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JPH11176742A - 照明光学系と露光装置及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

照明光学系と露光装置及び半導体デバイスの製造方法

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Publication number
JPH11176742A
JPH11176742A JP9362742A JP36274297A JPH11176742A JP H11176742 A JPH11176742 A JP H11176742A JP 9362742 A JP9362742 A JP 9362742A JP 36274297 A JP36274297 A JP 36274297A JP H11176742 A JPH11176742 A JP H11176742A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
optical system
fly
lens
optical integrator
Prior art date
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Pending
Application number
JP9362742A
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English (en)
Inventor
Osamu Tanitsu
修 谷津
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP9362742A priority Critical patent/JPH11176742A/ja
Priority to EP98122948A priority patent/EP0922999A3/en
Priority to KR1019980052834A priority patent/KR19990062768A/ko
Publication of JPH11176742A publication Critical patent/JPH11176742A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 数少ない第1のオプティカルインテグレータ
により照明効率を一定に保つことのできる照明光学系を
備える露光装置を提供する。 【解決手段】 複数の2次光源像を形成する第1オプテ
ィカルインテグレータ13と、その2次光源像からの光
束を入射面側Cから入射させて複数の3次光源像を形成
する第2オプティカルインテグレータ15とを両射出面
を共役関係に構成し、その間に配置されたリレー光学系
14は、焦点距離がf1の第1群の光学系14aと焦点
距離がf2の第2群の光学系14bとを含んで構成さ
れ、両焦点距離にはf1≠f2の関係があり、リレー光
学系14全体の焦点距離が可変である照明光学系。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、照明光学系と露光
装置及び半導体デバイスの製造方法に関し、特にオプテ
ィカルインテグレータを備えながら照明効率をほぼ一定
に維持できる照明光学系と露光装置、及びそのような露
光装置を用いる半導体デバイスの製造方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイス製造装置用の投影露光装
置としては、従来から図5に示されるように、光源10
1、第1のフライアイレンズ103、リレーレンズ10
4、第2のフライアイレンズ105、コンデンサーレン
ズ106、投影光学系PLが、光源101からの光束の
光路上にこの順で設けられており、コンデンサーレンズ
106と投影光学系PLとの間にはレチクルRを設定で
きるように、また投影光学系PLに関してレチクルRと
共役な位置にウエハWが載置できるように構成されたも
のが知られている。以上の要素のうち、第1のフライア
イレンズ103、リレーレンズ104、第2のフライア
イレンズ105、コンデンサーレンズ106が、照明光
学系を構成している。このような構成において、第1と
第2のフライアイレンズの入射面AとCは、リレーレン
ズ104により共役関係にされており、また第1のフラ
イアイレンズの射出側の像面Bに形成される複数の2次
光源像は、第2のフライアイレンズを介して第2のフラ
イアイレンズの射出側の像面Dに複数の3次光源像とし
て形成される。
【0003】また、第2のフライアイレンズ105の射
出側の像面Dには、開口絞りASが設けられており、開
口絞りASの大きさに応じて、予め用意された複数個の
フライアイレンズの中から第1のフライアイレンズが自
動選択され、開口絞りASで絞られることによる像面照
度の劣化を防止し照明効率をほぼ一定に保つように工夫
されていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような露光装置用の照明光学系によれば、種々の大きさ
の開口絞りに対応するためには、無数といっていいほど
の第1のフライアイレンズを用意しなければならず、第
1のフライアイレンズを自動で変更する手段が大きくな
るばかりでなく、コスト的にも非常に高価な物になると
いう問題があった。
【0005】そこで本発明は、数少ない第1のオプティ
カルインテグレータにより照明効率を一定に保つことの
できる照明光学系とそのような照明光学系を備える露光
装置及びそのような露光装置を用いる半導体デバイスの
製造方法を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に係る発明による照明光学系は、図1に示
すように、光束を入射面側Aから入射させて射出面側B
に複数の2次光源像を形成する第1オプティカルインテ
グレータ13と;第1オプティカルインテグレータ13
により形成された2次光源像からの光束を入射面側Cか
ら入射させて複数の3次光源像を射出面側Dに形成する
第2オプティカルインテグレータ15と;第1オプティ
カルインテグレータ13と第2オプティカルインテグレ
ータ15との間に配置されたリレー光学系14とを備
え;リレー光学系14は、第1オプティカルインテグレ
ータ13の入射面Aと第2オプティカルインテグレータ
15の入射面Cとをほぼ共役関係にし、第1オプティカ
ルインテグレータ13の射出面Bと第2オプティカルイ
ンテグレータ15の射出面Dをほぼ共役関係にするよう
に構成されており、且つリレー光学系14は焦点距離が
f1の第1群の光学系14aと焦点距離がf2の第2群
の光学系14bとを含んで構成されており、両焦点距離
にはf1≠f2の関係があり、リレー光学系14全体の
焦点距離が可変であることを特徴とする。
【0007】このように構成すると、リレー光学系14
は焦点距離がf1の第1群の光学系14aと焦点距離が
f2の第2群の光学系14bとを含んで構成されてお
り、両焦点距離にはf1≠f2の関係があり、リレー光
学系14全体の焦点距離が可変であるので、第1のオプ
ティカルインテグレータ13と第2のオプティカルイン
テグレータ15との組み合わせで定まる照明効率の劣化
を防止できる。とくに第2のオプティカルインテグレー
タ15の射出面Dの位置に開口絞りASを設け、この大
きさを種々変更したとしても、リレー光学系14全体の
焦点距離が可変であるので、第1のオプティカルインテ
グレータ13を開口絞りASの変更の度に変更しなくて
も照明効率を所定の水準に維持することができる。
【0008】また請求項2に記載のように、請求項1に
記載の照明光学系においては、第1オプティカルインテ
グレータ13の射出面Bと第2オプティカルインテグレ
ータ15の入射面Cとの距離をTLとしたとき、TL/
f1≧0.8の関係を有するように構成するのが好まし
い。
【0009】このようにすると、TL/f1≧0.8の
関係を有するので、本照明光学系のテレセントリシティ
を所定の角度範囲、例えば0.6度以内、好ましくは
0.5度以内に維持することができる。
【0010】以上の照明光学系では、請求項3に記載の
ように、第1オプティカルインテグレータ13の焦点距
離ff1が可変であるように構成してもよい。
【0011】このように構成すると、第2のオプティカ
ルインテグレータ15の射出面Dの位置に開口絞りAS
を設け、この大きさを種々変更したとしても、リレー光
学系14全体の焦点距離frが可変であり、且つ第1の
オプティカルインテグレータ13の焦点距離ff1が可
変であるので、開口絞りASの大きさに応じて照明効率
を所定の水準に維持することができる。
【0012】請求項4に記載のように、請求項3に記載
の照明光学系においては、第1オプティカルインテグレ
ータ13は、互いに交換可能で、且つ互いに異なる焦点
距離ff1を有する複数のオプティカルインテグレータ
13a〜13dの群から選択されるように構成されてい
てもよい。
【0013】また、請求項5に記載のように、第1オプ
ティカルインテグレータ13は、焦点距離ff1が連続
的に可変に構成されていてもよい。
【0014】請求項6に係る発明による露光装置は、請
求項1乃至請求項5のいずれかに記載の照明光学系と;
前記照明光学系により照明されたレチクルR上のパター
ンを感光性基板W上に投影露光する投影光学系PLとを
備える。
【0015】請求項7に係る発明による半導体デバイス
の製造方法は、請求項6に記載の露光装置を用いて;投
影光学系PLを介してレチクルRのパターンを感光性基
板Wに転写する工程を含む。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。なお、各図において互い
に同一あるいは相当する部材には同一符号を付し、重複
した説明は省略する。
【0017】図1は、本発明による照明光学系(または
照明光学装置)を含む露光装置の第1の実施の形態を示
す構成図である。図中、照明用の光束を発生するレーザ
ー光源11が設けられ、発生された光束の光路中に、そ
の光束を拡大平行光束にするエキスパンダレンズ12
と、その先に第1オプティカルインテグレータである第
1のフライアイレンズ13が配置されている。
【0018】エキスパンダレンズ12は凹レンズ12a
と凸レンズ12bとが、光源11側からこの順に配列さ
れている。第1のフライアイレンズ13は、焦点距離の
異なるフライアイレンズ13aと13bとを含んでお
り、これらのフライアイレンズ13a、13bは交換機
構31により交換できるように構成されている。
【0019】なお図1には、交換用のフライアイレンズ
は13a、13bの2個が示されているが、さらに図8
に示されるように13c、13dと、必要に応じて3個
以上のフライアイレンズを備えていてもよい。
【0020】さらに前記光路上の第1のフライアイレン
ズ13の先には、リレーレンズ14、第2オプティカル
インテグレータである第2のフライアイレンズ15、コ
ンデンサーレンズ16、投影光学系である投影光学レン
ズ系PLがこの順に配列されている。
【0021】またコンデンサーレンズ16と投影光学系
PLとの間には、レチクルRを配置できるようになって
おり、レチクルRはコンデンサーレンズ16を介した照
明光で均一に照明されるように構成されている。
【0022】投影光学系PLに関して、レチクルRと共
役な位置には感光性基板であるウエハWが配置できるよ
うに構成されている。
【0023】以上の構成によって、まず、レーザ光源1
1(例えば、248nmの露光波長を持つ光を供給する
KrFエキシマレーザ、193nmの露光波長を持つ光
を供給するArFエキシマレーザ、或いは157nmの
露光波長を持つ光を供給するF2レーザ等)から供給さ
れる長方形状のビーム断面を持つ光は、ビーム整形光学
系としてのビームエキスパンダレンズ12によって例え
ばほぼ正方形状のビーム断面を持つ光に整形された後、
焦点距離の異なる複数のオプティカルインテグレータを
有する第1多光源形成光学系としての第1オプティカル
インテグレータ13に入射する。
【0024】この第1オプティカルインテグレータ13
の射出側には、第1のオプティカルインテグレータを構
成するレンズ素子の数に対応した多数の光源像(又は多
数の2次光源)が形成される。そして、この多数の光源
像からの光は、リレー光学系としてのリレーレンズ14
によって集光されて、第2多光源形成光学系としての第
2オプティカルインテグレータ15に入射面はそれらの
集光光束によって重畳するように照明される。
【0025】第2オプティカルインテグレータ15を入
射した光は、その第2オプティカルインテグレータ15
の作用によって、それの射出側に多数の光源像(又は多
数の3次光源)が形成される。すなわち、第2オプティ
カルインテグレータ15の射出側には、第1オプティカ
ルインテグレータ13を構成するレンズ素子の数と第2
オプティカルインテグレータ15を構成するレンズ素子
の数の積に対応する多数の光源像が形成される。
【0026】第2オプティカルインテグレータ15によ
り形成された多数の3次光源からの光はコンデンサー光
学系としてのコンデンサーレンズ16により集光され、
所定のパターン(回路パターン等)が形成されたレチク
ルRはそれらの集光された光によって重畳的に均一照明
される。そして、レチクルRのパターンが投影光学系P
Lによって感光性基板としてのウエハW上に投影(露
光)される。
【0027】なお、第1オプティカルインテグレータ1
3の入射面は、リレー光学系14に関して第2オプティ
カルインテグレータ15の入射とほぼ共役な位置に設定
されており、第1オプティカルインテグレータ13の射
出面は、リレー光学系14に関して第2オプティカルイ
ンテグレータ15の射出面とほぼ共役な位置に設定され
ている。また、第2オプティカルインテグレータ15の
入射面は、レチクルR及びウエハWとほぼ共役な位置に
設定されており、第2オプティカルインテグレータ13
の射出面は、投影光学系PLの瞳とほぼ共役な位置に設
定されている。
【0028】以上の露光の工程(フォトリソグラフィ工
程)を経たウエハWは、現像する工程を経てから現像し
たレジスト以外の部分を除去するエッチングの工程、エ
ッチングの工程後の不要なレジストを除去するレジスト
除去の工程を経る。そして、露光、エッチング、レジス
ト除去の工程を繰り返して、ウエハプロセスが終了す
る。その後、ウエハプロセスが終了すると、実際の組立
工程にて、焼き付けられた回路毎にウエハを切断してチ
ップ化するダイシング、各チップに配線等を付与するボ
ンディイング、各チップ毎にパッケージングするパッケ
ージング等の各工程を経て、最終的にLSI等の半導体
デバイスが製造される。
【0029】なお、以上には、露光装置を用いたウエハ
プロセスでのフォトリソグラフィ工程によりLSI等の
半導体デバイスを製造する例を示したが、露光装置を用
いたフォトリソグラフィ工程によって、液晶表示素子、
薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD等)等の半導体デバ
イスも製造することができる。
【0030】リレーレンズ14は、本発明の第1群の光
学系である第1群レンズ系14aと第2群レンズ系14
bとを含んで構成されている。第2のフライアイレンズ
15の射出側の面Dの位置には開口絞りASが配置され
ている。開口絞りASとしては、本例では3つの異なる
開口径φ1、φ2、φ3をそれぞれ有する3種類の絞り
が用意されており、それらが必要に応じて交換ができる
ように構成されている。
【0031】これは開口絞りASを交換して照明開口σ
値(シグマ値)を変えることにより、投影露光装置の解
像度と焦点深度を調整して、投影されるパターンの微細
化に対応するためである。図1には、開口絞りASは、
3種類の開口径を有するものとして示されているが、必
要に応じて4以上の開口径を有するものとしてもよい。
【0032】照明光学系は、以上の光学要素のうち、第
1のフライアイレンズ13、リレーレンズ14、第2の
フライアイレンズ15、コンデンサーレンズ16、開口
絞りASを含んで構成されている。
【0033】図2を参照して、以上の構成を有する照明
光学系の作用を説明する。図2は、図1の露光装置中の
照明光学系を拡大して斜視図で示したものである。図2
に示されるように、第1のフライアイレンズ13(13
aまたは13b)と、第2のフライアイレンズ15は、
第1のフライアイレンズ13と第2のフライアイレンズ
15の入射面同士と射出面同士をそれぞれ共役に配置す
るためのリレーレンズ14を有しており、第2のフライ
アイレンズ15の射出側に配置された開口絞りASの大
きさに合わせて、レチクルRの像面上での照度が最大に
なるように、選択する交換機構31(図1)により、焦
点距離ff1の異なる複数の第1のフライアイレンズ1
3a、13bから1つを自動で選択する。
【0034】さらに第1のフライアイレンズ13と第2
のフライアイレンズ15を共役に結ぶリレーレンズ14
は、第1群レンズ系14aと第2群レンズ系14b(図
1)とに分離されており、その1部分、図1の照明光学
系では第1群レンズ系14aまたは第2群レンズ系14
bあるいは双方の群のレンズ系が可動になっており、焦
点距離frを変えることができる。
【0035】このようにして、焦点距離ff1の異なる
第1のフライアイレンズを選択し、またリレーレンズ1
4の焦点距離frを変化させることにより、第2のフラ
イアイレンズ15の入射側の照明される領域の大きさを
調整することが出来る。したがって、照明される面であ
るレチクルRの像面上での照度が最大になるようにする
ことができる。
【0036】さらに、作用を数式を用いて詳細に説明す
る。図2中で、第1のフライアイレンズ13aの一つの
矩形(図2の例では正方形)のエレメントの辺の長さを
x1、第1のフライアイレンズ13aの焦点距離をff
1、リレーレンズ14の焦点距離をfr、開口絞りの径
をφとすると以下の不等式が成り立つが、不等式を満足
する範囲内で、できるだけ左辺の値を右辺の直径φに近
い値とすれば像面上での照度が高く維持できる。
【0037】x1・fr/ff1≧φ 実際には、第2のフライアイレンズも複数のエレメント
からなっているので、エレメントを矩形(図2の例では
正方形)として、その第2のフライアイレンズの一つの
エレメントの辺の長さをx2、開口絞りASをカバーす
る領域の一辺に並ぶエレメントの個数をnとすると、次
の式が成り立つ。
【0038】x1・fr/ff1≧n・x2≧φ 第2のフライアイレンズは左右対称なので縦、あるいは
横の並びの総個数をNとすると総個数Nが偶数の場合
は、第1のフライアイレンズの種類はN/2種類、奇数
の場合は(N−1)/2種類あれば、ほぼどのような径
φの開口絞りASが設定されても、レチクルRの像面上
での照度劣化は最低限に抑えることが出来る。例えばN
=10の場合に、最低n=2までを使用しようとすると
きは、10/2=5個(種類)の第1のフライアイレン
ズが必要である。
【0039】N=10の場合、例えば開口絞りASをカ
バーするのに必要なエレメントの個数がn=9個であっ
ても、10個分の10・x2を使用することが必要であ
る。第2のフライアイレンズのエレメントを半分だけ使
用すると、完全な2次光源像(あるいは3次光源像)が
できず、照度ムラが発生してしまうからである。
【0040】図2にはN=9の場合が示されている。図
2(A)では、開口絞りASの直径が、第2のフライア
イレンズ15のエレメントの横並び(縦並びも)の総数
9個をカバーしている。したがって、所定の第1のフラ
イアイレンズ13aを選定し、さらにリレーレンズ14
の焦点距離frを調整してn=9個をカバーするように
している。
【0041】次に図2(B)では、開口絞りASの直径
が、第2のフライアイレンズ15のエレメントの横並び
(縦並びも)の総数9個のうち3個をカバーしている。
第1のフライアイレンズ13aは、リレーレンズ14の
焦点距離frが(A)と同一焦点距離であれば、第2の
フライアイレンズ15のエレメント個数n=3個をカバ
ーするような第1のフライアイレンズ13bに置き換え
る必要がある。
【0042】このように、Nの総数が多い場合、第1の
フライアイレンズ13の種類(13a、13b・・・)
も多くなる。そこで、第1のフライアイレンズ13の種
類を間引いて個数を限定する。そして間引かれたフライ
アイレンズでカバーしていた部分については、上式の焦
点距離frを可変にすることで、x1・fr/ff1の
値をできるだけn・x2の値に近く、またφの値に近く
する。このようにして、レチクルRの像面上での照度を
高く維持する。
【0043】図3を参照して、以上の原理をもう少し詳
しく説明する。図3(A)は第2のフライアイレンズ1
5とその各エレメントを破線で示し、大きい開口径の開
口絞りAS1と小さい開口径のAS2と、そのときの第
1のフライアイレンズ13a、13bのそれぞれの照明
領域51、52を図示したものである。
【0044】図3には、第2のフライアイレンズ15の
各エレメントは正方形で、縦横とも10個づつ配置され
た例が示されている。開口絞りは最大でAS1、最小が
AS2とすると、その間の径は自由に設定できるが、第
2のフライアイレンズ15のエレメントが10個だから
有効個数は最大で10個、最小で4個なので、開口絞り
の大きさを種々変えたときに照度効率を高く維持するに
は、この間の個数は8個、6個を加えると全部で4種類
の第1のフライアイレンズ13が必要である。
【0045】この4種類の第1のフライアイレンズを用
意したときの開口径と照度比を示したグラフが図3
(B)である。横軸が開口径を、縦軸に照度比を示し、
照度比の最大は100%である。円形の開口絞りASの
直径が第2のフライアイレンズのエレメントの一行(ま
たは一列)の総数10個に対応する値であるとき、照度
比が最大の100%をとるとすると、このときは第1の
フライアイレンズ13は13aが選択されており、第2
のフライアイレンズ15は一行の総数10個に光源から
の光が入射している。
【0046】エレメントの数が10個の次の並びは8個
だから、開口絞りASの直径がエレメントの個数8から
10個分に対応する直径である間は、第1のフライアイ
レンズは13aのまま、即ち第2のフライアイレンズ1
5には一行の総数10個に光源からの光が入射してい
る。したがって、この間は図3(B)に示されるよう
に、照度比は逓減する。
【0047】次に、開口絞りASの直径φが第2のフラ
イアイレンズ15のエレメントの個数8個分に相当する
値になると、エレメント8個分を照らす次の第1のフラ
イアイレンズに交換することができるので、像面上の照
度はエレメントが正方形であれば10個のときと同一に
なる。後はこれの繰り返しである。この開口絞りASの
直径と照度比の関係は、図3(B)に示されている。
【0048】しかしながら、第1のフライアイレンズ1
3の種類を増やすのはコスト的にもスペース的にも無駄
が多い。そこで第1のフライアイレンズ13を、例えば
エレメント10個分と6個分の2種類にすると、図3
(C)のように途中の径、即ちエレメント8個分と4個
分での照度の劣化が大きくなってしまう。ここで、リレ
ーレンズ14を第1群レンズ系14aと第2群レンズ系
14b(図1)とに分離して、第1群レンズ系14aま
たは第2群レンズ系14b、あるいは双方の群のレンズ
系を可動にして、焦点距離frを若干変えられるように
すれば、第1のフライアイレンズが2種類でも図3
(B)に示されるような、フライアイレンズを可能な限
り多く用意した場合と同様な照度比曲線を得ることが出
来る。この状態を図3(C)では、破線で示してある。
【0049】リレーレンズ14は、第1群レンズ系14
aと第2群レンズ系14bとに分離して、この2つの群
のレンズ系のいずれかまたは双方を光軸方向に移動調整
可能にして、焦点距離frが連続的に可変に構成されて
いる。このように、焦点距離fr可変のリレーレンズ1
4は、第1フライアイの照射する断続的なエリアを補完
するように構成されている。
【0050】例えば、第2のフライアイレンズ15のエ
レメントの一行の数Nが20個のときは、n=20用と
n=10用の2個の第1のフライアイレンズ13を用意
し、その間についてはリレーレンズ14の焦点距離fr
の調節でカバーすることもできる。
【0051】以上説明したように、本発明の第2の実施
の形態である露光装置としての図1に示されるような露
光装置では、光源11からのレーザー光はエキスパンダ
12で拡大され、第1のフライアイレンズ13を照明
し、第1のフライアイレンズ13がリレーレンズ14に
より第2のフライアイレンズ15を照明し、かつ第1の
フライアイレンズ13の入射面と第2のフライアイレン
ズ15の入射面同士と射出面同士は共役の関係になり、
第1と第2のフライアイレンズ13、15の個数の積に
分割された光源像が第2のフライアイレンズの射出口に
形成され、その射出口には開口絞りASが配置され、複
数個の光源像はコンデンサレンズ16によりレチクルR
を重畳的に照明する。照明されたレチクルR上の微細パ
ターンは投影レンズPLによりウエハW上に投影露光さ
れる。
【0052】このようにして、パターンがウエハW上に
転写されて半導体デバイスが製造される。
【0053】第1のフライアイレンズ13は、円形の開
口絞りASの直径φ1とφ3に対応した2種類13aと
13bがあり、それぞれの絞りの直径に対して照度比が
100%になるように設計されている。しかしながら、
直径φ2の開口絞りASが配置された場合は、第1のフ
ライアイレンズ13a、13bのどちらを使用しても照
度の劣化は免れない。
【0054】そこで本発明の実施の形態では、リレーレ
ンズ14の一部分を可動にし、移動手段である交換装置
31を用いて焦点距離frを変化させることで、第1の
フライアイレンズ13がφ1対応(13a)のときで
も、直径φ2の開口絞りASに対して最適な光束径に設
定することができ、レチクルR上の像面照度の劣化を最
小限に抑えることが出来る。
【0055】本発明の実施の形態では光源11をレーザ
ー光源として説明したが、ハロゲンランプ等のランプ光
源であってもよい。また、本発明の実施の形態は、ウエ
ハW上の照明領域を正方形としたが、長方形であっても
よく、その場合は第1のフライアイレンズ13は全体で
照明領域と相似な長方形の形状になり、第2のフライア
イレンズ15は一つのエレメントが照明領域と相似な長
方形の形状で、全体としてほぼ正方形になる。
【0056】次に図4と図6を参照して、本発明の実施
例を説明する。図4は、照明光学系の構成を示す模式図
である。この照明光学系は、第1オプティカルインテグ
レータである第1のフライアイレンズ13と、第1群の
光学系である第1のレンズ群14aと第2群の光学系で
ある第2のレンズ群14bを含んで構成されるリレー光
学系であるリレーレンズ系14、第2オプティカルイン
テグレータである第2のフライアイレンズ15、そして
第2のフライアイレンズ15の光射出側に備えられた開
口絞りASを有している。
【0057】第1のフライアイレンズ13の光の入射側
の面はAで、同じく射出側の面(2次光源が形成される
面)はBで、第2のフライアイレンズ15の光の入射側
の面はCで、同じく射出側の面(3次光源が形成される
面)はDで示されている。開口絞りASは、ほぼ面Dの
位置に置かれている。円形の開口絞りの直径はφとお
く。
【0058】第1のレンズ群14aの焦点距離はf1、
第2のレンズ群14bの焦点距離はf2である。面Bと
レンズ群14aとの距離はd0、レンズ群14aとレン
ズ群14bとの距離はd1、レンズ群14bと面cとの
距離はd2であり、面Bから面Cまでの全長はTLであ
る。したがって、TL=d0+d1+ d2となる。
【0059】このような照明光学系において、系のバッ
ク焦点距離dBFが一定として、系のテレセントリシテ
ィTELECENを求める式は以下のようになる。
【0060】
【数1】
【0061】ここで、fはこの系の全体焦点距離、Xは
レンズ群14aの仮想的な瞳の位置、XXはレンズ群1
4bの仮想的な瞳の位置である。
【0062】数1に具体的な数字を代入して、計算した
計算例を図6の表に示す。この例では、焦点距離f1=
370mm、f2=310mm、全長TL=380mm
である。即ちf1≠f2で、TL/f1=1.27>
0.8である。この条件で、レンズ群14aと14bの
光軸方向の位置を調整して、系の全体の焦点距離frを
300mm〜200mm程度で変化させた。
【0063】その結果テレセントリシティTELECE
Nは、焦点距離frが約318で約−0.6度、frが
約282mmで正負が切り替わり、frが約230mm
で約0.63度、frが約210mmで約0.4度とな
っている。テレセントリシティは0.6度以下、好まし
くは0.5度以下であれば、実用上差し支えない。した
がって、図6の例では、系の全体焦点距離frが200
〜300mm(d1が140〜300)程度の範囲で使
用できることが分かる。なお、TL/f1>0.8の条
件の下で全長TLが長くなればさらにテレセントリシテ
ィTELECENの変化は小さくなる。
【0064】同じく図4に示される照明光学系におい
て、テレセントリシティTELECENが一定の条件
で、系のバック焦点距離dBFを求める式は以下のよう
になる。
【0065】
【数2】
【0066】ここで、fはこの系の全体焦点距離、dX
はバック焦点距離のズレである。
【0067】数2に具体的な数字を代入して、計算した
計算例を図7の表に示す。この例では、焦点距離f1=
360mm、f2=320mm、全長TL=380mm
である。即ちf1≠f2で、TL/f1=1.056>
0.8である。この条件で、レンズ群14aと14bの
光軸方向の位置を調整して、系の全体の焦点距離frを
300mm〜200mm程度で変化させた。
【0068】その結果バック焦点距離dBFは、焦点距
離fが320で約−24.4mm、fが約280mmで
正負が切り替わり、fが240mmで約16.7mm、
fが約210mmで約10.0mmとなっている。バッ
ク焦点距離のズレは、プラスマイナス10mm程度は許
容できると考えられるので、図7の表によれば、系の全
体焦点距離fが200〜300mm(d1が140〜3
00)程度の範囲で使用できることが分かる。
【0069】本発明の第3の実施の形態として、2群の
ズームレンズ系であるリレーレンズ14の各群を光軸方
向に移動させる他に、第1のオプティカルインテグレー
タ13の光軸方向の位置を調整すれば、テレセントリシ
ティTELECENを劣化させることなく、バック焦点
距離dBFにもズレを残すことなく、リレーレンズ14
をズームにしてその焦点距離を所定の値に調整すること
ができることが図7の表から分かる。したがって図1の
実施の形態において、不図示の第1のオプティカルイン
テグレータ移動機構を第1のオプティカルインテグレー
タに取り付けて、その光軸方向の位置を移動調整するよ
うに構成すればよい。
【0070】さらに第3の実施の形態として、第1のオ
プティカルインテグレータ13の焦点距離を可変にして
もよい。例えば、フライアイレンズを光軸方向に2分割
して、その分割間隙を広狭に調節可能に構成すればよ
い。このような構成により、第1のオプティカルインテ
グレータ13を複数個用意することなく、第1の実施の
形態で説明した効果が得られる。
【0071】図8を参照して、第1のオプティカルイン
テグレータ13の交換機構31の実施の形態を説明す
る。図8は、図1の露光装置から照明光学系の部分を抜
き出して示している。図8の(A)には、ターレット式
の交換装置を示す。円形のターレットに、本例では4種
類のフライアイレンズ13a〜13dが組み込まれてお
り、ターレットの中心13AXに取り付けられた不図示
のターレット駆動装置によりターレットが回転し、フラ
イアイレンズ13a〜13dの中から所望のフライアイ
レンズを選択できるようになっている。
【0072】図8の(B)には、スライド式の交換装置
を示す。細長のスライドカートリッジに、本例では4種
類のフライアイレンズ13a〜13dがカートリッジの
長手方向に並べて組み込まれており、スライドカートリ
ッジに取り付けられた不図示のスライドカートリッジ駆
動装置により長手方向に、かつ照明光学系の光軸に直角
な方向に移動できるようになっており、フライアイレン
ズ13a〜13dの中から所望のフライアイレンズを選
択できる。以上の実施の形態では、フライアイレンズは
13a〜13dの4種類としたが、2種類以上であれば
よく、さらに増やして5種類以上としてもよい。
【0073】これらターレット駆動装置、スライドカー
トリッジ移動装置は、不図示の制御装置により、所望の
照明開口σ値を与える開口絞りASの開口径に応じて適
切な第1のフライアイレンズを選定すべく制御される。
またその制御装置は、リレーレンズ系14のズーミング
も、開口絞りASの開口径と選定された第1のフライア
イレンズに対応して制御する。
【0074】さらに別の実施の形態では、請求項3に記
載の照明光学系において、第2のオプティカルインテグ
レータの射出側に配置された開口絞りは、口径が可変で
あるように構成し;その開口絞りの変更した口径に応じ
て、第1のオプティカルインテグレータの焦点距離を変
化させるように構成されたことを特徴としてもよい。
【0075】また、請求項1乃至請求項3のいずれかに
記載の照明光学系において、第2オプティカルインテグ
レータの射出側に配置された、口径が可変の開口絞りを
備え;前記口径に応じて、前記リレーレンズの焦点距離
を変化させるように構成されたことを特徴としてもよ
い。
【0076】さらに、請求項4乃至請求項6のいずれか
に記載の照明光学系において、前記口径に応じて、前記
リレーレンズの焦点距離を変化させるように構成された
ことを特徴としてもよい。
【0077】また、請求項1乃至請求項8のいずれかに
記載の照明光学系において、前記第1オプティカルイン
テグレータは、前記リレーレンズの光軸方向に移動可能
に構成されたことを特徴としてもよい。
【0078】またさらに別の実施の形態である照明光学
系の調整方法は、第1のオプティカルインテグレータの
形成する複数の2次光源像からの光を受けて、被照射面
を照明する複数の光源像を形成する、第2のオプティカ
ルインテグレータを提供する工程と;前記第2オプティ
カルインテグレータの射出面側に配置された口径が可変
の開口絞りの口径を設定する工程と;前記設定された口
径をカバーし且つ最小径の光束を与えるように複数の第
1のオプティカルインテグレータの群から所定の第1オ
プティカルインテグレータを選択する工程と;前記所定
の第1オプティカルインテグレータの入射面側からほぼ
平行な光束を入射させて射出面側に前記複数の2次光源
像を形成する工程と;前記第1オプティカルインテグレ
ータと前記第2オプティカルインテグレータとの間に配
置された焦点距離がf1の第1群のレンズ系と焦点距離
がf2の第2群のレンズ系とを含んで構成されており、
f1≠f2の関係を有するズームレンズの倍率を、被照
射面上の照度が最大になるように調整する工程とを備え
る。
【0079】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、オプティ
カルインテグレータの種類を最少限度に設定することが
出来、コスト低減を図ることができるほか、少ないオプ
ティカルインテグレータの種類にも拘わらず、例えば様
々な径の開口絞りに対しても常に照度劣化が最小限に抑
えられた照明光学系(または照明光学装置)を提供し、
スループットを落とさずに照明することが出来る。
【0080】また、本発明による照明光学装置又は露光
装置を用いれば、高いスループットのもとで、良好なる
半導体デバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の照明光学系を含む
露光装置の構成を示す構成図である。
【図2】図1の露光装置中の照明光学系を拡大して示し
た斜視図である。
【図3】本発明の原理を説明する線図である。
【図4】本発明の実施の形態である照明光学系の構成を
示す模式図である。
【図5】従来の投影露光装置の構成を示す構成図であ
る。
【図6】実施例の計算結果を示す表である。
【図7】別の実施例の計算結果を示す表である。
【図8】本発明の実施の形態で用いることのできる第1
のオプティカルインテグレータの交換装置を光軸方向か
ら見た正面図である。
【符号の説明】
11 光源 12 エキスパンダレンズ 13、13a、13b 第1のオプティカルインテグレ
ータ 14 リレー光学系 14a 第1群レンズ系 14b 第2群レンズ系 15 第2のオプティカルインテグレータ 16 コンデンサレンズ A 第1のオプティカルインテグレータの入射側の面 B 第1のオプティカルインテグレータの射出側の面 C 第2のオプティカルインテグレータの入射側の面 D 第2のオプティカルインテグレータの射出側の面 AS 開口絞り PL 投影光学系 R レチクル W ウエハ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光束を入射面側から入射させて射出面側
    に複数の2次光源像を形成する第1オプティカルインテ
    グレータと;前記第1オプティカルインテグレータによ
    り形成された2次光源像からの光束を入射面側から入射
    させて複数の3次光源像を射出面側に形成する第2オプ
    ティカルインテグレータと;前記第1オプティカルイン
    テグレータと前記第2オプティカルインテグレータとの
    間に配置されたリレー光学系とを備え;前記リレー光学
    系は、前記第1オプティカルインテグレータの入射面と
    前記第2オプティカルインテグレータの入射面とをほぼ
    共役関係にし、前記第1オプティカルインテグレータの
    射出面と前記第2オプティカルインテグレータの射出面
    をほぼ共役関係にするように構成されており、且つ前記
    リレー光学系は焦点距離がf1の第1群の光学系と焦点
    距離がf2の第2群の光学系とを含んで構成されてお
    り、前記両焦点距離にはf1≠f2の関係があり、前記
    リレー光学系全体の焦点距離が可変であることを特徴と
    する;照明光学系。
  2. 【請求項2】 前記第1オプティカルインテグレータの
    射出面と前記第2オプティカルインテグレータの入射面
    との距離をTLとしたとき、TL/f1≧0.8の関係
    を有することを特徴とする、請求項1に記載の照明光学
    系。
  3. 【請求項3】 前記第1オプティカルインテグレータの
    焦点距離が可変であることを特徴とする、請求項1また
    は請求項2に記載の照明光学系。
  4. 【請求項4】 前記第1オプティカルインテグレータ
    は、互いに交換可能で、且つ互いに異なる焦点距離を有
    する複数のオプティカルインテグレータの群から選択さ
    れるように構成されたことを特徴とする、請求項3に記
    載の照明光学系。
  5. 【請求項5】 前記第1オプティカルインテグレータ
    は、焦点距離が連続的に可変に構成されたことを特徴と
    する、請求項3に記載の照明光学系。
  6. 【請求項6】 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載
    の照明光学系と;前記照明光学系により照明されたレチ
    クル上のパターンを感光性基板上に投影露光する投影光
    学系とを備える;露光装置。
  7. 【請求項7】 請求項6に記載の露光装置を用いて半導
    体デバイスを製造する方法において;前記投影光学系を
    介して前記レチクルのパターンを前記感光性基板に転写
    する工程を含むことを特徴とする半導体デバイスの製造
    方法。
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