JPH11261408A - Phase interpolator, timing signal generating circuit, and semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit system adopting the timing signal generating circuit - Google Patents
Phase interpolator, timing signal generating circuit, and semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit system adopting the timing signal generating circuitInfo
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- JPH11261408A JPH11261408A JP10135610A JP13561098A JPH11261408A JP H11261408 A JPH11261408 A JP H11261408A JP 10135610 A JP10135610 A JP 10135610A JP 13561098 A JP13561098 A JP 13561098A JP H11261408 A JPH11261408 A JP H11261408A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は位相インターポレー
タ、タイミング信号発生回路、および、該タイミング信
号発生回路が適用される半導体集積回路装置並びに半導
体集積回路システムに関し、特に、LSIチップ間の信
号伝送、或いは、1つのチップ内における複数の素子や
回路ブロック間での信号伝送を高速化するためのタイミ
ング信号発生回路に関する。The present invention relates to a phase interpolator, a timing signal generating circuit, and a semiconductor integrated circuit device and a semiconductor integrated circuit system to which the timing signal generating circuit is applied, and more particularly, to signal transmission between LSI chips. Alternatively, the present invention relates to a timing signal generation circuit for speeding up signal transmission between a plurality of elements and circuit blocks in one chip.
【0002】近年、LSI(Large Scale Integration
Circuit)チップ間の信号伝送、例えば、DRAM(Dyna
mic Random Access Memory) とプロセッサ(論理回路)
との間の信号伝送、或いは、1つのLSIチップ(半導
体集積回路装置)における複数の素子や回路ブロック間
での信号伝送を高速に行うことが必要となって来てい
る。そして、基準クロックに同期して所定の位相差を有
する複数のタイミング信号を、簡単な構成でしかも高精
度に発生することのできるタイミング信号発生回路の提
供が要望されている。Recently, LSI (Large Scale Integration)
Circuit) signal transmission between chips, for example, DRAM (Dyna
mic Random Access Memory) and processor (logic circuit)
, Or high-speed signal transmission between a plurality of elements or circuit blocks in one LSI chip (semiconductor integrated circuit device). There is a demand for a timing signal generation circuit that can generate a plurality of timing signals having a predetermined phase difference in synchronization with a reference clock with a simple configuration and with high accuracy.
【0003】[0003]
【従来の技術】近年、コンピュータやその他の情報処理
機器を構成する部品の性能は大きく向上し、特に、DR
AMおよびプロセッサの性能は、時代と共に大きく向上
して来た。すなわち、プロセッサは高速速度の面での性
能向上が著しかったのに対し、DRAMは主として容量
増加の面での性能向上が著しかった。しかしながら、D
RAMにおける動作速度の向上は、容量の増加ほど大き
なものではなく、その結果、DRAMとプロセッサとの
間の速度ギャップが大きくなり、近年はこの速度ギャッ
プがコンピュータの性能向上の妨げになりつつある。ま
た、これらのチップ間の信号伝送だけでなく、チップの
大型化に伴って、1つのLSIチップ(半導体集積回路
装置)内の素子や構成回路(回路ブロック)間の信号伝
送速度も、チップの性能を制限する大きな要因となって
来ている。2. Description of the Related Art In recent years, the performance of components constituting computers and other information processing equipment has greatly improved.
AM and processor performance has greatly improved over time. That is, the processor has remarkably improved performance in terms of high-speed speed, while the DRAM has remarkably improved performance mainly in terms of capacity increase. However, D
The improvement in operating speed in RAM is not as great as the increase in capacity, and as a result, the speed gap between the DRAM and the processor has increased, and in recent years this speed gap has been hindering the improvement in computer performance. In addition to the signal transmission between these chips, the signal transmission speed between elements and constituent circuits (circuit blocks) in one LSI chip (semiconductor integrated circuit device) with the increase in the size of the chip has also increased. It has become a major factor limiting performance.
【0004】そして、例えば、LSIチップ間の信号伝
送を高速化するためには、信号を受信する回路が信号に
対して正確なタイミングで動作することが必要となって
おり、従来よりDLL(Delay Locked Loop) やPLL(P
hase Locked Loop) といった方法が知られている。図1
は従来のタイミング信号発生回路の一例を示すブロック
図であり、DLL回路を使用したタイミング信号発生回
路の例を示すものである。図1において、参照符号10
0はDLL回路,111は可変遅延ライン,112は位
相比較回路,113は制御信号発生回路,114は駆動
回路(クロックドライバ),102は遅延回路,そし
て,103は受信回路を示している。[0004] For example, in order to speed up signal transmission between LSI chips, it is necessary for a circuit for receiving a signal to operate at an accurate timing with respect to the signal. Locked Loop) and PLL (P
hase Locked Loop). FIG.
FIG. 1 is a block diagram showing an example of a conventional timing signal generation circuit, and shows an example of a timing signal generation circuit using a DLL circuit. In FIG. 1, reference numeral 10
0 denotes a DLL circuit, 111 denotes a variable delay line, 112 denotes a phase comparison circuit, 113 denotes a control signal generation circuit, 114 denotes a drive circuit (clock driver), 102 denotes a delay circuit, and 103 denotes a reception circuit.
【0005】DLL回路100は、可変遅延ライン11
1,位相比較回路112,および,制御信号発生回路1
13を備えて構成されている。位相比較回路112に
は、基準クロックCKrおよびクロックドライバ114
の出力(内部クロックCKin)が入力され、これらのク
ロックCKrおよびCKinの位相差ができるだけ小さく
なるように可変遅延ライン111の遅延量(遅延ユニッ
トDの段数)を制御する。すなわち、位相比較回路11
2は、基準クロックCKrおよび内部クロックCKinの
位相差に応じてアップ信号UPまたはダウン信号DNを
制御信号発生回路113に供給し、該制御信号発生回路
113は、このアップ信号UPまたはダウン信号DNに
応じた制御信号(遅延ユニットDの段数を選択する信
号)CSにより可変遅延ライン111の遅延量を制御す
る。これにより、基準クロックCKrと位相同期した内
部クロックCKinを生成するようになっている。The DLL circuit 100 includes a variable delay line 11
1, phase comparison circuit 112 and control signal generation circuit 1
13 is provided. The phase comparison circuit 112 includes a reference clock CKr and a clock driver 114.
(Internal clock CKin) is input, and the delay amount of the variable delay line 111 (the number of stages of the delay unit D) is controlled such that the phase difference between these clocks CKr and CKin is as small as possible. That is, the phase comparison circuit 11
2 supplies an up signal UP or a down signal DN to the control signal generating circuit 113 in accordance with the phase difference between the reference clock CKr and the internal clock CKin, and the control signal generating circuit 113 supplies the up signal UP or the down signal DN to the control signal generating circuit 113. The delay amount of the variable delay line 111 is controlled by a corresponding control signal (a signal for selecting the number of stages of the delay unit D) CS. Thus, the internal clock CKin synchronized with the reference clock CKr is generated.
【0006】クロックドライバ114の出力は、LSI
チップ(半導体集積回路装置)の内部クロックCKinと
して供給されるが、例えば、遅延回路(適当な遅延段)
102を介して受信回路103のタイミング信号TSと
して使用される。すなわち、例えば、受信回路103
は、遅延回路102を介して供給される内部クロックC
Kinに応じて与えられた信号SSを取り込む(ラッチす
る)ことになる。ここで、遅延回路102は、例えば、
クロックドライバ114のドライブ能力および信号線の
負荷容量等に応じて遅延する内部クロックCKinのタイ
ミング調整を行ってタイミング信号TSを生成するため
に設けられている。The output of the clock driver 114 is an LSI
It is supplied as an internal clock CKin of a chip (semiconductor integrated circuit device), for example, a delay circuit (an appropriate delay stage)
The signal is used as a timing signal TS of the receiving circuit 103 via 102. That is, for example, the receiving circuit 103
Is the internal clock C supplied through the delay circuit 102
The signal SS given in accordance with Kin is taken (latched). Here, the delay circuit 102 includes, for example,
It is provided to generate a timing signal TS by adjusting the timing of the internal clock CKin that is delayed according to the drive capability of the clock driver 114, the load capacity of the signal line, and the like.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上述した図1に示す従
来のDLL回路を使用したタイミング信号発生回路、或
いは、DLL回路をPLL回路に置き替えた同様の構成
を有するタイミング信号発生回路は、基準クロックCK
rと同一の位相の内部クロックCKinを生成することは
できるが、この内部クロックCKinを、例えば、LSI
チップ間の高速信号伝送に用いる場合には、解決しなけ
ればならない課題がある。The above-described timing signal generating circuit using the conventional DLL circuit shown in FIG. 1 or a timing signal generating circuit having a similar configuration in which the DLL circuit is replaced with a PLL circuit is a reference signal. Clock CK
r, the internal clock CKin having the same phase as that of the internal clock CKin
When used for high-speed signal transmission between chips, there is a problem to be solved.
【0008】まず、LSIチップ間(或いは、電子機器
の間)の信号伝送では、必要な信号伝送帯域を得るため
に複数本の信号線を用いた多ビットの伝送を適用するこ
とが多いが、そうすると、それぞれの信号線の遅延特性
のバラつき等により各ビットにおける最適な受信タイミ
ングが異なることになる。そこで、例えば、各ビットに
おけるタイミングを調整するために複数個のDLL回路
を設けることになるが、その場合には、回路規模が大き
くなり過ぎるという問題がある。First, in signal transmission between LSI chips (or between electronic devices), multi-bit transmission using a plurality of signal lines is often applied in order to obtain a necessary signal transmission band. Then, the optimum reception timing for each bit differs due to the variation in the delay characteristics of the respective signal lines. Therefore, for example, a plurality of DLL circuits are provided to adjust the timing of each bit, but in this case, there is a problem that the circuit scale becomes too large.
【0009】また、1ビット幅の伝送であっても、受信
回路の最適な受信タイミングは、基準クロックCKrの
立ち上がり或いは立ち下がりとは異なるのが普通であ
り、そのために、基準クロックCKrを遅延段に通して
受信用のクロックを生成することになる。しかしなが
ら、せっかくDLL回路やPLL回路を用いて素子特性
のバラつきに依存しない内部クロックCKinを作ったと
しても、遅延段の部分で基準クロックCKrの周期と無
関係の遅延が生じてしまうことになるため、クロック周
波数に変化が生じた場合には、最適なタイミングでの受
信ができなくなるという問題がある。[0009] Even in the transmission of one bit width, the optimum receiving timing of the receiving circuit is usually different from the rising or falling of the reference clock CKr. To generate a clock for reception. However, even if the internal clock CKin which does not depend on the variation of the element characteristics is created by using the DLL circuit or the PLL circuit, a delay irrelevant to the cycle of the reference clock CKr occurs in the delay stage. When a change occurs in the clock frequency, there is a problem that reception at an optimal timing cannot be performed.
【0010】本発明は、上述した従来のタイミング信号
発生回路が有する課題に鑑み、基準クロックに同期して
所定の位相差を有する複数のタイミング信号を、簡単な
構成でしかも高精度に発生することのできるタイミング
信号発生回路の提供を目的とする。In view of the above-mentioned problems of the conventional timing signal generation circuit, the present invention is to generate a plurality of timing signals having a predetermined phase difference in synchronization with a reference clock with a simple configuration and with high accuracy. It is an object of the present invention to provide a timing signal generating circuit capable of performing the following.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、入力さ
れた基準信号と同一の周期或いは位相を有する内部信号
をフィードバック制御して生成する親回路と、該親回路
からの内部信号および制御信号を受け取って、前記基準
信号に対して所定のタイミングを有するタイミング信号
を発生する子回路とを具備することを特徴とするタイミ
ング信号発生回路が提供される。According to the present invention, a parent circuit for generating an internal signal having the same cycle or phase as an input reference signal by feedback control, an internal signal from the parent circuit and a control signal And a slave circuit for receiving a signal and generating a timing signal having a predetermined timing with respect to the reference signal.
【0012】本発明のタイミング信号発生回路によれ
ば、子回路は、親回路からの内部信号および制御信号を
受け取って基準信号に対して所定のタイミングを有する
タイミング信号を出力する。ここで、子回路は、1つの
親回路に対して複数個設けることができる。また、タイ
ミング信号発生回路は1つの半導体集積回路装置(LS
Iチップ)に適用することもできるが、複数の半導体集
積回路装置え構成された半導体集積回路システムに適用
することもできる。According to the timing signal generating circuit of the present invention, the child circuit receives the internal signal and the control signal from the parent circuit and outputs a timing signal having a predetermined timing with respect to the reference signal. Here, a plurality of child circuits can be provided for one parent circuit. Further, the timing signal generation circuit is a single semiconductor integrated circuit device (LS
The present invention can be applied to a semiconductor integrated circuit system including a plurality of semiconductor integrated circuit devices.
【0013】これにより、基準信号に同期して所定の位
相差を有する複数のタイミング信号を、簡単な構成でし
かも高精度に発生することができる。Thus, a plurality of timing signals having a predetermined phase difference in synchronization with the reference signal can be generated with a simple configuration and with high accuracy.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】まず、図2を参照して、本発明に
係るタイミング信号発生回路の原理構成を説明する。図
2は本発明に係るタイミング信号発生回路の原理構成を
示すブロック図である。図2において、参照符号1は親
回路,2は子回路,10はDLL回路,11は可変遅延
ライン,12は位相比較回路,13は制御信号発生回
路,そして,14は駆動回路(クロックドライバ)を示
している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, the principle configuration of a timing signal generating circuit according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a block diagram showing the principle configuration of the timing signal generation circuit according to the present invention. 2, reference numeral 1 denotes a parent circuit, 2 denotes a child circuit, 10 denotes a DLL circuit, 11 denotes a variable delay line, 12 denotes a phase comparison circuit, 13 denotes a control signal generation circuit, and 14 denotes a driving circuit (clock driver). Is shown.
【0015】図2に示されるように、本発明のタイミン
グ信号発生回路は、親回路1および複数の子回路2によ
り構成されている。親回路1は、図1に示す従来のタイ
ミング信号発生回路111と同様の構成とされ、DLL
回路10およびクロックドライバ14を備えて構成され
ている。なお、親回路1としては、DLL回路を使用す
るものに限定されず、例えば、PLL回路を適用したも
のであってもよい。As shown in FIG. 2, the timing signal generating circuit according to the present invention comprises a parent circuit 1 and a plurality of child circuits 2. The parent circuit 1 has the same configuration as the conventional timing signal generation circuit 111 shown in FIG.
The circuit includes a circuit 10 and a clock driver 14. Note that the parent circuit 1 is not limited to a circuit using a DLL circuit, but may be a circuit to which a PLL circuit is applied, for example.
【0016】DLL回路10は、可変遅延ライン11,
位相比較回路12,および,制御信号発生回路13を備
えている。位相比較回路12には、基準クロックCKr
およびクロックドライバ14の出力(内部クロックCK
in)が入力され、これらのクロックCKrおよびCKin
の位相が比較される。さらに、制御信号発生回路13
は、この位相比較の結果に基づいて、制御信号(例え
ば、アナログ値の電圧或いは電流)CSを発生する。そ
して、この制御信号発生回路13からの制御信号CSに
より、可変遅延ライン11の遅延量が制御され、最終的
には、基準クロックCKrと内部クロックCKinの位相
差が最少になる。ここで、クロックドライバ14の出力
(CKin)は、位相比較回路12にフィードバックされ
るだけでなく、各子回路2に供給され、また、制御信号
発生回路13からの制御信号CSも各子回路2に供給さ
れている。The DLL circuit 10 includes a variable delay line 11,
A phase comparison circuit 12 and a control signal generation circuit 13 are provided. The phase comparison circuit 12 has a reference clock CKr
And the output of clock driver 14 (internal clock CK
in) is input and these clocks CKr and CKin
Are compared. Further, the control signal generation circuit 13
Generates a control signal (for example, an analog voltage or current) CS based on the result of the phase comparison. The delay amount of the variable delay line 11 is controlled by the control signal CS from the control signal generating circuit 13, and finally, the phase difference between the reference clock CKr and the internal clock CKin is minimized. Here, the output (CKin) of the clock driver 14 is not only fed back to the phase comparison circuit 12 but also supplied to each slave circuit 2, and the control signal CS from the control signal generation circuit 13 is also sent to each slave circuit 2. Is supplied to
【0017】図2に示されるように、本発明のタイミン
グ信号発生回路では、親回路1で使用される制御信号
(制御信号発生回路13の出力信号)CSにより、複数
の子回路2の制御も行われるようになっている。すなわ
ち、各子回路2では、親回路1のDLL回路10におけ
る可変遅延ライン11の遅延量を制御するために使用さ
れる制御信号CSがそのまま使用され、また、この可変
遅延ライン11の遅延要素(遅延ユニットD)と本質的
に同一の遅延要素を使用して基準クロックCKrの周期
に比例した遅延を持たせることができるようになってい
る。As shown in FIG. 2, in the timing signal generation circuit of the present invention, the control of the plurality of child circuits 2 is also controlled by the control signal (output signal of the control signal generation circuit 13) CS used in the parent circuit 1. Is being done. That is, in each child circuit 2, the control signal CS used to control the delay amount of the variable delay line 11 in the DLL circuit 10 of the parent circuit 1 is used as it is, and the delay element ( By using essentially the same delay element as the delay unit D), a delay proportional to the period of the reference clock CKr can be provided.
【0018】従って、子回路2においても、基準クロッ
クCKrの周期を基準とした遅延量を持つ(すなわち、
基準クロックに対し一定の位相差関係にある)タイミン
グ信号(TS)を発生させることができる。また、親回
路1で発生された制御信号CSを子回路2においても使
うことにより、基準クロックCKrの周波数に応じて子
回路2の応答周波数特性を制御することができる。具体
的に、例えば、子回路2で使用するフィルター回路の特
性周波数(例えば、カットオフ周波数)を基準クロック
CKrの周波数に比例させることが可能となる。このこ
とを利用することにより、例えば、CMOS振幅の矩型
波クロックをフィルターに通して一定振幅の正弦波を子
回路2で発生させること等が可能となる。Therefore, the slave circuit 2 also has a delay amount based on the period of the reference clock CKr (ie,
A timing signal (TS) (having a fixed phase difference relationship with respect to the reference clock) can be generated. Further, by using the control signal CS generated in the parent circuit 1 also in the child circuit 2, it is possible to control the response frequency characteristic of the child circuit 2 according to the frequency of the reference clock CKr. Specifically, for example, it becomes possible to make the characteristic frequency (for example, cutoff frequency) of the filter circuit used in the slave circuit 2 proportional to the frequency of the reference clock CKr. By utilizing this fact, for example, it is possible to generate a sine wave having a constant amplitude in the slave circuit 2 by passing a rectangular wave clock having a CMOS amplitude through a filter.
【0019】このように、本発明のタイミング信号発生
回路によれば、親回路1よりも遙かに簡単な構成の子回
路2により基準クロックCKrに同期したタイミング信
号を発生させることができる。また、基準クロックCK
rの周波数に応じて子回路2の応答速度を変化させるこ
とにより、広い周波数範囲に渡って高精度のタイミング
信号TSの発生が可能となる。As described above, according to the timing signal generating circuit of the present invention, the timing signal synchronized with the reference clock CKr can be generated by the child circuit 2 having a configuration much simpler than that of the parent circuit 1. Also, the reference clock CK
By changing the response speed of the slave circuit 2 in accordance with the frequency r, it is possible to generate the timing signal TS with high accuracy over a wide frequency range.
【0020】以下、添付図面を参照して、本発明に係る
位相インターポレータ、タイミング信号発生回路、およ
び、該タイミング信号発生回路が適用される半導体集積
回路装置並びに半導体集積回路システムの実施例を説明
する。図3は本発明の第1実施例としてのタイミング信
号発生回路の構成を示すブロック図である。Referring to the accompanying drawings, embodiments of a phase interpolator, a timing signal generating circuit, a semiconductor integrated circuit device to which the timing signal generating circuit is applied, and a semiconductor integrated circuit system according to the present invention will be described below. explain. FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of the timing signal generation circuit according to the first embodiment of the present invention.
【0021】図3に示されるように、可変遅延ライン1
1は複数の遅延ユニットDにより構成され、制御信号C
Sで可変遅延ライン11の所定段数の遅延ユニットDを
選択することにより該可変遅延ライン11における遅延
量を制御するようになっている。また、制御信号発生回
路13は、チャージポンプ回路131およびバッファア
ンプ132により構成され、基準クロックCKrおよび
内部クロックCKinの位相差に応じて出力される位相比
較回路12からのアップ信号UPまたはダウン信号DN
に応じた制御信号CSを発生するようになっている。As shown in FIG. 3, the variable delay line 1
1 is composed of a plurality of delay units D and a control signal C
By selecting a predetermined number of delay units D of the variable delay line 11 in S, the amount of delay in the variable delay line 11 is controlled. The control signal generating circuit 13 includes a charge pump circuit 131 and a buffer amplifier 132, and outputs an up signal UP or a down signal DN from the phase comparison circuit 12 which is output in accordance with a phase difference between the reference clock CKr and the internal clock CKin.
Is generated in accordance with the control signal CS.
【0022】また、図3に示されるように、子回路2
は、親回路1の可変遅延ライン11を構成する遅延ユニ
ットと同じ遅延ユニットDを複数備えて構成された可変
遅延ライン21を有し、また、子回路2の可変遅延ライ
ン21には、親回路1のクロックドライバ14の出力で
ある内部クロックCKinが入力されている。なお、子回
路2は、例えば、クロック周期に対して所定の遅延を有
するタイミング信号(TS)を生成するために使用され
る。Further, as shown in FIG.
Has a variable delay line 21 provided with a plurality of delay units D which are the same as the delay units constituting the variable delay line 11 of the parent circuit 1, and the variable delay line 21 of the child circuit 2 The internal clock CKin which is the output of the first clock driver 14 is input. The slave circuit 2 is used, for example, to generate a timing signal (TS) having a predetermined delay with respect to a clock cycle.
【0023】子回路2の可変遅延ライン21の遅延量
(遅延ユニットDの段数)は、親回路1の制御信号発生
回路13(バッファアンプ132)の出力である制御信
号CSにより制御されるようになっている。このよう
に、子回路2には、親回路1の可変遅延ライン11と同
じ遅延ユニットDが使用されており、基準クロックCK
rの周期に比例した遅延量を有する複数のタイミング信
号(TS1,TS2,…)を発生させることができるよ
うになっている。これらのタイミング信号TS1,TS
2,…は、それぞれ基準クロックCKrに対して所定の
遅延量を有し、例えば、基準クロックCKrに対して1
/m,2/m,…周期だけ遅れたタイミングの信号とな
っている。なお、子回路2は、1つの親回路1に対して
複数個設けることができ、各子回路2の可変遅延ライン
21は、例えば、親回路1の可変遅延ライン11よりも
回路規模が小さく、すなわち、遅延ユニットDの段数が
少なくなるように構成することができる。The delay amount of the variable delay line 21 of the slave circuit 2 (the number of stages of the delay unit D) is controlled by a control signal CS which is an output of the control signal generation circuit 13 (buffer amplifier 132) of the parent circuit 1. Has become. As described above, the same delay unit D as that of the variable delay line 11 of the parent circuit 1 is used for the child circuit 2, and the reference clock CK
A plurality of timing signals (TS1, TS2,...) having a delay amount proportional to the period of r can be generated. These timing signals TS1, TS
Have a predetermined delay amount with respect to the reference clock CKr, for example, 1 to the reference clock CKr.
/ M, 2 / m,... Are signals delayed by the period. A plurality of child circuits 2 can be provided for one parent circuit 1. The variable delay line 21 of each child circuit 2 has a smaller circuit size than the variable delay line 11 of the parent circuit 1, for example. That is, the number of stages of the delay unit D can be reduced.
【0024】以上において、親回路1および複数の子回
路2は、1つの半導体集積回路装置(LSIチップ)内
に設けることもできるが、親回路1および各子回路2を
それぞれ異なる半導体集積回路装置に設けるように構成
してもよい。すなわち、タイミング信号発生回路を複数
の半導体集積回路装置を有する半導体集積回路システム
に適用することもできる。In the above, the parent circuit 1 and the plurality of child circuits 2 can be provided in one semiconductor integrated circuit device (LSI chip). However, the parent circuit 1 and each of the child circuits 2 are different from each other. May be provided. That is, the timing signal generation circuit can be applied to a semiconductor integrated circuit system having a plurality of semiconductor integrated circuit devices.
【0025】図4は図3のタイミング信号発生回路の可
変遅延ラインにおける遅延ユニットDの一例を示す回路
図である。ここで、図4に示す遅延ユニットDの回路例
は、親回路1の可変遅延ライン11における遅延ユニッ
ト、および、子回路2の可変遅延ライン21における遅
延ユニットに共通するものである。図4に示されるよう
に、各遅延ユニットDは、高電位電源線(Vcc)および
低電位電源線(Vss)の間に設けられたpチャネル型M
OS(pMOS)トランジスタおよびnチャネル型MO
S(nMOS)トランジスタより成るCMOSインバー
タDI,このCMOSインバータDIの出力と低電位電
源線(Vss)との間に設けられたnMOSトランジスタ
DTおよび容量DCにより構成されている。そして、可
変遅延ライン11(21)は、複数段の遅延ユニットD
を縦列接続することにより構成されている。なお、図4
に示す遅延ユニットDは、トランジスタDTのゲートに
制御電圧Vcs(制御信号CS)を与えるようになってい
るが、これに限定されるものではなく、様々な構成のも
のを使用することができる。例えば、後述の図8に示す
ようなCMOSインバータDIのトランジスタ(pMO
SおよびnMOS)のソース側にそれぞれ定電流モード
で動作するトランジスタを挿入し、これらのトランジス
タへの制御電圧VcnおよびVcpにより遅延を制御するこ
とも可能である。なお、論理の反転を避けるために、2
つの遅延ユニットDを1つの単位(1段)として構成し
てもよい。FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of the delay unit D in the variable delay line of the timing signal generation circuit of FIG. Here, the circuit example of the delay unit D shown in FIG. 4 is common to the delay unit in the variable delay line 11 of the parent circuit 1 and the delay unit in the variable delay line 21 of the child circuit 2. As shown in FIG. 4, each delay unit D includes a p-channel type M provided between a high-potential power line (Vcc) and a low-potential power line (Vss).
OS (pMOS) transistor and n-channel type MO
The CMOS inverter DI includes an S (nMOS) transistor, an nMOS transistor DT provided between the output of the CMOS inverter DI and a low potential power supply line (Vss), and a capacitor DC. The variable delay line 11 (21) is provided with a plurality of delay units D
Are connected in tandem. FIG.
The delay unit D shown in (1) applies a control voltage Vcs (control signal CS) to the gate of the transistor DT. However, the present invention is not limited to this, and various delay units can be used. For example, a transistor (pMO) of a CMOS inverter DI as shown in FIG.
It is also possible to insert transistors operating in the constant current mode on the source side of S and nMOS, respectively, and control the delay by control voltages Vcn and Vcp to these transistors. In order to avoid inversion of logic, 2
One delay unit D may be configured as one unit (one stage).
【0026】図5は図3のタイミング信号発生回路にお
ける位相比較回路12の一例を示すブロック回路図であ
り、図6は図5の位相比較回路の動作を説明するための
タイミング図である。図5に示されるように、位相比較
回路12は、基準クロックCKrと内部クロックCKin
の位相を比較し、これらの信号の位相差に応じてアップ
信号(/UP)またはダウン信号(/DN)を出力する
ものであり、基準クロックCKrおよび内部クロックC
Kinの周波数を2分周して2倍の周期を有する基準クロ
ックCKr’および内部クロックCKin’の論理を取っ
て負論理のアップ信号(/UP)およびダウン信号(/
DN)を生成するようになっている。FIG. 5 is a block circuit diagram showing an example of the phase comparator 12 in the timing signal generator of FIG. 3, and FIG. 6 is a timing chart for explaining the operation of the phase comparator of FIG. As shown in FIG. 5, the phase comparison circuit 12 includes a reference clock CKr and an internal clock CKin.
And outputs an up signal (/ UP) or a down signal (/ DN) according to the phase difference between these signals. The reference clock CKr and the internal clock C
The frequency of Kin is divided by 2 and the logic of the reference clock CKr 'and the internal clock CKin' having twice the period is taken to obtain a negative logic up signal (/ UP) and down signal (/
DN).
【0027】すなわち、図6に示されるように、2分周
した内部クロックCKin’が低レベル“L”から高レベ
ル“H”へ変化するタイミングが、2分周した基準クロ
ックCKr’が低レベル“L”から高レベル“H”へ変
化するタイミングよりも早ければ、低レベル“L”のア
ップ信号/UPが出力され、一方、2分周した基準クロ
ックCKr’が低レベル“L”から高レベル“H”へ変
化するタイミングよりも遅ければ、低レベル“L”のダ
ウン信号/DNが出力される。That is, as shown in FIG. 6, the timing at which the internal clock CKin 'divided by 2 changes from the low level "L" to the high level "H" occurs when the reference clock CKr' divided by 2 has the low level. If it is earlier than the timing of changing from "L" to high level "H", a low level "L" up signal / UP is output, while the reference clock CKr 'divided by 2 is changed from low level "L" to high level. If it is later than the timing of changing to the level "H", a low level "L" down signal / DN is output.
【0028】図7は図3のタイミング信号発生回路にお
けるチャージポンプ回路131の一例を示す回路図であ
る。図7に示されるように、チャージポンプ回路131
は、高電位電源線(Vcc)および低電位電源線(Vss)
の間に設けられ、アップ信号(反転論理のアップ信号)
/UPがゲートに供給されたpMOSトランジスタ,お
よび,ダウン信号DNがゲートに供給されたnMOSト
ランジスタにより構成されている。すなわち、低レベル
“L”のアップ信号/UPが出力されているときは、出
力レベルVcoの電位が高くなり、一方、高レベル“H”
のダウン信号DN(/DNが低レベル“L”)が出力さ
れているときは、出力レベルVcoの電位が低くなるよう
になっている。FIG. 7 is a circuit diagram showing an example of the charge pump circuit 131 in the timing signal generation circuit of FIG. As shown in FIG. 7, the charge pump circuit 131
Are the high potential power line (Vcc) and the low potential power line (Vss)
Provided between the up signal (up signal of inverted logic)
It is composed of a pMOS transistor whose gate is supplied with / UP and an nMOS transistor whose gate is supplied with a down signal DN. That is, when the low level "L" up signal / UP is being output, the potential of the output level Vco becomes high, while the high level "H" is output.
When the down signal DN (/ DN is low level "L") is output, the potential of the output level Vco is lowered.
【0029】このチャージポンプ回路131の出力Vco
は、バッファアンプ132を介して制御電圧Vcs(制御
信号CS)となり、図4の各遅延ユニットDのトランジ
スタDTのゲートに印加されることになる。そして、制
御電圧Vcsの電位が高くなれば、各CMOSインバータ
DIの出力における負荷容量が大きくなって、可変遅延
ライン11(21)の遅延量が増大し、内部クロックC
Kinの位相が遅れる。逆に、制御電圧Vcsの電位が低く
なれば、各CMOSインバータDIの出力における負荷
容量が小さくなって、可変遅延ライン11(21)の遅
延量が減少し、内部クロックCKinの位相が進むことに
なる。The output Vco of the charge pump circuit 131
Becomes a control voltage Vcs (control signal CS) via the buffer amplifier 132, and is applied to the gate of the transistor DT of each delay unit D in FIG. When the potential of the control voltage Vcs increases, the load capacitance at the output of each CMOS inverter DI increases, the delay amount of the variable delay line 11 (21) increases, and the internal clock C
The phase of Kin is delayed. Conversely, when the potential of the control voltage Vcs decreases, the load capacitance at the output of each CMOS inverter DI decreases, the delay amount of the variable delay line 11 (21) decreases, and the phase of the internal clock CKin advances. Become.
【0030】図8は図3のタイミング信号発生回路の可
変遅延ラインにおける遅延ユニットDの他の例を示す回
路図である。図8に示されるように、遅延ユニットD
は、CMOSインバータDIのトランジスタ(pMOS
およびnMOS)のソース側に定電流モードで動作する
トランジスタを挿入し、このトランジスタへの制御電圧
VcnとVcpで遅延を制御するようになっている。すなわ
ち、高電位電源線(Vcc)とCMOSインバータDIの
pMOSトランジスタのソースとの間にpMOSトラン
ジスタDTpを設け、また、低電位電源線(Vss)とC
MOSインバータDIのnMOSトランジスタのソース
との間にnMOSトランジスタDTnを設けるようにな
っている。そして、トランジスタDTpのゲートに対し
て制御電圧Vcpを印加すると共に、トランジスタDTn
のゲートに対して制御電圧Vcnを印加するようになって
いる。この図8に示す遅延ユニットDは、1つの遅延ユ
ニットによる遅延量の可変範囲が広いという利点があ
る。なお、論理の反転を避けるために、2つの遅延ユニ
ットDを1つの単位(1段)として構成してもよいのは
前述の通りである。FIG. 8 is a circuit diagram showing another example of the delay unit D in the variable delay line of the timing signal generating circuit of FIG. As shown in FIG. 8, the delay unit D
Is the transistor (pMOS) of the CMOS inverter DI
And a transistor operating in the constant current mode is inserted on the source side of the nMOS and the nMOS, and the delay is controlled by the control voltages Vcn and Vcp applied to this transistor. That is, a pMOS transistor DTp is provided between the high-potential power supply line (Vcc) and the source of the pMOS transistor of the CMOS inverter DI.
An nMOS transistor DTn is provided between the source of the nMOS transistor of the MOS inverter DI. Then, while applying the control voltage Vcp to the gate of the transistor DTp, the transistor DTn
The control voltage Vcn is applied to the gates of the gates. The delay unit D shown in FIG. 8 has an advantage that a variable range of the delay amount by one delay unit is wide. Note that, as described above, the two delay units D may be configured as one unit (one stage) in order to avoid logic inversion.
【0031】図9は本発明の第2実施例としてのタイミ
ング信号発生回路における制御信号発生回路13の構成
を示すブロック回路図であり、図10は図9の制御信号
発生回路13の出力を変換する電流−電圧変換回路13
3の一例を示す回路図である。図9に示されるように、
制御信号発生回路13は、チャージポンプ回路131お
よびカレントミラー接続された複数のpMOSトランジ
スタ1321,1322を備えて構成されている。各p
MOSトランジスタ1321,1322のソースは高電
位電源線(Vcc)に接続され、また、ゲートにはそれぞ
れチャージポンプ回路131の出力が供給されている。
そして、これらpMOSトランジスタ1321,132
2のドレインから親回路1および子回路2へ供給される
制御信号CSが出力されるようになっている。すなわ
ち、本第2実施例では、親回路1および子回路2への制
御信号CSの配送に電流信号を用いるようになってい
る。ここで、子回路用のpMOSトランジスタ1322
は、例えば、子回路2の数に対応して複数個設けること
ができる。FIG. 9 is a block circuit diagram showing a configuration of a control signal generation circuit 13 in a timing signal generation circuit according to a second embodiment of the present invention. FIG. Current-voltage conversion circuit 13
FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of No. 3; As shown in FIG.
The control signal generation circuit 13 includes a charge pump circuit 131 and a plurality of pMOS transistors 1321 and 1322 connected in a current mirror. Each p
The sources of the MOS transistors 1321 and 1322 are connected to a high potential power supply line (Vcc), and the gates are supplied with the output of the charge pump circuit 131, respectively.
These pMOS transistors 1321, 132
The control signal CS supplied to the parent circuit 1 and the child circuit 2 is output from the drain of the second circuit 2. That is, in the second embodiment, the current signal is used for delivering the control signal CS to the parent circuit 1 and the child circuit 2. Here, the pMOS transistor 1322 for the child circuit
May be provided, for example, in accordance with the number of child circuits 2.
【0032】そして、図10に示されるように、親回路
1および各子回路2においては、制御信号発生回路13
(pMOSトランジスタ1321,1322)からの制
御信号(電流信号)CSを電流−電圧変換回路133に
より制御電圧VcnおよびVcpに変換するようになってい
る。そして、この制御電圧VcnおよびVcpは、例えば、
図8に示す遅延ユニットの各トランジスタDTpおよび
DTnのゲートに印加されることになる。なお、図4に
示す遅延ユニットを制御するには、制御電圧Vcnを制御
電圧Vcsとして使用することになる。また、ここで、電
流−電圧変換回路133は、nMOSトランジスタ13
31,1333およびpMOSトランジスタ1332に
より構成されているが、これに限定されるものではな
い。上記の第2実施例は、制御信号CSを電流信号によ
り配送することにより、例えば、親回路1と子回路2が
チップの中で遠く離れることにより生じるトランジスタ
のしきい値のバラつきに対しても、制御信号CSの伝送
に支障を生じさせないという利点がある。Then, as shown in FIG. 10, in the parent circuit 1 and each child circuit 2, the control signal generation circuit 13
The control signal (current signal) CS from the (pMOS transistors 1321 and 1322) is converted into control voltages Vcn and Vcp by the current-voltage conversion circuit 133. The control voltages Vcn and Vcp are, for example,
This is applied to the gates of the transistors DTp and DTn of the delay unit shown in FIG. In order to control the delay unit shown in FIG. 4, the control voltage Vcn is used as the control voltage Vcs. Here, the current-voltage conversion circuit 133 includes the nMOS transistor 13
31 and 1333 and a pMOS transistor 1332, but the invention is not limited to this. The above-described second embodiment distributes the control signal CS by a current signal, so that, for example, the variation in the threshold value of the transistor caused by the parent circuit 1 and the child circuit 2 being separated far from each other in the chip can be prevented. There is an advantage that transmission of the control signal CS is not hindered.
【0033】図11は本発明の第3実施例としてのタイ
ミング信号発生回路の要部構成を示すブロック図であ
り、図12は図11のアップダウンカウンタの出力をデ
ィジタル−アナログ変換(D/A変換)するD/Aコン
バータの一例を示すブロック回路図である。図11およ
び図3の比較から明らかなように、本第3実施例では、
第1実施例におけるチャージポンプ回路131の代わり
にアップダウンカウンタ134を用いるようになってい
る。すなわち、アップダウンカウンタ134は、位相比
較回路12からのアップ信号UPおよびダウン信号DN
をカウントし、例えば、6ビットのカウント信号b0〜
b5を図12に示すD/Aコンバータ135へ供給する
ようになっている。FIG. 11 is a block diagram showing a main part of a timing signal generating circuit according to a third embodiment of the present invention. FIG. 12 shows a digital-analog conversion (D / A FIG. 2 is a block circuit diagram illustrating an example of a D / A converter that performs conversion. As is clear from the comparison between FIG. 11 and FIG. 3, in the third embodiment,
An up / down counter 134 is used in place of the charge pump circuit 131 in the first embodiment. That is, the up / down counter 134 outputs the up signal UP and the down signal DN from the phase comparison circuit 12.
, For example, a 6-bit count signal b0
b5 is supplied to a D / A converter 135 shown in FIG.
【0034】D/Aコンバータ135は、電流マトリク
スセル型のD/Aコンバータであり、例えば、アップダ
ウンカウンタ134の出力である6ビットのカウント信
号b0〜b5をアナログ変換して制御信号CSを出力す
るようになっている。図13は図12に示すD/Aコン
バータ135における1つの電流マトリクスセル(U)
の構成例を示す回路図である。The D / A converter 135 is a current matrix cell type D / A converter. For example, the D / A converter 135 converts a 6-bit count signal b0 to b5 output from the up / down counter 134 into an analog signal and outputs a control signal CS. It is supposed to. FIG. 13 shows one current matrix cell (U) in the D / A converter 135 shown in FIG.
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration example of the present invention.
【0035】図13に示されるように、1つの電流マト
リクスセルUは、アンドゲートUA,オアゲートUO,
および,2つのnMOSトランジスタUT1,UT2を
備えて構成され、このセルUをマトリクス状に配置して
電流マトリクス部1350を構成すると共に、デコーダ
1351,1352を介してカウント信号(b2,b
3;b4,b5)を各電流マトリクスセルUに供給する
ようになっている。なお、上位のカウント信号b0,b
1は、出力端子と低電位電源線(Vss)との間にそれぞ
れ直列に設けられた2つのnMOSトランジスタ(13
53,1354;1355,1356)における一方の
トランジスタ(1353,1355)のゲートに供給さ
れるようになっている。なお、他方のトランジスタ(1
354,1356)のゲートには、制御電圧Vcが印加
されるようになっている。また、この制御電圧Vcは、
各電流マトリクスセルUにおけるトランジスタUT2の
ゲートにも印加されるようになっている。As shown in FIG. 13, one current matrix cell U includes an AND gate UA, an OR gate UO,
And two nMOS transistors UT1 and UT2. The cells U are arranged in a matrix to form a current matrix section 1350, and count signals (b2, b
3; b4, b5) to each current matrix cell U. Note that the upper count signals b0, b
Reference numeral 1 denotes two nMOS transistors (13) provided in series between the output terminal and the low potential power supply line (Vss).
53, 1354; 1355, 1356) to the gate of one transistor (1353, 1355). Note that the other transistor (1
The control voltage Vc is applied to the gates (354, 1356). The control voltage Vc is
The voltage is also applied to the gate of the transistor UT2 in each current matrix cell U.
【0036】この図11〜図13に示す第3実施例は、
アップダウンカウンタ134およびD/Aコンバータ1
35の組み合わせを用いることで、ループフィルタの設
計を容易に行えると共に、DLL回路を適用したループ
の位相比較動作を完全に停止状態にしても遅延量を一定
に保持することが可能となり低消費電力化できるという
利点がある。The third embodiment shown in FIGS.
Up / down counter 134 and D / A converter 1
By using the combinations of 35, the loop filter can be easily designed, and the delay amount can be kept constant even when the phase comparison operation of the loop to which the DLL circuit is applied is completely stopped. There is an advantage that can be made.
【0037】図14は本発明の第4実施例としての子回
路に適用するタイミング信号発生回路の構成を示すブロ
ック図であり、図15は図14の位相インターポレータ
136の一例を示す回路図である。図14に示されるよ
うに、本第4実施例では、入力クロック(in2)とこ
れより遅延段1段分遅らせた信号(in1)を位相イン
ターポレータ(フェーズインターポレータ)136に通
すことにより、子回路2でのタイミング信号TSを発生
させるようになっている。FIG. 14 is a block diagram showing a configuration of a timing signal generating circuit applied to a child circuit according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 15 is a circuit diagram showing an example of the phase interpolator 136 of FIG. It is. As shown in FIG. 14, in the fourth embodiment, an input clock (in2) and a signal (in1) delayed by one delay stage therefrom are passed through a phase interpolator (phase interpolator) 136. , The timing signal TS in the slave circuit 2 is generated.
【0038】図15に示されるように、位相インターポ
レータ136は、2組の差動増幅段1361,1362
の入力トランジスタ対のバイアス電流(Tail Current)
を変化させることで、2つの入力(in1,in2)に
重みを付けて足し合わせ、さらに、2組の差動増幅段1
361,1362からの信号S1,S2をコンパレータ
1363に通すことにより、これら2つの信号S1,S
2の位相の中間の位相出力(タイミング信号TS)を得
るようになっている。ここで、各差動増幅段1361お
よび1362における入力in1およびin2の重み付
けは、例えば、直列に接続された2つのnMOSトラン
ジスタの一方のトランジスタ(1364)のゲートに対
して制御コード(C01,C02,…,C0n;C1
1,C12,…,C1n)を供給し、他方のトランジス
タ(1365)のゲートに対して制御電圧(Vcs)を印
加することにより行うことができる。このような位相イ
ンターポレータ136を使う利点は、1段分の遅延ユニ
ットよりも細かい分解能で出力信号(タイミング信号T
S)のタイミングを調整できることであり、高精度のタ
イミング調整が可能となる。As shown in FIG. 15, the phase interpolator 136 includes two sets of differential amplifier stages 1361 and 1362.
Input transistor pair bias current (Tail Current)
, The two inputs (in1, in2) are weighted and added, and two sets of differential amplification stages 1
By passing signals S1 and S2 from 361 and 1362 through comparator 1363, these two signals S1 and S2
An intermediate phase output (timing signal TS) between the two phases is obtained. Here, the weighting of the inputs in1 and in2 in each of the differential amplifier stages 1361 and 1362 is performed, for example, by using the control codes (C01, C02, ..., C0n; C1
, C12,..., C1n) and applying a control voltage (Vcs) to the gate of the other transistor (1365). The advantage of using such a phase interpolator 136 is that the output signal (timing signal T) has a finer resolution than the delay unit for one stage.
Since the timing of S) can be adjusted, the timing can be adjusted with high accuracy.
【0039】図16は本発明の第5実施例としての位相
インターポレータ136の他の例を示す回路図である。
図16に示す位相インターポレータ136は、2つの電
圧−電流変換回路136a,136bにより構成され、
各電圧−電流変換回路は、それぞれpMOSトランジス
タ61,63およびnMOSトランジスタ62,64を
備えている。そし、電圧−電流変換回路136aおよび
136bは、それぞれ電圧入力in1およびin2を電
圧−電流変換して出力するようになっている。ここで、
電圧−電流変換回路の出力トランジスタ(65,66)
の個数は、外部信号によりスイッチ手段67で制御さ
れ、その結果、電圧−電流変換の変換係数が変化する。
変換された電流は、和が取られ、この結果をコンパレー
タに入れることでタイミング信号(TS)が得られる。FIG. 16 is a circuit diagram showing another example of the phase interpolator 136 as the fifth embodiment of the present invention.
The phase interpolator 136 shown in FIG. 16 includes two voltage-current conversion circuits 136a and 136b,
Each voltage-current conversion circuit includes pMOS transistors 61 and 63 and nMOS transistors 62 and 64, respectively. Then, the voltage-current conversion circuits 136a and 136b convert the voltage inputs in1 and in2 into voltage-current, respectively, and output them. here,
Output transistor of voltage-current conversion circuit (65, 66)
Is controlled by the switch means 67 by an external signal, and as a result, the conversion coefficient of the voltage-current conversion changes.
The converted current is summed, and the result is input to a comparator to obtain a timing signal (TS).
【0040】図17は本発明の第5実施例のシミュレー
ションを行うために使用したタイミング信号発生回路
(位相インターポレータ136)の構成を示す回路図で
あり、図18は図17のタイミング信号発生回路のシミ
ュレーション結果(SPICEシミュレーション結果)
を示す図である。図17に示されるように、位相インタ
ーポレータ136は、入力信号(電圧信号)in1およ
びin2をそれぞれ電圧−電流変換する電圧−電流変換
回路136aおよび136bを備えて構成される。な
お、各電圧−電流変換回路136aおよび136bの入
力には、遅延ユニットD(可変遅延ライン11に使用す
るものと同じ遅延ユニット:図4或いは図8参照)を挿
入して、入力信号in1およびin2の変化を緩やかに
した信号in1*およびin2*をそれぞれ電圧−電流
変換回路136aおよび136bに供給するようになっ
ている。なお、図17における参照符号W0 〜W7(/W
0 〜/W7)は、トランスファゲート(スイッチ手段)6
7のスイッチングを制御する外部信号であり、これら外
部信号W0 〜W 7(/W0 〜/W7)によりトランスファゲ
ート67を開閉して、電圧−電流変換回路136a(1
36b)の出力トランジスタ(65,66)の個数を制
御するようになっている。これにより、図18に示され
るように、出力(Out)のタイミングを変化させるこ
とができる。すなわち、電流−電圧変換回路136a,
136bの変換係数を変えることで、2つの入力信号i
n1,in2の重みを変化させ、位相インターポレータ
136の動作を実現するようになっている。本第5実施
例の位相インターポレータは、図15で示す第4実施例
のように、カレントミラー差動増幅段を使わないため、
より一層の低電圧動作が可能となる利点がある。FIG. 17 shows a simulation of the fifth embodiment of the present invention.
Timing signal generation circuit used to perform the
FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration of (phase interpolator 136).
FIG. 18 is a schematic diagram of the timing signal generation circuit shown in FIG.
Results (SPICE simulation results)
FIG. As shown in FIG.
The separator 136 receives the input signal (voltage signal) in1 and
And current conversion of voltage and current respectively
The circuit includes circuits 136a and 136b. What
The input of each voltage-current conversion circuit 136a and 136b
The delay unit D (used for the variable delay line 11)
Same delay unit: see FIG. 4 or FIG. 8)
And gradually change the input signals in1 and in2.
The signals in1 * and in2 * thus obtained are each expressed by a voltage-current
Supply to the conversion circuits 136a and 136b.
ing. Note that reference numeral W in FIG.0~ W7(/ W
0~ / W7) Indicates a transfer gate (switch means) 6
7 is an external signal for controlling the switching of
Part signal W0~ W 7(/ W0~ / W7) By transferage
The gate 67 is opened and closed, and the voltage-current conversion circuit 136a (1
36b) The number of output transistors (65, 66) is controlled.
Control. Thereby, as shown in FIG.
To change the timing of the output (Out)
Can be. That is, the current-voltage conversion circuit 136a,
136b, the two input signals i
By changing the weights of n1 and in2, the phase interpolator
136 is realized. Fifth implementation
The example phase interpolator is a fourth embodiment shown in FIG.
Because the current mirror differential amplifier stage is not used,
There is an advantage that further low voltage operation becomes possible.
【0041】図19は本発明の第6実施例としてのタイ
ミング信号発生回路の構成を示すブロック図である。図
19に示されるように、本第6実施例は、親回路1およ
び子回路2によりDLL回路を構成したものであり、親
回路1に対して粗い遅延制御を行う粗遅延制御部および
微細な遅延制御を行う微細遅延制御部を設け、また、子
回路2に対しては、親回路1の微細遅延制御部に対応し
た回路を設けるようになっている。FIG. 19 is a block diagram showing a configuration of a timing signal generating circuit according to a sixth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 19, in the sixth embodiment, a DLL circuit is configured by a parent circuit 1 and a child circuit 2, and a coarse delay control unit for performing coarse delay control on the parent circuit 1 and a fine delay circuit are provided. A fine delay control unit for performing delay control is provided, and a circuit corresponding to the fine delay control unit of the parent circuit 1 is provided for the child circuit 2.
【0042】親回路1における粗遅延制御部は、遅延ラ
イン11,位相比較回路12a,アップダウンカウンタ
134a,D/Aコンバータ135,および,セレクタ
15により構成され、また、親回路1における微細遅延
制御部は、位相インターポレータ136,および,例え
ば、粗遅延制御部(セレクタ15)の出力を一段分およ
び二段分だけ遅延させて位相インターポレータ136に
供給する2つの遅延ユニットDを備えて構成されてい
る。ここで、位相比較回路12aには、基準クロックC
Kr,および,例えば、m段の遅延ユニットDで構成さ
れる遅延ライン11の最終段の出力が入力され、さら
に、D/Aコンバータ135の出力(電流制御信号)を
遅延ライン11に供給して、遅延ライン11から遅延ユ
ニットDの段数に応じて位相が等分割されたタイミング
の信号をセレクタ15に出力するようになっている。ま
た、セレクタ15および位相インターポレータ136に
は、位相比較回路12bおよびアップダウンカウンタ1
34bで生成された制御信号が供給されている。すなわ
ち、粗遅延制御部は、複数の遅延ユニットを備えた遅延
ライン11からタップを取り出し、各タップの出力をセ
レクタ(選択手段)15で選択し、その出力信号を各微
細遅延制御部に供給するようになっている。The coarse delay control section in the parent circuit 1 comprises the delay line 11, the phase comparison circuit 12a, the up / down counter 134a, the D / A converter 135, and the selector 15. The unit includes a phase interpolator 136 and, for example, two delay units D that delay the output of the coarse delay control unit (selector 15) by one stage and two stages and supply the delayed output to the phase interpolator 136. It is configured. Here, the reference clock C is applied to the phase comparison circuit 12a.
Kr and, for example, the output of the last stage of the delay line 11 composed of m stages of delay units D are input, and the output (current control signal) of the D / A converter 135 is supplied to the delay line 11. Then, a signal having a timing whose phase is equally divided according to the number of stages of the delay unit D from the delay line 11 is output to the selector 15. The selector 15 and the phase interpolator 136 include a phase comparison circuit 12b and an up / down counter 1
The control signal generated at 34b is supplied. That is, the coarse delay control unit takes out taps from the delay line 11 having a plurality of delay units, selects an output of each tap by the selector (selection unit) 15, and supplies the output signal to each fine delay control unit. It has become.
【0043】図19に示されるように、各子回路2に
は、親回路1の微細遅延制御部と同様に、位相インター
ポレータ236,および,親回路1の粗遅延制御部(セ
レクタ15)の出力を一段分および二段分だけ遅延させ
て位相インターポレータ236に供給する2つの遅延ユ
ニットDを備えた微細遅延制御部が設けられている。な
お、この微細遅延制御部における遅延ユニットDの構成
は様々に変化させることができる。As shown in FIG. 19, each child circuit 2 includes a phase interpolator 236 and a coarse delay control unit (selector 15) of the parent circuit 1 in the same manner as the fine delay control unit of the parent circuit 1. Are provided with two delay units D each of which delays the output by one stage and two stages and supplies the delayed output to the phase interpolator 236. The configuration of the delay unit D in the fine delay control section can be changed variously.
【0044】図19に示されるように、本第6実施例
は、親回路1の粗遅延制御部と、微細遅延制御部(親回
路1或いは各子回路2の微細遅延制御部)とを直列に繋
ぎ、粗遅延制御部そのものでDLLループを構成する。
さらに、位相インターポレータ(136,236)を用
いた微細遅延制御部により、親回路1の遅延段(1つの
遅延ユニットD)よりも高い分解能の遅延を得るように
なっている。ここで、微細遅延制御部の位相インターポ
レータ(136,236)に用いる遅延ユニットは、粗
遅延制御部の遅延ライン11における遅延ユニットDと
同じものである。なお、D/Aコンバータ135の出力
(電流制御信号)は、各子回路2に対しても供給される
ようになっている。As shown in FIG. 19, in the sixth embodiment, the coarse delay control unit of the parent circuit 1 and the fine delay control unit (the fine delay control unit of the parent circuit 1 or each child circuit 2) are connected in series. And a DLL loop is constituted by the coarse delay control unit itself.
Further, the fine delay control unit using the phase interpolator (136, 236) can obtain a delay with higher resolution than the delay stage (one delay unit D) of the parent circuit 1. Here, the delay unit used for the phase interpolator (136, 236) of the fine delay control unit is the same as the delay unit D in the delay line 11 of the coarse delay control unit. Note that the output (current control signal) of the D / A converter 135 is also supplied to each slave circuit 2.
【0045】このように、本第6実施例によれば、遅延
ライン11の分解能よりも高い分解能の遅延をディジタ
ル信号により設定することができ、高精度のDLL信号
を得ることができる。さらに、位相比較動作を長時間停
止したりスリープモードから短時間で復帰することので
きるディジタル制御のDLL回路を実現することができ
る。しかも、子回路2として微細遅延制御部(位相イン
ターポレータ236)の複数並べることにより、遅延ラ
イン11の分解能よりも高い分解能の遅延を有する複数
のタイミング信号を発生させることができるという利点
もある。As described above, according to the sixth embodiment, a delay having a higher resolution than the resolution of the delay line 11 can be set by a digital signal, and a highly accurate DLL signal can be obtained. Further, it is possible to realize a digitally controlled DLL circuit capable of stopping the phase comparison operation for a long time or returning from the sleep mode in a short time. Moreover, by arranging a plurality of fine delay control units (phase interpolators 236) as the sub-circuits 2, there is an advantage that a plurality of timing signals having a delay with a higher resolution than the resolution of the delay line 11 can be generated. .
【0046】図20は本発明の第7実施例としてのタイ
ミング信号発生回路の構成を示すブロック図である。本
第7実施例においては、親回路1から子回路2に対して
は、制御信号CS(制御信号発生回路13の出力)だけ
でなく三相内部クロックCK1〜CK3(遅延ライン1
1の各遅延出力)も出力されるようになっている。そし
て、子回路2においては、親回路1から供給された三相
クロックCK1〜CK3を基に位相インターポレータ2
36により任意の位相のタイミング信号(出力クロッ
ク)が発生されるようになっている。FIG. 20 is a block diagram showing a configuration of a timing signal generating circuit according to a seventh embodiment of the present invention. In the seventh embodiment, not only the control signal CS (output of the control signal generation circuit 13) but also the three-phase internal clocks CK1 to CK3 (delay line 1
1 for each delay output). In the slave circuit 2, the phase interpolator 2 is controlled based on the three-phase clocks CK1 to CK3 supplied from the master circuit 1.
36 generates a timing signal (output clock) of an arbitrary phase.
【0047】すなわち、図20に示されるように、子回
路2は、例えば、信号の変化を緩やかにするための遅延
ユニットDを介して三相クロックCK1〜CK3がスイ
ッチ部238に供給される。このスイッチ部238によ
り、三相クロックの所定の組み合わせが選択されて、演
算増幅器237a,237bの各入力に供給される。そ
して、これら演算増幅器237a,237bの各出力を
受け取って位相分割し、所定のタイミング信号を出力す
る。この本第7実施例は、子回路2において、360度
の内の任意の位相を有するタイミング信号(出力クロッ
ク)を発生することができるという利点がある。That is, as shown in FIG. 20, in the slave circuit 2, for example, the three-phase clocks CK1 to CK3 are supplied to the switch unit 238 via the delay unit D for making the signal change gradual. A predetermined combination of three-phase clocks is selected by the switch unit 238 and supplied to the inputs of the operational amplifiers 237a and 237b. Then, each output of the operational amplifiers 237a and 237b is received and phase-divided, and a predetermined timing signal is output. The seventh embodiment has an advantage that the slave circuit 2 can generate a timing signal (output clock) having an arbitrary phase within 360 degrees.
【0048】図21は本発明の第8実施例としての正弦
波発生回路の構成を示す回路図である。近年、クロック
ドライバの消費電力の低減や、高調波成分を無くしてク
ロックノイズが減少するために、クロック波形に正弦波
を用いることが注目されている。なお、正弦波のクロッ
クを用いた場合にクロックドライバの消費電力を低減で
きるのは、出力波形の立ち上がりおよび立ち下がりを急
峻に行う必要がない(緩やかでよい)ため、クロックド
ライバを構成するトランジスタを駆動能力の小さい小型
のもの(消費電力の小さいトランジスタ)で構成するこ
とができるためである。そして、図21は、例えば、子
回路2に適用される正弦波クロックの生成回路の一例を
示すものである。FIG. 21 is a circuit diagram showing a configuration of a sine wave generating circuit according to an eighth embodiment of the present invention. In recent years, attention has been paid to using a sine wave as a clock waveform in order to reduce power consumption of a clock driver and to reduce clock noise by eliminating harmonic components. Note that the reason why the power consumption of the clock driver can be reduced when a sine wave clock is used is that it is not necessary to make the output waveform rise and fall steeply (slowly). This is because the transistor can be composed of a small one with small driving capability (a transistor with low power consumption). FIG. 21 shows an example of a sine-wave clock generation circuit applied to the slave circuit 2, for example.
【0049】図21に示されるように、例えば、図10
に示されるような電流−電圧変換回路133により得ら
れる電圧(制御電圧)VcnおよびVcpを図8に示すよう
な遅延ユニットDを通すことにより、フル振幅のCMO
Sクロック(矩形波)を三角波に変換し、さらに、この
三角波を非線形の入出力特性を有する定電流ドライバC
Dを通すことにより、正弦波(疑似正弦波)に変換す
る。ここで、三角波を作る部分には、親回路1からの制
御信号(CS)で動作する遅延ユニットDを用いるよう
になっているが、この遅延ユニットDの遅延は基準クロ
ック(CKr)の周期に比例するため、基準クロックの
周波数が変化しても三角波の振幅が一定に保たれる。従
って、本第8実施例は、広い周波数範囲に渡って正弦波
が発生することができるという利点がある。As shown in FIG. 21, for example, FIG.
By passing the voltages (control voltages) Vcn and Vcp obtained by the current-voltage conversion circuit 133 shown in FIG. 8 through the delay unit D shown in FIG.
The S clock (rectangular wave) is converted into a triangular wave, and the triangular wave is converted into a constant current driver C having nonlinear input / output characteristics.
By passing through D, it is converted into a sine wave (pseudo sine wave). Here, a delay unit D operated by a control signal (CS) from the parent circuit 1 is used for a portion for generating a triangular wave, and the delay of the delay unit D is determined by the period of the reference clock (CKr). Since it is proportional, the amplitude of the triangular wave is kept constant even if the frequency of the reference clock changes. Therefore, the eighth embodiment has an advantage that a sine wave can be generated over a wide frequency range.
【0050】図22は図21の正弦波発生回路のシミュ
レーション結果(SPICEシミュレーション結果)を
示す図であり、図22(a)は入力信号(クロック)が
40MHz の場合を示し、図22(b)は入力信号が1
00MHz の場合を示し、そして、図22(c)は入力
信号が400MHz の場合を示している。なお、正弦波
発生回路の出力には、例えば、伝送線路の特性インピー
ダンスの半分の抵抗値を有する抵抗Rを設けてシミュレ
ーションを行った。FIG. 22 is a diagram showing a simulation result (SPICE simulation result) of the sine wave generation circuit of FIG. 21. FIG. 22A shows a case where the input signal (clock) is 40 MHz, and FIG. Indicates that the input signal is 1
FIG. 22 (c) shows the case where the input signal is 400 MHz. Note that a simulation was performed by providing a resistor R having a resistance value that is half the characteristic impedance of the transmission line, for example, as the output of the sine wave generation circuit.
【0051】図22(a)〜図22(c)から明らかな
ように、図21の正弦波発生回路は、各周波数(40M
Hz,100MHz,400MHz)に対して、入力する矩形
波をほぼ正弦波に変換して出力することが判る。図23
は本発明の第9実施例としてのタイミング信号発生回路
の構成を示すブロック図であり、PLL回路を適用した
タイミング信号発生回路の例を示すものである。As is clear from FIGS. 22A to 22C, the sine wave generating circuit shown in FIG.
It can be seen that the input rectangular wave is converted into a substantially sinusoidal wave and output when the input rectangular wave is output. FIG.
FIG. 19 is a block diagram showing a configuration of a timing signal generation circuit as a ninth embodiment of the present invention, showing an example of a timing signal generation circuit to which a PLL circuit is applied.
【0052】図23において、参照符号12は位相比較
回路,134はアップダウンカウンタ,135はD/A
コンバータ,そして,21は可変電圧発振器(VCO)
を示している。ここで、可変電圧発振器21は、例え
ば、図8に示す遅延ユニットDと同様の回路を3段縦列
接続したリングオシレータにより構成され、各段の制御
トランジスタ(DTp,DTn)のゲートには、制御信
号発生回路(電流−電圧変換回路133)の出力である
制御電圧VcpおよびVcnが印加され、これにより発
振周波数が制御されるようになっている。なお、各子回
路2は、それぞれ電流−電圧変換回路133および可変
電圧発振器21を備えて構成されることになる。In FIG. 23, reference numeral 12 is a phase comparison circuit, 134 is an up / down counter, and 135 is D / A.
Converter and 21 is a variable voltage oscillator (VCO)
Is shown. Here, the variable voltage oscillator 21 is composed of, for example, a ring oscillator in which circuits similar to those of the delay unit D shown in FIG. Control voltages Vcp and Vcn, which are outputs of the signal generation circuit (current-voltage conversion circuit 133), are applied, and thereby the oscillation frequency is controlled. Each slave circuit 2 includes a current-voltage conversion circuit 133 and a variable voltage oscillator 21.
【0053】このように、本第9実施例では、親回路1
にDLL回路ではなく、PLL回路を用いているため、
完全に周期的なクロック信号が得られないような場合で
も出力信号(タイミング信号)を生成することができ
る。すなわち、例えば、入力する基準クロックCKrに
ジッタが含まれている場合でも、可変電圧発振器(リン
グオシレータ)21等によりジッタ成分を取り除くこと
ができるため、受信データからクロック成分をリカバリ
するような場合に好ましいものである。As described above, in the ninth embodiment, the parent circuit 1
Uses a PLL circuit instead of a DLL circuit.
An output signal (timing signal) can be generated even when a completely periodic clock signal cannot be obtained. That is, for example, even when jitter is included in the input reference clock CKr, the jitter component can be removed by the variable voltage oscillator (ring oscillator) 21 or the like. It is preferred.
【0054】図24は本発明の第10実施例としてのタ
イミング信号発生回路の構成を示すブロック図である。
本第10実施例において、親回路1は、基準クロック
(CKr)にロックした内部クロック(CKin)を出力
するDLL回路を適用した回路であり、子回路2a〜2
zは多ビットの受信回路3a〜3zのそれぞれのビット
に応じて設けられている。ここで、親回路1は、図19
に示すものに限定されず、様々なものが適用可能であ
る。FIG. 24 is a block diagram showing a configuration of a timing signal generating circuit according to a tenth embodiment of the present invention.
In the tenth embodiment, the parent circuit 1 is a circuit to which a DLL circuit that outputs an internal clock (CKin) locked to a reference clock (CKr) is applied, and the child circuits 2a to 2
z is provided according to each bit of the multi-bit receiving circuits 3a to 3z. Here, the parent circuit 1 is shown in FIG.
Are not limited to those shown in FIG.
【0055】図24に示されるように、各子回路2a〜
2z(2a)は、図19のセレクタ(15),遅延ライ
ン(11),遅延ユニット(D),および,位相インタ
ーポレータ(136)に対応するセレクタ211,遅延
ライン215,2つの遅延ユニットD,および,位相イ
ンターポレータ236を備えて構成され、それぞれ対応
する受信回路3a〜3zに対してそれぞれタイミング信
号TSa〜TSzを供給して各受信回路3a〜3zが信
号SSa〜SSzを取り込むタイミングを制御するよう
になっている。As shown in FIG. 24, each of the slave circuits 2a to 2a
2z (2a) is a selector (15), a delay line (11), a delay unit (D), and a selector 211, a delay line 215, and two delay units D corresponding to the phase interpolator (136) in FIG. , And a phase interpolator 236, and supplies timing signals TSa to TSz to the corresponding receiving circuits 3a to 3z, respectively, to determine the timing at which the receiving circuits 3a to 3z take in the signals SSa to SSz. Control.
【0056】本第10実施例においては、各子回路2a
〜2zにおいて、対応する受信回路3a〜3zにおける
信号SSa〜SSzのレベルを順次検出して、取り込み
タイミングが最適となるように、遅延量の制御を行うよ
うになっている。すなわち、スイッチ手段210によ
り、受信回路(例えば、3a)からの信号(SSa)を
順次切り替えてアナログ−ディジタル変換(A/D変
換)するA/Dコンバータ220に供給し、そのレベル
が最大となるように(S/N比が大きくなるように)、
制御回路230を介して、セレクタ215による選択
(遅延ライン211による遅延量)を制御するようにな
っている。ここで、各受信回路(3a)において、例え
ば、最適なタイミングTSaで信号SSaの取り込みを
行った時には、信号SSaのレベルが最大となるため、
本第10実施例では、それを利用してタイミング信号T
Saのタイミングを規定する。In the tenth embodiment, each child circuit 2a
2 to 2z, the levels of the signals SSa to SSz in the corresponding receiving circuits 3a to 3z are sequentially detected, and the delay amount is controlled so that the capturing timing is optimized. That is, the signal (SSa) from the receiving circuit (for example, 3a) is sequentially switched by the switch means 210 and supplied to the A / D converter 220 that performs analog-to-digital conversion (A / D conversion), and the level thereof is maximized. (To increase the S / N ratio)
The selection by the selector 215 (the delay amount by the delay line 211) is controlled via the control circuit 230. Here, in each receiving circuit (3a), for example, when the signal SSa is fetched at the optimal timing TSa, the level of the signal SSa becomes maximum.
In the tenth embodiment, the timing signal T
The timing of Sa is defined.
【0057】すなわち、本第10実施例において、遅延
ライン211による遅延量は、例えば、6ビットのディ
ジタル信号で制御され、このディジタル信号を各受信回
路3a〜3zにおける信号強度が最大になるようにそれ
ぞれ制御する。そして、この信号強度の最適化の作業
は、そのための特別な信号(例えば、『1010…』等
の系列)を送っている間に実行するように構成する。本
第10実施例によれば、多ビット並列の信号伝送であっ
ても、各ビット間の信号線遅延まで含めて受信回路の動
作タイミングを最適化できるという利点がある。That is, in the tenth embodiment, the amount of delay by the delay line 211 is controlled by, for example, a 6-bit digital signal, and the digital signal is adjusted so that the signal strength in each of the receiving circuits 3a to 3z becomes maximum. Control each. Then, the work of optimizing the signal strength is configured to be performed while a special signal (for example, a series such as “1010...”) For that purpose is being sent. According to the tenth embodiment, there is an advantage that the operation timing of the receiving circuit including the signal line delay between each bit can be optimized even in the case of multi-bit parallel signal transmission.
【0058】図25は本発明の第11実施例としてのタ
イミング信号発生回路の要部構成を示すブロック図であ
る。本第11実施例は、上述した第10実施例と同様
に、多ビットの受信タイミングをそれぞれのビットで最
適化するものであり、親回路1は基準クロックCKrに
ロックした信号(内部クロックCKin)を発生するよう
になっている。ここで、子回路2(2a〜2z)は、第
10実施例と同様に、多ビットの受信回路3(3a〜3
z)のそれぞれのビットに対して設けられ、図25に示
されるように、各子回路2には、位相インターポレータ
236を用いた微細遅延制御部が設けられ、後述するよ
うに、6ビットのディジタル信号で入力サンプリングの
タイミング(CL1,CL2)を制御するようになって
いる。FIG. 25 is a block diagram showing a main configuration of a timing signal generating circuit according to an eleventh embodiment of the present invention. In the eleventh embodiment, similarly to the above-described tenth embodiment, the multi-bit reception timing is optimized for each bit. Is caused to occur. Here, as in the tenth embodiment, the sub-circuits 2 (2a to 2z) are multi-bit receiving circuits 3 (3a to 3z).
z) is provided for each bit. As shown in FIG. 25, each child circuit 2 is provided with a fine delay control unit using a phase interpolator 236. The input sampling timing (CL1, CL2) is controlled by the digital signal of (1).
【0059】なお、図25において、参照符号212は
組み合わせ論理回路、234はアップダウンカウンタ、
そして、241,242は受信用ラッチ回路を示してい
る。また、位相インターポレータ236には、親回路1
の4相PLL回路(250)の出力(φ1,/φ1,φ
2,/φ2)が供給され、制御クロックCL1およびC
L2を出力して各ラッチ回路241,242のサンプリ
ングタイミングを制御するようになっている。ここで、
ラッチ回路241および242は、それぞれ2つのD型
フリップフロップ(D−FF)により構成され、ラッチ
回路241における2つのフリップフロップは、制御ク
ロックCL1によりサンプリングが制御され、また、ラ
ッチ回路242における2つのフリップフロップは、そ
れぞれ制御クロックCL1およびCL2によりサンプリ
ングが制御される。In FIG. 25, reference numeral 212 is a combinational logic circuit, 234 is an up-down counter,
Reference numerals 241 and 242 denote reception latch circuits. The phase interpolator 236 includes a parent circuit 1
Output (φ1, / φ1, φ1) of the four-phase PLL circuit (250)
2, / φ2) are supplied, and the control clocks CL1 and C
By outputting L2, the sampling timing of each of the latch circuits 241 and 242 is controlled. here,
The latch circuits 241 and 242 each include two D-type flip-flops (D-FFs). The sampling of the two flip-flops in the latch circuit 241 is controlled by the control clock CL1. The sampling of the flip-flop is controlled by control clocks CL1 and CL2, respectively.
【0060】すなわち、本第11実施例の各子回路2
(2a〜2z)においては、1つのビットに対して2つ
の受信用ラッチ回路241および242が設けられてお
り、一方のラッチ回路241は、データの受信ウィンド
ウ(ビットセルとも呼ばれる)の中央で入力をサンプリ
ングし、他方のラッチ回路242は、隣接する2つのビ
ットセルの境界をサンプリングするようになっている。
そのため、これら2つのラッチ回路241および242
は、それぞれ180度位相のずれた制御クロックCL1
およびCL2により制御され、入力信号は通常の2倍の
サンプリングレートでサンプルされるようになってい
る。このような2つのラッチ回路241,242を用い
ることにより、隣接するビットセル間で『0』から
『1』或いは『1』から『0』のデータ遷移が生じた場
合に、サンプリングのタイミング(制御クロックCL1
およびCL2のタイミング)がデータに対して早かった
か遅かったかを知ることができる。That is, each child circuit 2 of the eleventh embodiment is
In (2a to 2z), two reception latch circuits 241 and 242 are provided for one bit, and one latch circuit 241 receives an input at the center of a data reception window (also referred to as a bit cell). The sampling is performed, and the other latch circuit 242 samples the boundary between two adjacent bit cells.
Therefore, these two latch circuits 241 and 242
Is the control clock CL1 which is 180 degrees out of phase
And CL2, the input signal is sampled at twice the normal sampling rate. By using such two latch circuits 241, 242, when data transition from "0" to "1" or "1" to "0" occurs between adjacent bit cells, the sampling timing (control clock CL1
And the timing of CL2) are earlier or later than the data.
【0061】具体的に、まず、N番目のデータが『1』
で、N+1番目のデータが『0』となるデータ遷移が生
じたとき、ビットセル中央サンプリング用ラッチ回路2
41の出力をD(N)とし、且つ、ビットセル境界サン
プリング用ラッチ回路242の出力をB(N)とする
と、『D(N),B(N),D(N+1)』の系列は
『1,0,0』或いは『1,1,0』となる。ここで、
系列『1,0,0』はサンプリング用の制御クロック
(CL1,CL2)のタイミングがデータよりも遅かっ
たことを示し、また、系列『1,1,0』は制御クロッ
クのタイミングがデータよりも早かったことを示してい
る。Specifically, first, the N-th data is "1"
When the data transition in which the (N + 1) th data becomes “0” occurs, the bit cell center sampling latch circuit 2
Assuming that the output of the bit 41 is D (N) and the output of the bit cell boundary sampling latch circuit 242 is B (N), the series of “D (N), B (N), D (N + 1)” is “1”. , 0,0 "or" 1,1,0 ". here,
The series "1,0,0" indicates that the timing of the sampling control clocks (CL1, CL2) is later than the data, and the series "1,1,0" indicates that the timing of the control clock is longer than the data. It indicates that it was early.
【0062】次に、N番目のデータが『0』で、N+1
番目のデータが『1』となるデータ遷移が生じたとき、
『D(N),B(N),D(N+1)』が系列『0,
0,1』となるのは、サンプリング用の制御クロック
(CL1,CL2)のタイミングがデータよりも早かっ
たことを示し、また、系列『0,1,1』は制御クロッ
クがデータよりも遅かったことを示している。Next, the N-th data is "0", and N + 1
When a data transition occurs in which the data of the 1st becomes “1”,
“D (N), B (N), D (N + 1)” is the series “0,
"0, 1" indicates that the timing of the control clocks (CL1, CL2) for sampling is earlier than the data, and in the series "0, 1, 1", the control clock is later than the data. It is shown that.
【0063】そして、2つのラッチ回路241および2
42の出力を組み合わせ論理回路212に通すことによ
り、制御クロックCL1およびCL2をより遅くするべ
きか早くするべきかの判定信号(アップ信号UP,ダウ
ン信号DN)を得ることができる。この判定信号(U
P,DN)をアップダウンカウンタ234でカウント
し、その内容を6ビットの信号(C00,C01,C0
2;C10,C11,C12)に変換して位相インター
ポレータ236に供給して制御クロックCL1およびC
L2のタイミングを制御することにより、信号受信のタ
イミングを最適化してS/N比を大きくすることができ
る。Then, the two latch circuits 241 and 2
By passing the output of 42 to the combinational logic circuit 212, it is possible to obtain a determination signal (up signal UP, down signal DN) as to whether the control clocks CL1 and CL2 should be made slower or faster. This determination signal (U
P, DN) are counted by an up / down counter 234, and the contents are counted as 6-bit signals (C00, C01, C0).
2; C10, C11, C12) and supply them to the phase interpolator 236 to control the control clocks CL1 and C2.
By controlling the timing of L2, the timing of signal reception can be optimized and the S / N ratio can be increased.
【0064】ここで、本第11実施例における信号受信
のタイミングを最適化するための処理は、例えば、この
タイミング最適化専用の信号(特別な信号、例えば、
『101010…』の系列)を送っている間に実行すれ
ばよい。このように、本第11実施例によれば、前述し
た第10実施例のように、信号受信強度をアナログ量と
して評価するためのA/Dコンバータ220を不要とす
ることができ、また、スイッチ手段210により順次選
択することなく、タイミング最適化の処理を多ビットで
並行して行うことができるという利点がある。従って、
各ビットにおいて、一定の頻度で『0』から『1』或い
は『1』から『0』の遷移が保証されている場合(例え
ば、データが10B/8Bのような方式でコーディング
されている場合)には、各ビットにおける受信タイミン
グの最適化処理をデータ送受信と並行して行うことがで
きる。Here, the processing for optimizing the signal reception timing in the eleventh embodiment is performed, for example, by using a signal dedicated to this timing optimization (a special signal, for example,
This can be performed while the “101010...” Sequence is being sent. As described above, according to the eleventh embodiment, the A / D converter 220 for evaluating the signal reception strength as an analog quantity as in the above-described tenth embodiment can be omitted, and the switch can be switched. There is an advantage that timing optimization processing can be performed in multiple bits in parallel without successive selection by means 210. Therefore,
In each bit, when a transition from "0" to "1" or "1" to "0" is guaranteed at a certain frequency (for example, when data is coded by a method such as 10B / 8B) In this case, the process of optimizing the reception timing for each bit can be performed in parallel with the data transmission and reception.
【0065】図26は図25のタイミング信号発生回路
における位相インターポレータ(位相アジャスタ)23
6の一例を示す回路図である。図25および図26に示
されるように、位相インターポレータ236には、アッ
プダウンカウンタ234からの6ビットの信号(C0
0,C01,C02;C10,C11,C12)および
親回路1に設けられた4相PLL回路(250)の出力
(φ1,/φ1,φ2,/φ2)が供給されている。こ
れら6ビットの信号により、各差動増幅段2361およ
び2362における差動入力の重み付けが行われる。こ
こで、差動増幅段2361および2362の各入力に
は、制御信号Snsおよび/Snsにより制御されるスイッ
チ手段2360を介して4相PLL回路の出力(φ1,
/φ1,φ2,/φ2)が切り替えられて供給されるよ
うになっている。そして、前述した図15と同様に、2
組の差動増幅段2361,2362からの信号を出力段
(コンパレータ)2363に通すことにより、制御クロ
ックCL1およびCL2を生成するようになっている。FIG. 26 shows a phase interpolator (phase adjuster) 23 in the timing signal generating circuit of FIG.
FIG. 6 is a circuit diagram showing an example of the sixth embodiment. As shown in FIGS. 25 and 26, the phase interpolator 236 has a 6-bit signal (C0) from the up / down counter 234.
0, C01, C02; C10, C11, C12) and outputs (φ1, / φ1, φ2, / φ2) of the four-phase PLL circuit (250) provided in the parent circuit 1. With these 6-bit signals, the differential inputs in each of the differential amplifier stages 2361 and 2362 are weighted. Here, the outputs (φ1,
/ Φ1, φ2, / φ2) are switched and supplied. Then, as in FIG.
The control clocks CL1 and CL2 are generated by passing the signals from the pair of differential amplifier stages 2361 and 2362 to an output stage (comparator) 2363.
【0066】図27は図25のタイミング信号発生回路
に利用可能な4相PLL回路250の一例を示す回路図
である。図27に示されるように、4相PLL回路25
0は、4段の差動増幅部2511〜2514,4つの信
号変換部2521〜2524,および,インバータ25
31〜2534を備えて構成されている。すなわち、4
段の差動増幅部2511〜2514を縦列接続し、所定
の信号を各信号変換部2521〜2524に供給し、イ
ンバータ2531〜2534でレベル反転および波形成
形して4相の出力信号φ1,/φ1,φ2,/φ2を得
るようになっている。FIG. 27 is a circuit diagram showing an example of a four-phase PLL circuit 250 that can be used in the timing signal generation circuit of FIG. As shown in FIG. 27, the four-phase PLL circuit 25
0 denotes a four-stage differential amplifier 2511 to 2514, four signal converters 2521 to 2524, and an inverter 25.
31 to 2534 are provided. That is, 4
Stage differential amplifiers 2511 to 2514 are connected in cascade, a predetermined signal is supplied to each signal converter 2521 to 2524, and level inversion and waveform shaping are performed by inverters 2531 to 2534 to output four-phase output signals φ1, / φ1. , Φ2, / φ2.
【0067】図28は図27の4相PLL回路における
信号変換部252(2521〜2524)の一例を示す
回路図であり、図29は図27の4相PLL回路におけ
る差動増幅部251(2511〜2514)の一例を示
す回路図である。図27および図28に示されるよう
に、信号変換部252(2521〜2524)には2つ
の入力信号(A,B)が供給され、1つの出力信号
(Z)を出力するようになっている。すなわち、各信号
変換部252(2521〜2524)には、縦列接続さ
れた4段の差動増幅部における2段目の差動増幅部25
12または4段目の差動増幅部2514の各2つの出力
信号が入力AおよびBとして供給され、これら2つの入
力AおよびBを処理して1つの出力Zを生成するように
なっている。そして、この出力Zはインバータ253
(2531〜2534)を介してレベル反転および波形
成形され、それぞれ出力φ1,φ2,/φ1,/φ2と
して4相PLL回路250から出力される。ここで、信
号変換部252は、信号INHが高レベル“H”のとき
は、常に、高レベル“H”の信号(Z)を出力し、信号
INHが低レベル“L”で且つ制御信号CTLが高レベ
ル“H”のときに、入力信号AおよびBに応じた信号
(Z)が出力されるようになっている。FIG. 28 is a circuit diagram showing an example of the signal conversion unit 252 (2521 to 2524) in the four-phase PLL circuit of FIG. 27. FIG. 29 is a circuit diagram showing the differential amplifier unit 251 (2511) in the four-phase PLL circuit of FIG. FIG. 252 is a circuit diagram illustrating an example. As shown in FIG. 27 and FIG. 28, two input signals (A, B) are supplied to the signal conversion unit 252 (2521 to 2524), and one output signal (Z) is output. . That is, each of the signal conversion units 252 (2521 to 2524) is provided with the second-stage differential amplifier unit 25 of the four-stage differential amplifier units connected in cascade.
Two output signals of the twelfth or fourth stage differential amplifier 2514 are supplied as inputs A and B, respectively, and these two inputs A and B are processed to generate one output Z. The output Z is output from the inverter 253.
(2531 to 2534), and are output from the four-phase PLL circuit 250 as outputs φ1, φ2, / φ1, / φ2, respectively. Here, when the signal INH is at the high level “H”, the signal conversion unit 252 always outputs the signal (Z) at the high level “H”, the signal INH is at the low level “L”, and the control signal CTL. Is high level "H", a signal (Z) corresponding to the input signals A and B is output.
【0068】図27および図29に示されるように、差
動増幅部251(2511〜2514)は縦列接続さ
れ、前段の差動増幅部2511,2512,2513の
出力信号(OUT1,OUT2)が後段の差動増幅部2
512,2513,2514の入力信号IN1,IN2
として供給されるようになっている。なお、初段の差動
増幅部2511には、最終段(4段目)の差動増幅部2
514の出力信号が供給される。ここで、差動増幅部2
51は、制御信号CTLが高レベル“H”のときに活性
化されるようになっている。As shown in FIGS. 27 and 29, the differential amplifiers 251 (2511 to 2514) are connected in cascade, and the output signals (OUT1, OUT2) of the differential amplifiers 2511, 2512, and 2513 in the preceding stage are output in the subsequent stage. Differential amplifier 2
Input signals IN1, IN2 of 512, 2513, 2514
It is supplied as. The first-stage differential amplifier 2511 has a final-stage (fourth-stage) differential amplifier 2
An output signal of 514 is provided. Here, the differential amplifier 2
Reference numeral 51 is activated when the control signal CTL is at a high level "H".
【0069】図30は図27の4相PLL回路の出力信
号を示す図である。図28および図29に示す信号変換
部252および差動増幅部251を適用して構成した4
相PLL回路250により、図30に示すような位相が
90度づつ異なる4相の出力信号φ1,φ2,/φ1,
/φ2が得られる。これらの信号φ1,φ2,/φ1,
/φ2は、例えば、図25に示すような子回路2におけ
る位相インターポレータ236に供給されるのは前述し
た通りである。FIG. 30 is a diagram showing output signals of the four-phase PLL circuit of FIG. 4 configured by applying the signal conversion unit 252 and the differential amplification unit 251 shown in FIG. 28 and FIG.
By the phase PLL circuit 250, four-phase output signals φ1, φ2, / φ1,
/ Φ2 is obtained. These signals φ1, φ2, / φ1,
For example, / φ2 is supplied to the phase interpolator 236 in the slave circuit 2 as shown in FIG.
【0070】なお、4相PLL回路250、および、信
号変換部252並びに差動増幅部251の構成は、上述
したものに限定されるものではなく、様々な回路構成と
することができるのはいうまでもない。上述したよう
に、本発明の各実施例に係るタイミング信号発生回路に
よれば、親回路よりも遙かに簡単な構成の子回路により
基準クロックに同期したタイミング信号を発生させるこ
とができる。また、基準クロックの周波数に応じて子回
路の応答速度を変化させることにより、広い周波数範囲
に渡って高精度のタイミング信号の発生が可能になる。
すなわち、基準クロック信号に同期して一定の位相差の
関係にあるタイミングパルスを多数の簡単な構造の子回
路で発生でき、また、高速信号の送信および受信に必要
な高精度のタイミング信号を小さな占有面積の回路によ
り発生することができる。The configurations of the four-phase PLL circuit 250, the signal converter 252, and the differential amplifier 251 are not limited to those described above, and various circuit configurations can be employed. Not even. As described above, according to the timing signal generation circuit according to each embodiment of the present invention, a timing signal synchronized with a reference clock can be generated by a child circuit having a configuration much simpler than that of a parent circuit. Further, by changing the response speed of the slave circuit in accordance with the frequency of the reference clock, it is possible to generate a highly accurate timing signal over a wide frequency range.
That is, timing pulses having a fixed phase difference relationship can be generated by a large number of child circuits having a simple structure in synchronization with the reference clock signal. It can be generated by an occupied area circuit.
【0071】なお、親回路および複数の子回路は、1つ
の半導体集積回路装置(LSIチップ)内に設けること
もできるが、親回路および各子回路をそれぞれ異なる半
導体集積回路装置に設けるように構成してもよい。すな
わち、本発明の各実施例に係るタイミング信号発生回路
を複数の半導体集積回路装置を有する半導体集積回路シ
ステム、或いは、マルチチップモジュール(MCM)等
に対しても適用することができる。The parent circuit and the plurality of child circuits can be provided in one semiconductor integrated circuit device (LSI chip). However, the parent circuit and each of the child circuits are provided in different semiconductor integrated circuit devices. May be. That is, the timing signal generation circuit according to each embodiment of the present invention can be applied to a semiconductor integrated circuit system having a plurality of semiconductor integrated circuit devices, a multi-chip module (MCM), and the like.
【0072】次に、本発明に係る位相インターポレータ
の実施例を添付図面を参照して説明する。図31は本発
明に係る位相インターポレータの原理構成を示すブロッ
ク図であり、図32は図31の位相インターポレータの
動作を説明するための波形図である。Next, an embodiment of the phase interpolator according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 31 is a block diagram showing the principle configuration of the phase interpolator according to the present invention, and FIG. 32 is a waveform diagram for explaining the operation of the phase interpolator of FIG.
【0073】図31において、参照符号41および42
はアナログ周期波形生成部、43は重み付け制御部、4
4は加算波形生成部、そして、45はアナログ/ディジ
タル変換部を示している。図31に示されるように、ア
ナログ周期波形生成部41は、第1のディジタル周期信
号DIS1を受け取ってアナログ的な値を有する第1の
アナログ周期波形(f1:図32参照)を生成するもの
であり、また、アナログ周期波形生成部42は、第2の
ディジタル周期信号DIS2を受け取ってアナログ的な
値を有する第2のアナログ周期波形(f2:図32参
照)を生成するものである。ここで、第1のディジタル
周期信号DIS1および第2のディジタル周期信号DI
S2は、時間軸のずれた信号(異なる位相の信号)とな
っている。なお、位相インターポレータは、例えば、こ
のような異なる位相のディジタル信号DIS1およびD
IS2から、中間の任意の位相を有するディジタル信号
を生成するものである。In FIG. 31, reference numerals 41 and 42
Is an analog periodic waveform generator, 43 is a weight controller, 4
Reference numeral 4 denotes an addition waveform generator, and reference numeral 45 denotes an analog / digital converter. As shown in FIG. 31, the analog periodic waveform generator 41 receives the first digital periodic signal DIS1 and generates a first analog periodic waveform (f1: see FIG. 32) having an analog value. In addition, the analog periodic waveform generator 42 receives the second digital periodic signal DIS2 and generates a second analog periodic waveform (f2: see FIG. 32) having an analog value. Here, the first digital periodic signal DIS1 and the second digital periodic signal DI
S2 is a signal shifted in time axis (a signal having a different phase). It should be noted that the phase interpolator is, for example, such digital signals DIS1 and D
A digital signal having an arbitrary arbitrary intermediate phase is generated from IS2.
【0074】第1のアナログ周期波形f1および第2の
アナログ周期波形f2は、重み付け制御部43により重
み付けが行われ、加算波形生成部44により加算され
て、第3のアナログ周期波形(f3:図32参照)が生
成される。すなわち、xを0≦x≦1とすると、f3=
(1−x)f1+xf2としてなるような第3のアナロ
グ周期波形f3が加算波形生成部44の出力として得ら
れることになる。The first analog periodic waveform f1 and the second analog periodic waveform f2 are weighted by the weight control section 43, added by the addition waveform generating section 44, and added to the third analog periodic waveform (f3: FIG. 32) is generated. That is, if x is 0 ≦ x ≦ 1, f3 =
The third analog periodic waveform f3 as (1−x) f1 + xf2 is obtained as the output of the added waveform generation unit 44.
【0075】そして、アナログ/ディジタル変換部45
により、第3のアナログ周期波形f3が所定の位相を有
する第3のディジタル周期信号DOに変換されて出力さ
れる。ここで、アナログ/ディジタル変換部45は、例
えば。第3のアナログ周期波形f3を基準電圧Vrと比
較して『0』または『1』を出力するコンパレータによ
り構成される。The analog / digital converter 45
As a result, the third analog periodic waveform f3 is converted into a third digital periodic signal DO having a predetermined phase and output. Here, the analog / digital conversion unit 45 is, for example, an example. It is configured by a comparator that compares the third analog periodic waveform f3 with the reference voltage Vr and outputs “0” or “1”.
【0076】なお、本発明に係る位相インターポレータ
は、例えば、前述したタイミング信号発生回路における
位相インターポレータ136,236(図14、図19
および図20等)として適用することができるが、他の
様々な回路に対しても幅広く適用することができるのは
いうまでもない。図33は本発明の第12実施例として
の位相インターポレータの構成例を示す回路図であり、
図34は図33の位相インターポレータにおける重み付
け制御部の構成例を示す回路図である。図33におい
て、参照符号41a,41bおよび42a,42bは正
弦波発生回路、430は重み付け制御回路(重み付け制
御部)、440は演算増幅回路(加算波形生成回路)、
そして、450は比較回路(アナログ/ディジタル変換
回路)を示している。The phase interpolator according to the present invention is, for example, a phase interpolator 136, 236 (see FIGS. 14 and 19) in the above-described timing signal generating circuit.
And FIG. 20, etc.), but it goes without saying that it can be widely applied to various other circuits. FIG. 33 is a circuit diagram showing a configuration example of a phase interpolator as a twelfth embodiment of the present invention.
FIG. 34 is a circuit diagram showing a configuration example of a weight control unit in the phase interpolator of FIG. 33, reference numerals 41a, 41b and 42a, 42b denote sine wave generation circuits, 430 denotes a weight control circuit (weight control unit), 440 denotes an operational amplifier circuit (addition waveform generation circuit),
Reference numeral 450 denotes a comparison circuit (analog / digital conversion circuit).
【0077】前に、図21を参照して説明したように、
図33に示す本第12実施例の位相インターポレータ
は、ディジタル信号(矩形波)DIS1およびDIS2
を遅延回路41aおよび42aに通すことにより、矩形
波を三角波に変換し、さらに、ドライバ回路(非線形の
増幅回路)41bおよび42bに通すことにより、三角
波を正弦波(疑似正弦波)に変換するようになってい
る。さらに、これらの正弦波(f1およびf2)は、重
み付け制御回路430へ供給され、それぞれ重み付け制
御部(4301および4302)により所定の重み付け
が行われた後、演算増幅回路440により加算されて、
コンパレータ450へ供給される。As described above with reference to FIG. 21,
The phase interpolator of the twelfth embodiment shown in FIG. 33 includes digital signals (square waves) DIS1 and DIS2.
Is passed through delay circuits 41a and 42a to convert a rectangular wave into a triangular wave, and is further passed through driver circuits (nonlinear amplifier circuits) 41b and 42b to convert the triangular wave into a sine wave (pseudo sine wave). It has become. Further, these sine waves (f1 and f2) are supplied to the weight control circuit 430, and are weighted by the weight control sections (4301 and 4302), respectively, and then added by the operational amplifier circuit 440.
The signal is supplied to the comparator 450.
【0078】図34に示されるように、重み付け制御部
4301(4302)は、入力と出力との間に並列に設
けられた複数(n個)のトランスファーゲートにより構
成されている。これらn個(例えば、16個)のトラン
スファーゲートは、それぞれ制御信号C41〜C4nに
より接続制御されるようになっており、入力と出力との
間を導通するトランスファーゲートの数により正弦波f
1(f2)に対する重み付けを行うようになっている。
すなわち、図34の回路例では、制御信号C41〜C4
nの内の任意の数を高レベル“H”とすることにより、
対応する数のトランスファーゲートをオン状態としてコ
ンダクタンス(演算増幅回路440の入力側のコンダク
タンス)を変化させるようになっている。As shown in FIG. 34, the weight control section 4301 (4302) comprises a plurality (n) of transfer gates provided in parallel between the input and the output. The connection transfer of these n (for example, 16) transfer gates is controlled by control signals C41 to C4n, respectively, and the sine wave f
1 (f2) is weighted.
That is, in the circuit example of FIG. 34, the control signals C41 to C4
By making any number of n high level "H",
A corresponding number of transfer gates are turned on to change the conductance (the conductance on the input side of the operational amplifier circuit 440).
【0079】なお、図34では、各トランスファーゲー
トを構成するnMOSおよびpMOSトランジスタは全
て同じサイズとして構成しているが、各トランスファー
ゲートにおけるnMOSおよびpMOSトランジスタの
サイズを変化させ(例えば、最小のトランジスタのゲー
ト幅を1として、他のトランジスタのゲート幅をそれぞ
れ 1.1, 1.2, 1.3, …と設定し)、任意のトランスファ
ーゲートをオン状態とし、或いは、任意の複数のトラン
スファーゲートを組み合わせてオン状態とすることによ
り、すなわち、少なくとも1つのトランスファーゲート
を導通することにより、正弦波f1(f2)に対する重
み付けを行うように構成することもできる。In FIG. 34, the nMOS and pMOS transistors forming each transfer gate are all configured to have the same size. However, the size of the nMOS and pMOS transistors in each transfer gate is changed (for example, the minimum transistor size). The gate width is set to 1, and the gate widths of the other transistors are set to 1.1, 1.2, 1.3,...), And any transfer gate is turned on, or any combination of a plurality of transfer gates is turned on. Accordingly, the sine wave f1 (f2) may be weighted by conducting at least one transfer gate.
【0080】図35は本発明の第13実施例としての位
相インターポレータの構成例を示す回路図である。図3
5において、参照符号4101はセレクタ回路、411
1〜411nはCMOSインバータ、4103は容量負
荷、そして、4104は比較回路(コンパレータ)を示
している。セレクタ回路4101は、第1のディジタル
周期信号DIS1が入力されるk個のCMOSインバー
タ4111〜411kと、第2のディジタル周期信号D
IS2が入力されるn−k個のCMOSインバータ41
1k〜411nを選択制御するものである。すなわち、
セレクタ回路4101により、ディジタル信号DIS1
を入力とするCMOSインバータの数(k個)と、ディ
ジタル周期信号DIS2を入力とするCMOSインバー
タの数(n−k個)とが制御されるようになっている。
ここで、CMOSインバータ4111〜411nは、例
えば、16個設けられている。また、各CMOSインバ
ータ4111〜411nの出力は共通接続され、容量負
荷4103が接続された端子(コンパレータ4104の
入力端子)に供給される。そして、コンパレータ410
4により、基準電圧Vr(1/2・Vcc)と比較されて
『0』または『1』のディジタル周期信号DOが出力さ
れる。FIG. 35 is a circuit diagram showing a configuration example of a phase interpolator according to a thirteenth embodiment of the present invention. FIG.
5, reference numeral 4101 denotes a selector circuit, 411
1 to 411n indicate CMOS inverters, 4103 indicates a capacitive load, and 4104 indicates a comparison circuit (comparator). The selector circuit 4101 includes k CMOS inverters 4111 to 411k to which the first digital periodic signal DIS1 is input, and a second digital periodic signal D
Nk CMOS inverters 41 to which IS2 is input
1k to 411n are selectively controlled. That is,
The digital signal DIS1 is output by the selector circuit 4101.
, And the number (nk) of CMOS inverters receiving the digital periodic signal DIS2 are controlled.
Here, for example, 16 CMOS inverters 4111 to 411n are provided. The outputs of the CMOS inverters 4111 to 411n are commonly connected and supplied to a terminal (input terminal of the comparator 4104) to which the capacitive load 4103 is connected. Then, the comparator 410
4, the digital periodic signal DO of "0" or "1" is output in comparison with the reference voltage Vr (1 / 2.Vcc).
【0081】各CMOSインバータ4111〜411n
は、矩形波であるディジタル信号DIS1またはDIS
2を直接入力とするが、各CMOSインバータ4111
〜411nの出力は、それぞれ容量負荷4103により
アナログ的な値を有するアナログ周期波形となる。本第
第13実施例の位相インターポレータでは、第1および
第2のディジタル周期信号DIS1およびDIS2に対
してそれぞれ接続するCMOSインバータの数を制御す
ることにより、ディジタル信号(DIS1,DIS2)
のアナログ波形化とそれに対する重み付けの制御を共に
行うようになっている。そして、本第13実施例の位相
インターポレータは、正弦波発生回路が不要で重み制御
のリニアリティが高いという利点がある。Each of the CMOS inverters 4111 to 411n
Is a digital signal DIS1 or DIS which is a square wave.
2 is directly input, but each CMOS inverter 4111
To 411n become analog periodic waveforms each having an analog value due to the capacitive load 4103. In the phase interpolator of the thirteenth embodiment, the digital signals (DIS1, DIS2) are controlled by controlling the number of CMOS inverters connected to the first and second digital periodic signals DIS1, DIS2, respectively.
And the control of weighting the analog waveform. The phase interpolator of the thirteenth embodiment has the advantage that a sine wave generation circuit is not required and the linearity of weight control is high.
【0082】図36は本発明の第14実施例としての位
相インターポレータの構成例を示す回路図である。本第
14実施例の位相インターポレータでは、各ディジタル
信号DIS1およびDIS2をそれぞれ2つのインバー
タ4211,4212および4221,4222で受
け、これらインバータ4211,4212および422
1,4222の出力により複数のCMOSインバータの
出力段4231〜423nおよび4241〜424nの
各pMOS並びにnMOSトランジスタを駆動するよう
になっている。ここで、各出力段4231〜423n
(4241〜424n)の出力はそれぞれ制御信号C4
11〜C41n(C421〜C42n)により接続制御
されるトランスファーゲートを介して取り出され、共通
接続されて、コンパレータ4250の入力に供給されて
いる。FIG. 36 is a circuit diagram showing a configuration example of a phase interpolator according to a fourteenth embodiment of the present invention. In the phase interpolator of the fourteenth embodiment, each of the digital signals DIS1 and DIS2 is received by two inverters 4211, 4212 and 4221 and 4222, respectively, and these inverters 4211, 4212 and 422
The pMOS and nMOS transistors of the output stages 4231 to 423n and 4241 to 424n of a plurality of CMOS inverters are driven by the outputs of 1,4222. Here, each output stage 4231 to 423n
The outputs of (4241 to 424n) are control signals C4
The signals are taken out via transfer gates that are connected and controlled by 11 to C41n (C421 to C42n), connected in common, and supplied to the input of a comparator 4250.
【0083】すなわち、本第14実施例の位相インター
ポレータは、上述した第13実施例と同様に、重み付け
の制御として複数のCMOSインバータを使用するが、
制御信号により接続する数を制御するのは出力段のみで
あり、入力回路(インバータ4211,4212および
4221,4222)は共通としている。ここで、各出
力段(および各トランスファゲート)4231〜423
nおよび4241〜424nを構成するnMOSおよび
pMOSトランジスタは、同じサイズとして構成され、
また、接続制御する出力段の数は、例えば、16個また
は32個とされている。That is, the phase interpolator of the fourteenth embodiment uses a plurality of CMOS inverters for weighting control, as in the thirteenth embodiment.
Only the output stage controls the number of connections by a control signal, and the input circuits (inverters 4211 and 4212 and 4221 and 4222) are common. Here, each output stage (and each transfer gate) 4231 to 423
n and nMOS and pMOS transistors constituting 4241 to 424n are configured to have the same size,
The number of output stages for connection control is, for example, 16 or 32.
【0084】本第14実施例の位相インターポレータ
は、回路の入力容量が重みの値によらず一定であるた
め、ローディング効果による入力ディジタル信号DIS
1,DIS2の位相ずれが発生せず、より正確なタイミ
ング(位相差)を有するディジタル信号DOを生成する
ことができるという利点がある。図37は本発明の第1
5実施例としての位相インターポレータの構成例を示す
回路図であり、図38は図37の位相インターポレータ
におけるトランスコンダクタの例を示す回路図である。In the phase interpolator of the fourteenth embodiment, since the input capacitance of the circuit is constant irrespective of the weight value, the input digital signal DIS caused by the loading effect is obtained.
There is an advantage that a digital signal DO having a more accurate timing (phase difference) can be generated without generating a phase shift between DIS1 and DIS2. FIG. 37 shows the first embodiment of the present invention.
FIG. 38 is a circuit diagram showing a configuration example of a phase interpolator as a fifth embodiment, and FIG. 38 is a circuit diagram showing an example of a transconductor in the phase interpolator of FIG.
【0085】図37に示されるように、本第15実施例
の位相インターポレータは、各ディジタル入力信号DI
S1およびDIS2を、それぞれインバータ4301お
よび4302並びに容量負荷4303および4304よ
りなる積分回路により三角波に変換し、トランスコンダ
クタ(可変トランスコンダクタ)4305および430
6に供給する。ここで、積分回路は、ディジタル信号に
より定電流をスイッチすることにより得られるが、他の
様々な積分回路を使用することもでき、また、積分回路
ではなく単にディジタル信号の高周波成分を減衰させる
フィルタ回路であってもよい。As shown in FIG. 37, the phase interpolator according to the fifteenth embodiment includes digital input signals DI
S1 and DIS2 are converted into triangular waves by an integrating circuit including inverters 4301 and 4302 and capacitive loads 4303 and 4304, respectively, and transconductors (variable transconductors) 4305 and 430 are converted.
6 Here, the integration circuit is obtained by switching a constant current by a digital signal. However, various other integration circuits can be used, and a filter that attenuates high frequency components of the digital signal instead of the integration circuit is used. It may be a circuit.
【0086】図38(a)および図38(b)に示され
るように、トランスコンダクタ4305(4306)
は、入力電圧に対応した電流出力を取り出すものであ
る。まず、図38(a)のトランスコンダクタ4305
は、pMOSトランジスタ4351,4354、nMO
Sトランジスタ4352、および、抵抗4353により
構成され、トランジスタ4352のゲートに印加される
入力電圧(IN)に応じた電流をトランジスタ4351
に流し、該トランジスタ4351とカレントミラー接続
されたトランジスタ4354を流れる電流を電流出力と
して取り出すようになっている。As shown in FIGS. 38 (a) and 38 (b), transconductors 4305 (4306)
Extracts a current output corresponding to the input voltage. First, the transconductor 4305 in FIG.
Are pMOS transistors 4351 and 4354, nMO
The transistor 4351 includes an S transistor 4352 and a resistor 4353, and outputs a current corresponding to an input voltage (IN) applied to the gate of the transistor 4352 to the transistor 4351.
, And a current flowing through a transistor 4354 that is connected to the transistor 4351 in a current mirror connection is extracted as a current output.
【0087】また、図38(b)のトランスコンダクタ
4305は、pMOSトランジスタ4361,436
4,4366、および、nMOSトランジスタ436
2,4363,4365により構成され、差動回路の一
方の入力(トランジスタ4362のゲート)に印加され
る入力電圧(IN)と他方の入力に印加される基準電圧
(1/2・Vcc)とに応じてトランジスタ4364を流れる
電流を、該トランジスタ4364とカレントミラー接続
されたトランジスタ4366から電流出力として取り出
すようになっている。The transconductor 4305 shown in FIG. 38B is composed of pMOS transistors 4361 and 436
4,4366 and nMOS transistor 436
2, 4363 and 4365, and an input voltage (IN) applied to one input (gate of the transistor 4362) of the differential circuit and a reference voltage applied to the other input
The current flowing through the transistor 4364 according to (1/2 · Vcc) is taken out as a current output from the transistor 4366 that is current mirror connected to the transistor 4364.
【0088】なお、トランスコンダクタ4305(43
06)は、図38に示すもの以外に、連続時間アナログ
処理の分野で知られている様々なトランスコンダクタ回
路を適用することができる。図37に示されるように、
三角波をトランスコンダクタ4305および4306に
より電流信号に変換した後、抵抗負荷4307に出力す
ることで、重み付きの和が実現される。そして、コンパ
レータ4308により基準電圧(1/2・Vcc)と比較し
て、所定の位相を有するディジタル信号DOを生成す
る。The transconductor 4305 (43
For 06), various transconductor circuits known in the field of continuous-time analog processing other than those shown in FIG. 38 can be applied. As shown in FIG.
After the triangular wave is converted into a current signal by the transconductors 4305 and 4306, and output to the resistive load 4307, a weighted sum is realized. Then, a digital signal DO having a predetermined phase is generated by comparison with a reference voltage (1/2 · Vcc) by a comparator 4308.
【0089】本第15実施例の位相インターポレータで
は、三角波への変換と和を作る回路を別々に最適化でき
るために、高精度の回路が設計が可能となる利点があ
る。図39は本発明の第16実施例としての位相インタ
ーポレータの構成例を示す回路図である。図39におい
て、参照符号V1+は第1のディジタル周期信号DIS
1に対応し、V1−は第1のディジタル周期信号DIS
1の反転信号(/DIS1)に対応し、V2+は第2の
ディジタル周期信号DIS2に対応し、そして、V2−
は第2のディジタル周期信号DIS2の反転信号(/D
IS2)に対応している。The phase interpolator of the fifteenth embodiment has the advantage that a circuit for converting into a triangular wave and a circuit for forming a sum can be separately optimized, so that a highly accurate circuit can be designed. FIG. 39 is a circuit diagram showing a configuration example of a phase interpolator as a sixteenth embodiment of the present invention. In FIG. 39, reference numeral V1 + denotes a first digital periodic signal DIS.
1 and V1- is the first digital periodic signal DIS
1, V2 + corresponds to the second digital periodic signal DIS2, and V2-
Is an inverted signal of the second digital periodic signal DIS2 (/ D
IS2).
【0090】図39に示されるように、本第16実施例
の位相インターポレータにおいて、アナログ周期波形生
成部および加算波形生成部は、スイッチ付きの定電流源
(4401,4403および4402,4404)を容
量負荷(4405および4406)に接続することで構
成されている。すなわち、第1の入力ディジタル信号D
IS1(V1+)が高レベル“H”の時には、スイッチ
付きの定電流源4401におけるnMOSトランジスタ
4414がオン状態でpMOSトランジスタ4411が
オフ状態となり、また、スイッチ付きの定電流源440
2におけるnMOSトランジスタ4424がオフ状態で
pMOSトランジスタ4421がオン状態となって、容
量負荷4405にはnMOSトランジスタ4413およ
び4414を介して電流が流れ、また、容量負荷440
6にはpMOSトランジスタ4421および4422を
介して電流が流れる。逆に、第1の入力ディジタル信号
DIS1が低レベル“L”の時には、容量負荷4405
にはpMOSトランジスタ4411および4412を介
して電流が流れ、また、容量負荷4406にはnMOS
トランジスタ4423および4424を介して電流が流
れる。なお、位相が異なる第2入力ディジタル信号DI
S2(V2+)に対しても同様である。また、一端がコ
ンパレータ4407の正論理入力に接続された容量負荷
4405の他端は中間電位(1/2・Vcc)とされ、同様
に、一端がコンパレータ4407の負論理入力に接続さ
れた容量負荷4406の他端も中間電位(1/2・Vcc)と
されている。As shown in FIG. 39, in the phase interpolator of the sixteenth embodiment, the analog periodic waveform generation section and the addition waveform generation section have constant current sources with switches (4401, 4403 and 4402, 4404). Are connected to capacitive loads (4405 and 4406). That is, the first input digital signal D
When IS1 (V1 +) is at the high level “H”, the nMOS transistor 4414 in the constant current source 4401 with a switch is turned on and the pMOS transistor 4411 is turned off, and the constant current source 440 with a switch is turned on.
2, the pMOS transistor 4421 is turned on and the pMOS transistor 4421 is turned on, a current flows through the capacitive load 4405 through the nMOS transistors 4413 and 4414, and the capacitive load 4440
A current flows through 6 through pMOS transistors 4421 and 4422. Conversely, when the first input digital signal DIS1 is at a low level “L”, the capacitive load 4405
, Current flows through pMOS transistors 4411 and 4412, and the capacitive load 4406
Current flows through transistors 4423 and 4424. The second input digital signal DI having a different phase
The same applies to S2 (V2 +). The other end of the capacitive load 4405 whose one end is connected to the positive logic input of the comparator 4407 is set to the intermediate potential (1/2 · Vcc). Similarly, the capacitive load whose one end is connected to the negative logic input of the comparator 4407 The other end of 4406 is also at the intermediate potential (1 / 2.Vcc).
【0091】そして、正論理のディジタル周期信号DI
S1,DIS2(V1+,V2+)によるアナログの加
算波形(容量負荷4405の一端における波形)と、負
論理のディジタル周期信号/DIS1,/DIS2(V
1−,V2−)によるアナログの加算波形(容量負荷4
406の一端における波形)とがコンパレータ4407
で比較され、その比較結果に応じたディジタル周期信号
DOが出力される。Then, the positive logic digital periodic signal DI
S1, DIS2 (V1 +, V2 +), an analog addition waveform (a waveform at one end of the capacitive load 4405) and a negative logic digital periodic signal / DIS1, / DIS2 (V
1-, V2-) analog addition waveform (capacitive load 4
406) and the comparator 4407
, And a digital periodic signal DO corresponding to the comparison result is output.
【0092】なお、本第16実施例の位相インターポレ
ータにおいて、重み付けの制御は、バイアス信号(Vc
p1,Vcn1;Vcp2,Vcn2)の電圧レベルを
変化させることにより行われるが、このバイアス信号を
発生する回路に関しては、図40および図41を参照し
て後述する。このように、本第16実施例の位相インタ
ーポレータは、アナログ周期波形生成ぶおよび加算波形
生成部を、第1のディジタル周期信号DIS1(V1
+,V1−)により定電流源(4412,4413およ
び4422,4423)から共通の容量負荷(440
5,4406)に流れる電流の極性を切り替える電流極
性切り替え手段(4411,4414および4421、
4424)、および、電流源の電流値を制御する電流値
制御手段(4412,4413および4422,442
3)を備えて構成される。なお、第2のディジタル周期
信号DIS2についても同様に構成されている。In the phase interpolator of the sixteenth embodiment, the weighting is controlled by the bias signal (Vc
(p1, Vcn1; Vcp2, Vcn2). The circuit for generating the bias signal will be described later with reference to FIGS. 40 and 41. As described above, in the phase interpolator of the sixteenth embodiment, the analog periodic waveform generation unit and the addition waveform generation unit output the first digital periodic signal DIS1 (V1
+, V1-) from the constant current sources (4412, 4413 and 4422, 4423) to the common capacitive load (440).
Current polarity switching means (4411, 4414 and 4421) for switching the polarity of the current flowing through
4424) and current value control means (4412, 4413 and 4422, 442) for controlling the current value of the current source
3) is provided. Note that the second digital periodic signal DIS2 has the same configuration.
【0093】スイッチ付き定電流源4401(4402
〜4404)は、CMOSインバータを構成するpMO
Sトランジスタ4411およびnMOSトランジスタ4
414の各ドレイン側に定電流モードにバイアスされた
pMOSトランジスタ4412およびnMOSトランジ
スタ4413を挿入した構造とされている。なお、CM
OSインバータを構成するトランジスタのドレイン側で
はなく、ソース側(pMOSトランジスタ4411のソ
ースと高電位電源線Vccとの間、および、nMOSトラ
ンジスタ4414のソースと低電位電源線Vssとの間)
に定電流モードにバイアスされたpMOSトランジスタ
およびnMOSトランジスタを挿入してもよい。The constant current source 4401 with switch (4402)
To 4404) are pMOs constituting a CMOS inverter.
S transistor 4411 and nMOS transistor 4
414 has a structure in which a pMOS transistor 4412 and an nMOS transistor 4413 biased in a constant current mode are inserted on each drain side. In addition, CM
The source side, not the drain side, of the transistor constituting the OS inverter (between the source of the pMOS transistor 4411 and the high potential power supply line Vcc, and between the source of the nMOS transistor 4414 and the low potential power supply line Vss)
A pMOS transistor and an nMOS transistor biased in the constant current mode may be inserted into the IGBT.
【0094】本第16実施例の位相インターポレータ
は、ディジタル入力信号をアナログ信号へ変換する機能
(アナログ周期波形生成部の機能)、および、和を生成
する機能(加算波形生成部の機能)を1つの端子上で実
現することができ、回路構成を簡略化して消費電力を低
減することが可能である。図40は図39の位相インタ
ーポレータにおけるバイアス信号を発生する回路の一例
を示す回路図であり、図41は図39の位相インターポ
レータにおけるバイアス信号を発生する回路の他の例を
示す回路図である。The phase interpolator of the sixteenth embodiment has a function of converting a digital input signal into an analog signal (function of an analog periodic waveform generation unit) and a function of generating a sum (function of an addition waveform generation unit). Can be realized on one terminal, and the circuit configuration can be simplified to reduce power consumption. FIG. 40 is a circuit diagram showing an example of a circuit for generating a bias signal in the phase interpolator of FIG. 39, and FIG. 41 is a circuit showing another example of a circuit for generating a bias signal in the phase interpolator of FIG. FIG.
【0095】上述したように、図39に示す位相インタ
ーポレータは、各ディジタル周期信号DIS1,DIS
2;/DIS1,/DIS2の重み付けの制御は、バイ
アス信号Vcp1,Vcn1;Vcp2,Vcn2の電
圧レベルを変化させることにより行うが、このバイアス
信号を発生するバイアス信号発生回路(4408)の例
を図40および図41に示す。As described above, the phase interpolator shown in FIG. 39 uses the digital periodic signals DIS1, DIS
2; control of the weighting of / DIS1, / DIS2 is performed by changing the voltage level of bias signals Vcp1, Vcn1; Vcp2, Vcn2. FIG. 40 and FIG.
【0096】図40に示されるように、バイアス信号発
生回路4408の一例としては、直列接続された2つの
pMOSトランジスタ4481,4482の組を並列に
複数組設け、各一方のトランジスタ4481のゲートに
対して基準電圧(Vr)を印加すると共に、各他方のト
ランジスタ4482のゲートに対してそれぞれ制御信号
(ディジタル信号)C431〜C43nを供給してスイ
ッチング制御するようになっている。As shown in FIG. 40, as an example of the bias signal generation circuit 4408, a plurality of sets of two pMOS transistors 4481 and 4482 connected in series are provided in parallel, In addition to applying a reference voltage (Vr), control signals (digital signals) C431 to C43n are supplied to the gates of the other transistors 4482 to perform switching control.
【0097】ここで、2つのトランジスタの組(448
1,4482)は、全てnMOSトランジスタ4483
の一端に共通接続されており、制御信号C431〜C4
3nにより選択された(導通状態とされた)トランジス
タの組を流れる電流の総和がnMOSトランジスタ44
83に流れるようになっている。さらに、トランジスタ
4483を流れる電流は、カレントミラー接続されたn
MOSトランジスタ4484、および、このトランジス
タ4484と直列に接続されたpMOSトランジスタ4
485に流れる。そして、トランジスタ4485および
4484(4483)を介して、バイアス信号Vcp1
(Vcp2)およびVcn1(Vcn2)が得られるこ
とになる。なお、図39の位相インターポレータに対し
ては、バイアス信号Vcp1,Vcn1を発生する回路
と、バイアス信号Vcp2,Vcn2を発生する回路と
の2つのバイアス信号発生回路が必要となり、例えば、
バイアス信号Vcp1,Vcn1を発生するバイアス信
号発生回路に対して正論理の制御信号C431〜C43
nを供給する場合には、バイアス信号Vcp2,Vcn
2を発生するバイアス信号発生回路に対しては反転論理
の制御信号(/C431〜/C43nを供給して重み付
けの制御を行うことになる。Here, a set of two transistors (448
1, 4482) are all nMOS transistors 4483
Of the control signals C431 to C4
The sum of the currents flowing through the set of transistors selected (conducted) by 3n is the nMOS transistor 44
83. Further, the current flowing through the transistor 4483 is equal to the current mirror-connected n
MOS transistor 4484 and pMOS transistor 4 connected in series with transistor 4484
485. Then, the bias signal Vcp1 is supplied via the transistors 4485 and 4484 (4483).
(Vcp2) and Vcn1 (Vcn2) are obtained. The phase interpolator of FIG. 39 requires two bias signal generation circuits, one for generating bias signals Vcp1 and Vcn1 and the other for generating bias signals Vcp2 and Vcn2.
Positive logic control signals C431 to C43 for the bias signal generation circuit for generating the bias signals Vcp1 and Vcn1
n, the bias signals Vcp2 and Vcn
2 is supplied to the bias signal generating circuit for generating the control signal 2 to control the weighting by supplying the control signal (/ C431 to / C43n) of the inverted logic.
【0098】このように、図40に示すバイアス信号発
生回路4408は、電流出力型のD/Aコンバータとし
て構成され、被制御側の電流源ではD/Aコンバータか
ら受けた電流をカレントミラー回路でミラーすることで
可変の定電流を得ており、制御信号C431〜C43n
に応じた所定の電圧レベルを有するバイアス信号Vcp
1(Vcp2)およびVcn1(Vcn2)を発生する
ようになっている。このバイアス信号発生回路は、被制
御側の電流源が簡単な構成になるため、少ない回路量で
実現できる利点がある。As described above, the bias signal generating circuit 4408 shown in FIG. 40 is configured as a current output type D / A converter, and the current source on the controlled side receives the current received from the D / A converter by the current mirror circuit. A variable constant current is obtained by mirroring, and the control signals C431 to C43n
Signal Vcp having a predetermined voltage level according to
1 (Vcp2) and Vcn1 (Vcn2). This bias signal generation circuit has an advantage that it can be realized with a small amount of circuit because the current source on the controlled side has a simple configuration.
【0099】図41は図39の位相インターポレータに
おけるバイアス信号を発生する回路の他の例を示す回路
図である。図41に示されるように、バイアス信号発生
回路4408の他の例としては、基準電圧(Vr)が印
加された複数のpMOSトランジスタ4486のドレイ
ンに対して、それぞれ制御信号(ディジタル信号)C4
41〜C44nによりスイッチング制御されるpMOS
トランジスタ4487,4488の一端(ソース)を接
続するようになっている。ここで、各組のトランジスタ
4487のゲートにはそれぞれ対応する制御信号C44
1〜C44nが供給され、また、各組のトランジスタ4
488のゲートにはそれぞれインバータ4489で反転
された制御信号(/C441〜/C44n)が供給され
るようになっている。従って、各組において、トランジ
スタ4487および4488のいずれか一方がオン状態
で他方がオフ状態になる。FIG. 41 is a circuit diagram showing another example of a circuit for generating a bias signal in the phase interpolator of FIG. As shown in FIG. 41, as another example of the bias signal generation circuit 4408, a control signal (digital signal) C4
PMOS switching-controlled by 41 to C44n
One end (source) of the transistors 4487 and 4488 is connected. Here, the gate of each set of transistors 4487 has a corresponding control signal C44
1 to C44n, and each set of transistors 4
The control signals (/ C441 to / C44n) inverted by the inverter 4489 are respectively supplied to the gates 488. Therefore, in each set, one of the transistors 4487 and 4488 is turned on and the other is turned off.
【0100】各組のトランジスタ4487の他端(ドレ
イン)は共通接続されて、オン状態のトランジスタ44
87を流れる電流の総和がnMOSトランジスタ448
31に流れるようになっており、同様に、各組のトラン
ジスタ4488の他端は共通接続されて、オン状態のト
ランジスタ4488を流れる電流の総和がnMOSトラ
ンジスタ44832に流れるようになっている。そし
て、図40を参照して説明したのと同様に、トランジス
タ44831および44832を流れる電流は、カレン
トミラー接続されたnMOSトランジスタ44841お
よび44842、並びに、このトランジスタ44841
および44842と直列に接続されたpMOSトランジ
スタ44851および44852に流れ、それぞれバイ
アス信号Vcp1,Vcn1およびVcp2,Vcn2
が得られることになる。The other end (drain) of each set of transistors 4487 is connected in common, and the transistors 4487 in the ON state are connected.
The sum of the currents flowing through 87 is nMOS transistor 448
Similarly, the other end of each set of transistors 4488 is connected in common, so that the total current flowing through the transistor 4488 in the ON state flows through the nMOS transistor 44832. Then, as described with reference to FIG. 40, the current flowing through transistors 44831 and 44832 is converted into current mirror-connected nMOS transistors 44841 and 44842 and transistor 44841.
To the pMOS transistors 44851 and 44852 connected in series with the bias signals Vcp1, Vcn1 and Vcp2, Vcn2, respectively.
Is obtained.
【0101】このように、図41に示すバイアス信号発
生回路4408は、電流源の出力値を制御するための電
流制御型のD/Aコンバータの出力が、相補の出力ノー
ドに切り替えられて接続されるようになっている。ここ
で、D/Aコンバータの出力電流そのものは常に一定に
保たれているため、D/Aコンバータの出力トランジス
タの電圧は一定に保たれ、電流が断続する場合に見られ
るようなスパイク状の過渡応答がなくなる利点がある。
また、電流出力型のD/Aコンバータの消費電流も低減
(半分程度に)することができる。As described above, in the bias signal generation circuit 4408 shown in FIG. 41, the output of the current control type D / A converter for controlling the output value of the current source is switched and connected to the complementary output node. It has become so. Here, since the output current itself of the D / A converter is always kept constant, the voltage of the output transistor of the D / A converter is kept constant, and a spike-like transient as seen when the current is interrupted. There is an advantage that there is no response.
Further, the current consumption of the current output type D / A converter can be reduced (about half).
【0102】図42は図39の第16実施例の変形例と
しての可変の電流源(4500)の構成例を示す回路図
であり、前述した図39の位相インターポレータにおけ
る各定電流源(4401〜4404)として適用される
ものである。なお、図42に示す電流源4500におい
て、バイアス信号(バイアス電圧)Vcp,Vcnは一
定の電圧レベルの信号であり、制御信号C451〜C4
5nにより重み付けの制御を行うようになっている。FIG. 42 is a circuit diagram showing a configuration example of a variable current source (4500) as a modification of the sixteenth embodiment of FIG. 39. 4401 to 4404). In the current source 4500 shown in FIG. 42, the bias signals (bias voltages) Vcp and Vcn are signals of a constant voltage level, and the control signals C451 to C4
5n controls the weighting.
【0103】図42に示されるように、本変形例の可変
電流源4500は、図39の定電流源4401におい
て、バイアス信号Vcp(Vcp1)およびVcn(V
cn1)が供給されるトランジスタ4501および45
03(4412および4413に対応)を複数組設け、
これら各組のトランジスタ4501および4503の間
にpMOSトランジスタ4506およびnMOSトラン
ジスタ4508をそれぞれ設けるようになっている。こ
こで、各組のトランジスタ4508のゲートには正論理
の制御信号C451〜C45nが供給され、また、各組
のトランジスタ4506のゲートにはそれぞれインバー
タ4507を介して反転された制御信号(/C451〜
/C45n)が供給されている。そして、各組の450
6および4508の接続ノードを共通接続して、出力
(出力端子)outを取り出すようになっている。な
お、この出力端子outは、図39に示されるように、
例えば、容量負荷(4405または4406)の一端お
よびコンパレータ(4407)の1つの入力端子に接続
されることになる。As shown in FIG. 42, the variable current source 4500 of the present modification is different from the constant current source 4401 of FIG. 39 in that the bias signals Vcp (Vcp1) and Vcn (Vcn
cn1) are supplied to the transistors 4501 and 45
03 (corresponding to 4412 and 4413) are provided in plural sets,
A pMOS transistor 4506 and an nMOS transistor 4508 are provided between these sets of transistors 4501 and 4503, respectively. Here, control signals C451 to C45n of positive logic are supplied to the gates of the transistors 4508 of each set, and the control signals (/ C451 to / C451 to
/ C45n). And 450 of each set
The connection nodes 6 and 4508 are commonly connected to take out an output (output terminal) out. Note that this output terminal out is, as shown in FIG.
For example, it is connected to one end of the capacitive load (4405 or 4406) and one input terminal of the comparator (4407).
【0104】このように、図42に示す本変形例の可変
電流源は、可変の電流源を得るためにカレントミラーの
出力トランジスタ(4506,4508)の数を制御し
ており、カレントミラー動作のトランジスタ(450
2,4503)のゲートバイアス(バイアス信号Vc
p,Vcn)を常に一定に保持するようになっており、
電流の安定性を高くすることができる。さらに、本変形
例の可変電流源は、トランジスタの個数による電流制御
であるためリニアリティも良好になるという利点もあ
る。As described above, the variable current source of this modification shown in FIG. 42 controls the number of output transistors (4506, 4508) of the current mirror in order to obtain a variable current source. Transistor (450
2,4503) gate bias (bias signal Vc)
p, Vcn) is always kept constant.
The current stability can be increased. Further, the variable current source according to the present modification has an advantage that the linearity is improved because the current is controlled by the number of transistors.
【0105】図43は本発明の第17実施例としての位
相インターポレータの一部の構成例を示す回路図であ
り、図39の位相インターポレータにおけるコンパレー
タ4407の2つの入力端子間にクランプ回路4600
を設けたものである。図43に示されるように、例え
ば、図39の位相インターポレータにおけるコンパレー
タ4407の2つの入力端子間(アナログ波形が加算さ
れて発生するノード)にクランプ回路4600を設ける
ことにより、電流源の電流値にアンバランスが有った場
合でも、クランプ回路4600によりこれらのノードの
コモンモード電位が一定に保持されるため、次段のコン
パレータ4407による比較動作が常に一定の状態で行
うことができ、タイミング精度を向上させることが可能
となる。FIG. 43 is a circuit diagram showing a partial configuration example of a phase interpolator according to a seventeenth embodiment of the present invention. In the phase interpolator shown in FIG. 39, a clamp is provided between two input terminals of a comparator 4407. Circuit 4600
Is provided. As shown in FIG. 43, for example, by providing a clamp circuit 4600 between two input terminals (a node generated by adding an analog waveform) of the comparator 4407 in the phase interpolator of FIG. Even when the values are unbalanced, the common mode potential of these nodes is kept constant by the clamp circuit 4600, so that the comparison operation by the next-stage comparator 4407 can always be performed in a constant state, and the timing Accuracy can be improved.
【0106】図43に示すクランプ回路4600は、直
列に接続した2つのnMOSトランジスタ4601,4
602の各ゲートに対して 1/2・Vcc(基準電圧)を印
加すると共に、トランジスタ4601および4602の
接続個所に対しても 1/2・Vccを印加して、コンパレー
タ4407の2つの入力端子間の電位をクランプするよ
うになっている。なお、クランプ回路4600として
は、図43に示すものの他に様々な構成のものが適用可
能である。The clamp circuit 4600 shown in FIG. 43 comprises two nMOS transistors 4601 and 4 connected in series.
A voltage of 1 / 2.Vcc (reference voltage) is applied to each gate of the transistor 602, and a voltage of 1 / 2.Vcc is also applied to a connection point of the transistors 4601 and 4602, so that two input terminals of the comparator 4407 are connected. Is clamped. As the clamp circuit 4600, those having various configurations other than those shown in FIG. 43 can be applied.
【0107】図44は本発明の第18実施例としての位
相インターポレータの構成例を説明するための図であ
る。図44において、横軸は、D/A入力コード、すな
わち、制御信号によって選択(接続)されるトランジス
タの数を示し、また、縦軸は、これら選択されたトラン
ジスタを流れる総和としての出力電流を示している。上
述したように、本発明の位相インターポレータは、各ア
ナログ周期波形の重み付けを制御する重み付け制御を実
現するために、例えば、複数の同一サイズのトランジス
タを制御信号(ディジタル信号)により選択して、接続
するトランジスタの数を制御して電流出力を調整するよ
うになっている。FIG. 44 is a view for explaining a configuration example of the phase interpolator according to the eighteenth embodiment of the present invention. In FIG. 44, the horizontal axis shows the D / A input code, that is, the number of transistors selected (connected) by the control signal, and the vertical axis shows the output current as the total flowing through these selected transistors. Is shown. As described above, the phase interpolator of the present invention selects, for example, a plurality of transistors of the same size by a control signal (digital signal) in order to realize weighting control for controlling weighting of each analog periodic waveform. The current output is adjusted by controlling the number of transistors to be connected.
【0108】図44における特性曲線LL1は、この同
一サイズのトランジスタを制御信号により選択した場合
の接続されたトランジスタの数と出力電流との関係を示
すもので、非線形的な曲線となっている。そこで、本第
18実施例では、図44における特性曲線LL2に示さ
れるように、制御信号により制御されるトランジスタの
数と出力電流との関係が線形的な曲線(直線)となるよ
うに、各トランジスタのサイズを調整するものである。The characteristic curve LL1 in FIG. 44 shows the relationship between the number of connected transistors and the output current when a transistor of the same size is selected by a control signal, and is a non-linear curve. Therefore, in the eighteenth embodiment, as shown by a characteristic curve LL2 in FIG. 44, the relationship between the number of transistors controlled by the control signal and the output current becomes a linear curve (straight line). This is for adjusting the size of the transistor.
【0109】例えば、図40に示すバイアス信号発生回
路では、制御信号C431〜C43nに応じて導通(接
続)するトランジスタ4482の数が制御され、そし
て、導通した全てのトランジスタ4482を介して流れ
る電流の総和がトランジスタ4483に流れることにな
るが、このような場合、本第18実施例を適用すること
により、制御信号C431〜C43nに応じて導通する
トランジスタ4482の数とトランジスタ4483に流
れる電流(出力電流)とが線形の関係を保つように各ト
ランジスタ4482(4481)のサイズが調整される
ことになる。なお、このトランジスタサイズの調整は、
上記の電流D/Aコンバータにおけるトランジスタだけ
でなく、カレントミラー回路等で発生する非線形成分を
補償するためにカレントミラー回路等に関連するトラン
ジスタ(例えば、トランジスタ4483,4484,4
485等)のサイズも調整することができる。For example, in the bias signal generating circuit shown in FIG. 40, the number of transistors 4482 that are turned on (connected) is controlled according to control signals C431 to C43n, and the current flowing through all the transistors 4482 that are turned on is controlled. The sum flows through the transistor 4483. In such a case, by applying the eighteenth embodiment, the number of transistors 4482 that are turned on according to the control signals C431 to C43n and the current flowing through the transistor 4483 (output current ) And the size of each transistor 4482 (4481) is adjusted so that a linear relationship is maintained. The adjustment of the transistor size
In addition to the transistors in the current D / A converter, transistors related to the current mirror circuit and the like (for example, transistors 4483, 4484, 4
485 etc.) can also be adjusted.
【0110】このように、本第18実施例を適用するこ
とにより、位相インターポレータが出力する信号のタイ
ミング精度をより一層向上させることが可能になる。As described above, by applying the eighteenth embodiment, the timing accuracy of the signal output from the phase interpolator can be further improved.
【0111】[0111]
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明によれ
ば、基準クロックに同期して所定の位相差を有する複数
のタイミング信号を、簡単な構成でしかも高精度に発生
することができる。すなわち、本発明によれば、基準ク
ロック信号に同期して一定の位相差の関係にあるタイミ
ングパルスを多数の簡単な構造の子回路で発生すること
ができる。そのため、高速信号の送信および受信に必要
な高精度のタイミング信号を小さな回路面積で発生する
ことができる。As described above, according to the present invention, it is possible to generate a plurality of timing signals having a predetermined phase difference in synchronization with a reference clock with a simple configuration and with high accuracy. . That is, according to the present invention, it is possible to generate timing pulses having a fixed phase difference relationship in synchronization with the reference clock signal by a plurality of child circuits having a simple structure. Therefore, a high-precision timing signal required for transmitting and receiving a high-speed signal can be generated with a small circuit area.
【図1】従来のタイミング信号発生回路の一例を示すブ
ロック図である。FIG. 1 is a block diagram illustrating an example of a conventional timing signal generation circuit.
【図2】本発明に係るタイミング信号発生回路の原理構
成を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a principle configuration of a timing signal generation circuit according to the present invention.
【図3】本発明の第1実施例としてのタイミング信号発
生回路の構成例を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration example of a timing signal generation circuit according to a first embodiment of the present invention;
【図4】図3のタイミング信号発生回路の可変遅延ライ
ンにおける遅延ユニットの一例を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of a delay unit in a variable delay line of the timing signal generation circuit of FIG. 3;
【図5】図3のタイミング信号発生回路における位相比
較回路の一例を示すブロック回路図である。FIG. 5 is a block circuit diagram illustrating an example of a phase comparison circuit in the timing signal generation circuit of FIG. 3;
【図6】図5の位相比較回路の動作を説明するためのタ
イミング図である。FIG. 6 is a timing chart for explaining the operation of the phase comparison circuit of FIG. 5;
【図7】図3のタイミング信号発生回路におけるチャー
ジポンプ回路の一例を示す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram illustrating an example of a charge pump circuit in the timing signal generation circuit of FIG. 3;
【図8】図3のタイミング信号発生回路の可変遅延ライ
ンにおける遅延ユニットの他の例を示す回路図である。8 is a circuit diagram showing another example of the delay unit in the variable delay line of the timing signal generation circuit of FIG.
【図9】本発明の第2実施例としてのタイミング信号発
生回路における制御信号発生回路の構成例を示すブロッ
ク回路図である。FIG. 9 is a block circuit diagram illustrating a configuration example of a control signal generation circuit in a timing signal generation circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図10】図9の制御信号発生回路の出力を変換する電
流−電圧変換回路の一例を示す回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram illustrating an example of a current-voltage conversion circuit that converts an output of the control signal generation circuit of FIG. 9;
【図11】本発明の第3実施例としてのタイミング信号
発生回路の要部構成の一例を示すブロック図である。FIG. 11 is a block diagram illustrating an example of a main configuration of a timing signal generation circuit according to a third embodiment of the present invention;
【図12】図11のアップダウンカウンタの出力をD/
A変換するD/Aコンバータの一例を示すブロック回路
図である。FIG. 12 shows the output of the up / down counter of FIG.
FIG. 3 is a block circuit diagram illustrating an example of a D / A converter that performs A-conversion.
【図13】図12に示すD/Aコンバータにおける1つ
の電流マトリクスセルの構成例を示す回路図である。13 is a circuit diagram showing a configuration example of one current matrix cell in the D / A converter shown in FIG.
【図14】本発明の第4実施例としての子回路に適用す
るタイミング信号発生回路の構成例を示すブロック図で
ある。FIG. 14 is a block diagram showing a configuration example of a timing signal generation circuit applied to a slave circuit as a fourth embodiment of the present invention.
【図15】図14の位相インターポレータの一例を示す
回路図である。FIG. 15 is a circuit diagram showing an example of the phase interpolator of FIG.
【図16】本発明の第5実施例としての位相インターポ
レータの構成例を示す回路図である。FIG. 16 is a circuit diagram showing a configuration example of a phase interpolator as a fifth embodiment of the present invention.
【図17】本発明の第5実施例のシミュレーションを行
うために使用したタイミング信号発生回路の構成例を示
す回路図である。FIG. 17 is a circuit diagram showing a configuration example of a timing signal generation circuit used for performing a simulation according to a fifth embodiment of the present invention.
【図18】図17のタイミング信号発生回路のシミュレ
ーション結果を示す図である。18 is a diagram illustrating a simulation result of the timing signal generation circuit of FIG. 17;
【図19】本発明の第6実施例としてのタイミング信号
発生回路の構成例を示すブロック図である。FIG. 19 is a block diagram showing a configuration example of a timing signal generation circuit as a sixth embodiment of the present invention.
【図20】本発明の第7実施例としてのタイミング信号
発生回路の構成例を示すブロック図である。FIG. 20 is a block diagram illustrating a configuration example of a timing signal generation circuit according to a seventh embodiment of the present invention;
【図21】本発明の第8実施例としての正弦波発生回路
の構成例を示す回路図である。FIG. 21 is a circuit diagram showing a configuration example of a sine wave generation circuit as an eighth embodiment of the present invention.
【図22】図21の正弦波発生回路のシミュレーション
結果を示す図である。FIG. 22 is a diagram illustrating a simulation result of the sine wave generation circuit of FIG. 21;
【図23】本発明の第9実施例としてのタイミング信号
発生回路の構成例を示すブロック図である。FIG. 23 is a block diagram illustrating a configuration example of a timing signal generation circuit according to a ninth embodiment of the present invention.
【図24】本発明の第10実施例としてのタイミング信
号発生回路の構成例を示すブロック図である。FIG. 24 is a block diagram illustrating a configuration example of a timing signal generation circuit according to a tenth embodiment of the present invention.
【図25】本発明の第11実施例としてのタイミング信
号発生回路の要部構成の一例を示すブロック図である。FIG. 25 is a block diagram illustrating an example of a main configuration of a timing signal generation circuit according to an eleventh embodiment of the present invention.
【図26】図25のタイミング信号発生回路における位
相インターポレータ(位相アジャスタ)の一例を示す回
路図である。26 is a circuit diagram showing an example of a phase interpolator (phase adjuster) in the timing signal generation circuit of FIG.
【図27】図25のタイミング信号発生回路に利用可能
な4相PLL回路の一例を示す回路図である。FIG. 27 is a circuit diagram showing an example of a four-phase PLL circuit that can be used for the timing signal generation circuit of FIG.
【図28】図27の4相PLL回路における差動増幅部
の一例を示す回路図である。FIG. 28 is a circuit diagram illustrating an example of a differential amplifier in the four-phase PLL circuit of FIG. 27;
【図29】図27の4相PLL回路における信号変換部
の一例を示す回路図である。FIG. 29 is a circuit diagram showing an example of a signal converter in the four-phase PLL circuit of FIG. 27;
【図30】図27の4相PLL回路の出力信号を示す図
である。FIG. 30 is a diagram illustrating output signals of the four-phase PLL circuit of FIG. 27;
【図31】本発明に係る位相インターポレータの原理構
成を示すブロック図である。FIG. 31 is a block diagram showing the principle configuration of a phase interpolator according to the present invention.
【図32】図31の位相インターポレータの動作を説明
するための波形図である。FIG. 32 is a waveform chart for explaining the operation of the phase interpolator in FIG. 31.
【図33】本発明の第12実施例としての位相インター
ポレータの構成例を示す回路図である。FIG. 33 is a circuit diagram showing a configuration example of a phase interpolator as a twelfth embodiment of the present invention.
【図34】図33の位相インターポレータにおける重み
付け制御部の構成例を示す回路図である。FIG. 34 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a weight control unit in the phase interpolator of FIG. 33;
【図35】本発明の第13実施例としての位相インター
ポレータの構成例を示す回路図である。FIG. 35 is a circuit diagram showing a configuration example of a phase interpolator as a thirteenth embodiment of the present invention.
【図36】本発明の第14実施例としての位相インター
ポレータの構成例を示す回路図である。FIG. 36 is a circuit diagram showing a configuration example of a phase interpolator as a fourteenth embodiment of the present invention.
【図37】本発明の第15実施例としての位相インター
ポレータの構成例を示す回路図である。FIG. 37 is a circuit diagram showing a configuration example of a phase interpolator according to a fifteenth embodiment of the present invention.
【図38】図37の位相インターポレータにおけるトラ
ンスコンダクタの例を示す回路図である。FIG. 38 is a circuit diagram showing an example of a transconductor in the phase interpolator of FIG. 37.
【図39】本発明の第16実施例としての位相インター
ポレータの構成例を示す回路図である。FIG. 39 is a circuit diagram showing a configuration example of a phase interpolator as a sixteenth embodiment of the present invention.
【図40】図39の位相インターポレータにおけるバイ
アス信号を発生する回路の一例を示す回路図である。40 is a circuit diagram illustrating an example of a circuit that generates a bias signal in the phase interpolator of FIG. 39.
【図41】図39の位相インターポレータにおけるバイ
アス信号を発生する回路の他の例を示す回路図である。FIG. 41 is a circuit diagram showing another example of a circuit for generating a bias signal in the phase interpolator of FIG. 39;
【図42】図39の第16実施例の変形例としての可変
の電流源の構成例を示す回路図である。FIG. 42 is a circuit diagram showing a configuration example of a variable current source as a modification of the sixteenth embodiment of FIG. 39;
【図43】本発明の第17実施例としての位相インター
ポレータの一部の構成例を示す回路図である。FIG. 43 is a circuit diagram showing a configuration example of a part of a phase interpolator as a seventeenth embodiment of the present invention.
【図44】本発明の第18実施例としての位相インター
ポレータの構成例を説明するための図である。FIG. 44 is a diagram illustrating a configuration example of a phase interpolator according to an eighteenth embodiment of the present invention.
1…親回路 2…子回路 10…DLL回路 11…可変遅延ライン 12,12a,12b…位相比較回路 13…制御信号発生回路 14…駆動回路(クロックドライバ) 15…セレクタ 21…電圧制御発振器(VCO) 131…チャージポンプ回路 132…バッファアンプ 133…電流−電圧変換回路 134,134a,134b,234…アップダウンカ
ウンタ 135…D/Aコンバータ 136,236…位相インターポレータ 212…組み合わせ論理回路 210…選択手段 220…A/Dコンバータ 230…制御回路 241,242…ラッチ回路 250…4相PLL回路 CKr…基準クロック CKin…内部クロック CS…制御信号 D…遅延ユニット(遅延段) 41,42…アナログ周期波形生成部 43…重み付け制御部 44…加算波形生成部 45…アナログ/ディジタル変換部 DIS1…第1のディジタル周期信号 DIS2…第2のディジタル周期信号 DO…ディジタル出力信号DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Parent circuit 2 ... Child circuit 10 ... DLL circuit 11 ... Variable delay line 12, 12a, 12b ... Phase comparison circuit 13 ... Control signal generation circuit 14 ... Driving circuit (clock driver) 15 ... Selector 21 ... Voltage controlled oscillator (VCO) 131 ... charge pump circuit 132 ... buffer amplifier 133 ... current-voltage conversion circuit 134,134a, 134b, 234 ... up / down counter 135 ... D / A converter 136,236 ... phase interpolator 212 ... combinational logic circuit 210 ... selection Means 220 A / D converter 230 Control circuit 241, 242 Latch circuit 250 Four-phase PLL circuit CKr Reference clock CKin Internal clock CS Control signal D Delay unit (delay stage) 41, 42 Analog periodic waveform Generation unit 43: weight control unit 44 Added waveform generator 45 ... analog / digital converter unit DIS1 ... first digital periodic signal DIS2 ... second digital periodic signal DO ... digital output signal
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荒木 久勝 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 若山 繁俊 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hisakatsu Araki 4-1-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside Fujitsu Limited (72) Inventor Shigetoshi Wakayama 4-1-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa No. 1 Inside Fujitsu Limited
Claims (38)
位相を有する内部信号をフィードバック制御して生成す
る親回路と、 該親回路からの内部信号および制御信号を受け取って、
前記基準信号に対して所定のタイミングを有するタイミ
ング信号を発生する子回路とを具備することを特徴とす
るタイミング信号発生回路。1. A parent circuit for generating an internal signal having the same cycle or phase as an input reference signal by feedback control, receiving an internal signal and a control signal from the parent circuit,
And a slave circuit for generating a timing signal having a predetermined timing with respect to the reference signal.
路において、前記子回路は、1つの親回路に対して複数
個設けられていることを特徴とするタイミング信号発生
回路。2. The timing signal generating circuit according to claim 1, wherein a plurality of said child circuits are provided for one parent circuit.
号発生回路において、前記親回路は、前記子回路に対応
した回路を備え、該親回路自身もタイミング信号を出力
するようになっていることを特徴とするタイミング信号
発生回路。3. The timing signal generating circuit according to claim 1, wherein the parent circuit includes a circuit corresponding to the child circuit, and the parent circuit itself outputs a timing signal. A timing signal generating circuit.
イミング信号発生回路において、前記親回路は、前記基
準信号および前記内部信号の周期或いは位相を比較する
比較回路と、該比較回路の出力に応じて前記制御信号を
変化させる制御信号発生回路と、該制御信号により前記
基準信号の遅延量を制御して前記内部信号を出力する可
変遅延ラインとを具備することを特徴とするタイミング
信号発生回路。4. The timing signal generation circuit according to claim 1, wherein said parent circuit compares a cycle or a phase of said reference signal and said internal signal, and said comparison circuit. A control signal generating circuit that changes the control signal in accordance with the output of the control signal, and a variable delay line that controls the delay amount of the reference signal by the control signal and outputs the internal signal. Signal generation circuit.
路において、前記親回路はDLL回路であり、該DLL
回路は粗い遅延制御を行う粗遅延制御部および微細な遅
延制御を行う微細遅延制御部を有し、前記子回路は該微
細遅延制御部に対応した回路を備えていることを特徴と
するタイミング信号発生回路。5. The timing signal generation circuit according to claim 4, wherein said parent circuit is a DLL circuit.
The circuit has a coarse delay control unit for performing coarse delay control and a fine delay control unit for performing fine delay control, and the slave circuit includes a circuit corresponding to the fine delay control unit. Generator circuit.
路において、前記粗遅延制御部は、複数の遅延ユニット
を備えた遅延ラインからタップを取り出し、該各タップ
の出力を選択して粗い遅延制御を行い、且つ、前記微細
遅延制御部は、該粗遅延制御部におけるDLL回路を制
御するための信号および該粗遅延制御部からの粗い遅延
制御が行われた信号を受け取り、該粗い遅延制御の信号
から位相インターポレータを使用して微細な遅延制御を
行うようになっていることを特徴とするタイミング信号
発生回路。6. The timing signal generating circuit according to claim 5, wherein said coarse delay control section takes out taps from a delay line having a plurality of delay units and selects an output of each of said taps to perform coarse delay control. And the fine delay control unit receives a signal for controlling the DLL circuit in the coarse delay control unit and a signal subjected to the coarse delay control from the coarse delay control unit, and A timing signal generating circuit for performing fine delay control on a signal using a phase interpolator.
イミング信号発生回路において、前記親回路は、前記基
準信号および前記内部信号の周期或いは位相を比較する
比較回路と、該比較回路の出力に応じて前記制御信号を
変化させる制御信号発生回路と、該制御信号に応じて前
記基準信号に対応した内部信号を発生する電圧制御発振
器とを具備することを特徴とするタイミング信号発生回
路。7. The timing signal generation circuit according to claim 1, wherein the parent circuit compares a cycle or a phase of the reference signal and the internal signal, and the comparison circuit. A timing signal generating circuit comprising: a control signal generating circuit that changes the control signal in accordance with an output of the control signal; and a voltage controlled oscillator that generates an internal signal corresponding to the reference signal in accordance with the control signal. .
路において、前記子回路は、前記親回路からの制御信号
に応じて前記タイミング信号を出力する電圧制御発振器
を備えていることを特徴とするタイミング信号発生回
路。8. The timing signal generating circuit according to claim 7, wherein said child circuit includes a voltage controlled oscillator for outputting said timing signal in response to a control signal from said parent circuit. Timing signal generation circuit.
イミング信号発生回路において、前記制御信号発生回路
は、前記比較回路からのアップ信号およびダウン信号に
応じて出力の電圧レベルを制御するチャージポンプ回路
を具備することを特徴とするタイミング信号発生回路。9. The timing signal generation circuit according to claim 4, wherein said control signal generation circuit controls a voltage level of an output according to an up signal and a down signal from said comparison circuit. A timing signal generating circuit, comprising:
タイミング信号発生回路において、前記制御信号発生回
路は、前記比較回路からのアップ信号およびダウン信号
をカウントするアップダウンカウンタと、該アップダウ
ンカウンタの出力をディジタル−アナログ変換するD/
Aコンバータを具備することを特徴とするタイミング信
号発生回路。10. The timing signal generating circuit according to claim 4, wherein said control signal generating circuit includes an up / down counter for counting an up signal and a down signal from said comparison circuit; D / D for digital-to-analog conversion of the output of the up / down counter
A timing signal generation circuit comprising an A converter.
のタイミング信号発生回路において、前記子回路は、前
記親回路からの制御信号により前記内部信号を遅延して
前記タイミング信号を出力する可変遅延ラインを備えて
いることを特徴とするタイミング信号発生回路。11. The timing signal generating circuit according to claim 1, wherein said child circuit outputs said timing signal by delaying said internal signal by a control signal from said parent circuit. A timing signal generation circuit comprising a variable delay line.
のタイミング信号発生回路において、前記子回路は、異
なる複数相の入力信号を受け取ってより細かい中間位相
のタイミング信号を出力する位相インターポレータを備
えていることを特徴とするタイミング信号発生回路。12. The timing signal generating circuit according to claim 1, wherein said child circuit receives a plurality of different input signals and outputs a finer intermediate phase timing signal. A timing signal generation circuit comprising a poller.
生回路において、前記複数相の入力信号は、3相または
4相のクロックであることを特徴とするタイミング信号
発生回路。13. The timing signal generating circuit according to claim 12, wherein the input signals of the plurality of phases are three-phase or four-phase clocks.
ング信号発生回路において、前記位相インターポレータ
は、複数の入力電圧信号をそれぞれ電流信号に変換する
電圧−電流変換手段と、変換された電流信号を電圧変換
係数を変化させて再び電圧信号に変換する電流−電圧変
換手段と、該得られた電流信号を足し合わせた上で前記
基準信号と比較する比較手段とを具備することを特徴と
するタイミング信号発生回路。14. The timing signal generating circuit according to claim 12, wherein the phase interpolator converts a plurality of input voltage signals into current signals, respectively, and a converted current signal. Current-voltage conversion means for changing a voltage conversion coefficient into a voltage signal again, and a comparison means for adding the obtained current signal and comparing the obtained current signal with the reference signal. Timing signal generation circuit.
回路において、前記親回路から子回路に送る制御信号を
制御電流信号としたことを特徴とするタイミング信号発
生回路。15. The timing signal generation circuit according to claim 1, wherein the control signal sent from the parent circuit to the child circuit is a control current signal.
生回路において、前記親回路に前記制御電流信号を生成
する制御電流信号生成回路を設け、且つ、前記子回路に
該制御電流信号を電圧信号に変換する電流−電圧変換回
路を設けるようにしたことを特徴とするタイミング信号
発生回路。16. The timing signal generation circuit according to claim 15, wherein a control current signal generation circuit for generating the control current signal is provided in the parent circuit, and the control current signal is converted to a voltage signal in the child circuit. A timing signal generation circuit, comprising a current-voltage conversion circuit for conversion.
のタイミング信号発生回路において、前記子回路は、前
記親回路からの信号に応じて応答速度が変化する増幅回
路を備え、前記タイミング信号として正弦波形状の信号
を発生するようになっていることを特徴とするタイミン
グ信号発生回路。17. The timing signal generating circuit according to claim 1, wherein said slave circuit includes an amplifier circuit whose response speed changes in response to a signal from said parent circuit, A timing signal generating circuit for generating a sine wave signal as a signal.
のタイミング信号発生回路において、前記子回路は、1
ビット或いは複数ビットの入力或いは出力信号のタイミ
ングを制御するタイミング信号を発生するために使用さ
れ、且つ、該タイミング信号発生回路は、該各子回路に
共通に設けられ,該タイミング信号を送受信される信号
のS/N比が大きくなるように調整するタイミング信号
調整手段を備えていることを特徴とするタイミング信号
発生回路。18. The timing signal generating circuit according to claim 1, wherein said child circuit comprises:
It is used to generate a timing signal for controlling the timing of an input or output signal of one or more bits, and the timing signal generating circuit is provided in common for each of the slave circuits to transmit and receive the timing signal. A timing signal generating circuit comprising timing signal adjusting means for adjusting the S / N ratio of a signal to increase.
生回路において、前記タイミング信号調整手段は、各子
回路からのタイミング信号により制御される回路の入力
或いは出力信号を選択する選択手段と、該選択手段によ
り選択された回路の入力或いは出力信号のレベルを検出
して当該タイミング信号の出力タイミングを制御するた
めのタイミング信号発生手段を備えていることを特徴と
するタイミング信号発生回路。19. The timing signal generating circuit according to claim 18, wherein said timing signal adjusting means selects an input or output signal of a circuit controlled by a timing signal from each slave circuit, and said selecting means. A timing signal generating circuit comprising timing signal generating means for detecting the level of an input or output signal of a circuit selected by the means and controlling the output timing of the timing signal.
のタイミング信号発生回路において、前記子回路は、1
ビット或いは複数ビットの入力或いは出力信号のタイミ
ングを制御するタイミング信号を発生するために使用さ
れ、且つ、該各子回路は、該タイミング信号を送受信さ
れる信号のS/N比が大きくなるように調整するタイミ
ング信号調整手段を備えていることを特徴とするタイミ
ング信号発生回路。20. The timing signal generating circuit according to claim 1, wherein said child circuit comprises:
Each of the slave circuits is used to generate a timing signal for controlling the timing of an input or output signal of one or more bits, and each of the slave circuits is configured to increase the S / N ratio of a signal transmitted and received by the timing signal. A timing signal generation circuit comprising timing signal adjustment means for adjusting.
のタイミング信号発生回路が適用される半導体集積回路
装置であって、前記親回路および前記子回路は、1つの
チップを構成する半導体集積回路装置に設けられている
ことを特徴とする半導体集積回路装置。21. A semiconductor integrated circuit device to which the timing signal generation circuit according to claim 1 is applied, wherein said parent circuit and said child circuit constitute one chip. A semiconductor integrated circuit device provided in an integrated circuit device.
のタイミング信号発生回路が適用される半導体集積回路
システムであって、前記親回路および前記子回路は、そ
れぞれ異なるチップとして複数の半導体集積回路装置に
設けられていることを特徴とする半導体集積回路システ
ム。22. A semiconductor integrated circuit system to which the timing signal generation circuit according to claim 1 is applied, wherein said parent circuit and said child circuit are a plurality of different semiconductor chips. A semiconductor integrated circuit system provided in an integrated circuit device.
ジタル周期信号からアナログ的な値を有するアナログ周
期波形を生成するアナログ周期波形生成手段と、前記各
アナログ周期波形の重み付けを制御する重み付け制御手
段と、時間軸のずれたディジタル周期信号から前記アナ
ログ周期波形生成手段により得られる複数のアナログ周
期波形を加算して加算波形を生成する加算波形生成手段
と、前記加算波形をディジタル波形に変換するアナログ
/ディジタル変換手段とを具備することを特徴とする位
相インターポレータ。23. Analog periodic waveform generating means for generating an analog periodic waveform having an analog value from a digital periodic signal having a digital value amplitude, and weight control means for controlling weighting of each analog periodic waveform. Adding waveform generating means for adding a plurality of analog periodic waveforms obtained by the analog periodic waveform generating means from a digital periodic signal shifted in time axis to generate an added waveform; and an analog / digital converter for converting the added waveform into a digital waveform. A phase interpolator comprising: digital conversion means.
ータにおいて、前記アナログ周期波形生成手段は、正弦
波生成回路を備え、前記重み付け制御手段は、並列に接
続された複数のトランスファーゲートを備え、該トラン
スファーゲートの接続を制御するようになっていること
を特徴とする位相インターポレータ。24. The phase interpolator according to claim 23, wherein the analog periodic waveform generation means includes a sine wave generation circuit, and the weight control means includes a plurality of transfer gates connected in parallel, A phase interpolator for controlling connection of the transfer gate.
ータにおいて、前記重み付け制御手段の各トランスファ
ーゲートはそれぞれ同じサイズのトランジスタを有し、
該トランスファーゲートを導通する数を制御することで
前記アナログ周期波形の重み付けを制御するようになっ
ていることを特徴とする位相インターポレータ。25. The phase interpolator according to claim 24, wherein each transfer gate of the weight control means has a transistor of the same size.
A phase interpolator, wherein the weight of the analog periodic waveform is controlled by controlling the number of conduction of the transfer gate.
ータにおいて、前記重み付け制御手段の各トランスファ
ーゲートはそれぞれ異なるサイズのトランジスタを有
し、所定のサイズのトランジスタを有する少なくとも1
つのトランスファーゲートを導通することで前記アナロ
グ周期波形の重み付けを制御するようになっていること
を特徴とする位相インターポレータ。26. The phase interpolator according to claim 24, wherein each transfer gate of the weight control means has a transistor of a different size, and at least one of the transfer gates has a transistor of a predetermined size.
A phase interpolator characterized in that weighting of the analog periodic waveform is controlled by conducting two transfer gates.
ータにおいて、前記アナログ周期波形生成手段は、複数
のCMOSインバータを備え、前記重み付け制御手段
は、該複数のCMOSインバータの接続個数を制御する
ようになっていることを特徴とする位相インターポレー
タ。27. The phase interpolator according to claim 23, wherein said analog periodic waveform generating means includes a plurality of CMOS inverters, and said weighting control means controls the number of connected CMOS inverters. A phase interpolator characterized in that:
ータにおいて、前記アナログ周期波形生成手段は、複数
のCMOSインバータの出力段を備え、前記重み付け制
御手段は、該複数のCMOSインバータの出力段を構成
する出力トランジスタの個数を制御するようになってい
ることを特徴とする位相インターポレータ。28. The phase interpolator according to claim 23, wherein said analog periodic waveform generating means includes an output stage of a plurality of CMOS inverters, and said weight control means controls an output stage of said plurality of CMOS inverters. A phase interpolator, wherein the number of output transistors to be configured is controlled.
ータにおいて、前記アナログ周期波形生成手段は、前記
ディジタル周期信号の高周波成分を減衰させる高周波成
分減衰回路であり、前記重み付け制御手段は、該高周波
成分減衰回路の出力を可変トランスコンダクタにより電
流変換し、該変換された電流を共通の端子に加えるよう
に構成されていることを特徴とする位相インターポレー
タ。29. The phase interpolator according to claim 23, wherein the analog periodic waveform generating means is a high frequency component attenuating circuit for attenuating a high frequency component of the digital periodic signal, and wherein the weighting control means includes: A phase interpolator, wherein an output of a component attenuating circuit is converted into a current by a variable transconductor and the converted current is applied to a common terminal.
ータにおいて、前記アナログ周期波形生成手段は、積分
回路であることを特徴とする位相インターポレータ。30. The phase interpolator according to claim 29, wherein said analog periodic waveform generating means is an integrating circuit.
ータにおいて、前記アナログ周期波形生成手段および加
算波形生成手段は、前記ディジタル周期信号により定電
流源から共通の容量負荷に流れる電流の極性を切り替え
る電流極性切り替え手段と、該電流源の電流値を制御す
る電流値制御手段を具備していることを特徴とする位相
インターポレータ。31. The phase interpolator according to claim 23, wherein the analog periodic waveform generating means and the added waveform generating means switch the polarity of a current flowing from a constant current source to a common capacitive load according to the digital periodic signal. A phase interpolator comprising: a current polarity switching unit; and a current value control unit that controls a current value of the current source.
ータにおいて、前記電流値制御手段は、前記電流源の電
流値をD/Aコンバータの出力によって制御するように
なっていることを特徴とする位相インターポレータ。32. The phase interpolator according to claim 31, wherein said current value control means controls a current value of said current source by an output of a D / A converter. Phase interpolator.
ータにおいて、前記アナログ/ディジタル変換手段は、
前記加算波形を基準レベルと比較してディジタル波形に
変換するコンパレータであることを特徴とする位相イン
ターポレータ。33. The phase interpolator according to claim 23, wherein said analog / digital conversion means comprises:
A phase interpolator, which is a comparator for comparing the added waveform with a reference level and converting the digital waveform into a digital waveform.
ータにおいて、前記重み付け制御手段は、電流出力のD
/Aコンバータを備え、該D/Aコンバータの出力は、
容量接続された端子またはその相補の端子のいずれかに
切り替えられて接続制御されるようになっていることを
特徴とする位相インターポレータ。34. The phase interpolator according to claim 23, wherein said weight control means includes a current output D.
/ A converter, and the output of the D / A converter is:
A phase interpolator characterized in that connection is controlled by being switched to one of a capacitor-connected terminal and its complementary terminal.
ータにおいて、前記重み付け制御手段は、負荷容量端子
に接続される電流源の数を切り替えるように構成されて
いることを特徴とする位相インターポレータ。35. The phase interpolator according to claim 23, wherein said weight control means is configured to switch the number of current sources connected to a load capacitance terminal. Lator.
ータにおいて、前記重み付け制御手段は、端子の電圧レ
ベルを一定の範囲にするためのクランプ回路を備えてい
ることを特徴とする位相インターポレータ。36. The phase interpolator according to claim 23, wherein said weight control means includes a clamp circuit for setting a voltage level of a terminal to a predetermined range. .
ータにおいて、該位相インターポレータは、制御信号に
対するタイミング出力の線形性を所望の特性にするため
に、切り替えられるトランジスタの寸法やD/Aコンバ
ータの量子化ステップを可変にするようになっているこ
とを特徴とする位相インターポレータ。37. The phase interpolator according to claim 23, wherein the phase interpolator has a size of a transistor that can be switched and a D / A in order to make a linearity of a timing output with respect to a control signal a desired characteristic. A phase interpolator wherein the quantization step of the converter is made variable.
生回路において、前記位相インターポレータは、請求項
23〜37のいずれか1項に記載の位相インターポレー
タであることを特徴とするタイミング信号発生回路。38. A timing signal generating circuit according to claim 12, wherein said phase interpolator is the phase interpolator according to any one of claims 23 to 37. Generator circuit.
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