JPS59229816A - 化合物半導体の気相成長装置 - Google Patents
化合物半導体の気相成長装置Info
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- JPS59229816A JPS59229816A JP10426283A JP10426283A JPS59229816A JP S59229816 A JPS59229816 A JP S59229816A JP 10426283 A JP10426283 A JP 10426283A JP 10426283 A JP10426283 A JP 10426283A JP S59229816 A JPS59229816 A JP S59229816A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、化合物半導体の気相成長技術に係わシ、特に
複数の■−ｖ族化合物半導体層を積層形成するのに適し
た化合物半導体の気相成長装置に関する。
複数の■−ｖ族化合物半導体層を積層形成するのに適し
た化合物半導体の気相成長装置に関する。
近時、化合物半導体を用いた各種の新機能素子が研究開
発されておシ、その中の一例としてＩｎＧａＡａＰ Ｊ
元混合系を用いた半導体レーデがある。この半導体レー
ザを作製する場合、結晶基板としてＮ型ＩｎＰ基板を用
い、その上にＮ型ＩｎＰ層（クラッド層）、ＩｎＧａＡ
ｓＰ層（活性層）。
発されておシ、その中の一例としてＩｎＧａＡａＰ Ｊ
元混合系を用いた半導体レーデがある。この半導体レー
ザを作製する場合、結晶基板としてＮ型ＩｎＰ基板を用
い、その上にＮ型ＩｎＰ層（クラッド層）、ＩｎＧａＡ
ｓＰ層（活性層）。
Ｐ型ＩｎＰ層（クラ、ド層）及びＰ型ＩｎＧａＡｓＰ層
（オーミック層）等を成長させ、所謂ＤＨ（ダブルへテ
ロ）接合構造を形成するのは周知のことである。そして
、上記各成長層を形成するには、従来法のような装置が
用いられている。
（オーミック層）等を成長させ、所謂ＤＨ（ダブルへテ
ロ）接合構造を形成するのは周知のことである。そして
、上記各成長層を形成するには、従来法のような装置が
用いられている。
第１図はＨＣＡ ／ ＰＨ３／ ＡｓＨ３／ Ｇａ ／
Ｉｎ ／ Ｈ２系のＩｎＧａＡｓＰ ４元混晶気相成
長装置の概略構成を示す断面図である。図中１は炉加熱
体、２は石英製反応管であり、反応管２内には基板支持
具３が設置されている。基板支持具３の上面には凹状の
溝部３ａが設けられておシ、この溝部３ａ内にＩｎＰ基
板４が収納される。また、基板支持具３の上面には、操
作棒５に連結されたスライドカバー６が設置されている
。そして、スライドカバー６の移動によｐ、ＩｎＰ基板
４と反応管２内のガス流雰囲気とが接触或いは隔離され
るものとなっている。なお、図中矢印はガス流を示して
おシ、反応管２の左方がガス流上流側、右方がガス流下
流側である。
Ｉｎ ／ Ｈ２系のＩｎＧａＡｓＰ ４元混晶気相成
長装置の概略構成を示す断面図である。図中１は炉加熱
体、２は石英製反応管であり、反応管２内には基板支持
具３が設置されている。基板支持具３の上面には凹状の
溝部３ａが設けられておシ、この溝部３ａ内にＩｎＰ基
板４が収納される。また、基板支持具３の上面には、操
作棒５に連結されたスライドカバー６が設置されている
。そして、スライドカバー６の移動によｐ、ＩｎＰ基板
４と反応管２内のガス流雰囲気とが接触或いは隔離され
るものとなっている。なお、図中矢印はガス流を示して
おシ、反応管２の左方がガス流上流側、右方がガス流下
流側である。
上記構成の気相成長装置を用いた結晶成長は、以下のよ
うにして行われる。まず、基板支持具３の凹部にＩｎＰ
基板４を配置し、スライドカバー６をガス流下流側に引
き、ガス流雰囲気とＩｎＰ基板４とが接触する状態にす
る。次に、反応管２の昇温過程中、その内部温度がＩｎ
Ｐ基板４の熱劣化を起こす前に、ガス流上流側から既に
導入されているキャリア水素ガスにリン水素ガスを混入
させることによｊ）、ＩｎＰ基板４に所望のリン圧を印
加する。その後、ＩｎＰ基板４の周囲温度が結晶成長可
能な温度に達した時点で、スライドカバー６をガス流上
流側に移動し溝部３＆ｆ、覆う。これと同時に、ガス流
上流側から塩化インジウム、リン水素化合物等の気体状
原料を、キャリアガスである水素によシ基板支持具３の
設置されている結晶析出領域Ｐに運び、気体状原料及び
水素ガスが定常状態になるまで待つ。
うにして行われる。まず、基板支持具３の凹部にＩｎＰ
基板４を配置し、スライドカバー６をガス流下流側に引
き、ガス流雰囲気とＩｎＰ基板４とが接触する状態にす
る。次に、反応管２の昇温過程中、その内部温度がＩｎ
Ｐ基板４の熱劣化を起こす前に、ガス流上流側から既に
導入されているキャリア水素ガスにリン水素ガスを混入
させることによｊ）、ＩｎＰ基板４に所望のリン圧を印
加する。その後、ＩｎＰ基板４の周囲温度が結晶成長可
能な温度に達した時点で、スライドカバー６をガス流上
流側に移動し溝部３＆ｆ、覆う。これと同時に、ガス流
上流側から塩化インジウム、リン水素化合物等の気体状
原料を、キャリアガスである水素によシ基板支持具３の
設置されている結晶析出領域Ｐに運び、気体状原料及び
水素ガスが定常状態になるまで待つ。
気体状原料及び水素ガスが定常状態に達した−のみで気
相成長用気体原料を完全にパージする。
相成長用気体原料を完全にパージする。
かくして、１つの気相成長層を得たのちは、各各の結晶
の熱劣化防止に見合った種類のガスを反応管２内の結晶
析出領域に送シ込んで熱劣化防止対策を施し、各々の結
晶成長に必要な気相成長装置科を上記領域に送シ込み、
前記と同様の操作を施すことによ多、組成比若しくは種
類の異なる気相成長層が順次多層成長することになる。
の熱劣化防止に見合った種類のガスを反応管２内の結晶
析出領域に送シ込んで熱劣化防止対策を施し、各々の結
晶成長に必要な気相成長装置科を上記領域に送シ込み、
前記と同様の操作を施すことによ多、組成比若しくは種
類の異なる気相成長層が順次多層成長することになる。
しかしながら、この種の従来装置を用いる場合にあって
は、次の（１）、（２）のような問題があった。
は、次の（１）、（２）のような問題があった。
（１） 気相成長を施すとき、基板だけでなく結晶析
出領域の反応管内壁にも結晶の析出が生じ、熱劣化防止
用の水素化物がとの管壁析出を助長する。そして、この
管壁析出物７は気相成長層の組成や再現性等の不安定化
、成長速度の著し部のＨＣｌ量を増やして行うために、
ＨＣｌを定常量まで戻すのに長時間を要し作業性の低下
を招く。
出領域の反応管内壁にも結晶の析出が生じ、熱劣化防止
用の水素化物がとの管壁析出を助長する。そして、この
管壁析出物７は気相成長層の組成や再現性等の不安定化
、成長速度の著し部のＨＣｌ量を増やして行うために、
ＨＣｌを定常量まで戻すのに長時間を要し作業性の低下
を招く。
〔発明の目的）
本発明の目的は、管壁析出物による悪影響を防止し、異
なる化合物半導体結晶層を容易がつ再現性良く多層に気
相成長させることができ、さらに各成長層間の遷移領域
幅を極めて狭くし得る化合物半導体の気相成長装置を提
供することにある。
なる化合物半導体結晶層を容易がつ再現性良く多層に気
相成長させることができ、さらに各成長層間の遷移領域
幅を極めて狭くし得る化合物半導体の気相成長装置を提
供することにある。
本発明の骨子は、管壁析出物の存在領域によシガス流上
流側で気相成長を行い、ガスエツチング工程を省略して
も管壁析出物による悪影響を回避することにある。
流側で気相成長を行い、ガスエツチング工程を省略して
も管壁析出物による悪影響を回避することにある。
すなわち本発明は、反応管内に原料ガスを導１−１ミし
、■族金属の塩化物と■原ガスとを用いた１□：気相開
管法によシ半導体基板上に２種以上の、″ □ ・−゛・＝町−ｖ族化合物半導体層を成長させる化合物
半波側にその一端が配置され上記支持具近傍にＶ原ガス
を導入する■原ガス導入管等を１つの結晶層成長毎に反
応管内のガス流上流側に所定距離だけ一体的に移動せし
めると共に、この移動に同期して上記支持具近傍を一定
状態に加熱するようにしたものである。
、■族金属の塩化物と■原ガスとを用いた１□：気相開
管法によシ半導体基板上に２種以上の、″ □ ・−゛・＝町−ｖ族化合物半導体層を成長させる化合物
半波側にその一端が配置され上記支持具近傍にＶ原ガス
を導入する■原ガス導入管等を１つの結晶層成長毎に反
応管内のガス流上流側に所定距離だけ一体的に移動せし
めると共に、この移動に同期して上記支持具近傍を一定
状態に加熱するようにしたものである。
本発明によれば、炉加熱体、■族金属ソースポート、■
原ガス導入管及び基板支持具等を各各反応管内部ガス流
上流側へ移動できる構成としているので、気相成長工程
毎に生ずる管壁析出物のある領域よりも絶えずガス流上
流側（管壁析出物の無い領域）で新たな気相成長を施す
ことが可能となる。したがって、ガスエツチング工程を
省略しても管壁析出物の影響上受けないことになシ、そ
の結果として各成長層の組成）成長速度及び再現性の安
定化向上をはかシ得、また各成長層間に於ける遷移領域
幅を狭くすることができる。このため、半導体レーザの
製造等に適用して絶大なる効果を発揮する。
原ガス導入管及び基板支持具等を各各反応管内部ガス流
上流側へ移動できる構成としているので、気相成長工程
毎に生ずる管壁析出物のある領域よりも絶えずガス流上
流側（管壁析出物の無い領域）で新たな気相成長を施す
ことが可能となる。したがって、ガスエツチング工程を
省略しても管壁析出物の影響上受けないことになシ、そ
の結果として各成長層の組成）成長速度及び再現性の安
定化向上をはかシ得、また各成長層間に於ける遷移領域
幅を狭くすることができる。このため、半導体レーザの
製造等に適用して絶大なる効果を発揮する。
第２図（、）〜（ｃ）は本発明の一実施例に係わる気相
成長装置を説明するためのもので第２図（、）はその概
略構成を示す模式図、第２図（ｂ）は要部構成を示す断
面図、第２図（ｃ）は同図（ｂ）の矢視Ａ−Ａ断面図で
ある。なお、第１図と同一部分には同一符号を付して、
その詳しい説明は省略する。
成長装置を説明するためのもので第２図（、）はその概
略構成を示す模式図、第２図（ｂ）は要部構成を示す断
面図、第２図（ｃ）は同図（ｂ）の矢視Ａ−Ａ断面図で
ある。なお、第１図と同一部分には同一符号を付して、
その詳しい説明は省略する。
この実施例が第１図に示した従来装置と異なる点は、炉
加熱体、基板支持具、■族金属ソースが一ト及び■原ガ
ス導入管等を反応管の軸方向に対して平行移動できる構
成としたことにある、すなわち、反応管２の外側には移
動可能な炉加熱体１が配置され、反応管２内には基板支
持具３、■族金属ソースポードｅ、Ｖ原ガス導入管１１
及び■族金属ソースポート保護管１５が配置されている
。そして、これら支持具３、ソースが一ト８、導入管１
１及び保護管１５は連結棒１０に取着されておシ、連結
棒１０ｆ反応管２の外部から操作することによシ反応管
２の軸方向に平行移動するものとなっている。また、保
護管１５には、その内部に■族金属ソースポート８／が
配置されると共に、ＨＣ６／［２導入管１４′が連結さ
れている。ここで、ソースデート８内にはインジウムメ
タル９が充填され、ソースが一ト８／内にはガリウムメ
タル９′が充填されている。なお、図中１２は反応管導
入管、１３゜１３′は導入管１１ 、１４’を滑らかに
移動するためのシール、１４はＨＣ１／Ｈ２導入管、１
６は反応管導入管をそれぞれ示している。また、上記炉
加熱体１は連結棒１ｏの移動に伴い上記支持具３、ソー
スポード８，８′導入管Ｊ １ 、１４’及び保護管１
５と一体的に移動するものとなっている。
加熱体、基板支持具、■族金属ソースが一ト及び■原ガ
ス導入管等を反応管の軸方向に対して平行移動できる構
成としたことにある、すなわち、反応管２の外側には移
動可能な炉加熱体１が配置され、反応管２内には基板支
持具３、■族金属ソースポードｅ、Ｖ原ガス導入管１１
及び■族金属ソースポート保護管１５が配置されている
。そして、これら支持具３、ソースが一ト８、導入管１
１及び保護管１５は連結棒１０に取着されておシ、連結
棒１０ｆ反応管２の外部から操作することによシ反応管
２の軸方向に平行移動するものとなっている。また、保
護管１５には、その内部に■族金属ソースポート８／が
配置されると共に、ＨＣ６／［２導入管１４′が連結さ
れている。ここで、ソースデート８内にはインジウムメ
タル９が充填され、ソースが一ト８／内にはガリウムメ
タル９′が充填されている。なお、図中１２は反応管導
入管、１３゜１３′は導入管１１ 、１４’を滑らかに
移動するためのシール、１４はＨＣ１／Ｈ２導入管、１
６は反応管導入管をそれぞれ示している。また、上記炉
加熱体１は連結棒１ｏの移動に伴い上記支持具３、ソー
スポード８，８′導入管Ｊ １ 、１４’及び保護管１
５と一体的に移動するものとなっている。
次に、上記構成の本装置を用いた気相成長方法を、第３
図（、）〜（ｄ）を参照して説明する。なお、第３図（
、）〜（ｃ）は炉加熱体１及び基板支持具３等の位置を
示す模式図、同図（ｄ）は反応炉内温度プルファイルを
示す模式図である。また、ここではＩ ｎＰ／Ｉ ｎＧ
ａＡｓＰ／Ｉ ｎＰ基板の３層構造の例について説明す
る。
図（、）〜（ｄ）を参照して説明する。なお、第３図（
、）〜（ｃ）は炉加熱体１及び基板支持具３等の位置を
示す模式図、同図（ｄ）は反応炉内温度プルファイルを
示す模式図である。また、ここではＩ ｎＰ／Ｉ ｎＧ
ａＡｓＰ／Ｉ ｎＰ基板の３層構造の例について説明す
る。
まず、炉加熱体１を第３図（、）に示す如く温度プルフ
ァイルＡの位置に配置し、連結棒１０ｆ反応管２の外部
から操作して■族金属ソースポート８、基板支持具３及
び■原ガス導入管１１等を温度プルファイルＡの位置に
対応させる。
ァイルＡの位置に配置し、連結棒１０ｆ反応管２の外部
から操作して■族金属ソースポート８、基板支持具３及
び■原ガス導入管１１等を温度プルファイルＡの位置に
対応させる。
次いで、操作棒５の操作によシスライドカバー６を移動
し、ＩｎＰ基板４Ｑ・収納されている凹状溝部３ａを閉
の状態にしたところ、反応管２内の昇温を開始する。次
いで、反応管２内が温度プロファイルＡのような気相成
長可能な温度に達したら、ＨＣ１／Ｈ２導入管１４から
は昇温以前から流れているＨ２にＨｃｔｋ混入させてイ
ンジウムメタル９まで運び塩化インジウムを形成し、ま
た■原ガス導入管１１からは同じく昇温以前から流れて
いるＨ２にＰＨ３’（ｉ−混入させて、リンのガス状分
子を形成する。そして％ ＩｎＰ気相成長用原料ガスが
定常状態に達したら、前記スライドカバー６を移動し、
凹状溝部Ｊａｉ所望時間だけ開の状態にする。これによ
ｐ、ＩｎＰ基板４上には第４図（、）に示す如（、Ｉｎ
Ｐ気相成長層２１が成長形成される。なお、こ−のＩｎ
Ｐ気相成長層２１を形成する際にガリウムメタル９′が
収納されている■族金属ソースボート保護管１５内にＨ
２のみを流しておくことは勿論である。
し、ＩｎＰ基板４Ｑ・収納されている凹状溝部３ａを閉
の状態にしたところ、反応管２内の昇温を開始する。次
いで、反応管２内が温度プロファイルＡのような気相成
長可能な温度に達したら、ＨＣ１／Ｈ２導入管１４から
は昇温以前から流れているＨ２にＨｃｔｋ混入させてイ
ンジウムメタル９まで運び塩化インジウムを形成し、ま
た■原ガス導入管１１からは同じく昇温以前から流れて
いるＨ２にＰＨ３’（ｉ−混入させて、リンのガス状分
子を形成する。そして％ ＩｎＰ気相成長用原料ガスが
定常状態に達したら、前記スライドカバー６を移動し、
凹状溝部Ｊａｉ所望時間だけ開の状態にする。これによ
ｐ、ＩｎＰ基板４上には第４図（、）に示す如（、Ｉｎ
Ｐ気相成長層２１が成長形成される。なお、こ−のＩｎ
Ｐ気相成長層２１を形成する際にガリウムメタル９′が
収納されている■族金属ソースボート保護管１５内にＨ
２のみを流しておくことは勿論である。
ＩｎＰ気相成長層２１が所望膜厚形成されたら、直ちに
操作棒５の操作によりスライドカバー６を移動して凹状
溝部３ａｆ閉の状態にする。次いで、炉加熱体１を温度
プロファイルＢの位置丁；に配置し、連結棒１０の操作
によりｍ族金属ソ譜 ・、−スが−） ｓ 、 ｓ’ｆｌｌ族金属ソースケー
ト保護管１″Ｊ゛ ：□′″：、％ ｓ 、ａ板支持具３及び■族ガス導入
管１１等−も温度プロファイルＢの位置に対応さぜる。
操作棒５の操作によりスライドカバー６を移動して凹状
溝部３ａｆ閉の状態にする。次いで、炉加熱体１を温度
プロファイルＢの位置丁；に配置し、連結棒１０の操作
によりｍ族金属ソ譜 ・、−スが−） ｓ 、 ｓ’ｆｌｌ族金属ソースケー
ト保護管１″Ｊ゛ ：□′″：、％ ｓ 、ａ板支持具３及び■族ガス導入
管１１等−も温度プロファイルＢの位置に対応さぜる。
こような気相成長可能な温度になったらＨＣ１／Ｈ２導
入管１４′からもＨＣｌ ’ｉｉ−混入させてガリウム
メタル９′まで運び塩化ガリウムを形成し、またＶ原ガ
ス導入管１１にはＡｓＨ３を更に混入させて、砒素のガ
ス状分子を形成する。ＧａＩｎＡｓＰ気相成長用原料ガ
スが定常状態に達したら、前記ＩｎＰ気相成長工程と同
じく、凹状溝部を所望時間だけ開の状態にして、第４図
（ｂ）に示す如く該成長層２１上にＧａＩｎＡｓＰ層２
２を成長層成２る。このとき、ＩｎＰ基板４が管壁析出
物７ａよシもガス流上流側にあるため、ＧａＩｎＡｓＰ
層２２は管内層成２７ａの影響を受けない。
入管１４′からもＨＣｌ ’ｉｉ−混入させてガリウム
メタル９′まで運び塩化ガリウムを形成し、またＶ原ガ
ス導入管１１にはＡｓＨ３を更に混入させて、砒素のガ
ス状分子を形成する。ＧａＩｎＡｓＰ気相成長用原料ガ
スが定常状態に達したら、前記ＩｎＰ気相成長工程と同
じく、凹状溝部を所望時間だけ開の状態にして、第４図
（ｂ）に示す如く該成長層２１上にＧａＩｎＡｓＰ層２
２を成長層成２る。このとき、ＩｎＰ基板４が管壁析出
物７ａよシもガス流上流側にあるため、ＧａＩｎＡｓＰ
層２２は管内層成２７ａの影響を受けない。
ＧａＩｎＡａＰ気相成長層２２が所望膜厚形成されたら
、直ちに凹状溝部３ａを閉の状態にする。
、直ちに凹状溝部３ａを閉の状態にする。
同時Ｋ ＨＣｌ−／ＩＩ２導入管１４／のｎｃｚと■原
ガス導入管１１のＡｓＨ３とを停止する。次いで、炉加
熱体、Ｊを温度プロファイルＣの位置に配置し、先の′
ブ如（ＧａＩｎＡｓＰ層２２上にＩｎＰ気相成長層２３
気ｉ成長形成されることになる。なお、第３図（Ｃ）類
の異なる層を、所望の配列で多層成長することができる
。しかも、炉加熱体１と■族金属ソースｙＷ−ト８．８
’基板支持具３、ｖ原ガス導入管１１等を各成長毎に管
壁析出物領域よシも反応管２内のガス流上流側へ移動す
ることで、管壁析出物７ｍ 、７ｂの影響を受けない気
相成長が可能となシ、気相成長層の再現性及び安定性の
向上、更には成長速度の安定化をはがシ得る効果が生ず
る。さらに、従来装置に比してガス・エツチング工程を
省略できるため、作業時間を大幅に短縮することができ
、経済性及び作業性の向上をはかシ得る。
ガス導入管１１のＡｓＨ３とを停止する。次いで、炉加
熱体、Ｊを温度プロファイルＣの位置に配置し、先の′
ブ如（ＧａＩｎＡｓＰ層２２上にＩｎＰ気相成長層２３
気ｉ成長形成されることになる。なお、第３図（Ｃ）類
の異なる層を、所望の配列で多層成長することができる
。しかも、炉加熱体１と■族金属ソースｙＷ−ト８．８
’基板支持具３、ｖ原ガス導入管１１等を各成長毎に管
壁析出物領域よシも反応管２内のガス流上流側へ移動す
ることで、管壁析出物７ｍ 、７ｂの影響を受けない気
相成長が可能となシ、気相成長層の再現性及び安定性の
向上、更には成長速度の安定化をはがシ得る効果が生ず
る。さらに、従来装置に比してガス・エツチング工程を
省略できるため、作業時間を大幅に短縮することができ
、経済性及び作業性の向上をはかシ得る。
また、上述した効果を確認するため、本発明者等は実施
例装置を用いＩｎＰ基板４上にＩｎＰ気相成長層２１を
約５．０〔μｍ〕、その上にＧａＩｎＡｓＰ気相成長層
２２を約０，２〔μｍ、Ｌ最終層としてＩｎＰ気相成長
層２３ｔ−約２．０〔μｍ〕成長形成するの数社３層に
限るものではなく、適宜変更可能である。そして、所望
する成長層の数に応じて、反応管長等を適宜定めればよ
い。また、ｌａｐ基板の代わシにＧａＡｓ基板を用いて
もよ〈１このＧａＡｓ基板上にＧ１Ａｇ層やＧａＡｔＡ
＋ｓ層等を気相成長させることもできる。炉加熱体は必
ずしも移動させる必要はなく、操作棒の移動に応じて前
記第３図（ｄ）に示す如く反応管内温度プロファイルを
可変できるものであればよい。その他、本発明の要旨を
逸脱し寿いで、種々変形して実施することができる。
例装置を用いＩｎＰ基板４上にＩｎＰ気相成長層２１を
約５．０〔μｍ〕、その上にＧａＩｎＡｓＰ気相成長層
２２を約０，２〔μｍ、Ｌ最終層としてＩｎＰ気相成長
層２３ｔ−約２．０〔μｍ〕成長形成するの数社３層に
限るものではなく、適宜変更可能である。そして、所望
する成長層の数に応じて、反応管長等を適宜定めればよ
い。また、ｌａｐ基板の代わシにＧａＡｓ基板を用いて
もよ〈１このＧａＡｓ基板上にＧ１Ａｇ層やＧａＡｔＡ
＋ｓ層等を気相成長させることもできる。炉加熱体は必
ずしも移動させる必要はなく、操作棒の移動に応じて前
記第３図（ｄ）に示す如く反応管内温度プロファイルを
可変できるものであればよい。その他、本発明の要旨を
逸脱し寿いで、種々変形して実施することができる。
第１図は従来の気相成長装置の概略構成を示す断面図、
第２図（１ｋ）〜（ｃ）は本発明の一実施例の構成を説
明するだめのもので、第２図（、）はその概略構成を示
す模式図、第２図（ｂ）はその要部構１・・・炉加熱体
、２・・・反応管、３ａ・・・凹状溝部、３・・・基板
支持具、４・・・ＩｎＰ基板、５・・・操作棒、６・・
・スライドカバー、７，７＊、７ｂ・・・管壁析出物、
８，８′・・・■族金属ソース＆−）、９・・・インジ
ウム、９′・・・ガリウム、１０・・・連結棒、１ノ・
・・■原ガス導入管、１２・・・反応管導入管、１３゜
１３′・・・シール、１４ 、１４’・・・ＨＣ４／′
Ｆ（２導入管、１５・・・■族金属ソースが一ト保護管
、１６・・・反応管導入管、２１・・・ＩｎＰ気相成長
層、２２・・・ＧａＩｎＡＩＩＰ気相成長層、２３・・
・ＩｎＰ気相成長層。
第２図（１ｋ）〜（ｃ）は本発明の一実施例の構成を説
明するだめのもので、第２図（、）はその概略構成を示
す模式図、第２図（ｂ）はその要部構１・・・炉加熱体
、２・・・反応管、３ａ・・・凹状溝部、３・・・基板
支持具、４・・・ＩｎＰ基板、５・・・操作棒、６・・
・スライドカバー、７，７＊、７ｂ・・・管壁析出物、
８，８′・・・■族金属ソース＆−）、９・・・インジ
ウム、９′・・・ガリウム、１０・・・連結棒、１ノ・
・・■原ガス導入管、１２・・・反応管導入管、１３゜
１３′・・・シール、１４ 、１４’・・・ＨＣ４／′
Ｆ（２導入管、１５・・・■族金属ソースが一ト保護管
、１６・・・反応管導入管、２１・・・ＩｎＰ気相成長
層、２２・・・ＧａＩｎＡＩＩＰ気相成長層、２３・・
・ＩｎＰ気相成長層。
Claims (3)
- （１）反応管内に原料ガスを導入し、■族金属の塩化物
と■族ガスと音用いた気相開管法によシ半導体基板上に
２種以上の■−ｖ族化合物半導体層を成長させる化合物
半導体の気相成長装置において、前記反応管内に配置さ
れ前記基板を支持する基板支持具と、この支持具近傍で
かつ上記反応管内のガス流上流側に配置された複数の■
族金属ソースカートと、上記支持具近傍でかつガス流上
流側にその一端が配置され上記支持具近傍にＶ族ガスを
導入する■族ガス導入管と、上記支持具、ポート及び導
入管を１つの結晶層成長毎に前記反応管内のガス流上流
側に所定距離だけ一体的に移動せしめる手段と、前記反
応管内の所定領域を加熱しかつ上記移動と共にその加熱
領域を可変して前記支持具近傍を一定状態に加熱する加
熱手段とを具備してなることｔ′特徴とする化合物半導
体の気相成長装置。 - （２）前記加熱手段は前記反応管外に配置された炉加熱
体からな〕、この炉加熱体社前記支持具箋が一ト及び導
入管と一体的に移動されるものであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の化合物半導体の気相成長装
置。 - （３） 前記支持具、−一ト及び導入管は、同一の連
結棒に一体的に連結されたものであること１！−特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の化合物半導体の気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10426283A JPS59229816A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 化合物半導体の気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10426283A JPS59229816A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 化合物半導体の気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59229816A true JPS59229816A (ja) | 1984-12-24 |
Family
ID=14376010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10426283A Pending JPS59229816A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 化合物半導体の気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59229816A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7279047B2 (en) * | 2001-07-06 | 2007-10-09 | Technologies And Devices, International, Inc. | Reactor for extended duration growth of gallium containing single crystals |
| US7501023B2 (en) | 2001-07-06 | 2009-03-10 | Technologies And Devices, International, Inc. | Method and apparatus for fabricating crack-free Group III nitride semiconductor materials |
| US7670435B2 (en) | 2001-03-30 | 2010-03-02 | Technologies And Devices International, Inc. | Apparatus for epitaxially growing semiconductor device structures with sharp layer interfaces utilizing HVPE |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5788095A (en) * | 1980-11-20 | 1982-06-01 | Fujitsu Ltd | Vapor phase growing method |
| JPS57123895A (en) * | 1981-01-22 | 1982-08-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Vapor-phase epitaxial growing apparatus |
-
1983
- 1983-06-13 JP JP10426283A patent/JPS59229816A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5788095A (en) * | 1980-11-20 | 1982-06-01 | Fujitsu Ltd | Vapor phase growing method |
| JPS57123895A (en) * | 1981-01-22 | 1982-08-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Vapor-phase epitaxial growing apparatus |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7670435B2 (en) | 2001-03-30 | 2010-03-02 | Technologies And Devices International, Inc. | Apparatus for epitaxially growing semiconductor device structures with sharp layer interfaces utilizing HVPE |
| US7279047B2 (en) * | 2001-07-06 | 2007-10-09 | Technologies And Devices, International, Inc. | Reactor for extended duration growth of gallium containing single crystals |
| US7501023B2 (en) | 2001-07-06 | 2009-03-10 | Technologies And Devices, International, Inc. | Method and apparatus for fabricating crack-free Group III nitride semiconductor materials |
| US7611586B2 (en) * | 2001-07-06 | 2009-11-03 | Technologies And Devices International, Inc. | Reactor for extended duration growth of gallium containing single crystals |
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