JPS59200504A - 逓倍器 - Google Patents
逓倍器Info
- Publication number
- JPS59200504A JPS59200504A JP58073205A JP7320583A JPS59200504A JP S59200504 A JPS59200504 A JP S59200504A JP 58073205 A JP58073205 A JP 58073205A JP 7320583 A JP7320583 A JP 7320583A JP S59200504 A JPS59200504 A JP S59200504A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wave signal
- fet
- signal
- multiplier
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/06—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
- H03B19/14—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0092—Measures to linearise or reduce distortion of oscillator characteristics
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は、２ＧＨｚ〜５０ＧＨｚの所謂超高周波帯域で
使用される、電界効果トランジスタ（ＦｉｅｌｄＥｆｆ
ｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下ＦＥＴと称す）を
用いた逓倍器に関する。
使用される、電界効果トランジスタ（ＦｉｅｌｄＥｆｆ
ｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下ＦＥＴと称す）を
用いた逓倍器に関する。
（２）従来技術と問題点
従来の逓倍器としては、ステップ・リカバリー・ダイオ
ード、又は可変容量ダイオードを使用したものが知られ
る。
ード、又は可変容量ダイオードを使用したものが知られ
る。
しかし乍ら、斯かるダイオードを使用した逓倍器には、
以下に掲げる問題点がある。
以下に掲げる問題点がある。
■必然的に損失をとも々う。
■広帯域で動作させるためには繁雑な調整工程を要し、
製品のコストダウンが難かしい。
製品のコストダウンが難かしい。
■安定動作を継続することが難かしい。
■回路の信頼性が低い。
■入／出力部のアイソレーションがとれない。
（３）発明の゛目的
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み為されたもので
あって、高効率、高安定、広帯域に動作可能な低コスト
の逓倍器を提供することを目的とする。
あって、高効率、高安定、広帯域に動作可能な低コスト
の逓倍器を提供することを目的とする。
（４）発明の構成
上記発明の目的を達成するために本発明では、ソース接
地型ＦＥＴに基本波信号（波長：２ｇ）を入力し、該基
本波信号の逓倍波信号を取り出す逓倍器に於いて、該Ｆ
ＥＴの出力端から実質的に０．１〜０．３λＩだけ位相
のずれた位置に上記基本波信号の反射回路を設け、該反
射回路の後段に設けられた所定逓倍波信号の整合回路を
介し出力を得るようにしたことを特徴とする逓倍器を提
供する。
地型ＦＥＴに基本波信号（波長：２ｇ）を入力し、該基
本波信号の逓倍波信号を取り出す逓倍器に於いて、該Ｆ
ＥＴの出力端から実質的に０．１〜０．３λＩだけ位相
のずれた位置に上記基本波信号の反射回路を設け、該反
射回路の後段に設けられた所定逓倍波信号の整合回路を
介し出力を得るようにしたことを特徴とする逓倍器を提
供する。
（５）発明の実施例
上述の如く、本発明ではＦＥＴを使用して、入力される
基本波信号の逓倍動作を行うものであり、ＦＥＴ （特
に超高周波帯域での動作が可能なＧａＡｓＦＥＴ）のゲ
ートソース間５−Ｆｔｃ１１８１相互コンダクタンスＥ
１ｍ、ドレイン−ソース間容量Ｃｄｓ 、ドレイン−ゲ
ート間合１ｃｄｓ、ドレイン抵抗Ｒｓ等の非線形性を利
用している。
基本波信号の逓倍動作を行うものであり、ＦＥＴ （特
に超高周波帯域での動作が可能なＧａＡｓＦＥＴ）のゲ
ートソース間５−Ｆｔｃ１１８１相互コンダクタンスＥ
１ｍ、ドレイン−ソース間容量Ｃｄｓ 、ドレイン−ゲ
ート間合１ｃｄｓ、ドレイン抵抗Ｒｓ等の非線形性を利
用している。
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明をす
る。
る。
第１図は、本発明に係る２倍逓倍器の構成を示すブロッ
ク図で、図中ＭＣＩは基本波信号にマツチングする第１
の整合回路、ＢＲＩは２倍波信号を反射するバンド・リ
ジェクト・フィルタ、ＦＥＴはソース接地されだＧａＡ
ｓＦＥＴでゲート端子より信号を入力し、ドレイン端子
よシ出力を得るようにしている、ＢＢｒ２は基本波信号
を反射するバンド・リジェクト・フィルタ、ＭＣ１ｊ：
２倍波信号にマツチングする第２の整合回路である。
ク図で、図中ＭＣＩは基本波信号にマツチングする第１
の整合回路、ＢＲＩは２倍波信号を反射するバンド・リ
ジェクト・フィルタ、ＦＥＴはソース接地されだＧａＡ
ｓＦＥＴでゲート端子より信号を入力し、ドレイン端子
よシ出力を得るようにしている、ＢＢｒ２は基本波信号
を反射するバンド・リジェクト・フィルタ、ＭＣ１ｊ：
２倍波信号にマツチングする第２の整合回路である。
整合回路ＭＣＩを介し基本波信号が入力され、且つその
２倍波信号をフィルタＢＲＦＩによシ反射した信号をＦ
ＥＴに入力する。
２倍波信号をフィルタＢＲＦＩによシ反射した信号をＦ
ＥＴに入力する。
ＦＥＴでは、前記パラメータの非線形性によシ、基本波
信号の高調波成分を出力し、その出力端子（ドレイン）
から０１〜０．３λｇ（λＩは基本波の波長）、若しく
はこれにｎλＥ／２ （ｎ ”” １ ｒ ２＋ ３ｔ
・・・）を加えた距離に上記基本波信号を反射するフィ
ルタＢＲＦ２を設け、これによりＦＥＴよシ出力さ３− れる基本波成分を逆相で合成し打ち消すようにしている
。よって、該フィルタＢＲＦ２の後段に出力される基本
波信号がキャンセルされ、またＦＥＴでは等測的にこの
フィルタＢＲ２で反射された基本波信号を再利用ｌ〜、
逓倍動作を行うこととなる。
信号の高調波成分を出力し、その出力端子（ドレイン）
から０１〜０．３λｇ（λＩは基本波の波長）、若しく
はこれにｎλＥ／２ （ｎ ”” １ ｒ ２＋ ３ｔ
・・・）を加えた距離に上記基本波信号を反射するフィ
ルタＢＲＦ２を設け、これによりＦＥＴよシ出力さ３− れる基本波成分を逆相で合成し打ち消すようにしている
。よって、該フィルタＢＲＦ２の後段に出力される基本
波信号がキャンセルされ、またＦＥＴでは等測的にこの
フィルタＢＲ２で反射された基本波信号を再利用ｌ〜、
逓倍動作を行うこととなる。
上記の如くフィルタＢＲＦ２を出力端子から実質的に０
．１〜０．３λＩと、ある程度の幅を持った位置に設置
可能であるのは、該フィルタＢＲＦ２により完全に基本
波信号を打ち消す必要がなく、上記範囲内であれは十分
に逓倍器としての動作が可能であるためである。即ち、
理論的に最も好ましいのは０，２５λＩの位置であるが
個々の素子の特性のほらつき等により、実際の動作にた
いては上記範囲内で適宜その値が定められるものである
。
．１〜０．３λＩと、ある程度の幅を持った位置に設置
可能であるのは、該フィルタＢＲＦ２により完全に基本
波信号を打ち消す必要がなく、上記範囲内であれは十分
に逓倍器としての動作が可能であるためである。即ち、
理論的に最も好ましいのは０，２５λＩの位置であるが
個々の素子の特性のほらつき等により、実際の動作にた
いては上記範囲内で適宜その値が定められるものである
。
その後、フィルタＢ ＲＦ ２の出力は、２倍波信号に
マツチングする整合回路ＭＣ２を介し、所定の２倍波信
号を得る。
マツチングする整合回路ＭＣ２を介し、所定の２倍波信
号を得る。
尚、上記説明では一般的な２逓倍回路についてのみ説明
をしたが、本発明の適用は特にこれに限られない。即ち
、多少逓倍効率は低下するものの、４− 所定のバンド・リジェクト・フィルタ、及び整合回路を
使用し、必要に応じた逓倍数の装置を形成できる。
をしたが、本発明の適用は特にこれに限られない。即ち
、多少逓倍効率は低下するものの、４− 所定のバンド・リジェクト・フィルタ、及び整合回路を
使用し、必要に応じた逓倍数の装置を形成できる。
また、本発明の適用は、小型化、高信頼性化が可能なＭ
ＩＣ（マイクロ波ＩＣ）回路に特に有効である。
ＩＣ（マイクロ波ＩＣ）回路に特に有効である。
第２図に、ＭＩＣ回路で実現した本発明の一実施例を示
す。
す。
図中、１．２は表面にマイクロストリップライン、裏面
に接地導体が夫々形成された誘電体基板より成るＭＩＣ
回路を、３はソース接地型ＦＥＴを、４はマイクロ・ス
トリップ線路を、５は入力整合回路を、６は２倍波反射
フィルタを、７は基本波反射フィルタを、８は２倍波整
合回路を夫々表わす。基本波反射フィルタ７は基本波の
λＩ／４長線路からなるオーブン・スタブで形成されて
おり、その設置は前述の如（ＦＥＴ３のドレイン端子か
ら０．１〜０．２５λＩ離れた位置で行なわれる。
に接地導体が夫々形成された誘電体基板より成るＭＩＣ
回路を、３はソース接地型ＦＥＴを、４はマイクロ・ス
トリップ線路を、５は入力整合回路を、６は２倍波反射
フィルタを、７は基本波反射フィルタを、８は２倍波整
合回路を夫々表わす。基本波反射フィルタ７は基本波の
λＩ／４長線路からなるオーブン・スタブで形成されて
おり、その設置は前述の如（ＦＥＴ３のドレイン端子か
ら０．１〜０．２５λＩ離れた位置で行なわれる。
第２図に示すように、本発明に係る逓倍器をＭ−ＩＣ回
路で構成することにより、そこで用いられる整合回路、
及びフィルタを全て並列スタブを使った簡易構成で、且
つ調整容易に形成することができる。。
路で構成することにより、そこで用いられる整合回路、
及びフィルタを全て並列スタブを使った簡易構成で、且
つ調整容易に形成することができる。。
（６）発明の効果
以上、詳述したように、本発明によればＦＥＴの非線形
性を有効に利用し、冒い変換効率での動作が可能であり
、且つマツチングのとり易い構成であるところから広帯
域で安定性に優れた逓倍器が得られる。また、従来のダ
イオードを用いた逓倍器に比較してその調整工程が大巾
に減じられるため、装置の低コスト化が可能と々る。
性を有効に利用し、冒い変換効率での動作が可能であり
、且つマツチングのとり易い構成であるところから広帯
域で安定性に優れた逓倍器が得られる。また、従来のダ
イオードを用いた逓倍器に比較してその調整工程が大巾
に減じられるため、装置の低コスト化が可能と々る。
第１図は、本発明に係る逓倍器の一構成例を示すブロッ
ク図を、第２図はＭＩＣ回路で形成した本発明の一実施
例を夫々表わす。 図中、ＭＣＩ、５は入力整合回路、ＢＲＦＩ、６は逓倍
波反射フィルタ、ＦＥＴ、３は電界効果トランジスタ、
ＢＲＦ２，７は基本波反射フィルタ、ＭＣ２，８は逓倍
波整合回路、１は入力側ＭＩＣ回路、２は出力側ＭＩＣ
回路、４はマイクロ・ストリップ・ラインである。
ク図を、第２図はＭＩＣ回路で形成した本発明の一実施
例を夫々表わす。 図中、ＭＣＩ、５は入力整合回路、ＢＲＦＩ、６は逓倍
波反射フィルタ、ＦＥＴ、３は電界効果トランジスタ、
ＢＲＦ２，７は基本波反射フィルタ、ＭＣ２，８は逓倍
波整合回路、１は入力側ＭＩＣ回路、２は出力側ＭＩＣ
回路、４はマイクロ・ストリップ・ラインである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ソース接地型ＦＥＴに基本波信号（波長：λＩ）
を入力し、該基本波信号の逓倍波信号を取如出す逓倍器
に於いて、該ＦＥＴの出力端から実質的に０，１〜０．
３λｇだけ位相のずれた位置に上記基本波信号の反射回
路を設け、該反射回路の後段に設けられた所定逓倍波信
号の整合回路を介し出力を得るようにしたことを特徴と
する逓倍器。 ２、上記ＦＥＴへの信号入力を、基本波信号にマツチン
グした整合回路、並びに所定逓倍波信号の反射回路を介
し行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
逓倍器。 ３、上記ＦＥＴへの信号入／出力手段がＭＩＣ回路によ
シ構成され、且つ上記基本波信号の反射回路がλｇ／４
長線路から成るオープン・スタブによシ形成されること
を特徴とする特許請求の範囲第１項、または第２項記載
の逓倍器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073205A JPS59200504A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 逓倍器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073205A JPS59200504A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 逓倍器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200504A true JPS59200504A (ja) | 1984-11-13 |
| JPH0252881B2 JPH0252881B2 (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=13511414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58073205A Granted JPS59200504A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 逓倍器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200504A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63217803A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発振逓倍器 |
| JPH02126414U (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-18 | ||
| JPH0623450U (ja) * | 1992-06-10 | 1994-03-29 | リョービ株式会社 | フローター |
| JP2005223849A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Sony Ericsson Mobilecommunications Japan Inc | 歪み補償装置および歪み補償機能付き電力増幅装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4319788Y1 (ja) * | 1968-04-09 | 1968-08-19 |
-
1983
- 1983-04-26 JP JP58073205A patent/JPS59200504A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4319788Y1 (ja) * | 1968-04-09 | 1968-08-19 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63217803A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発振逓倍器 |
| JPH02126414U (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-18 | ||
| JPH0623450U (ja) * | 1992-06-10 | 1994-03-29 | リョービ株式会社 | フローター |
| JP2005223849A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Sony Ericsson Mobilecommunications Japan Inc | 歪み補償装置および歪み補償機能付き電力増幅装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0252881B2 (ja) | 1990-11-15 |
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