Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JPS59144169A - 固体撮像素子 - Google Patents

固体撮像素子

Info

Publication number
JPS59144169A
JPS59144169A JP58017363A JP1736383A JPS59144169A JP S59144169 A JPS59144169 A JP S59144169A JP 58017363 A JP58017363 A JP 58017363A JP 1736383 A JP1736383 A JP 1736383A JP S59144169 A JPS59144169 A JP S59144169A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
vertical
horizontal
state image
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58017363A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Miyazawa
敏夫 宮沢
Kazunori Imai
今井 和典
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58017363A priority Critical patent/JPS59144169A/ja
Publication of JPS59144169A publication Critical patent/JPS59144169A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • H04N25/625Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of smear

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は固体撮像素子、特に垂直スメアの発生を防止し
た固体撮像素子に胸するものである。
〔従来技術〕
8111は従来よシ提案されているMOS形あるいはX
−Yアドレス方式固体撮像素子と称されている固体撮像
素子の一例を示す要部基本回W6構成図である。同図に
おいて、固体撮像素子1は、光を電気信号に変換するフ
ォトダイオード2と、このフォトダイオード2の信号電
荷を移動させる垂直スイッチhi08)7ンジスタ3と
によって構成される画素4が行および列方向に各多数個
配列され、これらの谷画木4は垂直信号線5a、5b。
5Cおよび水平ゲート線6a、6b、6cK接続され、
そして、垂直信号線5a + 5b + 5cは信号電
荷読み出し用水平スイッチIVi08トランジスタ7を
介して水平信号線8に前記信号電荷に対応する出力を読
み出す水平辿択パルスを順次出方させる水平シフトレジ
スタ9に接続され、一方、−垂直ゲート線6a、6b、
6cは各フォトダイオード2から信号電荷を読み出す各
垂直スイッチMOSトランジスタ3に垂直選択パルスを
順次出力させる画面シフトレジスタ10に接続されて構
成されている。
このように構成された固体撮像素子は、水平シフトレジ
スタ9および垂直シフトレジスタlOによって選択され
た各画素部にビデオバイアス11から負荷抵抗12.水
平信号線8および水平スイッチMO8)シンジスタフを
通して充電電流が流れ、負荷抵抗12による電圧降下分
を光伺号として検出し、コンデンサ13を介してプリア
ンプ14で増幅され、出力端子15から信号電流が出力
される。
しかしながら、前述した構成による固体撮像素子には、
特性上の問題の一つとして垂直スメアと称される雑音が
ある。すなわち、テレビカメラとして用いた場合、画素
部を構成するフォトダイオード2以外の部分、つま9フ
オトダイオード2とMo8)ランジスタ3とからなる各
画素(光電変換水子)4の隙間部分からこの画素4内に
光が入シ込み、MOSトランジスタ3のドレインの近傍
で光電子を発生させ、この光電子が拡散ないしドリフト
によυ、ドレインに入シ込み、垂直スメアを発生させ、
その画面の縦方向に淡い擬イ以信号として観測される。
このような垂仰]スメア雑音を除去する手段として、こ
の雑音を信号読み出しする以前に除去するいわゆる播き
出し法が考えられるが、従来のMO8形固体撮像素子で
掃き出し法を行乞おうとすると、XYアドレス方式では
水平−行を同時に垂直信号、15aに読み出した後、水
平方向に一画素ずつ出力する方式であるため、掃き出し
を行なっても最初の画素信号に対しては有効であるが、
次の垂直傷−号約5b、5cK抗み出されてから出力さ
れるまで時間のめるものはその間に擬仰信号が混入して
し甘う。これを回避するには水平−行の信号を匝み出し
後、ただちに画素部と分陳する必要があった。しかし、
この場合には、固体S 例素子が純粋なM 08形では
なく、水平走査部にはCCI)を用いているため、プロ
セス的に困飽であった。
〔発明の目的〕
したがって本発明は、前述した従来の問題に釘みてなさ
れたものであり、その目的とするところは漏洩光の侵入
によって生じる垂直スメア等の雑音の発生を防止した固
体撮像素子を提供することにある。
〔発明の#、要〕
このような目的を構成するために本発明は、定直信号線
に讐積された垂直スメア等の雑音正荷を掃き出しリセッ
トした後、信号読み出しを行ない、その信号電荷を水平
−行の容量に移し、画’A< ff:!と分離すること
により、垂直スメアを′#消したものである。
〔発明の実施例〕
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第2図は本発明による同体撮像素子の一秒りを示す豊部
基本回路構成図であシ、第1図と同記号−同−要素とな
るのでその説明は省略する。同図において、各水平スイ
ッチMosトランジスタ7と画素部4′の各垂直信号’
f1M5 an 5 b+ 5 cとの間には、各ゲー
トの入力端子16にパルス信号を印加してオン状態のと
き、各垂直信号線5a、5b。
5Cと各水平スイッチN10Sトランジスタ7とを電気
的に接続させるg 1のMOSトランジスタ17と、各
mlのMo8)ランジスタ17のドレインとアースとの
間に形成された退避容量18とを有する退避答尺部19
が設けられている。また、この各垂直信号にネ5a、5
b、5cの他端部には、各ゲートの入力端子20にパル
ス信号を印加してオン状態のとき、各ソースの入力的子
2Iに印加されるバイアス電圧を各画ik (1号線5
a、5b。
5cに印加さぜる第2のMo8)ランジスタ22からな
る」布き出し回路23が設けられている。
このように構成された固体撮像素子において、まず、退
避容量部19の入力端子16に亮3図(a)に示すパル
ス信号φC1を印加し、各第1の1lvl U Sトラ
ンジスタをオンさせ、各垂直信号Thl 5a l 5
 b。
5cと対応する各退洲容量18とを接続する。次に掃き
出し回路23のソース入力端子21に信号読み出し用の
バイアス電圧’l/vを印加するとともに、ゲ゛−ト入
力端子20に!:< 3 G (b)に示すリセツトパ
ルス信号φC2を印加し、各垂直信号線5a。
5b、5cと対応する各退避容量」8とをバイアス箪1
圧VVに接続して両者の福1位をリセットし、垂直スメ
ア等の雑音をキャンセルする。次に、帰き出し回路23
の各第2のへ408トランジスタ22をオフにしてバイ
アス′亀圧VVとの接続を助っだ後、垂はシフトレジス
タIOによシ選択された行に第3図(C)に示す垂直ゲ
ートパルス信号φVBTJfを加え、各フォトダイオー
ド2内から各垂直信号線5a、5b、5cと対応する退
避容量18に信号電荷を読み出す。引き続き退避容量部
19のノくルス侶号φC1をローレベルにし、垂直信号
線i52゜5b、5cと退避容量18とを分離する。す
なわち、各退避容’量18には垂直スメア等の雑音のな
い信号電荷が蓄えられることになる。しかる仮、第3図
(d)に示すような水平シフトレジスタ9の読み出しパ
ルス信号φHによυ退避容i18の信号電荷をj@次M
eみ出す。したがって、出力信号は垂直スメア等の雑音
の含まない純粋な光電変換信号のみが得られることにな
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、フォトダイオード
内の信号電荷を垂直信号線に郡す前に垂直信号線をリセ
ットし、垂直スメア等の雑材電荷をキャンセルする。な
め、垂直スメアのない信号電荷を垂直信号線内に蓄える
ことができ、また、退避容量に信号電荷を移しだ後、画
素部と切すhしすため、水平方向読み出し時に垂直スメ
アが入ることもなくなる。しだカニつて、罹市スメアの
発生を防止することができるという極めて優れた効果が
得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の固体撮像素子の一例を示す要部基本回路
構成図、第2図は本発明による固体撮像素子の一例を示
す被部基本回路構成図、第3図は第2図に示す固体撮像
素子に印加するパルス信号の一例を示す図である。 l・・・・固体撮像素子、2・・・・フオトタ”イオー
ド、 3・・・・垂直スイッチMO8)ランジスタ、4
・・・・画素、今′・−・・画素部、5a、5b、5c
・・・・垂面信号面!、6a、 6b、6c・・・・水
平ゲート線、7・・・・水平スイッチMOSトランジス
タ、8・・・・水平信号線、9・・・・水平シフトレジ
スタ、lO・・・・垂直シフトレジスタ、ll・・・・
ビデオバイアス、12・・・・負荷抵抗、■3・・・・
コンデンサ、+4・・・・プリアンプ、15・・・・出
力端子、16・・・・入力端子、17・・・・HlのM
OSトランジスタ、18・・・・退避容量、19・・・
・−:A避′8螢部、20 +’ 21・・−・入力晦
子、22・・・・第2のMOSトランジスタ、23・・
・・掃き出し回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 光信号を電荷に変換、蓄積するフォトダイオードと垂直
    スイッチMO8)?レジスタとで形成された画素が行お
    よび列方向に多数配列され、前記画素を水平シフトレジ
    スタおよび垂直シフトレジスタにより選択させて水平ス
    イッチMO8)ランジスタで信号電流を外部に出力する
    ように看・9成された固体撮像素子において、前記垂直
    信号線と水平スイッチMO8)ランジスタとのm」に入
    射光に対して側光させかつ垂直信号線と水平スイッチM
    O8)ランジスタとをスイッチによl)接続、遮断する
    容量を有する退避容量部と、前記フォトダイオードの読
    み出し全行なう直前に垂直信号線の電位をリセットする
    掃き出し回路とを設けたことを特徴とする固体撮像素子
JP58017363A 1983-02-07 1983-02-07 固体撮像素子 Pending JPS59144169A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58017363A JPS59144169A (ja) 1983-02-07 1983-02-07 固体撮像素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58017363A JPS59144169A (ja) 1983-02-07 1983-02-07 固体撮像素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59144169A true JPS59144169A (ja) 1984-08-18

Family

ID=11941944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58017363A Pending JPS59144169A (ja) 1983-02-07 1983-02-07 固体撮像素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59144169A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0232593A2 (en) * 1985-11-15 1987-08-19 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric transducer apparatus
JPS63292876A (ja) * 1987-05-26 1988-11-30 Fuji Photo Film Co Ltd イメ−ジ・センサ
US5311320A (en) * 1986-09-30 1994-05-10 Canon Kabushiki Kaisha Solid state image pickup apparatus
US5331421A (en) * 1985-11-15 1994-07-19 Canon Kabushiki Kaisha Solid state image pickup apparatus
US5737016A (en) * 1985-11-15 1998-04-07 Canon Kabushiki Kaisha Solid state image pickup apparatus for reducing noise
US5771070A (en) * 1985-11-15 1998-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Solid state image pickup apparatus removing noise from the photoelectric converted signal
US6538693B1 (en) 1996-01-24 2003-03-25 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus having reset noise holding and removing units

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0232593A2 (en) * 1985-11-15 1987-08-19 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric transducer apparatus
US5019702A (en) * 1985-11-15 1991-05-28 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric transducer apparatus having a plurality of transducer elements and a plurality of capacitor elements
EP0576104A3 (en) * 1985-11-15 1994-05-18 Canon Kk Photoelectric transducer apparatus
US5331421A (en) * 1985-11-15 1994-07-19 Canon Kabushiki Kaisha Solid state image pickup apparatus
US5737016A (en) * 1985-11-15 1998-04-07 Canon Kabushiki Kaisha Solid state image pickup apparatus for reducing noise
US5771070A (en) * 1985-11-15 1998-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Solid state image pickup apparatus removing noise from the photoelectric converted signal
US6747699B2 (en) 1985-11-15 2004-06-08 Canon Kabushiki Kaisha Solid state image pickup apparatus
US5311320A (en) * 1986-09-30 1994-05-10 Canon Kabushiki Kaisha Solid state image pickup apparatus
JPS63292876A (ja) * 1987-05-26 1988-11-30 Fuji Photo Film Co Ltd イメ−ジ・センサ
JPH0771231B2 (ja) * 1987-05-26 1995-07-31 富士写真フイルム株式会社 イメ−ジ・センサ
US6538693B1 (en) 1996-01-24 2003-03-25 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus having reset noise holding and removing units

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10462398B2 (en) Solid-state imaging device, method of driving the same, and electronic apparatus
KR920010510B1 (ko) 고체촬상소자
US7326904B2 (en) In-pixel kTC noise suppression using circuit techniques
CN111430388B (zh) 成像像素
JP3571924B2 (ja) 固体撮像装置
JP5664175B2 (ja) 固体撮像装置とその駆動方法、及び電子機器
US6555842B1 (en) Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer
US5430481A (en) Multimode frame transfer image sensor
EP0905787B1 (en) Solid state image pickup device and driving method therefor
KR20010076314A (ko) 확장된 다이내믹 영역 및 감도를 갖는 이미저
JPS63100879A (ja) 固体撮像装置
KR20060090349A (ko) 핑거드 타입 소스 폴로워 트랜지스터를 이용한 상보성금속 산화막 반도체 액티브 픽셀 센서
US5796431A (en) Solid-state image pickup device and driving method thereof
JPH0831991B2 (ja) 固体撮像装置
EP1206127A2 (en) Image pickup apparatus
JP2000059688A (ja) 光電変換装置
JP3854720B2 (ja) 撮像装置及びそれを用いた撮像システム
JPS59144169A (ja) 固体撮像素子
JPH01154678A (ja) 固体撮像装置
JPH02304973A (ja) 固体撮像装置
JP3536517B2 (ja) 増幅型固体撮像素子
JPH0834558B2 (ja) 高品質ビデオカメラ
JPH0461573A (ja) 画素増幅型固体撮像素子
JP4669264B2 (ja) 固体撮像装置及びそれを用いたカメラ
JPH06104418A (ja) 固体撮像素子