JPH11312387A - 多重電圧発生回路チップ内の電圧発生回路を制御するための装置及びダイナミックランダムアクセスメモリ(dram)チップ - Google Patents
多重電圧発生回路チップ内の電圧発生回路を制御するための装置及びダイナミックランダムアクセスメモリ(dram)チップInfo
- Publication number
- JPH11312387A JPH11312387A JP11086317A JP8631799A JPH11312387A JP H11312387 A JPH11312387 A JP H11312387A JP 11086317 A JP11086317 A JP 11086317A JP 8631799 A JP8631799 A JP 8631799A JP H11312387 A JPH11312387 A JP H11312387A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- circuit
- chip
- predetermined
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/403—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh
- G11C11/404—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh with one charge-transfer gate, e.g. MOS transistor, per cell
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4074—Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
路を必要とせず、発生回路系又はチップを将来変更する
ために必要な何らかの変化に適応するフレキシビリティ
が得られるように、多重電圧発生回路チップ内の電圧発
生回路を制御するための装置を提供すること。 【解決手段】 チップ上の電圧発生回路系を構成する複
数の電圧発生回路は、集中型電圧発生回路制御装置によ
り制御される。電圧発生回路制御装置は、チップ上の種
々のデバイスからの制御信号を受信するステートマシン
を有するコントローラを有している。受信信号から、コ
ントローラは、発生回路によって必要とされる動作の各
期間中の所定のプログラムシーケンスに従って、電圧発
生回路系及びチップ上の他の回路への制御信号を発生し
て、チップ上の回路への所要の安定した電圧を給電す
る。
Description
ダムアクセスメモリ(DRAM)チップのようなチップ
で使用される多重電圧発生回路の種々の位相の操作を制
御するための装置に関する。
(DRAM)チップのような最近のチップは、種々の動
作期間中、多数の異なった電圧が、複数の発生回路によ
ってチップ上で発生され、複数の発生回路は、そのスタ
ートアップ時間シーケンスに関して制御される。
5319601号公報(Kawata他)には、DRA
M用の電力給電スタートアップ回路が開示されており、
その際、電力がスイッチオンされた後、中間電位の立ち
上がり時間は短くなり、電流消費は低いままである。こ
の電力給電回路は、パワーオン検出回路と内部電力給電
回路の両方を有しており、パワーオン検出回路は、外部
電力給電電位が所定電位に達して、第1及び第2の検出
信号を発生する時点を検出し、内部電力給電回路は、内
部電力給電電位を発生する。電力給電回路は、更に、第
1の中間電位発生回路を有しており、この中間電位発生
回路は、外部電力給電電位からの第1の中間電位を発生
して、この電位を中間電位給電ノードに供給する。第1
検出信号が形成され、第1の中間電位が所定電位に達し
た際、第1の中間電位発生回路は、第1の中間電位の、
中間電位給電ノードへの給電及び中間電位発生機能を停
止する。第2の検出信号が発生されて、第2の中間電位
が給電ノードに供給された際に、第2の中間電位発生回
路は、内部電力源電位からの第2の中間電位を発生す
る。第1の中間電位発生回路は、第2の中間電位発生回
路よりも大きな駆動能力を有しており、それにより、電
力がスイッチオンされた後の中間電位の立ち上がり時間
を短くすることができ、その結果、全電流消費を低減す
ることができる。
ックRAM(DRAM)チップでの電圧を発生する、発
生回路制御用の発生回路制御装置のブロック図が示され
ている。この装置10は、パワーオン回路20、発生回
路系(ジェネレータ:GENERATORS)22(基
準電圧発生回路(基準電圧:REF.VOLT.)23
を有している)、及び、複数の電圧発生回路(図示して
いない)、初期化回路24、プルアップ回路26、及び
第1及び第2のオアゲート装置28及び30のそれぞれ
を有している。プルアップ回路26及び第1及び第2の
オアゲート装置28及び30は、プルアップ回路26及
びオアゲート装置28及び30によって受信されて並列
処理される幾つかの信号に依存する、1つ又は複数の、
そのような回路又はゲートを有している。
テストパッドからの信号は、プルアップ回路26で受信
される。プルアップ回路26では、入力パッドが接続さ
れていない場合には、デフォルトにより、出力信号は、
論理ハイレベル(論理”1”)にプルアップされ、入力
信号が、パッド又はコネクションから活性的にプルダウ
ンされる場合には、論理”0”が出力される。プルアッ
プ回路26からの出力信号は、論理的に第1のオアゲー
ト装置28内でテストモードレジスタ信号と結合され、
このテストモードレジスタ信号は、関連の初期化回路2
4で初期化される。第1のオアゲート28からの出力
は、パワーオン回路20及び発生回路系22に結合され
る。テストモードレジスタ信号は、関連の初期化回路2
4で初期化され、それから、発生回路系22に結合され
る。関連のチップ上のフューズ(図示していない)から
の信号は、関連の初期化回路24で初期化され、発生回
路系22の基準発生回路23に結合される。フューズ信
号は、論理的に第2のオアゲート装置30で入力テスト
モードレジスタ信号と結合され、それから、発生回路系
22に結合される。パワーオン回路20は、出力信号を
第1のオアゲート装置28から受信し、種々異なる信号
を初期化回路24から受信し、初期化回路24及び発生
回路系22の発生回路への出力制御信号を発生する。発
生回路系22は、基準発生回路23を有する複数の電圧
発生回路を有しており、外部電圧(VEXT)、系信号
(SYS.SIGS.)を受信し、第1及び第2のオア
ゲート装置28及び30、所期化回路24及びパワーオ
ン回路20からの信号を受信し、初期化回路24への出
力信号及び関連のチップ上のリモート回路によって要求
される種々の電圧(図示していない)を発生する。
多数の論理制御回路が、各発生回路機能内に含まれてお
り、これら各発生回路機能は、通常、個別発生回路ブロ
ック(図示していない)内の発生回路系22の至るとこ
ろに設けられている局所論理回路(図示していない)に
よって実行される。通常の発生回路系22は、成長プロ
セスの結果得られたものであり、その際、新たな電圧レ
ベル及び関連の発生回路ブロックが付加される場合には
何時でも、又は、制御機能を変える必要がある場合には
何時でも、付加的な論理回路が局所的に付加される。
回路系の至る所に設けられている論理回路を必要とせ
ず、発生回路系又はチップを将来変更するために必要な
何らかの変化に適応するフレキシビリティが得られる、
チップ上の電圧発生回路の制御装置乃至ダイナミックラ
ンダムアクセスメモリを提供することにある。
ると、多重電圧発生回路チップ内の電圧発生回路を制御
するための装置において、発生回路系と、集中型発生回
路制御装置とを有しており、前記発生回路系は、複数の
電圧発生回路を有しており、前記集中型発生回路制御装
置は、前記複数の電圧発生回路のそれぞれ、及びチップ
上の所定のデバイスに接続されたコントローラを有して
おり、該コントローラは、前記チップ上の前記所定のデ
バイスからの信号に応答して、前記発生回路系の動作の
少なくとも2つの別個の期間のそれぞれの間、所定シー
ケンスの出力制御信号を前記個別発生回路に発生し、該
出力制御信号により、所定の時間期間に、前記複数の電
圧発生回路及び前記チップ上の前記所定のデバイスが制
御され、前記複数の電圧発生回路から、前記チップ上の
前記所定の回路への、所要の安定した出力電圧を形成す
るように構成したことによって解決される。
クランダムアクセスメモリ(DRAM)チップにおい
て、発生回路系と、集中型発生回路制御装置とを有して
おり、前記発生回路系は、複数の電圧発生回路を有して
おり、前記集中型発生回路制御装置は、前記複数の電圧
発生回路のそれぞれ、及びチップ上の所定のデバイスに
接続されたコントローラを有しており、該コントローラ
は、前記チップ上の前記所定のデバイスからの信号に応
答して、前記発生回路系の動作の少なくとも2つの別個
の期間のそれぞれの間、所定シーケンスの出力制御信号
を前記個別発生回路に発生し、該出力制御信号により、
所定の時間期間に、前記複数の電圧発生回路及び前記チ
ップ上の前記所定のデバイスが制御され、前記複数の電
圧発生回路から、前記チップ上の前記所定の回路への、
所要の安定した出力電圧を形成するように構成したこと
によって解決される。
アクセスメモリ(DRAM)、及び、他のモジュールに
よって要求される種々の電圧を形成するための複数の発
生回路ブロックを含む他のモジュール内で使用される電
圧発生回路系の種々のモードを制御するための装置に関
する。
求項に記載されている。
に説明する。
AMチップのような、多重電圧発生回路を有する集積回
路チップ上の種々の電圧発生回路(図3に示されてい
る)を制御するための例示的な集中型発生回路制御装置
40のブロック図が示されている。集中型発生回路制御
装置40は、コントローラ50(二点鎖線の矩形で示さ
れている)と、コントローラ50にクロック信号を供給
するためのオシレータ42、電圧検出回路44を有して
おり、電圧検出回路44は、コントローラ50から信号
を受信し、発生した制御信号を再度コントローラ50に
伝送して戻す。コントローラ50は、ステートマシン5
2とANDゲート54を有している。ステートマシン5
2は、公知の装置であって、プロセッサを有しており、
このプロセッサは、メモリ(図示していない)を使用し
て、所定の形式でプロセッサを操作するためのプログラ
ム命令を記憶している。
一選択的に入力論理回路70、出力論理回路72、及び
状態ラッチ回路74を有している。入力論理回路70と
出力論理回路72は、一般的に、コントローラへの全て
の論理入力信号を受信し(例えば、ボンディングパッド
/テストパッド、テストモードレジスタ、フューズ、及
び電圧検出回路44の各信号)、種々のゲートを用い
て、所要の論理関数を供給して、適切な出力制御信号を
発生する。状態ラッチ回路74は、フリップフロップ
(図示していない)を有しており、フリップフロップ
は、入力論理回路70から信号を受信し、そして、リセ
ット信号及びクロック信号のような他の信号も受信し、
入出力論理回路70及び72に適切な出力信号を発生す
る。
ロック信号をオシレータ42から受信し、制御信号を電
圧検出回路44から受信し、そして、種々のフューズ、
ボンディングパッド、テストパッド、及びテストモード
レジスタから信号を受信し、そのメモリ内に記憶されて
いるプログラム命令に基づいて出力信号を発生する。A
NDゲート54は、クロックイネーブル信号を受信し、
所定の出力信号をステートマシン52から受信し、ステ
ートマシン52からの所定の出力信号と結合されて、集
中型発生回路制御装置40から、スタティックイネーブ
ル及びコンフィグレーション出力信号”C”を形成し、
スタティックイネーブル及びコンフィグレーション出力
信号”C”は、制御されるべき種々の電圧発生回路に伝
送される。コントローラ50の例示的な動作について、
図4、図5を用いて、以下説明する。
に示されたVEXT)、及び、複数の発生回路(図3に
示された)の所定の1つによって発生された所定の電圧
を測定し、これらの値が、その特定の限界値に達する
と、コントローラ50にそれぞれの信号を送信する。こ
れらの機能を実行するのに、何らかの適切な公知電圧検
出回路を使用することができる。
00(二点鎖線の矩形で示されている)のブロック図が
示されている。系100は、例えば、ダイナミックRA
M(図2の集中型発生回路制御装置によって制御され
る)多重電圧発生回路チップ上に複数の電圧発生回路1
11−124(それぞれGEN.1−GEN.14)を
有している。例示的な電圧発生系100では、電圧発生
回路111−124のそれぞれは、図2のコントローラ
50から別個の制御信号”C”、及び所定の外部電圧
(VEXT)を受信する。図を単純化するために、制御
信号”C”及び所定の外部電圧(VEXT)は、電圧発
生回路111−124のそれぞれに、信号入力導体を介
して供給されるように図示されている。実際には、これ
らの入力信号は、電圧発生回路111−124のそれぞ
れに別個の導体を介して供給される。制御信号”C”及
び所定の外部電圧(VEXT)に付加して、電圧発生回
路113からの出力信号(V3)が電圧発生回路115
−124のそれぞれに供給され、電圧発生回路116か
らの出力信号(V6)は、電圧発生回路123への入力
信号として供給される。
回路111(GEN.1)は、コントローラ50からの
制御信号”C”、つまり、所定の外部電圧(VEXT)
に応答し、電圧発生回路112(GEN.2)及び11
3(GEN.3)のそれぞれの両第1の入力側に接続さ
れた第1の出力電圧(V1A)及び電圧発生回路112
の第2の入力側に接続された第2の出力電圧(V1B)
を発生する。電圧発生回路112は、電圧発生回路11
1からの第1及び第2の電圧V1A及びV1B、つま
り、制御信号”C”、所定の外部電圧(VEXT)に応
答し、電圧発生回路113の第2の入力側、及び、電圧
発生回路114(GEN.4)及び115(GEN.
5)のそれぞれの入力側に供給される出力電圧(V2)
を発生する。電圧発生回路113は、制御信号”C”、
つまり、所定の外部電圧(VEXT)及び電圧発生回路
111及び112からの電圧V1A及びV2に応答し、
それぞれ、電圧発生回路115−124への入力側とし
て、及び電圧発生系100からの出力信号として供給さ
れる出力電圧(V3)を発生する。
つまり、所定の外部電圧(VEXT)及び電圧発生回路
112から受信された電圧V2に応答して、出力電圧
(V4)を発生し、この出力電圧は、電圧発生系100
からの出力信号として供給される。電圧発生回路115
は、制御信号”C”、つまり、所定の外部電圧(VEX
T)、電圧発生回路112及び113のそれぞれから受
信された電圧V2及びV3に応答して、出力電圧(V
5)を発生し、この出力電圧(V5)は、電圧発生回路
116(GEN.6)への入力信号として供給される。
電圧発生回路116は、制御信号”C”、つまり、所定
の外部電圧(VEXT)、電圧発生回路113及び11
5のそれぞれから受信された電圧V3及びV5に応答し
て、出力電圧(V6)を発生し、この出力電圧(V6)
を発生し、この出力電圧(V6)は、電圧発生回路11
7(GEN.7)及び123(GEN.13)への入力
信号として供給される。電圧発生回路117は、制御信
号”C”、つまり、所定の外部電圧(VEXT)、電圧
発生回路113及び116のそれぞれから受信された電
圧V3及びV6に応答して、出力電圧(V7)を発生
し、この出力電圧(V7)は、電圧発生回路118,1
21,123及び124への入力信号として供給され
る。
御信号”C”、つまり、所定の外部電圧(VEXT)、
電圧発生回路113及び117のそれぞれから受信され
た電圧V3及びV7に応答して、出力電圧(V8)を発
生し、この出力電圧(V8)は、電圧発生回路119
(GEN.9)及び120(GEN.10)への入力信
号として供給される。電圧発生回路119は、制御信号
C”、つまり、所定の外部電圧(VEXT)、電圧発生
回路113及び118のそれぞれから受信された電圧V
3及びV8に応答して、出力電圧(V9)を発生し、こ
の出力電圧(V9)は、電圧発生回路100からの出力
信号として供給される。電圧発生回路120は、制御信
号C”、つまり、所定の外部電圧(VEXT)、電圧発
生回路113及び118のそれぞれから受信された電圧
V3及びV8に応答して、出力電圧(V10)を発生
し、この出力電圧(V10)は、電圧発生回路100か
らの出力信号として供給される。電圧発生回路121
(GEN.11),122(GEN.12)、及び12
8(GEN.14)は、制御信号”C”、つまり、所定
の外部電圧(VEXT)、電圧発生回路113及び11
7のそれぞれから受信された電圧V3及びV7に応答し
て、出力電圧V11,V12,V13,及びV14を発
生し、この出力電圧V11,V12,V13,及びV1
4は、電圧発生系100からの出力信号として供給され
る。電圧発生回路123(GEN.13)は、制御信
号”C”、つまり、所定の外部電圧(VEXT)、電圧
発生回路113,116及び117のそれぞれから受信
された電圧V3,V6及びV7に応答して、出力電圧V
13を発生し、この出力電圧V13は、電圧発生系10
0からの出力信号として供給される。
プ及びシンクロナスDRAMチップ上の発生回路系と同
一視することができ、これら、最近のDRAMチップ及
びシンクロナスDRAMチップは、多数の電圧発生回路
によってチップ上で発生される10ボルト以上である。
これらの電圧は、幾つかの基準電圧(例えば、入/出力
受信器用、及びアナログ回路でのバイアス電流発生
用)、同様に、幾つかの電圧を含み、この電圧は、高
い、又は低い動作電流のDRAMの種々の機能ブロック
(図示していない)に給電される(例えば、センスアン
プ又はワード線ドライバ用)。基本的には、図1の電圧
発生系22及び図3の電圧発生系100内の種々の発生
回路に対して、3つの異なった動作期間が生じ、これ
ら、3つの異なった動作期間は、(a)通常動作期間、
(b)テスト及びバーンイン期間、及び(c)パワーオ
ン期間として示すことができる。
系100内の”通常動作”期間中、発生回路(例えば、
図3の発生回路111−124)により、チップ上に供
給される電圧全てが安定しているようにされ、幾つかの
電力網(図示していない)から引き込まれた所要の電流
全てがチップ上に供給されるようにする必要がある。し
かも、発生回路自体は、大して電流消費しないようにす
る必要がある(例えば、差動増幅器内のバイアス電流、
及び、抵抗分圧器を流れる電流)。
用)を給電すべき電力網は、通常、スタンバイ発生回
路、能動発生回路、ピーク電流発生回路のような幾つか
のタイプの発生回路の1つ以上の発生回路によって給電
される。スタンバイ発生回路は、常に、ターンオンさ
れ、僅かな電流しか給電することができず、スタンバイ
発生回路自体でも僅かながら電流が消費される。スタン
バイ発生回路の目的は、これらの時間中及びチップがア
クティブでない期間中電圧レベルを維持することであ
る。能動発生回路は、チップが、それぞれの電力網から
の電流を要求する機能を実行する場合に動作状態にされ
るにすぎない。能動発生回路は、大電流を給電すること
ができるが、大電流も消費する。能動発生回路を動作状
態にするために、他のチップ機能(例えば、センスアン
プを動作状態にするセンスアンプイネーブル信号)(図
示していない)からの信号が、図1の発生回路系22又
は図2のコントローラ50によって評価される。電力網
から引き込まれた電流の高いピーク値を給電するのに、
ピーク電流発生回路が使用されることがある。ピーク電
流発生回路は、例えば、それぞれの電力網と、外部電圧
給電源(VEXT)、又は、この電力網への電流源のど
ちらかとの間のトランジスタスイッチからのみ構成され
る。ピーク電流発生回路は、ピーク電流が電力網から引
き込まれた丁度その瞬間に、短い時間期間の間ターンオ
ンされる。ピーク電流発生回路は、通常、それ自体調整
機能を持っていないが、ピーク電流発生回路からの電圧
の最終調整は、上述の能動発生回路によって行われる。
正確な瞬間に、ピーク電流発生回路をターンするため
に、他のチップ機能からの信号が、発生回路系に供給さ
れる(例えば、センスアンプイネーブル信号)。
間に、何らかの相互作用がある。例えば、RAMチップ
でのワード線ブースト用の電圧を給電する電圧発生回路
の第1の電圧発生回路(例えば、発生回路123)が、
完全な電圧レベルに回復されるように動作状態にされた
場合、この電圧発生回路は、所定の電圧発生回路の第2
の電圧発生回路(例えば、発生回路116)に信号を送
信する。この信号は、所定の電圧発生回路の第2の電圧
発生回路がターンオフされないようにする。と言うの
は、電圧発生回路の第1の電圧発生回路自体は、電圧発
生回路の第2の電圧発生回路からの電流を消費するから
である。DRAMチップは、所定の電圧発生回路の異な
った駆動能力を必要とする異なった形態のメモリデバイ
ス用に使用されることが屡々あり、電圧発生回路は、こ
れらの状況用に構成される必要がある。これは、ボンデ
ィングパッド又はフューズによって行われ、そこでは、
ボンディングパッド及び/又はフューズからの情報が、
第1図の通常の発生回路系22、又は、図2のコントロ
ーラ50に伝送される。
った動作期間中これらの発生回路を制御するために、多
数の論理制御回路は、発生回路機能内に含まれており、
発生回路機能は、発生回路系22の至る所に配設された
局所論理回路(図示していない)によって、個別発生回
路ブロック(図示していない)内で実行される。その結
果、通常の電圧発生回路系22は、複合した制御スキー
マを含んでいる。本発明によると、論理制御回路は、最
早、発生回路111−124の全てに亘って配設する必
要はない。その代わり、適切な発生回路111−124
をターンオンするか、動作の可能な各期間のそれぞれの
間の所定の時間でターンオフするために、コントローラ
50のステートマシン52が入力信号の全てを受信し
て、個別制御信号を発生回路111−124のそれぞれ
に供給するようにプログラミングされている。動作の各
期間の間、ステートマシン52用のプログラムは、任意
に、動作の各可能な期間の間、回路設計者が、動作の所
望のシーケンスを定義する必要がする。一旦、そのよう
な、動作シーケンスが決定されると、動作シーケンス
は、容易に、ステートマシン52用の相応のプログラム
命令シーケンスに変換することができ、それにより、ス
テートマシン50によって受信された所定の入力信号に
応じて、発生回路系100が相応に動作される。
は、その通常の動作以外の多数の付加的な機能を実行す
る必要がある。例えば、1機能としては、所定の、又
は、全ての発生回路を、テストの目的のために使用不可
能にすることができる。第2の機能としては、通常の動
作状態との比較として、所定の電圧が種々異なった値に
設定される。第3の機能としては、発生回路のダイナミ
ックなモードを決定する、発生回路内の所定の時定数
を、最適なチップ機能用の最良の値を決定するために変
えることができる。第4の機能としては、チップにスト
レスを加えるために(バーンインテスト)、大抵の内部
電圧は、通常動作状態での値よりも高い値に設定すべき
であり、この設定は、VEXTを高い値に設定して、内
部基準電圧が、外部電圧の、この上昇に追従するように
することによって実行することができる。
にチップに印加されているが、内部電圧は形成されてい
ない間の遷移状態として定義される。パワーオン期間に
対しては、2つの主要な条件がある。そのような条件
は、パワーオン期間が、短い(例えば、100μ秒)必
要がある点と、十分に定義されたやり方で生起する必要
がある点である。パワーオン期間を短く保持するために
は、幾つかの付加的な機能を、発生回路系100によっ
て実行する必要がある。全ての電力網は、ゼロボルトか
ら、その、それぞれのレベルに短い時間内に変化する必
要があり、幾つかの発生回路ブロックの駆動能力では十
分でない。幾つかの可能な解決手段によって、この問題
を克服することができる。第1に、パワーオン期間の第
1の期間中、電力網が、VEXTをスイッチングするト
ランジスタによって、その所望の値にほぼ達する迄短絡
される。それから、これらのスイッチは、再度開かれ、
それぞれの発生回路ブロックが、この電圧の調整を引き
継ぐ。第2に、幾つかの発生回路(例えば、ポンプ回
路)の駆動能力は、これらポンプ回路を駆動するオシレ
ータの周波数に依存している。パワーオンの間、高周波
オシレータは、ポンプ回路に接続されて、高速ポンピン
グ動作を可能にし、それから、パワーオン期間後、これ
らのポンプ回路を駆動するのに、遅いオシレータが使用
され、それから、電力節約のために、高速オシレータが
ターンオフされる。コントローラ50の出力側に供給さ
れるスタティックイネーブル信号が、一般的に、発生回
路ブロックをイネーブルするために使用され(例えば、
パワーオン期間内、又は、テストモード期間中、発生回
路ブロックをターンオフする間)、この信号は、時間が
臨界的ではない。コントローラ50の出力側でのコンフ
ィグレーション信号は、所定の1つ以上の発生回路ブロ
ックモードを変えるために使用され、その際、特定のや
り方で、例えば、その電圧レベルを変えることによって
(トリミング)、その駆動能力を変えることによって、
その内部時定数を変えることによって、又は、テストモ
ード用の特定の機能によって変えるために使用される。
これらの信号は、時間が臨界的ではなく、チップの通常
の動作中変化しない。発生回路系100内には、発生さ
れたダイナミックイネーブル信号及びメッセージ信号が
ある。ダイナミックイネーブル信号は、発生回路の出力
電圧を調整し始めるべきである場合、又は、電流(例え
ば、ピーク発生回路)を発生し始めるべきである場合
に、発生回路を動作するために使用される。これらの信
号は、時間が臨界的であり、全ての発生回路が、そのよ
うな入力信号を必要とするわけではない(例えば、スタ
ンバイ発生回路)。メッセージ信号は、各発生回路ブロ
ック間のコミュニケーション用に使用される信号であ
り、各発生回路ブロックとしては、例えば、入力ポンプ
電圧レベルが未だ形成されておらず、しかも、ポンプ電
圧を給電するポンピング発生回路が依然として稼働して
いるような1発生回路である。その結果、この1発生回
路により、そのターンオフが遅延されるが、この回路へ
のダイナミックイネーブル信号は、既にターンオフされ
ているようになる。つまり、これらの信号は、時間が臨
界的であり、全ての発生回路が、そのような入力信号を
必要とするわけではない。
ーブルが示されており、それを用いて、図2の例として
集中型発生回路制御装置40によって動作されるパワー
オン期間の間、図3の発生回路系100を制御するため
のシーケンスの例について説明する。このテーブルのセ
クション200では、外部電圧(VEXT)が、シーケ
ンスの始めで、チップに印加される。チップに外部電圧
(VEXT)を印加することによって、コントローラ5
0内のステートマシン52が、コントローラ50内の所
定のフリップフロップ(図2に示されていない)をリセ
ットし、”V6on”信号をロー状態にし、その結果、
コントローラ50から”V6on”信号を受信した回路
は全て非動作状態になる。この時点で、発生回路111
は、電圧V1A及びV1Bを発生し始めるように動作さ
れ、発生回路112は、電圧V2を発生し始めるように
動作され、発生回路113は、電圧V3を発生し始める
ように動作され、発生回路114は、電圧V4を発生し
始めるように動作され、発生回路115は、V5を発生
するように動作されて、ノード(図示していない)の所
期プルダウンを行い、発生回路117は、V7を発生す
るように動作されて、ブーストスイッチ(図示していな
い)の所期動作を行い、発生回路116が動作されて、
スタンバイモードにされて、V6acc(V6アクティ
ブ)及びV6sbm(V6スタンバイモード)信号を発
生し、発生回路118は、電圧V8、開始された信号V
6osb(V6オンスタンバイ)を発生し始めるように
動作され、発生回路119は、電圧V9を発生し始め、
発生回路120は、電圧V10を発生し始める。コント
ローラ50では、”bFINIT”(bフューズイニシ
ャライズ)フューズラッチ信号がロー状態にされ、”b
FSET”(bフューズセット)信号がハイ状態にされ
る。”bFINIT”及び”bFSET”信号は、チッ
プ上のフューズ用の例示的な信号である。これらフュー
ズの情報は、チップに適用されず、例示的なパワーオン
期間中、このフューズ情報は、所定のフリップフロップ
(図示していない)、例えば、コントローラ50内にラ
ッチされる。これらは、2つのフューズ信号であり、フ
ューズ情報を所定のフリップフロップ内にラッチするの
を形成又は制御するために、2つのフューズ信号がハイ
になったり、又は、ローになったりする時点に関する所
定のタイミングを2つのフューズ信号は必要とする。フ
ューズは、チップ全体に亘って設けられているので、電
圧V6は、フューズ情報がラッチされる以前にチップ全
体に亘って既に十分に形成されており、さもなければ、
論理”0”は、それが実際には論理”1”である場合に
はラッチされる。と言うのは、回路、及び、これらの回
路に給電する電圧は、未だ安定していないからである。
ローラ50は、発生回路116(動作されて、セクショ
ン200でスタンバイモードにされる)からの電圧V6
が、所定レベルに達する必要があることが分かった時点
で、コントローラ50は、所定数のXクロックサイクル
(例えば、X=10)の間待機する。テーブルのセクシ
ョン202では、電圧検出器44によって、V13(発
生回路123からの電圧)が、要求レベル(ロー又はハ
イ)であることが検出され、電圧検出器44は、電圧V
6が所定のハイスレッショールドレベルに達しているこ
とを検出し、電圧検出器44はV6DET信号をコント
ローラ50に伝送し、コントローラ50は、電圧V6が
チップ全体に亘って十分に形成されていることを指示し
ている。テーブルのセクション203では、電圧V6
が、その適切なレベルであることを検知しているコント
ローラは、セクション204を開始する以前に、別のX
クロックサイクルを待機する。テーブルのセクション2
04では、コントローラ50内の”V6on”信号がハ
イとなり、電圧V3駆動能力は低減し、電圧V5は、最
早プルダウン状態ではなく、ブーストスイッチの電圧V
7活性化はターンオフされる。パワーオン期間の開始
中、発生回路117は、大きなV7駆動能力を要求して
いるものとし、この大きなV7駆動能力は、セクション
200で、そのブーストスイッチによって活性化され、
それから、大きなV7駆動能力が最早必要でない時点
で、セクション204で低減される。
ーラ50は、”V14sbct”(V12スタンバイ回
路)信号を発生し、発生回路124は、電圧V14を発
生し始める。テーブルのセクション206では、コント
ローラ50は、”V13acct”(V13活性化回
路)及び”V13sbct”(V13スタンバイ回路)
信号を発生し、それにより、発生回路123は、活性化
されて、スタンバイモードにされる。テーブルのセクシ
ョン207では、コントローラは、フューズラッチ信号
を発生し、bFINIT信号をハイにする。テーブルの
セクション208−211では、コントローラは、Yク
ロックサイクルの待機シーケンス中(セクション20
8)、bFSETをローにし(セクション209)、b
FSETをハイにする(セクション211)前にZクロ
ックサイクル(セクション210)の間待機する。bF
INIT信号及びbFSET信号は、チップ上の他の回
路に供給され、発生回路111−124のどれにも供給
されない(と言うのは、発生回路は、列に「Gener
ator Circuits:発生回路」とラベル表示
された、何らかのアクションを実行するように示されて
いないからである)。bFINIT信号及びbFSET
信号によって制御されたフリップフロップは、一般的に
中間回路によって制御され、これらの回路は、bFIN
IT信号及びbFSET信号の特殊なタイミングを必要
とする。
00では、発生回路123は、VEXT電圧(基準によ
って所定の最大値を有することができるにすぎない)を
受け取る関連の電力網を含むポンプジェネレータである
とされており、負の出力信号V13(例えば、−0.5
ボルト)を供給するように、この入力電圧をポンピング
する。同様に、発生回路122は、VEXT電圧を受け
取るポンプジェネレータであって、正の出力信号V12
(例えば、3.5ボルト)を供給するように、この入力
電圧をポンピングする。テーブルのセクション212で
は、発生回路123からの電圧V13は、その所定レベ
ルに達し、V13LMT(V13リミット)検出信号が
発生されて、コントローラ50は”V13acct”
(セクション206から)をローにし、発生回路123
内での”V13ac”活性化信号をターンオフする。テ
ーブルのセクション213では、コントローラ50
は、”V12poct”(V12パワーオン回路)制御
信号を発生し、この信号はハイとなり、発生回路122
に関連した電力網(図示していない)が始動される。テ
ーブルのセクション214では、電圧V12は、電圧V
6の値の所定レベル(85%)に達し、電圧検出器44
からのV12DET(V12検出)は、所定のハイレベ
ルになる。これにより、コントローラ50は、V12p
oct(セクション213からの)を発生し、このV1
2poctはローとなり、その結果、発生回路122の
電力網がターンオフされる。テーブルのセクション21
5では、コントローラは、”V12acct”及び”V
12sbct”を発生し、この”V12acct”及
び”V12sbct”はハイとなり、これにより、今度
は、発生回路122が活性化されて、スタンバイ状態に
なる。テーブルのセクション212−215の理由は、
ポンプ発生回路122及び123がターンオンすること
ができず、0ボルトから直ぐに、その適切な出力電圧に
なり、この出力電圧は、VEXT印加電圧よりも極めて
高いか、又は、低い。従って、これにより、このタイプ
の発生回路のターンオンを引き延ばすことが要求され
る。例えば、発生回路123と関連した電力網(図示し
ていない)は、ハイに引き上げられて所定レベル、例え
ば、発生回路116からの電圧V6の85%になり、そ
れから初めて、ポンプ発生回路123は、適切に機能し
始めることができる。これは、”V13power”回
路と呼ばれるデバイス(図示していない)をターンオン
することによって行われ、この”V13power”回
路は、ポンプそのものであり、発生回路123電力網を
ハイ状態に引き上げる。電力網が所定レベルに達する
と、電力網は、再度ターンオフし、ポンプ発生回路11
3が動作し始める。
ローラは、”V8frct”(V8フィードバックレギ
ュレーター回路)制御信号を発生し、この”V8frc
t”制御信号はハイとなり、それにより、発生回路11
8のフィードバックレギュレーター回路が動作し始め、
電圧V8が発生される。セクション217−220で
は、コントローラ50は、Xクロックサイクル(セクシ
ョン217)の間待機し、それから、V11acct”
制御信号を発生して、発生回路121が電圧V11(セ
クション118)を発生し始め、コントローラ50は、
再度、”Vdet”(電圧検出器)制御信号を発生する
前にXクロックサイクルの間待機し、”Vdet”(電
圧検出器)制御信号は、最早、電圧検出器44は必要な
いので、この電圧検出器44をターンオフして、この電
圧検出器44で使用されるバイアス電流を節約するよう
にする。テーブルのセクション221及び222では、
コントローラ50は、”PWRon”(パワーオン)制
御信号を出力し、この”PWRon”(パワーオン)制
御信号は、発生回路111−124からの電圧の全てが
安定していることを指示し(セクション121)、発生
回路は、始動しており、正確なパワーオンレベルに達し
ているので、パワーオン期間は終了される(セクション
122)。
要求される動作期間の何れかの間、回路設計者によって
形成することができ、それから、種々要求される各動作
期間の間、発生回路111−124を制御するために、
コントローラ50のステートマシン52によって使用さ
れるために相応のプログラム命令に変換される。
は、論理制御機能と電圧発生機能とが明らかに分離され
ている点にある。従って、系全体を容易に検証すること
ができる。と言うのは、機能は全て、個別に検証するこ
とができ、その機能の信号アスペクトは、他の機能への
副次的な作用なしに切換乃至置換することができるの
で、極めて大きなフレキシビリティで切り換えることが
できる。特に、この系の論理的なモードは、ステートマ
シン52の仕様によって決定され、論理モードでの切換
は単純に行われ、電圧発生回路に作用しない。しかも、
例のように、動作のパワーオン期間のシーケンス構成
は、付加的な遅延回路を必要としない。と言うのは、遅
延は全て、ステートマシン52は本質的に「シーケン
サ:sequencer」であるので、ステートマシン
52で実行される。付加的に、テストモード信号及びフ
ューズ信号の初期化は、付加的な回路を必要としない。
と言うのは、この初期化は、パワーオンシーケンス中、
これらの信号が評価されるということを示しさえすれば
よいので、本質的にステートマシン52で実行されるか
らである。
一般的な原理を示したに過ぎない。上述の原理に整合し
ている限りで、当業者は、種々の変形実施例を構成する
ことができる。例えば、同様のシーケンステーブルを、
チップ上で必要な動作期間のそれぞれに対して形成する
こともでき、それから、種々の動作期間のそれぞれに対
する発生回路111−124を制御するために、コント
ローラ50のステートマシン52によって使用されるた
めの相応のプログラム命令に変換される。更に、図4,
図5のシーケンステーブルは、パワーオン期間、及び、
そのために構成することができる、他の何れかの所望の
シーケンス用に使用される、単に例示的なシーケンスに
すぎない。
回路系を構成する複数の電圧発生回路は、集中型電圧発
生回路制御装置により制御される。電圧発生回路制御装
置は、例えば、クロックジェネレータ、電圧検出器、ボ
ンディングパッド、テストパッド、フューズ、及び所定
のレジスタのような、チップ上の種々のデバイスからの
制御信号を受信するステートマシンを有するコントロー
ラを有している。受信信号から、コントローラは、発生
回路によって必要とされる動作の各期間中の所定のプロ
グラムシーケンスに従って、電圧発生回路系及びチップ
上の他の回路への制御信号を発生して、チップ上の回路
への所要の安定した電圧を給電する。
設けられている論理回路を必要とせず、発生回路系又は
チップを将来変更するために必要な何らかの変化に適応
するフレキシビリティが得られるという効果を奏するこ
とができる。
発生回路チップ内の電圧を制御するための、従来技術の
発生回路制御装置のブロック図
うな、多重電圧発生回路チップ上の種々の電圧を制御す
るための例示的な集中型発生回路制御装置のブロック図
れる、ダイナミックRAMのような、多重電圧チップ上
に複数の電圧発生回路を有している、本発明による例示
的な電圧発生回路系のブロック図
置によって図3の発生回路装置を制御するための例示的
なパワーオンシーケンスを示すためのパワーオンシーケ
ンス表を示す図
置によって図3の発生回路装置を制御するための例示的
なパワーオンシーケンスを示すためのパワーオンシーケ
ンス表を示す図
テートマシーン用の例示的な装置を示す図
Claims (11)
- 【請求項1】 多重電圧発生回路チップ内の電圧発生回
路を制御するための装置において、発生回路系と、集中
型発生回路制御装置とを有しており、前記発生回路系
は、複数の電圧発生回路を有しており、前記集中型発生
回路制御装置は、前記複数の電圧発生回路のそれぞれ、
及びチップ上の所定のデバイスに接続されたコントロー
ラを有しており、該コントローラは、前記チップ上の前
記所定のデバイスからの信号に応答して、前記発生回路
系の動作の少なくとも2つの別個の期間のそれぞれの
間、所定シーケンスの出力制御信号を前記個別発生回路
に発生し、該出力制御信号により、所定の時間期間に、
前記複数の電圧発生回路及び前記チップ上の前記所定の
デバイスが制御され、前記複数の電圧発生回路から、前
記チップ上の前記所定の回路への、所要の安定した出力
電圧を形成するように構成したことを特徴とする装置。 - 【請求項2】 集中型発生回路制御装置は、更に、複数
電圧発生回路の所定の1つの電圧発生回路の電圧閾値レ
ベルを検出するため、及び、検出された前記電圧レベル
を示すコントローラへの出力信号を発生するための電圧
検出装置を有している請求項1記載の装置。 - 【請求項3】 コントローラは、各動作期間の間、発生
回路系を制御するための別個のプログラムシーケンスで
動作するステートマシンを有している請求項1記載の装
置。 - 【請求項4】 コントローラは、ステートマシンを有し
ており、該ステートマシンは、入力論理回路とラッチ回
路と出力論理回路とを有しており、前記入力論理回路
は、前記ステートマシンへの論理入力信号を受信し、該
受信された論理入力信号への応答に相応する所定の出力
制御信号を発生し、前記ラッチ回路は、前記入力論理回
路からの前記出力制御信号、及び所定の他の入力信号に
応答して、所定の出力信号を発生し、前記出力論理回路
は、前記ステートマシンへの論理入力信号及び前記ラッ
チ回路からの前記出力信号を受信し、前記ステートマシ
ンの所定の出力制御信号を発生する請求項1記載の装
置。 - 【請求項5】 チップは、ダイナミックランダムアクセ
スメモリチップである請求項1記載の装置。 - 【請求項6】 動作の少なくとも2つの別個の期間は、
パワーオン及び動作の通常期間を有している請求項1記
載の装置。 - 【請求項7】 ダイナミックランダムアクセスメモリ
(DRAM)チップにおいて、発生回路系と、集中型発
生回路制御装置とを有しており、前記発生回路系は、所
定の他の発生回路及びチップ上の他のデバイスに電圧を
発生するための複数の電圧発生回路を有しており、前記
集中型発生回路制御装置は、前記複数の電圧発生回路の
それぞれ、及びチップ上の所定のデバイスに接続された
コントローラを有しており、該コントローラは、前記チ
ップ上の前記所定のデバイスからの信号に応答して、前
記発生回路系の動作の少なくとも2つの別個の期間のそ
れぞれの間、所定シーケンスの出力制御信号を前記個別
発生回路に発生し、該出力制御信号により、所定の時間
期間に、前記複数の電圧発生回路及び前記チップ上の前
記所定のデバイスが制御され、前記複数の電圧発生回路
から、前記チップ上の前記所定の回路への、所要の安定
した出力電圧を形成するように構成したことを特徴とす
るダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)チ
ップ。 - 【請求項8】 集中型発生回路制御装置は、更に、複数
電圧発生回路の所定の1つの電圧発生回路の電圧閾値レ
ベルを検出するため、及び、検出された前記電圧レベル
を示すコントローラへの出力信号を発生するための電圧
検出装置を有している請求項7記載のチップ。 - 【請求項9】 コントローラは、各動作期間の間、発生
回路系を制御するための別個のプログラムシーケンスで
動作するステートマシンを有している請求項7記載のチ
ップ。 - 【請求項10】 コントローラは、ステートマシンを有
しており、該ステートマシンは、入力論理回路とラッチ
回路と出力論理回路とを有しており、前記入力論理回路
は、前記ステートマシンへの論理入力信号を受信し、該
受信された論理入力信号への応答に相応する所定の出力
制御信号を発生し、前記ラッチ回路は、前記入力論理回
路からの前記出力制御信号、及び所定の他の入力信号に
応答して、所定の出力信号を発生し、前記出力論理回路
は、前記ステートマシンへの論理入力信号及び前記ラッ
チ回路からの前記出力信号を受信し、前記ステートマシ
ンの所定の出力制御信号を発生する請求項7記載のチッ
プ。 - 【請求項11】 動作の少なくとも2つの別個の期間
は、パワーオン及び動作の通常期間を有している請求項
7記載のチップ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US7971798P | 1998-03-27 | 1998-03-27 | |
US60/079717 | 1998-03-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11312387A true JPH11312387A (ja) | 1999-11-09 |
JP4518344B2 JP4518344B2 (ja) | 2010-08-04 |
Family
ID=22152350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08631799A Expired - Fee Related JP4518344B2 (ja) | 1998-03-27 | 1999-03-29 | 多重電圧発生回路チップ内の電圧発生回路を制御するための装置及びダイナミックランダムアクセスメモリ(dram)チップ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6094395A (ja) |
EP (1) | EP0945868B1 (ja) |
JP (1) | JP4518344B2 (ja) |
KR (1) | KR19990078285A (ja) |
CN (1) | CN1201331C (ja) |
DE (1) | DE69938019T2 (ja) |
TW (1) | TW588374B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6530051B1 (en) * | 1998-03-27 | 2003-03-04 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for an easy identification of a state of a DRAM generator controller |
DE10001648C2 (de) | 2000-01-17 | 2002-03-14 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltung mit mehreren Teilschaltungen |
JP4454830B2 (ja) * | 2000-11-06 | 2010-04-21 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | シーケンス回路 |
KR100361658B1 (ko) * | 2000-11-30 | 2002-11-22 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 전압 레벨 조절방법 |
US6510096B2 (en) * | 2001-04-27 | 2003-01-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Power down voltage control method and apparatus |
JP2004055001A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Renesas Technology Corp | 記憶装置 |
DE10234997C1 (de) | 2002-07-31 | 2003-09-18 | Infineon Technologies Ag | Verringerung des Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekttransistoren mit Palladiumkontakten durch Verwendung von Phosphinen und metallhaltigen Phosphinen |
US6826103B2 (en) * | 2002-10-30 | 2004-11-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Auto-tuneable reference circuit for flash EEPROM products |
KR100691485B1 (ko) * | 2003-07-29 | 2007-03-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 액티브 모드시에 전류소모를 줄일 수 있는 반도체 메모리장치 |
DE102006004851B4 (de) | 2006-02-02 | 2012-06-06 | Qimonda Ag | Integrierter Halbleiterspeicher mit Erzeugung von Spannungen |
US8958261B1 (en) * | 2013-08-30 | 2015-02-17 | Nanya Technology Corporation | Low power protection circuit |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06215563A (ja) * | 1991-10-10 | 1994-08-05 | Gold Star Electron Co Ltd | セルプレート電圧初期セットアップ回路 |
JPH08315598A (ja) * | 1995-05-12 | 1996-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | テスト機能内蔵メモリ集積回路 |
WO1997005622A1 (en) * | 1995-07-28 | 1997-02-13 | Micron Quantum Devices, Inc. | Memory system having programmable control parameters |
JPH09282880A (ja) * | 1996-04-16 | 1997-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
JPH09315598A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-09 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 紙葉類搬送装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2697412B2 (ja) * | 1991-10-25 | 1998-01-14 | 日本電気株式会社 | ダイナミックram |
US5291455A (en) * | 1992-05-08 | 1994-03-01 | Motorola, Inc. | Memory having distributed reference and bias voltages |
DE19513587B4 (de) * | 1994-04-15 | 2007-02-08 | Micron Technology, Inc. | Speicherbauelement und Verfahren zum Programmieren eines Steuerbetriebsmerkmals eines Speicherbauelements |
US5508971A (en) * | 1994-10-17 | 1996-04-16 | Sandisk Corporation | Programmable power generation circuit for flash EEPROM memory systems |
KR100333026B1 (ko) * | 1994-10-19 | 2002-10-19 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 부분양호메모리집적회로로부터이용가능부분을효과적으로얻기위한방법 |
KR0137317B1 (ko) * | 1994-12-29 | 1998-04-29 | 김광호 | 반도체 메모리소자의 활성싸이클에서 사용되는 승압회로 |
US5946257A (en) * | 1996-07-24 | 1999-08-31 | Micron Technology, Inc. | Selective power distribution circuit for an integrated circuit |
-
1999
- 1999-02-22 US US09/253,996 patent/US6094395A/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-17 EP EP99105443A patent/EP0945868B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-17 TW TW088104171A patent/TW588374B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-03-17 DE DE69938019T patent/DE69938019T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-26 CN CNB991044347A patent/CN1201331C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-26 KR KR1019990010426A patent/KR19990078285A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-03-29 JP JP08631799A patent/JP4518344B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06215563A (ja) * | 1991-10-10 | 1994-08-05 | Gold Star Electron Co Ltd | セルプレート電圧初期セットアップ回路 |
JPH08315598A (ja) * | 1995-05-12 | 1996-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | テスト機能内蔵メモリ集積回路 |
WO1997005622A1 (en) * | 1995-07-28 | 1997-02-13 | Micron Quantum Devices, Inc. | Memory system having programmable control parameters |
JPH09282880A (ja) * | 1996-04-16 | 1997-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
JPH09315598A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-09 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 紙葉類搬送装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69938019T2 (de) | 2009-01-15 |
US6094395A (en) | 2000-07-25 |
JP4518344B2 (ja) | 2010-08-04 |
EP0945868A3 (en) | 2000-08-02 |
EP0945868A2 (en) | 1999-09-29 |
DE69938019D1 (de) | 2008-03-13 |
TW588374B (en) | 2004-05-21 |
CN1238526A (zh) | 1999-12-15 |
EP0945868B1 (en) | 2008-01-23 |
CN1201331C (zh) | 2005-05-11 |
KR19990078285A (ko) | 1999-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5867442A (en) | Variable output voltage booster circuits and methods | |
EP0800259B1 (en) | Standby voltage boosting stage and method for a memory device | |
EP0596228B1 (en) | Oscillatorless substrate bias generator | |
JP2002032987A (ja) | 内部電圧発生回路 | |
US6876585B2 (en) | Circuit and method for selecting reference voltages in semiconductor memory device | |
JP4518344B2 (ja) | 多重電圧発生回路チップ内の電圧発生回路を制御するための装置及びダイナミックランダムアクセスメモリ(dram)チップ | |
JPH10312683A (ja) | 半導体メモリ素子の電圧調整回路 | |
JPH04274084A (ja) | 基板電位調整装置 | |
KR20010049689A (ko) | 대기 모드를 갖는 데이타 처리 회로 | |
JP2960727B2 (ja) | 基準電圧回路のバイアス電流を低減するための方法及び装置 | |
US7382677B2 (en) | Memory device having internal voltage supply providing improved power efficiency during active mode of memory operation | |
JP3759000B2 (ja) | レシーバ回路、特にdramメモリにおけるスイッチのための回路配置物 | |
US6633187B1 (en) | Method and apparatus for enabling a stand alone integrated circuit | |
US11374568B2 (en) | Semiconductor apparatus including power gating circuits | |
KR100616496B1 (ko) | 동작모드에 따라 파워라인 연결 방식을 달리한 반도체메모리소자의 파워공급 제어장치 | |
JPH10149237A (ja) | 半導体回路 | |
US7436730B2 (en) | Method and device for controlling internal power voltage, and semiconductor memory device having the same | |
KR100587026B1 (ko) | 백-바이어스 전압 발생회로 | |
US11171659B1 (en) | Techniques for reliable clock speed change and associated circuits and methods | |
KR100420086B1 (ko) | 반도체 장치의 전압 변환 회로 | |
KR100434967B1 (ko) | 센스 앰프 구동장치 | |
TWI260023B (en) | Accelerated power-on procedure for low-power RAM | |
US6868018B2 (en) | Memory circuit, method for manufacturing and method for operating the same | |
KR100340051B1 (ko) | 반도체소자의백바이어스전압발생회로 | |
JP2000029560A (ja) | 電子装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080605 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080905 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080910 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090513 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090813 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090818 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100422 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100513 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |