JPH11243253A - 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体成長用基板および窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体成長用基板の製造方法 - Google Patents
窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体成長用基板および窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体成長用基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH11243253A JPH11243253A JP4345698A JP4345698A JPH11243253A JP H11243253 A JPH11243253 A JP H11243253A JP 4345698 A JP4345698 A JP 4345698A JP 4345698 A JP4345698 A JP 4345698A JP H11243253 A JPH11243253 A JP H11243253A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- nitride
- substrate
- iii
- growing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 良質の単結晶の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体を成長させることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板およびその製
造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に層状物質からなる層を分子線エ
ピタキシー法などにより成長させた後、この層状物質か
らなる層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長
させる。基板としてはＧａＡｓ基板やＳｉ基板などを用
い、好ましくは層状物質からなる層の成長前に表面のダ
ングリングボンドを終端させておく。層状物質として
は、ＭｏＳ2 などの遷移金属ダイカルコゲナイド、グラ
ファイト、雲母などを用いる。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体を用いて半導体レーザ、発光ダイオー
ド、ＦＥＴなどを製造する。
半導体を成長させることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板およびその製
造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に層状物質からなる層を分子線エ
ピタキシー法などにより成長させた後、この層状物質か
らなる層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長
させる。基板としてはＧａＡｓ基板やＳｉ基板などを用
い、好ましくは層状物質からなる層の成長前に表面のダ
ングリングボンドを終端させておく。層状物質として
は、ＭｏＳ2 などの遷移金属ダイカルコゲナイド、グラ
ファイト、雲母などを用いる。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体を用いて半導体レーザ、発光ダイオー
ド、ＦＥＴなどを製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方
法、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板およ
び窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板の製造
方法に関し、特に、ＧａＮ系半導体を用いた発光ダイオ
ードや半導体レーザあるいは電子走行素子などの各種の
半導体装置の製造に適用して好適なものである。
−Ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方
法、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板およ
び窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板の製造
方法に関し、特に、ＧａＮ系半導体を用いた発光ダイオ
ードや半導体レーザあるいは電子走行素子などの各種の
半導体装置の製造に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ系半導体は、可視領域から紫外線
領域におよぶ発光が可能な発光ダイオードや半導体レー
ザなどの発光素子あるいは電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）などの電子素子の有力な材料として研究開発が進め
られているが、このＧａＮ系半導体の成長用の基板とし
ては、大型のＧａＮ単結晶の作製が困難である（J. Cry
stal Growth 178(1997)174) ことから、ＧａＮ基板を使
用することは現在のところ難しい。そこで、代わりの基
板として、サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）基板や炭化ケイ素
（ＳｉＣ）基板などが用いられている。
領域におよぶ発光が可能な発光ダイオードや半導体レー
ザなどの発光素子あるいは電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）などの電子素子の有力な材料として研究開発が進め
られているが、このＧａＮ系半導体の成長用の基板とし
ては、大型のＧａＮ単結晶の作製が困難である（J. Cry
stal Growth 178(1997)174) ことから、ＧａＮ基板を使
用することは現在のところ難しい。そこで、代わりの基
板として、サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）基板や炭化ケイ素
（ＳｉＣ）基板などが用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のサファイア基板やＳｉＣ基板は、格子定数や熱膨張係
数がＧａＮ系半導体と大きく異なる（J. Vac. Sci. Tec
hnol. B 10(1992)1237、表１、表２および図１）ため
に、これらの基板上に例えばＧａＮを成長させた場合に
は成長層中に１０7 〜１０10ｃｍ-2もの大量の貫通転位
が発生したり、クラックや反りも観測される。これらの
現象は、半導体素子の特性の低下や素子作製プロセスの
困難を招き、デバイス作製上大きな問題と考えられてい
る。
のサファイア基板やＳｉＣ基板は、格子定数や熱膨張係
数がＧａＮ系半導体と大きく異なる（J. Vac. Sci. Tec
hnol. B 10(1992)1237、表１、表２および図１）ため
に、これらの基板上に例えばＧａＮを成長させた場合に
は成長層中に１０7 〜１０10ｃｍ-2もの大量の貫通転位
が発生したり、クラックや反りも観測される。これらの
現象は、半導体素子の特性の低下や素子作製プロセスの
困難を招き、デバイス作製上大きな問題と考えられてい
る。
【０００４】 表１ ＧａＮ系半導体の特性 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 材料 結晶系 格子定数ａ（Å） 熱膨張係数（Ｋ-1） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ＧａＮ（Ｗ） 六方晶 ３．１８９ ５．５９×１０-6 ＡｌＮ（Ｗ） 六方晶 ３．１１２ ４．２×１０-6 ＩｎＮ（Ｗ） 六方晶 ３．５４８ ２．８５×１０-6 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 注）Ｗはウルツ鉱型結晶構造を表す。
【０００５】 表２ ＧａＮ系半導体の成長用基板の特性 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 基板材料 結晶系 格子定数ａ（Å） 熱膨張係数（Ｋ-1） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− サファイア 六方晶 ４．７５８ ７．５×１０-6 ６Ｈ−ＳｉＣ 六方晶 ３．０８ ５×１０−６ ＺｎＯ 六方晶 ３．２５２ ２．９×１０−６ ＧａＡｓ（１１１）立方晶 ３．９９７５ ６×１０-6 Ｓｉ（１１１） 立方晶 ３．８３９７ ３．５９×１０-6 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− したがって、この発明の目的は、良質の単結晶の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させることができる
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体
装置の製造方法、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成
長用基板および窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長
用基板の製造方法を提供することにある。
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させることができる
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体
装置の製造方法、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成
長用基板および窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長
用基板の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来技術が
有する上述の課題を解決すべく、鋭意検討を行った。以
下にその概要について説明する。
有する上述の課題を解決すべく、鋭意検討を行った。以
下にその概要について説明する。
【０００７】上述のように、ＧａＮ系半導体の成長用基
板としては、これまでサファイア基板やＳｉＣ基板が使
用されているが、これらの基板はＧａＮ系半導体と格子
定数や熱膨張係数が大きく異なるため、これらの基板上
にＧａＮ系半導体を成長させると、成長層に転位などの
欠陥が発生し、良質の単結晶のＧａＮ系半導体の成長が
困難である。そこで、本発明者は、これらの問題を生じ
ない成長用基板の探索を行った。
板としては、これまでサファイア基板やＳｉＣ基板が使
用されているが、これらの基板はＧａＮ系半導体と格子
定数や熱膨張係数が大きく異なるため、これらの基板上
にＧａＮ系半導体を成長させると、成長層に転位などの
欠陥が発生し、良質の単結晶のＧａＮ系半導体の成長が
困難である。そこで、本発明者は、これらの問題を生じ
ない成長用基板の探索を行った。
【０００８】この探索の結果、層状構造を有する物質か
らなる基板を成長用基板に用いることが、上述の課題の
解決に有効であるという結論に至った。なぜなら、層状
物質はその層間が弱いファンデアワールス（Van der Wa
als)の力で結合しており、層間ですべりが生じやすいだ
けでなく、表面にダングリングボンドが現れないことか
ら、その上にＧａＮ系半導体を成長させる場合、格子定
数差に起因した成長層の結晶性の低下を抑える効果を有
し、転位などの欠陥やクラックや反りを生じることなく
ＧａＮ系半導体が成長する可能性があるからである。
らなる基板を成長用基板に用いることが、上述の課題の
解決に有効であるという結論に至った。なぜなら、層状
物質はその層間が弱いファンデアワールス（Van der Wa
als)の力で結合しており、層間ですべりが生じやすいだ
けでなく、表面にダングリングボンドが現れないことか
ら、その上にＧａＮ系半導体を成長させる場合、格子定
数差に起因した成長層の結晶性の低下を抑える効果を有
し、転位などの欠陥やクラックや反りを生じることなく
ＧａＮ系半導体が成長する可能性があるからである。
【０００９】このような層状構造を有する物質として
は、遷移金属ダイカルコゲナイド（Adv. Phys. 18(196
9)193) 、グラファイト、雲母などがある。これらのう
ち特に遷移金属ダイカルコゲナイドは、層状構造を有す
るだけでなく、一般に、ＧａＮ系半導体との格子定数差
がサファイア基板やＳｉＣ基板に比べて小さい。例え
ば、この遷移金属ダイカルコゲナイドの一種である硫化
モリブデン（ＭｏＳ2 ）（輝水鉛鉱として知られてい
る）は、図２に示すような結晶構造を有する六方晶の層
状化合物であり、分解温度は８００℃である。２Ｈ−Ｍ
ｏＳ2 の格子定数はａ＝３．１６０Åであり、六方晶の
ＧａＮの格子定数ａ＝３．１８９Åとの差は０．９％と
極めて小さく、ＡｌＮの格子定数ａ＝３．１１２Åとの
差も２．５％と小さい。これらの格子定数差は、六方晶
のＧａＮの格子定数ａ＝３．１８９Åとサファイアの格
子定数ａ＝４．７５８Åとの差が１６．０％もあること
と比べると、いかに小さいかがわかる。
は、遷移金属ダイカルコゲナイド（Adv. Phys. 18(196
9)193) 、グラファイト、雲母などがある。これらのう
ち特に遷移金属ダイカルコゲナイドは、層状構造を有す
るだけでなく、一般に、ＧａＮ系半導体との格子定数差
がサファイア基板やＳｉＣ基板に比べて小さい。例え
ば、この遷移金属ダイカルコゲナイドの一種である硫化
モリブデン（ＭｏＳ2 ）（輝水鉛鉱として知られてい
る）は、図２に示すような結晶構造を有する六方晶の層
状化合物であり、分解温度は８００℃である。２Ｈ−Ｍ
ｏＳ2 の格子定数はａ＝３．１６０Åであり、六方晶の
ＧａＮの格子定数ａ＝３．１８９Åとの差は０．９％と
極めて小さく、ＡｌＮの格子定数ａ＝３．１１２Åとの
差も２．５％と小さい。これらの格子定数差は、六方晶
のＧａＮの格子定数ａ＝３．１８９Åとサファイアの格
子定数ａ＝４．７５８Åとの差が１６．０％もあること
と比べると、いかに小さいかがわかる。
【００１０】図３に、層状物質であるＭｏＳ2 の（００
０１）面（Ｃ面）上にＧａＮが積層されたときのそれら
の界面における原子配列を模式的に示す。ＭｏＳ2 の結
晶内にはファンデアワールスギャップと呼ばれる隙間が
存在し、この隙間に沿って層間のすべりが生じやすくな
っている。図３より、ＭｏＳ2 ／ＧａＮ界面の格子整合
は極めて良好であることがわかる。したがって、上述の
ように層状物質であるＭｏＳ2 は層間ですべりが生じや
すく、また、表面にダングリングボンドが現れないこと
により、その上にＧａＮの成長を行った場合、成長層に
転位などの欠陥やクラックや反りが発生するのが有効に
防止され、良質の単結晶のＧａＮを成長させることがで
きる。これらのことから、ＭｏＳ2 基板はＧａＮ、より
一般的にはＧａＮ系半導体の成長用基板として極めて優
れていることがわかる。
０１）面（Ｃ面）上にＧａＮが積層されたときのそれら
の界面における原子配列を模式的に示す。ＭｏＳ2 の結
晶内にはファンデアワールスギャップと呼ばれる隙間が
存在し、この隙間に沿って層間のすべりが生じやすくな
っている。図３より、ＭｏＳ2 ／ＧａＮ界面の格子整合
は極めて良好であることがわかる。したがって、上述の
ように層状物質であるＭｏＳ2 は層間ですべりが生じや
すく、また、表面にダングリングボンドが現れないこと
により、その上にＧａＮの成長を行った場合、成長層に
転位などの欠陥やクラックや反りが発生するのが有効に
防止され、良質の単結晶のＧａＮを成長させることがで
きる。これらのことから、ＭｏＳ2 基板はＧａＮ、より
一般的にはＧａＮ系半導体の成長用基板として極めて優
れていることがわかる。
【００１１】しかしながら、遷移金属ダイカルコゲナイ
ド、グラファイト、雲母などの層状物質からなる基板
は、大面積で表面の凹凸が少ない平坦な表面のものを作
製することは現状では困難であることから、半導体装置
の製造に実用化するには難点がある。
ド、グラファイト、雲母などの層状物質からなる基板
は、大面積で表面の凹凸が少ない平坦な表面のものを作
製することは現状では困難であることから、半導体装置
の製造に実用化するには難点がある。
【００１２】そこで、本発明者は、この難点を克服する
技術として、これらの層状物質の成長が可能な基板を用
い、その上に気相成長などにより層状物質を成長させ、
これを成長用基板として用いることを考えた。この方法
によれば、大面積で表面の凹凸の少ない平坦な表面の層
状物質の基板を得ることができる。したがって、これを
成長用基板として用いてその上にＧａＮ系半導体を成長
させるようにすれば、良質の単結晶のＧａＮ系半導体を
成長させることが可能である。
技術として、これらの層状物質の成長が可能な基板を用
い、その上に気相成長などにより層状物質を成長させ、
これを成長用基板として用いることを考えた。この方法
によれば、大面積で表面の凹凸の少ない平坦な表面の層
状物質の基板を得ることができる。したがって、これを
成長用基板として用いてその上にＧａＮ系半導体を成長
させるようにすれば、良質の単結晶のＧａＮ系半導体を
成長させることが可能である。
【００１３】この発明は、本発明者による以上のような
検討に基づいて案出されたものである。
検討に基づいて案出されたものである。
【００１４】すなわち、上記目的を達成するために、こ
の発明の第１の発明は、基板上に層状物質からなる層を
成長させた後、この層状物質からなる層上に窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させるようにしたことを
特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方
法である。
の発明の第１の発明は、基板上に層状物質からなる層を
成長させた後、この層状物質からなる層上に窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させるようにしたことを
特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方
法である。
【００１５】この発明の第２の発明は、基板上に層状物
質からなる層を成長させた後、この層状物質からなる層
上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させるよ
うにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法であ
る。
質からなる層を成長させた後、この層状物質からなる層
上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させるよ
うにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法であ
る。
【００１６】この発明の第３の発明は、基板と、基板上
に成長された層状物質からなる層とを有することを特徴
とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板で
ある。
に成長された層状物質からなる層とを有することを特徴
とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板で
ある。
【００１７】この発明の第４の発明は、基板上に層状物
質からなる層を成長させる工程と、層状物質からなる層
上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる工
程と、上記基板を除去する工程とを有することを特徴と
する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板の製
造方法である。
質からなる層を成長させる工程と、層状物質からなる層
上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる工
程と、上記基板を除去する工程とを有することを特徴と
する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板の製
造方法である。
【００１８】この発明において、層状物質としては、遷
移金属ダイカルコゲナイド、グラファイト、雲母その他
の各種のものが用いられ、これらのうちから、使用する
基板および成長させる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体の種類に応じて最適なものが用いられる。この層状物
質からなる層の表面の面方位は、典型的には（０００
１）である。また、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
は、典型的には六方晶である。
移金属ダイカルコゲナイド、グラファイト、雲母その他
の各種のものが用いられ、これらのうちから、使用する
基板および成長させる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体の種類に応じて最適なものが用いられる。この層状物
質からなる層の表面の面方位は、典型的には（０００
１）である。また、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
は、典型的には六方晶である。
【００１９】遷移金属ダイカルコゲナイドの具体例とし
て、格子定数がＧａＮの格子定数ａ＝３．１８９Åと近
いものをａ軸の格子定数とともに下記に挙げる。
て、格子定数がＧａＮの格子定数ａ＝３．１８９Åと近
いものをａ軸の格子定数とともに下記に挙げる。
【００２０】 遷移金属ダイカルコゲナイド ａ（Å） ２Ｈ−ＭｏＳ2 ３．１６０ ３Ｒ−ＭｏＳ2 ３．１６４ ２Ｈ−ＷＳ2 ３．１５４ ３Ｒ−ＷＳ2 ３．１６２ ２Ｈ−ＭｏＳｅ2 ３．２８８ ３Ｒ−ＭｏＳｅ2 ３．２９２ ＷＳｅ2 ３．２８６ ＲｅＳｅ2 ３．３０ ２Ｈ−ＴａＳ2 ３．３１５ ３Ｒ−ＴａＳ2 ３．３２ ２Ｈ−ＮｂＳ2 ３．３１ ３Ｒ−ＮｂＳ2 ３．３３ １Ｔ−ＴａＳ2 ３．３４６ ＶＳｅ2 ３．３５ この発明において、層状物質からなる層を成長させる基
板としては、この層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体を成長させた後に、この窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に損傷などを生じさせること
なく容易に除去することができること、成長させる窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と熱熱膨張係数が近いこ
と、表面のダングリングボンドを終端させることが可能
であること、などを考慮して適切なものが用いられる。
基板を除去する方法としては、機械的な引っ張り、エッ
チング、ラッピングなどを用いることができる。この基
板としては、具体的には、例えば、ＧａＡｓ基板やＳｉ
基板などのほか、サファイア基板やＳｉＣ基板などを用
いてもよい。
板としては、この層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体を成長させた後に、この窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に損傷などを生じさせること
なく容易に除去することができること、成長させる窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と熱熱膨張係数が近いこ
と、表面のダングリングボンドを終端させることが可能
であること、などを考慮して適切なものが用いられる。
基板を除去する方法としては、機械的な引っ張り、エッ
チング、ラッピングなどを用いることができる。この基
板としては、具体的には、例えば、ＧａＡｓ基板やＳｉ
基板などのほか、サファイア基板やＳｉＣ基板などを用
いてもよい。
【００２１】この発明においては、成長させる窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶性の向上を図る観点か
ら、好適には、基板の表面のダングリングボンドを終端
させた後、この基板上に層状物質からなる層を成長さ
せ、この層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体を成長させる。基板として例えば（１１
１）面方位のＧａＡｓ基板を用いる場合、その表面のダ
ングリングボンドはイオウ（Ｓ）で終端させることがで
きる（Appl. Phys. Lett. 56(1990)327 、Jpn. J.Appl.
Phys. 28(1989)L340）ほか、セレン（Ｓｅ）で終端さ
せることもできる。また、基板として例えばＳｉ基板を
用いる場合、その表面のダングリングボンドは、このＳ
ｉ基板をフッ酸を含む溶液に浸すことにより水素（Ｈ）
で終端させることができる（Appl. Phys. Lett. 59(199
1)1458）。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶性の向上を図る観点か
ら、好適には、基板の表面のダングリングボンドを終端
させた後、この基板上に層状物質からなる層を成長さ
せ、この層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体を成長させる。基板として例えば（１１
１）面方位のＧａＡｓ基板を用いる場合、その表面のダ
ングリングボンドはイオウ（Ｓ）で終端させることがで
きる（Appl. Phys. Lett. 56(1990)327 、Jpn. J.Appl.
Phys. 28(1989)L340）ほか、セレン（Ｓｅ）で終端さ
せることもできる。また、基板として例えばＳｉ基板を
用いる場合、その表面のダングリングボンドは、このＳ
ｉ基板をフッ酸を含む溶液に浸すことにより水素（Ｈ）
で終端させることができる（Appl. Phys. Lett. 59(199
1)1458）。
【００２２】この発明において、層状物質からなる層
は、典型的には、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法によ
り成長させるが、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）
法、さらには場合によってはスパッタリング法などによ
り成長させてもよい。この層状物質からなる層を例えば
分子線エピタキシー法により成長させる場合、その成長
温度は好適には２００℃以上層状物質の分解温度以下と
する。
は、典型的には、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法によ
り成長させるが、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）
法、さらには場合によってはスパッタリング法などによ
り成長させてもよい。この層状物質からなる層を例えば
分子線エピタキシー法により成長させる場合、その成長
温度は好適には２００℃以上層状物質の分解温度以下と
する。
【００２３】この発明において、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体は、典型的には、成長温度が比較的低くて
済む分子線エピタキシー法により成長させるが、最初だ
け分子線エピタキシー法により成長させ、その後、有機
金属化学気相成長法やハイドライド気相エピタキシャル
成長（ＨＶＰＥ）法などの一般により高い成長温度が必
要な成長方法により成長させるようにしてもよい。後者
の方法は、有機金属化学気相成長法やハイドライド気相
エピタキシャル成長法では分子線エピタキシー法に比べ
て成長速度を速くすることができるので、窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体を厚く成長させる場合に特に有利
である。むろん、最初の成長に有機金属化学気相成長法
やハイドライド気相エピタキシャル成長法を用いてもよ
い。分子線エピタキシー法においては、窒素（Ｎ）源と
して、典型的には、高周波（ＲＦ）プラズマセルまたは
電子サイクロトロン（ＥＣＲ）プラズマセルを用いる。
化合物半導体は、典型的には、成長温度が比較的低くて
済む分子線エピタキシー法により成長させるが、最初だ
け分子線エピタキシー法により成長させ、その後、有機
金属化学気相成長法やハイドライド気相エピタキシャル
成長（ＨＶＰＥ）法などの一般により高い成長温度が必
要な成長方法により成長させるようにしてもよい。後者
の方法は、有機金属化学気相成長法やハイドライド気相
エピタキシャル成長法では分子線エピタキシー法に比べ
て成長速度を速くすることができるので、窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体を厚く成長させる場合に特に有利
である。むろん、最初の成長に有機金属化学気相成長法
やハイドライド気相エピタキシャル成長法を用いてもよ
い。分子線エピタキシー法においては、窒素（Ｎ）源と
して、典型的には、高周波（ＲＦ）プラズマセルまたは
電子サイクロトロン（ＥＣＲ）プラズマセルを用いる。
【００２４】この発明においては、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体の結晶性の向上を図る観点から、好適に
は、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長温度より
も低い成長温度で層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるバッファ層を成長させた
後、このバッファ層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体を成長させる。具体的には、例えば、２００℃以上
５００℃以下の成長温度で層状物質からなる層上に窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバッファ層を成
長させた後、６５０℃以上９００℃以下の成長温度でバ
ッファ層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長
させる。また、同様に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体の結晶性の向上を図る観点から、好適には、窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長時の原料の供給は、Ｉ
ＩＩ族元素の原料の供給から開始する。
族化合物半導体の結晶性の向上を図る観点から、好適に
は、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長温度より
も低い成長温度で層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるバッファ層を成長させた
後、このバッファ層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体を成長させる。具体的には、例えば、２００℃以上
５００℃以下の成長温度で層状物質からなる層上に窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバッファ層を成
長させた後、６５０℃以上９００℃以下の成長温度でバ
ッファ層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長
させる。また、同様に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体の結晶性の向上を図る観点から、好適には、窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長時の原料の供給は、Ｉ
ＩＩ族元素の原料の供給から開始する。
【００２５】この発明において、層状物質からなる層
は、少なくとも、層状構造を形成する１単位の層を含む
ものであればよいが、この層状物質からなる層を基板と
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体との間に介在させる
効果を十分に発揮する観点からは、好適には、２単位以
上の層を含むものとする。
は、少なくとも、層状構造を形成する１単位の層を含む
ものであればよいが、この層状物質からなる層を基板と
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体との間に介在させる
効果を十分に発揮する観点からは、好適には、２単位以
上の層を含むものとする。
【００２６】この発明において、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体は、Ｇａ、Ａｌ、ＩｎおよびＢからなる群
より選ばれた少なくとも一種のＩＩＩ族元素と、少なく
ともＮを含み、場合によってさらにＡｓまたはＰを含む
Ｖ族元素とからなる。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体の具体例を挙げると、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａ
Ｎ、ＧａＩｎＮ、ＡｌＧａＩｎＮなどである。
化合物半導体は、Ｇａ、Ａｌ、ＩｎおよびＢからなる群
より選ばれた少なくとも一種のＩＩＩ族元素と、少なく
ともＮを含み、場合によってさらにＡｓまたはＰを含む
Ｖ族元素とからなる。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体の具体例を挙げると、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａ
Ｎ、ＧａＩｎＮ、ＡｌＧａＩｎＮなどである。
【００２７】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体を成長させることにより、この層状物質からな
る層はその層間ですべりが生じやすいことや表面にダン
グリングボンドが現れないことなどから、この層状物質
からなる層上に、貫通転位などの欠陥やクラックや反り
などの発生が抑えられつつ、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体が成長する。また、この層状物質からなる層は
基板上に成長させたものであるため、大面積で凹凸のな
い平坦な表面を有するものとすることができる。
ば、層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体を成長させることにより、この層状物質からな
る層はその層間ですべりが生じやすいことや表面にダン
グリングボンドが現れないことなどから、この層状物質
からなる層上に、貫通転位などの欠陥やクラックや反り
などの発生が抑えられつつ、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体が成長する。また、この層状物質からなる層は
基板上に成長させたものであるため、大面積で凹凸のな
い平坦な表面を有するものとすることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００２９】図１はこの発明の第１の実施形態によるＧ
ａＮ層の成長方法を示す。
ａＮ層の成長方法を示す。
【００３０】この第１の実施形態においては、図４Ａに
示すように、（１１１）面方位のＧａＡｓ基板１を用意
し、その裏面に保護膜２を形成する。この保護膜２は、
ＧａＡｓ基板１は後述のＭＢＥ法あるいはＭＯＣＶＤ法
によるＧａＮ層の成長の際にＮ原料として用いられるこ
とがあるアンモニア（ＮＨ3 ）などにより浸食されるこ
とがあることから、これを防止するためのものである。
この保護膜２としては、例えばＭｏ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｎ
などの高融点金属などの膜が用いられ、真空蒸着法やス
パッタリング法などにより形成される。
示すように、（１１１）面方位のＧａＡｓ基板１を用意
し、その裏面に保護膜２を形成する。この保護膜２は、
ＧａＡｓ基板１は後述のＭＢＥ法あるいはＭＯＣＶＤ法
によるＧａＮ層の成長の際にＮ原料として用いられるこ
とがあるアンモニア（ＮＨ3 ）などにより浸食されるこ
とがあることから、これを防止するためのものである。
この保護膜２としては、例えばＭｏ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｎ
などの高融点金属などの膜が用いられ、真空蒸着法やス
パッタリング法などにより形成される。
【００３１】次に、保護膜２の表面を例えばレジスト
（図示せず）で覆い、ＧａＡｓ基板１の表面に形成され
た自然酸化膜（図示せず）をウエットエッチングにより
エッチング除去し、さらに純水で洗浄を行った後、窒素
ガスで乾燥させる。このウエットエッチングには、例え
ば、２％水酸化カリウム（ＫＯＨ）：過酸化水素水（Ｈ
2 Ｏ2 ）＝４０：２のエッチング液を用いる。
（図示せず）で覆い、ＧａＡｓ基板１の表面に形成され
た自然酸化膜（図示せず）をウエットエッチングにより
エッチング除去し、さらに純水で洗浄を行った後、窒素
ガスで乾燥させる。このウエットエッチングには、例え
ば、２％水酸化カリウム（ＫＯＨ）：過酸化水素水（Ｈ
2 Ｏ2 ）＝４０：２のエッチング液を用いる。
【００３２】次に、上述のようにして表面清浄化を行っ
たＧａＡｓ基板１を例えば硫化アンモニウム（（Ｎ
Ｈ4 ）2 Ｓ）中に浸し、ＧａＡｓ基板１の表面のダング
リングボンドをＳで終端させる（Appl. Phys. Lett. 56
(1990)327 、Jpn. J. Appl. Phys. 28(1989)L340）。こ
の後、ＧａＡｓ基板１を硫化アンモニウムから取り出
し、その表面を窒素ガスで乾燥させる。
たＧａＡｓ基板１を例えば硫化アンモニウム（（Ｎ
Ｈ4 ）2 Ｓ）中に浸し、ＧａＡｓ基板１の表面のダング
リングボンドをＳで終端させる（Appl. Phys. Lett. 56
(1990)327 、Jpn. J. Appl. Phys. 28(1989)L340）。こ
の後、ＧａＡｓ基板１を硫化アンモニウムから取り出
し、その表面を窒素ガスで乾燥させる。
【００３３】次に、上述のようにして表面のダングリン
グボンドがＳで終端されたＧａＡｓ基板１をＭＢＥ装置
の成長室に導入した後、成長室内を例えば１×１０-9Ｐ
ａ程度の超高真空に排気する。次に、ＧａＡｓ基板１の
温度を徐々に上昇させ、２００〜８００℃の範囲のいず
れかの温度に維持する。このとき、基板温度が１５０℃
を過ぎたあたりから、クヌーデン（Knudsen)セルにより
発生されたＳ分子線をＧａＡｓ基板１の表面に照射し始
める。そして、基板温度が目的とする成長温度に達した
ところで、Ｍｏ分子線も照射し、図４Ｂに示すように、
ＧａＡｓ基板１の表面上にＭｏＳ2 層３を成長させる。
このＭｏＳ2 層３の厚さは１〜１０００ｎｍ程度であ
る。このとき、このＭｏＳ2 層３の最表面は過剰なＳで
覆われるようにする。このＭｏＳ2 層３の表面は、大面
積にわたって凹凸の少ない平坦な表面とすることができ
る。
グボンドがＳで終端されたＧａＡｓ基板１をＭＢＥ装置
の成長室に導入した後、成長室内を例えば１×１０-9Ｐ
ａ程度の超高真空に排気する。次に、ＧａＡｓ基板１の
温度を徐々に上昇させ、２００〜８００℃の範囲のいず
れかの温度に維持する。このとき、基板温度が１５０℃
を過ぎたあたりから、クヌーデン（Knudsen)セルにより
発生されたＳ分子線をＧａＡｓ基板１の表面に照射し始
める。そして、基板温度が目的とする成長温度に達した
ところで、Ｍｏ分子線も照射し、図４Ｂに示すように、
ＧａＡｓ基板１の表面上にＭｏＳ2 層３を成長させる。
このＭｏＳ2 層３の厚さは１〜１０００ｎｍ程度であ
る。このとき、このＭｏＳ2 層３の最表面は過剰なＳで
覆われるようにする。このＭｏＳ2 層３の表面は、大面
積にわたって凹凸の少ない平坦な表面とすることができ
る。
【００３４】次に、ＭｏＳ2 層３を成長させたＧａＡｓ
基板１を別のＭＢＥ装置の成長室に移した後、成長室内
を例えば１×１０-9Ｐａ程度の超高真空に排気する。次
に、ＧａＡｓ基板１の温度を徐々に上昇させ、４００〜
１０００℃のいずれかの温度に維持し、ＭｏＳ2 層３の
最表面を覆っている過剰なＳを蒸発させた後、連続し
て、図４Ｃに示すように、ＭｏＳ2 層３の清浄表面上
に、Ｎ源としてＲＦプラズマセルを用いたＭＢＥ法（以
下「ＲＦ−ＭＢＥ法」と言う）によりＧａＮ層４を成長
させる。この成長時には、Ｇａ原料として金属Ｇａを用
い、Ｎ原料としては窒素ガスやアンモニアガスを用い
る。Ｎ原料としてアンモニアを用いる場合においても、
ＧａＡｓ基板１の裏面にはＭｏ膜などの保護膜２が形成
されていることから、ＧａＡｓ基板１の浸食は生じな
い。金属Ｇａの加熱温度は例えば９５０℃とする。さら
に、ここで重要なことは、ＧａＮ層４の成長時の原料の
供給は、Ｇａ原料の供給から開始することである。これ
は、成長初期にまずＭｏＳ2 層３の表面をＧａ面として
おくことにより、成長層への転位などの欠陥の導入がよ
り抑えられるためである。
基板１を別のＭＢＥ装置の成長室に移した後、成長室内
を例えば１×１０-9Ｐａ程度の超高真空に排気する。次
に、ＧａＡｓ基板１の温度を徐々に上昇させ、４００〜
１０００℃のいずれかの温度に維持し、ＭｏＳ2 層３の
最表面を覆っている過剰なＳを蒸発させた後、連続し
て、図４Ｃに示すように、ＭｏＳ2 層３の清浄表面上
に、Ｎ源としてＲＦプラズマセルを用いたＭＢＥ法（以
下「ＲＦ−ＭＢＥ法」と言う）によりＧａＮ層４を成長
させる。この成長時には、Ｇａ原料として金属Ｇａを用
い、Ｎ原料としては窒素ガスやアンモニアガスを用い
る。Ｎ原料としてアンモニアを用いる場合においても、
ＧａＡｓ基板１の裏面にはＭｏ膜などの保護膜２が形成
されていることから、ＧａＡｓ基板１の浸食は生じな
い。金属Ｇａの加熱温度は例えば９５０℃とする。さら
に、ここで重要なことは、ＧａＮ層４の成長時の原料の
供給は、Ｇａ原料の供給から開始することである。これ
は、成長初期にまずＭｏＳ2 層３の表面をＧａ面として
おくことにより、成長層への転位などの欠陥の導入がよ
り抑えられるためである。
【００３５】図５に、ＧａＡｓ基板１、ＭｏＳ2 層３お
よびＧａＮ層４の界面近傍の原子配列を模式的に示す。
図５より、ＭｏＳ2 層３とＧａＮ層４とは非常によく格
子整合していることがわかる。
よびＧａＮ層４の界面近傍の原子配列を模式的に示す。
図５より、ＭｏＳ2 層３とＧａＮ層４とは非常によく格
子整合していることがわかる。
【００３６】以上のように、この第１の実施形態によれ
ば、ＧａＡｓ基板１の表面に層状物質であるＭｏＳ2 層
３をＣ軸配向で成長させていることにより、このＭｏＳ
2 層３の（０００１）面からなる表面は大面積で凹凸の
少ない平坦なものとすることかできる。そして、このＭ
ｏＳ2 層２の表面上にＧａＮ層４を成長させていること
により、転位などの欠陥やクラックや反りなどの発生を
抑えつつ、良質の単結晶のＧａＮ層４を成長させること
ができる。
ば、ＧａＡｓ基板１の表面に層状物質であるＭｏＳ2 層
３をＣ軸配向で成長させていることにより、このＭｏＳ
2 層３の（０００１）面からなる表面は大面積で凹凸の
少ない平坦なものとすることかできる。そして、このＭ
ｏＳ2 層２の表面上にＧａＮ層４を成長させていること
により、転位などの欠陥やクラックや反りなどの発生を
抑えつつ、良質の単結晶のＧａＮ層４を成長させること
ができる。
【００３７】図６はこの発明の第２の実施形態によるＧ
ａＮ層の成長方法を示す。
ａＮ層の成長方法を示す。
【００３８】この第２の実施形態においては、第１の実
施形態と同様なプロセスにより、図６Ａおよび図６Ｂに
示すように、ＧａＡｓ基板１の裏面に保護膜２を形成
し、さらにこのＧａＡｓ基板１の表面にＭｏＳ2 層３を
成長させる。
施形態と同様なプロセスにより、図６Ａおよび図６Ｂに
示すように、ＧａＡｓ基板１の裏面に保護膜２を形成
し、さらにこのＧａＡｓ基板１の表面にＭｏＳ2 層３を
成長させる。
【００３９】次に、図６Ｃに示すように、ＭｏＳ2 層３
上に、２００〜４００℃の成長温度でＲＦ−ＭＢＥ法に
よりＧａＮバッファ層５を低温成長させる。この成長時
にはＧａ原料として金属Ｇａを用い、Ｎ原料としては窒
素ガスやアンモニアガスを用いる。このＧａＮバッファ
層５の厚さは例えば５〜２０ｎｍである。また、ここで
重要なことは、このＧａＮバッファ層５の成長時の原料
の供給は、Ｇａ原料の供給から開始することである。そ
の理由はすでに述べた通りである。
上に、２００〜４００℃の成長温度でＲＦ−ＭＢＥ法に
よりＧａＮバッファ層５を低温成長させる。この成長時
にはＧａ原料として金属Ｇａを用い、Ｎ原料としては窒
素ガスやアンモニアガスを用いる。このＧａＮバッファ
層５の厚さは例えば５〜２０ｎｍである。また、ここで
重要なことは、このＧａＮバッファ層５の成長時の原料
の供給は、Ｇａ原料の供給から開始することである。そ
の理由はすでに述べた通りである。
【００４０】次に、図６Ｄに示すように、ＧａＮバッフ
ァ層５の成長後に成長温度を６５０〜９００℃に上昇さ
せ、この成長温度でＲＦ−ＭＢＥ法によりＧａＮ層４を
成長させる。このＧａＮ層４の成長時には、ＧａＮバッ
ファ層５の成長時と同様に、Ｇａ原料として金属Ｇａを
用い、Ｎ原料として窒素ガスやアンモニアガスを用いる
が、この場合、金属Ｇａの加熱温度は例えば９５０℃と
する。
ァ層５の成長後に成長温度を６５０〜９００℃に上昇さ
せ、この成長温度でＲＦ−ＭＢＥ法によりＧａＮ層４を
成長させる。このＧａＮ層４の成長時には、ＧａＮバッ
ファ層５の成長時と同様に、Ｇａ原料として金属Ｇａを
用い、Ｎ原料として窒素ガスやアンモニアガスを用いる
が、この場合、金属Ｇａの加熱温度は例えば９５０℃と
する。
【００４１】この第２の実施形態によれば、第１の実施
形態と同様な利点を得ることができる。
形態と同様な利点を得ることができる。
【００４２】図７〜図１１は、この発明の第３の実施形
態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を示す。
態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を示す。
【００４３】この第３の実施形態においては、まず、図
７に示すように、第１および第２の実施形態と同様なプ
ロセスにより、（１１１）面方位のＧａＡｓ基板１１の
裏面に保護膜１２を形成し、さらにこのＧａＡｓ基板１
１の表面にＭｏＳ2 層１３をｃ軸配向で成長させ、引き
続いてこのＭｏＳ2 層１３上にＲＦ−ＭＢＥ法によりＧ
ａＮバッファ層１４およびＧａＮ層１５を順次成長させ
る。この場合、ＧａＮ層１５は、後述のＧａＡｓ基板１
１の除去後は基板の役割を果たすものであることから、
半導体レーザの製造プロセスに耐えられる機械的強度を
有するように十分に厚く成長させる。具体的には、この
ＧａＮ層１５の厚さは、１００μｍ程度以上あれば通常
は足りるが、典型的には数１００μｍ程度に選ばれる。
このＧａＮ層１５はアンドープの状態でｎ型の導電性を
有する。
７に示すように、第１および第２の実施形態と同様なプ
ロセスにより、（１１１）面方位のＧａＡｓ基板１１の
裏面に保護膜１２を形成し、さらにこのＧａＡｓ基板１
１の表面にＭｏＳ2 層１３をｃ軸配向で成長させ、引き
続いてこのＭｏＳ2 層１３上にＲＦ−ＭＢＥ法によりＧ
ａＮバッファ層１４およびＧａＮ層１５を順次成長させ
る。この場合、ＧａＮ層１５は、後述のＧａＡｓ基板１
１の除去後は基板の役割を果たすものであることから、
半導体レーザの製造プロセスに耐えられる機械的強度を
有するように十分に厚く成長させる。具体的には、この
ＧａＮ層１５の厚さは、１００μｍ程度以上あれば通常
は足りるが、典型的には数１００μｍ程度に選ばれる。
このＧａＮ層１５はアンドープの状態でｎ型の導電性を
有する。
【００４４】次に、図８に示すように、ＧａＮ層１５上
に、ＲＦ−ＭＢＥ法により、６５０〜９００℃の成長温
度で、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１６、ｎ型ＧａＮ光導
波層１７、例えばＧａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ
多重量子井戸構造の活性層１８、ｐ型ＧａＮ光導波層１
９、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２０およびｐ型ＧａＮコ
ンタクト層２１を順次成長させる。これらの層の厚さの
一例を挙げると、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１６は０．
５μｍ、ｎ型ＧａＮ光導波層１７は０．１μｍ、ｐ型Ｇ
ａＮ光導波層１９は０．１μｍ、ｐ型ＡｌＧａＮクラッ
ド層２０は０．５μｍ、ｐ型ＧａＮコンタクト層２１は
０．５μｍである。また、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１
６およびｎ型ＧａＮ光導波層１７にはｎ型不純物（ドナ
ー）として例えばＳｉをドープし、ｐ型ＧａＮ光導波層
１９、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２０およびｐ型ＧａＮ
コンタクト層２１にはｐ型不純物（アクセプタ）として
例えばＭｇをドープする。
に、ＲＦ−ＭＢＥ法により、６５０〜９００℃の成長温
度で、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１６、ｎ型ＧａＮ光導
波層１７、例えばＧａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ
多重量子井戸構造の活性層１８、ｐ型ＧａＮ光導波層１
９、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２０およびｐ型ＧａＮコ
ンタクト層２１を順次成長させる。これらの層の厚さの
一例を挙げると、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１６は０．
５μｍ、ｎ型ＧａＮ光導波層１７は０．１μｍ、ｐ型Ｇ
ａＮ光導波層１９は０．１μｍ、ｐ型ＡｌＧａＮクラッ
ド層２０は０．５μｍ、ｐ型ＧａＮコンタクト層２１は
０．５μｍである。また、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１
６およびｎ型ＧａＮ光導波層１７にはｎ型不純物（ドナ
ー）として例えばＳｉをドープし、ｐ型ＧａＮ光導波層
１９、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２０およびｐ型ＧａＮ
コンタクト層２１にはｐ型不純物（アクセプタ）として
例えばＭｇをドープする。
【００４５】次に、図９に示すように、ＧａＡｓ基板１
１をＧａＮ層１５から除去する。このＧａＡｓ基板１１
の除去は種々の方法で行うことができる。具体的には、
例えば、ＧａＮ層１５とＧａＡｓ基板１１との間に機械
的に引っ張り力を加えたり、ＭｏＳ2 層１３をエッチン
グ液（例えば、硝酸：硫酸：水＝１：１：３のもの、ま
たは、リン酸：硝酸＝１：１のもの）でエッチングして
もよいし、ＧａＡｓ基板１１をエッチング液（例えば、
硫酸：過酸化水素水：水＝３：１：１のもの）でエッチ
ングしたり、ラッピングしたりしてもよい。
１をＧａＮ層１５から除去する。このＧａＡｓ基板１１
の除去は種々の方法で行うことができる。具体的には、
例えば、ＧａＮ層１５とＧａＡｓ基板１１との間に機械
的に引っ張り力を加えたり、ＭｏＳ2 層１３をエッチン
グ液（例えば、硝酸：硫酸：水＝１：１：３のもの、ま
たは、リン酸：硝酸＝１：１のもの）でエッチングして
もよいし、ＧａＡｓ基板１１をエッチング液（例えば、
硫酸：過酸化水素水：水＝３：１：１のもの）でエッチ
ングしたり、ラッピングしたりしてもよい。
【００４６】次に、図１０に示すように、例えばリフト
オフ法などにより、ｐ型ＧａＮコンタクト層２１上にス
トライプ形状のｐ側電極２２を形成するとともに、Ｇａ
Ｎバッファ層１４の裏面にｎ側電極２３を全面電極とし
て形成する。ここで、ｐ側電極２２としては例えばＮｉ
／Ａｕ膜やＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜などを用い、ｎ側電極２
３としては例えばＴｉ／Ａｌ膜やＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａ
ｕ膜などを用いる。
オフ法などにより、ｐ型ＧａＮコンタクト層２１上にス
トライプ形状のｐ側電極２２を形成するとともに、Ｇａ
Ｎバッファ層１４の裏面にｎ側電極２３を全面電極とし
て形成する。ここで、ｐ側電極２２としては例えばＮｉ
／Ａｕ膜やＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜などを用い、ｎ側電極２
３としては例えばＴｉ／Ａｌ膜やＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａ
ｕ膜などを用いる。
【００４７】次に、上述のようにしてレーザ構造が形成
されたＧａＮ層１５をバー状に劈開して両共振器端面を
形成し、さらに端面コーティングを行った後、このバー
を劈開してチップ化する。以上により、図１１に示すよ
うに、目的とするＧａＮ系半導体レーザが製造される。
されたＧａＮ層１５をバー状に劈開して両共振器端面を
形成し、さらに端面コーティングを行った後、このバー
を劈開してチップ化する。以上により、図１１に示すよ
うに、目的とするＧａＮ系半導体レーザが製造される。
【００４８】以上のように、この第３の実施形態によれ
ば、ＧａＡｓ基板１１上にＭｏＳ２層１３を成長させ、
さらにその上にＧａＮバッファ層１４を介して十分に厚
いＧａＮ層１５を成長させているので、良質の単結晶の
ＧａＮ層１５を得ることができる。そして、このＧａＮ
層１５上にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層を成
長させていることにより、これらのＧａＮ系半導体層も
良質の単結晶とすることができる。これによって、発光
効率が高く低しきい値電流密度の良好な特性を有し、か
つ、長寿命のＧａＮ系半導体レーザを実現することがで
きる。また、レーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層は
十分に厚いＧａＮ層１５からなる基板上に積層されてい
るため、絶縁性基板であるサファイア基板を用いた従来
のＧａＮ系半導体レーザと異なり、放熱性が高く、ま
た、レーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層をレーザ共
振器の形状にパターニングするためのメサエッチングが
不要となるとともに、ｎ側電極２３を基板、すなわちＧ
ａＮ層１５の裏面に形成することができることにより、
ＧａＡｓ系半導体レーザなどと同様な電極構造とするこ
とができ、製造プロセスの簡略化を図ることができると
ともに、製造設備の共用化を図ることができる。さら
に、このＧａＮ系半導体レーザにおいては、基板および
レーザ構造を形成する半導体層ともにＧａＮ系半導体層
であることから、劈開による共振器端面の形成を容易に
行うことができる。
ば、ＧａＡｓ基板１１上にＭｏＳ２層１３を成長させ、
さらにその上にＧａＮバッファ層１４を介して十分に厚
いＧａＮ層１５を成長させているので、良質の単結晶の
ＧａＮ層１５を得ることができる。そして、このＧａＮ
層１５上にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層を成
長させていることにより、これらのＧａＮ系半導体層も
良質の単結晶とすることができる。これによって、発光
効率が高く低しきい値電流密度の良好な特性を有し、か
つ、長寿命のＧａＮ系半導体レーザを実現することがで
きる。また、レーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層は
十分に厚いＧａＮ層１５からなる基板上に積層されてい
るため、絶縁性基板であるサファイア基板を用いた従来
のＧａＮ系半導体レーザと異なり、放熱性が高く、ま
た、レーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層をレーザ共
振器の形状にパターニングするためのメサエッチングが
不要となるとともに、ｎ側電極２３を基板、すなわちＧ
ａＮ層１５の裏面に形成することができることにより、
ＧａＡｓ系半導体レーザなどと同様な電極構造とするこ
とができ、製造プロセスの簡略化を図ることができると
ともに、製造設備の共用化を図ることができる。さら
に、このＧａＮ系半導体レーザにおいては、基板および
レーザ構造を形成する半導体層ともにＧａＮ系半導体層
であることから、劈開による共振器端面の形成を容易に
行うことができる。
【００４９】次に、この発明の第４の実施形態によるＧ
ａＮ系半導体レーザの製造方法について説明する。
ａＮ系半導体レーザの製造方法について説明する。
【００５０】この第４の実施形態においては、レーザ構
造を形成するＧａＮ系半導体層を、ＭＢＥ法ではなく、
ＭＯＣＶＤ法により成長させる。具体的には、第３の実
施形態と同様にしてＲＦ−ＭＢＥ法によりＭｏＳ２ 層
１３上にＧａＮバッファ層１４およびＧａＮ層１５を順
次成長させた後、ＧａＡｓ基板１１をＭＢＥ装置の成長
室からＭＯＣＶＤ装置の成長室に好適には真空搬送によ
り移し、この成長室内でＧａＮ層１５上にレーザ構造を
形成するＧａＮ系半導体層を成長させる。この場合、最
上層のｐ型ＧａＮコンタクト層２１を成長させた後、ｐ
型不純物の電気的活性化のための熱処理を、例えば７０
０〜９００℃の温度で行う。その他のことは、第３の実
施形態と同様であるので、説明を省略する。
造を形成するＧａＮ系半導体層を、ＭＢＥ法ではなく、
ＭＯＣＶＤ法により成長させる。具体的には、第３の実
施形態と同様にしてＲＦ−ＭＢＥ法によりＭｏＳ２ 層
１３上にＧａＮバッファ層１４およびＧａＮ層１５を順
次成長させた後、ＧａＡｓ基板１１をＭＢＥ装置の成長
室からＭＯＣＶＤ装置の成長室に好適には真空搬送によ
り移し、この成長室内でＧａＮ層１５上にレーザ構造を
形成するＧａＮ系半導体層を成長させる。この場合、最
上層のｐ型ＧａＮコンタクト層２１を成長させた後、ｐ
型不純物の電気的活性化のための熱処理を、例えば７０
０〜９００℃の温度で行う。その他のことは、第３の実
施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００５１】この第４の実施形態によれば、第３の実施
形態と同様な利点を得ることができるほか、レーザ構造
を形成するＧａＮ系半導体層をＭＢＥ法に比べて成長速
度が速いＭＯＣＶＤ法により成長させていることによ
り、ＧａＮ系半導体レーザの生産性の向上を図ることが
できるという利点を得ることができる。
形態と同様な利点を得ることができるほか、レーザ構造
を形成するＧａＮ系半導体層をＭＢＥ法に比べて成長速
度が速いＭＯＣＶＤ法により成長させていることによ
り、ＧａＮ系半導体レーザの生産性の向上を図ることが
できるという利点を得ることができる。
【００５２】次に、この発明の第５の実施形態によるＧ
ａＮ系半導体レーザの製造方法について説明する。
ａＮ系半導体レーザの製造方法について説明する。
【００５３】この第５の実施形態においては、初期成長
層を除くＧａＮ層１５およびレーザ構造を形成するＧａ
Ｎ系半導体層を、ＭＯＣＶＤ法により成長させる。具体
的には、第３の実施形態と同様にしてＲＦ−ＭＢＥ法に
よりＭｏＳ2 層１３上にＧａＮバッファ層１４およびＧ
ａＮ層１５を順次成長させる。ただし、この場合、この
ＧａＮ層１５の厚さは薄く（例えば、１μｍ程度）す
る。次に、ＧａＡｓ基板１１をＭＢＥ装置の成長室から
ＭＯＣＶＤ装置の成長室に移し、この成長室内でＭＯＣ
ＶＤ法により成長を行ってＧａＮ層１５を積み増しする
ことにより十分な厚さ、例えば数１００μｍ程度の厚さ
にする。この後、ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＮ層１５上
にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層を成長させ
る。その他のことは、第３の実施形態と同様であるの
で、説明を省略する。
層を除くＧａＮ層１５およびレーザ構造を形成するＧａ
Ｎ系半導体層を、ＭＯＣＶＤ法により成長させる。具体
的には、第３の実施形態と同様にしてＲＦ−ＭＢＥ法に
よりＭｏＳ2 層１３上にＧａＮバッファ層１４およびＧ
ａＮ層１５を順次成長させる。ただし、この場合、この
ＧａＮ層１５の厚さは薄く（例えば、１μｍ程度）す
る。次に、ＧａＡｓ基板１１をＭＢＥ装置の成長室から
ＭＯＣＶＤ装置の成長室に移し、この成長室内でＭＯＣ
ＶＤ法により成長を行ってＧａＮ層１５を積み増しする
ことにより十分な厚さ、例えば数１００μｍ程度の厚さ
にする。この後、ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＮ層１５上
にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層を成長させ
る。その他のことは、第３の実施形態と同様であるの
で、説明を省略する。
【００５４】この第５の実施形態によれば、第３の実施
形態と同様な利点を得ることができるほか、レーザ構造
を形成するＧａＮ系半導体層だけでなく、厚いＧａＮ層
１５もＭＯＣＶＤ法により成長させていることにより、
ＧａＮ系半導体レーザの生産性のより一層の向上を図る
ことができるという利点を得ることができる。
形態と同様な利点を得ることができるほか、レーザ構造
を形成するＧａＮ系半導体層だけでなく、厚いＧａＮ層
１５もＭＯＣＶＤ法により成長させていることにより、
ＧａＮ系半導体レーザの生産性のより一層の向上を図る
ことができるという利点を得ることができる。
【００５５】次に、この発明の第６の実施形態によるＧ
ａＮ系半導体レーザの製造方法について説明する。
ａＮ系半導体レーザの製造方法について説明する。
【００５６】この第６の実施形態においては、初期成長
層を除くＧａＮ層１５を、ＭＢＥ法ではなく、ＨＶＰＥ
法により成長させる。具体的には、第３の実施形態と同
様にしてＲＦ−ＭＢＥ法によりＭｏＳ2 層１３上にＧａ
Ｎバッファ層１４および薄いＧａＮ層１５を順次成長さ
せた後、ＧａＡｓ基板１１をＭＢＥ装置の成長室からＨ
ＶＰＥ装置の成長室に移し、この成長室内でＨＶＰＥ法
により成長を行ってＧａＮ層１５を積み増しすることに
より十分な厚さ、例えば数１００μｍ程度の厚さにす
る。次に、ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＮ層１５上にレー
ザ構造を形成するＧａＮ系半導体層を成長させる。その
他のことは、第３の実施形態と同様であるので、説明を
省略する。
層を除くＧａＮ層１５を、ＭＢＥ法ではなく、ＨＶＰＥ
法により成長させる。具体的には、第３の実施形態と同
様にしてＲＦ−ＭＢＥ法によりＭｏＳ2 層１３上にＧａ
Ｎバッファ層１４および薄いＧａＮ層１５を順次成長さ
せた後、ＧａＡｓ基板１１をＭＢＥ装置の成長室からＨ
ＶＰＥ装置の成長室に移し、この成長室内でＨＶＰＥ法
により成長を行ってＧａＮ層１５を積み増しすることに
より十分な厚さ、例えば数１００μｍ程度の厚さにす
る。次に、ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＮ層１５上にレー
ザ構造を形成するＧａＮ系半導体層を成長させる。その
他のことは、第３の実施形態と同様であるので、説明を
省略する。
【００５７】この第６の実施形態によれば、第３の実施
形態と同様な利点を得ることができるほか、厚いＧａＮ
層１５をＭＯＣＶＤ法よりもさらに成長速度が速いＨＶ
ＰＥ法により成長させていることにより、ＧａＮ系半導
体レーザの生産性の大幅な向上を図ることができるとい
う利点を得ることができる。
形態と同様な利点を得ることができるほか、厚いＧａＮ
層１５をＭＯＣＶＤ法よりもさらに成長速度が速いＨＶ
ＰＥ法により成長させていることにより、ＧａＮ系半導
体レーザの生産性の大幅な向上を図ることができるとい
う利点を得ることができる。
【００５８】次に、この発明の第７の実施形態によるＧ
ａＮ系半導体レーザの製造方法について説明する。
ａＮ系半導体レーザの製造方法について説明する。
【００５９】この第７の実施形態においては、ＧａＡｓ
基板１１上にＭｏＳ2 層１３を成長させた後、このＭｏ
Ｓ2 層１３上にＧａＮバッファ層１４を介して厚いＧａ
Ｎ層１５を成長させる。このＧａＮ層１５の成長には好
適には成長速度が速いＨＶＰＥ法を用いる。
基板１１上にＭｏＳ2 層１３を成長させた後、このＭｏ
Ｓ2 層１３上にＧａＮバッファ層１４を介して厚いＧａ
Ｎ層１５を成長させる。このＧａＮ層１５の成長には好
適には成長速度が速いＨＶＰＥ法を用いる。
【００６０】次に、第３の実施形態と同様にして、Ｇａ
Ｎ層１５からＧａＡｓ基板１１を除去する。これによっ
て、図１２に示すように、成長用基板となる十分な厚さ
のＧａＮ層１５が得られる。この後、このＧａＮ層１５
を成長用基板として用いて、その上にＭＢＥ法またはＭ
ＯＣＶＤ法によりレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体
層を成長させる。その他のことは、第３の実施形態と同
様であるので、説明を省略する。
Ｎ層１５からＧａＡｓ基板１１を除去する。これによっ
て、図１２に示すように、成長用基板となる十分な厚さ
のＧａＮ層１５が得られる。この後、このＧａＮ層１５
を成長用基板として用いて、その上にＭＢＥ法またはＭ
ＯＣＶＤ法によりレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体
層を成長させる。その他のことは、第３の実施形態と同
様であるので、説明を省略する。
【００６１】この第７の実施形態によれば、第３の実施
形態と同様な利点を得ることができる。
形態と同様な利点を得ることができる。
【００６２】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【００６３】例えば、上述の第１〜第７の実施形態にお
いて挙げた数値、構造、基板、プロセス、成長法などは
あくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれらと異なる数
値、構造、基板、プロセス、成長法などを用いてもよ
い。
いて挙げた数値、構造、基板、プロセス、成長法などは
あくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれらと異なる数
値、構造、基板、プロセス、成長法などを用いてもよ
い。
【００６４】具体的には、上述の第１〜第７の実施形態
においては、ＭｏＳ2 層３をＭＢＥにより成長させてい
るが、このＭｏＳ2 層３は例えばＭＯＣＶＤ法により成
長させてもよい。
においては、ＭｏＳ2 層３をＭＢＥにより成長させてい
るが、このＭｏＳ2 層３は例えばＭＯＣＶＤ法により成
長させてもよい。
【００６５】また、上述の第５および第６の実施形態に
おいては、レーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層をＭ
ＯＣＶＤ法により成長させているが、このＧａＮ系半導
体層はＭＯＣＶＤ法により成長させるようにしてもよ
い。
おいては、レーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層をＭ
ＯＣＶＤ法により成長させているが、このＧａＮ系半導
体層はＭＯＣＶＤ法により成長させるようにしてもよ
い。
【００６６】また、上述の第３〜第７の実施形態におい
ては、この発明をＧａＮ系半導体レーザの製造に適用し
た場合について説明したが、この発明は、ＧａＮ系発光
ダイオードの製造に適用することができるほか、ＧａＮ
系ＦＥＴなどのＧａＮ系電子走行素子の製造に適用する
こともできる。
ては、この発明をＧａＮ系半導体レーザの製造に適用し
た場合について説明したが、この発明は、ＧａＮ系発光
ダイオードの製造に適用することができるほか、ＧａＮ
系ＦＥＴなどのＧａＮ系電子走行素子の製造に適用する
こともできる。
【００６７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明による窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法によれば、
層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体を成長させるようにしているので、良質の単結晶の
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させることが
できる。
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法によれば、
層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体を成長させるようにしているので、良質の単結晶の
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させることが
できる。
【００６８】この発明による半導体装置の製造方法によ
れば、層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体を成長させるようにしているので、良質の単
結晶の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる
ことができ、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を
用いて特性が良好な半導体装置を製造することができ
る。
れば、層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体を成長させるようにしているので、良質の単
結晶の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる
ことができ、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を
用いて特性が良好な半導体装置を製造することができ
る。
【００６９】この発明による窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体成長用基板によれば、基板上に層状物質からな
る層が積層されていることにより、その表面を大面積で
凹凸の少ない平坦な表面とすることができ、したがっ
て、その上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長
させることにより、良質の単結晶の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体を成長させることができる。
物半導体成長用基板によれば、基板上に層状物質からな
る層が積層されていることにより、その表面を大面積で
凹凸の少ない平坦な表面とすることができ、したがっ
て、その上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長
させることにより、良質の単結晶の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体を成長させることができる。
【００７０】この発明による窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体成長用基板の製造方法によれば、基板上に層状
物質からなる層を成長させ、この層状物質からなる層上
に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させた後、
基板を除去していることにより、大面積で表面の凹凸の
少ない平坦な表面を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長
基板を製造することができる。
物半導体成長用基板の製造方法によれば、基板上に層状
物質からなる層を成長させ、この層状物質からなる層上
に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させた後、
基板を除去していることにより、大面積で表面の凹凸の
少ない平坦な表面を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長
基板を製造することができる。
【図１】ＧａＮ系半導体およびその成長に用いられる基
板の材料の格子定数および熱膨張係数を示す略線図であ
る。
板の材料の格子定数および熱膨張係数を示す略線図であ
る。
【図２】ＭｏＳ2 の結晶構造を示す略線図である。
【図３】ＭｏＳ2 ／ＧａＮ界面の原子配列を模式的に示
す略線図である。
す略線図である。
【図４】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ層の成
長方法を説明するための断面図である。
長方法を説明するための断面図である。
【図５】この発明の第１の実施形態におけるＧａＡｓ基
板／ＭｏＳ2 層／ＧａＮ層の界面の原子配列を模式的に
示す略線図である。
板／ＭｏＳ2 層／ＧａＮ層の界面の原子配列を模式的に
示す略線図である。
【図６】この発明の第２の実施形態によるＧａＮ層の成
長方法を説明するための断面図である。
長方法を説明するための断面図である。
【図７】この発明の第２の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】この発明の第２の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】この発明の第２の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】この発明の第２の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】この発明の第２の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】この発明の第７の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
１、１１・・・ＧａＡｓ基板、３、１３・・・ＭｏＳ2
層、４、１５・・・ＧａＮ層、５、１４・・・ＧａＮバ
ッファ層、１６・・・ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、１７
・・・ｎ型ＧａＮ光導波層、１８・・・活性層、１９・
・・ｐ型ＧａＮ光導波層、２０・・・ｐ型ＡｌＧａＮク
ラッド層、２１・・・ｐ型ＧａＮコンタクト層
層、４、１５・・・ＧａＮ層、５、１４・・・ＧａＮバ
ッファ層、１６・・・ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、１７
・・・ｎ型ＧａＮ光導波層、１８・・・活性層、１９・
・・ｐ型ＧａＮ光導波層、２０・・・ｐ型ＡｌＧａＮク
ラッド層、２１・・・ｐ型ＧａＮコンタクト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/812 Ｈ０１Ｌ 29/80 Ｂ 33/00 (72)発明者 秋本 克洋 茨城県つくば市天王台１丁目１番１号 筑 波大学物質工学系内
Claims (39)
- 【請求項１】 基板上に層状物質からなる層を成長させ
た後、この層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体を成長させるようにしたことを特徴とす
る窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法。 - 【請求項２】 上記層状物質からなる層の表面の面方位
は（０００１）であることを特徴とする請求項１記載の
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法。 - 【請求項３】 上記基板の表面のダングリングボンドを
終端させた後、上記基板上に上記層状物質からなる層を
成長させ、上記層状物質からなる層上に上記窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させるようにしたことを
特徴とする請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体の成長方法。 - 【請求項４】 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
は六方晶であることを特徴とする請求項１記載の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法。 - 【請求項５】 上記層状物質からなる層を分子線エピタ
キシー法により成長させるようにしたことを特徴とする
請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成
長方法。 - 【請求項６】 ２００℃以上上記層状物質の分解温度以
下の成長温度で上記層状物質からなる層を成長させるよ
うにしたことを特徴とする請求項５記載の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体の成長方法。 - 【請求項７】 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
を分子線エピタキシー法により成長させるようにしたこ
とを特徴とする請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体の成長方法。 - 【請求項８】 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
の成長温度よりも低い成長温度で上記層状物質からなる
層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバッ
ファ層を成長させた後、このバッファ層上に上記窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させるようにしたこ
とを特徴とする請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体の成長方法。 - 【請求項９】 ２００℃以上５００℃以下の成長温度で
上記層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体からなるバッファ層を成長させた後、６５０℃
以上９００℃以下の成長温度で上記バッファ層上に上記
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させるように
したことを特徴とする請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体の成長方法。 - 【請求項１０】 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体の成長時の原料の供給は、ＩＩＩ族元素の原料の供給
から開始するようにしたことを特徴とする請求項１記載
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法。 - 【請求項１１】 上記バッファ層の成長時の原料の供給
は、ＩＩＩ族元素の原料の供給から開始するようにした
ことを特徴とする請求項８記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体の成長方法。 - 【請求項１２】 上記層状物質は遷移金属ダイカルコゲ
ナイドであることを特徴とする請求項１記載の窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法。 - 【請求項１３】 基板上に層状物質からなる層を成長さ
せた後、この層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体を成長させるようにしたことを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 上記層状物質からなる層の表面の面方
位は（０００１）であることを特徴とする請求項１３記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１５】 上記基板の表面のダングリングボンド
を終端させた後、上記基板上に上記層状物質からなる層
を成長させ、上記層状物質からなる層上に上記窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させるようにしたこと
を特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体は六方晶であることを特徴とする請求項１３記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項１７】 上記層状物質からなる層を分子線エピ
タキシー法により成長させるようにしたことを特徴とす
る請求項１３記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１８】 ２００℃以上上記層状物質の分解温度
以下の成長温度で上記層状物質からなる層を成長させる
ようにしたことを特徴とする請求項１３記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項１９】 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体を分子線エピタキシー法により成長させるようにした
ことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２０】 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体の成長温度よりも低い成長温度で上記層状物質からな
る層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバ
ッファ層を成長させた後、このバッファ層上に上記窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させるようにした
ことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２１】 ２００℃以上５００℃以下の成長温度
で上記層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体からなるバッファ層を成長させた後、６５０
℃以上９００℃以下の成長温度で上記バッファ層上に上
記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させるよう
にしたことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項２２】 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体の成長時の原料の供給は、ＩＩＩ族元素の原料の供給
から開始するようにしたことを特徴とする請求項１３記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項２３】 上記バッファ層の成長時の原料の供給
は、ＩＩＩ族元素の原料の供給から開始するようにした
ことを特徴とする請求項２０記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２４】 上記層状物質は遷移金属ダイカルコゲ
ナイドであることを特徴とする請求項１３記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項２５】 基板と、 上記基板上に成長された層状物質からなる層とを有する
ことを特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成
長用基板。 - 【請求項２６】 上記層状物質からなる層は分子線エピ
タキシー法により成長されたものであることを特徴とす
る請求項２５記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
成長用基板。 - 【請求項２７】 ２００℃以上上記層状物質の分解温度
以下の成長温度で上記層状物質からなる層が成長された
ことを特徴とする請求項２５記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体成長用基板。 - 【請求項２８】 上記層状物質は遷移金属ダイカルコゲ
ナイドであることを特徴とする請求項２５記載の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板。 - 【請求項２９】 基板上に層状物質から層を成長させる
工程と、上記層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体を成長させる工程と、 上記基板を除去する工程とを有することを特徴とする窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板の製造方
法。 - 【請求項３０】 上記基板の表面のダングリングボンド
を終端させた後、上記基板上に上記層状物質からなる層
を成長させるようにしたことを特徴とする請求項２９記
載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板の製
造方法。 - 【請求項３１】 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体は六方晶であることを特徴とする請求項２９記載の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板の製造方
法。 - 【請求項３２】 上記層状物質からなる層を分子線エピ
タキシー法により成長させるようにしたことを特徴とす
る請求項２９記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
成長用基板の製造方法。 - 【請求項３３】 ２００℃以上上記層状物質の分解温度
以下の成長温度で上記層状物質からなる層を成長させる
ようにしたことを特徴とする請求項２９記載の窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板の製造方法。 - 【請求項３４】 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体を分子線エピタキシー法により成長させるようにした
ことを特徴とする請求項２９記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体成長用基板の製造方法。 - 【請求項３５】 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体の成長温度よりも低い成長温度で上記層状物質からな
る層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバ
ッファ層を成長させた後、このバッファ層上に上記窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させるようにした
ことを特徴とする請求項２９記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体成長用基板の製造方法。 - 【請求項３６】 ２００℃以上５００℃以下の成長温度
で上記層状物質からなる層上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体からなるバッファ層を成長させた後、６５０
℃以上９００℃以下の成長温度で上記バッファ層上に上
記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させるよう
にしたことを特徴とする請求項２９記載の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体成長用基板の製造方法。 - 【請求項３７】 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体の成長時の原料の供給は、ＩＩＩ族元素の原料の供給
から開始するようにしたことを特徴とする請求項２９記
載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板の製
造方法。 - 【請求項３８】 上記バッファ層の成長時の原料の供給
は、ＩＩＩ族元素の原料の供給から開始するようにした
ことを特徴とする請求項３５記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体成長用基板の製造方法。 - 【請求項３９】 上記層状物質は遷移金属ダイカルコゲ
ナイドであることを特徴とする請求項２９記載の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4345698A JPH11243253A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体成長用基板および窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体成長用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4345698A JPH11243253A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体成長用基板および窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体成長用基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11243253A true JPH11243253A (ja) | 1999-09-07 |
Family
ID=12664216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4345698A Pending JPH11243253A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体成長用基板および窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体成長用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11243253A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002319545A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | ＧａＮ系結晶の製造方法および結晶成長用基材 |
| JP2003163375A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| JP2006096588A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム独立基板を製造する方法 |
| JP2007165626A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
| WO2010032829A1 (ja) * | 2008-09-19 | 2010-03-25 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子 |
| CN101931035A (zh) * | 2009-06-23 | 2010-12-29 | 日本冲信息株式会社 | 氮化物半导体层分离方法、半导体器件和晶片及制造方法 |
| JP2011009281A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Oki Data Corp | 半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ |
| JP2011009268A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Oki Data Corp | 窒化物半導体層の剥離方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
| KR101381167B1 (ko) * | 2012-05-31 | 2014-04-10 | 경희대학교 산학협력단 | 광 반도체 소자, 이를 이용한 알지비 센서, 터치센서, 및 이미지 센서 |
| CN103794469A (zh) * | 2012-10-30 | 2014-05-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种氮化镓薄膜层的制备方法及衬底 |
| JP2015168594A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 日本電信電話株式会社 | 窒化物半導体の成長方法 |
| JP2016100452A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 日本電信電話株式会社 | インプレーンダブルゲートトランジスタ |
| EP2962331A4 (en) * | 2013-02-27 | 2016-11-09 | Univ North Carolina | INCOHERENT TYPE III MATERIALS FOR LOAD-CARRIER REGULATION DEVICES |
| WO2017111869A1 (en) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | Intel Corporation | Transition metal dichalcogenides (tmdcs) over iii-nitride heteroepitaxial layers |
| WO2017195118A1 (en) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | King Abdullah University Of Science And Technology | Light emitters on transition metal dichalcogenides directly converted from thermally and electrically conductive substrates and method of making the same |
| JP2018198265A (ja) * | 2017-05-24 | 2018-12-13 | 國家中山科學研究院 | エピタキシーが可能な放熱基板の製作方法 |
| WO2020009021A1 (ja) * | 2018-07-05 | 2020-01-09 | 日本電信電話株式会社 | 層状物質積層構造およびその作製方法 |
| US10930500B2 (en) | 2014-09-18 | 2021-02-23 | Intel Corporation | Wurtzite heteroepitaxial structures with inclined sidewall facets for defect propagation control in silicon CMOS-compatible semiconductor devices |
| US11233053B2 (en) | 2017-09-29 | 2022-01-25 | Intel Corporation | Group III-nitride (III-N) devices with reduced contact resistance and their methods of fabrication |
| CN115323483A (zh) * | 2022-06-27 | 2022-11-11 | 中关村科学城城市大脑股份有限公司 | 基于分子束外延的二维层状过渡金属硫化物的制备方法 |
| CN117153878A (zh) * | 2023-10-31 | 2023-12-01 | 江西兆驰半导体有限公司 | Hemt外延结构及其制备方法、hemt器件 |
| US12125888B2 (en) | 2017-09-29 | 2024-10-22 | Intel Corporation | Group III-nitride (III-N) devices with reduced contact resistance and their methods of fabrication |
-
1998
- 1998-02-25 JP JP4345698A patent/JPH11243253A/ja active Pending
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002319545A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | ＧａＮ系結晶の製造方法および結晶成長用基材 |
| JP2003163375A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| JP2006096588A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム独立基板を製造する方法 |
| JP2007165626A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
| WO2010032829A1 (ja) * | 2008-09-19 | 2010-03-25 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子 |
| JP2011009281A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Oki Data Corp | 半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ |
| JP2011009268A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Oki Data Corp | 窒化物半導体層の剥離方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
| EP2267796A3 (en) * | 2009-06-23 | 2012-03-28 | Oki Data Corporation | Separation method of nitride semiconductor layer, semiconductor device, manufacturing method thereof, semiconductor wafer, and manufacturing method thereof |
| US8409366B2 (en) | 2009-06-23 | 2013-04-02 | Oki Data Corporation | Separation method of nitride semiconductor layer, semiconductor device, manufacturing method thereof, semiconductor wafer, and manufacturing method thereof |
| CN101931035A (zh) * | 2009-06-23 | 2010-12-29 | 日本冲信息株式会社 | 氮化物半导体层分离方法、半导体器件和晶片及制造方法 |
| KR101381167B1 (ko) * | 2012-05-31 | 2014-04-10 | 경희대학교 산학협력단 | 광 반도체 소자, 이를 이용한 알지비 센서, 터치센서, 및 이미지 센서 |
| CN103794469A (zh) * | 2012-10-30 | 2014-05-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种氮化镓薄膜层的制备方法及衬底 |
| EP2962331A4 (en) * | 2013-02-27 | 2016-11-09 | Univ North Carolina | INCOHERENT TYPE III MATERIALS FOR LOAD-CARRIER REGULATION DEVICES |
| JP2015168594A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 日本電信電話株式会社 | 窒化物半導体の成長方法 |
| US10930500B2 (en) | 2014-09-18 | 2021-02-23 | Intel Corporation | Wurtzite heteroepitaxial structures with inclined sidewall facets for defect propagation control in silicon CMOS-compatible semiconductor devices |
| JP2016100452A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 日本電信電話株式会社 | インプレーンダブルゲートトランジスタ |
| US10658471B2 (en) | 2015-12-24 | 2020-05-19 | Intel Corporation | Transition metal dichalcogenides (TMDCS) over III-nitride heteroepitaxial layers |
| WO2017111869A1 (en) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | Intel Corporation | Transition metal dichalcogenides (tmdcs) over iii-nitride heteroepitaxial layers |
| WO2017195118A1 (en) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | King Abdullah University Of Science And Technology | Light emitters on transition metal dichalcogenides directly converted from thermally and electrically conductive substrates and method of making the same |
| JP2018198265A (ja) * | 2017-05-24 | 2018-12-13 | 國家中山科學研究院 | エピタキシーが可能な放熱基板の製作方法 |
| US11233053B2 (en) | 2017-09-29 | 2022-01-25 | Intel Corporation | Group III-nitride (III-N) devices with reduced contact resistance and their methods of fabrication |
| US11728346B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-08-15 | Intel Corporation | Group III-nitride (III-N) devices with reduced contact resistance and their methods of fabrication |
| US12125888B2 (en) | 2017-09-29 | 2024-10-22 | Intel Corporation | Group III-nitride (III-N) devices with reduced contact resistance and their methods of fabrication |
| WO2020009021A1 (ja) * | 2018-07-05 | 2020-01-09 | 日本電信電話株式会社 | 層状物質積層構造およびその作製方法 |
| CN115323483A (zh) * | 2022-06-27 | 2022-11-11 | 中关村科学城城市大脑股份有限公司 | 基于分子束外延的二维层状过渡金属硫化物的制备方法 |
| CN117153878A (zh) * | 2023-10-31 | 2023-12-01 | 江西兆驰半导体有限公司 | Hemt外延结构及其制备方法、hemt器件 |
| CN117153878B (zh) * | 2023-10-31 | 2024-02-20 | 江西兆驰半导体有限公司 | Hemt外延结构及其制备方法、hemt器件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3785970B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体素子の製造方法 | |
| JP3569807B2 (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 | |
| JPH11243253A (ja) | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体成長用基板および窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体成長用基板の製造方法 | |
| JP3866540B2 (ja) | 窒化物半導体素子およびその製造方法 | |
| JP3470623B2 (ja) | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| KR100449074B1 (ko) | 반도체의 제조 방법 및 반도체 발광 소자 | |
| JP3515974B2 (ja) | 窒化物半導体、その製造方法及び窒化物半導体素子 | |
| JP2003229645A (ja) | 量子井戸構造およびそれを用いた半導体素子ならびに半導体素子の製造方法 | |
| WO2022145454A1 (ja) | 半導体基板、半導体デバイス、電子機器 | |
| JP2005019872A (ja) | 窒化物半導体の製造方法及び半導体ウエハ並びに半導体デバイス | |
| JP3729065B2 (ja) | 窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハ | |
| WO2007046465A1 (ja) | 窒化物半導体素子およびその製法 | |
| JP2002145700A (ja) | サファイア基板および半導体素子ならびに電子部品および結晶成長方法 | |
| CN116941016A (zh) | 半导体基板和其制造方法以及制造装置、模板基板 | |
| JP2000223417A (ja) | 半導体の成長方法、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPH10150245A (ja) | 窒化ガリウム系半導体の製造方法 | |
| JP2003178976A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH10215035A (ja) | 化合物半導体素子及びその製造方法 | |
| JP3900196B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体光素子 | |
| JP4631214B2 (ja) | 窒化物半導体膜の製造方法 | |
| JP3546634B2 (ja) | 窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP2999435B2 (ja) | 半導体の製造方法及び半導体発光素子 | |
| JP3792041B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
| JPH10284802A (ja) | 窒化物系化合物半導体発光素子 | |
| JP2002151415A (ja) | 窒化物系半導体素子、窒化物系半導体基板、及びそれらの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20041222 |