JPS5858765B2 - ゴクホソタシンフクゴウチヨウデンドウセン - Google Patents
ゴクホソタシンフクゴウチヨウデンドウセンInfo
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- JPS5858765B2 JPS5858765B2 JP50021299A JP2129975A JPS5858765B2 JP S5858765 B2 JPS5858765 B2 JP S5858765B2 JP 50021299 A JP50021299 A JP 50021299A JP 2129975 A JP2129975 A JP 2129975A JP S5858765 B2 JPS5858765 B2 JP S5858765B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は極細多芯複合超電導線(以下単に超電導線とい
う)の改良に関するものであり、特に超電導特性並(こ
加工性に優れた極細多芯複合超電導線を得んとするもの
である。
う)の改良に関するものであり、特に超電導特性並(こ
加工性に優れた極細多芯複合超電導線を得んとするもの
である。
一般に超電導線には多数本のNb−Ti合金フィラメン
トを高純度銅の如きマトリックス内に個々独立した状態
に埋込んだ合金系線材と、超電導体を形成する高融点金
属のフィラメントを低融点金属と銅との合金の如きマト
リックス中に個々独立した状態に埋込んだ複合体を固相
拡散反応を利用して超電導体を形成する化合物系線材と
がある。
トを高純度銅の如きマトリックス内に個々独立した状態
に埋込んだ合金系線材と、超電導体を形成する高融点金
属のフィラメントを低融点金属と銅との合金の如きマト
リックス中に個々独立した状態に埋込んだ複合体を固相
拡散反応を利用して超電導体を形成する化合物系線材と
がある。
而して従来これらの超電導線の臨界電流特性の向上を目
的として、合金系線材においては、(1) Nb −
Ti 2元合金に対してNb−TiZr。
的として、合金系線材においては、(1) Nb −
Ti 2元合金に対してNb−TiZr。
Nb −Ti −Ta 、 Nb −Ti −Zr −
Hf等の多元合金化とする。
Hf等の多元合金化とする。
(2) Nb −T i合金に0.C,N等の不純物
の含有率を大きくする。
の含有率を大きくする。
(3)時効熱処理と冷間加工とを繰り返す。
(4)冷間加工率を大きくとる。
などの方法が行われている。
又化合物系線材においては、
(1)高融点成分の金属をNb−Zr 、Nb−ZrO
2゜V−Zr、V−Caのような合金化とする。
2゜V−Zr、V−Caのような合金化とする。
(2)マトリックス金属にCu−Ca−Mn 、 Cu
−GaAgのように添加元素を加える。
−GaAgのように添加元素を加える。
(3)マトリックス金属の内蔵電導体を形成する合金要
素金属の含有率を大きくする。
素金属の含有率を大きくする。
などの方法が行われている。
然しなからこれらの方法は倒れも線材の力任性を著しく
阻害し長尺線を安定して製造することが困難であった。
阻害し長尺線を安定して製造することが困難であった。
又超電導線のような複合材料に押出、引抜き、圧延等の
加工を行うと、一様の加工率により力任を行うことが出
来難く、まず該材料の周縁部が加工をはじめ、順次中心
部に及ぶということになる。
加工を行うと、一様の加工率により力任を行うことが出
来難く、まず該材料の周縁部が加工をはじめ、順次中心
部に及ぶということになる。
従って線材長手方向に働くせん断力lこより超電導フィ
ラメントがずれたり、或はフィラメント径が不均一とな
る。
ラメントがずれたり、或はフィラメント径が不均一とな
る。
その結果断線したり或は外層と内層がずれてリング状の
欠陥を生ずるおそれがあつた。
欠陥を生ずるおそれがあつた。
従って超電導特性並に加工性の優れた超電導線の出現が
強く要望されているものであった。
強く要望されているものであった。
本発明はかかる見地から複合材料の塑性加工の特徴に着
目して新規な構造からなる超電導線を見出したものであ
る。
目して新規な構造からなる超電導線を見出したものであ
る。
即ち本発明は金属マトリックス内に多数本のNb−Ti
系超電導フィラメントを個々独立した状態に埋込んだN
b−Ti極細多芯複合超電導線又は超電導体を形成する
高融点金属のフィラメントを個々独立した状態に埋込ん
だ極細多芯複合超電導線において、該金属マトリックス
のほぼ中心部には超電導特性に劣るが、加工性に優れた
フィラメントを設け、周縁部には加工性に劣るが、超電
導特性に優れたフィラメントを設けたものである。
系超電導フィラメントを個々独立した状態に埋込んだN
b−Ti極細多芯複合超電導線又は超電導体を形成する
高融点金属のフィラメントを個々独立した状態に埋込ん
だ極細多芯複合超電導線において、該金属マトリックス
のほぼ中心部には超電導特性に劣るが、加工性に優れた
フィラメントを設け、周縁部には加工性に劣るが、超電
導特性に優れたフィラメントを設けたものである。
本発明を図面(こもとづき更に詳細に説明する。
本発明において加工性に優れたフィラメントとして、N
b−Ti超電導線の如く合金系線材lこ使用するものと
しては、Nb−Ti2元合金であり且つ酸素含有量が0
.1%未満のものである。
b−Ti超電導線の如く合金系線材lこ使用するものと
しては、Nb−Ti2元合金であり且つ酸素含有量が0
.1%未満のものである。
又Nb3Sn超電導線、V3Ga超電導線の如く化合物
系線ζこ使用するものとしては、純Nb金属、純■金属
である。
系線ζこ使用するものとしては、純Nb金属、純■金属
である。
又超電導特性に優れたものとして、合金線材に使用する
ものとしては、例えばNb −T i −Zrの如く3
元以上の合金、或は酸素含有量が0.1%を越える2元
合金であり、化合物系線(こ使用するものとしては、例
えばZrを数%含有するNb Zr合金、V −Z
r合金或はGaを10%程度含有するV−Ga合金であ
る。
ものとしては、例えばNb −T i −Zrの如く3
元以上の合金、或は酸素含有量が0.1%を越える2元
合金であり、化合物系線(こ使用するものとしては、例
えばZrを数%含有するNb Zr合金、V −Z
r合金或はGaを10%程度含有するV−Ga合金であ
る。
而して本発明において金属マトリックスのほぼ中心部に
設ける加工性の優れたフィラメントの数は全フィラメン
ト数の10〜60%の範囲が望ましいものであり、好ま
しくは10〜30%がよい。
設ける加工性の優れたフィラメントの数は全フィラメン
ト数の10〜60%の範囲が望ましいものであり、好ま
しくは10〜30%がよい。
このように限定した理由は、10%未満の場合には、加
工性を改良する効果が薄く、又60%を越える場合には
超電導特性を向上する効果が薄いためである。
工性を改良する効果が薄く、又60%を越える場合には
超電導特性を向上する効果が薄いためである。
又超電導線の断面形状は丸、角等何れの形状でもよい。
次に本発明の実施例(こついて説明する。
実施例 I
Nb 50重量%Ti合金を一方は清浄な状態に保持し
たもの(清浄材)と他方は予備的にNb素材を火気中で
850℃×30分加熱して表面を酸化したもの(酸化材
)とを、夫々真空アーク溶解を行って200φX300
1の鋳塊を得た。
たもの(清浄材)と他方は予備的にNb素材を火気中で
850℃×30分加熱して表面を酸化したもの(酸化材
)とを、夫々真空アーク溶解を行って200φX300
1の鋳塊を得た。
なおこれら両者の酸素量を測定したところ清浄材におい
ては700〜800ppm1酸化材においては1600
〜i7ooppmであった。
ては700〜800ppm1酸化材においては1600
〜i7ooppmであった。
次いでこの両者鋳塊を10φのNb−Ti棒にまで加工
した後、0FHC(無酸素銅)管内に挿入し、更に加工
を続けて10φ×4001単芯複合棒からなる超電導線
用清浄素線及び超電導線用酸化素線とした。
した後、0FHC(無酸素銅)管内に挿入し、更に加工
を続けて10φ×4001単芯複合棒からなる超電導線
用清浄素線及び超電導線用酸化素線とした。
次に外径220mm、内径175mm、長さ450闘の
0FHC管内に、そのほぼ中心部に100本の清浄素線
と、周縁部に152本の酸化素線とを挿入し、鉄管の上
下部に銅板を溶接し真空排気を行った後、引き口を封し
て押出用ビユレットとした。
0FHC管内に、そのほぼ中心部に100本の清浄素線
と、周縁部に152本の酸化素線とを挿入し、鉄管の上
下部に銅板を溶接し真空排気を行った後、引き口を封し
て押出用ビユレットとした。
次いで該ビユレットを熱間押出、圧延、引抜、時効熱処
理等の操作を行って、第1図及び第2図に示す如き1.
5φと0.7朋X1.5闘とのサイズを有する超電導線
1を得た。
理等の操作を行って、第1図及び第2図に示す如き1.
5φと0.7朋X1.5闘とのサイズを有する超電導線
1を得た。
第1図は丸線形状の超電導線の断面図を示すものであり
、第2図は角線形状の超電導線の断面図を示すものであ
る。
、第2図は角線形状の超電導線の断面図を示すものであ
る。
図中において2はNb−Ti清浄フィラメントであり、
3はNb −T i酸化フィラメント、4は無酸素銅マ
トリックスである。
3はNb −T i酸化フィラメント、4は無酸素銅マ
トリックスである。
而して本発明方法における各工程の加工性はNb−Ti
の清浄素線のみを使用した従来の超電導線Oこ比して全
く変ることなく、又その工程途中(こおいてNb−Ti
フィラメントの断線は全く見られなかった。
の清浄素線のみを使用した従来の超電導線Oこ比して全
く変ることなく、又その工程途中(こおいてNb−Ti
フィラメントの断線は全く見られなかった。
又超電導特性(こついては、Nb−Tiの清浄素線のみ
を用いた従来の超電導線に比して約80%高い臨界電流
値を示した。
を用いた従来の超電導線に比して約80%高い臨界電流
値を示した。
実施例 2
10φ×2001の純■棒7本とV−1,0Zr合金棒
17本を用意し、中心部(こ純■棒を、その周辺にV
−Z r棒を鋳型に立てて、Cu−21at%Ga合金
を鋳造して、VaGa超電導線の複合ビユレットを得た
。
17本を用意し、中心部(こ純■棒を、その周辺にV
−Z r棒を鋳型に立てて、Cu−21at%Ga合金
を鋳造して、VaGa超電導線の複合ビユレットを得た
。
次いで該ビユレットを熱間押出、圧延、引抜等の操作を
行って0.2 ynmφの極細線とし、更Oこ真空中に
おいて600℃xloOhr の拡散熱処理を行って第
3図に示す如き■フィラメント5或はV−Zrフィラメ
ント6の周囲に■3Ga層7 、7’ 、 7“が夫々
リング状に虫取した。
行って0.2 ynmφの極細線とし、更Oこ真空中に
おいて600℃xloOhr の拡散熱処理を行って第
3図に示す如き■フィラメント5或はV−Zrフィラメ
ント6の周囲に■3Ga層7 、7’ 、 7“が夫々
リング状に虫取した。
このV3Gaの厚層は純■フィラメント(こ対して約1
.2μ、V −Z rフィラメントに対して1.9μ生
威した。
.2μ、V −Z rフィラメントに対して1.9μ生
威した。
xV s Ga線の臨界電流特性を測定したところ、純
■棒のみを使用した従来品に比して約60%向上すると
共に各工程の加工性は従来品の加工性とほとんど変らな
かった。
■棒のみを使用した従来品に比して約60%向上すると
共に各工程の加工性は従来品の加工性とほとんど変らな
かった。
以上詳述した如く本発明によれば臨界電流特性の優れて
おり、且つその加工は容易であり、断線等をおこすおそ
れがない極細多芯複合超電導線を得るため、超電導ケー
ブルとして極めて有用である。
おり、且つその加工は容易であり、断線等をおこすおそ
れがない極細多芯複合超電導線を得るため、超電導ケー
ブルとして極めて有用である。
第1図及び第2図はNb−Ti系超電導フィラメントを
埋込んだNb−Ti極細多芯複合超電導線の断面図を示
すものであり、第1図に丸形超電導線の断面図、第2図
は角形超電導線の断面図、第3図は超電導体を形成する
高融点金属のフィラメントを埋込んだ極細多芯複合超電
導線の断面図である。 1・・・・・・超電導線、2・・・・・・Nb−Ti清
浄フィラメント、3・・・・・・Nb−Ti酸化フィラ
メント、4・・・・・・無酸素銅マトリックス、5・・
・・・・■フィラメント、6・・・・・・V −Z r
フィラメント、 7.T/・・・・・・V 3Ga層。
埋込んだNb−Ti極細多芯複合超電導線の断面図を示
すものであり、第1図に丸形超電導線の断面図、第2図
は角形超電導線の断面図、第3図は超電導体を形成する
高融点金属のフィラメントを埋込んだ極細多芯複合超電
導線の断面図である。 1・・・・・・超電導線、2・・・・・・Nb−Ti清
浄フィラメント、3・・・・・・Nb−Ti酸化フィラ
メント、4・・・・・・無酸素銅マトリックス、5・・
・・・・■フィラメント、6・・・・・・V −Z r
フィラメント、 7.T/・・・・・・V 3Ga層。
Claims (1)
- 1 金属マトリックス内に多数本のNb −T i系超
電導フィラメント個々独立した状態に埋込んだNb−T
i極細多芯複合超電導線又は超電導体を形成する高融点
金属フィラメントを個々独立した状態に埋込んだ極細多
芯複合超電導線において、上記フィラメントとして該金
属マトリックスのほぼ中心部には超電導特性に劣る力劾
tq性に優れたフィラメントを設け、周縁部には加工性
に劣るが超電導特性に優れたフィラメントを設けること
を特徴とする極細多芯複合超電導線。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50021299A JPS5858765B2 (ja) | 1975-02-20 | 1975-02-20 | ゴクホソタシンフクゴウチヨウデンドウセン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50021299A JPS5858765B2 (ja) | 1975-02-20 | 1975-02-20 | ゴクホソタシンフクゴウチヨウデンドウセン |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5196296A JPS5196296A (ja) | 1976-08-24 |
JPS5858765B2 true JPS5858765B2 (ja) | 1983-12-27 |
Family
ID=12051254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50021299A Expired JPS5858765B2 (ja) | 1975-02-20 | 1975-02-20 | ゴクホソタシンフクゴウチヨウデンドウセン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5858765B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5477092A (en) * | 1977-12-02 | 1979-06-20 | Hitachi Ltd | Superconductive device and production of the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5051687A (ja) * | 1973-09-07 | 1975-05-08 |
-
1975
- 1975-02-20 JP JP50021299A patent/JPS5858765B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5051687A (ja) * | 1973-09-07 | 1975-05-08 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5196296A (ja) | 1976-08-24 |
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