JPS59217622A - α線放射量の低い三酸化アンチモンの製造法 - Google Patents
α線放射量の低い三酸化アンチモンの製造法Info
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- JPS59217622A JPS59217622A JP58089960A JP8996083A JPS59217622A JP S59217622 A JPS59217622 A JP S59217622A JP 58089960 A JP58089960 A JP 58089960A JP 8996083 A JP8996083 A JP 8996083A JP S59217622 A JPS59217622 A JP S59217622A
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- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G49/00—Compounds of iron
- C01G49/02—Oxides; Hydroxides
- C01G49/06—Ferric oxide [Fe2O3]
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/556—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves against alpha rays
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- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はα線放射量の低い三酸化アンチモンの製造法に
関する。
関する。
近年集積回路の小型化に伴い、集積回路の封止材から放
射されるα線に基(集積回路の誤動作が大きな問題とな
ってきている。
射されるα線に基(集積回路の誤動作が大きな問題とな
ってきている。
集積回路の対土方法としては、金属によるもの、セラミ
ックによるもの、エポキシ樹脂を主とするプラスチック
によるもの等があるが、最近の集積度の高い回路では、
コストの点からプラスチックによる封止が主流である。
ックによるもの、エポキシ樹脂を主とするプラスチック
によるもの等があるが、最近の集積度の高い回路では、
コストの点からプラスチックによる封止が主流である。
プラスチックを集積回路の封正に用いる場合、これを難
燃性化する必要があり、この目的のために三酸化アンチ
モンが難燃助剤として用いられている。この化学用三酸
化アンチモンは、通常約0、1〜0.5カウント/CI
n2、Hr (以下C/Li2、Hrと略す)のα線放
射量を有するが、これを高集積度の回路用として使用す
る場合少(とも0.IC/cIn2、Hγ以下のα線放
射量のものが求められており、今後はますますより低い
放射量のものが要求される方向になってきている。
燃性化する必要があり、この目的のために三酸化アンチ
モンが難燃助剤として用いられている。この化学用三酸
化アンチモンは、通常約0、1〜0.5カウント/CI
n2、Hr (以下C/Li2、Hrと略す)のα線放
射量を有するが、これを高集積度の回路用として使用す
る場合少(とも0.IC/cIn2、Hγ以下のα線放
射量のものが求められており、今後はますますより低い
放射量のものが要求される方向になってきている。
従来このプラスチックの難燃助剤用三酸化アンチモンは
、硫化アンチモン鉱石を900〜1oooCの温度で溶
解酸化して得たものが使用されていたが、この方法で製
造されたものは、原料鉱石中に微量含まれているウラン
、トリウムなど、α崩壊をする元素を充分に分離除去す
ることができな〜・ため、これが三酸化アンチモンのα
線放射の原因物質となっていた。
、硫化アンチモン鉱石を900〜1oooCの温度で溶
解酸化して得たものが使用されていたが、この方法で製
造されたものは、原料鉱石中に微量含まれているウラン
、トリウムなど、α崩壊をする元素を充分に分離除去す
ることができな〜・ため、これが三酸化アンチモンのα
線放射の原因物質となっていた。
本発明の目的は、前述のα線放射量約0.1〜0.5G
/crX、Hγの三酸化アンチモンを原料として、極力
α線放射量値の低い三酸化アンチモンの製造方法を提供
することにある。
/crX、Hγの三酸化アンチモンを原料として、極力
α線放射量値の低い三酸化アンチモンの製造方法を提供
することにある。
この目的を達成するため本発明者等は鋭意検討の結果、
α線放射量0.1 G/cm? Hγ以上の三酸化アン
チモンを、過剰の濃塩酸により溶解したのち、水を加え
て加水分解するか、又は過剰の濃塩酸で溶解した水溶液
を蒸留精製したのち、これに水を加えて加水分解すると
α線放射量が0.0107cm2、Hγ;以下の三酸化
アンチモンが得られることを見出し本発明に到達したも
のである。
α線放射量0.1 G/cm? Hγ以上の三酸化アン
チモンを、過剰の濃塩酸により溶解したのち、水を加え
て加水分解するか、又は過剰の濃塩酸で溶解した水溶液
を蒸留精製したのち、これに水を加えて加水分解すると
α線放射量が0.0107cm2、Hγ;以下の三酸化
アンチモンが得られることを見出し本発明に到達したも
のである。
すなわち本発明の方法は、α線放射量を有する二酸化ア
ンチモンに濃塩酸を当量以上好ましくは原料600〜4
00gに対し濃塩酸(65重量係)11程度使用し、少
(とも塩酸で処理後の水溶液中の塩酸は100g/11
以上あるように、計算された量の塩酸を添加し例えばプ
ロペラ式の攪拌機で攪拌してアンチモンを溶解、不溶解
残渣は傾斜法等によって水溶液を別の容器に移して分離
する。この不溶解残渣には充分な量の水を添加して残留
しているアンチモン等を加水分解物としたのちP別し、
P液は例えば石灰で中和して廃水工程へ、加水分解物は
炉に装入して別途に回収する。
ンチモンに濃塩酸を当量以上好ましくは原料600〜4
00gに対し濃塩酸(65重量係)11程度使用し、少
(とも塩酸で処理後の水溶液中の塩酸は100g/11
以上あるように、計算された量の塩酸を添加し例えばプ
ロペラ式の攪拌機で攪拌してアンチモンを溶解、不溶解
残渣は傾斜法等によって水溶液を別の容器に移して分離
する。この不溶解残渣には充分な量の水を添加して残留
しているアンチモン等を加水分解物としたのちP別し、
P液は例えば石灰で中和して廃水工程へ、加水分解物は
炉に装入して別途に回収する。
このようにして得られた塩化アンチモン水溶液は、その
9まま又は蒸留精製したのち、容量で10倍以上、好ま
しくは15倍以上、蒸留精製法による場合は重量で20
倍以上の水好ま(7くは25〜ろ0倍の温水を添加して
、60C以上好ましくは90C以上で1時間程度攪拌し
、生成した沈殿を濾過分離する。この沈殿には、重量で
10倍以上の水を加えて60C以上で攪拌する所謂IJ
/ξルプ洗浄を、好ましくは2回程度行ってから沈殿
な分離し60〜80Cで真空乾燥又は1ooc程度で乾
燥して製品とするというものである。
9まま又は蒸留精製したのち、容量で10倍以上、好ま
しくは15倍以上、蒸留精製法による場合は重量で20
倍以上の水好ま(7くは25〜ろ0倍の温水を添加して
、60C以上好ましくは90C以上で1時間程度攪拌し
、生成した沈殿を濾過分離する。この沈殿には、重量で
10倍以上の水を加えて60C以上で攪拌する所謂IJ
/ξルプ洗浄を、好ましくは2回程度行ってから沈殿
な分離し60〜80Cで真空乾燥又は1ooc程度で乾
燥して製品とするというものである。
上記塩化アンチモン水溶液の蒸留は、初めは100〜1
10Cで水及び塩酸を留出させ、それが終ったら温度を
200〜230Cに急上昇させ上記塩酸とは別の容器(
塩化アンチモン溶液が凝固しないように保温しておく)
に留出物を受ける。蒸留が終、ltば留出物に必要によ
り少量の水を添加して塩化アンチモン水溶液として取り
出す。
10Cで水及び塩酸を留出させ、それが終ったら温度を
200〜230Cに急上昇させ上記塩酸とは別の容器(
塩化アンチモン溶液が凝固しないように保温しておく)
に留出物を受ける。蒸留が終、ltば留出物に必要によ
り少量の水を添加して塩化アンチモン水溶液として取り
出す。
塩酸で溶解した水溶液又はそれを蒸留し2て得られた水
溶液に大量の水好ましくは温水を加え60C以上好まし
くは90C以上で撹拌する理由は、過剰に入っている塩
酸を巻きこまずに塩化アンチモンの加水分解反応を起さ
せ不純物の少い三酸化アンチモンを生成させるためであ
る。
溶液に大量の水好ましくは温水を加え60C以上好まし
くは90C以上で撹拌する理由は、過剰に入っている塩
酸を巻きこまずに塩化アンチモンの加水分解反応を起さ
せ不純物の少い三酸化アンチモンを生成させるためであ
る。
上記の反応を行う前に−H塩化アンチモンの水溶液を蒸
留することが好ましいがその理由は主として少量含有さ
れる不純物の殆んどを除去するためである。ここで副成
される、塩酸を含有する水溶液は希塩酸として、あるい
はこれを濃縮して本発明法の塩酸として再使用すること
ができる。
留することが好ましいがその理由は主として少量含有さ
れる不純物の殆んどを除去するためである。ここで副成
される、塩酸を含有する水溶液は希塩酸として、あるい
はこれを濃縮して本発明法の塩酸として再使用すること
ができる。
次に第一工程で得られた沈殿を、その重量の10倍以上
の水を加え60C以上で2回程度1.1 /ξルプ洗浄
するのは、該沈殿に付随している塩酸等を充分に分離除
去するためである。
の水を加え60C以上で2回程度1.1 /ξルプ洗浄
するのは、該沈殿に付随している塩酸等を充分に分離除
去するためである。
上記の沈殿を含むパルプは、通常のフィルタープレスま
たは真空1過器で濾過するとケーキ状のものが得られる
が、これは100C好ましくは60〜80Uで真空乾燥
することにより、水分を含まない平均粒径(F、S、S
)6〜5μの比較的粗粒子で、α線放射量が0.010
7cm2. Hγ以下のものが得られる。特に第一工程
において塩化アンチモン溶液の蒸留を行って製造される
ものは、α線放射量がさらに低下するだけでなく、砒素
、鉛、溶質塩素等の不純物は1PPM以下エチレングリ
コール溶解%清はtγ、水浸液伝導度20μシーメンス
/cTL以下と優れた製品を確実に得ることができる。
たは真空1過器で濾過するとケーキ状のものが得られる
が、これは100C好ましくは60〜80Uで真空乾燥
することにより、水分を含まない平均粒径(F、S、S
)6〜5μの比較的粗粒子で、α線放射量が0.010
7cm2. Hγ以下のものが得られる。特に第一工程
において塩化アンチモン溶液の蒸留を行って製造される
ものは、α線放射量がさらに低下するだけでなく、砒素
、鉛、溶質塩素等の不純物は1PPM以下エチレングリ
コール溶解%清はtγ、水浸液伝導度20μシーメンス
/cTL以下と優れた製品を確実に得ることができる。
以上説明したように、本発明の方法によれば従来製品の
α線放射量を10分の1以下とし色調も良く平均粒径も
粗℃・ものが効率よ(得られるが、原料としては、三酸
化アンチモンのほかにsh。
α線放射量を10分の1以下とし色調も良く平均粒径も
粗℃・ものが効率よ(得られるが、原料としては、三酸
化アンチモンのほかにsh。
241
S/+205.Sb金属等をいずれも濃塩酸または塩素
ガスを吹きこみながら溶解して塩化アンチモン溶液とし
、以下本発明法に従って性状の良い三酸化アンチモンを
製造することが可能であるが、これらはコストの面又は
操作が煩雑となるなどの面から好ましくない。
ガスを吹きこみながら溶解して塩化アンチモン溶液とし
、以下本発明法に従って性状の良い三酸化アンチモンを
製造することが可能であるが、これらはコストの面又は
操作が煩雑となるなどの面から好ましくない。
以下実施例について説明する。
実施例 1
品位が996重量係でα線放射量0.350A7n2.
I(rの三酸化アンチモン2kgを61の反応容器に入
れ、これに35重量係の特級濃塩酸5.57を加え、常
温にてスターラーで6D分間攪拌して溶解し、これを不
溶解残虐が入らないようにグラスフィルターでiF!し
6.1611の塩化アンチモン水溶液を得ブこ。
I(rの三酸化アンチモン2kgを61の反応容器に入
れ、これに35重量係の特級濃塩酸5.57を加え、常
温にてスターラーで6D分間攪拌して溶解し、これを不
溶解残虐が入らないようにグラスフィルターでiF!し
6.1611の塩化アンチモン水溶液を得ブこ。
上記のP液ろ7omAを51のビーカーに採取しこれに
蒸留水51を入れプロペラ式の攪拌機で攪拌しながらヒ
ーター上で加温し95〜98iCに保持して1時間処理
したのち、室温まで放冷し定量1紙を用いて真空濾過し
た。得られたケーキは元の51ビーカーに戻して再び蒸
留水51を加え前記の攪拌機で攪拌しながら95〜98
UK30分間保持したのち真空濾過するリパルプ洗浄を
2回繰り返し、得られたケーキは70Cで24時間真空
乾燥したところ、三酸化アンチモン110.1gが得ら
れた。この三酸化アンチモンのα線放射量はシンチレー
ションカウンター値で0.008 C/Cm2.I(r
であり、ここでの実収率は92.0%、平均粒径は6.
75μ(F、S、S)であった。
蒸留水51を入れプロペラ式の攪拌機で攪拌しながらヒ
ーター上で加温し95〜98iCに保持して1時間処理
したのち、室温まで放冷し定量1紙を用いて真空濾過し
た。得られたケーキは元の51ビーカーに戻して再び蒸
留水51を加え前記の攪拌機で攪拌しながら95〜98
UK30分間保持したのち真空濾過するリパルプ洗浄を
2回繰り返し、得られたケーキは70Cで24時間真空
乾燥したところ、三酸化アンチモン110.1gが得ら
れた。この三酸化アンチモンのα線放射量はシンチレー
ションカウンター値で0.008 C/Cm2.I(r
であり、ここでの実収率は92.0%、平均粒径は6.
75μ(F、S、S)であった。
実施例 2
実施例1で得られた塩化アンチモン水溶液6.081を
51のコンデンサー付蒸留フラスコに入れ、700ワツ
トのマントルヒーターで温度を調整しながら加熱蒸留を
行った。
51のコンデンサー付蒸留フラスコに入れ、700ワツ
トのマントルヒーターで温度を調整しながら加熱蒸留を
行った。
蒸留開始後気相温度105〜110Cで2時間10分経
過すると温度が急速に上昇し始める。気相温度が165
Cに達した時からの留出物は容器を取り替え、以後の留
出物は塩化アンチモンとして捕集した。気相温度はその
後210Cまで上昇し以後は210〜212cで1時間
60分間蒸留し蒸留フラスコを蒸発乾固させた。
過すると温度が急速に上昇し始める。気相温度が165
Cに達した時からの留出物は容器を取り替え、以後の留
出物は塩化アンチモンとして捕集した。気相温度はその
後210Cまで上昇し以後は210〜212cで1時間
60分間蒸留し蒸留フラスコを蒸発乾固させた。
この間低温度での蒸留中は蒸留物を水冷して塩酸と水を
回収し、高温度での蒸留中は水冷を止め逆に留出径路を
75〜80Cに保′り留出物が凝固しないようにした。
回収し、高温度での蒸留中は水冷を止め逆に留出径路を
75〜80Cに保′り留出物が凝固しないようにした。
蒸留の操作が終了したら高温での留出物は放冷して秤量
したところ1.47 kgであった。次に留出物は温浴
にて溶融して別容器に移し、これを200y、51のビ
ーカーに採取し7、これ1(蒸留水51を入れ以下実施
例1と同様に処理したところ、乾燥状態の三酸化アンチ
モン122.4 gを得た。この三酸化アンチモンの品
位を測定したところ、α線放射量は0.005 G/a
n2.Hr 、 A、r、Pb、溶質Ce2、は何れも
I PP77+、以下、平均粒径は4.6μであった。
したところ1.47 kgであった。次に留出物は温浴
にて溶融して別容器に移し、これを200y、51のビ
ーカーに採取し7、これ1(蒸留水51を入れ以下実施
例1と同様に処理したところ、乾燥状態の三酸化アンチ
モン122.4 gを得た。この三酸化アンチモンの品
位を測定したところ、α線放射量は0.005 G/a
n2.Hr 、 A、r、Pb、溶質Ce2、は何れも
I PP77+、以下、平均粒径は4.6μであった。
尚、三酸化アンチモンの実収率は90.0%であったが
、第一工程における不溶解列i’ff ”Iに随伴され
るものは別途に回収されるので、綜合実収率はほぼ10
0%となる。
、第一工程における不溶解列i’ff ”Iに随伴され
るものは別途に回収されるので、綜合実収率はほぼ10
0%となる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 l)α線放射物質を含有する三酸化アンチモンに、当量
以上の濃塩酸を添加して撹拌し、不溶解残渣を分離した
塩化アンチモンの水溶液、又は該水溶液を165C以上
の温度で蒸留し得られた留出物に、容量で10倍以上の
水を加えて6DC以上の温度で撹拌し、生成した沈殿物
をP別する第一工程と、第一工程で得られた沈殿物を重
歇で10倍以上の6DCの温水で洗浄したのち乾燥する
第二工程より成ることを特徴とするα線放射量の低い三
酸化アンチモノの製造法。 2)濃塩酸の添加量は、酸化アンチモンを溶解後の遊離
塩酸濃度が100g/7i+以上となる量とすることを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のα線放射量の
低い三酸化アンチモンの製造法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58089960A JPS59217622A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | α線放射量の低い三酸化アンチモンの製造法 |
US06/612,256 US4532112A (en) | 1983-05-24 | 1984-05-21 | Process for producing antimony trioxide having a low alpha-ray strength |
GB08413095A GB2142615B (en) | 1983-05-24 | 1984-05-22 | Process for producing antimony trioxide having a low alpha-ray strength |
CA000454937A CA1205976A (en) | 1983-05-24 | 1984-05-23 | Process for producing antimony trioxide having a low alpha-ray strength |
DE19843419444 DE3419444A1 (de) | 1983-05-24 | 1984-05-24 | Verfahren zur herstellung von antimontrioxid mit geringem (alpha)-strahlengehalt |
FR848408128A FR2546500B1 (fr) | 1983-05-24 | 1984-05-24 | Procede de production de trioxyde d'antimoine ayant une faible intensite d'emission de rayons alpha |
BE0/212994A BE899736A (fr) | 1983-05-24 | 1984-05-24 | Procede de production de trioxyde d'antimoine ayant une basse intensite de rayons alpha. |
KR1019840002855A KR870001599B1 (ko) | 1983-05-24 | 1984-05-24 | 낮은 α-선 방사량을 가진 삼산화 안티몬을 제조하는 공정 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58089960A JPS59217622A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | α線放射量の低い三酸化アンチモンの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59217622A true JPS59217622A (ja) | 1984-12-07 |
JPS6221730B2 JPS6221730B2 (ja) | 1987-05-14 |
Family
ID=13985253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58089960A Granted JPS59217622A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | α線放射量の低い三酸化アンチモンの製造法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4532112A (ja) |
JP (1) | JPS59217622A (ja) |
KR (1) | KR870001599B1 (ja) |
BE (1) | BE899736A (ja) |
CA (1) | CA1205976A (ja) |
DE (1) | DE3419444A1 (ja) |
FR (1) | FR2546500B1 (ja) |
GB (1) | GB2142615B (ja) |
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US5783166A (en) * | 1996-09-12 | 1998-07-21 | Roycefield Resources Ltd. | Process for producing antimony trioxide |
JP4912305B2 (ja) * | 2004-05-20 | 2012-04-11 | アルベマール・コーポレーシヨン | ペレット化された臭素化アニオン型スチレン系ポリマーの製造と使用 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56116647A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Hitachi Ltd | Manufacturing of silica-alumina type filler for semiconductor memory element covering resin |
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US3917793A (en) * | 1973-03-02 | 1975-11-04 | Occidental Petroleum Corp | Process for the production of senarmontite by controlled hydrolysis of antimony trichloride |
FR2488588A1 (fr) * | 1980-08-12 | 1982-02-19 | Rech Geolog Miniere | Procede d'obtention de valentinite photostable et valentinite obtenue |
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1983
- 1983-05-24 JP JP58089960A patent/JPS59217622A/ja active Granted
-
1984
- 1984-05-21 US US06/612,256 patent/US4532112A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-05-22 GB GB08413095A patent/GB2142615B/en not_active Expired
- 1984-05-23 CA CA000454937A patent/CA1205976A/en not_active Expired
- 1984-05-24 FR FR848408128A patent/FR2546500B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1984-05-24 KR KR1019840002855A patent/KR870001599B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-05-24 DE DE19843419444 patent/DE3419444A1/de active Granted
- 1984-05-24 BE BE0/212994A patent/BE899736A/fr not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56116647A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Hitachi Ltd | Manufacturing of silica-alumina type filler for semiconductor memory element covering resin |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2546500A1 (fr) | 1984-11-30 |
DE3419444A1 (de) | 1984-11-29 |
GB2142615A (en) | 1985-01-23 |
US4532112A (en) | 1985-07-30 |
CA1205976A (en) | 1986-06-17 |
FR2546500B1 (fr) | 1990-04-13 |
KR840009056A (ko) | 1984-12-24 |
JPS6221730B2 (ja) | 1987-05-14 |
KR870001599B1 (ko) | 1987-09-10 |
GB8413095D0 (en) | 1984-06-27 |
DE3419444C2 (ja) | 1990-01-25 |
BE899736A (fr) | 1984-09-17 |
GB2142615B (en) | 1986-12-17 |
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