JPH11287707A - Measuring apparatus for laser pulse energy, and control apparatus for providing working laser pulse and method using the same - Google Patents
Measuring apparatus for laser pulse energy, and control apparatus for providing working laser pulse and method using the sameInfo
- Publication number
- JPH11287707A JPH11287707A JP10103918A JP10391898A JPH11287707A JP H11287707 A JPH11287707 A JP H11287707A JP 10103918 A JP10103918 A JP 10103918A JP 10391898 A JP10391898 A JP 10391898A JP H11287707 A JPH11287707 A JP H11287707A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser pulse
- laser
- temperature
- detector
- energy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術の分野】本発明はレーザパルスのエ
ネルギ計測装置に係り、より詳しくはレーザ加工用のレ
ーザパルスのようにピーク出力が極めて高くパルス幅が
比較的小さいレーザパルスのエネルギを計測する計測装
置、並びにこれを用いた加工用レーザパルス供給制御装
置及び方法に係る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser pulse energy measuring apparatus, and more particularly, to measuring the energy of a laser pulse having a very high peak output and a relatively small pulse width, such as a laser pulse for laser processing. The present invention relates to a measuring device, and a processing laser pulse supply control device and method using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】TEA−CO2レーザのようなピーク出
力が極めて高くパルス幅が比較的小さい赤外域レーザパ
ルスの発振器を用いて、高密度多層プリント基板の表面
樹脂層のみにBVH(ブラインド・ビア・ホール)を形
成することは、知られている。このとき、1ショットの
パルスでは所定の深さの穴にならず、パルスを複数ショ
ット照射することによって所定深さの穴(ビアホール)
を明ける必要があることが少なくない。 2. Description of the Related Art BVH (blind via) is applied only to the surface resin layer of a high-density multilayer printed circuit board using an infrared laser pulse oscillator having a very high peak output and a relatively small pulse width such as a TEA-CO 2 laser. Forming holes) is known. At this time, a single-shot pulse does not form a hole having a predetermined depth, and a pulse (a via hole) having a predetermined depth is formed by irradiating a plurality of shots with a pulse.
It is often necessary to open
【0003】TEA−CO2レーザからのパルスのよう
にピーク出力が極めて高くパルス幅が比較的小さいレー
ザパルスの場合、各パルスのエネルギにばらつきが生じ
る。例えば、複数ショットのパルスのうち少なくとも一
つのパルスエネルギが過度に大きくて例えば最後の1シ
ョットのパルスなしでも所定深さのビアホールが形成さ
れるような場合、予め設定された所定ショット数のパル
スを無条件に照射して穴明すると、過剰なパルスエネル
ギの投入に関連して加工エネルギ及び加工時間のロス等
を生じていることになる。一方、複数ショットのパルス
のうち少なくとも一つのパルスエネルギが過度に小さい
場合、設定された所定ショット数のパルスでは穴が樹脂
層を貫通せず所定のビアホールが形成されないことにな
る。[0003] In the case of a laser pulse having a very high peak output and a relatively small pulse width, such as a pulse from a TEA-CO 2 laser, the energy of each pulse varies. For example, when at least one pulse energy of a plurality of shot pulses is excessively large and, for example, a via hole having a predetermined depth is formed without the pulse of the last one shot, a predetermined number of shot pulses are set in advance. If drilling is performed unconditionally, loss of processing energy and processing time is caused in connection with the input of excessive pulse energy. On the other hand, when the pulse energy of at least one of the pulses of the plurality of shots is excessively small, the holes do not penetrate the resin layer and the predetermined via holes are not formed with the predetermined number of shot pulses.
【0004】このような問題を避けるべく、複数ショッ
トのパルスで穴明加工するに際し、照射するパルスエネ
ルギをモニタしながら加工を行うこと、例えば、各パル
スエネルギが所定レベルに達しているかどうかを判定し
つつパルス照射を行い、所定レベルに達していないパル
スがあるときには追加のパルスを照射するようにするこ
と等(特開平9−253878号公報)、及び各パルス
エネルギを計測しつつ複数ショットのパルス照射を行
い、計測したパルスエネルギの積算値が所定レベルに達
していないときには追加のパルスを照射するようにする
こと等(特開平9−308977号公報)が提案されて
いる。In order to avoid such a problem, when drilling with a plurality of shot pulses, the drilling is performed while monitoring the pulse energy to be irradiated. For example, it is determined whether each pulse energy has reached a predetermined level. (For example, irradiating an additional pulse when there is a pulse that does not reach a predetermined level) (Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 9-253878), and a plurality of shot pulses while measuring each pulse energy. Irradiation is performed, and an additional pulse is irradiated when the integrated value of the measured pulse energy does not reach a predetermined level (Japanese Patent Laid-Open No. 9-308977).
【0005】ところで、パルスエネルギをモニタするた
めには、加工用レーザパルスを一定のエネルギ割合で分
岐させてモニタ用に取出し、このモニタ用レーザパルス
のエネルギをリアルタイムにできるだけ正確に計測する
必要がある。By the way, in order to monitor the pulse energy, it is necessary to branch a processing laser pulse at a constant energy ratio and take it out for monitoring, and measure the energy of the monitoring laser pulse in real time as accurately as possible. .
【0006】赤外域のレーザパルスのエネルギ検出に
は、通常、パルスエネルギの大きさを熱エネルギの形で
検出する感熱式の検出器、又はフォトダイオードやフォ
トトランジスタのような半導体式の光検出器が用いられ
る。In order to detect the energy of a laser pulse in the infrared region, a heat-sensitive detector for detecting the magnitude of the pulse energy in the form of thermal energy, or a semiconductor-type photodetector such as a photodiode or a phototransistor is usually used. Is used.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、感熱式
の検出器の場合、応答速度が遅いので、繰返し周波数の
高いパルスのエネルギ計測には適さない。また、検出器
が安定するまでに時間がかかり、計測当初検出器出力に
ドリフトが生じてしまって迅速な加工制御を行い難い。However, the thermal detector is not suitable for measuring the energy of a pulse having a high repetition frequency because of its slow response speed. In addition, it takes time for the detector to stabilize, and a drift occurs in the output of the detector at the beginning of measurement, making it difficult to perform rapid processing control.
【0008】一方、フォトダイオードのような半導体式
の光検出器では、検出器の感度が温度に敏感に依存する
ので、周囲温度の変化等の影響によって検出器出力が変
動してしまうのを避け難かった。On the other hand, in a semiconductor-type photodetector such as a photodiode, the sensitivity of the detector is sensitive to temperature, so that the output of the detector is prevented from fluctuating due to a change in ambient temperature or the like. It was difficult.
【0009】従って、従来の加工用レーザパルスのエネ
ルギ計測は若干不正確なものであった。また、パルスエ
ネルギの計測が不正確な状態では、上述したような加工
制御は意図したとおりには行われ難かった。なお、パル
スエネルギの計測の問題は、TEA−CO2レーザのよ
うな遠赤外域のレーザのみならず、Nd:YAGレーザ
のような近赤外域のレーザや高調波YAGレーザのよう
な可視領域のレーザのパルスエネルギ計測にも多少とも
あてはまると考えられる。Therefore, the conventional measurement of the energy of the processing laser pulse is somewhat inaccurate. Further, in a state where the pulse energy measurement is inaccurate, the above-described processing control is difficult to be performed as intended. The problem of measuring the pulse energy is not only a laser in the far infrared region such as a TEA-CO 2 laser, but also a laser in the near infrared region such as an Nd: YAG laser or a visible region such as a harmonic YAG laser. It is believed that this also applies somewhat to laser pulse energy measurement.
【0010】本発明は前記諸点に鑑みなされたものであ
って、その目的とするところは、レーザパルスのエネル
ギを正確に計測し得るレーザパルスエネルギ計測装置、
並びにこれを用いた加工用レーザパルス供給制御装置及
び方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above points, and has as its object to provide a laser pulse energy measuring device capable of accurately measuring the energy of a laser pulse.
Another object of the present invention is to provide a processing laser pulse supply control device and method using the same.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、前記し
た目的は、モニター用のレーザパルスが入射される半導
体式光検出器と、該検出器の温度を一定に保つべく制御
する検出器温度制御装置と、1ショットのレーザパルス
の光量に応じた検出器の出力を時間積分して該レーザパ
ルスのエネルギを求める積分器とを有するレーザパルス
エネルギ計測装置によって達成される。SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, it is an object of the present invention to provide a semiconductor photodetector on which a laser pulse for monitoring is incident, and a detector for controlling the temperature of the detector to be constant. This is achieved by a laser pulse energy measurement device having a temperature control device and an integrator for integrating the output of a detector according to the light amount of a one-shot laser pulse to obtain the energy of the laser pulse.
【0012】この明細書において、「モニタ用のレー
ザ」とは、加工用のTEA−CO2レーザやNd:YA
Gレーザのような赤外域レーザまたは2もしくは3倍波
YAGレーザのような可視もしくは紫外域レーザから放
出されるピーク出力が高いレーザパルスのレーザ光の一
部をモニタ用に取出したものをいう。[0012] In this specification, "laser for monitoring", TEA-CO 2 laser or Nd for working: YA
It refers to a part of a laser beam of a laser pulse having a high peak output emitted from an infrared laser such as a G laser or a visible or ultraviolet laser such as a 2 or 3rd harmonic YAG laser for monitoring.
【0013】また、この明細書において、「半導体式光
検出器」とは、光量子の吸収による半導体内電子の電子
励起を利用した量子的検出器であって、レーザパルスの
光量ないしエネルギに依存する出力を与え得るものであ
れば、フォトダイオードのように光起電力効果を利用す
るものでも、光導電現象を利用するものでもよい。な
お、光起電力効果を利用するものとしては、接合形のも
のでもフォトンドラッグを利用するタイプのものでもよ
い。いずれにしても、半導体式の光検出器では、検出感
度(出力)の温度依存が大きい。In this specification, a "semiconductor photodetector" is a quantum detector that utilizes the electronic excitation of electrons in a semiconductor by the absorption of photons, and depends on the light quantity or energy of a laser pulse. Any device that can provide an output may use a photovoltaic effect, such as a photodiode, or may use a photoconductive phenomenon. As a device utilizing the photovoltaic effect, a junction type or a photon drag type may be used. In any case, in the semiconductor type photodetector, the detection sensitivity (output) greatly depends on the temperature.
【0014】「1ショットのレーザパルスの光量に応じ
た検出器の出力」とは、半導体式光検出器が「1ショッ
トのレーザパルス」を受光した際、該レーザパルスのピ
ーク出力及びパルス幅などに依存してパルス繰返し周期
よりも十分に短い時間の間に与える時間依存出力をい
う。"The output of the detector according to the light quantity of the one-shot laser pulse" means that when the semiconductor photodetector receives the "one-shot laser pulse", the peak output and pulse width of the laser pulse are obtained. Means a time-dependent output given during a time sufficiently shorter than the pulse repetition period.
【0015】ピーク出力が極めて高くパルス幅が比較的
小さいレーザパルスのエネルギをできるだけ正確に計測
するために、フォトダイオードタイプの半導体式光検出
器によるエネルギ計測について種々の検討を行った結
果、本発明者は、半導体式光検出器の温度に起因する誤
差の発生(影響)を避けた場合には、半導体式光検出器
の時間依存出力の波形には、次のような特徴があり、実
用的である(加工制御等のためのエネルギ計測に実際上
有効に用いられ得る)ことを確認した。In order to measure the energy of a laser pulse having a very high peak output and a relatively small pulse width as accurately as possible, various studies were made on the energy measurement by a photodiode type semiconductor photodetector. When avoiding the occurrence (influence) of an error caused by the temperature of the semiconductor photodetector, the user has the following characteristics in the waveform of the time-dependent output of the semiconductor photodetector. (It can be effectively used for energy measurement for processing control and the like).
【0016】すなわち、モニタ用にごく一部を取出した
ものとはいえ、加工用レーザパルスはピーク出力がきわ
めて高くピークまでの立上り時間が短いので、レーザパ
ルスの光量に応じたパルスの形態の検出器出力は、立上
り直後にほぼ飽和してしまってレーザパルスのピーク出
力にリニアには応答し難い。なお、ピーク出力で飽和し
ないように強度やセンサ感度を調整するとダイナミック
レンジが大きくなりすぎてパルスの時間シェイプを観測
できない。しかしながら、レーザパルスのピーク出力の
増大は、検出器出力の時間波形に影響を与え、検出器出
力を時間的に積分することによって、レーザパルスエネ
ルギにほぼ比例する量を求め得る。That is, although a very small portion is taken out for monitoring, the processing laser pulse has a very high peak output and a short rise time until the peak, so that the pulse form corresponding to the light amount of the laser pulse is detected. The output of the laser is almost saturated immediately after rising, and it is difficult to linearly respond to the peak output of the laser pulse. If the intensity or sensor sensitivity is adjusted so as not to saturate at the peak output, the dynamic range becomes too large to observe the pulse time shape. However, the increase in the peak power of the laser pulse affects the time waveform of the detector output, and by integrating the detector output over time, an amount that is approximately proportional to the laser pulse energy can be determined.
【0017】「検出器温度制御装置」は、光検出器が所
望の検出特性を有する温度範囲内において光検出器の温
度を一定に保ち得る限り、どのようなものでもよい。な
お、検出器温度制御装置で設定制御される温度は、光検
出器の感度など検出特性に大幅な影響を与えない限り、
光検出器を取扱い易い温度、例えば光検出器の冷却を要
しない温度、すなわち常温または室温よりも少し高い温
度であることが好ましい。また、検出器温度制御装置に
よって設定・制御される光検出器の温度は、検出器の検
出感度の温度依存性が出来るだけ低くなるような温度で
あることが好ましい。The "detector temperature control device" may be of any type as long as the temperature of the photodetector can be kept constant within a temperature range in which the photodetector has desired detection characteristics. In addition, the temperature set and controlled by the detector temperature controller is not affected unless the detection characteristics such as the sensitivity of the photodetector are significantly affected.
The temperature is preferably a temperature at which the photodetector is easy to handle, for example, a temperature that does not require cooling of the photodetector, that is, a temperature slightly higher than room temperature or room temperature. Further, it is preferable that the temperature of the photodetector set and controlled by the detector temperature control device is such that the temperature dependency of the detection sensitivity of the detector becomes as low as possible.
【0018】[0018]
【作用及び効果】本発明のレーザパルスエネルギ計測装
置では、半導体式光検出器の温度を一定に保つべく制御
する検出器温度制御装置を備えているので、検出器の感
度が雰囲気温度やレーザパルスの受光に伴う発熱の影響
を受けるのを最小限に抑え得るから、半導体式光検出器
によるレーザパルスの光量の検出確度が高められ得る。
また、本発明のレーザパルスエネルギ計測装置では、1
ショットのレーザパルスの光量に応じた検出器の出力を
時間積分して該レーザパルスのエネルギを求める積分器
を備えているので、温度制御された光検出器の比較的正
確な出力に基づいて、1ショットのレーザパルスについ
て、該パルスのエネルギを積分器の出力の形で比較的正
確に求め得る。その結果、複数ショットのレーザパルス
のエネルギの計測値を積算してなる積算値が有意な量と
して加工制御に用いられ得る。The laser pulse energy measuring device of the present invention has a detector temperature control device for controlling the temperature of the semiconductor photodetector so as to keep the temperature constant. Therefore, the influence of the heat generated by the light reception can be minimized, and the detection accuracy of the light amount of the laser pulse by the semiconductor photodetector can be enhanced.
In the laser pulse energy measuring device of the present invention, 1
Since the output of the detector according to the light amount of the laser pulse of the shot is integrated over time to obtain the energy of the laser pulse, based on the relatively accurate output of the temperature-controlled photodetector, For a one-shot laser pulse, the energy of the pulse can be determined relatively accurately in the form of the output of the integrator. As a result, the integrated value obtained by integrating the measured values of the energy of the laser pulses of a plurality of shots can be used as a significant amount for the processing control.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】検出器温度制御装置は、一定温度
の浴を用いて検出器を強制的に一定温度に保つタイプの
ものでもよいが、好ましくは、光検出器の温度を感知す
る温度センサと、温度センサによる感知温度が一定にな
るように光検出器を熱的に制御する制御器とを有する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The detector temperature control device may be of a type in which a constant temperature bath is used to forcibly keep the detector at a constant temperature, but preferably, a temperature at which the temperature of the photodetector is sensed. It has a sensor and a controller for thermally controlling the photodetector so that the temperature sensed by the temperature sensor becomes constant.
【0020】ここで、「温度センサ」としては、熱電対
のようなものでも他の形式の温度検出器でもよい。一定
温度としては好ましくは室温より高い温度が選択され
る。その場合、「光検出器を熱的に制御する制御器」と
しては、抵抗加熱式のヒータ等が用いられ得る。用いら
れるべき検出器によっては一定温度として室温以下の温
度が選ばれ、この場合には、冷媒によって光検出器の冷
却を制御しても、光検出器を当該一定温度より低い低温
浴中に配置しておき、該光検出器の温度をヒータ等で加
熱制御するようにしてもよい。Here, the "temperature sensor" may be a thermocouple or another type of temperature detector. As the constant temperature, a temperature higher than room temperature is preferably selected. In this case, a resistance heating type heater or the like may be used as the “controller that thermally controls the photodetector”. Depending on the detector to be used, a temperature equal to or lower than room temperature is selected as the constant temperature. In this case, even if the cooling of the light detector is controlled by the refrigerant, the light detector is placed in a low-temperature bath lower than the certain temperature. In addition, the temperature of the photodetector may be controlled by a heater or the like.
【0021】以上のようなレーザパルスエネルギ計測装
置を用いて加工用レーザパルス供給制御装置を形成する
場合、基本的には、複数ショットのレーザパルスについ
ての前記積分器の積算出力を基準値と比較して該積算出
力が(予め設定した所定の)基準値に達するとレーザ発
振器からのレーザパルスの供給を停止させると共に積分
器を初期化する信号を発する比較器を設ければよい。When a processing laser pulse supply control device is formed using the above-described laser pulse energy measurement device, basically, the integrated output of the integrator for a plurality of shots of laser pulses is compared with a reference value. Then, when the integrated output reaches a reference value (predetermined predetermined value), a comparator for stopping the supply of the laser pulse from the laser oscillator and generating a signal for initializing the integrator may be provided.
【0022】この場合、複数ショットのレーザパルスが
全体として基準値で規定される所定のエネルギになるか
ら、被加工部材を該所定のエネルギのレーザパルスで確
実に且つ迅速に無駄なく加工し得ることになる。パルス
供給を停止させるためには、レーザ発振器からのパルス
の放出自体を停止させても、放出されたパルスを被加工
部材の被照射部以外に偏向させるようにしてもよい。な
お、加工としては、例示のような穴明でも切断など穴明
以外の加工でもよい。In this case, since the laser pulses of a plurality of shots have a predetermined energy defined by the reference value as a whole, the workpiece can be processed reliably and quickly with the laser pulse of the predetermined energy without waste. become. In order to stop the pulse supply, the emission of the pulse itself from the laser oscillator may be stopped, or the emitted pulse may be deflected to a portion other than the irradiated portion of the workpiece. In addition, as the processing, a processing other than the drilling such as the drilling or the cutting may be used.
【0023】[0023]
【実施例】次に、本発明による好ましい一実施例を図面
に基づいて説明する。Next, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0024】レーザパルスによる加工が、図3に示した
ようなプリント配線基板50への穴明であるとする。プ
リント配線基板50は、例えば、樹脂層51と、この樹
脂層51の下面に形成された金属配線層52とを含み、
樹脂層51に穴明する必要があるとする。更に、例え
ば、パルスエネルギが150mJ、パルス幅が200n
s、パルス繰返し周波数が300Hz、平均出力が45
W程度のTEA−CO2レーザのようなパルス発振レー
ザからのレーザパルスが所定のエネルギで照射されたと
き、該レーザパルスを複数ショット、例えば5ショッ
ト、照射することによって基板表面53から配線層52
の手前まで樹脂層51を貫通する穴54のような穴明を
行い得る場合を例にとって説明する。ここで、1ショッ
トの又は複数ショットのレーザパルスのエネルギが通常
のエネルギよりも相当小さい場合には、5ショットのレ
ーザパルスでは穴が樹脂層51を完全には貫通せず、例
えば符号55で示したような途中までの穴になり、例え
ば、更に1ショットだけ(場合によっては2ショット又
はそれ以上)パルスを追加的に照射してこの穴55を樹
脂層51を貫通する穴54に変える必要がある。一方、
1ショットの又は複数ショットのレーザパルスのエネル
ギが通常のエネルギよりも相当大きい場合には、例えば
4ショットのレーザパルスで樹脂層51を貫通する穴5
4が形成され、第5ショットのレーザパルス照射は不要
(過剰)である。It is assumed that the processing by the laser pulse is a perforation on the printed wiring board 50 as shown in FIG. The printed wiring board 50 includes, for example, a resin layer 51 and a metal wiring layer 52 formed on a lower surface of the resin layer 51.
It is assumed that it is necessary to make a hole in the resin layer 51. Further, for example, the pulse energy is 150 mJ and the pulse width is 200 n
s, pulse repetition frequency 300 Hz, average output 45
When a laser pulse from a pulse oscillation laser such as a TEA-CO 2 laser of about W is irradiated with a predetermined energy, the laser pulse is irradiated in a plurality of shots, for example, 5 shots, so that the wiring layer 52 is formed from the substrate surface 53.
A case in which a hole such as a hole 54 penetrating through the resin layer 51 can be made up to this point will be described as an example. Here, when the energy of the laser pulse of one shot or a plurality of shots is considerably smaller than the normal energy, the hole does not completely penetrate the resin layer 51 with the laser pulse of five shots. It is necessary to change the hole 55 to a hole 54 penetrating the resin layer 51 by additionally irradiating a pulse only for one shot (in some cases, two shots or more). is there. on the other hand,
When the energy of the laser pulse of one shot or a plurality of shots is considerably larger than the normal energy, for example, the hole 5 penetrating through the resin layer 51 by the laser pulse of four shots is used.
No. 4 is formed, and laser pulse irradiation for the fifth shot is unnecessary (excessive).
【0025】ところで、フォトダイオードのような半導
体式光検出器の温度を一定に制御した状態で、該半導体
式光検出器を用いてモニタ用レーザパルスのエネルギを
測定した場合、レーザパルスのピーク出力及びパルス幅
に依存するレーザパルスエネルギに応じて、図2にしめ
すような出力が得られることを、本発明者は確認した。
図2において、横軸は時間、縦軸は光検出器の出力を示
す。When the energy of a monitoring laser pulse is measured using a semiconductor photodetector such as a photodiode while the temperature of the semiconductor photodetector is kept constant, the peak output of the laser pulse is measured. The inventor has confirmed that an output as shown in FIG. 2 can be obtained according to the laser pulse energy depending on the pulse width and the pulse width.
In FIG. 2, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the output of the photodetector.
【0026】すなわち、例えば、レーザパルスのピーク
出力が通常の場合には、図2において実線41で示した
ような検出器の出力波形が得られるとすると、レーザパ
ルスのピーク出力が比較的低い場合には、図2において
二点鎖線42で示したような出力波形が得られる。出力
波形42と出力波形41とを比較すると、出力波形42
では、パルスのピーク出力の減少に依存して若干検出器
出力のピーク値が若干小さくなる(場合によってはピー
ク値は実際上変わらない)と共にピーク出力の減少の影
響を受けてよりテールが短くなっている(検出器出力
(波形)のパルス幅が狭くなっている)。また、レーザ
パルスのピーク出力が通常より相当高くてパルスエネル
ギが高い場合には、図2において破線43で示したよう
な出力波形になる。出力波形43と出力波形41とを比
較すると、出力波形43では、パルスのピーク出力の増
加にもかかわらず検出器出力のピーク値は出力波形41
のピーク値とほぼ同じであるけれども、ピーク出力の増
加の影響を受けてテールがより長くなっている。なお、
レーザパルスのパルス幅が長くなると、それに応じて歪
んだパルスの形態の検出器出力のテールも長くなる。That is, for example, when the peak output of the laser pulse is normal, assuming that the output waveform of the detector shown by the solid line 41 in FIG. 2 is obtained, the peak output of the laser pulse is relatively low. , An output waveform as shown by a two-dot chain line 42 in FIG. 2 is obtained. When the output waveform 42 and the output waveform 41 are compared, the output waveform 42
Then, the peak value of the detector output slightly decreases depending on the decrease in the peak output of the pulse (in some cases, the peak value does not actually change), and the tail becomes shorter due to the influence of the decrease in the peak output. (The pulse width of the detector output (waveform) is narrow). When the peak output of the laser pulse is considerably higher than usual and the pulse energy is high, the output waveform becomes as shown by a broken line 43 in FIG. When the output waveform 43 and the output waveform 41 are compared, in the output waveform 43, the peak value of the detector output is increased even though the peak output of the pulse is increased.
, But the tail is longer due to the increased peak power. In addition,
The longer the pulse width of the laser pulse, the longer the tail of the detector output in the form of a correspondingly distorted pulse.
【0027】本発明による好ましい一実施例のレーザパ
ルスエネルギ測定装置を有する加工用レーザパルス供給
制御装置を用いたレーザ加工装置を、模式的に、図1に
示す。FIG. 1 schematically shows a laser processing apparatus using a processing laser pulse supply control apparatus having a laser pulse energy measuring apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
【0028】1はTEA−CO2レーザ発振器のように
赤外域のレーザパルスを発するレーザ発振器であり、レ
ーザ発振器1から出たレーザパルスB0は、モニタ光取
出用の部分反射ミラー(部分透過ミラー)2で反射され
た後、ミラー3,4などを備えた伝送用光学系5を介し
て、被加工部材であるプリント配線基板50に表面53
側から照射用レーザパルスB1として照射される。な
お、ミラー4として、またはミラー4の基板50側に、
一つ又は複数のガルバノミラーを含む光走査器を設けて
基板50上の異なる位置に加工を行うようにし得る。Reference numeral 1 denotes a laser oscillator which emits an infrared laser pulse like a TEA-CO 2 laser oscillator. A laser pulse B0 emitted from the laser oscillator 1 is a partial reflection mirror (partially transmitting mirror) for extracting monitor light. After being reflected by the surface 2, the surface 53 is transferred to a printed circuit board 50, which is a member to be processed, via a transmission optical system 5 having mirrors 3 and 4.
Irradiation is performed from the side as an irradiation laser pulse B1. In addition, as the mirror 4, or on the substrate 50 side of the mirror 4,
An optical scanner including one or more galvanometer mirrors may be provided to perform processing at different locations on the substrate 50.
【0029】部分反射ミラー2では、発振器から出たレ
ーザパルスB0のうちのごく一部、例えばエネルギでみ
て1%分がミラー2を透過してモニタ用のレーザパルス
B2としてその光量ないしエネルギが半導体式光検出器
6で検出され、残りの99%のエネルギ部分は照射用レ
ーザパルスB1として加工用に用いられる。従って、モ
ニタ用レーザパルスB2のエネルギを計測することによ
り、照射用レーザパルスB1のエネルギを計測し得る。In the partially reflecting mirror 2, only a small part, for example, 1% of the energy of the laser pulse B0 emitted from the oscillator passes through the mirror 2 and the amount or energy of the laser pulse B2 as a monitoring laser pulse B2 is changed to a semiconductor. The remaining 99% of the energy detected by the photodetector 6 is used for processing as an irradiation laser pulse B1. Therefore, by measuring the energy of the monitoring laser pulse B2, the energy of the irradiation laser pulse B1 can be measured.
【0030】半導体式光検出器6は、その温度が一定に
保たれた場合、レーザパルスB2に対して、図2に示し
た特性を有するものである。光検出器6の温度は、熱電
対のような温度センサ7と、該温度センサ7で感知した
温度信号Cが設定温度C1に一致するように抵抗加熱ヒ
ータ8による加熱を制御する温度制御器9とによって制
御される。当然のことながら、ヒータ8は光検出器6の
温度が検出器6の光検出部の全体にわたって一様になる
ように検出器6の全体を均等に加熱し得るに十分な大き
さを有し、且つ短時間に検出器6を加熱し得るように熱
抵抗が極力少ない状態で検出器6に接触していることが
好ましい。また、温度センサ7は、検出器6の光検出部
自体の温度を検出し得るように、熱抵抗が極力少ない状
態で検出器6の光検出部に接触していることが好まし
く、且つヒータ8の影響を直接受けることがないように
ヒータ8とは熱的に極力離れた位置に配置されるのが好
ましい。When the temperature of the semiconductor photodetector 6 is kept constant, the semiconductor photodetector 6 has the characteristics shown in FIG. 2 with respect to the laser pulse B2. The temperature of the photodetector 6 is determined by a temperature sensor 7 such as a thermocouple and a temperature controller 9 for controlling heating by a resistance heater 8 so that a temperature signal C detected by the temperature sensor 7 coincides with a set temperature C1. And is controlled by Naturally, the heater 8 has a size sufficient to uniformly heat the entire detector 6 so that the temperature of the photodetector 6 becomes uniform over the entire light detecting portion of the detector 6. It is preferable that the detector 6 is in contact with the detector 6 with as low a thermal resistance as possible so that the detector 6 can be heated in a short time. Further, it is preferable that the temperature sensor 7 is in contact with the light detecting section of the detector 6 with a minimum thermal resistance so that the temperature of the light detecting section itself of the detector 6 can be detected. It is preferable that the heater 8 is located as far as possible from the heater 8 so as not to be directly affected by the heat.
【0031】15は増幅器であり、光検出器6での検出
出力D0は増幅器15で増幅された後検出出力Dとして
積分器10に送られる。増幅器15は、通常、線形増幅
するものでよく、以下ではこの前提で説明する。しか
し、場合によっては、レーザパルスB2のピーク出力が
高いことに起因してピーク出力の増加に対して光検出器
6の出力がサブリニアになって飽和することを考慮する
と共に検出器出力D0のテールのひき方を考慮して、増
幅器15として非線形に増幅する適当な一種の関数変換
器を用いて、その(変換出力Dの)時間積分値が1ショ
ットのレーザパルスのエネルギ(又は加工に対して実際
に寄与するエネルギ実効値)に比例する量により近づく
ような出力に変換してもよい。Reference numeral 15 denotes an amplifier. The detection output D0 from the photodetector 6 is sent to the integrator 10 as a detection output D after being amplified by the amplifier 15. Usually, the amplifier 15 may be one that performs linear amplification, and will be described below on this assumption. However, in some cases, it is considered that the output of the photodetector 6 becomes sublinear and saturates with respect to the increase in the peak output due to the high peak output of the laser pulse B2, and the tail of the detector output D0 is taken into consideration. In consideration of the method of application, a suitable kind of function converter that amplifies nonlinearly is used as the amplifier 15, and the time integral value (of the conversion output D) of the laser pulse of one shot (or the processing power) The output may be converted to an output closer to an amount proportional to the actual effective energy value).
【0032】積分器10は、(増幅後の)検出器出力D
を時間積分するものであって、例えば、図2の出力波形
42が検出器出力Dとして入力されると、出力波形42
の出力時間t42の後、図2において斜線で示した部分
の面積E42に対応する出力Eを与える。The integrator 10 has a detector output D (after amplification)
For example, when the output waveform 42 of FIG. 2 is input as the detector output D, the output waveform 42
After the output time t42, an output E corresponding to the area E42 of the hatched portion in FIG. 2 is given.
【0033】11は、例えば、入出力制御装置、及びデ
ィスプレイ等を備えたパーソナルコンピュータのような
ものからなるレーザパルスエネルギの供給制御器であっ
て、エネルギ供給制御器11は、レーザ発振器1に対し
ては、該レーザ発振器1からのレーザパルスB0の放出
を制御するトリガパルスFを与え、積分器10に対して
は、該積分器10の積分・積算値(積分値を積算したも
の)Eが所定のエネルギE0に達したかどうかを判定す
ると共に、該積分器10の積分・積算値Eが所定のエネ
ルギE0に達すると該積分器10を初期化するトリガパ
ルスGを該積分器10に与える比較器を有する。Reference numeral 11 denotes a laser pulse energy supply controller comprising, for example, a personal computer provided with an input / output control device, a display, and the like. Then, a trigger pulse F for controlling the emission of the laser pulse B0 from the laser oscillator 1 is given, and the integration / integration value (the integrated value of the integration value) E of the integrator 10 is given to the integrator 10. It is determined whether or not a predetermined energy E0 has been reached, and when the integrated / integrated value E of the integrator 10 reaches the predetermined energy E0, a trigger pulse G for initializing the integrator 10 is given to the integrator 10. It has a comparator.
【0034】以上において、レーザパルスエネルギ計測
装置20は、モニター用の赤外域レーザパルスB2が入
射されレーザパルスの光量に応じた出力を与える半導体
式光検出器6と、光検出器6の温度Cを感知する温度セ
ンサ7と、温度センサ7による感知温度Cが一定C1に
なるように光検出器6をヒータ8によって熱的に制御す
る温度制御器9と、1ショットのレーザパルスB2に応
じた検出器6の出力D0(すなわちD)を時間積分して
該レーザパルスB2(すなわちB1またはB0)のエネ
ルギを求める積分器10とからなる。なお、検出器温度
制御装置21は、温度センサ7と、光検出器6をヒータ
8によって熱的に制御する温度制御器9とからなる。ま
た、加工用レーザパルス供給制御装置22は、レーザパ
ルスエネルギ計測装置20に加えて、レーザ発振器1及
びレーザパルス供給制御器11を含む。更に、レーザ加
工装置23は、レーザパルス供給制御装置11に加え
て、レーザパルスの伝送光学系5を含む。In the above, the laser pulse energy measuring device 20 includes the semiconductor type photodetector 6 which receives the infrared laser pulse B2 for monitoring and gives an output corresponding to the light amount of the laser pulse, and the temperature C of the photodetector 6. , A temperature controller 9 for thermally controlling the photodetector 6 with a heater 8 so that the temperature C sensed by the temperature sensor 7 becomes constant C1, and a laser pulse B2 for one shot. An integrator 10 for integrating the output D0 (ie, D) of the detector 6 with time to obtain the energy of the laser pulse B2 (ie, B1 or B0). The detector temperature control device 21 includes a temperature sensor 7 and a temperature controller 9 for thermally controlling the photodetector 6 with the heater 8. The processing laser pulse supply control device 22 includes the laser oscillator 1 and the laser pulse supply control device 11 in addition to the laser pulse energy measurement device 20. Further, the laser processing device 23 includes a laser pulse transmission optical system 5 in addition to the laser pulse supply control device 11.
【0035】以上のように構成されたレーザ加工装置2
3では、まず、検出器温度制御装置21によって、半導
体式光検出器6の温度Cを、室温よりある程度高い所定
温度C1に設定・制御する。次に、積分器10をトリガ
パルスGで初期値(例えばゼロ)に初期化した後又はそ
れと同時に、トリガパルスFでレーザ発振器1をトリガ
して発振器1からレーザパルスB0を放出させる。放出
されたレーザパルスエネルギのほとんどすべての部分B
1(例えば99%)は光学系5を介して所定位置に配置
された被加工用プリント配線基板50の穴明部位に照射
される。一方、放出されたレーザパルスの1ショット分
のエネルギは、検出器温度制御装置21によって正確に
温度制御され室温変動などでは影響されない光検出器6
からの検出出力D0(増幅値D)を積分器10で時間積
分することによって、加工制御に十分有意な程度に正確
な値として求められる。第一回目のトリガパルスFの発
信から所定のパルス繰返し周期H(図示せず)の後、制
御器11からレーザ発振器1に第二回目のトリガパルス
Fが与えられ、レーザパルスB0の放出に続いて、一方
では検出器6による検出及び積分器10による積算的な
積分が繰返され、他方では、パルスB1による更なる穴
明が行われる。The laser processing apparatus 2 configured as described above
In 3, first, the detector temperature controller 21 sets and controls the temperature C of the semiconductor photodetector 6 to a predetermined temperature C1 which is somewhat higher than room temperature. Next, after the integrator 10 is initialized to an initial value (for example, zero) by the trigger pulse G or at the same time, the laser oscillator 1 is triggered by the trigger pulse F to cause the oscillator 1 to emit the laser pulse B0. Almost all parts B of the emitted laser pulse energy
1 (for example, 99%) is radiated via the optical system 5 to a perforated portion of the printed wiring board 50 to be processed disposed at a predetermined position. On the other hand, the energy of one shot of the emitted laser pulse is accurately controlled by the detector temperature control device 21 and is not affected by room temperature fluctuation or the like.
By integrating the detected output D0 (amplified value D) from the time with the integrator 10, the value can be obtained as an accurate value sufficiently significant for machining control. After a predetermined pulse repetition period H (not shown) from the transmission of the first trigger pulse F, a second trigger pulse F is given from the controller 11 to the laser oscillator 1 and the emission of the laser pulse B0 follows. On the one hand, the detection by the detector 6 and the integral integration by the integrator 10 are repeated, and on the other hand, further drilling by the pulse B1 is performed.
【0036】例えば、第一ショットから第四ショットま
でのレーザパルスのうちの少なくとも1ショットのレー
ザパルスが比較的大きいエネルギであって四回目のレー
ザパルスB0の放出後に積分器10の(室温変動などに
影響されない)積算的積分出力Eが所定値E0に達する
と、制御器11は第五回目のレーザ発振を起動させるこ
となく、積分器10を初期化するトリガパルスGを発す
ると共に、例えば、基板50の照射位置を変えるべくガ
ルバノミラーを備えた光走査器を含むミラー装置4に制
御信号Jを発する。これによって、レーザパルスのエネ
ルギを室温変動などによって影響されることなく正確に
計測しつつ、過剰パルスを基板50に照射するのを避け
得る。For example, at least one of the laser pulses from the first shot to the fourth shot has a relatively large energy, and after the emission of the fourth laser pulse B0, the integrator 10 (such as room temperature fluctuation). When the integrated integration output E reaches the predetermined value E0, the controller 11 generates a trigger pulse G for initializing the integrator 10 without activating the fifth laser oscillation. A control signal J is issued to a mirror device 4 including an optical scanner having a galvanomirror to change the irradiation position of 50. This makes it possible to avoid irradiating the substrate 50 with an excessive pulse while accurately measuring the energy of the laser pulse without being affected by fluctuations in room temperature or the like.
【0037】逆に、例えば、第一ショットから第五ショ
ットまでのレーザパルスのうちの少なくとも1ショット
のレーザパルスが比較的小さいエネルギであって、五回
目のレーザパルスB0の放出後においても積分器10の
(室温変動などに影響されない)積算的積分出力Eが所
定値E0に達しない場合、制御器11は第六回目の追加
のパルスの放出を起動する信号Fをレーザ発振器1に与
える。この追加パルスの放出制御は、原則的には、積分
器10の積算的な積分値Eが所定値E0に達するまで続
けられる。これによって、レーザパルスのエネルギを室
温変動などによって影響されることなく正確に計測しつ
つ、追加パルスを基板50に照射して基板50に所定の
穴54を明け得る。Conversely, for example, at least one of the laser pulses from the first shot to the fifth shot has a relatively small energy, and after the fifth laser pulse B0 is emitted, the integrator also remains. If the integrated output E of 10 (not affected by room temperature fluctuations, etc.) does not reach the predetermined value E0, the controller 11 provides the laser oscillator 1 with a signal F which activates the emission of the sixth additional pulse. In principle, this additional pulse emission control is continued until the integrated value E of the integrator 10 reaches the predetermined value E0. Thus, while the energy of the laser pulse is accurately measured without being affected by fluctuations in room temperature or the like, an additional pulse can be applied to the substrate 50 to make a predetermined hole 54 in the substrate 50.
【図1】本発明による好ましい一実施例のレーザパルス
エネルギ計測装置を有するレーザパルス供給制御装置を
用いたレーザ加工装置の模式的説明図。FIG. 1 is a schematic explanatory view of a laser processing apparatus using a laser pulse supply control device having a laser pulse energy measuring device according to a preferred embodiment of the present invention.
【図2】図1のレーザパルスエネルギ計測装置に用いる
半導体式光検出器の特性を説明するグラフ。FIG. 2 is a graph illustrating characteristics of a semiconductor photodetector used in the laser pulse energy measurement device of FIG.
【図3】図1のレーザ加工装置で穴明される基板の説明
図。FIG. 3 is an explanatory view of a substrate drilled by the laser processing apparatus of FIG. 1;
1 レーザ発振器 2 部分反射ミラー 5 伝送用光学系 6 半導体式光検出器 7 温度センサ 8 ヒータ 9 温度制御器 10 積分器 11 レーザパルス供給制御器 20 レーザパルスエネルギ計測装置 21 検出器温度制御装置 22 加工用レーザパルス供給制御装置 23 レーザ加工装置 41,42,43 出力波形 50 被加工部材(基板) 54,55 穴 B0,B1,B2 レーザパルス C 感知温度 C1 設定温度 D0,D 検出器出力 E 積分値(積分・積算値) E0 所定積算エネルギ値 F,G トリガパルス DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser oscillator 2 Partial reflection mirror 5 Transmission optical system 6 Semiconductor type photodetector 7 Temperature sensor 8 Heater 9 Temperature controller 10 Integrator 11 Laser pulse supply controller 20 Laser pulse energy measurement device 21 Detector temperature control device 22 Processing Laser pulse supply control device 23 laser processing device 41, 42, 43 output waveform 50 workpiece (substrate) 54, 55 hole B0, B1, B2 laser pulse C sensing temperature C1 set temperature D0, D detector output E integral value (Integrated / integrated value) E0 Predetermined integrated energy value F, G Trigger pulse
Claims (6)
半導体式光検出器と、該検出器の温度を一定に保つべく
制御する検出器温度制御装置と、1ショットのレーザパ
ルスの光量に応じた検出器の出力を時間積分して該レー
ザパルスのエネルギを求める積分器とを有するレーザパ
ルスエネルギ計測装置。1. A semiconductor type photodetector into which a laser pulse for monitoring is incident, a detector temperature control device for controlling the temperature of the detector to be constant, and a detector corresponding to the light quantity of one shot laser pulse. A laser pulse energy measuring device, comprising: an integrator for obtaining the energy of the laser pulse by time-integrating the output of the detector.
を感知する温度センサと、温度センサによる感知温度が
一定になるように光検出器を熱的に制御する制御器とを
有する請求項1に記載のレーザパルスエネルギ計測装
置。2. A detector temperature control device comprising: a temperature sensor for sensing a temperature of a photodetector; and a controller for thermally controlling the photodetector so that the temperature sensed by the temperature sensor becomes constant. Item 2. A laser pulse energy measuring device according to item 1.
光である請求項1又は2に記載のレーザパルスエネルギ
計測装置。3. The laser pulse energy measuring device according to claim 1, wherein the laser light is a laser light in an infrared region or a visible region.
に記載のレーザパルスエネルギ計測装置を備えた加工用
レーザパルス供給制御装置であって、複数ショットのレ
ーザパルスについての前記積分器の積算出力を基準値と
比較して該積算出力が基準値に達するとレーザ発振器か
らのパルスの供給を停止させると共に積分器を初期化す
る信号を発する比較器を有する加工用レーザパルス供給
制御装置。4. A processing laser pulse supply control device provided with the laser pulse energy measurement device according to claim 1, wherein the integrator for a plurality of shots of laser pulses is provided. A processing laser pulse supply control device having a comparator that compares an integrated output with a reference value and, when the integrated output reaches the reference value, stops the supply of pulses from the laser oscillator and generates a signal for initializing the integrator.
半導体式光検出器の温度を一定に保つべく該検出器温度
を制御しながら、1ショットのレーザパルス光量に応じ
た半導体検出器の出力を時間積分して該レーザパルスの
エネルギを求めることを複数ショットのレーザパルスに
ついて繰返してレーザパルスエネルギを積算し、該積算
値が基準値に達するとレーザ発振器からのレーザパルス
の供給を停止させると共に積算値を初期値に戻すことか
らなる加工用レーザパルスの供給制御方法。5. An output of the semiconductor detector according to the amount of one-shot laser pulse while controlling the temperature of the semiconductor photodetector to which a laser pulse for monitoring is incident so as to keep the temperature of the detector constant. The laser pulse energy is integrated by repeating the time integration to obtain the laser pulse energy for a plurality of shots of the laser pulse, and when the integrated value reaches the reference value, the supply of the laser pulse from the laser oscillator is stopped and the integration is performed. A method for controlling the supply of a processing laser pulse, comprising resetting a value to an initial value.
光である請求項5に記載の加工用レーザパルスの供給制
御方法。6. The method according to claim 5, wherein the laser light is infrared or visible laser light.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10103918A JPH11287707A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Measuring apparatus for laser pulse energy, and control apparatus for providing working laser pulse and method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10103918A JPH11287707A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Measuring apparatus for laser pulse energy, and control apparatus for providing working laser pulse and method using the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11287707A true JPH11287707A (en) | 1999-10-19 |
Family
ID=14366816
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10103918A Pending JPH11287707A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Measuring apparatus for laser pulse energy, and control apparatus for providing working laser pulse and method using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11287707A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005315848A (en) * | 2004-04-29 | 2005-11-10 | 20 10 Perfect Vision Optische Geraete Gmbh | System and method for measuring and controlling energy in ultra-short pulses in laser beam |
JP2006528071A (en) * | 2003-07-22 | 2006-12-14 | カール ツァイス メディテック アクチエンゲゼルシャフト | Material processing method using laser pulses with wide spectral bandwidth and apparatus for performing the method |
KR20150022581A (en) * | 2013-08-23 | 2015-03-04 | 삼성전기주식회사 | Apparatus for forming via hole |
JP6370517B1 (en) * | 2017-09-22 | 2018-08-08 | 三菱電機株式会社 | Laser processing equipment |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP10103918A patent/JPH11287707A/en active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006528071A (en) * | 2003-07-22 | 2006-12-14 | カール ツァイス メディテック アクチエンゲゼルシャフト | Material processing method using laser pulses with wide spectral bandwidth and apparatus for performing the method |
JP2005315848A (en) * | 2004-04-29 | 2005-11-10 | 20 10 Perfect Vision Optische Geraete Gmbh | System and method for measuring and controlling energy in ultra-short pulses in laser beam |
KR20150022581A (en) * | 2013-08-23 | 2015-03-04 | 삼성전기주식회사 | Apparatus for forming via hole |
JP6370517B1 (en) * | 2017-09-22 | 2018-08-08 | 三菱電機株式会社 | Laser processing equipment |
WO2019058522A1 (en) * | 2017-09-22 | 2019-03-28 | 三菱電機株式会社 | Laser machining device |
TWI658891B (en) * | 2017-09-22 | 2019-05-11 | 日商三菱電機股份有限公司 | Laser processing apparatus |
KR20190075143A (en) * | 2017-09-22 | 2019-06-28 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | Laser processing equipment |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5058180B2 (en) | Method and apparatus for characterizing a thin layer material constructed on a substrate using active pyrometry | |
US4243327A (en) | Double-beam optical method and apparatus for measuring thermal diffusivity and other molecular dynamic processes in utilizing the transient thermal lens effect | |
US5949539A (en) | Real-time method and apparatus for measuring the decay-time constant of a fluorescing phosphor | |
Tam | Pulsed photothermal radiometry for noncontact spectroscopy, material testing and inspection measurements | |
EP1563285B1 (en) | Method and system for measuring the thermal diffusivity | |
EP1437806B1 (en) | Pulse oscillation solid-state laser apparatus and laser machining apparatus | |
US6075220A (en) | Optical penetration sensor for pulsed laser welding | |
JPH11287707A (en) | Measuring apparatus for laser pulse energy, and control apparatus for providing working laser pulse and method using the same | |
US5114228A (en) | Apparatus for measuring the energy of rapidly pulsing radiation | |
EP0332781A2 (en) | Optical measuring device | |
KR20050084282A (en) | Method and apparatus for measuring thickness of thin films via transient thermoreflectance | |
Thomson et al. | Spatially resolved temperature measurements in a liquid using laser induced phosphorescence | |
US7038209B2 (en) | Device for detecting thermal conductivity by means of optical pulses | |
US8442082B2 (en) | Laser controller | |
JP4761547B2 (en) | Measurement method of thermal constant using laser flash method | |
Ghizoni et al. | Photopyroelectric measurement of the thermal diffusivity of solids | |
JP3257488B2 (en) | Laser processing apparatus and laser processing method | |
JP3259695B2 (en) | Laser processing apparatus and laser processing method | |
JPWO2019092898A1 (en) | Physical property value measuring apparatus, physical property value measuring method and program | |
JP3065832B2 (en) | Temperature distribution detector | |
JP5490628B2 (en) | Measurement method of thermal constant using light heating method | |
JP3065833B2 (en) | Temperature distribution detector | |
Phethaw et al. | Determination of laser power linearity of thermopile monitor detector used in CO 2 laser calibration system | |
Kuvaldin | Calibration of Radiation Sources and Detectors Over a Broad Range of Measurement of the Energy of Optical Radiation | |
JP2002324909A (en) | Photoelectric conversion circuit and laser range finder |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040416 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051004 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060314 |