JPS58115620A - 磁束検出型磁気ヘツド - Google Patents
磁束検出型磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS58115620A JPS58115620A JP21001281A JP21001281A JPS58115620A JP S58115620 A JPS58115620 A JP S58115620A JP 21001281 A JP21001281 A JP 21001281A JP 21001281 A JP21001281 A JP 21001281A JP S58115620 A JPS58115620 A JP S58115620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- ferrite
- groove
- tens
- nonmagnetic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録媒体対向面にギャップを形成するごと
く構成した磁気回路の一部に直列に磁界検知素子を配し
た磁束検出型磁気ヘッドに関する。
く構成した磁気回路の一部に直列に磁界検知素子を配し
た磁束検出型磁気ヘッドに関する。
近来、磁束検出型磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果素子
（以下本明細書においてはＭＲ素子と略称する。）を用
いた磁気ヘッドの研究が盛んになっており、その中で、
とくに、磁気記録媒体に摺動させて用いる磁気ヘッドに
おいては、直接、磁気抵抗効果素子が摺動する型では、
摺動雑音が大きいこと、また、摩耗代をとるのが困難で
あること２等の難点が指摘されている。この難点を排除
する手法として、第１図に断面図を模式的に示すごとく
、磁気シールド２，２′間に配置されるＭＲ素子を磁気
記録媒体から若干引込めて、該ＭＲ，寿７と磁気記録媒
体対向面との間に、高透磁率磁性体３を挿入することが
提案されている。しかし、乙のときは、十分の分解能を
得るには、上記挿入高透磁率磁性体の厚さを記録信号の
波長より小ならしめる必要があるが、一方、十分の感度
を得るには、その厚さを大きくしなければならないとい
う相反する要請があり、上記特性を同時に満足さくるこ
とが困難である。摺動雑音を低減、かつ、摩耗代を確保
する他の手法としては、磁気記録媒体対向面においてギ
ーヤソプを介して相対峙する高透磁率磁性体により構成
した磁気回路の一部にＭＲ素子を挿入することが提案さ
れている。具体的には、たとえば、第２図に示すごとく
、キャップ２１を介して相対峙するフェライト等の高透
磁率磁性材料よりなる磁気回路形成体２２．２２’の背
後に後部ギャップ２１′を設け、該後部ギャップにＭＲ
素子２５を配する案がある。しかし、この案では、磁気
回路の磁路長が長く、相対峙する磁気回路形成体間の漏
洩も大きく、十分な再生効率を得られないという難点が
ある。他の案としては、第５図に示すごとく、磁性薄膜
によって磁気回路を構成し、該磁気回路の途中にＭＲ素
子を配する案が提案されている。第３図において、３０
は非磁・性基板、６１はギャップ規制用非磁性材料、３
２３２’、３２’はパーマロイ等の高透磁率磁性薄膜で
あり、３３は高透磁率磁性薄膜３２’、３２”と磁気的
に結合したＭＲ素子である。
（以下本明細書においてはＭＲ素子と略称する。）を用
いた磁気ヘッドの研究が盛んになっており、その中で、
とくに、磁気記録媒体に摺動させて用いる磁気ヘッドに
おいては、直接、磁気抵抗効果素子が摺動する型では、
摺動雑音が大きいこと、また、摩耗代をとるのが困難で
あること２等の難点が指摘されている。この難点を排除
する手法として、第１図に断面図を模式的に示すごとく
、磁気シールド２，２′間に配置されるＭＲ素子を磁気
記録媒体から若干引込めて、該ＭＲ，寿７と磁気記録媒
体対向面との間に、高透磁率磁性体３を挿入することが
提案されている。しかし、乙のときは、十分の分解能を
得るには、上記挿入高透磁率磁性体の厚さを記録信号の
波長より小ならしめる必要があるが、一方、十分の感度
を得るには、その厚さを大きくしなければならないとい
う相反する要請があり、上記特性を同時に満足さくるこ
とが困難である。摺動雑音を低減、かつ、摩耗代を確保
する他の手法としては、磁気記録媒体対向面においてギ
ーヤソプを介して相対峙する高透磁率磁性体により構成
した磁気回路の一部にＭＲ素子を挿入することが提案さ
れている。具体的には、たとえば、第２図に示すごとく
、キャップ２１を介して相対峙するフェライト等の高透
磁率磁性材料よりなる磁気回路形成体２２．２２’の背
後に後部ギャップ２１′を設け、該後部ギャップにＭＲ
素子２５を配する案がある。しかし、この案では、磁気
回路の磁路長が長く、相対峙する磁気回路形成体間の漏
洩も大きく、十分な再生効率を得られないという難点が
ある。他の案としては、第５図に示すごとく、磁性薄膜
によって磁気回路を構成し、該磁気回路の途中にＭＲ素
子を配する案が提案されている。第３図において、３０
は非磁・性基板、６１はギャップ規制用非磁性材料、３
２３２’、３２’はパーマロイ等の高透磁率磁性薄膜で
あり、３３は高透磁率磁性薄膜３２’、３２”と磁気的
に結合したＭＲ素子である。
しかし、かくの如きヘッドでは１ＭＲ素子と対向磁気回
路形成体との距離を十分とることが困難、で、とくに、
ＭＲ素子自体の薄膜は２通常、他の磁気回路形成薄膜よ
りもきわめて薄くする必要があるため、パーミアンスが
低（、ＭＲ素子に流入する信号磁束が、途中から対向磁
気回路形成体の方へ流出してしまい、十分の出方を得る
のが困難になるとともに、ＭＲ素子内部における磁化の
方向が素子の高さ方向で大きく変化するため、信号磁束
に対する応答の線型性を得るのが困難になるという欠点
がある。
路形成体との距離を十分とることが困難、で、とくに、
ＭＲ素子自体の薄膜は２通常、他の磁気回路形成薄膜よ
りもきわめて薄くする必要があるため、パーミアンスが
低（、ＭＲ素子に流入する信号磁束が、途中から対向磁
気回路形成体の方へ流出してしまい、十分の出方を得る
のが困難になるとともに、ＭＲ素子内部における磁化の
方向が素子の高さ方向で大きく変化するため、信号磁束
に対する応答の線型性を得るのが困難になるという欠点
がある。
本発明の目的は、したがって、摺動雑音が小さく、耐摩
耗性に富み、しかも優れた再生特性を有する摺動型磁気
ヘッドに好適な磁束検出型磁気ヘッドを提供することで
ある。
耗性に富み、しかも優れた再生特性を有する摺動型磁気
ヘッドに好適な磁束検出型磁気ヘッドを提供することで
ある。
上記目的を達成するために、冒頭に述べた種類の本発明
による磁束検出型磁気ヘッドは、磁気回路の少なくとも
一部をフェライトで構成するとともに、該フェライトの
表面に溝を設け、該溝を埋。
による磁束検出型磁気ヘッドは、磁気回路の少なくとも
一部をフェライトで構成するとともに、該フェライトの
表面に溝を設け、該溝を埋。
めるごとく非磁性材料を配し、該埋込み非磁性体上に直
接または他の電気的絶縁層を介して上記磁界検知素子を
設けたことを要旨とする。
接または他の電気的絶縁層を介して上記磁界検知素子を
設けたことを要旨とする。
以下に陰間を浴面しながら実施例を用いて本発明を一層
詳しく説明するが、そ、れらは例示に過ぎ良や変形があ
り得ることは勿論である。
詳しく説明するが、そ、れらは例示に過ぎ良や変形があ
り得ることは勿論である。
本発明による磁気ヘッドは、第４図に模式的に示すごと
く、高透磁率フェライト基板４０の上面に深さ数μｍ乃
至数＋μｍ１幅数＋μ数十至数百μｍの溝４４を設け、
＃溝に非磁性材料を埋め込み、該埋め込み非磁性体４５
の上面を、上記フェライトの上面と略同−面となるごと
くなした複合基板上に上記フェライトの溝の縁の少なく
とも一方には重ならないように厚さ数十ｎｍ乃至数百ｎ
ｍのＭＲ素子４６を設け、該ＭＲ素子を重ならないよう
にした側のフェライトの表面に非磁性のギャップ規制膜
４１を介して厚さ１μｍ乃至数＋μｍの高透磁率磁性体
４２を配し、該高透磁率磁性体を上記ＭＲ素子の端部に
磁気的に結合した構造を有する。また、必要に応じて、
上記ＭＲ素子の他端部にも、上記フェライトの溝の他方
側と磁気的に結合するための高透磁率磁性体４２′が設
けられる。
く、高透磁率フェライト基板４０の上面に深さ数μｍ乃
至数＋μｍ１幅数＋μ数十至数百μｍの溝４４を設け、
＃溝に非磁性材料を埋め込み、該埋め込み非磁性体４５
の上面を、上記フェライトの上面と略同−面となるごと
くなした複合基板上に上記フェライトの溝の縁の少なく
とも一方には重ならないように厚さ数十ｎｍ乃至数百ｎ
ｍのＭＲ素子４６を設け、該ＭＲ素子を重ならないよう
にした側のフェライトの表面に非磁性のギャップ規制膜
４１を介して厚さ１μｍ乃至数＋μｍの高透磁率磁性体
４２を配し、該高透磁率磁性体を上記ＭＲ素子の端部に
磁気的に結合した構造を有する。また、必要に応じて、
上記ＭＲ素子の他端部にも、上記フェライトの溝の他方
側と磁気的に結合するための高透磁率磁性体４２′が設
けられる。
かくのごとき構造の磁気ヘッドにおいては１ＭＲ素子に
相対向する磁気回路形成体が十分遠くなるようにできる
ため、上記したような信号磁束のＭＩ（素子の途中から
の流出を防ぐことができ、信号に対する応答の線型性を
十分確保することができる。また、摺動部分の少くとも
一部がフェライトで構成されているので耐摩耗性に富み
、かつ十分に摩耗代をとることができるから、摺動型磁
気ヘッドに好適な磁束検出型磁気ヘッドを得ることがで
きる。
相対向する磁気回路形成体が十分遠くなるようにできる
ため、上記したような信号磁束のＭＩ（素子の途中から
の流出を防ぐことができ、信号に対する応答の線型性を
十分確保することができる。また、摺動部分の少くとも
一部がフェライトで構成されているので耐摩耗性に富み
、かつ十分に摩耗代をとることができるから、摺動型磁
気ヘッドに好適な磁束検出型磁気ヘッドを得ることがで
きる。
なお、上記例においては、ＭＲ素子を直接、上記複合基
板上に設けた構造を示したが、第５図に示すごとく、ギ
ャップ規制膜５１でもある磁気的および電気的絶縁層を
介してＭＲ素子５３を設けた構造とすることもできる。
板上に設けた構造を示したが、第５図に示すごとく、ギ
ャップ規制膜５１でもある磁気的および電気的絶縁層を
介してＭＲ素子５３を設けた構造とすることもできる。
とくに、フェライト５０がＭ ｎ、 −Ｚ ｎ フェラ
イトよりなるときは、 ＭＲ素子がフェライトと電気的
に継がらないようにする必要がある。かくのごとく、ギ
ャップ規制膜にＭＲ素子と基板との電気的絶縁の役を兼
ね備えさせるときは、該ＭＲ素子に磁気的に結合する磁
気回路形成体である高透磁率磁性薄膜５２．５２’が電
気良導体であるときは、上記ＭＲ・素子を絶縁膜５１′
で被覆する必要がある。
イトよりなるときは、 ＭＲ素子がフェライトと電気的
に継がらないようにする必要がある。かくのごとく、ギ
ャップ規制膜にＭＲ素子と基板との電気的絶縁の役を兼
ね備えさせるときは、該ＭＲ素子に磁気的に結合する磁
気回路形成体である高透磁率磁性薄膜５２．５２’が電
気良導体であるときは、上記ＭＲ・素子を絶縁膜５１′
で被覆する必要がある。
また、上記例には示さなかったが、ＭＲ素子には、バイ
アス磁界印加用導線、または永久磁石膜等を相近接して
配置することもできる。
アス磁界印加用導線、または永久磁石膜等を相近接して
配置することもできる。
以上説明した通り２本発明によれば、摺動雑音が小さく
、耐摩耗性に富み、しかも優れた再生特性を有する摺動
型磁気ヘッドに好適な磁束検出型。
、耐摩耗性に富み、しかも優れた再生特性を有する摺動
型磁気ヘッドに好適な磁束検出型。
磁気ヘッドを得ることができる。
第１図は従来の磁気シールド型ＭＲヘッドの−ｓ。
例を示す模式的側面図、第２図はギャップを有す。
る磁気回路の一部にＭＦＬ素子を配した従来の磁気ヘッ
ドの例を示す側面図、第３図はギャップを有。 する磁気回路の一部にＭＲ素子を配した従来の磁気ヘッ
ドの他の例を示す断面図、第４図および第。 ５図は本発明の二つの異なる実施の態様による磁１ 気
ヘッドの断面図である。 １．２３，５５，４！ｌ、５３・・・磁気抵抗効果素子
、２．。 ２′・・・磁気シールド、 ２２．２２’、 ５２．
５２’、 ５２’、 ４２．。 ４２’、 ５２．５２’・・・高透磁率磁性薄膜、２１
．２１’・・・呵。 ャップ、 ３１．４１．５１・・・ギャップ規制膜、
４ｏ。 ５０・・・フェライト基板、 ４４．５４ ・・・フ
ェライト基板に設けた溝、４５．５５・・・埋込み非磁
性体、５１′・・・絶縁膜。 代理人弁理士 中 村 純之助 十１図 才３図 ２ｆ３１ １’４図 ｆ５図
ドの例を示す側面図、第３図はギャップを有。 する磁気回路の一部にＭＲ素子を配した従来の磁気ヘッ
ドの他の例を示す断面図、第４図および第。 ５図は本発明の二つの異なる実施の態様による磁１ 気
ヘッドの断面図である。 １．２３，５５，４！ｌ、５３・・・磁気抵抗効果素子
、２．。 ２′・・・磁気シールド、 ２２．２２’、 ５２．
５２’、 ５２’、 ４２．。 ４２’、 ５２．５２’・・・高透磁率磁性薄膜、２１
．２１’・・・呵。 ャップ、 ３１．４１．５１・・・ギャップ規制膜、
４ｏ。 ５０・・・フェライト基板、 ４４．５４ ・・・フ
ェライト基板に設けた溝、４５．５５・・・埋込み非磁
性体、５１′・・・絶縁膜。 代理人弁理士 中 村 純之助 十１図 才３図 ２ｆ３１ １’４図 ｆ５図
Claims (1)
- 磁気記録媒体対向面にギャップを形成するごとく構成し
た磁気回路の一部に直列に磁界検知素子を配した磁気ヘ
ッドにおいて上記磁気回路の少なくとも一部をフェライ
トで構成するとともに、該フェライトの表面に溝を設け
、該溝を埋めるごとく非磁性材料を配し、該埋込み非磁
性体上に直接または他の電気的絶縁層を介して上記磁界
検知素子を設けたことを特徴とする磁束検出型磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21001281A JPS58115620A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 磁束検出型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21001281A JPS58115620A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 磁束検出型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58115620A true JPS58115620A (ja) | 1983-07-09 |
Family
ID=16582362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21001281A Pending JPS58115620A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 磁束検出型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58115620A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6047221A (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-14 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| US4803581A (en) * | 1983-09-26 | 1989-02-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film yoke-type magnetoresistive head |
| EP0600549A2 (en) * | 1992-12-01 | 1994-06-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thin-film magnetic head and method of manufacturing the magnetic head |
-
1981
- 1981-12-28 JP JP21001281A patent/JPS58115620A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6047221A (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-14 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| US4803581A (en) * | 1983-09-26 | 1989-02-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film yoke-type magnetoresistive head |
| EP0600549A2 (en) * | 1992-12-01 | 1994-06-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thin-film magnetic head and method of manufacturing the magnetic head |
| EP0600549A3 (en) * | 1992-12-01 | 1996-06-26 | Koninkl Philips Electronics Nv | Thin-film magnetic head and method of manufacturing the magnetic head. |
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