JPH1123224A - パターン座標測定方法および装置 - Google Patents
パターン座標測定方法および装置Info
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- JPH1123224A JPH1123224A JP9182774A JP18277497A JPH1123224A JP H1123224 A JPH1123224 A JP H1123224A JP 9182774 A JP9182774 A JP 9182774A JP 18277497 A JP18277497 A JP 18277497A JP H1123224 A JPH1123224 A JP H1123224A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板のパターン座標を測定する方法および装
置において、基板のたわみの影響を除去してパターン座
標を正確に測定する。 【解決手段】 レチクル1をホルダ30を介して水平線
に対して略垂直に載置するためのXYステージ11と、
XYステージ11の側方に配置された検出系23とを備
える。検出系23は、対物レンズ21と、パターンの直
接反射光を検出する受光素子を内蔵した検出光学系22
と、対物レンズ21とステージとの間にX軸Y軸方向に
設置された検出器20a〜20dとを備える。レチクル
1は、XYステージ11上にパターン面1aを側方に向
けて載置される。レーザビームをXYステージ11の側
方からパターン面1a上に集光し、パターンエッジから
の散乱光を検出器20a〜20dによって検出すること
によりレチクル1のパターンを検出する。パターンが検
出されたときのXYステージ11の位置をX軸用干渉計
12aおよびY軸用干渉計12bにより読み取る。
置において、基板のたわみの影響を除去してパターン座
標を正確に測定する。 【解決手段】 レチクル1をホルダ30を介して水平線
に対して略垂直に載置するためのXYステージ11と、
XYステージ11の側方に配置された検出系23とを備
える。検出系23は、対物レンズ21と、パターンの直
接反射光を検出する受光素子を内蔵した検出光学系22
と、対物レンズ21とステージとの間にX軸Y軸方向に
設置された検出器20a〜20dとを備える。レチクル
1は、XYステージ11上にパターン面1aを側方に向
けて載置される。レーザビームをXYステージ11の側
方からパターン面1a上に集光し、パターンエッジから
の散乱光を検出器20a〜20dによって検出すること
によりレチクル1のパターンを検出する。パターンが検
出されたときのXYステージ11の位置をX軸用干渉計
12aおよびY軸用干渉計12bにより読み取る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はレチクル等の基板表
面に形成されたパターンの座標位置を測定するパターン
座標測定方法および装置に関する。
面に形成されたパターンの座標位置を測定するパターン
座標測定方法および装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図8は従来のパターン座標測定装置を示
す図である。図8に示すように従来のパターン座標測定
装置は、レチクル1を載置するためのXYステージ11
と、レチクル1のパターンを検出する検出系23と、X
Yステージ11の位置を検出するためのX軸用干渉計1
2aおよびY軸用干渉計12bとを備える。検出系23
は、XYステージ11の上方に配置され、対物レンズ2
1と、レチクル1のパターンからの直接反射光を検出す
る受光素子を備える検出光学系22と、対物レンズ21
とレチクル1との間の空間にXおよびY軸方向に配設さ
れ、レチクル1のパターンからの散乱光を受光する検出
器20a〜20dとを備える。XYステージ11は不図
示の定盤上に固定され、検出系23および検出器20a
〜20dは定盤上に固定された不図示のフレームに対し
て固定される。このようなパターン座標測定装置におい
て、レチクル1は、XYステージ11上にパターン面1
aを上側に向けて載置される。そして、レーザビームを
パターン面1a上に集光して走査し、パターンエッジか
らの散乱光を検出器20a〜20dにより検出するか、
あるいは、直接反射光を検出光学系22の受光素子で受
光することにより、レチクルのパターンを検出する。あ
るいは、検出光学系22内にCCDカメラを設け、パタ
ーン像をCCDカメラ撮像面上に結像させてパターン像
を表す画像信号を得、この画像信号に対して画像処理を
施すことにより検出する方法も挙げられる。
す図である。図8に示すように従来のパターン座標測定
装置は、レチクル1を載置するためのXYステージ11
と、レチクル1のパターンを検出する検出系23と、X
Yステージ11の位置を検出するためのX軸用干渉計1
2aおよびY軸用干渉計12bとを備える。検出系23
は、XYステージ11の上方に配置され、対物レンズ2
1と、レチクル1のパターンからの直接反射光を検出す
る受光素子を備える検出光学系22と、対物レンズ21
とレチクル1との間の空間にXおよびY軸方向に配設さ
れ、レチクル1のパターンからの散乱光を受光する検出
器20a〜20dとを備える。XYステージ11は不図
示の定盤上に固定され、検出系23および検出器20a
〜20dは定盤上に固定された不図示のフレームに対し
て固定される。このようなパターン座標測定装置におい
て、レチクル1は、XYステージ11上にパターン面1
aを上側に向けて載置される。そして、レーザビームを
パターン面1a上に集光して走査し、パターンエッジか
らの散乱光を検出器20a〜20dにより検出するか、
あるいは、直接反射光を検出光学系22の受光素子で受
光することにより、レチクルのパターンを検出する。あ
るいは、検出光学系22内にCCDカメラを設け、パタ
ーン像をCCDカメラ撮像面上に結像させてパターン像
を表す画像信号を得、この画像信号に対して画像処理を
施すことにより検出する方法も挙げられる。
【0003】そしてこのパターンが検出されたときのX
Yステージ11の位置はX軸用干渉計12aおよびY軸
用干渉計12bにより読み取られる。このようにして、
検出系23により検出されたパターン情報と、干渉計1
2a,12bにより読み取られたXYステージ11の位
置の情報とから、レチクル1上の複数のパターン座標を
測定する。
Yステージ11の位置はX軸用干渉計12aおよびY軸
用干渉計12bにより読み取られる。このようにして、
検出系23により検出されたパターン情報と、干渉計1
2a,12bにより読み取られたXYステージ11の位
置の情報とから、レチクル1上の複数のパターン座標を
測定する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たパターン座標測定装置において、レチクルをXYステ
ージ上に載置する際、レチクルは自重によりたわむた
め、このたわみの影響によりパターン面が伸縮し、これ
によりパターン座標測定の際に誤差が生じることとな
る。
たパターン座標測定装置において、レチクルをXYステ
ージ上に載置する際、レチクルは自重によりたわむた
め、このたわみの影響によりパターン面が伸縮し、これ
によりパターン座標測定の際に誤差が生じることとな
る。
【0005】したがって、たわみの影響が除去されたパ
ターン座標を得るためには、レチクルの自重によるたわ
み量を構造解析などにより算出し、この算出結果を用い
て測定されたパターン座標を補正する必要がある。しか
しながら、レチクルのたわみ量は、レチクルの大きさ、
厚さ、材質などにより異なるため、測定するレチクルに
対応した種々の補正値を用意する必要があり、装置のシ
ステムが複雑になるという問題がある。
ターン座標を得るためには、レチクルの自重によるたわ
み量を構造解析などにより算出し、この算出結果を用い
て測定されたパターン座標を補正する必要がある。しか
しながら、レチクルのたわみ量は、レチクルの大きさ、
厚さ、材質などにより異なるため、測定するレチクルに
対応した種々の補正値を用意する必要があり、装置のシ
ステムが複雑になるという問題がある。
【0006】本発明の目的は、レチクルなどの基板のパ
ターン座標を測定する際に、レチクルのたわみの影響を
除去してパターン座標の測定誤差を最小限に抑制するこ
とができるパターン座標測定方法および装置を提供する
ことにある。
ターン座標を測定する際に、レチクルのたわみの影響を
除去してパターン座標の測定誤差を最小限に抑制するこ
とができるパターン座標測定方法および装置を提供する
ことにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】一実施の形態を示す図1
を参照して説明すると、請求項1の発明は、表面にパタ
ーンが形成された基板1を載置台11に載置し、載置さ
れた基板1のパターンをパターン検出部23によって検
出することによりパターンの座標を測定する方法に適用
され、基板1のパターン面1aが水平線に対して略垂直
となるように載置台11に基板1を載置してパターン検
出部23によりパターンを検出することにより上記目的
を達成する。
を参照して説明すると、請求項1の発明は、表面にパタ
ーンが形成された基板1を載置台11に載置し、載置さ
れた基板1のパターンをパターン検出部23によって検
出することによりパターンの座標を測定する方法に適用
され、基板1のパターン面1aが水平線に対して略垂直
となるように載置台11に基板1を載置してパターン検
出部23によりパターンを検出することにより上記目的
を達成する。
【0008】請求項2の発明は、載置台がXYステージ
11であり、XYステージ11の側方に配置されたパタ
ーン検出部23によりパターンを検出し、そのパターン
検出時にXYステージ11の位置を検出することにより
パターンの座標を測定するものである。
11であり、XYステージ11の側方に配置されたパタ
ーン検出部23によりパターンを検出し、そのパターン
検出時にXYステージ11の位置を検出することにより
パターンの座標を測定するものである。
【0009】図4を参照して説明すると、請求項3の発
明は、載置台の側方に配設されたXYステージ11にパ
ターン検出部23が載置され、パターン検出部23によ
りパターンを検出し、そのパターン検出時にXYステー
ジ11の位置を検出することによりパターンの座標を測
定するものである。
明は、載置台の側方に配設されたXYステージ11にパ
ターン検出部23が載置され、パターン検出部23によ
りパターンを検出し、そのパターン検出時にXYステー
ジ11の位置を検出することによりパターンの座標を測
定するものである。
【0010】図7を参照して説明すると、請求項4の発
明は、表面にパターンが形成された基板1をXステージ
11aにおいてパターン面1aが水平線に対して略垂直
となるように載置し、Xステージ11aの側方に配設さ
れたYステージ11bに設置されたパターン検出部23
によりパターンを検出し、パターン検出部23によるパ
ターン検出時にXステージ11aおよびYステージ11
bの位置を検出することによりパターンの座標を測定す
ることにより上記目的を達成する。
明は、表面にパターンが形成された基板1をXステージ
11aにおいてパターン面1aが水平線に対して略垂直
となるように載置し、Xステージ11aの側方に配設さ
れたYステージ11bに設置されたパターン検出部23
によりパターンを検出し、パターン検出部23によるパ
ターン検出時にXステージ11aおよびYステージ11
bの位置を検出することによりパターンの座標を測定す
ることにより上記目的を達成する。
【0011】図1を参照して説明すると、請求項5の発
明は、表面にパターンが形成された基板1をそのパター
ン面1aが水平線に対して略垂直となるように載置する
XYステージ11と、XYステージ11の側方に設置さ
れてパターンを検出するパターン検出部23と、XYス
テージ11の位置を検出する位置検出部12a,12b
とを具備し、パターン検出部23によるパターンの検出
時に位置検出部12a,12bによりXYステージ11
の位置を検出することによってパターンの座標を測定す
ることにより上記目的を達成する。
明は、表面にパターンが形成された基板1をそのパター
ン面1aが水平線に対して略垂直となるように載置する
XYステージ11と、XYステージ11の側方に設置さ
れてパターンを検出するパターン検出部23と、XYス
テージ11の位置を検出する位置検出部12a,12b
とを具備し、パターン検出部23によるパターンの検出
時に位置検出部12a,12bによりXYステージ11
の位置を検出することによってパターンの座標を測定す
ることにより上記目的を達成する。
【0012】図4を参照して説明すると、請求項6の発
明は、表面にパターンが形成された基板1をそのパター
ン面1aが水平線に対して略垂直となるように載置する
載置台と、載置台の側方に設けられたXYステージ11
と、XYステージ11に設置されてパターンを検出する
パターン検出部23と、XYステージ11の位置を検出
する位置検出部12a,12bとを具備し、パターン検
出部23によるパターンの検出時に位置検出部12a,
12bによりXYステージ11の位置を検出することに
よってパターンの座標を測定することにより上記目的を
達成する。
明は、表面にパターンが形成された基板1をそのパター
ン面1aが水平線に対して略垂直となるように載置する
載置台と、載置台の側方に設けられたXYステージ11
と、XYステージ11に設置されてパターンを検出する
パターン検出部23と、XYステージ11の位置を検出
する位置検出部12a,12bとを具備し、パターン検
出部23によるパターンの検出時に位置検出部12a,
12bによりXYステージ11の位置を検出することに
よってパターンの座標を測定することにより上記目的を
達成する。
【0013】図7を参照して説明すると、請求項7の発
明は、表面にパターンが形成された基板1をそのパター
ン面1aが水平線に対して略垂直となるように載置する
Xステージ11aと、Xステージ11aの側方に設けら
れたYステージ11bと、Yステージ11bに載置され
てパターンを検出するパターン検出部23と、Xステー
ジ11aおよびYステージ11bの位置をそれぞれ検出
する位置検出部12a,12bとを具備し、パターン検
出部23によるパターンの検出時に位置検出部12a,
12bによりXステージ11aおよびYステージ11b
の位置を検出することによってパターンの座標を測定す
ることにより上記目的を達成する。
明は、表面にパターンが形成された基板1をそのパター
ン面1aが水平線に対して略垂直となるように載置する
Xステージ11aと、Xステージ11aの側方に設けら
れたYステージ11bと、Yステージ11bに載置され
てパターンを検出するパターン検出部23と、Xステー
ジ11aおよびYステージ11bの位置をそれぞれ検出
する位置検出部12a,12bとを具備し、パターン検
出部23によるパターンの検出時に位置検出部12a,
12bによりXステージ11aおよびYステージ11b
の位置を検出することによってパターンの座標を測定す
ることにより上記目的を達成する。
【0014】請求項8の発明は、請求項5〜7のいずれ
か1項に記載の測定装置において、基板1の重力方向下
の水平辺とその水平辺に隣接する垂直辺がそれぞれ押圧
される位置決め部材3A,3Bと、位置決め部材3A,
3Bに基板1を押圧部材3C,3Dを介して押圧する付
勢部材4A,4Bとを備え、位置決め部材3A,3Bと
押圧部材3C,3Dに、基板1の表面側のエッジと当接
してその基板1をステージ側に押圧する傾斜面SPを形
成したものである。
か1項に記載の測定装置において、基板1の重力方向下
の水平辺とその水平辺に隣接する垂直辺がそれぞれ押圧
される位置決め部材3A,3Bと、位置決め部材3A,
3Bに基板1を押圧部材3C,3Dを介して押圧する付
勢部材4A,4Bとを備え、位置決め部材3A,3Bと
押圧部材3C,3Dに、基板1の表面側のエッジと当接
してその基板1をステージ側に押圧する傾斜面SPを形
成したものである。
【0015】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
【0016】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態について説明する。図1は本発明によるパターン
座標測定方法の第1の実施の形態によるパターン座標測
定装置を示す斜視図である。なお、図1では図2
(a),(b)に詳細を示すホルダの図示を省略してい
る。図1に示すように本発明の第1の実施の形態による
パターン座標測定装置は、レチクル1を水平線に対して
垂直となるようにホルダ30(図2(a),(b))を
介して載置するためのXYステージ11と、XYステー
ジ11の側方に配置され、レチクル1のパターンを検出
するための検出系23と、XYステージ11の位置を検
出するためのX軸用干渉計12aおよびY軸用干渉計1
2bとを備える。検出系23は、対物レンズ21と、レ
チクル1のパターンからの直接反射光を受光する受光素
子を備えた検出光学系22と、対物レンズ21とXYス
テージ11との間の空間においてXおよびY軸方向にそ
れぞれ設けられ、レチクル1のパターンからの散乱光を
検出する検出器20a〜20dとを備える。干渉計12
a,12bは、レーザビームをステージ11上のミラー
14X,14Yに向けて照射し、その反射光を受光して
位置を検出するものである。検出系23と検出器20a
〜20dは不図示の定盤上に固定され、XYステージ1
1の非可動部は定盤上に固定された不図示のフレームに
対して固定される。
の形態について説明する。図1は本発明によるパターン
座標測定方法の第1の実施の形態によるパターン座標測
定装置を示す斜視図である。なお、図1では図2
(a),(b)に詳細を示すホルダの図示を省略してい
る。図1に示すように本発明の第1の実施の形態による
パターン座標測定装置は、レチクル1を水平線に対して
垂直となるようにホルダ30(図2(a),(b))を
介して載置するためのXYステージ11と、XYステー
ジ11の側方に配置され、レチクル1のパターンを検出
するための検出系23と、XYステージ11の位置を検
出するためのX軸用干渉計12aおよびY軸用干渉計1
2bとを備える。検出系23は、対物レンズ21と、レ
チクル1のパターンからの直接反射光を受光する受光素
子を備えた検出光学系22と、対物レンズ21とXYス
テージ11との間の空間においてXおよびY軸方向にそ
れぞれ設けられ、レチクル1のパターンからの散乱光を
検出する検出器20a〜20dとを備える。干渉計12
a,12bは、レーザビームをステージ11上のミラー
14X,14Yに向けて照射し、その反射光を受光して
位置を検出するものである。検出系23と検出器20a
〜20dは不図示の定盤上に固定され、XYステージ1
1の非可動部は定盤上に固定された不図示のフレームに
対して固定される。
【0017】このようなパターン座標測定装置におい
て、レチクル1は、XYステージ11においてパターン
面1aを検出系23に向けて水平線に対して垂直となる
ように、図2(a),(b)に示すようにホルダ30を
介して載置される。ホルダ30は図示しない締結装置に
よりXYステージ11に設置される。ホルダ30にはレ
チクル保持装置が設けられ、この保持装置は、レチクル
1の底辺と一方の側辺の位置決めを行うための位置決め
部材3A,3Bと、レチクル1の上辺を位置決め部材3
Aに向けて押圧部材3Cを介して押圧するためのばね4
Aと、他方の側辺を位置決め部材3Bに向けて押圧部材
3Dを介して押圧するためのばね4Bとを備える。ホル
ダ30は、ばね4A,4Bによりレチクル1を位置決め
部材3A,3Bに押圧して位置決めを行いつつ、測定中
に位置ずれが生じないようにレチクル1を保持する。な
お、押圧部材3C,3Dはレチクル1を垂直に押動する
ようにホルダ30に設けられたガイド孔にそれぞれガイ
ドされる。
て、レチクル1は、XYステージ11においてパターン
面1aを検出系23に向けて水平線に対して垂直となる
ように、図2(a),(b)に示すようにホルダ30を
介して載置される。ホルダ30は図示しない締結装置に
よりXYステージ11に設置される。ホルダ30にはレ
チクル保持装置が設けられ、この保持装置は、レチクル
1の底辺と一方の側辺の位置決めを行うための位置決め
部材3A,3Bと、レチクル1の上辺を位置決め部材3
Aに向けて押圧部材3Cを介して押圧するためのばね4
Aと、他方の側辺を位置決め部材3Bに向けて押圧部材
3Dを介して押圧するためのばね4Bとを備える。ホル
ダ30は、ばね4A,4Bによりレチクル1を位置決め
部材3A,3Bに押圧して位置決めを行いつつ、測定中
に位置ずれが生じないようにレチクル1を保持する。な
お、押圧部材3C,3Dはレチクル1を垂直に押動する
ようにホルダ30に設けられたガイド孔にそれぞれガイ
ドされる。
【0018】位置決め部材3Aおよび3Bと押圧部材3
Cと3Dは、図2(b)に示すとおり傾斜面SPをそれ
ぞれ有し、その傾斜面SPでレチクル1の表面のエッジ
を押圧してレチクル1をXYステージ11に押圧する。
なお、図3(a),(b)に示すように、XYステージ
11上に固定されるホルダ30に真空吸着パッドを設
け、測定中にレチクル1が垂直方向に対して倒れないよ
うに、レチクル1をホルダ40に真空吸着してもよい。
この場合、位置決め部材3A,3Bと押圧部材3C,3
Dには図2(a),(b)のような傾斜部SPを設ける
必要はない。
Cと3Dは、図2(b)に示すとおり傾斜面SPをそれ
ぞれ有し、その傾斜面SPでレチクル1の表面のエッジ
を押圧してレチクル1をXYステージ11に押圧する。
なお、図3(a),(b)に示すように、XYステージ
11上に固定されるホルダ30に真空吸着パッドを設
け、測定中にレチクル1が垂直方向に対して倒れないよ
うに、レチクル1をホルダ40に真空吸着してもよい。
この場合、位置決め部材3A,3Bと押圧部材3C,3
Dには図2(a),(b)のような傾斜部SPを設ける
必要はない。
【0019】そして、水平方向に投影されるレーザビー
ムをXYステージ11の側方からパターン面1a上に集
光しつつXYステージ11を移動してパターン面1a上
をレーザビームにより走査し、パターンエッジからの散
乱光を検出器20a〜20dで検出したり、もしくは反
射光を検出系23の受光素子で検出することによりレチ
クル1のパターンを検出する。
ムをXYステージ11の側方からパターン面1a上に集
光しつつXYステージ11を移動してパターン面1a上
をレーザビームにより走査し、パターンエッジからの散
乱光を検出器20a〜20dで検出したり、もしくは反
射光を検出系23の受光素子で検出することによりレチ
クル1のパターンを検出する。
【0020】そしてこのパターンが検出されたときのX
Yステージ11の位置はX軸用干渉計12aおよびY軸
用干渉計12bにより読み取られる。このようにして、
検出系23により検出されたパターン情報と、干渉計1
2a,12bにより読み取られたXYステージ11の位
置の情報とから、レチクル1上の複数のパターン座標を
測定することが可能である。
Yステージ11の位置はX軸用干渉計12aおよびY軸
用干渉計12bにより読み取られる。このようにして、
検出系23により検出されたパターン情報と、干渉計1
2a,12bにより読み取られたXYステージ11の位
置の情報とから、レチクル1上の複数のパターン座標を
測定することが可能である。
【0021】このように、本発明によるパターン座標測
定方法は、レチクル1を水平線に対して垂直となるよう
に載置したため、レチクル1には重力によるたわみは生
じることがなくなる。したがって、本発明によるパター
ン座標測定方法により、レチクル1のたわみの影響によ
る誤差をなくして、パターン座標を正確に測定すること
ができる。
定方法は、レチクル1を水平線に対して垂直となるよう
に載置したため、レチクル1には重力によるたわみは生
じることがなくなる。したがって、本発明によるパター
ン座標測定方法により、レチクル1のたわみの影響によ
る誤差をなくして、パターン座標を正確に測定すること
ができる。
【0022】次いで、本発明によるパターン座標測定方
法の第2の実施の形態について説明する。図4は本発明
によるパターン座標測定方法の第2の実施の形態による
パターン座標測定装置を示す斜視図である。なお、図4
では図5(a),(b)に詳細を示すレチクル保持装置
の図示を省略している。図4に示すように本発明の第2
の実施の形態によるパターン座標測定装置は、レチクル
1を水平線に対して垂直となるように保持するためのホ
ルダ30と、ホルダ30の側方に配置され、レチクル1
のパターンを検出するための検出系23と、検出系23
が固定されたXYステージ11と、XYステージ11の
位置を検出するためのX軸用干渉計12aおよびY軸用
干渉計12bとを備える。検出系23はXYステージ1
1と一体に移動するように設置され、対物レンズ21
と、レチクル1のパターンからの直接反射光を受光する
受光素子を備えた検出光学系22と、対物レンズ21と
ホルダ30との間の空間においてXおよびY軸方向にそ
れぞれ設けられ、レチクル1のパターンからの散乱光を
検出する検出器20a〜20dとを備える。XYステー
ジ11は不図示の定盤上に水平線に対して垂直となるよ
うにその非可動部が固定され、ホルダ30は定盤上に固
定された不図示のフレームに対して水平線に対して垂直
となるように固定される。そして、図5(a),(b)
に示すように、レチクル1は図2(a),(b)に示し
たと同様の位置決め部材3A,3Bと、押圧部材3C,
3Dと、ばね4A,4Bと同様な押さえ機構によってホ
ルダ30上に保持される。図6(a),(b)のように
ホルダ30に真空吸着パッドを設けて真空吸着してもよ
い。
法の第2の実施の形態について説明する。図4は本発明
によるパターン座標測定方法の第2の実施の形態による
パターン座標測定装置を示す斜視図である。なお、図4
では図5(a),(b)に詳細を示すレチクル保持装置
の図示を省略している。図4に示すように本発明の第2
の実施の形態によるパターン座標測定装置は、レチクル
1を水平線に対して垂直となるように保持するためのホ
ルダ30と、ホルダ30の側方に配置され、レチクル1
のパターンを検出するための検出系23と、検出系23
が固定されたXYステージ11と、XYステージ11の
位置を検出するためのX軸用干渉計12aおよびY軸用
干渉計12bとを備える。検出系23はXYステージ1
1と一体に移動するように設置され、対物レンズ21
と、レチクル1のパターンからの直接反射光を受光する
受光素子を備えた検出光学系22と、対物レンズ21と
ホルダ30との間の空間においてXおよびY軸方向にそ
れぞれ設けられ、レチクル1のパターンからの散乱光を
検出する検出器20a〜20dとを備える。XYステー
ジ11は不図示の定盤上に水平線に対して垂直となるよ
うにその非可動部が固定され、ホルダ30は定盤上に固
定された不図示のフレームに対して水平線に対して垂直
となるように固定される。そして、図5(a),(b)
に示すように、レチクル1は図2(a),(b)に示し
たと同様の位置決め部材3A,3Bと、押圧部材3C,
3Dと、ばね4A,4Bと同様な押さえ機構によってホ
ルダ30上に保持される。図6(a),(b)のように
ホルダ30に真空吸着パッドを設けて真空吸着してもよ
い。
【0023】このようなパターン座標測定装置におい
て、レチクル1は、ホルダ30においてパターン面1a
を検出系23に向けて上記第1の実施の形態と同様に載
置される。そして、光源から水平方向に投射したレーザ
ビームをホルダ30の側方からパターン面1a上に集光
しつつXYステージ11を移動してパターン面1a上を
レーザビームにより走査し、パターンエッジからの散乱
光を検出器20a〜20dで検出するか、あるいは、パ
ターンからの直接反射光を検出光学系22の受光素子で
検出することによりレチクル1のパターンを検出する。
て、レチクル1は、ホルダ30においてパターン面1a
を検出系23に向けて上記第1の実施の形態と同様に載
置される。そして、光源から水平方向に投射したレーザ
ビームをホルダ30の側方からパターン面1a上に集光
しつつXYステージ11を移動してパターン面1a上を
レーザビームにより走査し、パターンエッジからの散乱
光を検出器20a〜20dで検出するか、あるいは、パ
ターンからの直接反射光を検出光学系22の受光素子で
検出することによりレチクル1のパターンを検出する。
【0024】そしてこのパターンが検出されたときのX
Yステージ11の位置はX軸用干渉計12aおよびY軸
用干渉計12bにより読み取られる。このようにして、
検出系23により検出されたパターン情報と、干渉計1
2a,12bにより読み取られたXYステージ11の位
置の情報とから、レチクル1上の複数のパターン座標を
測定することが可能である。
Yステージ11の位置はX軸用干渉計12aおよびY軸
用干渉計12bにより読み取られる。このようにして、
検出系23により検出されたパターン情報と、干渉計1
2a,12bにより読み取られたXYステージ11の位
置の情報とから、レチクル1上の複数のパターン座標を
測定することが可能である。
【0025】次いで、本発明によるパターン座標測定方
法の第3の実施の形態について説明する。図7は本発明
によるパターン座標測定方法の第3の実施の形態による
パターン座標測定装置を示す斜視図である。図7に示す
測定装置においても図2(a),(b)に示したホルダ
30でレチクル1がステージ上に保持されるが、図7で
はホルダ30の図示を省略している。図7に示すように
本発明の第3の実施の形態によるパターン座標測定装置
は、レチクル1をホルダ30を介して水平線に対して垂
直に載置するためのXステージ11aと、Xステージ1
1aの側方に配置され、レチクル1のパターンを検出す
るための検出系23と、検出系23が固定されたYステ
ージ11bと、Xステージ11aの位置を検出するため
のX軸用干渉計12aと、Yステージ11bの位置を検
出するためのY軸用干渉計12bとを備える。検出系2
3はYステージ11bと一体に移動するように設置さ
れ、対物レンズ21と、レチクル1のパターンからの直
接反射光を受光する受光素子を備えた検出光学系22
と、対物レンズ21とXステージ11aとの間の空間に
おいてXおよびY軸方向にそれぞれ設けられ、レチクル
1のパターンからの散乱光を検出する検出器20a〜2
0dとを備える。Yステージ11bの非可動部は不図示
の定盤上において水平線に対して垂直に固定され、Xス
テージ11aの非可動部は定盤上に固定された不図示の
フレームに対して水平線に対して垂直に固定される。
法の第3の実施の形態について説明する。図7は本発明
によるパターン座標測定方法の第3の実施の形態による
パターン座標測定装置を示す斜視図である。図7に示す
測定装置においても図2(a),(b)に示したホルダ
30でレチクル1がステージ上に保持されるが、図7で
はホルダ30の図示を省略している。図7に示すように
本発明の第3の実施の形態によるパターン座標測定装置
は、レチクル1をホルダ30を介して水平線に対して垂
直に載置するためのXステージ11aと、Xステージ1
1aの側方に配置され、レチクル1のパターンを検出す
るための検出系23と、検出系23が固定されたYステ
ージ11bと、Xステージ11aの位置を検出するため
のX軸用干渉計12aと、Yステージ11bの位置を検
出するためのY軸用干渉計12bとを備える。検出系2
3はYステージ11bと一体に移動するように設置さ
れ、対物レンズ21と、レチクル1のパターンからの直
接反射光を受光する受光素子を備えた検出光学系22
と、対物レンズ21とXステージ11aとの間の空間に
おいてXおよびY軸方向にそれぞれ設けられ、レチクル
1のパターンからの散乱光を検出する検出器20a〜2
0dとを備える。Yステージ11bの非可動部は不図示
の定盤上において水平線に対して垂直に固定され、Xス
テージ11aの非可動部は定盤上に固定された不図示の
フレームに対して水平線に対して垂直に固定される。
【0026】このようなパターン座標測定装置におい
て、レチクル1は、Xステージ11a上にパターン面1
aを検出系23に向けて上記第1の実施の形態と同様に
ホルダ30を介して載置される。そして、光源から水平
方向に投射されるレーザビームをXステージ11aの側
方からパターン面1a上に集光しつつXステージ11a
およびYステージ11bを移動してパターン面1a上を
レーザビームにより走査し、パターンエッジからの散乱
光を検出器20a〜20で検出するか、あるいは、パタ
ーンからの直接反射光を検出光学系22の受光素子で検
出することによりレチクル1のパターンを検出する。
て、レチクル1は、Xステージ11a上にパターン面1
aを検出系23に向けて上記第1の実施の形態と同様に
ホルダ30を介して載置される。そして、光源から水平
方向に投射されるレーザビームをXステージ11aの側
方からパターン面1a上に集光しつつXステージ11a
およびYステージ11bを移動してパターン面1a上を
レーザビームにより走査し、パターンエッジからの散乱
光を検出器20a〜20で検出するか、あるいは、パタ
ーンからの直接反射光を検出光学系22の受光素子で検
出することによりレチクル1のパターンを検出する。
【0027】そしてこのパターンが検出されたときのX
ステージ11aの位置はX軸用干渉計12aにより、Y
ステージ11bの位置はY軸用干渉計12bにより読み
取られる。このようにして、検出系23により検出され
たパターン情報と、干渉計12a,12bにより読み取
られたXステージ11aおよびYステージ11bの位置
の情報とから、レチクル1上の複数のパターン座標を測
定することが可能である。
ステージ11aの位置はX軸用干渉計12aにより、Y
ステージ11bの位置はY軸用干渉計12bにより読み
取られる。このようにして、検出系23により検出され
たパターン情報と、干渉計12a,12bにより読み取
られたXステージ11aおよびYステージ11bの位置
の情報とから、レチクル1上の複数のパターン座標を測
定することが可能である。
【0028】なお、本発明の第3の実施の形態において
は、Xステージ11aにホルダ30を介してレチクル1
を載置し、検出系23をYステージ11bに固定するよ
うにしているが、Xステージ11aおよびYステージ1
1bの位置関係を逆、すなわちXステージ11aに検出
系23を固定し、Yステージ11bにホルダ30を介し
てレチクル1を載置するようにしてもよい。
は、Xステージ11aにホルダ30を介してレチクル1
を載置し、検出系23をYステージ11bに固定するよ
うにしているが、Xステージ11aおよびYステージ1
1bの位置関係を逆、すなわちXステージ11aに検出
系23を固定し、Yステージ11bにホルダ30を介し
てレチクル1を載置するようにしてもよい。
【0029】なお、上記各実施の形態においては、レー
ザビームをパターン面1a上に集光し、パターンエッジ
からの散乱光を検出器20a〜20で検出したり、ある
いはパターンからの直接反射光を検出光学系22の受光
素子で検出することによりレチクル1のパターンを検出
するようにしているが、検出光学系22にCCDカメラ
を設け、パターン像をCCDカメラ撮像面上に結像させ
てパターン像を表す画像信号を得、この画像信号に対し
て画像処理を施すことにより検出する方法によりパター
ンを検出するようにしてもよい。さらに、その他の任意
のパターン検出方法を用いてもよい。
ザビームをパターン面1a上に集光し、パターンエッジ
からの散乱光を検出器20a〜20で検出したり、ある
いはパターンからの直接反射光を検出光学系22の受光
素子で検出することによりレチクル1のパターンを検出
するようにしているが、検出光学系22にCCDカメラ
を設け、パターン像をCCDカメラ撮像面上に結像させ
てパターン像を表す画像信号を得、この画像信号に対し
て画像処理を施すことにより検出する方法によりパター
ンを検出するようにしてもよい。さらに、その他の任意
のパターン検出方法を用いてもよい。
【0030】以上実施の形態と請求項との対応におい
て、レチクル1が基板を、XYステージ11およびXス
テージ11aが載置台を、検出系23がパターン検出部
を、X軸用干渉計12aおよびY軸用干渉計12bが位
置検出部をそれぞれ構成する。
て、レチクル1が基板を、XYステージ11およびXス
テージ11aが載置台を、検出系23がパターン検出部
を、X軸用干渉計12aおよびY軸用干渉計12bが位
置検出部をそれぞれ構成する。
【0031】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
るパターン座標測定方法および装置は、レチクルなどの
基板のパターン面を水平線に対して略垂直となるように
載置してパターン座標を測定するようにしたため、基板
が重力でたわむことがなくなる。したがって、測定され
たパターンの座標値は、基板の重力によるたわみの影響
が除去されたものとなり、これによりパターンの座標値
を正確に測定することができる。
るパターン座標測定方法および装置は、レチクルなどの
基板のパターン面を水平線に対して略垂直となるように
載置してパターン座標を測定するようにしたため、基板
が重力でたわむことがなくなる。したがって、測定され
たパターンの座標値は、基板の重力によるたわみの影響
が除去されたものとなり、これによりパターンの座標値
を正確に測定することができる。
【図1】本発明の第1の実施の形態によるパターン座標
測定装置の斜視図
測定装置の斜視図
【図2】レチクルをステージ上に載置するホルダを示す
図であり、(a)は上面図、(b)は側面図
図であり、(a)は上面図、(b)は側面図
【図3】レチクルをステージ上に載置するホルダの他の
例を示す図であり、(a)は上面図、(b)は側面図
例を示す図であり、(a)は上面図、(b)は側面図
【図4】本発明の第2の実施の形態によるパターン座標
測定装置の斜視図
測定装置の斜視図
【図5】レチクルを保持するホルダを示す図であり、
(a)は上面図、(b)は側面図
(a)は上面図、(b)は側面図
【図6】レチクルを保持するホルダの他の例を示す図で
あり、(a)は上面図、(b)は側面図
あり、(a)は上面図、(b)は側面図
【図7】本発明の第3の実施の形態によるパターン座標
測定装置の斜視図
測定装置の斜視図
【図8】従来のパターン座標測定装置の斜視図
1 レチクル(基板) 1a パターン面 3A,3B 位置決め部材 3C,3D 押圧部材 4A,4B ばね 11 XYステージ 11a Xステージ 11b Yステージ 12a,12b 干渉計 14X,14Y ミラー 20a〜20d 検出器 21 対物レンズ 22 検出光学系 23 検出系 30 ホルダ
Claims (8)
- 【請求項1】 表面にパターンが形成された基板を載置
台に載置し、前記載置された基板のパターンをパターン
検出器によって検出することにより前記パターンの座標
を測定する方法において、 前記基板のパターン面が水平線に対して略垂直となるよ
うに前記基板を前記載置台に載置して前記パターン検出
部により前記パターンを検出することを特徴とするパタ
ーン座標測定方法。 - 【請求項2】 前記載置台がXYステージであり、前記
XYステージの側方に配置された前記パターン検出部に
より前記パターンを検出し、そのパターン検出時に前記
XYステージの位置を検出することにより前記パターン
の座標を測定することを特徴とする請求項1記載のパタ
ーン座標測定方法。 - 【請求項3】 前記載置台の側方に配設されたXYステ
ージに前記パターン検出部が載置され、前記パターン検
出部により前記パターンを検出し、そのパターン検出時
に前記XYステージの位置を検出することにより前記パ
ターンの座標を測定することを特徴とする請求項1記載
のパターン座標測定方法。 - 【請求項4】 表面にパターンが形成された基板をXス
テージにおいて前記パターン面が水平線に対して略垂直
となるように載置し、前記Xステージの側方に配設され
たYステージに設置されたパターン検出部により前記パ
ターンを検出し、前記パターン検出部によるパターン検
出時に前記Xステージおよび前記Yステージの位置を検
出することにより前記パターンの座標を測定することを
特徴とするパターン座標測定方法。 - 【請求項5】 表面にパターンが形成された基板をその
パターン面が水平線に対して略垂直となるように載置す
るXYステージと、 前記XYステージの側方に設置されて前記パターンを検
出するパターン検出部と、 前記XYステージの位置を検出する位置検出部とを具備
し、 前記パターン検出部による前記パターンの検出時に前記
位置検出部により前記XYステージの位置を検出するこ
とによって前記パターンの座標を測定することを特徴と
するパターン座標測定装置。 - 【請求項6】 表面にパターンが形成された基板をその
パターン面が水平線に対して略垂直となるように載置す
る載置台と、 該載置台の側方に設けられたXYステージと、 該XYステージに設置されて前記パターンを検出するパ
ターン検出部と、 前記XYステージの位置を検出する位置検出部とを具備
し、 前記パターン検出部による前記パターンの検出時に前記
位置検出部により前記XYステージの位置を検出するこ
とによって前記パターンの座標を測定することを特徴と
するパターン座標測定装置。 - 【請求項7】 表面にパターンが形成された基板をその
パターン面が水平線に対して略垂直となるように載置す
るXステージと、 該Xステージの側方に設けられたYステージと、 該Yステージに載置されて前記パターンを検出するパタ
ーン検出部と、 前記Xステージおよび前記Yステージの位置をそれぞれ
検出する位置検出部とを具備し、 前記パターン検出部による前記パターンの検出時に前記
位置検出部により前記Xステージおよび前記Yステージ
の位置を検出することによって前記パターンの座標を測
定することを特徴とするパターン座標測定装置。 - 【請求項8】 前記基板の重力方向下の水平辺とその水
平辺に隣接する垂直辺とがそれぞれ押圧される位置決め
部材と、前記位置決め部材に前記基板を押圧部材を介し
て押圧する付勢部材とを備え、前記位置決め部材と押圧
部材には、前記基板の表面側のエッジと当接してその基
板をステージ側に押圧する傾斜面が形成されていること
を特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載のパタ
ーン座標測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9182774A JPH1123224A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | パターン座標測定方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9182774A JPH1123224A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | パターン座標測定方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1123224A true JPH1123224A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16124191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9182774A Pending JPH1123224A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | パターン座標測定方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1123224A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008071269A1 (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Carl-Zeiss Sms Gmbh | Apparatus and method for mask metrology |
-
1997
- 1997-07-08 JP JP9182774A patent/JPH1123224A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008071269A1 (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Carl-Zeiss Sms Gmbh | Apparatus and method for mask metrology |
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