JPH11224761A - 高電圧サージアブソーバ - Google Patents
高電圧サージアブソーバInfo
- Publication number
- JPH11224761A JPH11224761A JP2585898A JP2585898A JPH11224761A JP H11224761 A JPH11224761 A JP H11224761A JP 2585898 A JP2585898 A JP 2585898A JP 2585898 A JP2585898 A JP 2585898A JP H11224761 A JPH11224761 A JP H11224761A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surge absorber
- gas
- voltage
- surge
- fluorinated carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 漏れ電流等の問題がなく、小型化が可能で、
封入性も良く、短時間で容易に作製することができる高
電圧サージアブソーバを提供する。 【解決手段】 ＳＦ6 よりも分解温度が高く且つイオン
化し易いＣＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ8 を含む
封入ガスを用いた高電圧サージアブソーバ。
封入性も良く、短時間で容易に作製することができる高
電圧サージアブソーバを提供する。 【解決手段】 ＳＦ6 よりも分解温度が高く且つイオン
化し易いＣＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ8 を含む
封入ガスを用いた高電圧サージアブソーバ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路に接続さ
れる外部入力端子や、ＣＲＴ接続部分などの異常電圧が
侵入する部分のサージ対策に使用される放電管型高電圧
サージアブソーバに関する。
れる外部入力端子や、ＣＲＴ接続部分などの異常電圧が
侵入する部分のサージ対策に使用される放電管型高電圧
サージアブソーバに関する。
【０００２】
【従来の技術】電話機、ファクシミリ、電話交換機、モ
デム等の通信機器用の電子機器に印加されるサージ電圧
を吸収したり、継続的な過電圧又は過電流が電子機器に
侵入して当該電子機器やこれを搭載するプリント基板が
熱的損傷又は発火するのを防止したりするためのサージ
アブソーバとして、従来、図１，３，４に示す如く、マ
イクロギャップを有するサージ吸収素子を不活性ガスと
ともに絶縁管（ガラス管）に封止(hermetic seal) した
放電型のサージアブソーバが提供されている。
デム等の通信機器用の電子機器に印加されるサージ電圧
を吸収したり、継続的な過電圧又は過電流が電子機器に
侵入して当該電子機器やこれを搭載するプリント基板が
熱的損傷又は発火するのを防止したりするためのサージ
アブソーバとして、従来、図１，３，４に示す如く、マ
イクロギャップを有するサージ吸収素子を不活性ガスと
ともに絶縁管（ガラス管）に封止(hermetic seal) した
放電型のサージアブソーバが提供されている。
【０００３】図１のサージアブソーバは、円柱状のセラ
ミック素体１の表面にマイクロギャップ２Ａを有する導
電性皮膜２が形成されたマイクロギャップ式サージ吸収
素子３の両端に、フランジ付キャップ電極４Ａ，４Ｂを
被着したものを、絶縁管（鉛ガラスからなるガラス管
５）内に不活性ガスと共に挿入し、ガラス管５の両端を
封止電極６Ａ，６Ｂで封止したものである。７Ａ，７Ｂ
はリード線を示す。
ミック素体１の表面にマイクロギャップ２Ａを有する導
電性皮膜２が形成されたマイクロギャップ式サージ吸収
素子３の両端に、フランジ付キャップ電極４Ａ，４Ｂを
被着したものを、絶縁管（鉛ガラスからなるガラス管
５）内に不活性ガスと共に挿入し、ガラス管５の両端を
封止電極６Ａ，６Ｂで封止したものである。７Ａ，７Ｂ
はリード線を示す。
【０００４】図３のサージアブソーバは、動作電圧を高
めるために、多重マイクロギャップ方式としたものであ
り、サージ吸収素子３の導電性皮膜２に、マイクロギャ
ップ２Ａが多数形成されている点が図１に示すサージア
ブソーバと異なる。また、図４に示すサージアブソーバ
は、サージ吸収素子３にリード線付キャップ電極８Ａ，
８Ｂを被着したものをガラス管５内に封入したものであ
る。
めるために、多重マイクロギャップ方式としたものであ
り、サージ吸収素子３の導電性皮膜２に、マイクロギャ
ップ２Ａが多数形成されている点が図１に示すサージア
ブソーバと異なる。また、図４に示すサージアブソーバ
は、サージ吸収素子３にリード線付キャップ電極８Ａ，
８Ｂを被着したものをガラス管５内に封入したものであ
る。
【０００５】また、図２に示すサージアブソーバは、ガ
ラス管５内を不活性ガスで置換して両端を封止電極９
Ａ，９Ｂで封着したボタン型アレスタと称されるもので
ある。このサージアブソーバでは、封止電極９Ａ，９Ｂ
間がギャップとなる。
ラス管５内を不活性ガスで置換して両端を封止電極９
Ａ，９Ｂで封着したボタン型アレスタと称されるもので
ある。このサージアブソーバでは、封止電極９Ａ，９Ｂ
間がギャップとなる。
【０００６】なお、図１〜４において、同一機能を奏す
る部材には同一符号を付してある。
る部材には同一符号を付してある。
【０００７】従来において、高電圧で動作する放電管型
サージアブソーバを作製する場合、図２に示す如く、大
きなギャップ形成する；図３に示す如く、多重マイクロ
ギャップ方式とする；図４のようなサージアブソーバに
おいて、封入ガスとしてＳＦ6 を封入する方式が採用さ
れている。
サージアブソーバを作製する場合、図２に示す如く、大
きなギャップ形成する；図３に示す如く、多重マイクロ
ギャップ方式とする；図４のようなサージアブソーバに
おいて、封入ガスとしてＳＦ6 を封入する方式が採用さ
れている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の高電圧化法では、それぞれ次のような欠点があっ
た。
来の高電圧化法では、それぞれ次のような欠点があっ
た。
【０００９】 大ギャップ形式により高電圧化する場
合：容易に高電圧化できるが、大ギャップを形成するた
め、作製されたサージアブソーバが大型になる。
合：容易に高電圧化できるが、大ギャップを形成するた
め、作製されたサージアブソーバが大型になる。
【００１０】 多重マイクロギャップで高電圧化する
場合：例えば６０００Ｖ以上の放電開始電圧を得るため
には、マイクロギャップを２０本以上形成しなければな
らない。このため、マイクロギャップを形成するのに非
常に時間がかかり、かつ素子も大型化する。さらに個々
のマイクロギャップに印加される電圧が不均一になるた
め、多重マイクロギャップに印加される電圧が放電開始
電圧に近くなるにつれ、コロナ放電による漏れ電流が多
くなる。
場合：例えば６０００Ｖ以上の放電開始電圧を得るため
には、マイクロギャップを２０本以上形成しなければな
らない。このため、マイクロギャップを形成するのに非
常に時間がかかり、かつ素子も大型化する。さらに個々
のマイクロギャップに印加される電圧が不均一になるた
め、多重マイクロギャップに印加される電圧が放電開始
電圧に近くなるにつれ、コロナ放電による漏れ電流が多
くなる。
【００１１】 ＳＦ6 を封入して高電圧化する場合：
ＳＦ6 ガスは分解温度が低いため、カーボンヒータもし
くは、トンネル炉などを利用した雰囲気中における全体
加熱方式では、ＳＦ6 ガスが分解してガラス管を劣化さ
せるため封入ができない。
ＳＦ6 ガスは分解温度が低いため、カーボンヒータもし
くは、トンネル炉などを利用した雰囲気中における全体
加熱方式では、ＳＦ6 ガスが分解してガラス管を劣化さ
せるため封入ができない。
【００１２】本発明は上記従来の問題点を解決し、漏れ
電流等の問題がなく、小型化が可能で、封入性も良く、
短時間で容易に作製することができる高電圧サージアブ
ソーバを提供することを目的とする。
電流等の問題がなく、小型化が可能で、封入性も良く、
短時間で容易に作製することができる高電圧サージアブ
ソーバを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の高電圧サージア
ブソーバは、ＣＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 及びＣ4 Ｆ8
よりなる群から選ばれる１種又は２種のガス（以下にお
いて、これらのガスを「フッ素化カーボンガス」と称
す。）を含む封入ガス、或いは、このガスにＣＯ2 ，Ａ
ｒ，Ｎ2 ，Ｎｅ，Ｈｅ及びＸｅよりなる群から選ばれる
１種又は２種以上を混合した封入ガスを用いたことを特
徴とする。
ブソーバは、ＣＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 及びＣ4 Ｆ8
よりなる群から選ばれる１種又は２種のガス（以下にお
いて、これらのガスを「フッ素化カーボンガス」と称
す。）を含む封入ガス、或いは、このガスにＣＯ2 ，Ａ
ｒ，Ｎ2 ，Ｎｅ，Ｈｅ及びＸｅよりなる群から選ばれる
１種又は２種以上を混合した封入ガスを用いたことを特
徴とする。
【００１４】本発明の高電圧サージアブソーバは大ギャ
ップや多重マイクロギャップの形成で高電圧化するもの
ではないため、サージアブソーバの小型化を図ることが
でき、漏れ電流の問題もなく、短時間で容易に作製でき
る。また、ＳＦ6 よりも分解温度が高く、かつイオン化
し易いフッ素化カーボンガスを封入ガスとして用いるた
め、封入ガスの分解の問題がなく、全体加熱方式による
封入で容易に高電圧サージアブソーバを作製できる。
ップや多重マイクロギャップの形成で高電圧化するもの
ではないため、サージアブソーバの小型化を図ることが
でき、漏れ電流の問題もなく、短時間で容易に作製でき
る。また、ＳＦ6 よりも分解温度が高く、かつイオン化
し易いフッ素化カーボンガスを封入ガスとして用いるた
め、封入ガスの分解の問題がなく、全体加熱方式による
封入で容易に高電圧サージアブソーバを作製できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１６】本発明の高電圧サージアブソーバは、ＳＦ
6 よりも分解温度が高く且つイオン化し易いフッ素化カ
ーボンガスを含む封入ガスを用いたことを特徴とし、そ
の基本的な構造には特に制限はないが、封入性が良く、
また、次のような利点を有することから、特に、図１に
示す構造のサージアブソーバとするのが好ましい。
6 よりも分解温度が高く且つイオン化し易いフッ素化カ
ーボンガスを含む封入ガスを用いたことを特徴とし、そ
の基本的な構造には特に制限はないが、封入性が良く、
また、次のような利点を有することから、特に、図１に
示す構造のサージアブソーバとするのが好ましい。
【００１７】即ち、サージ吸収素子３をガラス管５内に
封止する際に、サージ吸収素子３がガラス管５の略中央
に位置せずに、ガラス管５の一方の壁面に接近してしま
うと、放電時の熱でガラス管５が溶融する場合がある。
これに対して、図１に示す如く、フランジ付キャップ電
極４Ａ，４Ｂを用いたサージアブソーバであれば、フラ
ンジが、ガラス管５の内面に向って突設されているた
め、これにより、サージ吸収素子３がガラス管５内の軸
心付近に配置されるように容易に位置決めすることがで
き、サージ吸収素子３の偏心によるガラス管の熱溶融の
問題を生起することなく、容易に作製可能である。
封止する際に、サージ吸収素子３がガラス管５の略中央
に位置せずに、ガラス管５の一方の壁面に接近してしま
うと、放電時の熱でガラス管５が溶融する場合がある。
これに対して、図１に示す如く、フランジ付キャップ電
極４Ａ，４Ｂを用いたサージアブソーバであれば、フラ
ンジが、ガラス管５の内面に向って突設されているた
め、これにより、サージ吸収素子３がガラス管５内の軸
心付近に配置されるように容易に位置決めすることがで
き、サージ吸収素子３の偏心によるガラス管の熱溶融の
問題を生起することなく、容易に作製可能である。
【００１８】なお、図１に示すサージアブソーバにおい
て、サージ吸収素子３を構成するセラミック素体１とし
ては、ムライト、アルミナ、ベリリア、ステアライト、
フォルステライト、ジルコン、普通磁器、ガラスセラミ
ック、窒化ケイ素、窒化アルミ、炭化ケイ素等の絶縁性
セラミックスよりなるものが用いられる。
て、サージ吸収素子３を構成するセラミック素体１とし
ては、ムライト、アルミナ、ベリリア、ステアライト、
フォルステライト、ジルコン、普通磁器、ガラスセラミ
ック、窒化ケイ素、窒化アルミ、炭化ケイ素等の絶縁性
セラミックスよりなるものが用いられる。
【００１９】また、導電性皮膜２としては、一般に厚さ
０．３〜０．５μｍ程度のＳｎＯ2皮膜が用いられ、こ
のような導電性皮膜２は、スパッタリング法、蒸着法、
イオンプレーティング法、めっき法、ＣＶＤ法等の各種
薄膜形成法により形成される。マイクロギャップ２Ａ
は、このようにして形成された導電性皮膜２をレーザ加
工することで、通常の場合、１０〜２００μｍの幅に形
成される。なお、対過電圧特性を要求されないサージア
ブソーバの場合、導電性皮膜２はＳｎＯ2 だけでなく、
Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｗ，ＳｉＣ，Ｎｂ，Ｍｏ，ＢａＡｌ等広
く導電性の材質が適用できる。
０．３〜０．５μｍ程度のＳｎＯ2皮膜が用いられ、こ
のような導電性皮膜２は、スパッタリング法、蒸着法、
イオンプレーティング法、めっき法、ＣＶＤ法等の各種
薄膜形成法により形成される。マイクロギャップ２Ａ
は、このようにして形成された導電性皮膜２をレーザ加
工することで、通常の場合、１０〜２００μｍの幅に形
成される。なお、対過電圧特性を要求されないサージア
ブソーバの場合、導電性皮膜２はＳｎＯ2 だけでなく、
Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｗ，ＳｉＣ，Ｎｂ，Ｍｏ，ＢａＡｌ等広
く導電性の材質が適用できる。
【００２０】また、ガラス管５としては、鉛ガラス製の
ものが好適であり、ガラス管５の内径は、セラミック素
体１の外径の２〜３倍とするのが好ましい。
ものが好適であり、ガラス管５の内径は、セラミック素
体１の外径の２〜３倍とするのが好ましい。
【００２１】キャップ電極４Ａ，４Ｂとしては、厚さ
０．１〜０．２ｍｍ程度のステンレス鋼板をプレス加工
してフランジ部を形成したものが用いられる。
０．１〜０．２ｍｍ程度のステンレス鋼板をプレス加工
してフランジ部を形成したものが用いられる。
【００２２】封止電極６Ａ，６Ｂとしては、市販のジュ
メット線を用いるのが好適である。
メット線を用いるのが好適である。
【００２３】本発明においては、このようなサージアブ
ソーバの封入ガスとして、ＳＦ6 よりも分解温度が高く
且つイオン化し易いフッ素化カーボンガス、即ちＣ
Ｆ4 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ8 を用いる。これら
のフッ素化カーボンガスは、１種を単独で用いても、２
種以上を併用しても良い。また、放電特性の調整のため
に、これらのフッ素化カーボンガスに、ＣＯ2 ，Ａｒ，
Ｎ2 ，Ｎｅ，Ｈｅ，Ｘｅ等の不活性ガスの１種又は２種
以上を併用しても良い。これらの不活性ガスを併用する
場合、その使用割合は、フッ素化カーボンガス３体積％
以上、例えば、３〜５０体積％に対して、不活性ガス９
７体積％以下、例えば９７〜５０体積％である。フッ素
化カーボンガスが３体積％未満ではフッ素化カーボンガ
スを用いることによる高電圧化が図れず、フッ素化カー
ボンガスが５０体積％を超えると高電圧化が得られる。
ソーバの封入ガスとして、ＳＦ6 よりも分解温度が高く
且つイオン化し易いフッ素化カーボンガス、即ちＣ
Ｆ4 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ8 を用いる。これら
のフッ素化カーボンガスは、１種を単独で用いても、２
種以上を併用しても良い。また、放電特性の調整のため
に、これらのフッ素化カーボンガスに、ＣＯ2 ，Ａｒ，
Ｎ2 ，Ｎｅ，Ｈｅ，Ｘｅ等の不活性ガスの１種又は２種
以上を併用しても良い。これらの不活性ガスを併用する
場合、その使用割合は、フッ素化カーボンガス３体積％
以上、例えば、３〜５０体積％に対して、不活性ガス９
７体積％以下、例えば９７〜５０体積％である。フッ素
化カーボンガスが３体積％未満ではフッ素化カーボンガ
スを用いることによる高電圧化が図れず、フッ素化カー
ボンガスが５０体積％を超えると高電圧化が得られる。
【００２４】このような本発明の高電圧サージアブソー
バは、封入ガスとしてフッ素化カーボンガス或いはフッ
素化カーボンガスと不活性ガスとの混合ガスを用いるこ
と以外は常法に従って製作することができ、特に、封入
ガスの封入に当り、分解温度の高いフッ素化カーボンガ
スを用いることで、全体加熱方式を採用することが可能
となり、効率的な封入を行える。
バは、封入ガスとしてフッ素化カーボンガス或いはフッ
素化カーボンガスと不活性ガスとの混合ガスを用いるこ
と以外は常法に従って製作することができ、特に、封入
ガスの封入に当り、分解温度の高いフッ素化カーボンガ
スを用いることで、全体加熱方式を採用することが可能
となり、効率的な封入を行える。
【００２５】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００２６】実施例１〜８、比較例１，２ ガラス管５内に、フランジ付キャップ電極４Ａ，４Ｂを
取り付けたサージ吸収素子３を入れ、ガラス管５の両端
に封止電極６Ａ，６Ｂを取り付け、全体加熱方式により
７５０℃に加熱することにより、図１に示すサージアブ
ソーバを作製した。なお、封入ガスとしては表１に示す
ものを用いた。また、用いた部品の寸法、材質等は次の
通りである。
取り付けたサージ吸収素子３を入れ、ガラス管５の両端
に封止電極６Ａ，６Ｂを取り付け、全体加熱方式により
７５０℃に加熱することにより、図１に示すサージアブ
ソーバを作製した。なお、封入ガスとしては表１に示す
ものを用いた。また、用いた部品の寸法、材質等は次の
通りである。
【００２７】サージ吸収素子３：ムライト焼結体よりな
るセラミック素体１の表面に、表１に示すマイクロギャ
ップ２Ａを有するＳｎＯ2 導電性皮膜（厚さ２〜３μ
ｍ）２を形成したもの，直径１．８ｍｍ，長さ５．５ｍ
ｍ フランジ付キャップ電極４Ａ，４Ｂ：ステンレス製，フ
ランジ部外径２．９ｍｍ，肉厚０．２ｍｍ ガラス管５：鉛ガラス製軟化点６２５℃，外径５．３ｍ
ｍ，内径４．３ｍｍ，長さ１１．０ｍｍ 封止電極６Ａ，６Ｂ：量産向のジュメット（表面に亜酸
化銅層が形成されたＮｉ−Ｆｅ合金）製，直径３．１ｍ
ｍ，長さ２又は３ｍｍ リード線７Ａ，７Ｂ：線径０．５ｍｍのｃｐ銅被覆鋼製
リード線 得られた高電圧サージアブソーバについて、下記の性能
評価を行い、サージアブソーバの外形寸法、マイクロギ
ャップの形成に要した時間と共に結果を表１に示した。
なお、比較例１，２では封入ができなかった（ガラスビ
ーズとガラス管とが融着されていない）ため測定不可能
であった。
るセラミック素体１の表面に、表１に示すマイクロギャ
ップ２Ａを有するＳｎＯ2 導電性皮膜（厚さ２〜３μ
ｍ）２を形成したもの，直径１．８ｍｍ，長さ５．５ｍ
ｍ フランジ付キャップ電極４Ａ，４Ｂ：ステンレス製，フ
ランジ部外径２．９ｍｍ，肉厚０．２ｍｍ ガラス管５：鉛ガラス製軟化点６２５℃，外径５．３ｍ
ｍ，内径４．３ｍｍ，長さ１１．０ｍｍ 封止電極６Ａ，６Ｂ：量産向のジュメット（表面に亜酸
化銅層が形成されたＮｉ−Ｆｅ合金）製，直径３．１ｍ
ｍ，長さ２又は３ｍｍ リード線７Ａ，７Ｂ：線径０．５ｍｍのｃｐ銅被覆鋼製
リード線 得られた高電圧サージアブソーバについて、下記の性能
評価を行い、サージアブソーバの外形寸法、マイクロギ
ャップの形成に要した時間と共に結果を表１に示した。
なお、比較例１，２では封入ができなかった（ガラスビ
ーズとガラス管とが融着されていない）ため測定不可能
であった。
【００２８】Ｖｓ（放電開始電圧）：ＤＣ電圧を印加し
放電電流が１ｍＡになった時点の電圧を求めた。
放電電流が１ｍＡになった時点の電圧を求めた。
【００２９】漏れ電流：Ｖｓの７０％の電圧を印加した
状態で測定した。
状態で測定した。
【００３０】封入状態：封入欠陥のないものを良好、封
入不可のものを不良とした。
入不可のものを不良とした。
【００３１】表１より本発明により封入ガスとしてフッ
素化カーボンガスを用いたものは、漏れ電流がなく、外
形寸法も小さく、初期特性も良好で、封入性にも優れる
ことがわかる。
素化カーボンガスを用いたものは、漏れ電流がなく、外
形寸法も小さく、初期特性も良好で、封入性にも優れる
ことがわかる。
【００３２】これに対して、封入ガスとしてＳＦ6 又は
ＳＦ6 とＡｒの混合ガスを用いた比較例１，２では、Ｓ
Ｆ6 の分解で封入を行うことができない。
ＳＦ6 とＡｒの混合ガスを用いた比較例１，２では、Ｓ
Ｆ6 の分解で封入を行うことができない。
【００３３】比較例３ 図２に示す如く、大ギャップ形成により高電圧化を図っ
たサージアブソーバを、封入ガスとしてＡｒを用い、７
５０℃で加熱することにより作製し、その特性、寸法等
を調べ、結果を表１に示した。
たサージアブソーバを、封入ガスとしてＡｒを用い、７
５０℃で加熱することにより作製し、その特性、寸法等
を調べ、結果を表１に示した。
【００３４】表１より明らかなように、このサージアブ
ソーバでは、特性面では良好であるものの、ギャップ間
距離（封止電極間距離）を確保する上で、寸法が大きく
なり、小型化ができない。
ソーバでは、特性面では良好であるものの、ギャップ間
距離（封止電極間距離）を確保する上で、寸法が大きく
なり、小型化ができない。
【００３５】比較例４ 図３に示す如く、多重マイクロギャップの形成で高電圧
化を図ったサージアブソーバを、封入ガスとしてＡｒを
用い、７５０℃で加熱することにより作製し、その特
性、寸法等を調べ、結果を表１に示した。
化を図ったサージアブソーバを、封入ガスとしてＡｒを
用い、７５０℃で加熱することにより作製し、その特
性、寸法等を調べ、結果を表１に示した。
【００３６】表１より明らかなように、このサージアブ
ソーバでは、多重マイクロギャップ形成のために時間が
かかり、また、寸法も大きい上に、漏れ電流の問題があ
る。
ソーバでは、多重マイクロギャップ形成のために時間が
かかり、また、寸法も大きい上に、漏れ電流の問題があ
る。
【００３７】比較例５ 実施例１で用いたものと同様のサージ吸収素子を用い、
ガスバーナーでガラス管を封止することで封入ガスとし
てＡｒとＳＦ6 の混合ガスを封入して図４に示すサージ
アブソーバを作製し、その特性、寸法等を調べ、結果を
表１に示した。
ガスバーナーでガラス管を封止することで封入ガスとし
てＡｒとＳＦ6 の混合ガスを封入して図４に示すサージ
アブソーバを作製し、その特性、寸法等を調べ、結果を
表１に示した。
【００３８】表１より明らかなように、このサージアブ
ソーバは全体加熱方式ではないために、ＳＦ6 を用いて
も良好な封入を行える反面、封入圧力が低く高電圧化が
不十分である上に、寸法も大きく、小型化が図れない。
ソーバは全体加熱方式ではないために、ＳＦ6 を用いて
も良好な封入を行える反面、封入圧力が低く高電圧化が
不十分である上に、寸法も大きく、小型化が図れない。
【００３９】
【表１】
【００４０】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば次の
ような優れた効果を有する高電圧サージアブソーバが提
供される。 （１） 小型化が可能である。 （２） 封入性に優れる。 （３） 高電圧が印加された状態でも漏れ電流の問題が
ない。 （４） 短時間で容易に作製できる。
ような優れた効果を有する高電圧サージアブソーバが提
供される。 （１） 小型化が可能である。 （２） 封入性に優れる。 （３） 高電圧が印加された状態でも漏れ電流の問題が
ない。 （４） 短時間で容易に作製できる。
【図１】サージアブソーバの一例を示す断面図である。
【図２】サージアブソーバの他の例を示す断面図であ
る。
る。
【図３】サージアブソーバの別の例を示す断面図であ
る。
る。
【図４】サージアブソーバの異なる例を示す断面図であ
る。
る。
１ セラミック素体 ２ 導電性皮膜 ２Ａ マイクロギャップ ３ サージ吸収素子 ４Ａ，４Ｂ フランジ付キャップ電極 ５ ガラス管 ６Ａ，６Ｂ，９Ａ，９Ｂ 封止電極 ７Ａ，７Ｂ リード線 ８Ａ，８Ｂ リード線付キャップ電極
Claims (2)
- 【請求項１】 ＣＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 及びＣ4 Ｆ
8 よりなる群から選ばれる１種又は２種以上を含む封入
ガスを用いたことを特徴とする高電圧サージアブソー
バ。 - 【請求項２】 請求項１において、該封入ガスがＣ
Ｏ2 ，Ａｒ，Ｎ2 ，Ｎｅ，Ｈｅ及びＸｅよりなる群から
選ばれる１種又は２種以上を含むことを特徴とする高電
圧サージアブソーバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2585898A JPH11224761A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 高電圧サージアブソーバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2585898A JPH11224761A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 高電圧サージアブソーバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11224761A true JPH11224761A (ja) | 1999-08-17 |
Family
ID=12177530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2585898A Pending JPH11224761A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 高電圧サージアブソーバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11224761A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004031016A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Mitsubishi Materials Corp | サージアブソーバおよびそのマイクロギャップ形成方法 |
| JP2006236970A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-09-07 | Mitsubishi Materials Corp | サージアブソーバ及びサージアブソーバの製造方法並びに電子部品及び電子部品の製造方法 |
| CN102184824A (zh) * | 2011-04-13 | 2011-09-14 | 深圳市硕凯电子有限公司 | 多路气体放电管 |
-
1998
- 1998-02-06 JP JP2585898A patent/JPH11224761A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004031016A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Mitsubishi Materials Corp | サージアブソーバおよびそのマイクロギャップ形成方法 |
| JP2006236970A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-09-07 | Mitsubishi Materials Corp | サージアブソーバ及びサージアブソーバの製造方法並びに電子部品及び電子部品の製造方法 |
| CN102184824A (zh) * | 2011-04-13 | 2011-09-14 | 深圳市硕凯电子有限公司 | 多路气体放电管 |
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