JPH11344377A - 赤外線検知素子およびその製造方法 - Google Patents
赤外線検知素子およびその製造方法Info
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- JPH11344377A JPH11344377A JP10153152A JP15315298A JPH11344377A JP H11344377 A JPH11344377 A JP H11344377A JP 10153152 A JP10153152 A JP 10153152A JP 15315298 A JP15315298 A JP 15315298A JP H11344377 A JPH11344377 A JP H11344377A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 106
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 21
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 226
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 16
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 16
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 9
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910018921 CoO 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000000613 ear canal Anatomy 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018106 Ni—C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000973887 Takayama Species 0.000 description 1
- 230000036760 body temperature Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱物体検知素子と絶対温度検知素子が同一基
板上に配置された、低価格で小型・コンパクトな赤外線
検知素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板１０１として（１００）面ＭｇＯ単
結晶基板を用い、その上に焦電型検知部１２０と抵抗変
化型検知部１３０の二種の素子が配置される。焦電型検
知部１２０は、Ｐｔ膜からなる下部電極１０２を介して
Ｐｂ0.9Ｌａ0.1Ｔｉ0.975Ｏ3からなる焦電体膜１０３を
配置し、その上に上部電極１０４のＮｉ−Ｃｒ膜が配置
される。抵抗変化型検知部１３０は、基板１０１上にシ
リコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層構成からなる熱的
絶縁膜１０５を介して抵抗体膜１０６が配置される。各
検知部１２０、１３０の直下の基板部分には空隙部１０
９が配置される。
板上に配置された、低価格で小型・コンパクトな赤外線
検知素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板１０１として（１００）面ＭｇＯ単
結晶基板を用い、その上に焦電型検知部１２０と抵抗変
化型検知部１３０の二種の素子が配置される。焦電型検
知部１２０は、Ｐｔ膜からなる下部電極１０２を介して
Ｐｂ0.9Ｌａ0.1Ｔｉ0.975Ｏ3からなる焦電体膜１０３を
配置し、その上に上部電極１０４のＮｉ−Ｃｒ膜が配置
される。抵抗変化型検知部１３０は、基板１０１上にシ
リコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層構成からなる熱的
絶縁膜１０５を介して抵抗体膜１０６が配置される。各
検知部１２０、１３０の直下の基板部分には空隙部１０
９が配置される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、人体などの熱物体
を検知することができると同時にその物体の輻射温度を
計測することのできる赤外線検知素子に関する。
を検知することができると同時にその物体の輻射温度を
計測することのできる赤外線検知素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、赤外線検知技術の発達により、各
種温度計測、人体検知、災害・犯罪から交通・環境の監
視などさまざまな応用展開が考えられ、放射温度計、耳
孔体温計、防犯センサ、赤外撮像素子（赤外線カメラ）
等の非接触センシングデバイスとして実用化されてい
る。赤外線検知素子としては、光電効果を利用した量子
型素子と、赤外線を熱としてとらえた熱型素子に大きく
分けられる。そして、感度は相対的に低いものの、波長
依存性がなく、冷却を必要としない熱型のものが最近注
目を浴びている。熱型素子は、その動作原理の違いで、
焦電型、抵抗変化型（ボロメータ型）、熱電対型、誘電
率変化型等がある。焦電型は、その中でも比較的感度が
高く、人体検知センサとして用いられる。また、抵抗変
化型および誘電率変化型は、抵抗変化率および誘電率が
絶対温度と一対一に対応するので、温度計測が可能であ
る。
種温度計測、人体検知、災害・犯罪から交通・環境の監
視などさまざまな応用展開が考えられ、放射温度計、耳
孔体温計、防犯センサ、赤外撮像素子（赤外線カメラ）
等の非接触センシングデバイスとして実用化されてい
る。赤外線検知素子としては、光電効果を利用した量子
型素子と、赤外線を熱としてとらえた熱型素子に大きく
分けられる。そして、感度は相対的に低いものの、波長
依存性がなく、冷却を必要としない熱型のものが最近注
目を浴びている。熱型素子は、その動作原理の違いで、
焦電型、抵抗変化型（ボロメータ型）、熱電対型、誘電
率変化型等がある。焦電型は、その中でも比較的感度が
高く、人体検知センサとして用いられる。また、抵抗変
化型および誘電率変化型は、抵抗変化率および誘電率が
絶対温度と一対一に対応するので、温度計測が可能であ
る。
【０００３】例えば、これらの熱型素子を用いた温度分
解能の良好な耳孔体温計が実現されている。すなわち、
赤外線検知部として焦電材料を用い、圧電チョッパによ
り高感度化するとともに熱源（耳孔内）温度とチョッパ
温度との温度差を検出している。さらに、接触型のサー
ミスタ素子を用いることにより、チョッパの絶対温度を
測定する。焦電素子の温度差データとサーミスタ素子の
温度値より、熱源温度（体温）を算出している。焦電型
赤外線検知素子には、感度を向上させるためにランタン
を添加したチタン酸鉛系強誘電体（ＰＬＴ）薄膜（例え
ば、高山ら：JOUNAL of APPLIED PHYSICS 63(12),1988
p5868-5872）を用い、支持体にはＭｇＯ基板の表面マイ
クロマシンニングにより形成したマイクロキャビティ
（小谷ら：JAPANESE JOUNAL of APPLIED PHYSICS 32,19
93 p6297-6300）を有する構成により熱絶縁性を高め、
構造的にも高感度・高分解能化したものを用いている。
これとは別に圧電チョッパ自体にサーミスタ温度検知素
子を接続している。このような耳孔体温計などの赤外線
検知素子を用いることにより、非接触で熱物体検知や、
温度計測が行えるという利点を有する。
解能の良好な耳孔体温計が実現されている。すなわち、
赤外線検知部として焦電材料を用い、圧電チョッパによ
り高感度化するとともに熱源（耳孔内）温度とチョッパ
温度との温度差を検出している。さらに、接触型のサー
ミスタ素子を用いることにより、チョッパの絶対温度を
測定する。焦電素子の温度差データとサーミスタ素子の
温度値より、熱源温度（体温）を算出している。焦電型
赤外線検知素子には、感度を向上させるためにランタン
を添加したチタン酸鉛系強誘電体（ＰＬＴ）薄膜（例え
ば、高山ら：JOUNAL of APPLIED PHYSICS 63(12),1988
p5868-5872）を用い、支持体にはＭｇＯ基板の表面マイ
クロマシンニングにより形成したマイクロキャビティ
（小谷ら：JAPANESE JOUNAL of APPLIED PHYSICS 32,19
93 p6297-6300）を有する構成により熱絶縁性を高め、
構造的にも高感度・高分解能化したものを用いている。
これとは別に圧電チョッパ自体にサーミスタ温度検知素
子を接続している。このような耳孔体温計などの赤外線
検知素子を用いることにより、非接触で熱物体検知や、
温度計測が行えるという利点を有する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
従来例のような構成では、熱源検知用素子と絶対温度検
知用素子をそれぞれ別々に作り、それぞれ別々の構成部
品として個別に組み込むため、トータルの製造工程が多
くなるとともに製造コスト・時間がかかり、その結果、
製品価格が高くなるという問題があった。また、それぞ
れ別々の素子部品であり、独自のサイズを持っているた
め、全体として小型化するには限界があった。本発明
は、上記課題を解決するもので、高感度で、小型・コン
パクト化した低価格の赤外線検出素子、およびその素子
構成を実現する製造方法を提供することを目的としてい
る。
従来例のような構成では、熱源検知用素子と絶対温度検
知用素子をそれぞれ別々に作り、それぞれ別々の構成部
品として個別に組み込むため、トータルの製造工程が多
くなるとともに製造コスト・時間がかかり、その結果、
製品価格が高くなるという問題があった。また、それぞ
れ別々の素子部品であり、独自のサイズを持っているた
め、全体として小型化するには限界があった。本発明
は、上記課題を解決するもので、高感度で、小型・コン
パクト化した低価格の赤外線検出素子、およびその素子
構成を実現する製造方法を提供することを目的としてい
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の第一の赤外線検知素子は、同一基板上に焦
電型検知部および抵抗変化型検知部をともに配置した構
成をとる。また、本発明の第二の赤外線検知素子は、同
一基板上に焦電型検知部および誘電率変化型検知部をと
もに配置した構成をとる。さらに、本発明の第三の赤外
線検知素子は、同一基板上に抵抗変化型検知部および誘
電率変化型検知部をともに配置した構成をとる。
め、本発明の第一の赤外線検知素子は、同一基板上に焦
電型検知部および抵抗変化型検知部をともに配置した構
成をとる。また、本発明の第二の赤外線検知素子は、同
一基板上に焦電型検知部および誘電率変化型検知部をと
もに配置した構成をとる。さらに、本発明の第三の赤外
線検知素子は、同一基板上に抵抗変化型検知部および誘
電率変化型検知部をともに配置した構成をとる。
【０００６】本発明の赤外線検知素子においては、各検
知部の直下の基板部に空隙部を設けることが望ましい。
また、基板としてＭｇＯ単結晶基板、あるいはＭｇＯ、
ＮｉＯ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物膜積層基
板、またはＳｉ等の半導体単結晶基板を用いることが望
ましい。素子を構成する焦電型検知部材料としては、鉛
系強誘電体あるいはビスマス系強誘電体を用いることが
望ましい。抵抗変化型検知部材料としては、酸化バナジ
ウム、多結晶シリコンあるいはチタンを用いることが望
ましい。また、誘電率変化型検知部材料としては、チタ
ン酸鉛ランタン（ＰＬＴ）系あるいはチタン酸バリウム
ストロンチウム（ＢＳＴ）系を用いることが望ましい。
焦電型検知部の下部電極材料としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉ
ｒ、Ａｕ、ＲｕＯｘあるいは（Ｌａ,Ｓｒ）ＣｏＯ3を用
いることが望ましい。誘電率変化型検知部の下部電極材
料としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ａｕ、ＲｕＯｘあるい
は（Ｌａ,Ｓｒ）ＣｏＯ3を用いることが望ましい。
知部の直下の基板部に空隙部を設けることが望ましい。
また、基板としてＭｇＯ単結晶基板、あるいはＭｇＯ、
ＮｉＯ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物膜積層基
板、またはＳｉ等の半導体単結晶基板を用いることが望
ましい。素子を構成する焦電型検知部材料としては、鉛
系強誘電体あるいはビスマス系強誘電体を用いることが
望ましい。抵抗変化型検知部材料としては、酸化バナジ
ウム、多結晶シリコンあるいはチタンを用いることが望
ましい。また、誘電率変化型検知部材料としては、チタ
ン酸鉛ランタン（ＰＬＴ）系あるいはチタン酸バリウム
ストロンチウム（ＢＳＴ）系を用いることが望ましい。
焦電型検知部の下部電極材料としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉ
ｒ、Ａｕ、ＲｕＯｘあるいは（Ｌａ,Ｓｒ）ＣｏＯ3を用
いることが望ましい。誘電率変化型検知部の下部電極材
料としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ａｕ、ＲｕＯｘあるい
は（Ｌａ,Ｓｒ）ＣｏＯ3を用いることが望ましい。
【０００７】本発明の第一の赤外線検知素子の製造方法
は、基板上に下部電極および焦電体膜を順次形成する工
程、前記下部電極および前記焦電体膜を選択的にパター
ン加工する工程、パターン加工により露出した基板上に
選択的に抵抗体膜を形成する工程、および前記パターン
加工後に残存する焦電体膜上に選択的に上部電極を形成
する工程を有する。ここにおいて、前記抵抗体膜を形成
する際に、パターン加工により一部露出する基板面上に
選択的に、まず熱的絶縁膜を形成し、その熱的絶縁膜上
に抵抗体膜を形成することが望ましい。さらに、焦電体
膜および抵抗体膜の側部に、基板にまで到るエッチング
ホールを複数個設け、これらのエッチングホールよりエ
ッチング液を用いて焦電体膜および抵抗体膜直下の基板
部分に空隙部を形成することが望ましい。
は、基板上に下部電極および焦電体膜を順次形成する工
程、前記下部電極および前記焦電体膜を選択的にパター
ン加工する工程、パターン加工により露出した基板上に
選択的に抵抗体膜を形成する工程、および前記パターン
加工後に残存する焦電体膜上に選択的に上部電極を形成
する工程を有する。ここにおいて、前記抵抗体膜を形成
する際に、パターン加工により一部露出する基板面上に
選択的に、まず熱的絶縁膜を形成し、その熱的絶縁膜上
に抵抗体膜を形成することが望ましい。さらに、焦電体
膜および抵抗体膜の側部に、基板にまで到るエッチング
ホールを複数個設け、これらのエッチングホールよりエ
ッチング液を用いて焦電体膜および抵抗体膜直下の基板
部分に空隙部を形成することが望ましい。
【０００８】本発明の第二の赤外線検知素子の製造方法
は、基板上に下部電極を形成する工程、前記下部電極上
に焦電体膜を形成する工程、前記焦電体膜を選択的にパ
ターン加工する工程、パターン加工により露出した下部
電極上に選択的に誘電体膜を形成する工程、および前記
パターン加工後に残存する焦電体膜および誘電体膜上に
選択的に上部電極を形成する工程を有する。また、本発
明の第三の赤外線検知素子の製造方法は、基板上に下部
電極を形成する工程、前記下部電極上に誘電体膜を形成
する工程、前記誘電体膜を選択的にパターン加工する工
程、パターン加工により露出した下部電極上に選択的に
焦電体膜を形成する工程、前記パターン加工後に残存す
る誘電体膜および焦電体膜上に選択的に上部電極を形成
する工程を有する。本発明の第二および第三の製造方法
においては、焦電体膜および誘電体膜の側部に、基板に
まで到るエッチングホールを複数個設け、これらエッチ
ングホールよりエッチング液を用いて焦電体膜および誘
電体膜直下の基板部分に空隙部を形成することが望まし
い。
は、基板上に下部電極を形成する工程、前記下部電極上
に焦電体膜を形成する工程、前記焦電体膜を選択的にパ
ターン加工する工程、パターン加工により露出した下部
電極上に選択的に誘電体膜を形成する工程、および前記
パターン加工後に残存する焦電体膜および誘電体膜上に
選択的に上部電極を形成する工程を有する。また、本発
明の第三の赤外線検知素子の製造方法は、基板上に下部
電極を形成する工程、前記下部電極上に誘電体膜を形成
する工程、前記誘電体膜を選択的にパターン加工する工
程、パターン加工により露出した下部電極上に選択的に
焦電体膜を形成する工程、前記パターン加工後に残存す
る誘電体膜および焦電体膜上に選択的に上部電極を形成
する工程を有する。本発明の第二および第三の製造方法
においては、焦電体膜および誘電体膜の側部に、基板に
まで到るエッチングホールを複数個設け、これらエッチ
ングホールよりエッチング液を用いて焦電体膜および誘
電体膜直下の基板部分に空隙部を形成することが望まし
い。
【０００９】本発明の第四の赤外線検知素子の製造方法
は、基板上に下部電極を形成する工程、前記下部電極上
に誘電体膜を形成する工程、前記下部電極および前記誘
電体膜を選択的にパターン加工する工程、前記パターン
加工後に露出した基板上に選択的に抵抗体膜を形成する
工程、および前記パターン加工後に残存する誘電体膜上
に選択的に上部電極を形成する工程を有する。ここにお
いて、抵抗体膜を形成する際に、パターン加工により一
部露出する基板面上に選択的に、まず熱的絶縁膜を形成
し、その熱的絶縁膜上に抵抗体膜を形成することが望ま
しい。さらに、誘電体膜および抵抗体膜の側部に、基板
にまで到るエッチングホールを複数個設け、これらエッ
チングホールよりエッチング液を用いて誘電体膜および
抵抗体膜直下の基板部分に空隙部を形成することが望ま
しい。
は、基板上に下部電極を形成する工程、前記下部電極上
に誘電体膜を形成する工程、前記下部電極および前記誘
電体膜を選択的にパターン加工する工程、前記パターン
加工後に露出した基板上に選択的に抵抗体膜を形成する
工程、および前記パターン加工後に残存する誘電体膜上
に選択的に上部電極を形成する工程を有する。ここにお
いて、抵抗体膜を形成する際に、パターン加工により一
部露出する基板面上に選択的に、まず熱的絶縁膜を形成
し、その熱的絶縁膜上に抵抗体膜を形成することが望ま
しい。さらに、誘電体膜および抵抗体膜の側部に、基板
にまで到るエッチングホールを複数個設け、これらエッ
チングホールよりエッチング液を用いて誘電体膜および
抵抗体膜直下の基板部分に空隙部を形成することが望ま
しい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図を用いて説明する。 《実施の形態１》図１は本発明の第一の赤外線検知素子
１００の断面図を示す。この赤外線検知素子は、基板１
０１として（１００）面で劈開し鏡面研磨処理したＭｇ
Ｏ単結晶基板を用い、その上に焦電型検知部１２０と抵
抗変化型検知部１３０の二種の素子を配置した構成を有
する。焦電型検知部１２０においては、下部電極１０２
のＰｔ膜を介して焦電体膜１０３としてＰｂ0.9Ｌａ0.1
Ｔｉ0.975Ｏ3（ＰＬＴ）膜を配置し、焦電体膜１０３上
に上部電極１０４のＮｉ−Ｃｒ膜が配置されている。ま
た、抵抗変化型検知部１３０においては、基板１０１上
に熱的絶縁膜１０５を介して抵抗体膜１０６が配置され
ている。絶縁膜１０５としては、シリコン酸化膜とシリ
コン窒化膜の積層構成をとっている。各検知部１２０、
１３０の直下の基板部分には、感度を高めるために空隙
部１０９を配置し、熱拡散をできるだけ抑えた構造とし
ている。また、各検知部１２０、１３０において空隙部
１０９の導入による素子膜の変形や破損を防止するた
め、ポリイミドなどの樹脂膜１０７を配置し、機械的強
度を保つ構成としている。
て、図を用いて説明する。 《実施の形態１》図１は本発明の第一の赤外線検知素子
１００の断面図を示す。この赤外線検知素子は、基板１
０１として（１００）面で劈開し鏡面研磨処理したＭｇ
Ｏ単結晶基板を用い、その上に焦電型検知部１２０と抵
抗変化型検知部１３０の二種の素子を配置した構成を有
する。焦電型検知部１２０においては、下部電極１０２
のＰｔ膜を介して焦電体膜１０３としてＰｂ0.9Ｌａ0.1
Ｔｉ0.975Ｏ3（ＰＬＴ）膜を配置し、焦電体膜１０３上
に上部電極１０４のＮｉ−Ｃｒ膜が配置されている。ま
た、抵抗変化型検知部１３０においては、基板１０１上
に熱的絶縁膜１０５を介して抵抗体膜１０６が配置され
ている。絶縁膜１０５としては、シリコン酸化膜とシリ
コン窒化膜の積層構成をとっている。各検知部１２０、
１３０の直下の基板部分には、感度を高めるために空隙
部１０９を配置し、熱拡散をできるだけ抑えた構造とし
ている。また、各検知部１２０、１３０において空隙部
１０９の導入による素子膜の変形や破損を防止するた
め、ポリイミドなどの樹脂膜１０７を配置し、機械的強
度を保つ構成としている。
【００１１】以上のように構成された赤外線検知素子１
００の製造方法について図２および図３を用いて説明す
る。まず、ＭｇＯ単結晶基板１０１上に、ＲＦマグネト
ロンスパッタ法により、下部電極となる厚み２００ｎｍ
のＰｔ薄膜１０２を形成する（図２（ａ））。ここで、
Ｐｔ膜１０２はＭｇＯ基板の（１００）面に結晶配向す
るように形成する。Ｐｔ膜１０２の形成は、例えば、板
状のＰｔターゲットを用い、基板温度を６００℃、Ａｒ
ガスをスパッタガスとし、ガス圧を１Ｐａ、ＲＦ電力密
度１.３Ｗ／ｃｍ2の成膜条件で行われる。次に、Ｐｔ下
部電極膜１０２上に、ＲＦマグネトロンスパッタ法によ
り、厚み３μｍのＰＬＴ焦電体薄膜１０３を形成する
（図２（ｂ））。ＰＬＴ膜１０３の形成は、例えば、Ｐ
ＬＴ焼結体ターゲット（上記した膜組成にＰｂＯを２０
ｍｏｌ％添加した組成の焼結体）を用い、基板温度を５
８０℃、ガス比Ａｒ：Ｏ2＝２５：１の混合ガスをスパ
ッタガスとし、ガス圧０.４Ｐａ、ＲＦ電力密度２.３Ｗ
／ｃｍ2の成膜条件で行われる。
００の製造方法について図２および図３を用いて説明す
る。まず、ＭｇＯ単結晶基板１０１上に、ＲＦマグネト
ロンスパッタ法により、下部電極となる厚み２００ｎｍ
のＰｔ薄膜１０２を形成する（図２（ａ））。ここで、
Ｐｔ膜１０２はＭｇＯ基板の（１００）面に結晶配向す
るように形成する。Ｐｔ膜１０２の形成は、例えば、板
状のＰｔターゲットを用い、基板温度を６００℃、Ａｒ
ガスをスパッタガスとし、ガス圧を１Ｐａ、ＲＦ電力密
度１.３Ｗ／ｃｍ2の成膜条件で行われる。次に、Ｐｔ下
部電極膜１０２上に、ＲＦマグネトロンスパッタ法によ
り、厚み３μｍのＰＬＴ焦電体薄膜１０３を形成する
（図２（ｂ））。ＰＬＴ膜１０３の形成は、例えば、Ｐ
ＬＴ焼結体ターゲット（上記した膜組成にＰｂＯを２０
ｍｏｌ％添加した組成の焼結体）を用い、基板温度を５
８０℃、ガス比Ａｒ：Ｏ2＝２５：１の混合ガスをスパ
ッタガスとし、ガス圧０.４Ｐａ、ＲＦ電力密度２.３Ｗ
／ｃｍ2の成膜条件で行われる。
【００１２】次に、ＰＬＴ膜１０３のパターニングを行
う（図２（ｃ））。レジストをスピンコートし、フォト
リソグラフィによりレジストを加工し、フッ硝酸を用い
たウエットエッチングにより膜１０３の一部をエッチン
グ除去し、Ｐｔ膜１０２を一部露出させ、レジストを除
去する。次に、露出させたＰｔ膜１０２のパターニング
を行う（図２（ｄ））。レジストをスピンコートし、フ
ォトリソグラフィによりレジストを加工し、Ａｒガスを
用いたスパッタエッチングによりＰｔ膜露出面の一部を
除去し、基板１０１面を露出させ、レジストを除去す
る。次に、露出させた基板１０１面上にＲＦマグネトロ
ンスパッタ法により熱絶縁膜１０５を形成する（図２
（ｅ））。この場合、絶縁膜１０５は、露出した基板１
０１面上の所定の位置に選択的に形成する必要があるた
め、例えば、メタルマスク等を用いて成膜する。また絶
縁膜１０５としては、熱伝導率の比較的小さいＳｉＯ2
膜と、機械的強度の大きなＳｉＮ膜の三層の積層構成
（ＳｉＯ2（１００ｎｍ）／ＳｉＮ（２００ｎｍ）／Ｓ
ｉＯ2（１００ｎｍ））を用いる。ＳｉＯ2膜の形成は、
例えば、板状の石英ターゲットを用い、基板温度を２５
０℃、ガス比Ａｒ：Ｏ2＝１：１の混合スパッタガスを
用い、ガス圧を０.５Ｐａ、ＲＦ電力密度２.５Ｗ／ｃｍ
2の条件で行われる。また、ＳｉＮ膜の形成は、例え
ば、シリコン板状ターゲットを用い、基板温度２５０
℃、ガス圧０.５Ｐａ（Ａｒ：Ｎ2＝１：１の混合ガ
ス）、ＲＦ電力密度１.９Ｗ／ｃｍ2の成膜条件で行われ
る。
う（図２（ｃ））。レジストをスピンコートし、フォト
リソグラフィによりレジストを加工し、フッ硝酸を用い
たウエットエッチングにより膜１０３の一部をエッチン
グ除去し、Ｐｔ膜１０２を一部露出させ、レジストを除
去する。次に、露出させたＰｔ膜１０２のパターニング
を行う（図２（ｄ））。レジストをスピンコートし、フ
ォトリソグラフィによりレジストを加工し、Ａｒガスを
用いたスパッタエッチングによりＰｔ膜露出面の一部を
除去し、基板１０１面を露出させ、レジストを除去す
る。次に、露出させた基板１０１面上にＲＦマグネトロ
ンスパッタ法により熱絶縁膜１０５を形成する（図２
（ｅ））。この場合、絶縁膜１０５は、露出した基板１
０１面上の所定の位置に選択的に形成する必要があるた
め、例えば、メタルマスク等を用いて成膜する。また絶
縁膜１０５としては、熱伝導率の比較的小さいＳｉＯ2
膜と、機械的強度の大きなＳｉＮ膜の三層の積層構成
（ＳｉＯ2（１００ｎｍ）／ＳｉＮ（２００ｎｍ）／Ｓ
ｉＯ2（１００ｎｍ））を用いる。ＳｉＯ2膜の形成は、
例えば、板状の石英ターゲットを用い、基板温度を２５
０℃、ガス比Ａｒ：Ｏ2＝１：１の混合スパッタガスを
用い、ガス圧を０.５Ｐａ、ＲＦ電力密度２.５Ｗ／ｃｍ
2の条件で行われる。また、ＳｉＮ膜の形成は、例え
ば、シリコン板状ターゲットを用い、基板温度２５０
℃、ガス圧０.５Ｐａ（Ａｒ：Ｎ2＝１：１の混合ガ
ス）、ＲＦ電力密度１.９Ｗ／ｃｍ2の成膜条件で行われ
る。
【００１３】次に、絶縁膜１０５上にＲＦマグネトロン
スパッタ法により、酸化バナジウムＶＯｘ（ｘ＝約２）
からなる抵抗体薄膜１０６を厚み２００ｎｍ形成する
（図３（ｆ））。この場合もメタルマスク等を用いて選
択的に成膜する。抵抗膜１０６の形成には、バナジウム
金属ターゲットを用い、基板温度を３５０℃、ガス圧
０.８Ｐａ（ガス比Ａｒ：Ｏ2＝１：１の混合スパッタガ
ス）、ＲＦ電力密度１.９Ｗ／ｃｍ2の成膜条件で行われ
る。次に、フォトニース等の感光性ポリイミド樹脂膜１
０７を厚み２μｍ形成し、引き続き、上部電極１０４と
してＮｉ−Ｃｒ膜を選択的にエッチングで残存させた焦
電体膜１０３上に、メタルマスク等を用いて所望の位置
にＤＣスパッタ法により厚み１０ｎｍ形成する（図３
（ｇ））。樹脂膜１０７の形成は、感光性ポリイミドを
スピンコーターにより塗布し、フォトリソグラフィによ
り所望の形状に加工した後、硬化させる。上部電極膜１
０４の形成は、例えば、Ｎｉ−Ｃｒターゲットを用い、
ガス圧０.７ＰａのＡｒスパッタガス雰囲気で、電力密
度１.３Ｗ／ｃｍ2により基板を加熱しない条件で行う。
次に、焦電体膜１０３および抵抗体膜１０６の側部に、
基板にまで到るＡｒガスのスパッタエッチングによりエ
ッチングホール１０８を複数個設け（図３（ｈ））、最
後に、エッチングホール１０８より燐酸（８０℃に加
熱）などのエッチング液を用いて焦電体膜１０３および
抵抗体膜１０６直下の基板部分に、ウエットエッチング
により空隙部１０９を形成する（図３（ｉ））。
スパッタ法により、酸化バナジウムＶＯｘ（ｘ＝約２）
からなる抵抗体薄膜１０６を厚み２００ｎｍ形成する
（図３（ｆ））。この場合もメタルマスク等を用いて選
択的に成膜する。抵抗膜１０６の形成には、バナジウム
金属ターゲットを用い、基板温度を３５０℃、ガス圧
０.８Ｐａ（ガス比Ａｒ：Ｏ2＝１：１の混合スパッタガ
ス）、ＲＦ電力密度１.９Ｗ／ｃｍ2の成膜条件で行われ
る。次に、フォトニース等の感光性ポリイミド樹脂膜１
０７を厚み２μｍ形成し、引き続き、上部電極１０４と
してＮｉ−Ｃｒ膜を選択的にエッチングで残存させた焦
電体膜１０３上に、メタルマスク等を用いて所望の位置
にＤＣスパッタ法により厚み１０ｎｍ形成する（図３
（ｇ））。樹脂膜１０７の形成は、感光性ポリイミドを
スピンコーターにより塗布し、フォトリソグラフィによ
り所望の形状に加工した後、硬化させる。上部電極膜１
０４の形成は、例えば、Ｎｉ−Ｃｒターゲットを用い、
ガス圧０.７ＰａのＡｒスパッタガス雰囲気で、電力密
度１.３Ｗ／ｃｍ2により基板を加熱しない条件で行う。
次に、焦電体膜１０３および抵抗体膜１０６の側部に、
基板にまで到るＡｒガスのスパッタエッチングによりエ
ッチングホール１０８を複数個設け（図３（ｈ））、最
後に、エッチングホール１０８より燐酸（８０℃に加
熱）などのエッチング液を用いて焦電体膜１０３および
抵抗体膜１０６直下の基板部分に、ウエットエッチング
により空隙部１０９を形成する（図３（ｉ））。
【００１４】このように形成した赤外線検知素子１００
は、ＰＬＴ焦電体膜１０３、ＶＯ2抵抗体膜１０６とも
に結晶性の良好な配向膜が得られており、結果として、
焦電型検知部１２０、抵抗変化型検知部１３０ともに赤
外線検出器としての良好な電気的特性が得られた。ここ
で、基板１０１として（１００）面に配向したＭｇＯ、
ＮｉＯ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物膜を積層し
た基板（例えば結晶化ガラス基板）を用いても焦電体膜
および抵抗体膜の膜特性を損なうことなく、同様の結果
が得られた。また、基板１０１としてＳｉ半導体基板を
用いた場合も、（１００）面に配向したＭｇＯ、Ｎｉ
Ｏ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物膜を緩衝層とし
てＳｉ基板上に配置することにより、焦電体膜および抵
抗体膜の膜特性を損なうことなく、同様の結果が得られ
た。特に、基板としてＳｉを用いた場合、熱拡散防止用
の空隙層１０９の形成についてＳｉマイクロマシニング
技術が応用できるとともに、焦電型検知部や抵抗変化型
検知部で発生する電気信号の読み出し回路をあらかじめ
形成しておくことにより、信号処理部との一体化が図
れ、さらなる小型化、低コスト化が可能となる。
は、ＰＬＴ焦電体膜１０３、ＶＯ2抵抗体膜１０６とも
に結晶性の良好な配向膜が得られており、結果として、
焦電型検知部１２０、抵抗変化型検知部１３０ともに赤
外線検出器としての良好な電気的特性が得られた。ここ
で、基板１０１として（１００）面に配向したＭｇＯ、
ＮｉＯ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物膜を積層し
た基板（例えば結晶化ガラス基板）を用いても焦電体膜
および抵抗体膜の膜特性を損なうことなく、同様の結果
が得られた。また、基板１０１としてＳｉ半導体基板を
用いた場合も、（１００）面に配向したＭｇＯ、Ｎｉ
Ｏ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物膜を緩衝層とし
てＳｉ基板上に配置することにより、焦電体膜および抵
抗体膜の膜特性を損なうことなく、同様の結果が得られ
た。特に、基板としてＳｉを用いた場合、熱拡散防止用
の空隙層１０９の形成についてＳｉマイクロマシニング
技術が応用できるとともに、焦電型検知部や抵抗変化型
検知部で発生する電気信号の読み出し回路をあらかじめ
形成しておくことにより、信号処理部との一体化が図
れ、さらなる小型化、低コスト化が可能となる。
【００１５】また、下部電極１０２として、Ｐｄ、Ｉ
ｒ、Ａｕ、ＲｕＯ2あるいは（Ｌａ,Ｓｒ）ＣｏＯ3を用
いても焦電体薄膜１０３の特性を損なうことなく、同様
の結果が得られた。また、焦電体材料としてビスマス系
強誘電体、例えば、ＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9薄膜を用いた場
合も鉛系強誘電体材料の焦電特性よりは少し感度は落ち
るものの、同様に使用するには十分な結果が得られた。
また、抵抗体材料として多結晶ＳｉあるいはＴｉを用い
た場合もＶＯ2と比較して感度は少し落ちるものの、同
様に使用するには十分な結果が得られた。従って、本発
明の赤外線検知素子の構成およびそれを実現しうる製造
方法を用いることにより、従来の素子に比べ、感度特性
で劣ることなく、小型・コンパクト化が実現できるとと
もに、製造工程の簡略化、製造時間の短縮化が図れ、低
コストの素子を提供することができる。
ｒ、Ａｕ、ＲｕＯ2あるいは（Ｌａ,Ｓｒ）ＣｏＯ3を用
いても焦電体薄膜１０３の特性を損なうことなく、同様
の結果が得られた。また、焦電体材料としてビスマス系
強誘電体、例えば、ＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9薄膜を用いた場
合も鉛系強誘電体材料の焦電特性よりは少し感度は落ち
るものの、同様に使用するには十分な結果が得られた。
また、抵抗体材料として多結晶ＳｉあるいはＴｉを用い
た場合もＶＯ2と比較して感度は少し落ちるものの、同
様に使用するには十分な結果が得られた。従って、本発
明の赤外線検知素子の構成およびそれを実現しうる製造
方法を用いることにより、従来の素子に比べ、感度特性
で劣ることなく、小型・コンパクト化が実現できるとと
もに、製造工程の簡略化、製造時間の短縮化が図れ、低
コストの素子を提供することができる。
【００１６】《実施の形態２》次に、本発明の第二の赤
外線検知素子について図４を用いて説明する。赤外線検
知素子２００は、基板２０１として（１００）面のＭｇ
Ｏ単結晶基板を用い、その上に焦電型検知部２２０と誘
電率変化型検知部２３０の二種の素子が配置された構成
を有する。焦電型検知部２２０においては、共通の下部
電極２０２を介して焦電体膜２０３としてＰｂ0.9Ｌａ
0.1Ｔｉ0.975Ｏ3（ＰＬＴ１０）膜を配置し、焦電体膜
２０３上に上部電極２０４のＮｉ−Ｃｒ膜が配置されて
いる。また、誘電率変化型検知部２３０においては、基
板２０１上に共通の下部電極２０２を介して誘電体膜２
０５として例えばＰｂ0.75Ｌａ0.25Ｔｉ0.9375Ｏ3（Ｐ
ＬＴ２５）膜が配置されている。各検知部２２０、２３
０の直下の基板部分には、熱拡散防止を目的とする空隙
部２０９を配置している。また、実施の形態１と同様
に、ポリイミドなどの樹脂膜２０７を配置し、機械的強
度を保つ構成としている。
外線検知素子について図４を用いて説明する。赤外線検
知素子２００は、基板２０１として（１００）面のＭｇ
Ｏ単結晶基板を用い、その上に焦電型検知部２２０と誘
電率変化型検知部２３０の二種の素子が配置された構成
を有する。焦電型検知部２２０においては、共通の下部
電極２０２を介して焦電体膜２０３としてＰｂ0.9Ｌａ
0.1Ｔｉ0.975Ｏ3（ＰＬＴ１０）膜を配置し、焦電体膜
２０３上に上部電極２０４のＮｉ−Ｃｒ膜が配置されて
いる。また、誘電率変化型検知部２３０においては、基
板２０１上に共通の下部電極２０２を介して誘電体膜２
０５として例えばＰｂ0.75Ｌａ0.25Ｔｉ0.9375Ｏ3（Ｐ
ＬＴ２５）膜が配置されている。各検知部２２０、２３
０の直下の基板部分には、熱拡散防止を目的とする空隙
部２０９を配置している。また、実施の形態１と同様
に、ポリイミドなどの樹脂膜２０７を配置し、機械的強
度を保つ構成としている。
【００１７】以上のように構成された赤外線検知素子２
００の製造方法について図５および図６を用いて説明す
る。まず、ＭｇＯ単結晶基板２０１上にＲＦマグネトロ
ンスパッタ法により、下部電極となる厚み２００ｎｍの
Ｐｔ薄膜２０２を形成する（図５（ａ））。Ｐｔ膜２０
２の形成は、実施の形態１と同様の成膜条件で行われ
る。次に、Ｐｔ下部電極膜２０２上にＲＦマグネトロン
スパッタ法により、厚み３μｍのＰＬＴ１０焦電体薄膜
２０３を形成する（図５（ｂ））。ＰＬＴ１０膜２０３
の形成についても実施の形態１と同様の成膜条件で行わ
れる。次に、焦電膜２０３のパターニングを行う（図５
（ｃ））。レジストをスピンコートし、フォトリソグラ
フィによりレジストを加工し、フッ硝酸を用いたウエッ
トエッチングにより膜２０３の一部をエッチング除去
し、Ｐｔ膜２０２面を一部露出させ、レジストを除去す
る。次に、露出させたＰｔ膜２０２面上にＲＦマグネト
ロンスパッタ法により、例えばメタルマスク等を用い
て、所定の位置に選択的に誘電体膜としてＰＬＴ２５膜
２０５を厚み３μｍ程度形成する（図５（ｄ））。誘電
体膜２０５の形成は、例えば、ＰＬＴ２５焼結体ターゲ
ット（上記した膜組成にＰｂＯを２０ｍｏｌ％添加した
組成の焼結体）を用い、基板温度を５５０℃、ガス比Ａ
ｒ：Ｏ2＝２０：１の混合ガスをスパッタガスとし、ガ
ス圧０.４Ｐａ、ＲＦ電力密度２.３Ｗ／ｃｍ2の成膜条
件で行われる。
００の製造方法について図５および図６を用いて説明す
る。まず、ＭｇＯ単結晶基板２０１上にＲＦマグネトロ
ンスパッタ法により、下部電極となる厚み２００ｎｍの
Ｐｔ薄膜２０２を形成する（図５（ａ））。Ｐｔ膜２０
２の形成は、実施の形態１と同様の成膜条件で行われ
る。次に、Ｐｔ下部電極膜２０２上にＲＦマグネトロン
スパッタ法により、厚み３μｍのＰＬＴ１０焦電体薄膜
２０３を形成する（図５（ｂ））。ＰＬＴ１０膜２０３
の形成についても実施の形態１と同様の成膜条件で行わ
れる。次に、焦電膜２０３のパターニングを行う（図５
（ｃ））。レジストをスピンコートし、フォトリソグラ
フィによりレジストを加工し、フッ硝酸を用いたウエッ
トエッチングにより膜２０３の一部をエッチング除去
し、Ｐｔ膜２０２面を一部露出させ、レジストを除去す
る。次に、露出させたＰｔ膜２０２面上にＲＦマグネト
ロンスパッタ法により、例えばメタルマスク等を用い
て、所定の位置に選択的に誘電体膜としてＰＬＴ２５膜
２０５を厚み３μｍ程度形成する（図５（ｄ））。誘電
体膜２０５の形成は、例えば、ＰＬＴ２５焼結体ターゲ
ット（上記した膜組成にＰｂＯを２０ｍｏｌ％添加した
組成の焼結体）を用い、基板温度を５５０℃、ガス比Ａ
ｒ：Ｏ2＝２０：１の混合ガスをスパッタガスとし、ガ
ス圧０.４Ｐａ、ＲＦ電力密度２.３Ｗ／ｃｍ2の成膜条
件で行われる。
【００１８】次に、フォトニース等のポリイミド樹脂膜
２０７を厚み２μｍ形成する（図６（ｅ））。樹脂膜２
０７の形成は、実施の形態１と同様にフォトニース等の
感光性ポリイミドのスピンコート、フォトリソ加工によ
り行う。引き続いて、上部電極２０４としてＮｉ−Ｃｒ
膜を選択的にエッチングで残存させた焦電体膜２０３お
よび誘電体膜２０５上に、メタルマスク等を用いて所望
の位置にＤＣスパッタ法により厚み１０ｎｍ形成する
（図６（ｆ））。上部電極２０４膜の形成についても、
実施の形態１と同様の条件で行う。次に、焦電体膜２０
３および誘電体膜２０５の側部に、基板にまで到るＡｒ
ガスのスパッタエッチングによりエッチングホール２０
８を複数個設け（図６（ｇ））、最後に、エッチングホ
ール２０８より燐酸などのエッチャントを用いて、実施
の形態１と同様に焦電体膜２０３、誘電体膜２０５直下
の基板部分に、ウエットエッチングにより空隙部２０９
を形成する（図６（ｈ））。
２０７を厚み２μｍ形成する（図６（ｅ））。樹脂膜２
０７の形成は、実施の形態１と同様にフォトニース等の
感光性ポリイミドのスピンコート、フォトリソ加工によ
り行う。引き続いて、上部電極２０４としてＮｉ−Ｃｒ
膜を選択的にエッチングで残存させた焦電体膜２０３お
よび誘電体膜２０５上に、メタルマスク等を用いて所望
の位置にＤＣスパッタ法により厚み１０ｎｍ形成する
（図６（ｆ））。上部電極２０４膜の形成についても、
実施の形態１と同様の条件で行う。次に、焦電体膜２０
３および誘電体膜２０５の側部に、基板にまで到るＡｒ
ガスのスパッタエッチングによりエッチングホール２０
８を複数個設け（図６（ｇ））、最後に、エッチングホ
ール２０８より燐酸などのエッチャントを用いて、実施
の形態１と同様に焦電体膜２０３、誘電体膜２０５直下
の基板部分に、ウエットエッチングにより空隙部２０９
を形成する（図６（ｈ））。
【００１９】このように形成した赤外線検知素子２００
は、ＰＬＴ１０焦電体膜２０３、ＰＬＴ２５誘電体膜２
０５ともに結晶性の良好な配向膜が得られており、結果
として、焦電型検知部２２０、誘電率変化型検知部２３
０ともに赤外線検出器としての良好な電気的特性が得ら
れた。ここで、基板２０１として（１００）面に配向し
たＭｇＯ、ＮｉＯ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物
膜を積層した基板（例えば結晶化ガラス基板）を用いて
も焦電体膜および誘電体膜の膜特性を損なうことなく、
同様の結果が得られた。また、基板２０１としてＳｉ半
導体基板を用いた場合も、（１００）面に配向したＭｇ
Ｏ、ＮｉＯ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物膜を緩
衝層としてＳｉ基板上に配置することにより、焦電体膜
および誘電体膜の膜特性を損なうことなく、同様の結果
が得られた。実施の形態１と同様、基板としてＳｉを用
いた場合、Ｓｉマイクロマシニング技術が応用できると
ともに、信号処理素子との一体化が図れ、さらなる小型
化、低コスト化が可能となる。
は、ＰＬＴ１０焦電体膜２０３、ＰＬＴ２５誘電体膜２
０５ともに結晶性の良好な配向膜が得られており、結果
として、焦電型検知部２２０、誘電率変化型検知部２３
０ともに赤外線検出器としての良好な電気的特性が得ら
れた。ここで、基板２０１として（１００）面に配向し
たＭｇＯ、ＮｉＯ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物
膜を積層した基板（例えば結晶化ガラス基板）を用いて
も焦電体膜および誘電体膜の膜特性を損なうことなく、
同様の結果が得られた。また、基板２０１としてＳｉ半
導体基板を用いた場合も、（１００）面に配向したＭｇ
Ｏ、ＮｉＯ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物膜を緩
衝層としてＳｉ基板上に配置することにより、焦電体膜
および誘電体膜の膜特性を損なうことなく、同様の結果
が得られた。実施の形態１と同様、基板としてＳｉを用
いた場合、Ｓｉマイクロマシニング技術が応用できると
ともに、信号処理素子との一体化が図れ、さらなる小型
化、低コスト化が可能となる。
【００２０】また、下部電極２０２として、Ｐｄ、Ｉ
ｒ、Ａｕ、ＲｕＯ2あるいは（Ｌａ,Ｓｒ）ＣｏＯ3を用
いても焦電体薄膜２０３および誘電体薄膜２０５の特性
を損なうことなく、同様の結果が得られた。また、焦電
体材料としてビスマス系強誘電体、例えば、ＳｒＢｉ2
Ｔａ2Ｏ9薄膜を用いた場合も鉛系強誘電体材料の焦電特
性よりは少し感度は落ちるものの、同様に使用するには
十分な結果が得られた。また、誘電体材料としてチタン
酸バリウムストロンチウム系薄膜材料（ＢＳＴ）も考え
られるが、先だって形成するＰＬＴ１０膜２０３の成膜
温度を上回る（６５０℃程度）ため、本発明の第二の製
造方法では採用できない。本発明の赤外線検知素子の構
成およびそれを実現しうる製造方法を用いることによ
り、実施の形態１と同じく、従来の素子に比べ、感度特
性で劣ることなく、小型・コンパクト化が実現できると
ともに、製造工程の簡略化、製造時間の短縮化が図れ、
低コストの素子を提供することができる。
ｒ、Ａｕ、ＲｕＯ2あるいは（Ｌａ,Ｓｒ）ＣｏＯ3を用
いても焦電体薄膜２０３および誘電体薄膜２０５の特性
を損なうことなく、同様の結果が得られた。また、焦電
体材料としてビスマス系強誘電体、例えば、ＳｒＢｉ2
Ｔａ2Ｏ9薄膜を用いた場合も鉛系強誘電体材料の焦電特
性よりは少し感度は落ちるものの、同様に使用するには
十分な結果が得られた。また、誘電体材料としてチタン
酸バリウムストロンチウム系薄膜材料（ＢＳＴ）も考え
られるが、先だって形成するＰＬＴ１０膜２０３の成膜
温度を上回る（６５０℃程度）ため、本発明の第二の製
造方法では採用できない。本発明の赤外線検知素子の構
成およびそれを実現しうる製造方法を用いることによ
り、実施の形態１と同じく、従来の素子に比べ、感度特
性で劣ることなく、小型・コンパクト化が実現できると
ともに、製造工程の簡略化、製造時間の短縮化が図れ、
低コストの素子を提供することができる。
【００２１】《実施の形態３》次に、本発明の第三の赤
外線検知素子について図８（ｈ）を用いて説明する。赤
外線検知素子３００は、基板３０１として（１００）面
のＭｇＯ単結晶基板を用い、その上に誘電率変化型検知
部と焦電型検知部の二種の素子が配置された構成を有す
る。誘電率変化型検知部においては、共通の下部電極３
０２を介して誘電体膜３０３としてＢａ0.65Ｓｒ0.35Ｔ
ｉＯ3（ＢＳＴ）膜を配置し、誘電体膜３０３上に上部
電極３０４のＮｉ−Ｃｒ膜が配置されている。また、焦
電型検知部３３０においては、基板３０１上に共通の下
部電極３０２を介して焦電体膜３０５として例えばＰｂ
0.9Ｌａ0.1Ｔｉ0.975Ｏ3（ＰＬＴ）膜が配置されてい
る。各検知部直下の基板部分には、熱拡散防止を目的と
する空隙部３０９を配置している。また、実施の形態
１、２と同様に、ポリイミドなどの樹脂膜３０７を配置
し機械的強度を保つ構成としている。
外線検知素子について図８（ｈ）を用いて説明する。赤
外線検知素子３００は、基板３０１として（１００）面
のＭｇＯ単結晶基板を用い、その上に誘電率変化型検知
部と焦電型検知部の二種の素子が配置された構成を有す
る。誘電率変化型検知部においては、共通の下部電極３
０２を介して誘電体膜３０３としてＢａ0.65Ｓｒ0.35Ｔ
ｉＯ3（ＢＳＴ）膜を配置し、誘電体膜３０３上に上部
電極３０４のＮｉ−Ｃｒ膜が配置されている。また、焦
電型検知部３３０においては、基板３０１上に共通の下
部電極３０２を介して焦電体膜３０５として例えばＰｂ
0.9Ｌａ0.1Ｔｉ0.975Ｏ3（ＰＬＴ）膜が配置されてい
る。各検知部直下の基板部分には、熱拡散防止を目的と
する空隙部３０９を配置している。また、実施の形態
１、２と同様に、ポリイミドなどの樹脂膜３０７を配置
し機械的強度を保つ構成としている。
【００２２】以上のように構成された赤外線検知素子３
００の製造方法について図７および図８を用いて説明す
る。まず、ＭｇＯ単結晶基板３０１上にＲＦマグネトロ
ンスパッタ法により、下部電極となる厚み２００ｎｍの
Ｐｔ薄膜３０２を形成する（図７（ａ））。Ｐｔ膜３０
２の形成は、実施の形態１と同様の成膜条件で行われ
る。次に、Ｐｔ下部電極膜３０２上にＲＦマグネトロン
スパッタ法により、厚み３μｍのＢＳＴ誘電体薄膜３０
３を形成する（図７（ｂ））。ＢＳＴ膜３０３の形成
は、例えば、所望の膜組成と同じ組成のＢＳＴ焼結体タ
ーゲットを用い、基板温度を６５０℃、ガス比Ａｒ：Ｏ
2＝１０：１の混合ガスをスパッタガスとし、ガス圧０.
４Ｐａ、ＲＦ電力密度２.３Ｗ／ｃｍ2の成膜条件で行わ
れる。次に、ＢＳＴ膜３０３のパターニングを行う（図
７（ｃ））。レジストをスピンコートし、フォトリソグ
ラフィによりレジストを加工し、フッ硝酸を用いたウエ
ットエッチングにより膜３０３の一部をエッチング除去
し、Ｐｔ膜３０２を一部露出させ、レジストを除去す
る。
００の製造方法について図７および図８を用いて説明す
る。まず、ＭｇＯ単結晶基板３０１上にＲＦマグネトロ
ンスパッタ法により、下部電極となる厚み２００ｎｍの
Ｐｔ薄膜３０２を形成する（図７（ａ））。Ｐｔ膜３０
２の形成は、実施の形態１と同様の成膜条件で行われ
る。次に、Ｐｔ下部電極膜３０２上にＲＦマグネトロン
スパッタ法により、厚み３μｍのＢＳＴ誘電体薄膜３０
３を形成する（図７（ｂ））。ＢＳＴ膜３０３の形成
は、例えば、所望の膜組成と同じ組成のＢＳＴ焼結体タ
ーゲットを用い、基板温度を６５０℃、ガス比Ａｒ：Ｏ
2＝１０：１の混合ガスをスパッタガスとし、ガス圧０.
４Ｐａ、ＲＦ電力密度２.３Ｗ／ｃｍ2の成膜条件で行わ
れる。次に、ＢＳＴ膜３０３のパターニングを行う（図
７（ｃ））。レジストをスピンコートし、フォトリソグ
ラフィによりレジストを加工し、フッ硝酸を用いたウエ
ットエッチングにより膜３０３の一部をエッチング除去
し、Ｐｔ膜３０２を一部露出させ、レジストを除去す
る。
【００２３】次に、露出させたＰｔ膜３０２面上にＲＦ
マグネトロンスパッタ法により、例えばメタルマスク等
を用いて、所定の位置に選択的に焦電体膜としてＰＬＴ
膜３０５を厚み３μｍ程度形成する（図７（ｄ））。Ｐ
ＬＴ膜３０５の形成は実施の形態１と同様の成膜条件で
行われる。次に、フォトニース等のポリイミド樹脂膜３
０７を厚み２μｍ形成する（図８（ｅ））。樹脂膜３０
７の形成は、実施の形態１、２と同様にフォトニース等
の感光性ポリイミドのスピンコート、フォトリソ加工に
より行う。引き続いて、上部電極３０４としてＮｉ−Ｃ
ｒ膜を選択的にエッチングで残存させた誘電体膜３０３
および焦電体膜３０５上に、メタルマスク等を用いて所
望の位置にＤＣスパッタ法により厚み１０ｎｍ形成する
（図８（ｆ））。上部電極３０４膜の形成についても、
実施の形態１、２と同様の条件で行う。次に、誘電体膜
３０３および焦電膜３０５の側部に、基板にまで到るＡ
ｒガスのスパッタエッチングによりエッチングホール３
０８を複数個設け（図８（ｇ））、最後に、エッチング
ホール３０８より燐酸などのエッチャントを用いて、実
施の形態１、２と同様に誘電体膜３０３および焦電膜３
０５直下の基板部分に、ウエットエッチングにより空隙
部３０９を形成する（図８（ｈ））。
マグネトロンスパッタ法により、例えばメタルマスク等
を用いて、所定の位置に選択的に焦電体膜としてＰＬＴ
膜３０５を厚み３μｍ程度形成する（図７（ｄ））。Ｐ
ＬＴ膜３０５の形成は実施の形態１と同様の成膜条件で
行われる。次に、フォトニース等のポリイミド樹脂膜３
０７を厚み２μｍ形成する（図８（ｅ））。樹脂膜３０
７の形成は、実施の形態１、２と同様にフォトニース等
の感光性ポリイミドのスピンコート、フォトリソ加工に
より行う。引き続いて、上部電極３０４としてＮｉ−Ｃ
ｒ膜を選択的にエッチングで残存させた誘電体膜３０３
および焦電体膜３０５上に、メタルマスク等を用いて所
望の位置にＤＣスパッタ法により厚み１０ｎｍ形成する
（図８（ｆ））。上部電極３０４膜の形成についても、
実施の形態１、２と同様の条件で行う。次に、誘電体膜
３０３および焦電膜３０５の側部に、基板にまで到るＡ
ｒガスのスパッタエッチングによりエッチングホール３
０８を複数個設け（図８（ｇ））、最後に、エッチング
ホール３０８より燐酸などのエッチャントを用いて、実
施の形態１、２と同様に誘電体膜３０３および焦電膜３
０５直下の基板部分に、ウエットエッチングにより空隙
部３０９を形成する（図８（ｈ））。
【００２４】このように形成した赤外線検知素子３００
は、ＢＳＴ誘電体膜３０３、ＰＬＴ焦電膜３０５ともに
結晶性の良好な配向膜が得られており、結果として、誘
電率変化型検知部３２０、焦電型検知部３３０ともに赤
外線検出器としての良好な電気的特性が得られた。ここ
で、基板３０１として（１００）面に配向したＭｇＯ、
ＮｉＯ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物膜を積層し
た基板（例えば結晶化ガラス基板）を用いても誘電体膜
および焦電体膜の膜特性を損なうことなく、同様の結果
が得られた。また、基板３０１としてＳｉ半導体基板を
用いた場合も、（１００）面に配向したＭｇＯ、Ｎｉ
Ｏ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物膜を緩衝層とし
てＳｉ基板上に配置することにより、誘電体膜および焦
電体膜の膜特性を損なうことなく、同様の結果が得られ
た。実施の形態１、２と同様、基板としてＳｉを用いた
場合、Ｓｉマイクロマシニング技術が応用できるととも
に、信号処理素子との一体化が図れ、さらなる小型化、
低コスト化が可能となる。
は、ＢＳＴ誘電体膜３０３、ＰＬＴ焦電膜３０５ともに
結晶性の良好な配向膜が得られており、結果として、誘
電率変化型検知部３２０、焦電型検知部３３０ともに赤
外線検出器としての良好な電気的特性が得られた。ここ
で、基板３０１として（１００）面に配向したＭｇＯ、
ＮｉＯ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物膜を積層し
た基板（例えば結晶化ガラス基板）を用いても誘電体膜
および焦電体膜の膜特性を損なうことなく、同様の結果
が得られた。また、基板３０１としてＳｉ半導体基板を
用いた場合も、（１００）面に配向したＭｇＯ、Ｎｉ
Ｏ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物膜を緩衝層とし
てＳｉ基板上に配置することにより、誘電体膜および焦
電体膜の膜特性を損なうことなく、同様の結果が得られ
た。実施の形態１、２と同様、基板としてＳｉを用いた
場合、Ｓｉマイクロマシニング技術が応用できるととも
に、信号処理素子との一体化が図れ、さらなる小型化、
低コスト化が可能となる。
【００２５】また、下部電極３０２として、Ｐｄ、Ｉ
ｒ、Ａｕ、ＲｕＯ2あるいは（Ｌａ,Ｓｒ）ＣｏＯ3を用
いても誘電体薄膜３０３および焦電体薄膜３０５の特性
を損なうことなく、同様の結果が得られた。また、誘電
体材料としてチタン酸鉛ランタン系薄膜材料Ｐｂ0.75Ｌ
ａ0.25Ｔｉ0.9375Ｏ3を用いた場合も感度特性で遜色な
く同様に使用するには十分な結果が得られた。また、焦
電体薄膜材料としてビスマス系強誘電体、例えば、Ｓｒ
Ｂｉ2Ｔａ2Ｏ9薄膜も考えられるが、先だって形成する
ＢＳＴ膜３０３の成膜温度を上回る（８００℃程度）た
め、本発明の第三の製造方法では採用できない。本発明
の赤外線検知素子の構成およびそれを実現しうる製造方
法を用いることにより、実施の形態１、２と同じく、従
来の素子に比べ、感度特性で劣ることなく、小型・コン
パクト化が実現できるとともに、製造工程の簡略化、製
造時間の短縮化が図れ、低コストの素子を提供すること
ができる。
ｒ、Ａｕ、ＲｕＯ2あるいは（Ｌａ,Ｓｒ）ＣｏＯ3を用
いても誘電体薄膜３０３および焦電体薄膜３０５の特性
を損なうことなく、同様の結果が得られた。また、誘電
体材料としてチタン酸鉛ランタン系薄膜材料Ｐｂ0.75Ｌ
ａ0.25Ｔｉ0.9375Ｏ3を用いた場合も感度特性で遜色な
く同様に使用するには十分な結果が得られた。また、焦
電体薄膜材料としてビスマス系強誘電体、例えば、Ｓｒ
Ｂｉ2Ｔａ2Ｏ9薄膜も考えられるが、先だって形成する
ＢＳＴ膜３０３の成膜温度を上回る（８００℃程度）た
め、本発明の第三の製造方法では採用できない。本発明
の赤外線検知素子の構成およびそれを実現しうる製造方
法を用いることにより、実施の形態１、２と同じく、従
来の素子に比べ、感度特性で劣ることなく、小型・コン
パクト化が実現できるとともに、製造工程の簡略化、製
造時間の短縮化が図れ、低コストの素子を提供すること
ができる。
【００２６】《実施の形態４》次に、本発明の第四の赤
外線検知素子について図９を用いて説明する。赤外線検
知素子４００は、基板４０１として（１００）面を有す
るＭｇＯ単結晶基板を用い、その上に誘電率変化型検知
部４２０と抵抗変化型検知部４３０の二種の素子が配置
された構成を有する。誘電率変化型検知部４２０におい
ては、下部電極のＰｔ膜４０２を介して誘電体膜４０３
としてＢａ0.65Ｓｒ0.35ＴｉＯ3（ＢＳＴ）膜を配置
し、誘電体膜４０３上に上部電極４０４のＮｉ−Ｃｒ膜
が配置されている。また、抵抗変化型検知部４３０にお
いては、基板４０１上に熱的絶縁膜４０５を介して抵抗
体膜４０６が配置されている。絶縁膜４０５としては、
実施の形態１と同様にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜
の積層構成を用いている。各検知部４２０および４３０
の直下の基板部分には、熱拡散防止を目的とする空隙部
４０９を同様に配置している。また、実施の形態１〜３
と同様の理由で、ポリイミドなどの樹脂膜４０７を配置
し、機械的強度を保つ構成としている。
外線検知素子について図９を用いて説明する。赤外線検
知素子４００は、基板４０１として（１００）面を有す
るＭｇＯ単結晶基板を用い、その上に誘電率変化型検知
部４２０と抵抗変化型検知部４３０の二種の素子が配置
された構成を有する。誘電率変化型検知部４２０におい
ては、下部電極のＰｔ膜４０２を介して誘電体膜４０３
としてＢａ0.65Ｓｒ0.35ＴｉＯ3（ＢＳＴ）膜を配置
し、誘電体膜４０３上に上部電極４０４のＮｉ−Ｃｒ膜
が配置されている。また、抵抗変化型検知部４３０にお
いては、基板４０１上に熱的絶縁膜４０５を介して抵抗
体膜４０６が配置されている。絶縁膜４０５としては、
実施の形態１と同様にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜
の積層構成を用いている。各検知部４２０および４３０
の直下の基板部分には、熱拡散防止を目的とする空隙部
４０９を同様に配置している。また、実施の形態１〜３
と同様の理由で、ポリイミドなどの樹脂膜４０７を配置
し、機械的強度を保つ構成としている。
【００２７】以上のように構成された赤外線検知素子４
００の形成方法について図１０および図１１を用いて説
明する。まず、ＭｇＯ単結晶基板４０１上にＲＦマグネ
トロンスパッタ法により、下部電極となる厚み２００ｎ
ｍのＰｔ薄膜４０２を形成する（図１０（ａ））。下部
電極Ｐｔ膜４０２の形成は、実施の形態１と同様の条件
で行われる。次に、Ｐｔ下部電極膜４０２上にＲＦマグ
ネトロンスパッタ法により、厚み３μｍのＢＳＴ誘電体
薄膜４０３を形成する（図１０（ｂ））。ＢＳＴ膜４０
３の形成は、実施の形態３と同様の条件で行われる。次
に、ＢＳＴ膜４０３のパターニングを行う（図１０
（ｃ））。レジストをスピンコートし、フォトリソグラ
フィによりレジストを加工し、実施の形態３と同様にフ
ッ硝酸を用いたウエットエッチングにより膜４０３の一
部をエッチング除去し、Ｐｔ膜４０２面を一部露出さ
せ、レジストを除去する。次に、露出させたＰｔ４０２
面のパターニングを行う（図１０（ｄ））。実施の形態
１と同様にフォトリソグラフィとＡｒガスを用いたスパ
ッタエッチングにより露出Ｐｔ膜４０２の一部を除去
し、基板４０１面を露出させる。次に、基板４０１の露
出面上にＲＦマグネトロンスパッタ法により実施の形態
１と同様の方法で、ＳｉＯ2（１００ｎｍ）／ＳｉＮ
（２００ｎｍ）／ＳｉＯ2（１００ｎｍ）の三層構成の
熱絶縁膜４０５を形成する（図１０（ｅ））。
００の形成方法について図１０および図１１を用いて説
明する。まず、ＭｇＯ単結晶基板４０１上にＲＦマグネ
トロンスパッタ法により、下部電極となる厚み２００ｎ
ｍのＰｔ薄膜４０２を形成する（図１０（ａ））。下部
電極Ｐｔ膜４０２の形成は、実施の形態１と同様の条件
で行われる。次に、Ｐｔ下部電極膜４０２上にＲＦマグ
ネトロンスパッタ法により、厚み３μｍのＢＳＴ誘電体
薄膜４０３を形成する（図１０（ｂ））。ＢＳＴ膜４０
３の形成は、実施の形態３と同様の条件で行われる。次
に、ＢＳＴ膜４０３のパターニングを行う（図１０
（ｃ））。レジストをスピンコートし、フォトリソグラ
フィによりレジストを加工し、実施の形態３と同様にフ
ッ硝酸を用いたウエットエッチングにより膜４０３の一
部をエッチング除去し、Ｐｔ膜４０２面を一部露出さ
せ、レジストを除去する。次に、露出させたＰｔ４０２
面のパターニングを行う（図１０（ｄ））。実施の形態
１と同様にフォトリソグラフィとＡｒガスを用いたスパ
ッタエッチングにより露出Ｐｔ膜４０２の一部を除去
し、基板４０１面を露出させる。次に、基板４０１の露
出面上にＲＦマグネトロンスパッタ法により実施の形態
１と同様の方法で、ＳｉＯ2（１００ｎｍ）／ＳｉＮ
（２００ｎｍ）／ＳｉＯ2（１００ｎｍ）の三層構成の
熱絶縁膜４０５を形成する（図１０（ｅ））。
【００２８】次に、熱絶縁膜４０５上にＲＦマグネトロ
ンスパッタ法により、ＶＯｘ（ｘ＝約２）からなる抵抗
体薄膜４０６をメタルマスク等を用いて選択的に、厚み
２００ｎｍ形成する（図１１（ｆ））。抵抗体膜４０６
の形成も実施の形態１と同様の条件で行われる。次に、
ポリイミド樹脂膜４０７を厚み２μｍ形成し、引き続
き、上部電極４０４としてＮｉ−Ｃｒ膜を選択的に残し
た誘電体膜４０３上に、メタルマスク等を用いて所望の
位置にＤＣスパッタ法により厚み１０ｎｍ形成する（図
１１（ｇ））。樹脂膜４０７の形成および上部電極４０
４膜の形成は、実施の形態１と同様の条件で行う。次
に、誘電体膜４０３および抵抗体膜４０６の側部に、実
施の形態１〜３と同様にエッチングホー４０８を複数個
設け（図１１（ｈ））、最後に、エッチングホール４０
８よりウエットエッチングにより誘電体膜４０３、抵抗
体膜４０６直下の基板部分に空隙部４０９を形成する
（図１１（ｉ））。
ンスパッタ法により、ＶＯｘ（ｘ＝約２）からなる抵抗
体薄膜４０６をメタルマスク等を用いて選択的に、厚み
２００ｎｍ形成する（図１１（ｆ））。抵抗体膜４０６
の形成も実施の形態１と同様の条件で行われる。次に、
ポリイミド樹脂膜４０７を厚み２μｍ形成し、引き続
き、上部電極４０４としてＮｉ−Ｃｒ膜を選択的に残し
た誘電体膜４０３上に、メタルマスク等を用いて所望の
位置にＤＣスパッタ法により厚み１０ｎｍ形成する（図
１１（ｇ））。樹脂膜４０７の形成および上部電極４０
４膜の形成は、実施の形態１と同様の条件で行う。次
に、誘電体膜４０３および抵抗体膜４０６の側部に、実
施の形態１〜３と同様にエッチングホー４０８を複数個
設け（図１１（ｈ））、最後に、エッチングホール４０
８よりウエットエッチングにより誘電体膜４０３、抵抗
体膜４０６直下の基板部分に空隙部４０９を形成する
（図１１（ｉ））。
【００２９】このように形成した赤外線検知素子４００
は、ＢＳＴ誘電体膜４０３、ＶＯ2抵抗膜４０６ともに
結晶性の良好な配向膜が得られており、結果として、誘
電率変化型検知部４２０、抵抗変化型検知部４３０とも
に赤外線検出器としての良好な電気的特性が得られた。
ここで、基板４０１として（１００）面に配向したＭｇ
Ｏ、ＮｉＯ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物膜を積
層した基板（例えば結晶化ガラス基板）を用いても焦電
体膜および抵抗体膜の膜特性を損なうことなく、同様の
結果が得られた。また、基板４０１としてＳｉ半導体基
板を用いた場合も、（１００）面に配向したＭｇＯ、Ｎ
ｉＯ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物膜を緩衝層と
してＳｉ基板上に配置することにより、焦電体膜および
抵抗体膜の膜特性を損なうことなく、同様の結果が得ら
れた。実施の形態１〜３と同様、基板としてＳｉを用い
た場合、Ｓｉマイクロマシニング技術が応用できるとと
もに、信号処理素子との一体化が図れ、さらなる小型
化、低コスト化が可能となる。
は、ＢＳＴ誘電体膜４０３、ＶＯ2抵抗膜４０６ともに
結晶性の良好な配向膜が得られており、結果として、誘
電率変化型検知部４２０、抵抗変化型検知部４３０とも
に赤外線検出器としての良好な電気的特性が得られた。
ここで、基板４０１として（１００）面に配向したＭｇ
Ｏ、ＮｉＯ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物膜を積
層した基板（例えば結晶化ガラス基板）を用いても焦電
体膜および抵抗体膜の膜特性を損なうことなく、同様の
結果が得られた。また、基板４０１としてＳｉ半導体基
板を用いた場合も、（１００）面に配向したＭｇＯ、Ｎ
ｉＯ、ＣｏＯ等の岩塩型結晶構造の酸化物膜を緩衝層と
してＳｉ基板上に配置することにより、焦電体膜および
抵抗体膜の膜特性を損なうことなく、同様の結果が得ら
れた。実施の形態１〜３と同様、基板としてＳｉを用い
た場合、Ｓｉマイクロマシニング技術が応用できるとと
もに、信号処理素子との一体化が図れ、さらなる小型
化、低コスト化が可能となる。
【００３０】また、下部電極４０２として、Ｐｄ、Ｉ
ｒ、Ａｕ、ＲｕＯ2あるいは（Ｌａ,Ｓｒ）ＣｏＯ3を用
いても誘電体薄膜４０３の特性を損なうことなく、同様
の結果が得られた。また、誘電体材料としてチタン酸鉛
ランタン系薄膜材料Ｐｂ0.75Ｌａ0.25Ｔｉ0.9375Ｏ3を
用いた場合も感度特性で遜色なく同様に使用するには十
分な結果が得られた。また、抵抗体材料として多結晶Ｓ
ｉあるいはＴｉを用いた場合もＶＯ2と比較して感度は
少し落ちるものの、同様に使用するには十分な結果が得
られた。従って、本発明の赤外線検知素子の構成および
それを実現しうる製造方法を用いることにより、実施の
形態１〜３と同様に、従来の素子に比べ、感度特性で劣
ることなく、小型・コンパクト化が実現できるととも
に、製造工程の簡略化、製造時間の短縮化が図れ、低コ
ストの素子を提供することができる。
ｒ、Ａｕ、ＲｕＯ2あるいは（Ｌａ,Ｓｒ）ＣｏＯ3を用
いても誘電体薄膜４０３の特性を損なうことなく、同様
の結果が得られた。また、誘電体材料としてチタン酸鉛
ランタン系薄膜材料Ｐｂ0.75Ｌａ0.25Ｔｉ0.9375Ｏ3を
用いた場合も感度特性で遜色なく同様に使用するには十
分な結果が得られた。また、抵抗体材料として多結晶Ｓ
ｉあるいはＴｉを用いた場合もＶＯ2と比較して感度は
少し落ちるものの、同様に使用するには十分な結果が得
られた。従って、本発明の赤外線検知素子の構成および
それを実現しうる製造方法を用いることにより、実施の
形態１〜３と同様に、従来の素子に比べ、感度特性で劣
ることなく、小型・コンパクト化が実現できるととも
に、製造工程の簡略化、製造時間の短縮化が図れ、低コ
ストの素子を提供することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明の構成によれば、デ
バイス構造の小型・集積化ができるので、それを用いた
赤外線検知素子が従来に比べて低コストでしかも容易に
製造できることになる。従って、赤外線センシング技術
利用の分野でより広い範囲に応用できることになり、実
用面で極めて有効である。
バイス構造の小型・集積化ができるので、それを用いた
赤外線検知素子が従来に比べて低コストでしかも容易に
製造できることになる。従って、赤外線センシング技術
利用の分野でより広い範囲に応用できることになり、実
用面で極めて有効である。
【図１】本発明の一実施例の赤外線検知素子の縦断面図
である。
である。
【図２】同赤外線検知素子の製造工程を示す図である。
【図３】同赤外線検知素子の製造工程を示す図である。
【図４】本発明の他の実施例の赤外線検知素子の縦断面
図である。
図である。
【図５】同赤外線検知素子の製造工程を示す図である。
【図６】同赤外線検知素子の製造工程を示す図である。
【図７】本発明のさらに他の実施例の赤外線検知素子の
製造工程を示す図である。
製造工程を示す図である。
【図８】同赤外線検知素子の製造工程を示す図である。
【図９】本発明の他の実施例の赤外線検知素子の縦断面
図である。
図である。
【図１０】同赤外線検知素子の製造工程を示す図であ
る。
る。
【図１１】同赤外線検知素子の製造工程を示す図であ
る。
る。
１００ 赤外線検知素子（第一） １０１ 基板（ＭｇＯ単結晶） １０２ 下部電極（Ｐｔ膜） １０３ 焦電体膜（ＰＬＴ膜） １０４ 上部電極（Ｎｉ−Ｃｒ膜） １０５ 熱的絶縁膜（ＳｉＯ2／ＳｉＮ／ＳｉＯ2積層
膜） １０６ 抵抗体膜（ＶＯｘ膜） １０７ 樹脂膜（ポリイミド） １０８ エッチングホール １０９ 空隙部 １２０ 焦電型検知部 １３０ 抵抗変化型検知部
膜） １０６ 抵抗体膜（ＶＯｘ膜） １０７ 樹脂膜（ポリイミド） １０８ エッチングホール １０９ 空隙部 １２０ 焦電型検知部 １３０ 抵抗変化型検知部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 友澤 淳 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 神野 伊策 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 同一基板上に焦電型検知部と抵抗変化型
検知部とを配置した赤外線検知素子。 - 【請求項２】 同一基板上に焦電型検知部と誘電率変化
型検知部とを配置した赤外線検知素子。 - 【請求項３】 同一基板上に抵抗変化型検知部と誘電率
変化型検知部とを配置した赤外線検知素子。 - 【請求項４】 各検知部の直下の基板部分に空隙部を有
する請求項１、２または３に記載の赤外線検知素子。 - 【請求項５】 基板上に下部電極および焦電体膜を順次
形成する工程、前記下部電極および前記焦電体膜を選択
的にパターン加工する工程、パターン加工により露出し
た基板上に選択的に抵抗体膜を形成する工程、および前
記パターン加工後に残存する焦電体膜上に選択的に上部
電極を形成する工程を有する赤外線検知素子の製造方
法。 - 【請求項６】 基板上に下部電極を形成する工程、前記
下部電極上に焦電体膜を形成する工程、前記焦電体膜を
選択的にパターン加工する工程、パターン加工により露
出した下部電極上に選択的に誘電体膜を形成する工程、
および前記パターン加工後に残存する焦電体膜および誘
電体膜上に選択的に上部電極を形成する工程を有する赤
外線検知素子の製造方法。 - 【請求項７】 基板上に下部電極を形成する工程、前記
下部電極上に誘電体膜を形成する工程、前記誘電体膜を
選択的にパターン加工する工程、パターン加工により露
出した下部電極上に選択的に焦電体膜を形成する工程、
前記パターン加工後に残存する誘電体膜および焦電体膜
上に選択的に上部電極を形成する工程を有する赤外線検
知素子の製造方法。 - 【請求項８】 基板上に下部電極を形成する工程、前記
下部電極上に誘電体膜を形成する工程、前記下部電極お
よび前記誘電体膜を選択的にパターン加工する工程、前
記パターン加工後に露出した基板上に選択的に抵抗体膜
を形成する工程、および前記パターン加工後に残存する
誘電体膜上に選択的に上部電極を形成する工程を有する
赤外線検知素子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10153152A JPH11344377A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | 赤外線検知素子およびその製造方法 |
| CN99107154A CN1105905C (zh) | 1998-06-02 | 1999-06-01 | 红外线检测元件及其制造方法 |
| US09/323,730 US6326621B1 (en) | 1998-06-02 | 1999-06-01 | Infrared radiation detector and method of manufacturing the same |
| KR1019990020169A KR100324794B1 (ko) | 1998-06-02 | 1999-06-02 | 적외선 감지소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10153152A JPH11344377A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | 赤外線検知素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11344377A true JPH11344377A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15556169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10153152A Withdrawn JPH11344377A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | 赤外線検知素子およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6326621B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11344377A (ja) |
| KR (1) | KR100324794B1 (ja) |
| CN (1) | CN1105905C (ja) |
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| JP2011179953A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Rohm Co Ltd | 赤外線センサ |
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| KR100497334B1 (ko) * | 2002-11-09 | 2005-06-28 | 한국전자통신연구원 | 박막트랜지스터 구조를 갖는 적외선 감지기용 픽셀 어레이 및 그 제조 방법 |
| US6881957B2 (en) | 2003-01-08 | 2005-04-19 | Home Data Source, Llc | Passive infrared device for detection of boundary crossings |
| JP2004264415A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Pioneer Electronic Corp | 電子ビーム記録基板 |
| FR2855609B1 (fr) * | 2003-05-26 | 2005-07-01 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de detection bolometrique a antenne, a cavite optimisee, pour ondes electromagnetiques millimetriques ou submillimetriques, et procede de fabrication de ce dispositif |
| WO2005078400A1 (ja) * | 2004-02-17 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 赤外線検出装置およびその製造方法 |
| DE102004032718B4 (de) * | 2004-07-07 | 2014-07-17 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Sensor-Einrichtung zum Detektieren einer Strahlung |
| JP2007073931A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-03-22 | Seiko Epson Corp | アクチュエータ装置の製造方法及びアクチュエータ装置並びに液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
| JPWO2007129547A1 (ja) * | 2006-05-10 | 2009-09-17 | 株式会社村田製作所 | 赤外線センサおよびその製造方法 |
| TWI385364B (zh) * | 2009-06-24 | 2013-02-11 | Lite On Singapore Pte Ltd | 感應器單元之製造方法 |
| FR2959657B1 (fr) * | 2010-05-06 | 2012-06-22 | Commissariat Energie Atomique | Transducteur de variation temporelle de température, puce électronique incorporant ce transducteur et procédé de fabrication de cette puce |
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| DE102011056610A1 (de) * | 2011-12-19 | 2013-06-20 | Pyreos Ltd. | Infrarotlichtsensorchip mit hoher Messgenauigkeit und Verfahren zum Herstellen des Infrarotlichtsensorchips |
| JP5966157B2 (ja) * | 2012-06-18 | 2016-08-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 赤外線検出装置 |
| CN106449853A (zh) * | 2016-10-13 | 2017-02-22 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4501967A (en) | 1982-11-18 | 1985-02-26 | North American Philips Corporation | Broad band pyroelectric infrared detector |
| JPH02284028A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-21 | Nippon Ceramic Co Ltd | 双方向型赤外線センサ |
| JPH03134798A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-07 | Nippon Mining Co Ltd | 赤外線センサ |
| JPH06317475A (ja) * | 1991-07-19 | 1994-11-15 | Terumo Corp | 赤外線センサおよびその製造方法 |
| JPH06337227A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Murata Mfg Co Ltd | 赤外線検知装置 |
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| US5929441A (en) * | 1997-06-27 | 1999-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Low mass optical coating for thin film detectors |
-
1998
- 1998-06-02 JP JP10153152A patent/JPH11344377A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-06-01 US US09/323,730 patent/US6326621B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-01 CN CN99107154A patent/CN1105905C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-02 KR KR1019990020169A patent/KR100324794B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100324794B1 (ko) | 2002-02-20 |
| CN1237701A (zh) | 1999-12-08 |
| KR20000005829A (ko) | 2000-01-25 |
| US6326621B1 (en) | 2001-12-04 |
| CN1105905C (zh) | 2003-04-16 |
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