JPH11111182A - Plasma display and manufacture thereof - Google Patents
Plasma display and manufacture thereofInfo
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- JPH11111182A JPH11111182A JP9269784A JP26978497A JPH11111182A JP H11111182 A JPH11111182 A JP H11111182A JP 9269784 A JP9269784 A JP 9269784A JP 26978497 A JP26978497 A JP 26978497A JP H11111182 A JPH11111182 A JP H11111182A
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- electrodes
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イおよびその製造方法に関するものである。The present invention relates to a plasma display and a method for manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、回路材料やディスプレイにおい
て、小形化や高密度化、高精細化、高信頼性の要求が高
まっており、それに伴って、電極の線幅は細くなりピッ
チも狭くなってきている。異物、ゴミなどの混入により
生じる電極の欠陥については各種の修復(リペア)方法
が提案されているが、その製造過程において最初から欠
陥のない電極が望まれている。2. Description of the Related Art In recent years, there has been an increasing demand for miniaturization, high density, high definition, and high reliability in circuit materials and displays. As a result, the line width of electrodes and the pitch have become narrower. ing. Various repair (repair) methods have been proposed for electrode defects caused by the inclusion of foreign matter, dust, and the like, but an electrode having no defect is desired from the beginning in the manufacturing process.
【0003】プラズマディスプレイパネル(PDP)
は、液晶パネルに比べて高速の表示が可能であり且つ大
型化が容易であることから、OA機器および情報表示装
置などの分野に浸透している。また、高品位テレビジョ
ンの分野などでの進展が非常に期待されている。[0003] Plasma display panel (PDP)
Since they can display at a higher speed and can be easily made larger in size than liquid crystal panels, they have permeated OA equipment and information display devices. Further, progress in the field of high-definition television is highly expected.
【0004】このような用途の拡大に伴って、微細で多
数の表示セルを有するカラーPDPが注目されている。
PDPは、前面ガラス基板と背面ガラス基板との間に備
えられた放電空間内で対抗するアノードおよびカソード
電極間にプラズマ放電を生じさせ、上記放電空間内に封
入されているガスから発光させることにより表示を行う
ものである。この場合、ガラス基板上のアノードおよび
カソード電極は、複数本の線状電極を平行に配置されて
おり、互いの電極が僅小な間隙を介して対抗し且つ互い
の線状電極が交差する方向を向くように重ね合わせて構
成される。PDPの中で、蛍光体によるカラー表示に適
した3電極構造の面放電型PDPは、互いに平行に隣接
した一対の表示電極からなる複数の電極対と、各電極対
と直交する複数のアドレス電極とを有する。With the expansion of such applications, attention has been paid to color PDPs having a large number of fine display cells.
The PDP generates a plasma discharge between opposing anode and cathode electrodes in a discharge space provided between a front glass substrate and a rear glass substrate, and emits light from a gas sealed in the discharge space. The display is performed. In this case, the anode and cathode electrodes on the glass substrate are arranged in parallel with a plurality of linear electrodes, and the electrodes oppose each other via a small gap and cross each other. It is configured to be superimposed so as to face. Among the PDPs, a surface discharge type PDP having a three-electrode structure suitable for color display using a phosphor includes a plurality of pairs of display electrodes adjacent to each other in parallel and a plurality of address electrodes orthogonal to each pair of electrodes. And
【0005】上記の各種電極パターンにおいて、本来は
それぞれの電極が独立した形で形成されているはずだ
が、隣接した2本以上の電極にまたがって電極材料など
の導電性物質が付着した場合、ショート欠陥となる。こ
のようなショート欠陥が生じると回路材料では誤動作、
異常電流による装置の故障、異常発熱による発火などの
問題が生じ、ディスプレイにおいては画素の欠落などが
生じ、鮮明な映像が得られない。In the various electrode patterns described above, each electrode should originally be formed in an independent form. However, when a conductive substance such as an electrode material is attached to two or more adjacent electrodes, a short circuit occurs. It becomes a defect. When such a short-circuit defect occurs, the circuit material malfunctions,
Problems such as failure of the device due to abnormal current and ignition due to abnormal heat generation occur, and the display loses pixels and the like, and clear images cannot be obtained.
【0006】また、アドレス電極は、通常スクリーン印
刷法でアドレス電極に対応するマスクパターンを有した
印刷マスクを用いて、ガラス基板上に銀ペーストなどを
印刷した後焼成して形成される。しかしながら、スクリ
ーン印刷法ではマスクパターン精度、スクイーズ硬さ、
印刷速度、分散性などの最適化を図っても電極パターン
の幅を100μm以下に細くすることができず、電極断
面形状がかまぼこ形状になり、ファインパターン化には
限界があった。また、スクリーン印刷による方法では、
印刷マスクの精度は、マスク製版の精度に依存するので
印刷マスクが大きくなるとマスクパターンの寸法誤差が
大きくなってしまう。このため25インチ以上の大面積
のPDPの場合に、高精細のPDP作製がますます技術
的に困難となっている。The address electrode is usually formed by printing a silver paste or the like on a glass substrate by using a printing mask having a mask pattern corresponding to the address electrode by a screen printing method, and then firing the silver paste. However, in screen printing, mask pattern accuracy, squeeze hardness,
Even if the printing speed, dispersibility, and the like are optimized, the width of the electrode pattern cannot be reduced to 100 μm or less, the electrode cross-section becomes a semi-cylindrical shape, and there is a limit in forming a fine pattern. In the screen printing method,
Since the precision of the print mask depends on the precision of the mask plate making, the larger the print mask, the larger the dimensional error of the mask pattern. For this reason, in the case of PDPs having a large area of 25 inches or more, it is increasingly technically difficult to produce high-definition PDPs.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、鮮明
な欠陥のない鮮明な画像が得られる、高精細で、かつ大
型のプラズマディスプレイパネルを提供することにあ
る。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a high-definition and large-sized plasma display panel capable of obtaining a clear image without a clear defect.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、基板上
に電極が形成されたプラズマディスプレイであって、該
電極の厚みが1〜10μm、線幅が20〜200μmで
あり、ショート欠陥が5カ所以下であることを特徴とす
るプラズマディスプレイによって達成される。An object of the present invention is to provide a plasma display having an electrode formed on a substrate, wherein the electrode has a thickness of 1 to 10 μm, a line width of 20 to 200 μm, and a short-circuit defect. This is achieved by a plasma display characterized by having no more than five locations.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】本発明における電極の厚みは1〜
10μmであることが必要であり、2〜5μmの範囲が
より好ましい。厚みが1μm未満と薄くなると、ピンホ
ールや白抜けが生じやすくなり、断線欠陥が生じる。ま
た厚みが10μmを越えて厚くなると、電極の上に誘電
体が形成された時、電極と誘電体との界面に応力が集中
し亀裂が生じる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The thickness of an electrode in the present invention is 1 to
It is necessary to be 10 μm, and the range of 2 to 5 μm is more preferable. When the thickness is less than 1 μm, pinholes and white spots are liable to occur, resulting in disconnection defects. When the thickness exceeds 10 μm, when a dielectric is formed on the electrode, stress concentrates on the interface between the electrode and the dielectric and cracks occur.
【0010】また、電極の線幅は20〜200μmであ
ることが必要である。より好ましくは20〜80μmで
ある。線幅が20μm未満と狭くなると、ライン抵抗が
極端に低下し、消費電力が大きくなる。また線幅が20
0μmを越えて広くなると、焼成時の収縮によって端部
がめくり上がり、電極上に誘電体を形成したときその端
部に応力が集中し誘電体に亀裂が生じる。Further, the line width of the electrode needs to be 20 to 200 μm. More preferably, it is 20 to 80 μm. When the line width is reduced to less than 20 μm, the line resistance is extremely reduced and power consumption is increased. The line width is 20
If the width exceeds 0 μm, the end is turned up due to shrinkage during firing, and when a dielectric is formed on the electrode, stress concentrates on the end and a crack occurs in the dielectric.
【0011】本発明における電極の1本あたりの長さは
200〜2000mmであることが好ましい。200m
m未満と短くなると、サイズが小さくなりすぎてディス
プレイとしての機能が十分発揮できない。また、200
0mmを越えて長くなると、ライン抵抗が大きくなり電
極の端と反対側の端との間に電圧降下が生じ動作不良と
なる。また、基板1枚あたりの電極の数は1200〜1
0000本であることが好ましい。1200本未満と少
なくなると、ディスプレイとして使用した場合、画面が
荒くなりすぎて十分な機能が発揮できない。10000
本を越えて多くなると、電極間の隙間が狭くなり加工が
困難となる。The length of one electrode in the present invention is preferably 200 to 2000 mm. 200m
When the length is shorter than m, the size becomes too small and the function as a display cannot be sufficiently exhibited. Also, 200
If the length is longer than 0 mm, the line resistance increases and a voltage drop occurs between the end of the electrode and the end on the opposite side, resulting in an operation failure. The number of electrodes per substrate is 1200 to 1
Preferably, the number is 0000. If the number is reduced to less than 1200, when used as a display, the screen becomes too rough to exhibit a sufficient function. 10,000
When the number exceeds the number of books, the gap between the electrodes becomes narrow, and processing becomes difficult.
【0012】本発明において電極のショート欠陥は5カ
所以下であることが必要である。ショート欠陥が5カ所
を越えると、ディスプレイとして使用した場合、画素の
欠落が多くなり、鮮明な映像が得られない。特に、隣接
した3本以上の電極にまたがったショート欠陥の場合、
誤動作、異常電流による装置の故障等が起きやすいの
で、好ましくない。ショート欠陥が5カ所以下である
と、画素の欠落は少ないし、修復により、電極の欠陥を
なくすことも可能である。基板1枚当たりに、電極3本
以上に渡るショート欠陥がなく、かつ電極2本以下に渡
るショート欠陥の総数が2カ所以下であることが好まし
い。In the present invention, it is necessary that the number of short-circuit defects of the electrode is 5 or less. If the number of short defects exceeds five, when used as a display, the number of missing pixels increases, and a clear image cannot be obtained. In particular, in the case of a short-circuit defect extending over three or more adjacent electrodes,
This is not preferable because the device is likely to malfunction due to malfunction or abnormal current. If the number of short-circuit defects is five or less, the number of missing pixels is small, and it is possible to eliminate defects of the electrodes by repair. It is preferable that there is no short defect over three or more electrodes per substrate and that the total number of short defects over two or less electrodes is two or less.
【0013】本発明において使用される導電性粉末はA
g、Au、Pd、NiおよびPtの群から選ばれる少な
くとも1種を含むものが好ましく、ガラス基板上に60
0℃以下の温度で焼き付けできる低抵抗の導体粉末が使
用される。これらは、単独または混合粉末として用いる
事ができる。例えばAg(80−98)−Pd(20−
2)、Ag(90−98)−Pd(10−2)−Pt
(2−10)、Ag(85−98)−Pt(15−2)
(以上( )内は重量%を表わす)などの3元系或いは
2元系の混合貴金属粉末が用いられる。The conductive powder used in the present invention is A
g, Au, Pd, Ni and Pt are preferable and include at least one selected from the group consisting of
A low-resistance conductor powder that can be baked at a temperature of 0 ° C. or less is used. These can be used alone or as a mixed powder. For example, Ag (80-98) -Pd (20-
2), Ag (90-98) -Pd (10-2) -Pt
(2-10), Ag (85-98) -Pt (15-2)
A mixed noble metal powder of a ternary system or a binary system (the above (in parentheses represents weight%)) is used.
【0014】これらの導電性粉末の平均粒子径は1.0
〜4.0μm、より好ましくは、1.2〜2.0μmで
ある。平均粒子径が1.0μm未満と小さくなると紫外
線の露光時に光が印刷後の膜中をスムーズに透過せず、
電極導体の線幅60μm以下の微細パターンの形成が困
難となる。また粒子径が4.0μmを越えて大きくなる
と印刷後の電極パターンの表面が粗くなり、10μm以
下の薄膜導体のパターン精度や厚み・寸法精度が低下す
るようになる。The average particle size of these conductive powders is 1.0
44.0 μm, more preferably 1.2-2.0 μm. When the average particle size is smaller than 1.0 μm, light does not smoothly pass through the printed film during exposure to ultraviolet light,
It becomes difficult to form a fine pattern having a line width of the electrode conductor of 60 μm or less. On the other hand, if the particle diameter is larger than 4.0 μm, the surface of the electrode pattern after printing becomes rough, and the pattern accuracy, thickness and dimensional accuracy of the thin film conductor of 10 μm or less decrease.
【0015】導電性粉末の比表面積は、0.3〜2.5
m2 /gのサイズを有していることが好ましく、0.8
〜1.5m2 /gの範囲がより好ましい。比表面積が
0.3m2 /g未満では、電極パターンの精度が低下す
る。また2.5m2 /gを越えると粉末の表面積が大き
くなり過ぎて紫外線が散乱されて、下部まで露光硬化が
十分行われないために現像時に剥がれが生じてパターン
精度が低下する。The specific surface area of the conductive powder is 0.3 to 2.5.
m 2 / g, preferably 0.8
More preferably, the range is 1.5 m 2 / g. If the specific surface area is less than 0.3 m 2 / g, the accuracy of the electrode pattern is reduced. On the other hand, if it exceeds 2.5 m 2 / g, the surface area of the powder becomes too large and the ultraviolet rays are scattered, and the exposure hardening is not sufficiently performed to the lower part, so that peeling occurs during development and the pattern accuracy is reduced.
【0016】また、導電性粉末のタップ密度は3〜5g
/cm3 であるのが好ましい。より好ましくは、3.5〜
5g/cm3 の範囲である。タップ密度がこの範囲にある
と紫外線透過性が良く、電極パターン精度が向上する。
さらに、ペーストの印刷後の塗布膜でレベリング性の良
い緻密な膜が得られる。The tap density of the conductive powder is 3 to 5 g.
/ Cm 3 . More preferably, 3.5 to
It is in the range of 5 g / cm 3 . When the tap density is in this range, the ultraviolet ray transmittance is good, and the electrode pattern accuracy is improved.
Further, a dense film having good leveling property can be obtained in the coating film after printing the paste.
【0017】導電性粉末の形状は、粒状(粒子状)、多
面体状、球状のものが使用できるが、単分散粒子で、凝
集がなく、球状であることが好ましい。この場合、球状
とは球形率が90個数%以上が好ましい。球形率の測定
は、粉末を光学顕微鏡で300倍の倍率にて撮影し、こ
のうち計数可能な粒子を計数し、球形のものの比率を表
した。球状であると露光時に紫外線の散乱が非常に少な
くなり、高精度のパターンが得られ、照射エネルギーが
少なくて済む。The conductive powder may be in the form of particles (particles), polyhedrons, or spheres, but is preferably monodisperse particles that do not aggregate and are spherical. In this case, the spherical shape preferably has a sphericity of 90% by number or more. For the measurement of the sphericity, the powder was photographed with an optical microscope at a magnification of 300 times, and countable particles were counted, and the ratio of spherical particles was represented. When the shape is spherical, the scattering of ultraviolet light during exposure is very small, a highly accurate pattern can be obtained, and the irradiation energy can be reduced.
【0018】本発明の電極において、断線欠陥が電極長
さ10mあたり1個以下、より好ましくは電極パネル1
枚あたり、断線欠陥が1個以下であることがプラズマデ
ィスプレイパネルの表示特性から好ましい。In the electrode of the present invention, the number of disconnection defects is one or less per 10 m of electrode length,
It is preferable that the number of disconnection defects per sheet is one or less from the display characteristics of the plasma display panel.
【0019】本発明の電極に使用される感光性有機成分
とは、感光性導電ペースト中の感光性を有する化合物を
含む有機成分のことである。The photosensitive organic component used in the electrode of the present invention is an organic component containing a photosensitive compound in the photosensitive conductive paste.
【0020】本発明の電極に使用される感光性導電ペー
ストに関しては、感光性化合物の含有率が感光性有機成
分の10重量%以上であることが光に対する感度の点で
好ましい。さらには30重量%以上であることが好まし
い。With respect to the photosensitive conductive paste used for the electrode of the present invention, the content of the photosensitive compound is preferably at least 10% by weight of the photosensitive organic component from the viewpoint of sensitivity to light. More preferably, it is at least 30% by weight.
【0021】感光性化合物としては、光不溶化型のもの
と光可溶化型のものがあり、光不溶化型のものとして、
(1)分子内に不飽和基などを1つ以上有する官能性の
モノマー、オリゴマーまたはポリマーを含有するもの、
(2)芳香族ジアゾ化合物、芳香族アジド化合物、有機
ハロゲン化合物などの感光性化合物を含有するもの、
(3)ジアゾ系アミンとホルムアルデヒドとの縮合物な
どいわゆるジアゾ樹脂といわれるもの、等がある。The photosensitive compound includes a photo-insolubilized type and a photo-solubilized type.
(1) those containing a functional monomer, oligomer or polymer having at least one unsaturated group in the molecule;
(2) those containing photosensitive compounds such as aromatic diazo compounds, aromatic azide compounds, and organic halogen compounds;
(3) So-called diazo resins, such as condensates of diazo-based amines and formaldehyde, and the like.
【0022】また、光可溶型のものとしては、(4)ジ
アゾ化合物の無機塩や有機酸とのコンプレックス、キノ
ンジアゾ類を含有するもの、(5)キノンジアゾ類を適
当なポリマーバインダーと結合させた、例えばフェノー
ル、ノボラック樹脂のナフトキノン1、2−ジアジド−
5−スルフォン酸エステル、等がある。The photo-soluble type includes (4) a complex of a diazo compound with an inorganic salt or an organic acid, a compound containing quinone diazos, and (5) a quinone diazo compound combined with an appropriate polymer binder. For example, phenol, naphthoquinone 1,2-diazide of novolak resin
5-sulfonic acid ester, and the like.
【0023】本発明においては、上記のすべてを用いる
ことができるが、取り扱いの容易性や品質設計の容易性
においては、上記(1)が好ましい。In the present invention, all of the above can be used, but the above (1) is preferred in terms of ease of handling and quality design.
【0024】分子内に官能基を有する感光性モノマーの
具体的な例として、メチルアクリレート、エチルアクリ
レート、n−プロピルアクリレート、イソプロピルアク
リレート、n−ブチルアクリレート、sec−ブチルア
クリレート、sec−ブチルアクリレート、イソ−ブチ
ルアクリレート、tert−ブチルアクリレート、n−
ペンチルアクリレート、アリルアクリレート、ベンジル
アクリレート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシ
トリエチレングリコールアクリレート、シクロヘキシル
アクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシ
クロペンテニルアクリレート、2−エチルヘキシルアク
リレート、グリセロールアクリレート、グリシジルアク
リレート、ヘプタデカフロロデシルアクリレート、2−
ヒドロキシエチルアクリレート、イソボニルアクリレー
ト、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシ
ルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリル
アクリレート、2−メトキシエチルアクリレート、メト
キシエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチ
レングリコールアクリレート、オクタフロロペンチルア
クリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリ
ルアクリレート、トリフロロエチルアクリレート、アリ
ル化シクロヘキシルジアクリレート、1,4−ブタンジ
オールジアクリレート、1,3−ブチレングリコールジ
アクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジ
エチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリ
コールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアク
リレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレー
ト、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアク
リレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレー
ト、グリセロールジアクリレート、メトキシ化シクロヘ
キシルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアク
リレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリ
プロピレングリコールジアクリレート、トリグリセロー
ルジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、アクリルアミド、アミノエチルアクリレートお
よび上記化合物の分子内のアクリレートを一部もしくは
すべてをメタクリレートに変えたもの、γ−メタクリロ
キシプロピルトリメトキシシラン、1−ビニル−2−ピ
ロリドンなどが挙げられる。Specific examples of the photosensitive monomer having a functional group in the molecule include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, isopropyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, -Butyl acrylate, tert-butyl acrylate, n-
Pentyl acrylate, allyl acrylate, benzyl acrylate, butoxyethyl acrylate, butoxytriethylene glycol acrylate, cyclohexyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, glycerol acrylate, glycidyl acrylate, heptadecafluorodecyl acrylate, 2-
Hydroxyethyl acrylate, isobonyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, isodexyl acrylate, isooctyl acrylate, lauryl acrylate, 2-methoxyethyl acrylate, methoxyethylene glycol acrylate, methoxydiethylene glycol acrylate, octafluoropentyl acrylate, phenoxyethyl acrylate, Stearyl acrylate, trifluoroethyl acrylate, allylated cyclohexyl diacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,3-butylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate Acrylate, dipen Erythritol hexaacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, glycerol diacrylate, methoxylated cyclohexyl diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, propylene glycol diacrylate, polypropylene glycol diacrylate, triglycerol diacrylate, triglycol Methylolpropane triacrylate, acrylamide, aminoethyl acrylate and those obtained by changing some or all of the acrylate in the molecule of the above compound to methacrylate, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 1-vinyl-2-pyrrolidone, and the like. .
【0025】また、フェニル(メタ)アクリレート、フ
ェノキシエチル(メタ)アクリレート、ベンジル(メ
タ)アクリレート、1−ナフチル(メタ)アクリレー
ト、2−ナフチル(メタ)アクリレート、ビスフェノー
ルAジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールA−エチ
レンオキサイド付加物のジ(メタ)アクリレート、ビス
フェノールA−プロピレンオキサイド付加物のジ(メ
タ)アクリレート、1−ナフチル(メタ)アクリレー
ト、2−ナフチル(メタ)アクリレート、チオフェノー
ル(メタ)アクリレート、ベンジルメルカプタン(メ
タ)アクリレートな度のアクリレート類、スチレン、p
−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルス
チレン、α−メチルスチレン、クロロメチルスチレン、
ヒドロキシメチルスチレンなどのスチレン類、またこれ
らの芳香環中の水素原子の一部もしくはすべてを塩素、
臭素原子、ヨウ素あるいはフッ素に置換したしたもの、
および上記化合物の分子内のアクリレートの一部もしく
はすべてをメタクリレートに変えたものを用いることが
できる。Also, phenyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, 1-naphthyl (meth) acrylate, 2-naphthyl (meth) acrylate, bisphenol A di (meth) acrylate, bisphenol A -Di (meth) acrylate of ethylene oxide adduct, di (meth) acrylate of bisphenol A-propylene oxide adduct, 1-naphthyl (meth) acrylate, 2-naphthyl (meth) acrylate, thiophenol (meth) acrylate, benzyl Mercaptan (meth) acrylate-like acrylates, styrene, p
-Methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, α-methylstyrene, chloromethylstyrene,
Styrenes such as hydroxymethylstyrene, and some or all of the hydrogen atoms in these aromatic rings are chlorine,
Those substituted with bromine atoms, iodine or fluorine,
Further, methacrylate in which part or all of the acrylate in the molecule of the above compound is used can be used.
【0026】本発明ではこれらを1種または2種以上使
用することができる。これら以外に、不飽和カルボン酸
等の不飽和酸を加えることによって、感光後の現像性を
向上することができる。不飽和カルボン酸の具体的な例
としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、ク
ロトン酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸、または
これらの酸無水物などがあげられる。In the present invention, one or more of these can be used. In addition to these, the developability after exposure can be improved by adding an unsaturated acid such as an unsaturated carboxylic acid. Specific examples of the unsaturated carboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, vinyl acetic acid, and acid anhydrides thereof.
【0027】一方、分子内に官能基を有するオリゴマー
やポリマーの例としては、前述のモノマーの内少なくと
も1種類を重合して得られたオリゴマーやポリマーの側
鎖または分子末端に官能基を付加させたものなどを用い
ることができる。少なくともアクリル酸アルキルあるい
はメタクリル酸アルキルを含むこと、より好ましくは、
少なくともメタクリル酸メチルを含むことによって、熱
分解性の良好な重合体を得ることができる。On the other hand, as an example of an oligomer or polymer having a functional group in the molecule, a functional group may be added to a side chain or a molecular terminal of an oligomer or polymer obtained by polymerizing at least one of the above-mentioned monomers. Can be used. Including at least alkyl acrylate or alkyl methacrylate, more preferably,
By containing at least methyl methacrylate, a polymer having good thermal decomposability can be obtained.
【0028】好ましい官能基は、エチレン性不飽和基を
有するものである。エチレン性不飽和基としては、ビニ
ル基、アリル基、アクリル基、メタクリル基などがあげ
られる。Preferred functional groups are those having an ethylenically unsaturated group. Examples of the ethylenically unsaturated group include a vinyl group, an allyl group, an acryl group, and a methacryl group.
【0029】このような官能基をオリゴマーやポリマー
に付加させる方法は、ポリマー中のメルカプト基、アミ
ノ基、水酸基やカルボキシル基に対して、グリシジル基
やイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物や
アクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたは
アリルクロライドを付加反応させて作る方法がある。The method of adding such a functional group to an oligomer or a polymer is based on an ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group or an isocyanate group, an acrylic acid, or a mercapto group, an amino group, a hydroxyl group or a carboxyl group in the polymer. There is a method in which chloride, methacrylic chloride or allyl chloride is added to make an addition reaction.
【0030】グリシジル基を有するエチレン性不飽和化
合物としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グ
リシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルアクリル
酸グリシジル、クロトニルグリシジルエーテル、クロト
ン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グリシジルエ
ーテルなどがあげられる。Examples of the ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, glycidyl ethyl acrylate, crotonyl glycidyl ether, glycidyl ether crotonic acid, glycidyl ether isocrotonic acid, and the like. .
【0031】イソシアネート基を有するエチレン性不飽
和化合物としては、(メタ)アクリロイルイソシアネー
ト、(メタ)アクリロイルエチルイソシアネート等があ
る。Examples of the ethylenically unsaturated compound having an isocyanate group include (meth) acryloyl isocyanate and (meth) acryloylethyl isocyanate.
【0032】また、グリシジル基やイソシアネート基を
有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライ
ド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライド
は、ポリマー中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカ
ルボキシル基に対して0.05〜1モル当量付加させる
ことが好ましい。The ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group or an isocyanate group, acrylic acid chloride, methacrylic acid chloride or allyl chloride is used in an amount of from 0.05 to 0.05 to the mercapto group, amino group, hydroxyl group and carboxyl group in the polymer. It is preferable to add one molar equivalent.
【0033】また、不飽和カルボン酸等の不飽和酸を共
重合することによって、感光後の現像性を向上すること
ができる。不飽和カルボン酸の具体的な例としては、ア
クリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マ
レイン酸、フマル酸、ビニル酢酸、またはこれらの酸無
水物などがあげられる。Further, by copolymerizing an unsaturated acid such as an unsaturated carboxylic acid, the developability after exposure can be improved. Specific examples of the unsaturated carboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, vinyl acetic acid, and acid anhydrides thereof.
【0034】こうして得られた側鎖にカルボキシル基等
の酸性基を有するポリマーもしくはオリゴマーの酸価
(AV)は50〜150、さらには50〜120の範囲
が好ましい。酸価が50未満であると、現像許容幅が狭
くなる。また、酸価が180を越えると未露光部の現像
液に対する溶解性が低下するようになるため現像液濃度
を濃くすると露光部まで剥がれが発生し、高精細なパタ
ーンが得られにくい。The polymer or oligomer having an acidic group such as a carboxyl group in the side chain thus obtained has an acid value (AV) of 50 to 150, preferably 50 to 120. When the acid value is less than 50, the allowable development width becomes narrow. On the other hand, if the acid value exceeds 180, the solubility of the unexposed portion in the developing solution decreases, so that if the developing solution concentration is increased, peeling occurs up to the exposed portion, making it difficult to obtain a high-definition pattern.
【0035】さらにバインダーとして、ポリビニルアル
コール、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステル
重合体、アクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステ
ル−メタクリル酸エステル共重合体、α−メチルスチレ
ン重合体、ブチルメタクリレート樹脂などに非感光性の
ポリマーを加えてもよい。Further, as a binder, non-photosensitive to polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, methacrylate polymer, acrylate polymer, acrylate-methacrylate copolymer, α-methylstyrene polymer, butyl methacrylate resin, etc. A hydrophilic polymer may be added.
【0036】感光性モノマーをオリゴマーやポリマーに
対して0.05〜10倍量用いることが好ましい。より
好ましくは0.1〜3倍量である。10倍量を越えると
ペーストの粘度が小さくなり、ペースト中での分散性が
低下する恐れがある。0.05倍量未満では、未露光部
の現像液への溶解性が不良となりやすい。It is preferable to use the photosensitive monomer in an amount of 0.05 to 10 times the amount of the oligomer or the polymer. More preferably, the amount is 0.1 to 3 times. If the amount exceeds 10 times, the viscosity of the paste becomes small, and the dispersibility in the paste may be reduced. If the amount is less than 0.05 times, the solubility of the unexposed portion in the developer tends to be poor.
【0037】本発明においては、電極中にガラスフリッ
トを含有することができる。ガラスフリットは導電性粉
末をガラス基板上に焼き付けるためにまた導電性粉末を
焼結するための焼結助剤や導体抵抗を下げる効果がある
ためである。ガラスフリットのガラス転移温度(Tg)
およびガラス軟化点(Ts)は、それぞれ400〜50
0℃、450〜550℃であることが好ましい。好まし
くはTgおよびTsがそれぞれ440〜500℃、46
0〜530℃である。Tg、Tsがそれぞれ400℃、
450℃未満では、ポリマーやモノマーなどの感光性有
機化合物が蒸発する前にガラスの焼結が始まり、有機化
合物の脱バインダーがうまくいかず、焼成後に残留炭素
となり、電極剥がれの原因となり、緻密かつ低抵抗の導
体膜が得られないので好ましくない。Tg、Tsがそれ
ぞれ500℃、550℃を越えるとガラスフリットで
は、600℃以下の温度で焼き付けたときに導体膜とガ
ラス基板とで充分な接着強度や緻密な膜が得られない。In the present invention, a glass frit can be contained in the electrode. This is because glass frit has an effect of baking conductive powder on a glass substrate, a sintering aid for sintering the conductive powder, and an effect of reducing conductor resistance. Glass transition temperature of glass frit (Tg)
And the glass softening point (Ts) is 400 to 50, respectively.
The temperature is preferably 0 ° C and 450 to 550 ° C. Preferably, Tg and Ts are 440 to 500 ° C. and 46, respectively.
0-530 ° C. Tg and Ts are each 400 ° C.
If the temperature is lower than 450 ° C., the sintering of the glass starts before the photosensitive organic compound such as a polymer or a monomer evaporates, the binder removal of the organic compound does not work well, and carbon remains after firing, which causes the electrode to peel off, and is dense and dense. It is not preferable because a conductor film having low resistance cannot be obtained. If Tg and Ts exceed 500 ° C. and 550 ° C., respectively, the glass frit cannot obtain a sufficient adhesive strength or a dense film between the conductive film and the glass substrate when baked at a temperature of 600 ° C. or less.
【0038】ガラスフリットの粉末粒子径は、平均粒子
径(D50)が0.5〜1.4μm、10%粒子径(D
10)が、0.3〜0.6、90%粒子径(D90)が
0.7〜2μmおよび最大サイズが4.5μm以下であ
ることが好ましい。より好ましくは、D50が0.5〜
1、D10が0.3〜0.5、D90が0.7〜1.
5、トップサイズが2μm以下である。D50、D1
0、D90%粒子径がそれぞれ0.5、0.3、0.7
μm未満では、ガラスフリットの粒子サイズが小さくな
り過ぎて紫外線が未露光部まで散乱され、電極のエッジ
部・端部の光硬化が起こり、完全に現像できなくなる。
このため、電極のパターンの切れ・解像度が低下する。
また、D50、D10、D90%粒子径およびトップサ
イズがそれぞれ1.4、0.6、2,4.5μmをそれ
ぞれ越えると、粗大なガラスフリットが電極間に残留し
た場合、ショート欠陥になる。The powder particle size of the glass frit is such that the average particle size (D50) is 0.5 to 1.4 μm and the 10% particle size (D50)
10) is preferably 0.3 to 0.6, the 90% particle diameter (D90) is 0.7 to 2 μm, and the maximum size is 4.5 μm or less. More preferably, D50 is 0.5 to
1, D10 is 0.3-0.5, D90 is 0.7-1.
5. The top size is 2 μm or less. D50, D1
0, D90% particle size is 0.5, 0.3, 0.7 respectively
If it is less than μm, the particle size of the glass frit becomes too small, and the ultraviolet light is scattered to the unexposed portion, photocuring occurs at the edge and end of the electrode, and the electrode cannot be completely developed.
Therefore, the cut / resolution of the electrode pattern is reduced.
If the D50, D10, and D90% particle diameters and the top size exceed 1.4, 0.6, and 2,4.5 μm, respectively, short defects will occur if coarse glass frit remains between the electrodes.
【0039】ガラスフリットの50〜400℃での熱膨
張係数α50〜400は、75〜90×10-7/°Kである
ことが好ましい。αがこの範囲でないと、ガラス基板上
に焼き付けた導体膜が基板とガラスフリットとのαの違
いによる膜剥がれが冷却時に起こる。The coefficient of thermal expansion α 50 to 400 at 50 to 400 ° C. of the glass frit is preferably 75 to 90 × 10 −7 / ° K. If α is not in this range, the conductor film baked on the glass substrate will be peeled off during cooling due to the difference in α between the substrate and the glass frit.
【0040】本発明においては、ガラスフリットの組成
としては、Bi2 O3 は30〜95重量%の範囲で配合
することが好ましい。30重量%未満の場合は、導電ペ
ーストをガラス基板上に焼き付けする時に、ガラス転移
点や軟化点を制御するのに十分でなく、基板に対する導
体膜の接着強度を高めるのに効果が少ない。また95重
量%を越えるとガラスフリットの軟化点が低くなり過ぎ
てペースト中のバインダーが蒸発する前にガラスフリッ
トが溶融する。このためペーストの脱バインダ性が悪く
なり、導体膜の焼結性が低下し、また基板との接着強度
が低下する。In the present invention, the composition of the glass frit is preferably such that Bi 2 O 3 is contained in the range of 30 to 95% by weight. When the amount is less than 30% by weight, when the conductive paste is baked on a glass substrate, the glass transition point and the softening point are not sufficiently controlled, and the effect of increasing the adhesive strength of the conductive film to the substrate is small. If it exceeds 95% by weight, the softening point of the glass frit becomes too low, and the glass frit is melted before the binder in the paste evaporates. For this reason, the binder removal property of the paste is deteriorated, the sinterability of the conductor film is reduced, and the adhesive strength with the substrate is reduced.
【0041】さらに、ガラスフリットが、酸化物換算表
記で Bi2 O3 30〜95重量部 SiO2 5〜30重量部 B2 O3 6〜20重量部 ZnO 2〜20重量部 の組成範囲からなるものを80重量%以上含有すること
が好ましい。この範囲であると550〜600℃で導体
膜をガラス基板上に強固に焼き付けできるガラスフリッ
トが得られる。Further, the glass frit has a composition range of 30 to 95 parts by weight of Bi 2 O 3, 5 to 30 parts by weight of SiO 2, 6 to 20 parts by weight of B 2 O 3 and 2 to 20 parts by weight of ZnO in terms of oxide. It is preferable that the content is 80% by weight or more. Within this range, a glass frit that can firmly bake a conductive film on a glass substrate at 550 to 600 ° C. is obtained.
【0042】特に、本発明のガラスフリット組成を用い
ると感光性有機成分のゲル化反応を起こしやすいPbO
などを用いずに好ましいガラスフリットを得ることがで
き、ゲル化反応によるペースト粘度上昇やパターン形成
ができない問題を回避でき、安定な導電ペーストを得る
ことができる。In particular, when the glass frit composition of the present invention is used, PbO which is liable to cause a gelling reaction of a photosensitive organic component is obtained.
It is possible to obtain a preferable glass frit without using any of the above methods, to avoid a problem that a paste viscosity is increased due to a gelling reaction and a problem that a pattern cannot be formed, and to obtain a stable conductive paste.
【0043】SiO2 は5〜30重量%の範囲で配合す
ることが好ましく、5重量%未満の場合は基板上に焼き
付けた時の接着強度の低下やガラスフリットの安定性が
低下する。また30重量%より多くなると耐熱温度が増
加し、600℃以下でガラス基板上に焼き付けが難しく
なる。The content of SiO 2 is preferably in the range of 5 to 30% by weight, and if it is less than 5% by weight, the adhesive strength when baked on the substrate and the stability of the glass frit are reduced. On the other hand, if it exceeds 30% by weight, the heat-resistant temperature increases, and it becomes difficult to bake on a glass substrate at 600 ° C or lower.
【0044】B2 O3 は6〜20重量%の範囲で配合す
ることが好ましい。B2 O3 は導電ペーストの電気絶縁
性、接着強度、熱膨張係数などの電気、機械および熱的
特性を損なうことのないように焼き付け温度を550〜
600℃の範囲に制御するために配合される。6重量%
未満では密着強度が低下し、また20重量%を越えると
ガラスフリットの安定性が低下する。It is preferable that B 2 O 3 is blended in the range of 6 to 20% by weight. B 2 O 3 has a baking temperature of 550 to 550 so as not to impair the electrical, mechanical and thermal properties of the conductive paste, such as electrical insulation, adhesive strength, and thermal expansion coefficient.
It is blended to control in the range of 600 ° C. 6% by weight
If the amount is less than the above, the adhesion strength is reduced, and if it exceeds 20% by weight, the stability of the glass frit is reduced.
【0045】ZnOは2〜20重量%の範囲で配合する
ことが好ましい。2重量%未満では導電ペーストをガラ
ス基板上に焼き付けする時に、焼き付け温度を制御する
効果が少ない。20重量%を越えるとガラスの耐熱温度
が低くなり過ぎてガラス基板上への焼き付けが難しくな
る。It is preferable that ZnO is blended in the range of 2 to 20% by weight. When the amount is less than 2% by weight, the effect of controlling the baking temperature when baking the conductive paste on the glass substrate is small. If it exceeds 20% by weight, the heat-resistant temperature of the glass will be too low, and it will be difficult to bake it on a glass substrate.
【0046】ガラスフリット粉末には、銀粉末と反応し
ガラス基板が黄変色する原因やプラズマの放電特性を劣
化させるNa2 O、Li2 O、K2 O、BaO,CaO
などのアルカリ金属、アルカリ土類金属の酸化物を実質
的に含まないことが好ましい。実質的に含まないとは、
0.5重量%以下、好ましくは、0.1重量%以下であ
る。The glass frit powder includes Na 2 O, Li 2 O, K 2 O, BaO, and CaO, which react with silver powder to cause yellowing of the glass substrate and deteriorate plasma discharge characteristics.
It is preferred that they do not substantially contain an alkali metal or alkaline earth metal oxide. Substantially not included
It is at most 0.5% by weight, preferably at most 0.1% by weight.
【0047】また、ガラスフリット中にAl2 O3 、B
aO、TiO2 、ZrO2 などを含有せしめることによ
って熱膨張係数、ガラス転移点、ガラス軟化点を制御で
きるが、その量は10重量%未満であることが好まし
い。Further, Al 2 O 3 , B
The thermal expansion coefficient, glass transition point, and glass softening point can be controlled by adding aO, TiO 2 , ZrO 2, etc., but the amount is preferably less than 10% by weight.
【0048】感光性導電ペースト中のガラスフリット含
有量としては、1〜4重量%あることが好ましい。より
好ましくは1〜3.5重量%である。PDPの前面板お
よび背面板の電極の低抵抗化・薄膜化を図るにはガラス
フリットの量が低いほうが好ましい。ガラスフリットは
電気絶縁性であるので含有量が4重量%を越えると電極
の抵抗が増大したりするので好ましくない。また、ガラ
スフリットが多くなると10μm以下の薄膜の導体で
は、導電性粉末とガラスフリットの熱膨張係数の違いに
よる膜剥がれがおこる。また、1重量%未満では、電極
膜とガラス基板との強固な接着強度が得られにくい。The content of glass frit in the photosensitive conductive paste is preferably 1 to 4% by weight. More preferably, it is 1 to 3.5% by weight. It is preferable that the amount of the glass frit is low in order to reduce the resistance and the thickness of the electrodes of the front panel and the rear panel of the PDP. Since the glass frit is electrically insulating, if the content exceeds 4% by weight, the resistance of the electrode increases, which is not preferable. Further, when the glass frit increases, in a thin film conductor of 10 μm or less, film peeling occurs due to a difference in thermal expansion coefficient between the conductive powder and the glass frit. If it is less than 1% by weight, it is difficult to obtain a strong adhesive strength between the electrode film and the glass substrate.
【0049】本発明に用いられる電極に使用される感光
性導電ペースト中には、必要に応じて光重合開始剤、増
感剤、増感助剤、重合禁止剤、可塑剤、増粘剤、有機溶
媒、酸化防止剤、分散剤、有機或いは無機の沈殿防止剤
などの添加剤成分を加えられる。In the photosensitive conductive paste used for the electrode used in the present invention, if necessary, a photopolymerization initiator, a sensitizer, a sensitization aid, a polymerization inhibitor, a plasticizer, a thickener, Additive components such as organic solvents, antioxidants, dispersants, and organic or inorganic suspending agents can be added.
【0050】本発明で使用する光重合開始剤としての具
体的な例として、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息
香酸メチル、4、4−ビス(ジメチルアミン)ベンゾフ
ェノン、4、4−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノ
ン、α−アミノ・アセトフェノン、4、4−ジクロロベ
ンゾフェノン、4−ベンゾイル−4−メチルジフェニル
ケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2、2−ジ
エトキシアセトフェノン、2、2−ジメトキシ−2−フ
ェニル−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ
−2−メチルプロピオフェノン、p−t−ブチルジクロ
ロアセトフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキ
サントン、2−クロロチオキサントン、2−イソプロピ
ルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジ
ル、ベンジルジメチルケタノール、ベンジル−メトキシ
エチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエー
テル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、2
−t−ブチルアントラキノン、2−アミルアントラキノ
ン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズア
ントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、4
−アジドベンザルアセトフェノン、2、6−ビス(p−
アジドベンジリデン)シクロヘキサノン、2、6−ビス
(p−アジドベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサ
ノン、2−フェニル−1、2−ブタジオン−2−(o−
メトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−プロパ
ンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、
1、3−ジフェニル−プロパントリオン−2−(o−エ
トキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−3−エト
キシ−プロパントリオン−2−(o−ベンゾイル)オキ
シム、ミヒラ−ケトン、2−メチル−[4−(メチルチ
オ)フェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノン、
ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニル
クロライド、N−フェニルチオアクリドン、4、4−ア
ゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、
ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィ
ン、カンファーキノン、四臭素化炭素、トリブロモフェ
ニルスルホン、過酸化ベンゾイン及びエオシン、メチレ
ンブルーなどの光還元性の色素とアスコルビン酸、トリ
エタノールアミンなどの還元剤の組み合わせなどが挙げ
られる。本発明ではこれらを1種または2種以上使用す
ることができる。Specific examples of the photopolymerization initiator used in the present invention include benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4,4-bis (dimethylamine) benzophenone, 4,4-bis (diethylamino) benzophenone, α-amino acetophenone, 4,4-dichlorobenzophenone, 4-benzoyl-4-methyldiphenylketone, dibenzylketone, fluorenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenyl-2-phenyl Acetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, pt-butyldichloroacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyl, benzyldimethyl Ketanoru, benzyl - methoxyethyl acetal, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin butyl ether, anthraquinone, 2
-T-butylanthraquinone, 2-amylanthraquinone, β-chloranthraquinone, anthrone, benzanthrone, dibenzosuberone, methyleneanthrone, 4
-Azidobenzalacetophenone, 2,6-bis (p-
(Azidobenzylidene) cyclohexanone, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) -4-methylcyclohexanone, 2-phenyl-1,2-butadione-2- (o-
Methoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime,
1,3-diphenyl-propanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-3-ethoxy-propanetrione-2- (o-benzoyl) oxime, Michler's ketone, 2-methyl- [4- (Methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone,
Naphthalenesulfonyl chloride, quinoline sulfonyl chloride, N-phenylthioacridone, 4,4-azobisisobutyronitrile, diphenyl disulfide,
Combinations of photoreducing dyes such as benzothiazole disulfide, triphenylphosphine, camphorquinone, carbon tetrabromide, tribromophenylsulfone, benzoin peroxide and eosin, and methylene blue with reducing agents such as ascorbic acid and triethanolamine. No. In the present invention, one or more of these can be used.
【0051】さらに、光重合開始剤は、感光性有機成分
に対して、通常0.1〜30重量%、より好ましくは、
2〜20重量%用いる。光重合開始剤の量が少なすぎる
と、光感度が不良となり、光重合開始剤の量が多すぎれ
ば、露光部の残存率が小さくなりすぎるおそれがある。Further, the photopolymerization initiator is usually used in an amount of 0.1 to 30% by weight, more preferably, to the photosensitive organic component.
Use 2 to 20% by weight. If the amount of the photopolymerization initiator is too small, the photosensitivity becomes poor, and if the amount of the photopolymerization initiator is too large, the residual ratio of the exposed portion may be too small.
【0052】本発明において、電極パターン形成のため
に有機染料からなる紫外線吸光剤を添加すると好まし
い。紫外線吸収効果の高い吸光剤を添加することによっ
て焼き付け後の電極厚み5〜15μmにおいて線幅10
〜40μm、電極間の線間隔10〜40μmの高解像度
のパターンが形成できる。さらに、電極断面が矩形形状
になり、パターン端部の切れが優れ、滲みおよびエッジ
カールのない電極パターンが得られる。In the present invention, it is preferable to add an ultraviolet light absorber composed of an organic dye for forming an electrode pattern. By adding a light absorbing agent having a high ultraviolet absorbing effect, a line width of 10 at an electrode thickness of 5 to 15 μm after baking is obtained.
A high-resolution pattern with a thickness of 4040 μm and a line spacing of 10-40 μm between electrodes can be formed. Further, the electrode cross section becomes rectangular, the pattern end is excellently cut, and an electrode pattern free from bleeding and edge curl can be obtained.
【0053】すなわち、通常、導電性粉末だけでは、紫
外線が1μm以下の導体粉末や不均一な形状の凝集した
導体粉末によって散乱されて余分な部分まで光硬化し、
露光マスク通りのパターンができなくなる。このためマ
スク以外の部分が現像できなくなることが起こる。この
原因について本発明者らが鋭意検討を行った結果、散乱
された紫外光が吸収されてあるいは弱められて露光マス
クによる遮光部分にまでまわり込むことが原因であるこ
とが判明した。したがって紫外線吸光剤を添加すること
によって直進光の割合が増加し、散乱光のまわり込みが
ほぼ回避され、マスク部分の感光性樹脂の硬化を防ぎ、
露光マスクに相当したパターンが形成される。That is, usually, when the conductive powder alone is used, ultraviolet rays are scattered by the conductive powder having a size of 1 μm or less or the agglomerated conductive powder having a non-uniform shape, and are light-cured to an excessive part.
The pattern as the exposure mask cannot be obtained. For this reason, the portion other than the mask cannot be developed. The present inventors have conducted intensive studies on the cause, and as a result, it has been found that the scattered ultraviolet light is absorbed or weakened and reaches the light-shielded portion by the exposure mask. Therefore, the ratio of the straight light increases by adding the ultraviolet light absorber, the wraparound of the scattered light is almost avoided, the hardening of the photosensitive resin of the mask portion is prevented,
A pattern corresponding to the exposure mask is formed.
【0054】さらに、本発明の電極に使用される感光性
導電ペーストは、g線(波長;436nm)領域に高い
全光線透過率を有するペースト組成設計になっている。
紫外線吸光剤をg線より長波長側および低波長側の光を
カットすることによってg線領域だけの光を通すフィル
ターとしての機能を持たすことができるので好ましい。Further, the photosensitive conductive paste used for the electrode of the present invention has a paste composition design having a high total light transmittance in the g-line (wavelength: 436 nm) region.
It is preferable that the ultraviolet absorber absorbs light only in the g-line region by cutting light on the longer wavelength side and lower wavelength side than the g-ray, so that the function can be provided.
【0055】紫外線吸光剤としては有機染料からなるも
のが用いられ、中でも350〜450nmの波長範囲で
高UV吸収係数を有する有機染料が好ましく用いられ
る。有機染料としてアゾ系染料、アミノケトン系染料、
キサンテン系染料、キノリン系染料、アミノケトン系染
料、アントラキノン系、ベンゾフェノン系、ジフェニル
シアノアクリレート系、トリアジン系、p−アミノ安息
香酸系染料などが使用できる。有機染料は吸光剤として
添加した場合にも、焼成後の電極導体膜中に残存しない
で吸光剤による導体膜特性の低下を少なくできるので好
ましい。これらの中でもアゾ系およびベンゾフェノン系
染料は、g線より長波長側の光をカットできるフィルタ
ーとしての機能を有しているので好ましい。As the ultraviolet absorbent, those composed of organic dyes are used. Among them, organic dyes having a high UV absorption coefficient in the wavelength range of 350 to 450 nm are preferably used. Azo dyes, amino ketone dyes as organic dyes,
Xanthene dyes, quinoline dyes, aminoketone dyes, anthraquinone dyes, benzophenone dyes, diphenylcyanoacrylate dyes, triazine dyes, p-aminobenzoic acid dyes and the like can be used. Even when the organic dye is added as a light absorbing agent, it is preferable because deterioration of the conductor film characteristics due to the light absorbing agent can be reduced without remaining in the electrode conductor film after firing. Among them, azo dyes and benzophenone dyes are preferable because they have a function as a filter capable of cutting light having a wavelength longer than the g-line.
【0056】アゾ系染料としての代表的なものとして、
スダンブルー(Sudan Blue、C22H18N2 O
2 =342.4)、スダンR(C17H14N2 O2 =27
8.31)、スダンII(C18H14N2 O=276.3
4)、スダンIII (C22H16N4 0=352.4)、ス
ダンIV(C24H20N4 0=380.45)、オイルオレ
ンジSS(Oil Orange SS、CH3 C6 H
4 N:NC10H6 OH=262.31)オイルバイオレ
ット(Oil Violet、C24H21N5 =379.
46)、オイルイエローOB(Oil Yellow
OB、CH3 C4H4 N:NC10H4 NH2 =261.
33)などである。As representative azo dyes,
Sudan Blue (Sudan Blue, C 22 H 18 N 2 O
2 = 342.4), Sudan R (C 17 H 14 N 2 O 2 = 27
8.31), Sudan II (C 18 H 14 N 2 O = 276.3
4), Sudan III (C 22 H 16 N 4 0 = 352.4), Sudan IV (C 24 H 20 N 4 0 = 380.45), Oil Orange SS (Oil Orange SS, CH 3 C 6 H
4 N: NC 10 H 6 OH = 262.31) Oil Violet (Oil Violet, C 24 H 21 N 5 = 379.
46), Oil Yellow OB (Oil Yellow)
OB, CH 3 C 4 H 4 N: NC 10 H 4 NH 2 = 261.
33).
【0057】ベンゾフェノン系染料としては、ユビナー
ルD−50(C13H10O5 =246.22、2,2´,
4,4−テトラハイドロオキシベンゾフェノン)、ユビ
ナールMS40(C14H12O6 S=308、2−ヒドロ
キシ−4−メトキシベンゾフェノン5−スルフォン
酸)、ユビナールDS49(C15H12O11S2 Na2 =
478、2、2−ジヒドロキシ−4、4´−ジメトキシ
ベンゾフェノン5、5´−ジスルフォン酸ナトリウム)
などがあるが、250〜520nmで吸収することがで
きる染料が使用できる。As benzophenone dyes, Ubinal D-50 (C 13 H 10 O 5 = 246.22, 2,2 ′,
4,4-tetrahydro-oxy benzophenone), Uvinul MS40 (C 14 H 12 O 6 S = 308,2- hydroxy-4-methoxybenzophenone 5-sulfonic acid), Uvinul DS49 (C 15 H 12 O 11 S 2 Na 2 =
478,2,2-dihydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenone 5,5'-sodium disulfonate)
However, a dye capable of absorbing light at 250 to 520 nm can be used.
【0058】有機染料の添加量は、0.01から0.5
重量%が好ましい。より好ましくは0.01から0.1
重量%である。0.01重量%未満では添加効果が低
く、パターンの切れや滲みやエッジ部のカールをなくす
効果が少ない。0.5重量%を越えると紫外線吸収効果
が大きくなり過ぎて導体膜の下部まで光が達するまで光
硬化し、現像時に膜が剥がれやすくなったり、高精細な
パターン形成ができない。The amount of the organic dye added is from 0.01 to 0.5
% By weight is preferred. More preferably 0.01 to 0.1
% By weight. If the amount is less than 0.01% by weight, the effect of addition is low, and the effect of eliminating cuts or bleeding of the pattern and curling of the edge portion is small. If it exceeds 0.5% by weight, the effect of absorbing ultraviolet light becomes too large, and photocuring is performed until light reaches the lower portion of the conductive film, so that the film is easily peeled off during development, or a high-definition pattern cannot be formed.
【0059】紫外線吸光剤の添加方法の好ましい一例を
示すと、以下の様になる。紫外線吸光剤を予め有機溶媒
に溶解した溶液を作製する。次に該有機溶媒中に導電性
粉末を混合後、乾燥することによってできる。この方法
によって導体粉末の個々の粉末表面に均質に有機染料の
膜をコートしたいわゆるカプセル状の粉末が作製でき
る。A preferred example of the method of adding the ultraviolet light absorber is as follows. A solution is prepared by dissolving an ultraviolet absorber in an organic solvent in advance. Next, after mixing the conductive powder in the organic solvent, the mixture is dried. By this method, a so-called capsule-like powder in which the surface of each of the conductor powders is uniformly coated with an organic dye film can be produced.
【0060】本発明において、好ましい吸光度の積分値
(波長測定範囲;350〜450nm)の範囲がある。
吸光度の積分値は、粉末の状態で測定されるもので、有
機染料でコートした粉末について測定される。In the present invention, there is a preferable range of integrated value of absorbance (wavelength measurement range; 350 to 450 nm).
The integrated value of the absorbance is measured in a powder state, and is measured for a powder coated with an organic dye.
【0061】本発明で、吸光度は下記のように定義され
る。すなわち、市販の分光光度計を使用して積分球の中
で光を測定用試料に当て、そこで反射された光を集めて
検出する。また積分球により検出された光以外は、すべ
て吸収光とみなして下記の式から求められる。In the present invention, the absorbance is defined as follows. That is, light is applied to the measurement sample in an integrating sphere using a commercially available spectrophotometer, and the light reflected there is collected and detected. In addition, all the light except for the light detected by the integrating sphere is regarded as absorption light and can be obtained from the following equation.
【0062】対照光の光強度をIr、(Irは試料の吸
光度を測定する前に、積分球内面に塗布してある材料と
同じ材料のBaSO3 を試料台に取り付けて反射による
光強度を測定したデータ)、試料に入射した光の光強度
をI、試料に当たった後、吸収分の光強度をIoとする
と、試料からの反射分の光強度は(I−Io)で表さ
れ、吸光度は下記の(1)式のように定義される。上記
で光強度の単位は、W/cm2 で表す。Before measuring the absorbance of the sample, Ir was used to measure the light intensity of the control light by measuring the light intensity by reflection by attaching BaSO 3 of the same material as the material coated on the inner surface of the integrating sphere to the sample table before measuring the absorbance of the sample. Data), the light intensity of the light incident on the sample is I, and the light intensity of the absorption after irradiating the sample is Io, and the light intensity of the reflection from the sample is represented by (I-Io). Is defined as in the following equation (1). In the above, the unit of the light intensity is represented by W / cm 2 .
【0063】 吸光度= −log((I−Io)/Ir) (1) 吸光度の測定は下記のようにして行う。Absorbance = −log ((I−Io) / Ir) (1) The absorbance is measured as follows.
【0064】まず、吸光剤を添加した粉末をプレス機で
直径20mm、厚み4mmのサイズに成型する。次に分光光
度計を用いて積分球の反射試料の取り付け口に粉末の成
型体を取り付けて、反射光による吸光度を波長範囲20
0〜650nmで測定すると図1のようなグラフが得ら
れる。縦軸は(1)式の吸光度で、横軸は測定波長を示
す。次に図1で波長350〜450nmの区間の面積を
求め、その面積Sを波長350〜450nmにおける吸
光度の積分値として定義した。First, the powder to which the light absorbing agent has been added is molded into a size of 20 mm in diameter and 4 mm in thickness by a press. Next, using a spectrophotometer, a powder molded body was attached to the mounting hole of the reflecting sample of the integrating sphere, and the absorbance due to the reflected light was measured in a wavelength range of 20 nm.
When measured at 0 to 650 nm, a graph as shown in FIG. 1 is obtained. The vertical axis indicates the absorbance of equation (1), and the horizontal axis indicates the measurement wavelength. Next, the area of a section having a wavelength of 350 to 450 nm was determined in FIG. 1, and the area S was defined as an integrated value of absorbance at a wavelength of 350 to 450 nm.
【0065】本発明で上記の吸光度の積分値の好ましい
範囲は、30〜60であり、さらに好ましい範囲は35
〜50である。吸光度が30未満であると紫外線露光時
において光が導体膜の下部まで十分透過する前に導電性
粉末によって散乱されて未露光部を硬化するようにな
り、高解像度のパターン形成ができない。また吸光度が
60を超えると光が導体膜の下部に達する前に導電性粉
末に吸収されてしまい、下部の導体膜まで光が透過しな
いため光硬化できなくなる。この結果、現像時に剥がれ
るようになり、電極の形成が困難になる。In the present invention, the preferable range of the integrated value of the absorbance is 30 to 60, more preferably 35 to 60.
~ 50. If the absorbance is less than 30, light is scattered by the conductive powder before sufficiently transmitting to the lower part of the conductive film during ultraviolet exposure, and the unexposed portion is hardened, so that a high-resolution pattern cannot be formed. If the absorbance exceeds 60, the light is absorbed by the conductive powder before reaching the lower portion of the conductive film, and the light cannot be cured because the light does not transmit to the lower conductive film. As a result, they come off during development, making it difficult to form electrodes.
【0066】本発明において、ガラスフリットに加えて
焼結助剤となる金属および/または金属酸化物を添加す
ると、導電性粉末が焼結時に異常粒子成長を回避でき
る、あるいは焼結を遅らせるなどのいわゆる焼結助剤と
して有効に作用するので好ましい。この結果、導体膜と
ガラス基板との接着強度をあげるので好ましい。そのよ
うな酸化物粉末としてCu、Cr、Mo、Alあるいは
Niなどの金属および/または金属酸化物が使用でき
る。これらのうちで金属酸化物は電気的に絶縁物として
作用するので添加物の量は少ない方がよく、3重量%以
下である。3重量%を越えると導体膜の電気抵抗が増加
するのでよくない。また、金属酸化物と金属を併用する
ことも好ましく行われる。In the present invention, when a metal and / or metal oxide serving as a sintering aid is added in addition to the glass frit, the conductive powder can avoid abnormal grain growth during sintering, or can delay sintering. It is preferable because it works effectively as a so-called sintering aid. As a result, the adhesive strength between the conductor film and the glass substrate is increased, which is preferable. As such an oxide powder, a metal such as Cu, Cr, Mo, Al or Ni and / or a metal oxide can be used. Of these, metal oxides function electrically as insulators, so the amount of the additive is preferably small, and is preferably 3% by weight or less. If it exceeds 3% by weight, the electric resistance of the conductor film increases, which is not good. It is also preferable to use a metal oxide and a metal together.
【0067】増感剤は、感度を向上させるために添加さ
れる。増感剤の具体例としては、2、3−ビス(4−ジ
エチルアミノベンザル)シクロペンタノン、2,6−ビ
ス(4−ジメチルアミノベンザル)シクロヘキサノン、
2、6−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)−4−メ
チルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、4、4−ビス
(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノン、4、4−ビス
(ジメチルアミノ)カルコン、4、4−ビス(ジエチル
アミノ)カルコン、p−ジメチルアミノシンナミリデン
インダノン、p−ジメチルアミノベンジリデンインダノ
ン、2−(p−ジメチルアミノフェニルビニレン)−イ
ソナフトチアゾール、1、3−ビス(4−ジメチルアミ
ノベンザル)アセトン、1,3−カルボニル−ビス(4
−ジエチルアミノベンザル)アセトン、3,3−カルボ
ニル−ビス(7−ジエチルアミノクマリン)、N−フェ
ニル−N−エチルエタノールアミン、N−フェニルエタ
ノールアミン、N−トリルジエタノールアミン、N−フ
ェニルエタノールアミン、ジメチルアミノ安息香酸イソ
アミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、3−フェ
ニル−5−ベンゾイルチオ−テトラゾール、1−フェニ
ル−5−エトキシカルボニルチオ−テトラゾールなどが
挙げられる。本発明ではこれらを1種または2種以上使
用することができる。なお、増感剤の中には光重合開始
剤としても使用できるものがある。A sensitizer is added to improve the sensitivity. Specific examples of the sensitizer include 2,3-bis (4-diethylaminobenzal) cyclopentanone, 2,6-bis (4-dimethylaminobenzal) cyclohexanone,
2,6-bis (4-dimethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone, Michler's ketone, 4,4-bis (diethylamino) -benzophenone, 4,4-bis (dimethylamino) chalcone, 4,4-bis (diethylamino) ) Chalcone, p-dimethylaminocinnamylidene indanone, p-dimethylaminobenzylidene indanone, 2- (p-dimethylaminophenylvinylene) -isonaphthothiazole, 1,3-bis (4-dimethylaminobenzal) acetone , 1,3-carbonyl-bis (4
-Diethylaminobenzal) acetone, 3,3-carbonyl-bis (7-diethylaminocoumarin), N-phenyl-N-ethylethanolamine, N-phenylethanolamine, N-tolyldiethanolamine, N-phenylethanolamine, dimethylamino Isoamyl benzoate, isoamyl diethylaminobenzoate, 3-phenyl-5-benzoylthio-tetrazole, 1-phenyl-5-ethoxycarbonylthio-tetrazole and the like can be mentioned. In the present invention, one or more of these can be used. Some sensitizers can also be used as photopolymerization initiators.
【0068】増感剤を本発明の導電性ペーストに添加す
る場合、その添加量は反応性成分に対して通常0.1〜
10重量%、より好ましくは0.2〜5重量%である。
増感剤の量が少なすぎれば光感度を向上させる効果が発
揮されず、増感剤の量が多すぎれば露光部の残存率が小
さくなりすぎるおそれがある。When a sensitizer is added to the conductive paste of the present invention, the amount of the sensitizer to be added is usually 0.1 to 10% based on the amount of the reactive component.
It is 10% by weight, more preferably 0.2 to 5% by weight.
If the amount of the sensitizer is too small, the effect of improving the photosensitivity is not exhibited, and if the amount of the sensitizer is too large, the residual ratio of the exposed portion may be too small.
【0069】本発明の電極の導電性ペーストにおいて保
存時の熱安定性を向上させるため、熱重合禁止剤を添加
すると良い。熱重合禁止剤の具体的な例としては、ヒド
ロキノン、N−ニトロソジフェニルアミン、フェノチア
ジン、p−t−ブチルカテコール、N−フェニルナフチ
ルアミン、2,6−ジ−t−ブチル−p−メチルフェノ
ール、クロラニール、ピロガロールなどが挙げられる。
熱重合禁止剤を添加する場合、その添加量は、感光性導
電ペースト中に、通常、0.1〜5重量%、より好まし
くは、0.2〜3重量%である。熱重合禁止剤の量が少
なすぎれば、保存時の熱的な安定性を向上させる効果が
発揮されず、熱重合禁止剤の量が多すぎれば、露光部の
残存率が小さくなりすぎるおそれがある。In order to improve the thermal stability during storage in the conductive paste of the electrode of the present invention, it is preferable to add a thermal polymerization inhibitor. Specific examples of the thermal polymerization inhibitor include hydroquinone, N-nitrosodiphenylamine, phenothiazine, pt-butylcatechol, N-phenylnaphthylamine, 2,6-di-t-butyl-p-methylphenol, chloranil, Pyrogallol and the like.
When a thermal polymerization inhibitor is added, the amount thereof is usually 0.1 to 5% by weight, more preferably 0.2 to 3% by weight, in the photosensitive conductive paste. If the amount of the thermal polymerization inhibitor is too small, the effect of improving the thermal stability during storage is not exhibited, and if the amount of the thermal polymerization inhibitor is too large, the residual ratio of the exposed portion may be too small. is there.
【0070】可塑剤としては、例えばジブチルフタレー
ト(DBP)、ジオクチルフタレート(DOP)、ポリ
エチレングリコール、グリセリンなどが用いられる。As the plasticizer, for example, dibutyl phthalate (DBP), dioctyl phthalate (DOP), polyethylene glycol, glycerin and the like are used.
【0071】また本発明の電極の導電性ペーストには保
存時におけるアクリル系共重合体の酸化を防ぐために酸
化防止剤を添加できる。酸化防止剤の具体的な例として
2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ブチル化ヒ
ドロキシアニソール、2、6−ジ−t−4−エチルフェ
ノール、2,2−メチレン−ビス−(4−メチル−6−
t−ブチルフェノール)、2,2−メチレン−ビス−
(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4−
ビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、
1,1,3−トリス−(2−メチル−6−t−ブチルフ
ェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチル−4−
ヒドロキシ−t−ブチルフェニル)ブタン、ビス[3,
3−ビス−(4−ヒドロキシ−3−t−ブチルフェニ
ル)ブチリックアシッド]グリコールエステル、ジラウ
リルチオジプロピオナート、トリフェニルホスファイト
などが挙げられる。酸化防止剤を添加する場合、その添
加量は通常、感光性導電ペースト中に、0.01〜5重
量%、より好ましくは0.1〜1重量%である。酸化防
止剤の量が少なければ保存時のアクリル系共重合体の酸
化を防ぐ効果が得られず、酸化防止剤の量が多すぎれば
露光部の残存率が小さくなりすぎるおそれがある。Further, an antioxidant can be added to the conductive paste of the electrode of the present invention in order to prevent oxidation of the acrylic copolymer during storage. Specific examples of antioxidants include 2,6-di-t-butyl-p-cresol, butylated hydroxyanisole, 2,6-di-t-4-ethylphenol, and 2,2-methylene-bis- ( 4-methyl-6
t-butylphenol), 2,2-methylene-bis-
(4-ethyl-6-t-butylphenol), 4,4-
Bis- (3-methyl-6-t-butylphenol),
1,1,3-tris- (2-methyl-6-t-butylphenol), 1,1,3-tris- (2-methyl-4-
(Hydroxy-t-butylphenyl) butane, bis [3,
3-bis- (4-hydroxy-3-t-butylphenyl) butyric acid] glycol ester, dilauryl thiodipropionate, triphenyl phosphite and the like. When an antioxidant is added, its amount is usually 0.01 to 5% by weight, more preferably 0.1 to 1% by weight, in the photosensitive conductive paste. If the amount of the antioxidant is small, the effect of preventing oxidation of the acrylic copolymer during storage cannot be obtained, and if the amount of the antioxidant is too large, the residual ratio of the exposed portion may be too small.
【0072】本発明の電極に使用される感光性導電ペー
ストには、溶液の粘度を調整したい場合、有機溶媒を加
えてよい。このとき使用される有機溶媒としては、メチ
ルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、
メチルエチルケトン、ジオキサン、アセトン、シクロヘ
キサノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、
イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、ジメチ
ルスルフォキシド、γ−ブチロラクトンなどがあげられ
る。これらの有機溶媒は、単独あるいは2種以上併用し
て用いられる。When the viscosity of the solution is to be adjusted, an organic solvent may be added to the photosensitive conductive paste used for the electrode of the present invention. As the organic solvent used at this time, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve,
Methyl ethyl ketone, dioxane, acetone, cyclohexanone, cyclopentanone, isobutyl alcohol,
Isopropyl alcohol, tetrahydrofuran, dimethyl sulfoxide, γ-butyrolactone and the like. These organic solvents are used alone or in combination of two or more.
【0073】感光性導電ペーストの好ましい組成として
は、次の範囲で選択するのが良い。The preferred composition of the photosensitive conductive paste is preferably selected in the following range.
【0074】(a)導電性粉末 ;(a)、
(b)、(c)の和に対して84〜94重量% (b)感光性ポリマーと感光性モノマー;(a)、
(b)、(c)の和に対して15〜5重量% (c)ガラスフリット ;(a)、(b)、(c)の
和に対して1〜4重量% (d)光重合開始剤 ;(b)対して5〜20重量
% (e)紫外線吸光剤 ;(a)に対して0.01〜
0.5重量% 上記においてより好ましくは、(a)、(b)、(c)
の組成が、それぞれ86〜92重量%、11〜7重量
%、1〜3重量%である。この範囲にあると露光時にお
いて紫外線がよく透過し、光硬化の機能が十分発揮さ
れ、現像時における露光部の膜強度が高くなり、微細な
解像度を有する電極パターンが形成できる。焼成後の導
体膜が低抵抗で、接着強度が高くなるので好ましい。(A) conductive powder; (a)
(B) 84 to 94% by weight based on the sum of (c) (b) a photosensitive polymer and a photosensitive monomer;
15 to 5% by weight based on the sum of (b) and (c) (c) Glass frit; 1 to 4% by weight based on the sum of (a), (b) and (c) (d) Photopolymerization initiation 5% to 20% by weight with respect to (b) (e) UV absorber; 0.01 to 10% with respect to (a)
0.5% by weight In the above, more preferably, (a), (b), (c)
Are 86 to 92% by weight, 11 to 7% by weight, and 1 to 3% by weight, respectively. Within this range, ultraviolet rays are well transmitted at the time of exposure, the photocuring function is sufficiently exhibited, the film strength of the exposed portion at the time of development is increased, and an electrode pattern having a fine resolution can be formed. The fired conductor film is preferable because it has low resistance and high adhesive strength.
【0075】さらに必要に応じて増感剤、光重合促進
剤、可塑剤、分散剤、安定化剤、チキソトロピー剤、有
機あるいは無機の沈殿防止剤を添加し、混合物のスラリ
ーとする。所定の組成となるように調整されたスラリー
はホモジナイザなどの攪拌機で均質に混合した後、3本
ローラや混練機で均質に分散し、ペーストを作製する。If necessary, a sensitizer, a photopolymerization accelerator, a plasticizer, a dispersant, a stabilizer, a thixotropic agent, and an organic or inorganic suspending agent are added to form a mixture slurry. The slurry adjusted to have a predetermined composition is uniformly mixed with a stirrer such as a homogenizer, and then uniformly dispersed with a three-roller or kneader to produce a paste.
【0076】ペーストの粘度は導電性粉末、有機溶媒、
ガラスフリットの組成・種類、可塑剤、チキソトロピー
剤、沈殿防止剤および有機のレベリング剤などの添加割
合によって適宜調整されるが、その範囲は3rpmにお
いて、1万〜15万cps(センチ・ポイズ)である。
例えばガラス基板への塗布をスクリーン印刷法やバーコ
ータ、ローラコータ、アプリケータで1〜2回塗布して
膜厚10〜20μmを得るには、5万〜10万cpsが
好ましい。The viscosity of the paste is determined by using a conductive powder, an organic solvent,
It is appropriately adjusted depending on the composition and type of the glass frit, the addition ratio of the plasticizer, the thixotropic agent, the suspending agent, the organic leveling agent, and the like. The range is 10,000 to 150,000 cps (centipoise) at 3 rpm. is there.
For example, 50,000 to 100,000 cps is preferable for obtaining a film thickness of 10 to 20 μm by coating the glass substrate with a screen printing method, a bar coater, a roller coater, or an applicator once or twice to obtain a film thickness of 10 to 20 μm.
【0077】本発明の電極の形成方法は、スクリーン印
刷法、真空蒸着法、スパッタ法などがあるが、ここでは
感光性導電ペーストを用いたフォトリソ法によってPD
Pの電極パターンなどを形成する方法について説明す
る。The method of forming the electrode of the present invention includes screen printing, vacuum evaporation, sputtering and the like. In this case, the PD is formed by photolithography using a photosensitive conductive paste.
A method for forming a P electrode pattern and the like will be described.
【0078】すなわち、本発明の電極に使用されるPD
P用感光性導電ペーストは、ガラス基板上に通常スクリ
ーン印刷法で塗布される。印刷厚みはスクリーンの材質
(ポリエステルまたはステンレス製)、250から32
5メッシュのスクリーン、スクリーンの張力、ペースト
の粘度を調製することによって任意に制御できるが、3
〜15μmである。さらに好ましい厚みの範囲は、3〜
10μmである。3μm未満になると印刷法では、均質
な厚みを得ることは難しくなる。また15μmを越える
と電極パターン精度が低下したり、断面形状が逆台形に
なり、最小線幅/最小幅間隔が30μm/30μm以下
の高精細なパターンやエッジ切れが悪くなる。That is, the PD used for the electrode of the present invention
The photosensitive conductive paste for P is usually applied on a glass substrate by a screen printing method. Print thickness is 250 to 32 for screen material (polyester or stainless steel)
It can be arbitrarily controlled by adjusting a 5-mesh screen, screen tension, and paste viscosity.
1515 μm. A more preferable thickness range is 3 to
10 μm. When the thickness is less than 3 μm, it becomes difficult to obtain a uniform thickness by the printing method. On the other hand, if it exceeds 15 μm, the accuracy of the electrode pattern decreases, the cross-sectional shape becomes an inverted trapezoid, and a high-definition pattern with a minimum line width / minimum width interval of 30 μm / 30 μm or less and edge cut off deteriorate.
【0079】なお、感光性導電ペーストをガラス基板上
に塗布する場合、基板と塗布膜との密着性を高めるため
に基板の表面処理を行うとよい。表面処理液としてはシ
ランカップリング剤、例えばビニルトリクロロシラン、
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラ
ン、トリス−(2−メトキシエトキシ)ビニルシラン、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−
(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン、γ
(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メル
カプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルトリエトキシシランなどあるいは有機金属例えば有機
チタン、有機アルミニウム、有機ジルコニウムなどであ
る。シランカップリング剤或いは有機金属を有機溶媒例
えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテル、メチルアルコール、エ
チルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコー
ルなどで0.1〜5%の濃度に希釈したものを用いる。
次にこの表面処理液をスピナーなどで基板上に均一に塗
布した後に80〜140℃で10〜60分間乾燥する事
によって表面処理ができる。When the photosensitive conductive paste is applied on a glass substrate, it is preferable to perform a surface treatment on the substrate in order to enhance the adhesion between the substrate and the coating film. As the surface treatment liquid, a silane coupling agent such as vinyltrichlorosilane,
Vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, tris- (2-methoxyethoxy) vinylsilane,
γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-
(Methacryloxypropyl) trimethoxysilane, γ
(2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, or the like, or an organic metal such as organic titanium, organic aluminum, or organic zirconium. is there. A silane coupling agent or an organic metal diluted with an organic solvent such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, and butyl alcohol to a concentration of 0.1 to 5% is used.
Next, the surface treatment liquid is uniformly applied on a substrate by a spinner or the like, and then dried at 80 to 140 ° C. for 10 to 60 minutes to perform surface treatment.
【0080】次にこのような感光性導電ペーストを基板
上に塗布した膜を70〜120℃で20〜60分加熱し
て乾燥し溶媒類を蒸発させてから、フォトリソグラフィ
ー法により、電極パターンを有するフィルムまたはクロ
ムマスクなどのマスクを用いて紫外線を照射して露光
し、感光性ペーストを光硬化させる。この際使用される
活性光源としては、紫外線、電子線、X線などが挙げら
れるが、これらの中で紫外線が好ましく、その光源とし
てはたとえば低圧水銀灯、高圧水銀灯、ハロゲンラン
プ、殺菌灯などが使用できる。これらのなかでも超高圧
水銀灯が好適である。露光条件は導体膜の厚みによって
異なるが、5〜100mW/cm2 の出力の超高圧水銀灯
を用いて1〜30分間露光を行うのが好ましい。Next, the film obtained by applying such a photosensitive conductive paste on a substrate is dried by heating at 70 to 120 ° C. for 20 to 60 minutes to evaporate the solvent, and then the electrode pattern is formed by photolithography. The photosensitive paste is photocured by irradiating it with ultraviolet light using a film or a mask such as a chrome mask. Examples of the active light source used in this case include ultraviolet rays, electron beams, and X-rays. Among them, ultraviolet rays are preferable, and examples of the light source include low-pressure mercury lamps, high-pressure mercury lamps, halogen lamps, and germicidal lamps. it can. Among these, an ultra-high pressure mercury lamp is preferred. Exposure conditions vary depending on the thickness of the conductive film, but it is preferable to perform exposure for 1 to 30 minutes using an ultrahigh pressure mercury lamp having an output of 5 to 100 mW / cm 2 .
【0081】次に現像液を用いて前記露光によって硬化
していない部分を除去し、(いわゆるネガ型の)電極パ
ターンを形成する。現像は、浸漬法やスプレー法で行
う。現像液としては前記の感光性有機成分の混合物が溶
解可能である有機溶媒を使用できる。また該有機溶媒に
その溶解力が失われない範囲で水を添加してもよい。ま
たカルボキシル基もつ反応性成分が存在する場合、アル
カリ水溶液で現像できる。アルカリ水溶液として水酸化
ナトリウム、炭酸ナトリウムや水酸化カルシウム水溶液
などのような金属アルカリ水溶液を使用できるが、有機
アルカリ水溶液を用いた方が焼成時にアルカリ成分を除
去しやすいので好ましい。有機アルカリの具体例として
は、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、トリメ
チルベンジルアンモニウムヒドロキサイド、モノエタノ
ールアミン、ジエタノールアミンなどが挙げられる。ア
ルカリ水溶液の濃度は通常0.05〜0. 5重量%、よ
り好ましくは0.1〜0.5重量%である。アルカリ水
溶液濃度が0.05重量%未満だと溶解力が低下し、未
露光部が除去されず、0.5重量%を越えると露光部を
腐食させるおそれがある。Next, a part which is not cured by the exposure is removed by using a developing solution to form an electrode pattern (a so-called negative type). The development is performed by an immersion method or a spray method. As the developer, an organic solvent in which the mixture of the photosensitive organic components can be dissolved can be used. Water may be added to the organic solvent as long as the solvent does not lose its solubility. When a reactive component having a carboxyl group is present, development can be performed with an aqueous alkali solution. As the alkali aqueous solution, a metal alkali aqueous solution such as sodium hydroxide, sodium carbonate, calcium hydroxide aqueous solution or the like can be used. However, it is preferable to use an organic alkali aqueous solution since the alkali component can be easily removed at the time of firing. Specific examples of the organic alkali include tetramethylammonium hydroxide, trimethylbenzylammonium hydroxide, monoethanolamine, diethanolamine and the like. The concentration of the aqueous alkali solution is usually 0.05 to 0.5% by weight, more preferably 0.1 to 0.5% by weight. If the concentration of the aqueous alkali solution is less than 0.05% by weight, the dissolving power is reduced, unexposed portions are not removed, and if it exceeds 0.5% by weight, the exposed portions may be corroded.
【0082】次に、露光、現像後の塗布膜を空気中で焼
成する。感光性有機成分である感光性ポリマー、感光性
モノマーなどの反応性成分およびバインダー、光重合開
始剤、紫外線吸光剤、増感剤、増感助材、可塑剤、増粘
剤、有機溶媒、分散剤などの添加成分あるいは溶媒など
の有機物を完全に酸化、蒸発させる。560〜610℃
で15分〜1時間焼成し、ガラス基板上に焼き付けるこ
とが好ましい。560℃未満では、焼成が不充分なため
に導体膜の緻密性が低下し、比抵抗が高くなり、また基
板との接着強度が低下するため好ましくない。610℃
を越えるとガラス基板が熱変形し、パターンの平坦性が
低下する。Next, the coating film after exposure and development is fired in air. Reactive components and binders such as photosensitive polymers and photosensitive monomers that are photosensitive organic components, photopolymerization initiators, ultraviolet light absorbers, sensitizers, sensitization aids, plasticizers, thickeners, organic solvents, and dispersion Additives such as agents or organic substances such as solvents are completely oxidized and evaporated. 560-610 ° C
For 15 minutes to 1 hour, and baking on a glass substrate. If the temperature is lower than 560 ° C., the sintering is insufficient, so that the denseness of the conductor film is reduced, the specific resistance is increased, and the bonding strength with the substrate is undesirably reduced. 610 ° C
Exceeding the limit causes the glass substrate to be thermally deformed and the flatness of the pattern to be reduced.
【0083】本発明の電極に使用されるPDP用感光性
導電ペーストの調合、印刷、露光、現像工程では紫外線
を遮断できるところで行う必要がある。そうでないとペ
ーストあるいは塗布膜が紫外線によって光硬化してしま
い、本発明の効果を発揮できる導体膜が得られない。The preparation, printing, exposure and development steps of the photosensitive conductive paste for PDP used in the electrode of the present invention need to be performed in a place where ultraviolet rays can be blocked. Otherwise, the paste or coating film will be photo-cured by ultraviolet rays, and a conductor film that can exhibit the effects of the present invention cannot be obtained.
【0084】本発明の電極に使用される感光性導電ペー
ストを用いて電極パターンを形成した場合、例えば焼成
後の導体膜の厚みが4〜15μmにおいて導体の最小線
幅が20μm、導体間の最小幅間隔20μmが得られ
る。When the electrode pattern is formed using the photosensitive conductive paste used for the electrode of the present invention, for example, when the thickness of the conductor film after firing is 4 to 15 μm, the minimum line width of the conductor is 20 μm, and the maximum distance between the conductors is 20 μm. A narrow interval of 20 μm is obtained.
【0085】[0085]
【実施例】以下の実施例で、本発明を具体的に説明す
る。以下に示すA〜Hの材料およびa〜fの手順で電極
を形成、評価した。下記の実施例において、濃度は特に
断らない限り全て重量%で表す。The present invention will be described in detail with reference to the following examples. Electrodes were formed and evaluated according to the following materials A to H and a to f in the following order. In the following examples, all concentrations are expressed by weight% unless otherwise specified.
【0086】実施例1〜14 導電性粉末、およびガラスフリットの粒度分布(平均粒
子径、比表面積、等)は、Leed&Northrup 社のマイクロ
トラック粒度分析計(9320−HRA)を用いて測定
した。Examples 1 to 14 The particle size distribution (average particle size, specific surface area, etc.) of the conductive powder and the glass frit was measured using a Microtrac particle size analyzer (9320-HRA) manufactured by Leed & Northrup.
【0087】A.導電性粉末 (1) Ag粉末;単分散粒状、平均粒子径3.0μm、比
表面積0.48m2 /g、タップ密度4.74g/cm3 (2) 98%Ag−2%Pd粉末;単分散粒状、平均粒子
径3.3μm、比表面積0.82m2 /g B.感光性ポリマー(以下、ポリマーと略す) 40モル%のメタクリル酸(MAA)、30モル%のメ
チルメタクリレート(MMA)及び30モル%のスチレ
ン(St)からなる共重合体にMAAに対して0.4当
量のグリシジルメタクリレート(GMA)を付加反応さ
せたポリマー C.感光性モノマー(以下モノマーと略す) トリメチロールプロパントリアクリレート D.ガラスフリット 成分(重量%)酸化ビスマス(46.2)、二酸化珪素
(27.1)、酸化硼素(11.8)、酸化亜鉛(2.
6)、酸化ナトリウム(4.7)、酸化アルミニウム
(2.8)、酸化ジルコニウム(4.8)、ガラス転移
点;461℃、ガラス軟化点;513℃、50〜400
℃の熱膨張係数(α)50〜400;82×10-7/゜
K E.溶媒 γ−ブチロラクトン F.光重合開始剤 2−メチル−1−[ 4−(メチルチオ)フェニル] −2
−モルフォリノ−1−プロパノンと2,4−ジエチルチ
オキサントンをポリマーとモノマーとの総和に対して2
0%添加した。A. Conductive powder (1) Ag powder; monodisperse granular, average particle diameter 3.0 μm, specific surface area 0.48 m 2 / g, tap density 4.74 g / cm 3 (2) 98% Ag-2% Pd powder; B. Dispersed granular, average particle size 3.3 μm, specific surface area 0.82 m 2 / g Photosensitive polymer (hereinafter abbreviated as polymer) A copolymer composed of 40 mol% of methacrylic acid (MAA), 30 mol% of methyl methacrylate (MMA) and 30 mol% of styrene (St) has a content of 0.1% based on MAA. Polymer obtained by addition reaction of 4 equivalents of glycidyl methacrylate (GMA) D. Photosensitive monomer (hereinafter abbreviated as monomer) Trimethylolpropane triacrylate Glass frit component (% by weight) bismuth oxide (46.2), silicon dioxide (27.1), boron oxide (11.8), zinc oxide (2.
6), sodium oxide (4.7), aluminum oxide (2.8), zirconium oxide (4.8), glass transition point: 461 ° C, glass softening point: 513 ° C, 50 to 400
C. Thermal expansion coefficient (α) 50 to 400; 82 × 10 −7 / ΔKE Solvent γ-butyrolactone F. Photopolymerization initiator 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2
Morpholino-1-propanone and 2,4-diethylthioxanthone are added to the sum of
0% was added.
【0088】G.可塑剤 ジブチルフタレート(DBP)をポリマーの10%添加
した。G. Plasticizer Dibutyl phthalate (DBP) was added at 10% of the polymer.
【0089】H.増粘剤 酢酸2−(2−ブトキシエトキシ)エチルに溶解させた
SiO2 (濃度15%)をポリマーに対して4%添加し
た。H. SiO 2 dissolved in the thickener 2- (2-butoxyethoxy) ethyl acetate (concentration 15%) was added 4% relative to the polymer.
【0090】a.有機ビヒクルの作製 溶媒及びポリマーを混合し、攪拌しながら60℃まで加
熱し全てのポリマーを均質に溶解させた。ついで溶液を
室温まで冷却する。A. Preparation of Organic Vehicle The solvent and the polymer were mixed and heated to 60 ° C. with stirring to dissolve all the polymers homogeneously. Then the solution is cooled to room temperature.
【0091】b.ペースト作製 上記の有機ビヒクルに導電性粉末、ガラスフリット、モ
ノマー、光重合開始剤、可塑剤、増粘剤および溶媒を所
定の組成となるように添加し、3本ローラで混合・分散
してペーストを作製した。ペーストの組成を表1、表2
に示す。B. Paste preparation The conductive powder, glass frit, monomer, photopolymerization initiator, plasticizer, thickener and solvent are added to the above organic vehicle so as to have a predetermined composition, and mixed and dispersed with three rollers to paste. Was prepared. Table 1 and Table 2 show the composition of the paste.
Shown in
【0092】c.印刷 上記のペーストを325メッシュのスクリーンを用いて
ガラス基板(120mm角で、厚み1.2mm)上に100
mm角の大きさにベタに印刷し、80℃で40分間保持し
て乾燥した。乾燥後の塗布厚みは組織によって異なる
が、12〜15μmであった。C. Printing The above paste was put on a glass substrate (120 mm square, 1.2 mm thick) using a 325 mesh screen.
It was printed solid on a square mm and dried at 80 ° C. for 40 minutes. The coating thickness after drying varies depending on the structure, but was 12 to 15 μm.
【0093】d.露光、現像 上記で作製した塗布膜を40〜70μmのファインパタ
ーンを有するプラズマディスプレイパネル用電極を形成
したクロムマスクを用いて、上面から15mW/cm2 の
出力の超高圧水銀灯で60秒間紫外線露光した。次に2
5℃に保持したモノエタノールアミンの0.1重量%の
水溶液に浸漬して現像し、その後スプレーを用いて未露
光部を水洗浄した。D. Exposure and development Using a chromium mask on which a plasma display panel electrode having a fine pattern of 40 to 70 μm was formed, the coating film prepared above was exposed to ultraviolet light from an upper surface for 60 seconds with an ultra-high pressure mercury lamp having an output of 15 mW / cm 2 . . Then 2
The film was immersed in a 0.1% by weight aqueous solution of monoethanolamine kept at 5 ° C. for development, and then unexposed portions were washed with water using a spray.
【0094】e.焼成 ガラス基板上に印刷した塗布膜を空気中昇温速度250
℃/時間で加熱し、600℃で15分間焼成を行い、電
極導体膜を作製した。E. Firing The coating film printed on the glass substrate is heated in air at a heating rate of 250
Heating was performed at a temperature of 600 ° C./hour, and calcination was performed at a temperature of 600 ° C. for 15 minutes, thereby producing an electrode conductor film.
【0095】f.評価 焼成後の電極について、ショート欠陥の数を数えた。ま
た、この電極基板を用いてプラズマディスプレイを作製
し、画像表示特性を評価した。得られた画像は鮮明であ
り、かつ欠陥のない優れた表示が達成された。F. Evaluation The number of short defects was counted for the fired electrode. In addition, a plasma display was manufactured using this electrode substrate, and the image display characteristics were evaluated. The resulting image was clear and excellent display without defects was achieved.
【0096】比較例1〜3 上記の実施例においてAg粉末(1) を用い、表3に示す
ようにガラスフリットの粒度分布が異なるものを用いた
以外は上記の実施例と同じ条件にてペーストを作製し
た。Comparative Examples 1-3 Pastes were prepared under the same conditions as in the above Examples except that Ag powder (1) was used in the above Examples and that the glass frit had a different particle size distribution as shown in Table 3. Was prepared.
【0097】焼成後の電極について、実施例と同様にし
てショート欠陥の数を数えた。これら電極の欠陥の修復
(リペア)を試みたが、数が多く欠陥を無くすことは出
来なかった。また、作製した電極基板を用いてプラズマ
ディスプレイを作製し、画像表示特性を評価したとこ
ろ、得られた画像は画素の欠落が多く、非常に見づらい
表示になった。さらに、連続して点灯し続けると、欠陥
部分が広がり拡大する傾向が見られ、また放電電圧も徐
々に上昇した。The number of short defects was counted for the fired electrode in the same manner as in the example. An attempt was made to repair (repair) these electrode defects, but the number was large and the defects could not be eliminated. In addition, when a plasma display was manufactured using the manufactured electrode substrate, and the image display characteristics were evaluated, the obtained image had many missing pixels and became very hard to see. Further, when the light was continuously turned on, the defect portion tended to spread and expand, and the discharge voltage gradually increased.
【0098】[0098]
【表1】 [Table 1]
【表2】 [Table 2]
【表3】 [Table 3]
【0099】[0099]
【発明の効果】高精細で、微細パターンを有する電極パ
ネルにおいて、ショート欠陥のないパネルをプラズマデ
ィスプレイに使用することにより、鮮明で、かつ高品位
な画像が得られる。According to the present invention, a clear and high-quality image can be obtained by using a high-definition electrode panel having a fine pattern without a short-circuit defect in a plasma display.
Claims (7)
プレイであって、該電極の厚みが1〜10μm、線幅が
20〜200μmであり、ショート欠陥が5カ所以下で
あることを特徴とするプラズマディスプレイ。1. A plasma display having electrodes formed on a substrate, wherein the electrodes have a thickness of 1 to 10 μm, a line width of 20 to 200 μm, and have five or less short defects. Plasma display.
ョート欠陥がなく、かつ電極2本以下に渡るショート欠
陥の総数が2カ所以下である請求項1記載のプラズマデ
ィスプレイ。2. The plasma display according to claim 1, wherein there are no short defects over three or more electrodes per substrate, and the total number of short defects over two or less electrodes is two or less.
00mmで、かつ基板1枚あたりの電極数が1200〜1
0000本である請求項1もしくは2に記載のプラズマ
ディスプレイ。3. The length per electrode is 200 mm to 20 mm.
00 mm and the number of electrodes per substrate is 1200 to 1
3. The plasma display according to claim 1, wherein the number is 0000.
し、フォトリソグラフィでパターン形成した後、焼成さ
れたものである請求項1〜3のいずれかに記載のプラズ
マディスプレイ。4. The plasma display according to claim 1, wherein the electrodes are formed by applying a photosensitive conductive paste on a substrate, forming a pattern by photolithography, and then firing.
性有機成分を含有する感光性導電ペーストを基板上に塗
布し、フォトリソグラフィ法でパターン形成した後、焼
成することを特徴とする請求項1記載のプラズマディス
プレイの製造方法。5. A method according to claim 1, wherein a photosensitive conductive paste containing a conductive powder, glass frit, and a photosensitive organic component is applied onto a substrate, patterned by photolithography, and fired. The manufacturing method of the plasma display according to the above.
1.4μm、90%粒子径が1〜2μmおよびトップサ
イズが4.5μm以下である請求項5に記載のプラズマ
ディスプレイの製造方法。6. The glass frit having an average particle size of 0.5 to 0.5.
The method for manufacturing a plasma display according to claim 5, wherein the particle size is 1.4 µm, the 90% particle size is 1 to 2 µm, and the top size is 4.5 µm or less.
よびPtの群から選ばれる少なくとも1種を含有するも
のである請求項5に記載のプラズマディスプレイの製造
方法。7. The method according to claim 5, wherein the conductive powder contains at least one selected from the group consisting of Ag, Au, Pd, Ni and Pt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9269784A JPH11111182A (en) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | Plasma display and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9269784A JPH11111182A (en) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | Plasma display and manufacture thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11111182A true JPH11111182A (en) | 1999-04-23 |
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ID=17477118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP9269784A Pending JPH11111182A (en) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | Plasma display and manufacture thereof |
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Country | Link |
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JP (1) | JPH11111182A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008002099A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel |
-
1997
- 1997-10-02 JP JP9269784A patent/JPH11111182A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2008002099A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel |
KR100800464B1 (en) | 2006-06-30 | 2008-02-04 | 엘지전자 주식회사 | Plasma Display Panel |
US7999472B2 (en) | 2006-06-30 | 2011-08-16 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel |
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