JPS5836939A - ガラスウエハの切断方法 - Google Patents
ガラスウエハの切断方法Info
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- JPS5836939A JPS5836939A JP56133488A JP13348881A JPS5836939A JP S5836939 A JPS5836939 A JP S5836939A JP 56133488 A JP56133488 A JP 56133488A JP 13348881 A JP13348881 A JP 13348881A JP S5836939 A JPS5836939 A JP S5836939A
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- Japan
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- glass
- wafer
- cut
- dicing
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Dicing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本尭−はガラスウニ＾の切断方法の改良（：関する・
１１来、ＣＣＤＭａｍｌｌｔｌｋ像素子上ｔ： ｓ Ｉ
Ｉ ９ Ｊ基板で保饅された色分離フィルタを形成した
カラー用園体撮＊装置としては、ｇｉｍｌ仁示す６のが
知られている。ｌｌ中１は、内部が階段状の凹部な有す
るセラミツタパッケージである・このパック−９１の内
部麿■上には、導電性の接着剤１を介して固体ｍｓ素子
１がマりｙ）され。
Ｉ ９ Ｊ基板で保饅された色分離フィルタを形成した
カラー用園体撮＊装置としては、ｇｉｍｌ仁示す６のが
知られている。ｌｌ中１は、内部が階段状の凹部な有す
るセラミツタパッケージである・このパック−９１の内
部麿■上には、導電性の接着剤１を介して固体ｍｓ素子
１がマりｙ）され。
これＩ＝より図示しな１ダイヤタツ？＠に後続されてい
る＠前記素子１の上ＩＩ（受光面）の中央６二は光透過
性接着剤４を介して有機＃科からなる色分−フィルタｌ
が貼り合わされ、更Ｃ二この色分離フイλ！Ｉの上部ｒ
−賦フィルタ５と一体となったガラス基板Ｃが般けられ
ている・また。
る＠前記素子１の上ＩＩ（受光面）の中央６二は光透過
性接着剤４を介して有機＃科からなる色分−フィルタｌ
が貼り合わされ、更Ｃ二この色分離フイλ！Ｉの上部ｒ
−賦フィルタ５と一体となったガラス基板Ｃが般けられ
ている・また。
色分離フィルタ５０周辺（：は複数のポンディングパッ
ド部ｒ・・・が露出して形成されている・これらポンデ
ィングパッド部ｒ・・・は、アルミニウム又は金等のボ
ンデイングワイヤト・・を介してパンケージ１内の平坦
な階段に設けられたポスト部９・・・にＩＩ続゛され、
かつこれらボス）ＩＩＩ・・・はパッケージ１の外７部
Ｃ二取り付けられた燗子（図示せず）にスルホール等を
介して接続されている。更（二、バクケージ１内の開口
端Ｃ二は、前記素子Ｊな気密に封止するための党学窓ガ
クス体１０が封止材１１を介して固定されている。
ド部ｒ・・・が露出して形成されている・これらポンデ
ィングパッド部ｒ・・・は、アルミニウム又は金等のボ
ンデイングワイヤト・・を介してパンケージ１内の平坦
な階段に設けられたポスト部９・・・にＩＩ続゛され、
かつこれらボス）ＩＩＩ・・・はパッケージ１の外７部
Ｃ二取り付けられた燗子（図示せず）にスルホール等を
介して接続されている。更（二、バクケージ１内の開口
端Ｃ二は、前記素子Ｊな気密に封止するための党学窓ガ
クス体１０が封止材１１を介して固定されている。
こうした固体撮曹装置においては、その構成上、素子Ｉ
のポンディングパッド部ｒ・・・と、色分離フィルタ１
と一体化したガラス基ＩＩＣとの間隔は微少距離にする
必要があり、ガラス基板６の形状は極めて精度の高いも
のが要求される。
のポンディングパッド部ｒ・・・と、色分離フィルタ１
と一体化したガラス基ＩＩＣとの間隔は微少距離にする
必要があり、ガラス基板６の形状は極めて精度の高いも
のが要求される。
ところで、上記色分離フィルタＩが一体化されたガラス
基１１Ｃは、通常第鵞図に示す如く、ダイシングライン
１２・・・を除く領域に色分離フィルタ５が多数形成さ
れたがラスクエへ１Ｊを用い、前記ダイシングライン１
２・・・（：泊って切断することにより得られる。かか
る切断は、従来、以下（−示す種々の方法を利用し１て
行なっ℃いる。
基１１Ｃは、通常第鵞図に示す如く、ダイシングライン
１２・・・を除く領域に色分離フィルタ５が多数形成さ
れたがラスクエへ１Ｊを用い、前記ダイシングライン１
２・・・（：泊って切断することにより得られる。かか
る切断は、従来、以下（−示す種々の方法を利用し１て
行なっ℃いる。
■ ダイヤモンドスクライブ法：ダイシングライン１３
・・・ζ＝泊って切り傷をかけた後、ゴムロープなダイ
シングライン１１・・・に泪って押圧して切断する方法
、しかしながら、この方法は割断時Ｃニゴムローラが有
機材料からなる柔らかい色分離フィルタ５・・・と接触
するため、咳フィルタ５・・・が傷つくという問題があ
る。
・・・ζ＝泊って切り傷をかけた後、ゴムロープなダイ
シングライン１１・・・に泪って押圧して切断する方法
、しかしながら、この方法は割断時Ｃニゴムローラが有
機材料からなる柔らかい色分離フィルタ５・・・と接触
するため、咳フィルタ５・・・が傷つくという問題があ
る。
また、ガラスクエ＾ＩＪが厚い場合は１割断のため切り
傷を通常より深くしたり、ゴムロープのガラスクエへＪ
Ｊｒ一対する押力な大きくしなければならないため、
適さない、更（：。
傷を通常より深くしたり、ゴムロープのガラスクエへＪ
Ｊｒ一対する押力な大きくしなければならないため、
適さない、更（：。
ガフスクエへ１１が大口径の場合、形成されるガラス基
１に−がそれだけ多くなり、ゴムロープな通常より多く
便用しなければならないため１色分離フィルタト・・を
通常より激しく傷つけ、もって分留りが小さくなり、適
さなし１０ ■ ブレードダイリング法：超薄歯のダイヤモンドブレ
ードあるいは有様レジングレードを高速回転させてガラ
スクエへＪＪｔｆｉ［ｔ＝切断する方法・ しかしながら、この方法は切断時６ニー３図（＝示す如
く、チッピングと呼ばれるガラス基板６の欠け１４・・
・が生じたり、欠けにより生じたガラスクエハ１１の破
片１５・・・が１．色分離フィルタ５・・・上（−飛散
したり、固体撮菅装置の轡命や信頼性を損なう原因４＝
なるとい５問題がある・こうしたチッピングのうちでも
、破片１５・・は注意深く洗浄して取り除くこと７刀が
できるものの、欠け１４・・・は防止できない。
１に−がそれだけ多くなり、ゴムロープな通常より多く
便用しなければならないため１色分離フィルタト・・を
通常より激しく傷つけ、もって分留りが小さくなり、適
さなし１０ ■ ブレードダイリング法：超薄歯のダイヤモンドブレ
ードあるいは有様レジングレードを高速回転させてガラ
スクエへＪＪｔｆｉ［ｔ＝切断する方法・ しかしながら、この方法は切断時６ニー３図（＝示す如
く、チッピングと呼ばれるガラス基板６の欠け１４・・
・が生じたり、欠けにより生じたガラスクエハ１１の破
片１５・・・が１．色分離フィルタ５・・・上（−飛散
したり、固体撮菅装置の轡命や信頼性を損なう原因４＝
なるとい５問題がある・こうしたチッピングのうちでも
、破片１５・・は注意深く洗浄して取り除くこと７刀が
できるものの、欠け１４・・・は防止できない。
■ レーザスクライプ法：レーデ光をダイシンクグライ
ン１２・・・Ｃ：泪って照射してガクスクエへ１３を溶
融、蒸発させて切断する方法、しかしながら、ガラスク
エへ１１はレーデ光の吸収が弱いため、切断時（＝レー
デ光のパワーを大きくしなければならず、溶融から切断
までＣニガクスクエへ１１の温度がｊｌＩ６＜なり、そ
の結果ガラスクエへ１１上（＝形成された、約１８０℃
しか耐熱性のない色分−フィルタ１２・・・に熱的悪影
響が生じ、該フィルタ１２・・・が退色する恐れがあっ
た。
ン１２・・・Ｃ：泪って照射してガクスクエへ１３を溶
融、蒸発させて切断する方法、しかしながら、ガラスク
エへ１１はレーデ光の吸収が弱いため、切断時（＝レー
デ光のパワーを大きくしなければならず、溶融から切断
までＣニガクスクエへ１１の温度がｊｌＩ６＜なり、そ
の結果ガラスクエへ１１上（＝形成された、約１８０℃
しか耐熱性のない色分−フィルタ１２・・・に熱的悪影
響が生じ、該フィルタ１２・・・が退色する恐れがあっ
た。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので。
ダ４− ｖングブレードでガフスクエへを切断する（：
ｌＩ Ｌ、ガラスクエ＾へのレーデ光照射を補助手段と
して用いることにより、切断時のガラスクエへのチッピ
ングを阻止したガラスクエへの切断方法を提供すること
を目的とするものである。
ｌＩ Ｌ、ガラスクエ＾へのレーデ光照射を補助手段と
して用いることにより、切断時のガラスクエへのチッピ
ングを阻止したガラスクエへの切断方法を提供すること
を目的とするものである。
次Ｃ；、本発明の実施例を第４図、第５図を参照して説
明する。
明する。
実施例 ｌ
まず、ダイシングラインを除く領域に有機材料からなる
色分離フィルタを多数形成した大口径のがラスク二へ２
１を用意する０次いで、このガラスクエへ２１のダイｖ
ｙグライン（図示せず）に沿ってＮｄ ： ＹＡＧレー
デ光ｎを右方向１：走査する。レーデ光２１の照射を行
なうと同時（二、図示しない切断装置に取付けられた時
＃ｔ＠り方向（＝３００００ ｒ、ｐｏｍ、で高速回転
する厚さ１５０μｍのダイシングブレード２２を、前記
レーザ光２２６；追従させてレーザ照射されたダイＶｙ
グライン上をダウンカットする。ひきつづき、ガラスウ
ェハ２１の他のダイシングラインについても前記と同様
の操作でダウンカットして所望の形状のガクス基軟を得
る。
色分離フィルタを多数形成した大口径のがラスク二へ２
１を用意する０次いで、このガラスクエへ２１のダイｖ
ｙグライン（図示せず）に沿ってＮｄ ： ＹＡＧレー
デ光ｎを右方向１：走査する。レーデ光２１の照射を行
なうと同時（二、図示しない切断装置に取付けられた時
＃ｔ＠り方向（＝３００００ ｒ、ｐｏｍ、で高速回転
する厚さ１５０μｍのダイシングブレード２２を、前記
レーザ光２２６；追従させてレーザ照射されたダイＶｙ
グライン上をダウンカットする。ひきつづき、ガラスウ
ェハ２１の他のダイシングラインについても前記と同様
の操作でダウンカットして所望の形状のガクス基軟を得
る。
しかして、上記方法Ｃ＝よれば、ダイシングブレード２
３の前方のダイＶングライン上（二レーザ光２２を照射
するため、ダイシングブレード２３がガラスウェハ２１
を切断した部分から走る歪みは、レーザ光２２の照射部
っまりダイリングラインＣ：泊って導かれる。その結果
、ダイシングブレードＪ １＃ｉ、県中的（＝特定方向
に歪みが入ったダイＶングライン上を切断すること６二
なるため、ダイシングブレードＩＪのみでガラスウェハ
ｊ１を切断する場合と比較して、ダイシングブレード２
Ｊにかかる負担が少なくなるととも１：、切断点から四
方入力（；歪みが入ることに芹なうガラスウェハ２１の
欠けや飛散を防止することができる。
３の前方のダイＶングライン上（二レーザ光２２を照射
するため、ダイシングブレード２３がガラスウェハ２１
を切断した部分から走る歪みは、レーザ光２２の照射部
っまりダイリングラインＣ：泊って導かれる。その結果
、ダイシングブレードＪ １＃ｉ、県中的（＝特定方向
に歪みが入ったダイＶングライン上を切断すること６二
なるため、ダイシングブレードＩＪのみでガラスウェハ
ｊ１を切断する場合と比較して、ダイシングブレード２
Ｊにかかる負担が少なくなるととも１：、切断点から四
方入力（；歪みが入ることに芹なうガラスウェハ２１の
欠けや飛散を防止することができる。
実施例 ２
まず、ダイシングラインを除く領域（：有機材料からな
る色分離フィルタを多数形成した大口径のがラスウェハ
２１を用意する・次いで、図示しない切断装置に取付け
られた時計回り方向に５ｏｏｏｏｒ、ｐ、ｍ、で高速回
転する犀さｌ ５０１１ｍのダイシングプレード１１で
ダイシングライン（図示せず）上を右方向Ｃ；ダウンカ
ットする。このダウンカットの直後６＝、Ｎｄ ： Ｙ
ＡＧレーザ光３４．２１をダイＶングブレードｘｉ４＝
追従しながらダイシングブレード２Ｊの切断点の右匈部
（図中手＃）、左貴部（図中向こうＩＩ）に夫々照射し
た・ひきつづき、ガラスウェハ２１の他のダイシングラ
インについても前記と同僚の操作でダウンカットして所
望の形状のガラス基板を得る・上記方法によれば、ダイ
シングブレード２３によるがラスウェハ２１の切断直後
（：切断点の内側部Ｃニレーザ光１４．１１＃ｔＮ＠射
するため、切断後にガラスウニ八２１ｒ−残る歪みを熱
的に取り去り、チッピングを減少させることができる。
る色分離フィルタを多数形成した大口径のがラスウェハ
２１を用意する・次いで、図示しない切断装置に取付け
られた時計回り方向に５ｏｏｏｏｒ、ｐ、ｍ、で高速回
転する犀さｌ ５０１１ｍのダイシングプレード１１で
ダイシングライン（図示せず）上を右方向Ｃ；ダウンカ
ットする。このダウンカットの直後６＝、Ｎｄ ： Ｙ
ＡＧレーザ光３４．２１をダイＶングブレードｘｉ４＝
追従しながらダイシングブレード２Ｊの切断点の右匈部
（図中手＃）、左貴部（図中向こうＩＩ）に夫々照射し
た・ひきつづき、ガラスウェハ２１の他のダイシングラ
インについても前記と同僚の操作でダウンカットして所
望の形状のガラス基板を得る・上記方法によれば、ダイ
シングブレード２３によるがラスウェハ２１の切断直後
（：切断点の内側部Ｃニレーザ光１４．１１＃ｔＮ＠射
するため、切断後にガラスウニ八２１ｒ−残る歪みを熱
的に取り去り、チッピングを減少させることができる。
なお、上記実施例Ｉ Ｅおいて極めて強力なレーザ光で
ガラスウェハ１１上（：焦点をしばれるものを用いれば
、ガラスウェハ２１は軟らかくなり、もってダイシング
ブレード２Ｊは軟質のガラスウェハ２１を切断すること
（：なり、ダイシングブレード２３Ｌ：かかる負荷が更
に軽減されると共に、ガラスウェハ２１のチッピングも
より確実に防止できる。また、実施例ＩＣ−おいて、ダ
イシングブレード２３の前方のダイＶングライン上だけ
でなく、切断直後の切断点付近（＝もレーザ光を照射す
れば、一層完全にガラスウェハｊ１のチッピングが防止
できる。
ガラスウェハ１１上（：焦点をしばれるものを用いれば
、ガラスウェハ２１は軟らかくなり、もってダイシング
ブレード２Ｊは軟質のガラスウェハ２１を切断すること
（：なり、ダイシングブレード２３Ｌ：かかる負荷が更
に軽減されると共に、ガラスウェハ２１のチッピングも
より確実に防止できる。また、実施例ＩＣ−おいて、ダ
イシングブレード２３の前方のダイＶングライン上だけ
でなく、切断直後の切断点付近（＝もレーザ光を照射す
れば、一層完全にガラスウェハｊ１のチッピングが防止
できる。
また、上記実施例２において出力の大きいレーデ光を用
いれば、切１１’ｒ面を一度溶融して、切断面を成形す
ることができ、チクピングを防止できる。
いれば、切１１’ｒ面を一度溶融して、切断面を成形す
ることができ、チクピングを防止できる。
吏Ｃ１上記実施例では有機材料からなる色分離フィルタ
をダイシングラインを除く領域（＝形成したがラスウェ
ハ（：ついて述べたが、これ（＝限らない。例えば、干
渉膜（：よる色分離フィルタを形成したガラスウェハ、
有機材料による咳フィルタと干渉膜（−よる該フィルタ
を組み合わせた色分離フィルターを形成したがラスウェ
ハ、或いは赤外力クトフィルタや無反射コーティング属
を形成したガラスウェハ、又は前記フィルタや膜が形成
されていないガラスウェハ４＝も同橡媚：適用で赦る。
をダイシングラインを除く領域（＝形成したがラスウェ
ハ（：ついて述べたが、これ（＝限らない。例えば、干
渉膜（：よる色分離フィルタを形成したガラスウェハ、
有機材料による咳フィルタと干渉膜（−よる該フィルタ
を組み合わせた色分離フィルターを形成したがラスウェ
ハ、或いは赤外力クトフィルタや無反射コーティング属
を形成したガラスウェハ、又は前記フィルタや膜が形成
されていないガラスウェハ４＝も同橡媚：適用で赦る。
更６：は、ＬＩＴａＯ，等の誘電体材料ウェハ（；も適
用することが可能である。
用することが可能である。
上記実施例では、多数の色分−フィルタが形成された大
口径のがラスウェハを用いた場合（二ついて述べたが、
これ（二限らず少数の色分離フィルタが形成された小口
径のガラスウェハにも適用できる。
口径のがラスウェハを用いた場合（二ついて述べたが、
これ（二限らず少数の色分離フィルタが形成された小口
径のガラスウェハにも適用できる。
以上拝述した如く本発明によれば、ダイリングブレード
でかラスク二へを切断する際、ガラスウェハへのレーデ
光照射を同時４＝行うことＣ二より、切断時のがラスク
エへのチクピングを防止し、とくに表面に有機材料か、
らなる色分離フィルタを形成したがラスクエへのよう（
＝寸法精度を要求されるガラスウニへの切断を良好にで
き、もつ１色分離フィルタが一体化されたガラス基板を
組込むカラー用固体撮像装置の製造に有効Ｃ：利用でき
る等顕著な効果を有する。
でかラスク二へを切断する際、ガラスウェハへのレーデ
光照射を同時４＝行うことＣ二より、切断時のがラスク
エへのチクピングを防止し、とくに表面に有機材料か、
らなる色分離フィルタを形成したがラスクエへのよう（
＝寸法精度を要求されるガラスウニへの切断を良好にで
き、もつ１色分離フィルタが一体化されたガラス基板を
組込むカラー用固体撮像装置の製造に有効Ｃ：利用でき
る等顕著な効果を有する。
第１図はカラー用固体撮像装置の断面囚、藤２図は第１
図（＝示す装置（＝用いられる色分離フィルタが多面形
成されたガラスウェハの平面図、第３図は第２図のガラ
スウェハをブレードダイシング法（：より切断して得ら
れたガラス基板の拡大平面図、第４図は本発明の実施例
１ｃ；おけるガラスウェハの切断過程を示す説明１図、
１１６図は本発明の実施例２Ｃ：おけるガラスウニへの
切断過程＋１．、ｖ説明図である。 ２１・・・ガラスウェハ、ｘｘ、ｚａ、ｊｓ・・・Ｎｄ
：ＹＡＧレーザ光、２Ｊ・・・ダイリングブレード。 出願人代理人 弁理± ２ 鈴 江 武 彦第１ｒｌＩ ！！２・ヅ 第３図
図（＝示す装置（＝用いられる色分離フィルタが多面形
成されたガラスウェハの平面図、第３図は第２図のガラ
スウェハをブレードダイシング法（：より切断して得ら
れたガラス基板の拡大平面図、第４図は本発明の実施例
１ｃ；おけるガラスウェハの切断過程を示す説明１図、
１１６図は本発明の実施例２Ｃ：おけるガラスウニへの
切断過程＋１．、ｖ説明図である。 ２１・・・ガラスウェハ、ｘｘ、ｚａ、ｊｓ・・・Ｎｄ
：ＹＡＧレーザ光、２Ｊ・・・ダイリングブレード。 出願人代理人 弁理± ２ 鈴 江 武 彦第１ｒｌＩ ！！２・ヅ 第３図
Claims (2)
- （１） ガクスウェへをダイＶングラインｃ：潟って
ダイリングブレードＣ＝より切断して所望形状のガラス
基板を形成する（：ｌＩＬ％前記ダイリングブレードの
切断点よりも少なくとも前方のダイＶングライン上（：
レーザ党を照射しながら切断することを特徴とするがフ
スクエへの切断方法。 - （２） ガクスクエへがそのダイリングラインを論〈
領域Ｃ：色分離フィルタを形成した構造をなすことを特
徴とする特許請求のａｉｍ鯖１項記載のがラスクエへの
切断方法。 （３ン ガラスクエへをダイリングラインに桐ってダ
イリングブレードにより切断して所望形状のガラス基板
を形成する（：際し、鎗紀ダイＶングブレード（＝よる
切断直後に、レーザ党をその切断点付近ｔ：ｍ射しなが
６１１断することを骨黴２するガラスウニへの切断方法
。 （優 ガラスウニ＾かそのダイリングクイｙを除く領域
に色分離フィルタを形成した構造をなすことをｑ！＃黴
とす骨脣許錆求のＩ［８１１１３項記載のガラスウニ＾
の切断方法・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133488A JPS5836939A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | ガラスウエハの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133488A JPS5836939A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | ガラスウエハの切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5836939A true JPS5836939A (ja) | 1983-03-04 |
Family
ID=15105935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56133488A Pending JPS5836939A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | ガラスウエハの切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5836939A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01215736A (ja) * | 1988-02-20 | 1989-08-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄板ガラス切断方法 |
| EP0863231A1 (en) * | 1997-03-04 | 1998-09-09 | Ngk Insulators, Ltd. | A process for dicing a preform made of an oxide single crystal, and a process for producing functional devices |
| WO2000075983A1 (en) * | 1999-06-08 | 2000-12-14 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | A method for dicing wafers with laser scribing |
| US6420245B1 (en) | 1999-06-08 | 2002-07-16 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Method for singulating semiconductor wafers |
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