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JPS59151371A - 半導体メモリ素子 - Google Patents

半導体メモリ素子

Info

Publication number
JPS59151371A
JPS59151371A JP58016776A JP1677683A JPS59151371A JP S59151371 A JPS59151371 A JP S59151371A JP 58016776 A JP58016776 A JP 58016776A JP 1677683 A JP1677683 A JP 1677683A JP S59151371 A JPS59151371 A JP S59151371A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
line
read
data line
memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58016776A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanari Kaizuka
貝塚 真生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP58016776A priority Critical patent/JPS59151371A/ja
Publication of JPS59151371A publication Critical patent/JPS59151371A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store

Landscapes

  • Memory System (AREA)
  • Controls And Circuits For Display Device (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体メモリ素子に係り、特にアドレス線およ
びデータ線の改良に関する。
〔発明の技術的背景〕
タトエはマイクロコンピュータのビテオRAMは第1図
に示すように同−HJv1のアドレス線およびテータ肪
をCPU1ll11とCRTコントロール側との2系統
で切換えて使用することになる。図中Iは読み出し書き
込みメモIJ (RAM)、2はCPUアドレスgC−
ADとCI(、Tコントローラ3から出力するビデオア
ドレス線V−AIJの一方を選択してメモリlのアドレ
スを制御するマルチプレクサである。そして4はCPU
データ線C−DTの読み出し、書き込み制御を行なうデ
ータバッファ、5はメ−e+)zのデータ出力を与えら
れかつCRTコントローラ3のクロック信号CLKによ
り対応するデータをシフトレジスタ6へ並列に入力する
キャラクタジェネレータである。またシフトレジスタ6
はCRTコントローラ3から与えられるセット信号ST
によってセットされかつシフトクロック5−CLによっ
てキャラクタジェネレータ5の出力データを直列信号に
変換して順次に出力する。そしてシフトレジスタ6かも
出力される直列信号をビデオ信号合成回路7へ与えCR
,Tコントローラ3から与えられる同期信号SYCと合
成してビデオ信号VIIJEOを得る。なおマルチプレ
クサ2の切換え動作もCRTコントローラ3の制御信号
CTに同期して行ない信号を衝突しないように制御して
いる。さらにメモソノに対してはCI)Uメモリ制御信
号C−CNTを与えて、CPU側で選択時の読み出し、
書き込みのモード制御を行ない、また(1%Tコントロ
ーラ3側で選択時は読み出し信号RDを与えて読み出し
モードに制御するようにしている。
すなわち従来のメモリはデータおよびアドレスに関して
単一の入・出力を設けているので異プIつだ系統、たと
えばCPU側とC1,(、T  コントローラ(11!
Iとでその内容をアクセスする場合には、たとえば全て
のアドレス線を切換える必要があった◇ 〔背景枝術の問題点〕 このために複数系統から同一メモリをアクセスするシス
テム、たとえばCPUと(JtTコントローラからアク
セスするビデオ用のメモリ、あるいはダイレクトメモリ
アクセス(1)MA )制御の対象となるメモリ等を冶
するシステムではアドレス切換え[11路が複雑になり
コストが高価になる問題があった。また複数系統で同一
メモリを同時にアクセスすることは本質的に不町訃なた
めに、非同期回路を設けてバスの競合を除去するように
制御しなけれはならずl’f’f成が俟頼になる。
さらには複〃f系統で同一メモリをアクセスオ゛るシス
テムで゛該メ七りのアクセスの比率の高いものではシス
テム全体のスルーグツトが低下する問題もあった。
〔発明の目的〕
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので複数系統か
ら同一メモリに対して同時にアクセスすることができか
つ、各系統に対応するアドレス線を設けてシステムの構
成を簡単にできる牛導体メモリ累子を提供することを目
的とするものである。
〔発明の概要〕
すなわち本発明は、2系統のアドレス基jによりそれぞ
れ独立に内容をアクセスできるようにし、かつ一方のア
ドレス線に対応して読み出し、書き込み可能なデータ線
を設け、他方のアドレス線に対応して読み出しだけが可
能な出力専用のアドレス線を設けることを特徴とするも
のである。
〔発明の実施例〕
以下本発明の一実施例を第2図に示づ一ブロック図を参
照して詳細に説明する。第2図において1ノは本発明に
よるメモリ素子で第1のアドレス線12および第2のア
ドレス線13を有する。そして第1のアドレス線12に
対応して第1のデータ線14を設け、第1のアドレス線
I2で選択したアドレスに読み書き制御Q R/W t
 6の内容に応じて読み出し、および書き込みを行なう
。また第2のアドレス線Z3に対応して第2のデータ線
Z5を設け、第2のアドレス線13で選択したアドレス
の内容の読み出しだけを行なえるようにしている。
このような構成であれば、このメモリ素子を、たとえば
ビデオ用のメモリとして用いる場合、第1のアドレス線
12および第1のデータ線I4をCPLJ側へ接続し、
第2のアドレスalSおよび第2のデータ線15をCR
Tコントローラ側に接84して用いれはよい。このよう
にすれば全体の構成を著るしくm)単にすることができ
、バスの競合を生じることなく、シかもアドレス線の切
換えを竹なう必要がなく、同時に第1、第2のアドレス
線でメモリ素子の内容をアクセスできることと相俟って
高速動作を行なえスループットの低下も着るしく少なく
できる。
〔発明の効果〕
以上詳述したように本発明によれは2系統のアドレス線
でそれぞれ独立にメモリの内容をアクセスできるのでシ
ステムの構成を簡単にできコストを安価にすることかり
能でしかもスループットの低下を少なくできる生導体メ
モリ素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はビデオR,AMの一例を示すブロック図、第2
図は本発明の一実施例を示すブロック図である。 11・・メモリ素子、12・・・第1のアドレス線、1
3・・・第2のアドレス線、14・・・第1のデータ線
、I5・・・第2のデータ線、I6・・・読み書き制御
轟〇 出願人代理人 弁理士  鈴 江 武 彦459−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 相互に独立してメモリ素子の内容を選択する第1のアド
    レス線および第2のアドレス線と、第1のアドレス線で
    選択したアドレスに対して読み書き制御蔵の内容に応じ
    て読み出しまたは豊き込みを行なう第1のデータ線と、
    第2のアドレス線で選択したアドレスの内容を読み出す
    鎖2のデータ線とを具備する半導体メモリ素子。
JP58016776A 1983-02-03 1983-02-03 半導体メモリ素子 Pending JPS59151371A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58016776A JPS59151371A (ja) 1983-02-03 1983-02-03 半導体メモリ素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58016776A JPS59151371A (ja) 1983-02-03 1983-02-03 半導体メモリ素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59151371A true JPS59151371A (ja) 1984-08-29

Family

ID=11925598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58016776A Pending JPS59151371A (ja) 1983-02-03 1983-02-03 半導体メモリ素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59151371A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6231886A (ja) * 1985-08-02 1987-02-10 株式会社日立製作所 表示制御装置
US5319596A (en) * 1991-06-27 1994-06-07 Nec Corporation Semiconductor memory device employing multi-port RAMs
US5359557A (en) * 1992-12-04 1994-10-25 International Business Machines Corporation Dual-port array with storage redundancy having a cross-write operation

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52114226A (en) * 1976-03-22 1977-09-24 Hitachi Ltd Data processing device
JPS52129337A (en) * 1976-04-23 1977-10-29 Hitachi Ltd Memory circuit

Patent Citations (2)

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