JPH11249132A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
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- JPH11249132A JPH11249132A JP10047568A JP4756898A JPH11249132A JP H11249132 A JPH11249132 A JP H11249132A JP 10047568 A JP10047568 A JP 10047568A JP 4756898 A JP4756898 A JP 4756898A JP H11249132 A JPH11249132 A JP H11249132A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示面全体で、明るくかつ均一な明るさの表
示が得られる反射型液晶表示装置を提供することを目的
とする。 【解決手段】 反射材料から成る表示電極１０、この表
示電極１０が接続され液晶１６を駆動するＴＦＴを備え
た第１の基板１と、この第１の基板１に対向し電極を備
えた第２の透明基板１２とを有し、両基板間に液晶１６
を充填して成っており、第２の透明基板１２に対向して
設けた第３の透明基板１７は、表示電極１０以外の領域
にＥＬ素子１８を備え、ＥＬ素子１８形成位置に対応し
て第２の透明基板１２側に凸形状レンズ１９を備えてそ
の凹形状レンズ１９により光を拡散させて表示電極１０
に供給する。
示が得られる反射型液晶表示装置を提供することを目的
とする。 【解決手段】 反射材料から成る表示電極１０、この表
示電極１０が接続され液晶１６を駆動するＴＦＴを備え
た第１の基板１と、この第１の基板１に対向し電極を備
えた第２の透明基板１２とを有し、両基板間に液晶１６
を充填して成っており、第２の透明基板１２に対向して
設けた第３の透明基板１７は、表示電極１０以外の領域
にＥＬ素子１８を備え、ＥＬ素子１８形成位置に対応し
て第２の透明基板１２側に凸形状レンズ１９を備えてそ
の凹形状レンズ１９により光を拡散させて表示電極１０
に供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス（Electro Luminescence：以下、「ＥＬ」と
称する。）素子を光源として備えた反射型液晶表示装置
に関する。
ッセンス（Electro Luminescence：以下、「ＥＬ」と
称する。）素子を光源として備えた反射型液晶表示装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、観察方向から入射した光を反
射させて表示を見るいわゆる反射型液晶表示装置が提案
されている。しかしながら、反射型液晶表示装置は周囲
が暗い場所では明るい表示をみることがきわめて困難で
あるという問題があった。
射させて表示を見るいわゆる反射型液晶表示装置が提案
されている。しかしながら、反射型液晶表示装置は周囲
が暗い場所では明るい表示をみることがきわめて困難で
あるという問題があった。
【０００３】そこで、この問題の解決策として、図５に
示すような構造が提案されている。図５に、従来の有機
ＥＬ光源を備えた反射型液晶表示装置の一表示画素の断
面図を示す。ガラスなどの絶縁基板１上に、ゲート電極
２を形成し、そのゲート電極２上に設けた絶縁膜３を介
して多結晶シリコンから成る能動層４を形成する。その
能動層４には、チャネル領域７、及びストッパ８でチャ
ネル領域７をマスクして不純物を注入して形成したソー
ス５並びにドレイン６を設ける。その上には層間絶縁膜
９が形成されており、一方のソース５は層間絶縁膜９に
形成されたコンタクトホールを介して、Ａｌ等の反射材
料から成る表示電極（ソース電極）１０と接続されてい
る。他方のドレイン６は層間絶縁膜９に形成されたコン
タクトホールを介してドレイン電極１１に接続されてい
る。こうして薄膜トランジスタ（Thin Film Transisto
r、以下、「ＴＦＴ」と称する。）が形成された絶縁基
板１、即ちＴＦＴ基板１が完成する。
示すような構造が提案されている。図５に、従来の有機
ＥＬ光源を備えた反射型液晶表示装置の一表示画素の断
面図を示す。ガラスなどの絶縁基板１上に、ゲート電極
２を形成し、そのゲート電極２上に設けた絶縁膜３を介
して多結晶シリコンから成る能動層４を形成する。その
能動層４には、チャネル領域７、及びストッパ８でチャ
ネル領域７をマスクして不純物を注入して形成したソー
ス５並びにドレイン６を設ける。その上には層間絶縁膜
９が形成されており、一方のソース５は層間絶縁膜９に
形成されたコンタクトホールを介して、Ａｌ等の反射材
料から成る表示電極（ソース電極）１０と接続されてい
る。他方のドレイン６は層間絶縁膜９に形成されたコン
タクトホールを介してドレイン電極１１に接続されてい
る。こうして薄膜トランジスタ（Thin Film Transisto
r、以下、「ＴＦＴ」と称する。）が形成された絶縁基
板１、即ちＴＦＴ基板１が完成する。
【０００４】次に、ＴＦＴ基板１に対向した対向電極基
板１２は、その対向面に対向電極１３を備えその上に遮
光部１５を備えたカラーフィルタ１４を設けている。遮
光部１５は、後述の図２の斜線部で示すように、表示電
極１０以外の領域、即ちＴＦＴ、そのＴＦＴに走査信号
を供給する走査信号線Ｇ、及びＴＦＴに映像信号を供給
する映像信号線Ｄに対応した位置に設けられている。
板１２は、その対向面に対向電極１３を備えその上に遮
光部１５を備えたカラーフィルタ１４を設けている。遮
光部１５は、後述の図２の斜線部で示すように、表示電
極１０以外の領域、即ちＴＦＴ、そのＴＦＴに走査信号
を供給する走査信号線Ｇ、及びＴＦＴに映像信号を供給
する映像信号線Ｄに対応した位置に設けられている。
【０００５】こうして出来上がった対向電極基板１２と
ＴＦＴ基板１とをそれらの周辺を接着し、これらの基板
１，１２間に液晶１６を充填して反射型液晶表示装置が
完成する。対向電極基板１２の対向電極１３を形成して
いない側にＥＬ素子基板１７を設ける。
ＴＦＴ基板１とをそれらの周辺を接着し、これらの基板
１，１２間に液晶１６を充填して反射型液晶表示装置が
完成する。対向電極基板１２の対向電極１３を形成して
いない側にＥＬ素子基板１７を設ける。
【０００６】このＥＬ素子基板１７は、ガラス基板等の
透明絶縁性基板から成っている。その一方の面１７ａに
は有機ＥＬ素子１８が形成されており他方の面１７ｂが
対向電極基板１２に貼り合わされて密着している。ま
た、有機ＥＬ素子１８は、遮光部１５に対応した位置
に、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide）等の透明電極から成
る陽極２０、ＭＴＤＡＴＡ（4,4'-bis(3-methylphenylp
henylamino)biphenyl）から成る第２ホール輸送層、Ｔ
ＰＤ（4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triph
enylanine）からなる第１ホール輸送層、キナクリドン
（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ
〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光
層、及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層の各有機化合物
から成る発光素子層２１、マグネシウム・インジウム合
金（ＭｇＩｎ）から成る陰極２２がこの順番で積層形成
されて成っている。有機ＥＬ素子１８は、このように陽
極２０、陰極２２及び発光素子層２１によって構成され
ている。
透明絶縁性基板から成っている。その一方の面１７ａに
は有機ＥＬ素子１８が形成されており他方の面１７ｂが
対向電極基板１２に貼り合わされて密着している。ま
た、有機ＥＬ素子１８は、遮光部１５に対応した位置
に、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide）等の透明電極から成
る陽極２０、ＭＴＤＡＴＡ（4,4'-bis(3-methylphenylp
henylamino)biphenyl）から成る第２ホール輸送層、Ｔ
ＰＤ（4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triph
enylanine）からなる第１ホール輸送層、キナクリドン
（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ
〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光
層、及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層の各有機化合物
から成る発光素子層２１、マグネシウム・インジウム合
金（ＭｇＩｎ）から成る陰極２２がこの順番で積層形成
されて成っている。有機ＥＬ素子１８は、このように陽
極２０、陰極２２及び発光素子層２１によって構成され
ている。
【０００７】有機ＥＬ素子１８は、陽極から注入された
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が陽極２０から外部へ放出される
（図中、破線矢印方向）。
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が陽極２０から外部へ放出される
（図中、破線矢印方向）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、そのＥＬ素
子１８は対向電極基板１２の遮光部１５に対応した位置
に配置されているため、図５中の破線矢印に示すよう
に、ＥＬ素子１８からの光３０は、その多くが遮光部１
５に遮られてしまい表示電極１０へ進む光はごく一部し
かなく、表示画素のうち遮光部付近のみしか明るくなら
ないという欠点があった。
子１８は対向電極基板１２の遮光部１５に対応した位置
に配置されているため、図５中の破線矢印に示すよう
に、ＥＬ素子１８からの光３０は、その多くが遮光部１
５に遮られてしまい表示電極１０へ進む光はごく一部し
かなく、表示画素のうち遮光部付近のみしか明るくなら
ないという欠点があった。
【０００９】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、明るくかつ均一な明るさの表示
が得られる反射型液晶表示装置を提供することを目的と
する。
て為されたものであり、明るくかつ均一な明るさの表示
が得られる反射型液晶表示装置を提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
装置は、反射材料から成る表示電極、該表示電極が接続
され液晶を駆動するＴＦＴを備えた第１の基板と、該第
１の基板に対向し電極を備えた第２の透明基板とを有
し、両基板間に前記液晶を充填して成る反射型液晶表示
装置であって、前記第２の透明基板に対向して設けた第
３の透明基板は、前記表示電極以外の領域にＥＬ素子を
備え、該ＥＬ素子形成位置に対応して前記第２の透明基
板側に光拡散体を備える。
装置は、反射材料から成る表示電極、該表示電極が接続
され液晶を駆動するＴＦＴを備えた第１の基板と、該第
１の基板に対向し電極を備えた第２の透明基板とを有
し、両基板間に前記液晶を充填して成る反射型液晶表示
装置であって、前記第２の透明基板に対向して設けた第
３の透明基板は、前記表示電極以外の領域にＥＬ素子を
備え、該ＥＬ素子形成位置に対応して前記第２の透明基
板側に光拡散体を備える。
【００１１】また、本発明の反射型液晶表示装置は、反
射材料から成る表示電極、該表示電極が接続され液晶を
駆動するＴＦＴを備えた第１の基板と、該第１の基板に
対向し電極を備えた第２の透明基板とを有し、両基板間
に前記液晶を充填して成る反射型液晶表示装置であっ
て、前記第２の透明基板に対向して設けた第３の透明基
板は前記表示電極以外の領域にＥＬ素子を備え、前記第
２の透明基板における前記第３の透明基板側には前記Ｅ
Ｌ素子形成位置に対応して光拡散体を備える。
射材料から成る表示電極、該表示電極が接続され液晶を
駆動するＴＦＴを備えた第１の基板と、該第１の基板に
対向し電極を備えた第２の透明基板とを有し、両基板間
に前記液晶を充填して成る反射型液晶表示装置であっ
て、前記第２の透明基板に対向して設けた第３の透明基
板は前記表示電極以外の領域にＥＬ素子を備え、前記第
２の透明基板における前記第３の透明基板側には前記Ｅ
Ｌ素子形成位置に対応して光拡散体を備える。
【００１２】また、前記光拡散体は前記第３の透明基板
をエッチングして形成した凸形状レンズである。更に、
前記光拡散体は前記第２の透明基板をエッチングして形
成した凹形状レンズである。
をエッチングして形成した凸形状レンズである。更に、
前記光拡散体は前記第２の透明基板をエッチングして形
成した凹形状レンズである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の反射型液晶表示
装置について図に従って説明する。図１は、第１の実施
の形態の有機ＥＬ素子を補助光源として備えた液晶表示
装置の１つの表示画素の断面図を示し、図２は、その平
面図を示す。なお、以下の説明において、既に説明した
図面と同一部分には同一符号を付す。
装置について図に従って説明する。図１は、第１の実施
の形態の有機ＥＬ素子を補助光源として備えた液晶表示
装置の１つの表示画素の断面図を示し、図２は、その平
面図を示す。なお、以下の説明において、既に説明した
図面と同一部分には同一符号を付す。
【００１４】ガラスなどの透明絶縁性基板１上に、ゲー
ト電極２を形成し、そのゲート電極２上に設けたゲート
絶縁膜３を介して例えば多結晶シリコンから成る能動層
４を形成する。その能動層４には、チャネル領域７、及
びストッパ８でチャネル７をマスクして不純物を注入し
て形成したソース５並びにドレイン６を設ける。その上
には層間絶縁膜９が形成されており、一方のソース５は
層間絶縁膜９に形成されたコンタクトホールを介して、
反射材料から成る表示電極（ソース電極）１０と接続さ
れている。他方のドレイン６は層間絶縁膜９に形成され
たコンタクトホールを介してドレイン電極１１に接続さ
れている。こうしてＴＦＴが形成された絶縁基板１、即
ちＴＦＴ基板１が完成する。
ト電極２を形成し、そのゲート電極２上に設けたゲート
絶縁膜３を介して例えば多結晶シリコンから成る能動層
４を形成する。その能動層４には、チャネル領域７、及
びストッパ８でチャネル７をマスクして不純物を注入し
て形成したソース５並びにドレイン６を設ける。その上
には層間絶縁膜９が形成されており、一方のソース５は
層間絶縁膜９に形成されたコンタクトホールを介して、
反射材料から成る表示電極（ソース電極）１０と接続さ
れている。他方のドレイン６は層間絶縁膜９に形成され
たコンタクトホールを介してドレイン電極１１に接続さ
れている。こうしてＴＦＴが形成された絶縁基板１、即
ちＴＦＴ基板１が完成する。
【００１５】次に、ＴＦＴ基板１に対向した対向電極基
板１２は、対向電極１３を備えその上に遮光部１５を備
えたカラーフィルタ１４を設けている。遮光部１５は図
２に斜線で示すように、ＴＦＴ、走査信号線Ｇ及び映像
信号線Ｄに対応した領域、即ち表示電極以外の領域に設
けられている。こうして出来上がった対向電極基板１２
とＴＦＴ基板１とをそれらの周辺を接着し、これらの基
板１，１２間に液晶１３を充填して反射型液晶表示装置
が完成する。
板１２は、対向電極１３を備えその上に遮光部１５を備
えたカラーフィルタ１４を設けている。遮光部１５は図
２に斜線で示すように、ＴＦＴ、走査信号線Ｇ及び映像
信号線Ｄに対応した領域、即ち表示電極以外の領域に設
けられている。こうして出来上がった対向電極基板１２
とＴＦＴ基板１とをそれらの周辺を接着し、これらの基
板１，１２間に液晶１３を充填して反射型液晶表示装置
が完成する。
【００１６】対向電極基板１２の液晶１６を備えていな
い側（図１中、対向電極基板１２の上側）にＥＬ素子基
板１７を設ける。以下に、ＥＬ素子基板１７について説
明する。ＥＬ素子基板１７には、その一方の面１７ａに
は有機ＥＬ素子１８が形成され、他方の面１７ｂには有
機ＥＬ素子１８に対応した位置に光拡散体である凸形状
レンズ１９が形成されている。
い側（図１中、対向電極基板１２の上側）にＥＬ素子基
板１７を設ける。以下に、ＥＬ素子基板１７について説
明する。ＥＬ素子基板１７には、その一方の面１７ａに
は有機ＥＬ素子１８が形成され、他方の面１７ｂには有
機ＥＬ素子１８に対応した位置に光拡散体である凸形状
レンズ１９が形成されている。
【００１７】図３に従ってＥＬ素子基板の一方の面１７
ｂに形成する凸形状レンズの形成方法について説明す
る。ＥＬ素子基板１７はガラス基板等の透明絶縁性基板
から成っている。ここでは、ＥＬ素子基板としてガラス
基板を用いた場合について説明する。図３（ａ）に示す
ように、ガラス基板１７ｂ上に凸形状レンズを形成する
表示電極以外の領域（同図の場合は、走査信号線Ｇ及び
映像信号線Ｄに対応した領域）にレジストパターンＰ
（斜線部）を形成する。次に弗酸系のエッチング液、例
えば希弗酸でガラス基板をエッチングして図３（ｂ）に
示すような凸形状レンズ、例えばかまぼこ型レンズ１９
を形成する。
ｂに形成する凸形状レンズの形成方法について説明す
る。ＥＬ素子基板１７はガラス基板等の透明絶縁性基板
から成っている。ここでは、ＥＬ素子基板としてガラス
基板を用いた場合について説明する。図３（ａ）に示す
ように、ガラス基板１７ｂ上に凸形状レンズを形成する
表示電極以外の領域（同図の場合は、走査信号線Ｇ及び
映像信号線Ｄに対応した領域）にレジストパターンＰ
（斜線部）を形成する。次に弗酸系のエッチング液、例
えば希弗酸でガラス基板をエッチングして図３（ｂ）に
示すような凸形状レンズ、例えばかまぼこ型レンズ１９
を形成する。
【００１８】こうして、凸状レンズ１９は、反射型液晶
表示パネルの全面に配置された表示電極以外の領域に設
けられる。その領域のガラス基板１７ａ上には有機ＥＬ
素子１８が形成される。有機ＥＬ素子は、一般的な構造
の有機ＥＬ素子である。図１に示す有機ＥＬ素子１８の
上には外部からの力による損傷を避けるために、絶縁膜
等によってカバーされていることが好ましい。
表示パネルの全面に配置された表示電極以外の領域に設
けられる。その領域のガラス基板１７ａ上には有機ＥＬ
素子１８が形成される。有機ＥＬ素子は、一般的な構造
の有機ＥＬ素子である。図１に示す有機ＥＬ素子１８の
上には外部からの力による損傷を避けるために、絶縁膜
等によってカバーされていることが好ましい。
【００１９】図１に示すように、有機ＥＬ素子から放た
れた光３０は、破線矢印のように陽極２０から凸形状レ
ンズ１９へ放出される。その放出された光は従来のよう
に遮光膜１５に遮られることなく表示電極１０に対応し
た位置のカラーフィルタ（この場合「Ｒ」）及び反射材
料から成る表示電極１０に供給され、そこで反射され
て、カラーフィルタ１４，対向電極１３、対向電極基板
１２及びＥＬ素子基板１７を通って外部に出る。それに
よって表示が得られる。
れた光３０は、破線矢印のように陽極２０から凸形状レ
ンズ１９へ放出される。その放出された光は従来のよう
に遮光膜１５に遮られることなく表示電極１０に対応し
た位置のカラーフィルタ（この場合「Ｒ」）及び反射材
料から成る表示電極１０に供給され、そこで反射され
て、カラーフィルタ１４，対向電極１３、対向電極基板
１２及びＥＬ素子基板１７を通って外部に出る。それに
よって表示が得られる。
【００２０】このように、反射型液晶表示装置の各表示
画素付近の遮光部に対応した位置に設けた凸形状レンズ
により有機ＥＬ素子から発光される光が拡散されるた
め、表示電極に多くの光量が供給されることになり、有
機ＥＬ素子の発光光の利用効率を向上することができる
とともに、明るくかつ表示装置全面において均一な明る
さの表示が得られることになる。
画素付近の遮光部に対応した位置に設けた凸形状レンズ
により有機ＥＬ素子から発光される光が拡散されるた
め、表示電極に多くの光量が供給されることになり、有
機ＥＬ素子の発光光の利用効率を向上することができる
とともに、明るくかつ表示装置全面において均一な明る
さの表示が得られることになる。
【００２１】なお、上述の如く表示画素に十分に光が供
給されるため、本実施の形態のようにカラーフィルタを
備えた場合には色合いの良い表示が得られることにな
る。また、本実施の形態においては、凸形状レンズを図
２の斜線部で示す遮光部に全体に設けた場合を説明した
が、それに限定するものではなく、図２の円で示すよう
に、走査信号線と映像信号線との交点付近のＴＦＴも覆
った遮光部に概ね半球状の凸レンズを設けても良い。比
較的広い領域が確保できるので大きな凸形状レンズを形
成することができる。従って、この交点付近の領域にの
み凸形状レンズ及び有機ＥＬ素子を形成しても明るく且
つ均一な明るさの表示を得ることができる。 ＜第２の実施の形態＞図４は、第２の実施の形態の有機
ＥＬ素子を補助光源として備えた液晶表示装置の１つの
画素の断面図である。
給されるため、本実施の形態のようにカラーフィルタを
備えた場合には色合いの良い表示が得られることにな
る。また、本実施の形態においては、凸形状レンズを図
２の斜線部で示す遮光部に全体に設けた場合を説明した
が、それに限定するものではなく、図２の円で示すよう
に、走査信号線と映像信号線との交点付近のＴＦＴも覆
った遮光部に概ね半球状の凸レンズを設けても良い。比
較的広い領域が確保できるので大きな凸形状レンズを形
成することができる。従って、この交点付近の領域にの
み凸形状レンズ及び有機ＥＬ素子を形成しても明るく且
つ均一な明るさの表示を得ることができる。 ＜第２の実施の形態＞図４は、第２の実施の形態の有機
ＥＬ素子を補助光源として備えた液晶表示装置の１つの
画素の断面図である。
【００２２】同図に示す如く、前述の図１の液晶表示装
置と異なる点は、凹形状レンズ２３を第２の透明基板で
ある対向電極基板１２のＥＬ素子基板１７に対向した面
１２ａに設けた点である。第１の基板であるＴＦＴ基板
１は第１の実施の形態と同じ構造であるので説明は省略
する。
置と異なる点は、凹形状レンズ２３を第２の透明基板で
ある対向電極基板１２のＥＬ素子基板１７に対向した面
１２ａに設けた点である。第１の基板であるＴＦＴ基板
１は第１の実施の形態と同じ構造であるので説明は省略
する。
【００２３】第２の透明基板である対向電極基板１２は
例えばガラス基板から成っており、カラーフィルタ１４
の遮光部１５に応じた位置に、光拡散体である凹形状の
レンズ２３を備えている。この凹形状レンズ２３は、図
３（ａ）に示したレジスト形成パターンを反転させたパ
ターン、即ちレンズを形成する位置に窓を有するレジス
トパターン（表示電極領域にレジストが残存するパター
ン）を対向電極基板１２の一方の面１２ａに設けて、弗
酸系のエッチング液によってエッチングしてガラス基板
の一方の面１２ａに凹状の溝を形成する。
例えばガラス基板から成っており、カラーフィルタ１４
の遮光部１５に応じた位置に、光拡散体である凹形状の
レンズ２３を備えている。この凹形状レンズ２３は、図
３（ａ）に示したレジスト形成パターンを反転させたパ
ターン、即ちレンズを形成する位置に窓を有するレジス
トパターン（表示電極領域にレジストが残存するパター
ン）を対向電極基板１２の一方の面１２ａに設けて、弗
酸系のエッチング液によってエッチングしてガラス基板
の一方の面１２ａに凹状の溝を形成する。
【００２４】その後、他方の面１２ｂに、対向電極１３
及びカラーフィルタ１４を順に積層する。第３の透明基
板であるＥＬ素子基板１７は平坦なガラス基板から成っ
ており遮光部１５の位置に対応して有機ＥＬ素子１８が
形成されている。即ち、有機ＥＬ素子１８と凹形状レン
ズ２３とは互いに対応した位置に形成されている。
及びカラーフィルタ１４を順に積層する。第３の透明基
板であるＥＬ素子基板１７は平坦なガラス基板から成っ
ており遮光部１５の位置に対応して有機ＥＬ素子１８が
形成されている。即ち、有機ＥＬ素子１８と凹形状レン
ズ２３とは互いに対応した位置に形成されている。
【００２５】有機ＥＬ素子１８から発光した光３０は、
ＴＦＴ基板１側に向かって発光され表示電極１０にて反
射されて、その後液晶層１６、カラーフィルタ１４及び
対向電極基板１２を通って出射する。このとき有機ＥＬ
素子１８は遮光部１５に対応した位置に形成してある
が、光は遮光部に遮られることなく凹形状レンズによっ
て拡散されるため、表示画素に多くの光量を供給するこ
とができるようになり明るい液晶表示装置の表示を得る
ことができる。また、表示装置の各表示電極周辺の遮光
部に有機ＥＬ素子及び凹形状レンズを形成しているので
表示装置全面で均一な明るさの液晶表示装置を得ること
ができる。
ＴＦＴ基板１側に向かって発光され表示電極１０にて反
射されて、その後液晶層１６、カラーフィルタ１４及び
対向電極基板１２を通って出射する。このとき有機ＥＬ
素子１８は遮光部１５に対応した位置に形成してある
が、光は遮光部に遮られることなく凹形状レンズによっ
て拡散されるため、表示画素に多くの光量を供給するこ
とができるようになり明るい液晶表示装置の表示を得る
ことができる。また、表示装置の各表示電極周辺の遮光
部に有機ＥＬ素子及び凹形状レンズを形成しているので
表示装置全面で均一な明るさの液晶表示装置を得ること
ができる。
【００２６】なお、上述の各実施の形態においては、遮
光部１５はカラーフィルタ１４に設けられている場合に
ついて説明したが、対向電極基板１２の液晶１６を配置
した側に黒色の樹脂等にて設けられている場合でも適用
は可能である。また、各実施の形態のＥＬ素子基板は反
射型液晶表示パネルの対向電極基板に接着剤等にて接着
して反射型液晶表示パネルと一体の構造でも、取り外し
可能な別体の構造でも良い。
光部１５はカラーフィルタ１４に設けられている場合に
ついて説明したが、対向電極基板１２の液晶１６を配置
した側に黒色の樹脂等にて設けられている場合でも適用
は可能である。また、各実施の形態のＥＬ素子基板は反
射型液晶表示パネルの対向電極基板に接着剤等にて接着
して反射型液晶表示パネルと一体の構造でも、取り外し
可能な別体の構造でも良い。
【００２７】また、本発明の光拡散体である凸形状レン
ズ及び凹形状レンズは、それらを設ける基板をエッチン
グして形成するので、別体のレンズを基板に貼り付ける
場合に比べ所望の位置に正確に形成することができる。
ズ及び凹形状レンズは、それらを設ける基板をエッチン
グして形成するので、別体のレンズを基板に貼り付ける
場合に比べ所望の位置に正確に形成することができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明の反射型液晶表示装置によれば、
表示装置全面で明るくかつ均一な明るさの表示を得るこ
とができる。
表示装置全面で明るくかつ均一な明るさの表示を得るこ
とができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す反射型液晶表
示装置の断面図である。
示装置の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態を示す反射型液晶表
示装置の平面図である。
示装置の平面図である。
【図３】本発明の凸形状レンズの形成パターンを示す斜
視図である。
視図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態を示す反射型液晶表
示装置の断面図である。
示装置の断面図である。
【図５】従来の反射型液晶表示装置の断面図である。
１ ＴＦＴ基板 １０ 表示電極 １２ 対向電極基板 １５ 遮光部 １７ ＥＬ素子基板 １９ 凸形状レンズ ２０ 陽極 ２１ 発光素子層 ２２ 陰極 ２３ 凹形状レンズ
Claims (4)
- 【請求項１】 反射材料から成る表示電極、該表示電極
が接続され液晶を駆動する薄膜トランジスタを備えた第
１の基板と、該第１の基板に対向し電極を備えた第２の
透明基板とを有し、両基板間に前記液晶を充填して成る
反射型液晶表示装置であって、前記第２の透明基板に対
向して設けた第３の透明基板は、前記表示電極以外の領
域にエレクトロルミネッセンス素子を備え、該エレクト
ロルミネッセンス素子形成位置に対応して前記第２の透
明基板側に光拡散体を備えることを特徴とする反射型液
晶表示装置。 - 【請求項２】 反射材料から成る表示電極と、該表示電
極が接続され液晶を駆動する薄膜トランジスタを備えた
第１の基板と、該第１の基板と対向し電極を備えた第２
の透明基板とを有し、両基板間に前記液晶を充填して成
る反射型液晶表示装置であって、前記第２の透明基板に
対向して設けた第３の透明基板は前記表示電極以外の領
域にエレクトロルミネッセンス素子を備え、前記第２の
透明基板における前記第３の透明基板側には前記エレク
トロルミネッセンス素子形成位置に対応して光拡散体を
備えることを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記光拡散体は前記第３の透明基板をエ
ッチングして形成した凸形状レンズであることを特徴と
する請求項１記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記光拡散体は前記第２の透明基板をエ
ッチングして形成した凹形状レンズであることを特徴と
する請求項２記載の反射型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04756898A JP3831510B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 反射型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04756898A JP3831510B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 反射型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11249132A true JPH11249132A (ja) | 1999-09-17 |
| JP3831510B2 JP3831510B2 (ja) | 2006-10-11 |
Family
ID=12778845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04756898A Expired - Fee Related JP3831510B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 反射型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3831510B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006099056A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-13 | Idc Llc | 背面照明を使用して光干渉変調器を照明するシステム及び方法 |
| US7102704B2 (en) | 2001-02-20 | 2006-09-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display |
| CN1314128C (zh) * | 2002-05-31 | 2007-05-02 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置及其制造方法、及电子设备 |
| US8013831B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-09-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods and devices for lighting displays |
| US8054532B2 (en) | 1994-05-05 | 2011-11-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for providing illumination to interferometric modulators |
| US8872085B2 (en) | 2006-10-06 | 2014-10-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device having front illuminator with turning features |
| US8928967B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
| US8971675B2 (en) | 2006-01-13 | 2015-03-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
| US8979349B2 (en) | 2009-05-29 | 2015-03-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Illumination devices and methods of fabrication thereof |
| US9019183B2 (en) | 2006-10-06 | 2015-04-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Optical loss structure integrated in an illumination apparatus |
| US9019590B2 (en) | 2004-02-03 | 2015-04-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Spatial light modulator with integrated optical compensation structure |
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| US9110289B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-08-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device for modulating light with multiple electrodes |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP04756898A patent/JP3831510B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US9121979B2 (en) | 2009-05-29 | 2015-09-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Illumination devices and methods of fabrication thereof |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3831510B2 (ja) | 2006-10-11 |
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