JPS5840167B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は全面鏡面型液晶表示装置の改良に関するもので
ある。

従来の全面鏡面型液晶表示装置の構成を第１図に基づい
て説明する。

第１図は従来の全面鏡面型液晶表示装置の構成を示す断
面図である。

図に於いて１は後面ガラス基板であり、２は後面ガラス
基板１０面上に形成されるアルミニウム反射電極である
。

３は前面ガラス基板であり、その面上にはアルミニウム
反射膜４が形成された後酸化インジウム透明電極５が形
成されている。

反射膜４は反射電極２に対向する部分は切り欠かれた構
成となっている。

６は液晶組成物であり、７はスペーサである。

このような構成とすることにより表示面全面が一様な鏡
面状態となり、表示文字部のみが白濁して見える液晶表
示装置（全面鏡面型液晶表示装置）を提供できる。

しかしこのような構成の全面鏡面型液晶表示装置には以
下のような欠点があることが判明した。

即ち従来の全面鏡面型液晶表示装置に於いては、前面ガ
ラス基板に形成されるアルミニウム反射膜にピンホール
が発生し、これによって反射膜の劣化（反射率の低下）
が生じるという技術的問題点があることが判明した。

本発明者等は鋭意研究を進めた結果、上記のピンホール
発生は、酸化インジウム透明電極とアルミニウム反射膜
の直接接触に基づ＜Ｉｎ−Ａ１局部電池反応によって引
き起こされていることを見い出した。

本発明は、上記ピンホール発生という技術的問題点に対
する原因解明に基づきなされたものであり、前記基板に
形成する反射膜と透明電極間に、四沸化エチレン樹脂又
はポリパラキシレン樹脂の中間膜を介在させる構成とす
ることにより、上記の反応を防止し、反射膜に於けるピ
ンホール発生を防いで反射膜の劣化（反射率の低下）を
防止するようにした全面鏡面型液晶表示装置を提供する
ものである。

以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。

第２図は本発明の一実施例の構成を示す断面図である。

図に於いて８は後面ガラス基板であり、９は後面ガラス
基板８の面上に形成されたアルミニウム反射電極である
。

一方１０は前記ガラス基板であり、１１は前記ガラス基
板１００面上に形成されたアル□ニウム反射膜である。

アル□ニウム反射膜１１はアルミニウム反射電極９に対
向する部分は切り欠かれて形成されている。

１２は反射膜１１が形成された前面ガラス基板１０上に
形成されるプラスチック膜であり、四沸化エチレン樹脂
（テフロン）をスパッタリング法により付着させて形成
している。

更に１３は該プラスチック膜１２上に、前記反射電極９
に対向するように形成された酸化インジウム透明電極で
ある。

１４は液晶組成物、１５はスペーサである。以下更に詳
細に説明する。

前面ガラス基板１０に形成されるアルミニウムの反射膜
１１は、膜厚２０００穴であり、真空蒸着法によって形
成される。

また四沸化エチレン樹脂より成るプラスチック膜１２は
、膜厚１μｍであり、マグネトロンタイプＲＦスパッタ
リング法により形成される。

更に酸化インジウム透明電極１３は膜厚５００Ａであり
、ＲＦ高真空イオンブレーティング法により形成される
。

プラスチック膜１２の膜厚は材料によって異なり、透過
率によって限定される。

この実施例に於いてハフラスチック膜透過率を９０％と
して膜厚を決定している。

またプラスチック膜１２、透明電極１３の形成上問題と
なる点に基板温度の上昇がある。

アルミニウム反射膜１１を形成している場合は、基板温
度が２００℃を超えると、アルミニウム蒸着膜粒子の成
長による反射率の低下が生じる。

即ち一般にアルミニウム蒸着膜の形成は所謂”島構造１
１をとるといわれている。

この島構造の島の大きさは、蒸着速度が速いほど、高真
空なほど基板温度が低いほど小さくなり、表面は密でな
めらかとなり、所謂反射率の良い膜となる。

従って膜形成後基板温度を上げればこの島が大きくなり
表面は凹凸状となり反射率が低下する。

また基板温度を上げることにより表面のアルミニウムは
酸化されＡｌ２Ｏ３が形成され表面が白化する。

これによっても反射率は低下する。以上の理由によりア
ルミニウム反射膜上への膜形成は低温で行うことが望ま
しい。

従ってこの実施例に於いては、プラスチック膜形成には
マグネトロンタイプＲＦスパッタリング法を、また酸化
インジウム透明電極形成にはＲＦ高真空イオンブレーテ
ィング法を用いている。

上記実施例ではプラスチック膜形成材料として四沸化エ
チレン樹脂を用いているが、プラスチック膜形成材料と
しては他にポリパラキシレン樹脂も使用可能である。

ポリパラキシレン樹脂をプラスチック膜形成材料として
使用する場合は、樹脂を分解炉で分解し蒸着室に送りこ
んでプラスチック膜を形成させるＣＶＤ的方法がある。

本発明に於いて用いられるプラスチック膜形成材料とし
てはある程度の耐熱性、耐薬品性を備えていなげればな
らず、現在に於いては四沸化エチレン樹脂及びポリパラ
キシレン樹脂が有効なものとして見い出されている。

上記実施例ではアルミニウム反射膜上に酸化インジウム
透明電極を形成する場合に、四沸化エチレン樹脂等のプ
ラスチック膜を介在させるものを示したが、前述した如
くアルミニウム反射膜と酸化インジウム透明電極の直接
接触によるピンホール発生は局部電池反応に基づいてお
り、従って金属−金属酸化物の直接接触が生じるような
構成の電極に於いて全く同様の問題が発生すると考えら
れ、本発明はそのすべてに対して有効であろう。

以上詳細に説明したように、本発明は全面鏡面型液晶表
示装置に於いて、反射膜と透明電極間にプラスチック膜
を介在させるように構成したことを特徴とするものであ
る。

本発明の液晶表示装置によれば、従来のものに於いて生
じていた、ピンホール発生による反射膜の劣化を防止す
ることができる。

またプラスチック膜が反射膜の物理的、機械的加傷に対
する保護膜ともなり生産上好都合である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の全面鏡面型液晶表示装置の構成を示す断
面図、第２図は本発明の一実施例の構成を示す断面図で
ある。 符号、８：後面ガラス基板、９：反射電極、１０：前面
ガラス基板、１１：反射膜、１２ニブラスチツク膜、１
３：透明電極、１４：液晶組成物。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 後面基板には反射電極を設け、 前記基板には反射膜と、前記反射電極に対向する透明電
   極を設け、 前記周基板を、前記反射電極と前記透明電極が対向する
   ように配置するとともに、前記周基板間に液晶組成物を
   充填し、表示面全面が一様な鏡面状態となるように構成
   した全面鏡面型液晶表示装置に於いて、 前記反射膜と前記透明電極間に、四沸化エチレン樹脂又
   はポリパラキシレン樹脂の中間膜を介在させたことを特
   徴とする全面鏡面型液晶表示装置。