JPS5821131A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPS5821131A JPS5821131A JP11874881A JP11874881A JPS5821131A JP S5821131 A JPS5821131 A JP S5821131A JP 11874881 A JP11874881 A JP 11874881A JP 11874881 A JP11874881 A JP 11874881A JP S5821131 A JPS5821131 A JP S5821131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stem
- pressure sensor
- silicon
- semiconductor pressure
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0007—Fluidic connecting means
- G01L19/0038—Fluidic connecting means being part of the housing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は特に低コストで温度特性の優れた半導体圧力
センサに関する。
センサに関する。
近年、マイクロコンピュータが広範囲な分野で利用され
るようになるにつれて、低コスト、高性能の半導体上ン
廿を望む声が多くなってきている。中でも圧力センサに
関するものは多く、自動車用をはじめ民生用にも需要は
多い。従来の半導体圧力センサは計測用などの特殊用途
には使用されている例はあるが、これらの場合はその特
性が重要視されたためた高価格なものになりがちであっ
た。
るようになるにつれて、低コスト、高性能の半導体上ン
廿を望む声が多くなってきている。中でも圧力センサに
関するものは多く、自動車用をはじめ民生用にも需要は
多い。従来の半導体圧力センサは計測用などの特殊用途
には使用されている例はあるが、これらの場合はその特
性が重要視されたためた高価格なものになりがちであっ
た。
第１図は従来の計測用半導体圧力センサの断面図である
。図において、１ノはダイヤフラムを有するシリコン単
結晶ペレットで、２〜３ミリメートルの厚さのシリコン
ディスク１２とはＡｕ −Ｓｔ共晶等によシ接着され熱
的歪が直接、歪ゲージに伝わら々いようにされている。
。図において、１ノはダイヤフラムを有するシリコン単
結晶ペレットで、２〜３ミリメートルの厚さのシリコン
ディスク１２とはＡｕ −Ｓｔ共晶等によシ接着され熱
的歪が直接、歪ゲージに伝わら々いようにされている。
また、１３は一方からの圧力導入用パイプであり、ステ
ム１４からの機緘的歪が伝わらない様に工夫されている
。また、１５はリード、１６はボンディングワイヤ、１
７はハーメチック・シール、１８は圧力導入孔つきのキ
ャップである・次に、第２図は従来の汎用圧力センサの
一例を示す。第２図は第１図に示した計測用の半導体圧
力センサの場合と違なシ、圧力導入用・母イブ１３は々
〈なυ、１〜３ミリメートルのシリコン・ディスク１２
がステム１４に直接接着されている。しかし、穴のあい
た厚いシリコン・ディスク１２を用いるため低価格化は
むずかしいことや、内部リードが長くなるのでボンディ
ングが難しいなど色々な問題があった。
ム１４からの機緘的歪が伝わらない様に工夫されている
。また、１５はリード、１６はボンディングワイヤ、１
７はハーメチック・シール、１８は圧力導入孔つきのキ
ャップである・次に、第２図は従来の汎用圧力センサの
一例を示す。第２図は第１図に示した計測用の半導体圧
力センサの場合と違なシ、圧力導入用・母イブ１３は々
〈なυ、１〜３ミリメートルのシリコン・ディスク１２
がステム１４に直接接着されている。しかし、穴のあい
た厚いシリコン・ディスク１２を用いるため低価格化は
むずかしいことや、内部リードが長くなるのでボンディ
ングが難しいなど色々な問題があった。
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的
は低コストで温度特性の優れた半導体圧力センサを提供
することにある。
は低コストで温度特性の優れた半導体圧力センサを提供
することにある。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第３図において、５００ミクロンの厚さのシリコン単結
晶を窒化シリコン膜（Ｓ１３Ｎ４）をマスクとして９０
℃の水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液にてエツチングを
行ない３５ミクロンのダイヤフラムを形成した後、コパ
ール製ステム１４にシリコン・ゴム（例えば、ＪＣＲ４
９１３）１９により直接接着したものである。その時、
フルブリッジの零点の温度ドリフトは７６０ｗｎＨｇフ
ルスケールで２．５％／１００℃以内であり、従来の半
導体圧力センサと同等の性能が得られた。これはコパー
ルの熱膨張係数（５〜６Ｘ１０’／℃）がシリコンの熱
膨張係数（２，５〜３×１０−６／℃）に近く、その上
シリコン・ゴムは硬化後も比較的やらかいこと、そして
ペレットの接着部からダイアフラム迄の距離が長いため
に熱歪を吸収し、歪ゲージに悪影響 □を及ぼさな
いだめである。また、接着工程は一度で済み、ペレット
の高さが低いので内部リードの高さも低くできビンディ
ングが容易となる。
晶を窒化シリコン膜（Ｓ１３Ｎ４）をマスクとして９０
℃の水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液にてエツチングを
行ない３５ミクロンのダイヤフラムを形成した後、コパ
ール製ステム１４にシリコン・ゴム（例えば、ＪＣＲ４
９１３）１９により直接接着したものである。その時、
フルブリッジの零点の温度ドリフトは７６０ｗｎＨｇフ
ルスケールで２．５％／１００℃以内であり、従来の半
導体圧力センサと同等の性能が得られた。これはコパー
ルの熱膨張係数（５〜６Ｘ１０’／℃）がシリコンの熱
膨張係数（２，５〜３×１０−６／℃）に近く、その上
シリコン・ゴムは硬化後も比較的やらかいこと、そして
ペレットの接着部からダイアフラム迄の距離が長いため
に熱歪を吸収し、歪ゲージに悪影響 □を及ぼさな
いだめである。また、接着工程は一度で済み、ペレット
の高さが低いので内部リードの高さも低くできビンディ
ングが容易となる。
また、第４図はステム１０と接着材料１１にガラスを用
いた場合の例であシ、これらのガラスの熱膨張係数は４
６〜５． ＯＸ １０−６／′ｃで、特に接着用がラス
の作業温度が４６０℃と比較的低いのが特徴である。
いた場合の例であシ、これらのガラスの熱膨張係数は４
６〜５． ＯＸ １０−６／′ｃで、特に接着用がラス
の作業温度が４６０℃と比較的低いのが特徴である。
次に、第５図は被測定気体の絶佳圧力を測定するための
ものである。被測定気体は圧力導入／’Ｐイブを介して
キャップ１８内に導かわる。このキャップ１８内は真空
となっているために、キャップ１８内に導かれた被測定
気体の絶佳圧力を測定することができる。
ものである。被測定気体は圧力導入／’Ｐイブを介して
キャップ１８内に導かわる。このキャップ１８内は真空
となっているために、キャップ１８内に導かれた被測定
気体の絶佳圧力を測定することができる。
以上詳述したようにこの発明によれば低コストで温度特
性の優れた半導体圧力センサを提供することができる。
性の優れた半導体圧力センサを提供することができる。
第１図は従来の計測用半導体圧力センサの構造図、第２
図は従来の汎用半導体圧力センサの構造図、第３図及び
第４図はそれぞれこの発明の一実施例を示す半導体圧力
センサの構造図、５− 第５図はこの発明の他の実施例を示す半導体圧力センサ
の構造図である。 １１・・・ペレット、１２・・・シリコン・ディスク、
１４・・・ステム、１５・・・リード、１６・・・？ン
デイングワイヤ、１８・・・キャップ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦６一
図は従来の汎用半導体圧力センサの構造図、第３図及び
第４図はそれぞれこの発明の一実施例を示す半導体圧力
センサの構造図、５− 第５図はこの発明の他の実施例を示す半導体圧力センサ
の構造図である。 １１・・・ペレット、１２・・・シリコン・ディスク、
１４・・・ステム、１５・・・リード、１６・・・？ン
デイングワイヤ、１８・・・キャップ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦６一
Claims (4)
- （１）中央に貫通孔を有しシリコンと熱膨張係数が類似
したステムと、複数の歪ゲージを薄肉ダイアフラム部に
有するシリコン単結晶と、圧力導入用・ぐイブを有する
キャップと、前記歪ゲージに電気的に接続されておシ、
前記ステムにハーメティックシールされて外部に引き出
されたリードから成る半導体圧力センサにおいて、前記
シリコン単結晶の板厚が５００ミクロン以上あり、しか
も前記ステムに直接接着されていることを特徴とする半
導体圧力センサ。 - （２）接着材料としてシリコンゴムを用いたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体圧力センサ。 - （３） シリコンと熱膨張係数が類似したガラス製ス
テムと、接着材料としてシリコンと熱膨張係数が等しく
かつその接着温度が４５０″近辺である低融点がラスを
用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体圧力センサ。 - （４）上記特許請求の範囲第１項において、ステムとキ
ャップとにより作られる空間を真空とし、前記のステム
貫通孔に圧力導入用・中イブを設けたことを特徴とする
半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11874881A JPS5821131A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11874881A JPS5821131A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821131A true JPS5821131A (ja) | 1983-02-07 |
Family
ID=14744072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11874881A Pending JPS5821131A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821131A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59154332A (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPS61131567A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPS61256232A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 圧力検出素子 |
| JPS61205049U (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-24 | ||
| JPS62197036U (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-15 | ||
| JPS63233342A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPH01118230U (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-10 | ||
| US4861004A (en) * | 1987-10-27 | 1989-08-29 | Marugo Rubber Industries, Ltd. | Fluid damped elastomeric bushing |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50108975A (ja) * | 1974-02-01 | 1975-08-27 |
-
1981
- 1981-07-29 JP JP11874881A patent/JPS5821131A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50108975A (ja) * | 1974-02-01 | 1975-08-27 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59154332A (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPS61131567A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPS61256232A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 圧力検出素子 |
| JPS61205049U (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-24 | ||
| JPS62197036U (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-15 | ||
| JPS63233342A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPH071214B2 (ja) * | 1987-03-20 | 1995-01-11 | 三洋電機株式会社 | 半導体圧力センサ |
| US4861004A (en) * | 1987-10-27 | 1989-08-29 | Marugo Rubber Industries, Ltd. | Fluid damped elastomeric bushing |
| JPH01118230U (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3697917A (en) | Semiconductor strain gage pressure transducer | |
| US4399707A (en) | Stress sensitive semiconductor unit and housing means therefor | |
| US5186055A (en) | Hermetic mounting system for a pressure transducer | |
| US3817107A (en) | Semiconductor pressure transducer | |
| JPS63149531A (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
| JPS6128235B2 (ja) | ||
| US8196476B2 (en) | Flat planar pressure transducer | |
| JPS5821131A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| CN108358160A (zh) | 吊装式可释放应力的mems器件封装结构 | |
| JPS5952727A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS62194431A (ja) | 圧力センサユニツト | |
| Duqi et al. | A piezoresistive MEMS barometer with thermomecanical stress rejection | |
| JP2504737B2 (ja) | 圧力センサユニツト | |
| JPS59224534A (ja) | 圧力電気変換器 | |
| CN208200366U (zh) | 吊装式可释放应力的mems器件封装结构 | |
| JP2003028892A (ja) | 加速度センサ | |
| CN110143565A (zh) | 一种用于mems器件的封装应力隔离微结构 | |
| CN104132768A (zh) | 一种基于硅硅键合的隔离封装应力的压力传感器 | |
| JPS61272623A (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
| JPS6155789B2 (ja) | ||
| JPS5536713A (en) | Semiconductor strain gauge type absolute pressure sensor | |
| JPS595931A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS60171429A (ja) | 圧力電気変換器 | |
| JPS59174728A (ja) | 半導体式圧力センサ | |
| JPH0419495B2 (ja) |