Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JPH11233400A - 露光装置、ウエハチャックのクリーニング方法、クリーニング用砥石およびデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置、ウエハチャックのクリーニング方法、クリーニング用砥石およびデバイス製造方法

Info

Publication number
JPH11233400A
JPH11233400A JP10048615A JP4861598A JPH11233400A JP H11233400 A JPH11233400 A JP H11233400A JP 10048615 A JP10048615 A JP 10048615A JP 4861598 A JP4861598 A JP 4861598A JP H11233400 A JPH11233400 A JP H11233400A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
holding surface
cleaning
grindstone
exposure apparatus
whetstone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10048615A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3441956B2 (ja
Inventor
Kohei Yamada
幸平 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP04861598A priority Critical patent/JP3441956B2/ja
Priority to US09/248,104 priority patent/US6573979B2/en
Publication of JPH11233400A publication Critical patent/JPH11233400A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3441956B2 publication Critical patent/JP3441956B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 作業者の熟練によらず短時間で、装置内の清
浄度を低下させず、またクリーニングのためのメンテナ
ンスエリアを要することなく均質に基板保持面をクリー
ニングできるようにする。 【解決手段】 被露光基板を保持する保持面4aを有す
るチャックと、このチャックを支持するステージ4と、
このステージを移動させる移動手段とを備えた露光装置
において、砥石13を保持して前記保持面に押し付ける
押付け手段14と、前記砥石を前記押付け手段に搬送す
る搬送手段10、12、5とを備え、前記砥石を前記保
持面に押し付けながら前記ステージを移動させることに
より前記保持面をクリーニングする。押付け手段へ搬送
する砥石は、露光装置のチャンバに設けた挿入口から搬
入された収納カセットから取り出す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ等の薄
板状の基板を可動テーブル(ステージ)上に保持し、所
望の処理を施す半導体露光装置、このような露光装置に
おけるウエハチャックの保持面のクリーニング方法、ク
リーニング用砥石、および前記露光装置を用いることが
できるデバイス製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】フォトレジストを塗布した半導体ウエハ
等の薄板状の基板を可動テーブル上に吸着保持し、これ
にレチクルパターンを転写する半導体露光装置では、可
動テーブルの基板保持面に汚れ、ゴミ等が付着すると、
保持した基板を汚染したり、基板保持面との間にゴミを
挟み込んだ基板部分が局所的な変形を生じたりして歩留
りや処理品質を低下させることが知られており、これら
を防止するために定期的に基板保持面をクリーニングす
る必要がある。
【0003】従来、この基板保持面のクリーニングは人
手により、基板保持面に砥石をあててすり合わせたり、
溶剤を染み込ませた清浄な布等で拭いたりしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、人手により基
板保持面を均等にクリーニングするには熟練を要し、作
業する人の技量や作業毎にその品質にばらつきがでると
ともに、その作業に多くの時間を費やし、装置の稼働率
を低下させる。また、装置構造の上でも、クリーニング
のためのメンテナンスエリアを設けるために、装置の床
面積や占有面積が大きくなるという問題がある。さら
に、近年のSMIFに代表されるミニエンバイロメント
環境において、装置の扉を開けて作業すること自体が、
装置内の清浄度を低下させる要因となるため、許されな
くなって来つつある。
【0005】そこで、本発明の目的は、第1に、作業者
の熟練によらず短時間で均質に基板保持面をクリーニン
グできるようにすることにある。また、第2に、装置内
の清浄度を低下させずに基板保持面をクリーニングでき
るようにすることにある。そして、これにより、クリー
ニングのためのメンテナンスエリアを要しない占有面積
の小さな露光装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、被露光基板を保持する保持面を有するチャ
ックと、このチャックを支持するステージと、このステ
ージを移動させる移動手段とを備えた露光装置におい
て、砥石を保持して前記保持面に押し付ける押付け手段
と、前記砥石を前記押付け手段に搬送する搬送手段とを
備え、前記砥石を前記保持面に押し付けながら前記ステ
ージを移動させることにより前記保持面をクリーニング
するようにしている。これによれば、作業者の熟練度に
関係なく、短時間で均質な基板保持面のクリーニングが
行われ、クリーニングのためのメンテナンスエリアも不
要となる。また、砥石の回転を拘束しつつステージの移
動を直線運動または円運動またはその組合せとすること
により、砥石の接触するどの点も砥石に対して同一の相
対速度を有し、これにより保持面全面が均等にクリーニ
ングされる。
【0007】また、本発明のクリーニング方法は、露光
装置におけるウエハチャックの保持面のクリーニング方
法であって、ウエハを搬送するウエハ搬送機構を用いて
クリーニング用砥石を前記保持面に搬送し、前記砥石に
よって前記保持面をクリーニングすることを特徴とす
る。これによれば、砥石用の搬送手段を別に設ける必要
がないため、装置構成が小さくて済み、装置の占有面積
や製造コストの増大が抑えられる。
【0008】また、本発明の別のクリーニング方法は、
露光装置におけるウエハチャックの保持面のクリーニン
グ方法であって、クリーニング用砥石を前記保持面に押
圧し、前記砥石に対してウエハステージを駆動して移動
させることにより前記保持面をクリーニングすることを
特徴とする。これによれば、ウエハステージの移動を直
線運動または円運動またはその組合せとすることによ
り、砥石の接触するどの点も砥石に対して同一の相対速
度を有するため、保持面全面が均等にクリーニングされ
る。
【0009】また、本発明のクリーニング用砥石は、露
光装置におけるウエハチャックの保持面をクリーニング
するためのクリーニング用砥石であって、該砥石のクリ
ーニング面には該砥石を支持する部材と係合する段差部
もしくは穴部が形成されていることを特徴とし、これに
より該砥石の支持をより確実なものとしている。
【0010】また、本発明のデバイス製造方法では、上
述のような本発明の露光装置を用いて、被露光基板を保
持する保持面を必要に応じてクリーニングしながら露光
を行なうことを特徴とする。これによれば、作業者の熟
練度に関係なく、短時間で均質に保持面全面のクリーニ
ングを行いつつ露光が行われる。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態におい
ては、露光装置は被露光基板を前記保持面上に搬送する
搬送用ハンドを有し、砥石の搬送手段は、この搬送用ハ
ンドを用いて前記砥石を搬送する。これにより、砥石専
用の搬送手段を不要としている。
【0012】また砥石の搬送手段は、被露光基板の保持
面に対して突出および埋没が自在な受渡し部材を有し、
保持面から突出した受渡し部材を介して前記押付け手段
との間で砥石の授受を行なう。この受渡し部材は、砥石
の授受に際しては、保持面より上方に突出し、保持面を
クリーニングする際には保持面の下方に埋没する。この
場合、砥石の受渡し部材によって支持される面と保持面
に当接してクリーニングする面との間に段差を設けるの
が好ましい。これにより、受渡し部材による搬送時にお
ける砥石の真空吸着を可能にするとともに、クリーニン
グ終了後の砥石搬送時における受渡し部材等の汚染が防
止される。
【0013】また、砥石を保持面に押し付ける押付け手
段は、保持面に対して砥石を所定の圧力で押圧する押圧
手段を有する。砥石にはそのクリーニング面と反対側に
磁性材料が設けられており、押付け手段は電磁石および
前記磁性材料により砥石の着脱を行なうことができる。
砥石のクリーニング面には凹部の段差が形成されてお
り、前記押付け手段はこの凹部と係合する凸部を有し、
砥石の装着に際しては、凹部と凸部が係合する。前記砥
石に対するステージの移動は直進または回転移動であ
り、これにより、砥石の接触するどの点も砥石に対して
同一の相対速度を有する。
【0014】また、砥石を露光装置内に搬入するための
挿入口を露光装置のチャンバに有する。さらに、砥石の
搬送手段は、収納カセットに砥石を収納した状態で露光
装置内に搬入された収納カセットから砥石を取り出して
前記押付け手段に搬送する。これによれば、露光装置の
カバーを開けることなく砥石が供給回収されるため、装
置内の清浄度を低下させずに保持面がクリーニングさ
れ、外部環境による装置内の清浄度低下が防止される。
【0015】
【実施例】図1および図2は本発明の第1の実施例に係
る露光装置の平面図および正面図である。これらの図に
おいて、1は半導体ウエハ、2は露光装置を支持する除
振マウント、3はマウント2で支持された定盤、4は定
盤3上に設けられた可動テーブル、4aは可動テーブル
4に設けられたウエハ保持面、5はウエハ保持面4aか
ら突き出すことができるように設けられた基板中継ピ
ン、6は露光パターンを投影するための投影レンズ、6
aは投影レンズ6を支持する投影レンズ支持台、7は露
光パターンを有するレチクル、7aはレチクル7を保持
するレチクル保持台、8はレチクル7を照明する照明
系、9はウエハカセット載置台、9aはウエハカセット
載置台上に設けられた砥石カセット位置決めピン、11
はウエハのプリアライメント部、10はウエハカセット
載置台9上のウエハカセットからウエハを取り出してプ
リアライメント部11に搬送するための第1のウエハ搬
送ハンド、12はプリアライメント部11からウエハを
ウエハ保持面4a上に搬送するための第2のウエハ搬送
ハンド、13はウエハ保持面4aをクリーニングするた
めの砥石、14は砥石13をウエハ保持面4a上に押し
付けるための砥石押付け手段、15は装置全体を清浄に
保つためのチャンバである。
【0016】図3(a)および(b)は砥石13の平面
図および断面図である。これらの図に示すように、砥石
13は、クリーニング面20a、搬送保持面20bおよ
び後述する砥石カセットとの間で位置決めするための嵌
合穴20cを有するアルミナセラミック製の下板20
と、砥石押付け手段14に係合し、位置決めするための
位置決め穴21aを有する磁性材料製の上板21とを有
する。ここで、クリーニング面20aと搬送保持面20
bの間には僅かな段差を形成する凹部が3つ設けてあ
り、クリーニング後に、クリーニング面20a上に付着
する汚れが搬送保持面20bに付着しないようになって
いる。
【0017】図4は、砥石13を保持してウエハ保持面
4aと直交する軸に沿って移動するとともに所定の押付
け力で砥石13をウエハ保持面4aに押し付ける砥石押
付け手段14の構造図である。同図に示すように、砥石
押付け手段14は、エアシリンダ30およびそのピスト
ン軸30aと、ピストン軸30aの先端に設けられ、砥
石13に設けた位置決め穴と係合するための嵌合ピン3
1aを有する砥石係合部31と、砥石13を吸着保持す
るための電磁石32とを有し、エアシリンダ30上端に
はピストン軸30aを所定の力で下方に付勢するための
正圧空気導入口30bが設けられ、エアシリンダ30の
内側にはピストン軸30aを上方に付勢するスプリング
30cが取り付けられている。ここでピストン軸30a
は不図示の回転規制手段により回転しないようになって
いる。そして、正圧空気導入口30bから所定圧の空気
を導入することによりピストン軸30aを下方に移動せ
しめて砥石13に所定の押付け力を与え、導入口30b
を大気開放することによりスプリング30cによってピ
ストン軸30aを上方に移動せしめる。また、電磁石3
2に通電することにより砥石13を保持し、非通電する
ことにより砥石13を解放するようになっている。
【0018】図5(a)および(b)は、ウエハカセッ
トを載置するための載置台9上に砥石13を載置するた
めの砥石カセット40の平面図および断面図である。カ
セット40は、砥石13を収納する2段の棚部40aお
よび40bを有し、棚部40aには砥石13上に設けら
れた嵌合穴20cと嵌合して砥石13の位置を決めるピ
ン40cを有し、カセット40の下面にはウエハカセッ
ト載置台9上に設けられた位置決めピン9aと嵌合し、
カセット40の位置を決める嵌合穴40dを有する。
【0019】この構成において、ウエハにレチクルパタ
ーンを転写する際には、まず、不図示のウエハ有無検出
センサによりウエハカセット載置台9上に載置された不
図示のウエハカセット内のウエハ1を検出し、その情報
に基づきウエハカセット載置台9を不図示の昇降手段に
より昇降させて第1の搬送ハンド10によりウエハ1を
ウエハカセットから取り出し、プリアライメント部11
に搬送する。プリアライメント部11では不図示のセン
サによりウエハ1のずれ量を検出し、不図示の位置決め
手段によりウエハ1の位置決めを行なう。プリアライメ
ント部11で位置決めされたウエハ1は第2の搬送ハン
ド12によりウエハ供給位置にある可動テーブル4上に
固定されウエハ保持面4a上方に突き出した基板中継ピ
ン5上に搬送される。基板中継ピン5上に保持されたウ
エハ1は、不図示の基板保持面4a昇降手段により基板
保持面4aが基板中継ピン5より僅かに上に位置するよ
うにして持ち上げることにより、基板保持面4aに保持
される。
【0020】次に、可動テーブル4はウエハ供給位置か
ら第1ショット露光位置に移動し、ウエハ1を投影レン
ズ6の結像面に合わせる。ここで、照明系8により、レ
チクル保持台7a上に保持されたレチクル7を照明し、
投影レンズ6を介してレチクルパターンをウエハ1上に
転写する。以下、あらかじめ定められたショットレイア
ウトに従い可動テーブル4を移動して各ショットの露光
を行なう。すべてのショットの露光が終了すると、可動
テーブル4をウエハ回収位置に移動し、ウエハ保持面4
aを下降する。こうしてウエハ中継ピン5上に支持され
たウエハ1を第1の搬送ハンド10により回収し、不図
示のウエハカセットに収納する。この時、砥石押付け手
段14は上位置にあり上記の動作を妨げないようになっ
ている。
【0021】次に、ウエハ保持面4aをクリーニングす
る場合の動作を図6のフローチャートに従って説明す
る。まず、砥石13を棚部40aに収納した砥石カセッ
ト40をウエハカセット載置台9上に載置し、不図示の
操作パネルからクリーニング開始を指示することにより
クリーニングをスタートする。不図示の前記ウエハ有無
検出センサにより砥石13の有無および載置位置が正常
である(すなわち棚部40aにある)ことを確認する
(ステップS1、S2)。ここで異常が検出されたらオ
ペレータに砥石13を正規位置に置き直すように警告を
発する(ステップS3)。正常であったらウエハカセッ
ト載置台9を不図示の昇降手段により昇降し(ステップ
S4)、第1搬送ハンド10により砥石13を真空吸着
して砥石カセット40から取り出し、ウエハ回収位置に
ある可動テーブル4上の基板中継ピン5へ載置する(ス
テップS5)。
【0022】次に、基板中継ピン5により砥石13を真
空吸着した後、砥石押付け手段14下へ可動テーブル4
を移動する(ステップS6)。ここで、砥石押付け手段
14のシリンダ30へ正圧空気を導入し、ピストン軸3
0aを下方に押し下げ、砥石係合部31と砥石13を係
合し、電磁石32に通電してその磁力により砥石13を
吸着保持する(ステップS7)。そして、不図示の基板
保持面昇降手段により基板保持面4aを基板中継ピン5
より僅かに上になるように持ち上げ(ステップS8)、
砥石13と基板保持面4aが当接した状態で、可動テー
ブル4を直線運動または円運動またはこれらを組合せて
2次元的に移動させ、基板保持面4a全面に均等に砥石
13を当て、クリーニングする(ステップS9)。
【0023】クリーニング終了後、前記砥石係合位置へ
可動テーブル4を移動し(ステップS10)、基板保持
面4aを下降させて砥石13を基板中継ピン5上に真空
吸着させる(ステップS11)。次に電磁石32を非通
電して砥石係合手段31の保持力を失わせた後、シリン
ダ30を大気解放し、砥石係合手段31を上方に移動す
る(ステップS12)。最後に、可動テーブル4を前記
ウエハ回収位置に移動し(ステップS13)、第1搬送
ハンド10により砥石13を砥石カセット40上の棚部
40bに搬送収納してクリーニングを終了する(ステッ
プS13〜S16)。
【0024】ここで、砥石押付け手段14上に設けられ
た砥石13の保持手段である電磁石32はなくてもよい
ようであるが、クリーニング中に砥石押付け手段14の
駆動源である正圧空気がダウンしたときに砥石l3と砥
石係合手段31との係合が外れるのを防止する目的と、
清浄な砥石を常時保持しておき、任意の時にクリーニン
グできるようにするために設けられている。
【0025】次に第2の実施例について説明する。図7
は第2の実施例に係る半導体露光装置の平面図である。
第1の実施例との相違点は、ウエハカセット載置台9が
なく、その代わりにフロントオープンタイプのSMIF
開閉手段50を配している。ウエハの供給はSMIF1
5により行われる。そこで、前記砥石カセット40と同
様な機能を有する砥石支持棚52を内蔵したSMIFボ
ックス51から砥石13を半導体露光装置に供給する。
他の点については、第1の実施例と同様である。
【0026】次に、上述した露光装置を利用することが
できるデバイス製造例について説明する。図8は微小デ
バイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、
CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造の
フローを示す。ステップ1(回路設計)ではデバイスの
パターン設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では
設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、
ステップ3(ウエハ製造)ではシリコンやガラス等の材
料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロ
セス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハ
を用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の
回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程
と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用い
て半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程
(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程
(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)で
はステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テ
スト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を
経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ
7)される。
【0027】図9は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハにレジストを塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光装置または露
光方法によってマスクの回路パターンをウエハの複数の
ショット領域に並べて焼付露光する。ステップ17(現
像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エ
ッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済
んで不要となったレジストを取り除く。これらのステッ
プを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回
路パターンが形成される。
【0028】これによれば、従来は製造が難しかった大
型のデバイスを低コストで製造することができる。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、砥
石押付け手段により砥石を基板の保持面に押し付けなが
らステージにより保持面を移動して保持面をクリーニン
グするようにしたため、保持面において砥石の接触する
どの点も砥石に対して同一の相対速度を有するようにす
ることができ、したがって、作業者の熟練度に関係な
く、保持面全面を均等にクリーニングすることが可能と
なる。さらに、基板の搬送手段や保持面への受渡し部材
により砥石を搬送するようにしたため、基板保持面をク
リーニングするためのメンテナンスエリアを不要とする
とともに装置構成を最小にすることができる。
【0030】また、砥石を露光装置内に搬入するための
挿入口を設け、さらには、この挿入口を介して露光装置
内に搬入された収納カセットから砥石を取り出すように
したため、露光装置のカバーを開けることなく砥石を供
給回収することが可能となり、外部環境による装置内の
清浄度低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施例に係る半導体露光装置
の平面図である。
【図2】 図1の装置の正面図である。
【図3】 図1の装置で用いられる砥石の平面図および
断面図である。
【図4】 図1の装置で用いられる砥石押付け手段の構
造図である。
【図5】 図1の装置で用いられる砥石カセットの平面
図および断面図である。
【図6】 図1の装置によるクリーニング手順のフロー
チャートである。
【図7】 本発明の第2の実施例に係る半導体露光装置
の平面図である。
【図8】 本発明の装置または方法を用いることができ
るデバイス製造例を示すフローチャートである。
【図9】 図8におけるウエハプロセスの詳細なフロー
を示すフローチャートである。
【符号の説明】
1:半導体ウエハ、2:除振マウント、3:定盤、4:
可動テーブル、4a:ウエハ保持面、5:基板中継ピ
ン、6:投影レンズ、6a:投影レンズ支持台、7:レ
チクル、7a:レチクル保持台、8:照明系、9:ウエ
ハカセット載置台、9a:砥石カセット位置決めピン、
10:第1のウエハ搬送ハンド、11:プリアライメン
ト部、12:第2のウエハ搬送ハンド、13:砥石、1
4:砥石押付け手段、15:チャンバ、20:下板、2
0a:クリーニング面、20b:搬送保持面、21:上
板、21a:位置決め穴、30:エアシリンダ、30
a:ピストン軸、30b:導入口、30c:スプリン
グ、31:砥石係合部、31a:嵌合ピン、32:電磁
石、40:砥石カセット、40aおよび40b:2段の
棚部、40d:嵌合穴、50:開閉手段、51:ボック
ス。

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被露光基板を保持する保持面を有するチ
    ャックと、このチャックを支持するステージと、このス
    テージを移動させる移動手段とを備えた露光装置におい
    て、砥石を保持して前記保持面に押し付ける押付け手段
    と、前記砥石を前記押付け手段に搬送する搬送手段とを
    備え、前記砥石を前記保持面に押し付けながら前記ステ
    ージを移動させることにより前記保持面をクリーニング
    することを特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 被露光基板を前記保持面上に搬送する搬
    送用ハンドを有し、前記搬送手段は、この搬送用ハンド
    を用いて前記砥石を搬送するものであることを特徴とす
    る請求項1に記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 前記搬送手段は、前記保持面に対して突
    出および埋没が自在な受渡し部材を有し、前記保持面か
    ら突出した前記受渡し部材を介して前記押付け手段との
    間で前記砥石の授受を行なうものであることを特徴とす
    る請求項1または2に記載の露光装置。
  4. 【請求項4】 前記押付け手段は、前記保持面に対して
    前記砥石を所定の圧力で押圧する押圧手段を有すること
    を特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露
    光装置。
  5. 【請求項5】 前記砥石にはそのクリーニング面と反対
    側に磁性材料が設けられており、前記押付け手段は電磁
    石および前記磁性材料により前記砥石の着脱を行なうも
    のであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1
    項に記載の露光装置。
  6. 【請求項6】 前記砥石には凹部が形成されており、前
    記押付け手段は前記凹部と係合する凸部を有することを
    特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光
    装置。
  7. 【請求項7】 前記砥石に対するステージの移動は直線
    運動または円運動またはその組合せであることを特徴と
    する請求項1乃至6のいずれか1項に記載の露光装置。
  8. 【請求項8】 前記砥石を露光装置内に搬入するための
    挿入口を露光装置のチャンバに有することを特徴とする
    請求項1乃至7のいずれか1項に記載の露光装置。
  9. 【請求項9】 前記搬送手段は、収納カセットに前記砥
    石を収納した状態で露光装置内に搬入された前記収納カ
    セットから前記砥石を取り出して前記押付け手段に搬送
    するものであることを特徴とする請求項8に記載の露光
    装置。
  10. 【請求項10】 露光装置におけるウエハチャックの保
    持面のクリーニング方法であって、ウエハを搬送するウ
    エハ搬送機構を用いてクリーニング用砥石を前記保持面
    に搬送し、前記砥石によって前記保持面をクリーニング
    することを特徴とするウエハチャックのクリーニング方
    法。
  11. 【請求項11】 露光装置におけるウエハチャックの保
    持面のクリーニング方法であって、クリーニング用砥石
    を前記保持面に押圧し、前記砥石に対してウエハステー
    ジを駆動して移動させることにより前記保持面をクリー
    ニングすることを特徴とするウエハチャックのクリーニ
    ング方法。
  12. 【請求項12】 露光装置におけるウエハチャックの保
    持面をクリーニングするためのクリーニング用砥石であ
    って、該砥石のクリーニング面には該砥石を支持する部
    材と係合する段差部もしくは穴部が形成されていること
    を特徴とするクリーニング用砥石。
  13. 【請求項13】 前記支持する部材は、砥石をウエハチ
    ャック保持面に押付けるための押付け手段に設けた嵌合
    ピン、ウエハチャック保持面から突き出した中継ピン、
    砥石を収納する砥石カセットの位置決めピンの少なくと
    もいずれかであることを特徴とする請求項12記載のク
    リーニング用砥石。
  14. 【請求項14】 請求項1乃至9のいずれかの露光装置
    を用い、被露光基板を保持する保持面を必要に応じてク
    リーニングしながら露光を行なうことを特徴とするデバ
    イス製造方法。
  15. 【請求項15】 露光前に露光基板にレジストを塗布す
    る工程と、露光後に露光基板の現像を行なう工程をさら
    に有することを特徴とする請求項14記載のデバイス製
    造方法。
JP04861598A 1998-02-16 1998-02-16 露光装置、クリーニング用砥石およびデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP3441956B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04861598A JP3441956B2 (ja) 1998-02-16 1998-02-16 露光装置、クリーニング用砥石およびデバイス製造方法
US09/248,104 US6573979B2 (en) 1998-02-16 1999-02-11 Cleaning method for use in exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04861598A JP3441956B2 (ja) 1998-02-16 1998-02-16 露光装置、クリーニング用砥石およびデバイス製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11233400A true JPH11233400A (ja) 1999-08-27
JP3441956B2 JP3441956B2 (ja) 2003-09-02

Family

ID=12808329

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04861598A Expired - Fee Related JP3441956B2 (ja) 1998-02-16 1998-02-16 露光装置、クリーニング用砥石およびデバイス製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6573979B2 (ja)
JP (1) JP3441956B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004059714A1 (ja) * 2002-12-26 2004-07-15 Nikon Corporation 研磨装置及び半導体デバイスの製造方法
WO2006070748A1 (ja) * 2004-12-28 2006-07-06 Nikon Corporation メンテナンス方法、露光装置、メンテナンス部材
JP2014138041A (ja) * 2013-01-15 2014-07-28 Canon Inc 処理装置及びデバイスの製造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6631935B1 (en) * 2000-08-04 2003-10-14 Tru-Si Technologies, Inc. Detection and handling of semiconductor wafer and wafer-like objects
JP4086651B2 (ja) * 2002-12-24 2008-05-14 キヤノン株式会社 露光装置及び基板保持装置
JP2004228474A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Canon Inc 原版搬送装置
SG148017A1 (en) * 2003-07-11 2008-12-31 Nitto Denko Corp Transport method and transport apparatus for semiconductor wafer
KR100647366B1 (ko) * 2004-06-11 2006-11-23 주식회사 하이닉스반도체 노광시스템
WO2015134847A1 (en) * 2014-03-07 2015-09-11 Trustees Of Boston University Polarization enhanced interferometric imaging
WO2018224303A1 (en) * 2017-06-08 2018-12-13 Asml Netherlands B.V. A system for cleaning a substrate support, a method of removing matter from a substrate support, and a lithographic apparatus
JP6942562B2 (ja) * 2017-08-25 2021-09-29 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、および物品の製造方法
US11480885B2 (en) * 2018-11-09 2022-10-25 Asml Holding N. V. Apparatus for and method cleaning a support inside a lithography apparatus
JP2022152042A (ja) * 2021-03-29 2022-10-12 株式会社ディスコ 研磨装置
WO2023083582A1 (en) * 2021-11-10 2023-05-19 Asml Netherlands B.V. Utility stage for photolithographic apparatus and method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2868652B2 (ja) 1991-09-24 1999-03-10 キヤノン株式会社 半導体露光装置
JPH05198470A (ja) 1992-01-23 1993-08-06 Canon Inc 半導体露光装置およびそのウエハチャッククリーニング方法
US5559582A (en) 1992-08-28 1996-09-24 Nikon Corporation Exposure apparatus
JPH06115868A (ja) 1992-10-01 1994-04-26 Shinwa Kogyo Kk バラ積用バケット装置
JPH07130637A (ja) 1993-10-29 1995-05-19 Canon Inc 半導体製造装置
JPH07130638A (ja) 1993-10-29 1995-05-19 Canon Inc 半導体製造装置
EP1080797A3 (en) 1994-06-28 2005-10-05 Ebara Corporation Method and apparatus for cleaning workpiece
US5563684A (en) * 1994-11-30 1996-10-08 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Adaptive wafer modulator for placing a selected pattern on a semiconductor wafer
US5825470A (en) 1995-03-14 1998-10-20 Nikon Corporation Exposure apparatus
JP3450584B2 (ja) 1996-04-09 2003-09-29 キヤノン株式会社 半導体露光装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004059714A1 (ja) * 2002-12-26 2004-07-15 Nikon Corporation 研磨装置及び半導体デバイスの製造方法
WO2006070748A1 (ja) * 2004-12-28 2006-07-06 Nikon Corporation メンテナンス方法、露光装置、メンテナンス部材
JP2014138041A (ja) * 2013-01-15 2014-07-28 Canon Inc 処理装置及びデバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6573979B2 (en) 2003-06-03
US20020012112A1 (en) 2002-01-31
JP3441956B2 (ja) 2003-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4700819B2 (ja) 基板保持装置、半導体製造装置および半導体デバイス製造方法
US4924258A (en) Mask holder and a mask conveying and holding mechanism using the same
TWI661505B (zh) Transfer device, transfer method, exposure device, and component manufacturing method
CN107466381B (zh) 物体搬运装置及方法、曝光装置及方法、平板显示器的制造方法、元件制造方法
JP3441956B2 (ja) 露光装置、クリーニング用砥石およびデバイス製造方法
US20080068580A1 (en) Substrate-retaining unit
JPH10116760A (ja) 露光装置及び基板保持装置
KR101061637B1 (ko) 기판의 파티클 제거 방법, 그 장치 및 도포, 현상 장치
JP2008103703A (ja) 基板保持装置、該基板保持装置を備える露光装置、およびデバイス製造方法
JP2920454B2 (ja) 処理装置
JP2003258071A (ja) 基板保持装置及び露光装置
JP2003086543A (ja) 板状物の搬送機構および搬送機構を備えたダイシング装置
JP2001100169A (ja) 基板支持装置および基板処理装置
JPH07130637A (ja) 半導体製造装置
JP2002064057A (ja) 処理装置
JPH09266166A (ja) 露光装置
JP2003289098A (ja) 基板処理装置、基板保持装置、露光方法及び露光装置
JPH11121362A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP2002158277A (ja) 基板ホルダ、基板搬送アーム、露光装置及び基板露光処理装置
JP2000133578A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP2001274078A (ja) 温調装置、デバイス製造装置およびデバイス製造方法
JPH0817896A (ja) 基板搬送装置
JP3427111B2 (ja) 半導体製造装置、および、液晶表示素子製造用装置
JP2004165439A (ja) ステージ装置
JPH0582625A (ja) ウエハ搬送装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080620

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees