するために外部接続が行われる導体２
の端領域には付着されない。

タンタル、ニオブ、ジルコニウム、ハフニウムの如き他
の金属もスペーサ層４に使用可能であるが、これらの金
属は非常に融点が高く、付着にはスパッタリングが必要
である。

スパッタリングは比較的厳密な制御を必要とし、また付
着速度が遅いから比較的厚く付着させるのに時間がかか
る。

また、これらの金属のエツチングに用いられるフッ化水
素酸のエツチング液はＳ ｉ０２も侵すもので、スペー
サ層４としてはアルミニウムが望ましい。

但し、ＡＡ ２ｏ３ ｊ Ｓ ｔ ４Ｎ４等はフッ化水
素酸によって侵されないから、Ａｌ２Ｏ３、Ｓ １４Ｎ
４等が誘電体層に用いられ時はこれらの金属をスペーサ
層４に用いることができる。

アルミニウム層４は次に、第１図のＢに示されるように
、導体２の間の領域５及び両端の領域５′。

５“のみがアルミナ（Ａ１２０３）になるように選択的
に酸化される。

これは、アルミニウム層４の全面にフォトレジストを付
着させ、領域５．５’、５’のフォトレジストのみが除
去可能になるように選択的に露光して現像し、しかる後
陽極酸化することにより行われる。

アルミニウムの陽極酸化は温度２０℃以下の２％硫硫酸
水液液おいて、電流密度０．０１−０．０２ Ａ／ｆｆ
ｌで行われる。

アルミニウムがアルミナに酸化されるといくぶん厚みが
増加する。

図においては、アルミナ領域５ 、５’、 ５”（７）
厚みの増加の結果としてアルミナ領域５，５’、５“及
びアルミニウム領域６が同平面になるように示されてい
るが、これは図面を簡明化するためであって、必ずしも
実際の状態を正確に表わしたものでないことは理解され
るべきである。

また、図においては、図面の簡明化のため、各素子の寸
法が実際の構造と必ずしも比例関係に示されていないこ
とも理解されるべきである。

第２図はこのように選択的に陽極酸化されたアルミニウ
ム層４を有するパネルを、誘電体層３の一部を破断して
示す拡大された断片的斜視図である。

誘電体層３は透明であり、導体２は誘電体層を通して見
えている。

第２図によれば、導体２の端がガラス・プレート１の縁
に届く前に終端し導体２全体が誘電体層３により被覆さ
れていること及びスペーサ層４が導体２の端部を覆わな
いように形成されていることがわかる。

ストライプ状のアルミニウム領域６の端面が露出してい
ると、領域６の端部も酸化される。

しかし領域６の端部は実際には表示領域外に位置してお
り、端部が若干酸化されてもさしつかえない。

もし必要ならば、領域６の端部も覆うようにレジストを
付着させればよい。

代替的には、表示領域外に位置しているアルミニウム層
４の周囲部をフレーム状に酸化してもよい。

必要なことは導体２の間の、スペーサとなるべき領域を
酸化することである。

次に、第１図のＣに示されるように、アルミナ領域５．
ダ、５′及びアルミニウム領域６より成るスペーサ層４
上に第２の誘電体層７が付着される。

この誘電体層７は誘電体層３と同じ材料でよく、誘電体
層３と同様にＲＦスパッタリングにより２μの厚さに形
成される。

次に第１図のＤに示されるように、誘電体層７の上に導
体２と直交するように第２の複数の平行な導体８が形成
される。

導体８は導体２と同じ材料を用いて同じ厚さ、同じ導体
中、同じ導体間隔で形成されてよい。

しかし導体８は導体２及び８により形成されるセルの後
側にあって光出力に影響を与えないから銅の如き不透明
導体でもよい。

銅の場合、厚さ０．５μに形成される。

導体８は第１図のＤに示されるように、スペーサ層４の
端まで届かないうちに終端するように形成される。

その後、第１図のＥに示されるように、導体８上に第３
の誘電体層９が付着される。

誘電体層９は、誘電体層３及び７と同じ材料でよく、同
様にＲＦスパッタリングにより２μの厚さに形成される
。

以後明らかとなるが、導体８の上面及び側面が誘電体層
９により被覆されないと、完成したパネルにおいてされ
らの表面がパネル内のガスと直接接触することになり、
放電動作の期間に導体８の露出表面でスパッタリングが
生じてパネル内のガスが汚染される可能性がある。

従って、導体８は誘電体層９で被覆されるのが好ましい
。

導体８はスペーサ層４の縁の内側で終端しているから、
その全露出表面が完全に誘電体層９により被覆されつる
。

次のステップはスペーサ層４を導体８の間から露出させ
るために誘電体層７及び９を選択的にエツチングするこ
とである。

ここで第３図を参照する。

第３図は第１図のＥの線３−３に沿って得られる断面図
である。

誘電体層７及び９のエツチングされる領域は第３図にお
いて導体８の間に存在する領域１０である。

また、スペーサ層４の端領域のアルミニウムのエツチン
グを容易にするため、誘電体層１及び９は同様に領域１
１においてもエツチングされるのが好ましい。

このエツチングは周知のフォトリソグラフィック・マス
キング技術を利用することにより行うことができる。

即ち、誘電体層９上にフォトレジストが付着され、領域
１０及び１１のフォトレジストが除去可能になるように
選択的に露光され現像される。

領域１０及び１１に於て露出された誘電体層９は次に誘
電体層のみを良好に浸食するエツチング液と接触される
。

エツチング液は１０％ＨＦ宕液又は（１０％ＨＦ溶液十
ＮＨ４Ｆ溶液）である。

第４図はこのように誘電体層７及び９がエツチングによ
り選択的に除去された段階のパネルの、第３図と同様な
断面図である。

スペーサ層４は領域１０及び１１において露出される。

誘電体層７及び９のエツチングはエツチング後の導体８
が誘電体層７及び９により完全に被覆されるように行わ
れるべきである。

次にパネルはスペーサ層４のアルミニウム領域６を除去
するためにエツチング液と接触される。

エツチング液はアルミニウムを浸食するがアルミナ及び
誘電体を浸食しないものが使用される。

この目的にはＨ３ＰＯ４系又はＮａＯＨ系のエツチング
液が使用されつるが、（Ｈ３ＰＯ４＋ＨＮ０３）水容液
が適当である。

スペーサ層４のアルミニウム領域６は領域１０及び１１
から浸入するエツチング液によりエッチされて除去され
、エツチングの後は、第１図のＦに示されるように、空
間１２が形成される。

空間１２は下側導体２及び上側導体８の間に存在し、従
って、上側導体８はスペーサとしてのアルミナ領域５，
５′及びダにより下側導体から浮かされた状態になる。

アルミニウムのエツチングにおいては、誘電体被覆され
た上側導体８がアルミニウム領域６の一部をマスクしノ
ルミニラムのエツチングを妨げるように作用する。

しかし誘電体及びアルミナはアルミニウムのエツチング
液によってほとんど浸食されないから、上側導体８の下
のアルミニウムが充分にアンダーカットされるように長
時間の間エツチングを行うことができる。

超音波を加えながらエツチングを行えば、アルミニウム
の除去をより高速に行うことができる。

導体２及び８は誘電体層により完全に被覆されているか
ら、アルミニウムのエツチング液によってダメージを受
けることはない。

次に第１図のＧ及び第４図に示されるように、導体２及
び８の交差領域によって限定されるセルの領域にイオン
化可能なガスを保持するためカバ−・プレート１３が適
当な位置に配置され、ソルダ・ガラスの如き密封材によ
り密封される。

カバー・プレート１３はガス・パネルに、駆動信号を供
給するための外部接続部として用いられる導体２及び８
の一方の端部がカバー・プレート１３の外側に出るよう
に取付けられる。

既に述べたようにアルミニウム層４の周囲部がフレーム
状に酸化される場合は、カバー・プレート１３は酸化さ
れたフレーム状の周囲部上に配置されてもよい。

最後に、外部接続部として用いられる導体２及び８の端
部を露出させるため、誘電体層３，７゜９の端部がエツ
チングにより除去される。

これは１０％ＨＦｇ液又は（１０％ＨＦｌ液十ＮＨ４Ｆ
Ｍ液）にパネルの端部を浸漬することにより行うここと
ができる。

第５図は本発明に従って製造されたガス・パネルを、カ
バー・プレート１３を除去して示す拡大された断片的斜
視図である。

第５図では、図面の簡明化のため、導体２の露出端とス
ペーサ層４との間に残されている誘電体層７，９は除去
されている。

導体２及び８は外部接続のために露出された端部を除け
ば誘電体により完全に被覆されている。

これまでは良好な実施例が述べられたが、種々の変形を
行うこともできる。

例えば、良好な実施例では、下側導体２を被覆する誘電
体層はＳｉＯ□の如き誘電体をＲＦスパッタリングする
ことにより付着されたが、スペーサ層の付着前に下側導
体の表面を酸化して酸化被膜を形成することによっても
設けられうる。

この場合、下側導体２の金属としてアルミニウム、タン
タル、ニオブ、ジルコニウム、ハフニウム等が使用され
る。

例えば、アルミニウムがガラス・プレート１上に付着さ
れ、第１図に関して既に述べたように周知のフォトリン
グラフイック・マスキング及びエツチング技術を用いて
ガラス・プレート１上にアルミニウムの平行導体２が形
成され、次にアルミニウム導体の表面部分のみが陽極酸
化され、アルミナによって誘電体被覆が形成される。

代替的には、エツチングによってアルミニウムの平行導
体を形成する代わりに、ガラス・プレート１上のアルミ
ニウム層をストライプ状に陽極酸化することによって、
互いに絶縁された平行なアルミニウム導体を形成し、し
かる後アルミニウム導体の表面部分のみを陽極酸化して
もよい。

この代替方法の場合も、スペーサ層としてタンタル、ジ
ルコニウム、ニオブ、ハフニウム等を使用しうるが、ス
ペーサ層の陽極酸化以後の工程を第１図と同じように行
う場合は、既に述べたようにＳ ｉ０２がフッ化水素酸
により侵されるから、誘電体層７及び９はＡｌ２Ｏ３，
５ｉ４Ｎ４等により形成されるべきである。

タンタル、ジルコニウム、ニオブ、ハウニウムのエツチ
ング液としては（ＨＦ＋ＨＮ０３）溶液又はＨＦ溶液が
適当である。

このエツチング液はこれらの金属の酸化物を侵さないか
ら、表面酸化される金属としてこれらの金属を用い再び
スペーサとしてこれらの金属を用いることもできる。

また、アルミニウムのエツチング液、（Ｈ３ＰＯ４＋Ｈ
ＮＯ３）水溶液、もタンタル等の酸化物を侵さないから
、表面酸化される金属としてタンタル等を用いスペーサ
層としてアルミニウムを用いることもできる。

また、本明細書では、最終的なスペーサを与えるために
下側導体間の金属全体がストライプ状に酸化されたが、
上側導体を浮いた形に支持するのに必要な下側導体間の
金属の飛び飛びの領域のみが酸化され、他の領域の金属
が全部除去されてもいことは明らかてあらう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に従ってガス・パネルを製造するための
種々の段階を示す図、第２図は第１図のＢの段階におけ
るパネルを示す拡大された断片的斜視図、第３図は第１
図のＥの線３−３に沿って得られる断面図、第４図は誘
電体層がエツチングにより選択的に除去された段階の、
第３図と同様の断面図、第５図はカバー・プレート及び
誘電体層の一部を省略して示す本発明に従って製造され
たガス・パネルの拡大された断片的斜視図である。 １・・・・・・ガラス・プレート、２・・・・・・下側
導体、３・・・・・・誘電体層、４・・・・・・スペー
サ層、５ 、５’、 ５’−・・・・・アルミナ領域、
６・・・・・・アルミニウム領Ｌ ７・・・・・・誘電
体層、８・・・・・・上側導体、９・・・・・・誘電体
層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 所定のエッチ処理によってエッチされない第１誘電
   体層によって被覆された複数の平行な第１パネル導体を
   表面に有する絶縁基板を準備する工程と、前記第１パネ
   ル導体上に、非酸化状態では前記エッチ処理によってエ
   ッチされるが酸化状態ではエッチされない金属のスペー
   サ層を付着する工程と、前記スペーサ層の領域のうち、
   前記第１パネル導体と直交する方向で前記第１パネル導
   体と交差する位置におけるガス・セル形成予定位置を少
   なくとも含む第１領域を非酸化状態に保ち、前記第１パ
   ネル導体と直交する方向に沿った前記ガス・セル形成予
   定位置の間の所定部分を少なくとも含む第２領域を酸化
   状態にするように前記スペーサ層を選択的に酸化する工
   程と、前記スペーサ層上に前記エッチ処理によってエッ
   チされない第２誘電体層を付着する工程と、前記第２誘
   電体層上に、前記第１パネル導体と直交して前記ガス・
   セル形成予定位置を通り且つ前記第１領域を部分的にの
   み覆うように複数の平行な第２パネル導体を付着形成す
   る工程と、前記第２パネル導体上に前記エッチ処理によ
   ってエッチされない第３誘電体層を付着する工程と、前
   記第２パネル導体の間から前記第１領域の一部を露出さ
   せるように前記第２及び第３誘電体層を選択的に除去す
   る工程と、前記第１領域の露出された一部に前記エッチ
   処理を施して前記第１領域を除去する工程と、前記第１
   領域の除去された空所にガス放電媒体を保持するための
   カバー・プレートを取付ける工程とを含む、ガス・パネ
   ル装置の製造方法。