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JPH1079458A - Semiconductor mounting substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

Semiconductor mounting substrate and manufacturing method thereof

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JPH1079458A
JPH1079458A JP8233091A JP23309196A JPH1079458A JP H1079458 A JPH1079458 A JP H1079458A JP 8233091 A JP8233091 A JP 8233091A JP 23309196 A JP23309196 A JP 23309196A JP H1079458 A JPH1079458 A JP H1079458A
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JP
Japan
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semiconductor mounting
radiator
base material
adhesive
mounting substrate
Prior art date
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JP8233091A
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Japanese (ja)
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Inventor
Akihiro Demura
彰浩 出村
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Publication date
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Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor mounting substrate and manufacturing method thereof which has semiconductor mounting parts with out dirt and superior advantage in adhesion between the base and heat sink. SOLUTION: A base 2 of the semiconductor mounting substrate 21 has hole 5 at semiconductor mounting parts, and a heat sink 3 is bonded to a heat sink bonding plane of the base 2 through adhesives 4. The heat sink 3 has protrusions 22 having nearly equal sizes to that of the hole 5, and equal heights an steps 23 formed at the edges of the holes 5 on the heat sink bonding plane, so that the protrusions 22 about on the heads of the steps 23.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体搭載用基
板、特には放熱体の接合構造に特徴を有する半導体搭載
用基板及びその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate for mounting a semiconductor, and more particularly to a substrate for mounting a semiconductor characterized by a structure for joining a radiator and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、ICチップやLSIチップ等
を搭載するための半導体搭載用基板が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor mounting substrate for mounting an IC chip, an LSI chip or the like has been known.

【0003】図9,図10に示されるように、この種の
半導体搭載用基板71を構成するプリント配線板72
は、半導体搭載部となるべき位置に開孔73を備えてい
る。このプリント配線板72の片側面には、熱硬化性樹
脂からなる接着剤74を介して金属製の放熱板75が接
合されている。
As shown in FIGS. 9 and 10, a printed wiring board 72 constituting a semiconductor mounting board 71 of this type is used.
Has an opening 73 at a position to be a semiconductor mounting portion. A metal heat radiating plate 75 is joined to one side surface of the printed wiring board 72 via an adhesive 74 made of a thermosetting resin.

【0004】上記のような半導体搭載用基板71を作製
する場合、放熱板75の接合は、例えば次のような方法
で行われる。第1の方法は、極めてCステージに近いB
ステージ(半硬化状態)のフィルム状接着剤を用いる方
法である。この方法では、前記フィルム状接着剤を所定
の形状に切断し、それをプリント配線板72と放熱板7
5との間に配置する。そして、この状態で加圧加熱する
ことにより接着剤を熱硬化させ、プリント配線板72と
放熱板75とを一体化させる。
In manufacturing the semiconductor mounting substrate 71 as described above, the joining of the heat sink 75 is performed, for example, by the following method. The first method is B, which is very close to the C stage.
This is a method using a stage (semi-cured) film adhesive. In this method, the film adhesive is cut into a predetermined shape, and the cut adhesive is printed on the printed wiring board 72 and the heat sink 7.
And 5 between them. Then, by applying pressure and heating in this state, the adhesive is thermally cured, and the printed wiring board 72 and the heat radiating plate 75 are integrated.

【0005】第2の方法は、印刷による方法である。こ
の方法では、インク状接着剤をプリント配線板72に印
刷した後、そのプリント配線板72に放熱板75を積層
する。そして、この状態で加熱することにより、プリン
ト配線板72と放熱板75とを一体化させる。
[0005] A second method is a method by printing. In this method, after the ink-like adhesive is printed on the printed wiring board 72, a heat sink 75 is laminated on the printed wiring board 72. Then, by heating in this state, the printed wiring board 72 and the heat radiating plate 75 are integrated.

【0006】第3の方法は、ディスペンサによる方法で
ある。この方法では、インク状接着剤をディスペンサを
用いて所定の形状に塗布した後、そのプリント配線板7
2に放熱板75を積層する。そして、この状態で加熱す
ることにより、プリント配線板72と放熱板75とを一
体化させる。
The third method is a method using a dispenser. In this method, after applying an ink-like adhesive in a predetermined shape using a dispenser, the printed wiring board 7 is applied.
The heat radiating plate 75 is laminated on 2. Then, by heating in this state, the printed wiring board 72 and the heat radiating plate 75 are integrated.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の従来
技術には以下のような問題がある。半硬化状態のフィル
ム状接着剤を用いる第1の方法には、1)硬化状態がC
ステージに近いため接着力が弱い、2)フィルム状接着
剤は高価である、3)半硬化状態をコントロールするこ
とが困難なため樹脂フロー量が安定しない等の問題があ
る。図9には、樹脂フロー量が不安定なため接着剤74
が過剰に流出し、半導体搭載部が汚れてしまった状態が
示されている。逆に、図10には、接着剤74中にボイ
ド76ができ、プリント配線板72と放熱板75との間
の密着性が悪くなった状態が示されている。
However, the above prior art has the following problems. The first method using a semi-cured film adhesive is as follows: 1) The cured state is C
Adhesive strength is weak because it is close to the stage. 2) The film adhesive is expensive. 3) It is difficult to control the semi-cured state, so that the resin flow amount is not stable. FIG. 9 shows that the adhesive 74
Is excessively leaked out and the semiconductor mounting portion is dirty. Conversely, FIG. 10 shows a state in which voids 76 are formed in the adhesive 74 and the adhesion between the printed wiring board 72 and the heat sink 75 is deteriorated.

【0008】印刷による第2の方法では、外気温度の影
響を受けやすく、接着剤74の塗布厚さが不安定になり
やすい。このため、接着剤74のフロー量をコントロー
ルすることが難しく、充分な密着性を得ることができな
い。
[0008] In the second method by printing, the applied temperature of the adhesive 74 tends to be unstable due to the influence of the outside air temperature. For this reason, it is difficult to control the flow amount of the adhesive 74, and it is not possible to obtain sufficient adhesion.

【0009】ディスペンサを用いる第3の方法は、他の
方法に比較して時間がかかるため、生産効率に劣ってい
る。本発明は上記の課題を解決するためなされたもので
あり、その目的は、半導体搭載部の汚れがなく、しかも
基材と放熱体との間の密着性に優れた半導体搭載用基板
を提供することにある。
The third method using a dispenser requires a longer time than other methods, and thus is inferior in production efficiency. The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor mounting substrate which is free from contamination of a semiconductor mounting portion and has excellent adhesion between a base material and a radiator. It is in.

【0010】また、本発明の別の目的は、上記の優れた
半導体搭載用基板を低コストでかつ効率よく製造するこ
とができる方法を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a method capable of efficiently manufacturing the above-mentioned excellent semiconductor mounting substrate at low cost.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項1に記載の発明では、基材に対し接着剤を
介して放熱体が接合されている半導体搭載用基板におい
て、高さが均一な凸状構造物を前記放熱体に突設し、か
つその頭部を前記基材の放熱体接合面に当接させるよう
にして配置したことを特徴とする半導体搭載用基板をそ
の要旨とする。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor mounting substrate in which a radiator is bonded to a base material via an adhesive. The semiconductor mounting substrate is characterized in that a convex structure having a uniform thickness protrudes from the radiator and is arranged such that the head thereof is in contact with the radiator bonding surface of the base material. Make a summary.

【0012】請求項2に記載の発明では、半導体搭載部
となるべき位置に開孔を有する基材に対し接着剤を介し
て放熱体が接合されている半導体搭載用基板において、
高さが均一であって前記開孔のサイズに略等しい大きさ
の凸状構造物を前記放熱体に突設するとともに、前記基
材の放熱体接合面側における前記開孔の縁部に段差を形
成し、その段差に前記凸状構造物を係合することでその
凸状構造物の頭部を同段差の底面に当接させるようにし
て配置したことを特徴とする半導体搭載用基板をその要
旨とする。
According to the second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor mounting substrate in which a radiator is bonded to a base material having an opening at a position to be a semiconductor mounting portion via an adhesive.
A projecting structure having a uniform height and a size substantially equal to the size of the opening is projected from the radiator, and a step is formed at the edge of the opening on the radiator joining surface side of the base material. And a semiconductor mounting substrate characterized by being arranged so that the head of the convex structure is brought into contact with the bottom surface of the same step by engaging the convex structure with the step. This is the gist.

【0013】請求項3に記載の発明では、半導体搭載部
となるべき位置に開孔を有する基材に対し接着剤を介し
て放熱体が接合されている半導体搭載用基板において、
高さが均一な凸状構造物を前記放熱体における複数箇所
に突設し、かつ前記基材の放熱体接合面側における前記
開孔の周囲に複数の嵌合凹部を形成し、それらの嵌合凹
部に前記凸状構造物を嵌合することで同凸状構造物の頭
部を同嵌合凹部の底面に当接させるようにして配置した
ことを特徴とする半導体搭載用基板をその要旨とする。
According to the third aspect of the present invention, there is provided a semiconductor mounting substrate in which a radiator is bonded to a base material having an opening at a position to be a semiconductor mounting portion via an adhesive.
A plurality of convex structures having a uniform height are protruded from the heat radiator at a plurality of positions, and a plurality of fitting concave portions are formed around the opening on the heat radiator joining surface side of the base material. A semiconductor mounting substrate characterized in that the convex structure is fitted into the mating recess so that the head of the convex structure is arranged to abut against the bottom surface of the fitting recess. And

【0014】請求項4に記載の発明は、請求項2または
3において、前記段差及び前記嵌合凹部は、前記基材の
放熱体接合面側にある導体層をエッチングすることによ
って形成されたものであるとした。
According to a fourth aspect of the present invention, in the second or third aspect, the step and the fitting recess are formed by etching a conductor layer on a side of the base member where the radiator is joined. It was assumed to be.

【0015】請求項5に記載の発明は、請求項1乃至4
のいずれか1項に記載の半導体搭載用基板を製造する方
法であって、前記放熱体に熱硬化性樹脂を印刷しかつそ
れを熱硬化させることにより前記凸状構造物を形成する
工程及び前記基材の放熱体接合面に前記接着剤を印刷塗
布する工程を実施した後、その接着剤を介して前記放熱
体を前記基材に接合する工程を実施することにより、前
記放熱体及び前記基材を一体化することを特徴とする半
導体搭載用基板の製造方法をその要旨とする。
[0015] The invention according to claim 5 provides the invention according to claims 1 to 4.
The method of manufacturing a substrate for mounting a semiconductor according to any one of the above, wherein a step of forming the convex structure by printing a thermosetting resin on the radiator and thermally curing it. After performing the step of printing and applying the adhesive on the radiator bonding surface of the base material, performing the step of bonding the radiator to the base material via the adhesive to perform the radiator and the base. The gist of the present invention is a method of manufacturing a substrate for mounting a semiconductor, characterized by integrating materials.

【0016】以下、本発明の「作用」について説明す
る。請求項1に記載の発明によると、放熱体に突設され
た高さが均一な凸状構造物は、自身の頭部を基材の放熱
体接合面に当接させることにより、基材と放熱体との隙
間を一定距離に保持する。従って、接着剤が過剰に流出
することがなくなり、半導体搭載部の汚れが防止され
る。また、接着剤中にボイドができることがなくなり、
基材と放熱体との間に高い密着性が確保される。
Hereinafter, the "action" of the present invention will be described. According to the first aspect of the present invention, the convex structure having a uniform height protruding from the heat radiator is brought into contact with the base material by bringing its own head into contact with the heat radiator joint surface of the base material. The gap with the heat radiator is kept at a certain distance. Therefore, the adhesive does not flow out excessively, and the semiconductor mounting portion is prevented from being stained. Also, voids are not formed in the adhesive,
High adhesion between the base material and the radiator is ensured.

【0017】請求項2に記載の発明によると、放熱体に
突設された高さが均一な凸状構造物は、自身の頭部を基
材側の段差に当接させることにより、基材と放熱体との
隙間を一定距離に保持する。従って、接着剤が過剰に流
出することがなくなり、半導体搭載部の汚れが防止され
る。また、接着剤中にボイドができることがなくなり、
基材と放熱体との間に高い密着性が確保される。以上の
ことに加えて、前記凸状構造物はいわばダムのような働
きをするため、それによっても半導体搭載部への接着剤
の過剰な流出が防止される。さらに、この構成である
と、放熱体接合面側に形成された段差に凸状構造物が係
合することができるため、基材に対する放熱体の位置決
め精度が高くなり、間接的に生産効率も向上する。
According to the second aspect of the present invention, the convex structure having a uniform height protruding from the heat radiator is provided by bringing its own head into contact with a step on the base material side. The gap between the heat sink and the heat sink is kept at a certain distance. Therefore, the adhesive does not flow out excessively, and the semiconductor mounting portion is prevented from being stained. Also, voids are not formed in the adhesive,
High adhesion between the base material and the radiator is ensured. In addition to the above, since the convex structure functions like a dam, it also prevents the adhesive from flowing out excessively to the semiconductor mounting portion. Furthermore, with this configuration, the convex structure can be engaged with the step formed on the heat radiator joint surface side, so that the positioning accuracy of the heat radiator with respect to the base material is increased, and the production efficiency is indirectly increased. improves.

【0018】請求項3に記載の発明によると、放熱体に
突設された高さが均一な複数の凸状構造物は、自身の頭
部を基材側の嵌合凹部の底面に当接させることにより、
基材と放熱体との隙間を一定距離に保持する。従って、
接着剤が過剰に流出することがなくなり、半導体搭載部
の汚れが防止される。また、接着剤中にボイドができる
ことがなくなり、基材と放熱体との間に高い密着性が確
保される。さらに、この構成であると、放熱体接合面側
に形成された各嵌合凹部に各凸状構造物が嵌合すること
ができるため、基材に対する放熱体の位置決め精度が高
くなり、間接的に生産効率も向上する。
According to the third aspect of the present invention, the plurality of convex structures having a uniform height protruding from the heat radiator abut their heads against the bottom surface of the fitting concave portion on the base material side. By letting
The gap between the base material and the radiator is kept at a certain distance. Therefore,
The adhesive does not flow out excessively, thereby preventing the semiconductor mounting portion from being stained. Further, voids are not formed in the adhesive, and high adhesion between the base material and the heat radiator is ensured. Furthermore, with this configuration, since each convex structure can be fitted into each fitting concave portion formed on the radiator joining surface side, the positioning accuracy of the radiator with respect to the base material is increased, and indirectly. The production efficiency is also improved.

【0019】請求項4に記載の発明によると、導体層の
エッチングによれば段差や嵌合凹部を基材における正確
な位置に形成することができるため、基材に対する放熱
体の位置決め精度もより高くなる。勿論、この場合、段
差や嵌合凹部の深さも均一になる。
According to the fourth aspect of the present invention, the step and the fitting concave portion can be formed at an accurate position in the base material by etching the conductor layer, so that the positioning accuracy of the radiator with respect to the base material is improved. Get higher. Of course, in this case, the steps and the depths of the fitting concave portions are also uniform.

【0020】請求項5に記載の発明によると、凸状構造
物の形成及び接着剤の塗布をともに印刷により行なって
いるため、高価なフィルム状接着剤を使用する必要がな
く、半導体搭載用基板の低コスト化が図られる。また、
ディスペンサを使用した場合に比較して作業が短時間で
済むため、半導体搭載用基板を効率よく生産することが
できる。なお、凸状構造物を形成する本発明の方法によ
ると、接着剤の塗布厚さが不安定になることもないた
め、フロー量のコントロールも容易になる。
According to the fifth aspect of the present invention, since the formation of the convex structure and the application of the adhesive are both performed by printing, it is not necessary to use an expensive film adhesive, and the semiconductor mounting substrate is not required. Cost is reduced. Also,
Since the work is completed in a shorter time than when a dispenser is used, a semiconductor mounting substrate can be efficiently produced. In addition, according to the method of the present invention for forming a convex structure, the flow rate can be easily controlled because the applied thickness of the adhesive does not become unstable.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

[第1の実施の形態]以下、本発明の半導体搭載用基板
及びその製造方法を具体化した一実施形態を図1,図2
に基づき詳細に説明する。
[First Embodiment] FIGS. 1 and 2 show an embodiment of a semiconductor mounting substrate and a method of manufacturing the same according to the present invention.
This will be described in detail based on FIG.

【0022】この半導体搭載用基板1は、基材としての
プリント配線板2と、そのプリント配線板2に対しエポ
キシ系接着剤4を介して接合された放熱体としてのメタ
ルスラグ3とを備えている。前記プリント配線板2は、
半導体搭載部となるべき位置に略正方形状の開孔5を有
する4層板である。本実施形態では、プリント配線板2
の寸法は50mm×50mmであり、開孔5の寸法は13mm
×13mmである。
The semiconductor mounting board 1 includes a printed wiring board 2 as a base material and a metal slag 3 as a heat radiator joined to the printed wiring board 2 via an epoxy adhesive 4. I have. The printed wiring board 2
It is a four-layer plate having a substantially square opening 5 at a position to be a semiconductor mounting portion. In the present embodiment, the printed wiring board 2
Is 50 mm x 50 mm and the size of aperture 5 is 13 mm
× 13 mm.

【0023】前記開孔5の内壁面に形成されたパッド形
成用段部の上面には、多数のボンディングパッド6(い
わゆるセカンドパッド)が設けられている。これらのボ
ンディングパッド6と、メタルスラグ3に搭載されたL
SIチップ7上にある図示しないボンディングパッド
(いわゆるファーストパッド)とは、ボンディングワイ
ヤ8を介して電気的に接続されている。開孔5の周囲に
は、多数のめっきスルーホール(図示略)が形成されて
いる。これらのめっきスルーホール内には、外部接続端
子としてのI/Oピン10が嵌入されている。同I/O
ピン10の一方の端部は、プリント配線板2の上面(即
ち放熱体非接合面)に突出した状態となっている。そし
て、前記各ボンディングパッド6と各I/Oピン10と
は、プリント配線板2の内層にある配線パターン11に
よって電気的に接続されている。
A large number of bonding pads 6 (so-called second pads) are provided on the upper surface of the pad forming step formed on the inner wall surface of the opening 5. These bonding pads 6 and the L
A bonding pad (not shown) (not shown) on the SI chip 7 is electrically connected via a bonding wire 8. Around the opening 5, a large number of plated through holes (not shown) are formed. In these plated through holes, I / O pins 10 as external connection terminals are fitted. Same I / O
One end of the pin 10 is in a state of protruding from the upper surface of the printed wiring board 2 (that is, the non-bonding surface of the radiator). Each of the bonding pads 6 and each of the I / O pins 10 are electrically connected by a wiring pattern 11 in an inner layer of the printed wiring board 2.

【0024】プリント配線板2の下面(即ち放熱体接合
面)には、放熱体接合用パターン12が前記開孔5を包
囲するように形成されている。本実施形態の場合、この
放熱体接合用パターン12の寸法は26mm×26mm×3
5μm に設定されている。なお、かかる放熱体接合用パ
ターン12は、例えばプリント配線板2において外層と
なる導体層をエッチングすることによって形成されるこ
とができる。そして、この放熱体接合用パターン12に
は、はんだ13によりメタルスラグ3が接合されてい
る。
On the lower surface of the printed wiring board 2 (that is, the radiator bonding surface), a radiator bonding pattern 12 is formed so as to surround the opening 5. In the case of the present embodiment, the dimensions of the radiator bonding pattern 12 are 26 mm × 26 mm × 3.
It is set to 5 μm. The radiator bonding pattern 12 can be formed by, for example, etching a conductor layer that is an outer layer in the printed wiring board 2. The metal slag 3 is joined to the radiator joining pattern 12 by the solder 13.

【0025】本実施形態では、正方形状をした銅板(2
4mm×24mm×1mm)がメタルスラグ3として使用され
ている。なお、このような銅板以外に、例えばりん青銅
やコバール等からなる高熱伝導性金属板を使用したり、
窒化アルミニウムやアルミナ等のような高熱伝導性セラ
ミックス板を使用してもよい。また、前記メタルスラグ
3において開孔5から露出している部分は、半導体とし
てのLSIチップ7を搭載するための半導体搭載部とな
っている。そして、ここに搭載されたLSIチップ7
は、耐湿性等の向上を図るべく、封止樹脂14によって
全体的に封止されている。
In this embodiment, a square copper plate (2
4 mm × 24 mm × 1 mm) is used as the metal slag 3. In addition, other than such a copper plate, for example, using a high heat conductive metal plate made of phosphor bronze, Kovar, or the like,
A high heat conductive ceramic plate such as aluminum nitride or alumina may be used. The portion of the metal slag 3 exposed from the opening 5 is a semiconductor mounting portion for mounting an LSI chip 7 as a semiconductor. And the LSI chip 7 mounted here
Is entirely sealed with a sealing resin 14 in order to improve moisture resistance and the like.

【0026】ここで、メタルスラグ3の片面において前
記開孔5に対応する位置には、凸状構造物としての内周
側枠体15が突設されている。本実施形態の内周側枠体
15は、開孔5のサイズに略等しい大きさ(13mm×1
3mm)である。従って、この内周側枠体15は、ちょう
ど開孔5に対して嵌合するようになっている。また、前
記内周側枠体15の幅は0.8mmであり、その高さは均
一かつ100μm である。ここでは、熱硬化性樹脂の印
刷・熱硬化によって内周側枠体15を形成することとし
ている。
Here, on one surface of the metal slag 3, at a position corresponding to the opening 5, an inner peripheral side frame 15 as a convex structure is protruded. The inner peripheral side frame 15 of the present embodiment has a size (13 mm × 1 mm) substantially equal to the size of the opening 5.
3 mm). Therefore, the inner peripheral side frame 15 is fitted to the opening 5. The inner frame 15 has a width of 0.8 mm and a uniform height of 100 μm. Here, the inner peripheral side frame 15 is formed by printing and thermosetting a thermosetting resin.

【0027】メタルスラグ3の片面において内周側枠体
15の周囲には、高さが均一であって開孔5のサイズよ
りもひとまわり大きな凸状構造物としての外周側枠体1
6が突設されている。このような外周側枠体16の高さ
は、40μm〜200μmであることがよい。本実施形
態ではこの高さを60μmに設定している。また、前記
外周側枠体16の寸法は20mm×20mmであり、その幅
は0.8mmである。ここでは、内周側枠体15と同じ
く、熱硬化性樹脂の印刷・熱硬化によって外周側枠体1
6を形成することとしている。そして、外周側枠体16
の頭部は、放熱体接合面に放熱体接合用パターン12に
当接するようにして配置されている。
On one side of the metal slag 3, around the inner peripheral frame 15, the outer peripheral frame 1 as a convex structure having a uniform height and slightly larger than the size of the opening 5.
6 are protrudingly provided. The height of the outer peripheral side frame 16 is preferably 40 μm to 200 μm. In the present embodiment, this height is set to 60 μm. The dimensions of the outer peripheral frame 16 are 20 mm × 20 mm, and the width thereof is 0.8 mm. Here, similarly to the inner peripheral frame 15, the outer peripheral frame 1 is formed by printing and thermosetting a thermosetting resin.
6 is formed. The outer frame 16
Is arranged so as to abut the radiator bonding pattern 12 on the radiator bonding surface.

【0028】次に、この半導体搭載用基板1を製造する
手順の一例を紹介する。まず、従来公知のサブトラクテ
ィブプロセスに従い、プリント配線板2を作製する。即
ち、あらかじめ内層配線パターン11が形成された内層
基板の両面に、プリプレグを介してそれぞれ銅箔を貼着
する。そして、このような積層物における銅箔をエッチ
ングすることにより、所定部分に放熱体接合用パターン
12を形成する。この後、開孔5の穴あけ及びピン立て
等の工程を実施する。
Next, an example of a procedure for manufacturing the semiconductor mounting substrate 1 will be introduced. First, the printed wiring board 2 is manufactured according to a conventionally known subtractive process. That is, copper foils are adhered to both surfaces of the inner layer substrate on which the inner layer wiring patterns 11 are formed in advance via prepregs. Then, the copper foil in such a laminate is etched to form the radiator bonding pattern 12 at a predetermined portion. Thereafter, steps such as drilling of the holes 5 and pin setting are performed.

【0029】次に、メタルスラグ3の片面に熱硬化性樹
脂を印刷しかつそれを熱硬化させることにより、内周側
枠体15及び外周側枠体16を形成する。なお、内周側
枠体15及び外周側枠体16の形成は、別々に行われて
も同時に行われてもよい。
Next, an inner peripheral frame 15 and an outer peripheral frame 16 are formed by printing a thermosetting resin on one side of the metal slag 3 and thermally curing it. The inner frame 15 and the outer frame 16 may be formed separately or simultaneously.

【0030】次いで、プリント配線板2の下面にあらか
じめ熱硬化性のエポキシ系接着剤4を150μm 厚で塗
布しておき、この状態で開孔5に対して内周側枠体15
を嵌合させ、さらに加熱により接着剤4を熱硬化させ
る。その結果、接着剤4の接着力によってプリント配線
板2にメタルスラグ3が仮固定される。このとき、内周
側枠体15は、プリント配線板2に対してメタルスラグ
3を位置決めする際のガイドとして機能するとともに、
半導体搭載部への接着剤4の流出を防止するダムとして
も機能する。また、頭部を放熱体接合面に当接させてい
る外周側枠体16は、プリント配線板2とメタルスラグ
3との隙間を一定距離に保持することで接着剤4の厚さ
を適正に確保するためのスペーサとして機能する。な
お、かかる外周側枠体16は、接着剤4の流出防止につ
いてもある程度貢献する。
Next, a thermosetting epoxy-based adhesive 4 having a thickness of 150 μm is applied to the lower surface of the printed wiring board 2 in advance, and the inner peripheral side frame 15 is
And the adhesive 4 is thermally cured by heating. As a result, the metal slug 3 is temporarily fixed to the printed wiring board 2 by the adhesive force of the adhesive 4. At this time, the inner peripheral side frame 15 functions as a guide when positioning the metal slug 3 with respect to the printed wiring board 2 and
It also functions as a dam for preventing the adhesive 4 from flowing out to the semiconductor mounting portion. Further, the outer peripheral frame 16 having its head in contact with the heat dissipating body joining surface maintains the gap between the printed wiring board 2 and the metal slag 3 at a fixed distance so that the thickness of the adhesive 4 can be properly adjusted. Functions as a spacer for securing. The outer peripheral frame 16 also contributes to preventing the adhesive 4 from flowing out to some extent.

【0031】この後、メタルスラグ3の外周部に対して
はんだ付けを行うことにより、メタルスラグ3をプリン
ト配線板2に完全に固定する。次いで、LSIチップ7
を半導体搭載部に搭載した後にワイヤボンディングを実
施し、さらに封止樹脂14による樹脂封止を行う。以上
の結果、所望の半導体搭載用基板1を得ることができ
る。
Thereafter, the metal slag 3 is completely fixed to the printed wiring board 2 by performing soldering on the outer peripheral portion of the metal slag 3. Next, the LSI chip 7
Is mounted on the semiconductor mounting portion, wire bonding is performed, and resin sealing with the sealing resin 14 is performed. As a result, a desired semiconductor mounting substrate 1 can be obtained.

【0032】さて、ここで本実施形態において特徴的な
作用効果を列挙する。 (イ)本実施形態では、高さが均一な凸状構造物として
の外周側枠体16を放熱体であるメタルスラグ3に突設
し、かつそのメタルスラグ3の頭部をプリント配線板2
の放熱体接合面に当接させるようにして配置している。
このため、外周側枠体16の頭部が放熱体接合面に当接
することにより、プリント配線板2とメタルスラグ3と
の隙間が一定距離に保持される。従って、接着剤4が過
剰に流出することがなくなり、半導体搭載部の汚れを防
止することができる。また、接着剤4中にボイドができ
ることがなくなり、プリント配線板2とメタルスラグ3
との間に高い密着性を確保することができる。なお、外
周側枠体16を形成する本実施形態によると、接着剤4
の塗布厚さが不安定になることもないため、フロー量の
コントロールも従来に比較して容易になる。
Now, the characteristic effects of this embodiment will be enumerated. (A) In the present embodiment, the outer peripheral side frame 16 as a convex structure having a uniform height is projected from the metal slag 3 which is a heat radiator, and the head of the metal slag 3 is attached to the printed wiring board 2.
Are arranged so as to be in contact with the heat radiator joining surface.
For this reason, the head of the outer peripheral side frame 16 abuts on the radiator joining surface, so that the gap between the printed wiring board 2 and the metal slug 3 is maintained at a fixed distance. Accordingly, the adhesive 4 does not flow out excessively, and the contamination of the semiconductor mounting portion can be prevented. Further, voids are not formed in the adhesive 4, and the printed wiring board 2 and the metal slag 3
And high adhesiveness can be secured. According to the present embodiment for forming the outer frame 16, the adhesive 4
Since the thickness of the coating does not become unstable, the flow amount can be easily controlled as compared with the conventional method.

【0033】(ロ)本実施形態では、外周側枠体16及
び内周側枠体15の形成並びに接着剤4の塗布を、とも
に印刷により行なっている。このため、高価なフィルム
状接着剤を使用する必要がなく、従来に比べて半導体搭
載用基板1の低コスト化を図ることができる。また、印
刷法であると、例えばディスペンサを使用した場合に比
較して作業が短時間で済むため、半導体搭載用基板1を
効率よく生産することができる。 [第2の実施の形態]次に、図3に基づいて実施形態2
の半導体搭載用基板21を説明する。なお、ここでは実
施形態1との相違点を中心に述べ、共通点については同
じ部材番号を付すのみとする。
(B) In the present embodiment, the formation of the outer frame 16 and the inner frame 15 and the application of the adhesive 4 are both performed by printing. Therefore, it is not necessary to use an expensive film adhesive, and the cost of the semiconductor mounting substrate 1 can be reduced as compared with the related art. Further, in the case of the printing method, the work can be completed in a shorter time than in the case of using a dispenser, for example, so that the semiconductor mounting substrate 1 can be efficiently produced. [Second Embodiment] Next, a second embodiment will be described with reference to FIG.
The semiconductor mounting substrate 21 will be described. Here, differences from the first embodiment will be mainly described, and common points will be assigned the same member numbers only.

【0034】この半導体搭載用基板21は、実施形態1
のときのような内周側枠体15とは若干異なる内周側枠
体22が凸状構造物として突設されている。この内周側
枠体22は、高さが均一であって開孔5のサイズに略等
しい大きさ(13.5mm×13.5mm)を有している。
前記内周側枠体22の幅は0.8mmであり、その高さは
均一かつ60μm である。なお、内周側枠体22は、実
施形態1と同じく熱硬化性樹脂の印刷・熱硬化によって
形成される。
The semiconductor mounting substrate 21 is the same as that of the first embodiment.
An inner frame 22 slightly different from the inner frame 15 as in the case of (1) is projected as a convex structure. The inner peripheral side frame 22 has a uniform height and a size (13.5 mm × 13.5 mm) substantially equal to the size of the opening 5.
The inner peripheral frame 22 has a width of 0.8 mm and a uniform height of 60 μm. The inner peripheral frame 22 is formed by printing and thermosetting a thermosetting resin as in the first embodiment.

【0035】一方、プリント配線板2の放熱体接合面側
における開孔5の縁部には、前記内周側枠体22が係合
しうる段差23(本実施形態では高さ35μm )が全周
にわたって形成されている。この内周側枠体22は、自
身の頭部を段差23の底面に当接させるようにして配置
される。その結果、プリント配線板2とメタルスラグ3
との隙間が一定距離に保持されるようになっている。
On the other hand, a step 23 (having a height of 35 μm in the present embodiment) with which the inner peripheral frame 22 can be engaged is entirely provided at the edge of the opening 5 on the heat radiator joining surface side of the printed wiring board 2. It is formed over the circumference. The inner peripheral frame 22 is arranged such that its head comes into contact with the bottom surface of the step 23. As a result, the printed wiring board 2 and the metal slag 3
Is maintained at a fixed distance.

【0036】次に、この半導体搭載用基板21を製造す
る手順の一例を紹介する。まず、従来公知のサブトラク
ティブプロセスに従い、プリント配線板2を作製する。
即ち、あらかじめ内層配線パターン11が形成された内
層基板の両面に、プリプレグを介してそれぞれ銅箔を貼
着する。そして、このような積層物における銅箔をエッ
チングすることにより、所定部分に放熱体接合用パター
ン12を形成する。その際、放熱体接合用パターン12
の一部に段差23を形成する。この後、開孔5の穴あけ
及びピン立て等の工程を実施する。
Next, an example of a procedure for manufacturing the semiconductor mounting substrate 21 will be described. First, the printed wiring board 2 is manufactured according to a conventionally known subtractive process.
That is, copper foils are adhered to both surfaces of the inner layer substrate on which the inner layer wiring patterns 11 are formed in advance via prepregs. Then, the copper foil in such a laminate is etched to form the radiator bonding pattern 12 at a predetermined portion. At this time, the heat radiator bonding pattern 12
Is formed in a part of. Thereafter, steps such as drilling of the holes 5 and pin setting are performed.

【0037】次に、メタルスラグ3の片面に熱硬化性樹
脂を印刷しかつそれを熱硬化させることにより、内周側
枠体22及び外周側枠体16を形成する。このような印
刷工程を行った後、実施形態1の手順に従って半導体搭
載用基板21を製造する。
Next, the inner peripheral frame 22 and the outer peripheral frame 16 are formed by printing a thermosetting resin on one surface of the metal slag 3 and thermally curing it. After performing such a printing process, the semiconductor mounting substrate 21 is manufactured according to the procedure of the first embodiment.

【0038】さて、ここで本実施形態において特徴的な
作用効果を列挙する。 (イ)本実施形態の半導体搭載用基板21は、実施形態
1と同じく外周側枠体16を備えているため、前記実施
形態1において述べた効果イを奏することはいうまでも
ない。特に、本実施形態では、外周側枠体16ばかりで
なく好適な内周側枠体22も突設しているため、半導体
搭載部の汚れ防止や密着性の確保等について相乗的な効
果を期待することができる。即ち、凸状構造物である内
周側枠体22はいわばダムのような働きをすることで、
半導体搭載部への接着剤4の過剰な流出を防止するから
である。
Now, the characteristic effects of this embodiment will be listed. (A) Since the semiconductor mounting substrate 21 of the present embodiment includes the outer peripheral side frame body 16 as in the first embodiment, it goes without saying that the effect (a) described in the first embodiment can be obtained. In particular, in the present embodiment, not only the outer peripheral frame 16 but also a suitable inner peripheral frame 22 is protruded, so that a synergistic effect can be expected in preventing contamination of the semiconductor mounting portion and ensuring adhesion. can do. That is, the inner frame 22 which is a convex structure acts like a dam, so to speak.
This is because the adhesive 4 is prevented from flowing out excessively to the semiconductor mounting portion.

【0039】(ロ)さらに、本実施形態の構成である
と、放熱体接合面側に形成された段差23に内周側枠体
22を係合させることができる。このため、プリント配
線板2に対するメタルスラグ3の位置決め精度が高くな
り、間接的に生産効率も向上する。また、導体層のエッ
チングにより段差23を形成していることから、段差2
3をプリント配線板2における正確な位置に形成するこ
とができる。このことも位置決め精度の向上に寄与して
いる。
(B) Further, according to the configuration of the present embodiment, the inner peripheral side frame 22 can be engaged with the step 23 formed on the radiator joining surface side. For this reason, the positioning accuracy of the metal slug 3 with respect to the printed wiring board 2 is increased, and the production efficiency is indirectly improved. Also, since the step 23 is formed by etching the conductor layer, the step 2
3 can be formed at an accurate position on the printed wiring board 2. This also contributes to the improvement of the positioning accuracy.

【0040】(ハ)本実施形態では、外周側枠体16及
び内周側枠体22の形成並びに接着剤4の塗布を、とも
に印刷により行なっている。このため、高価なフィルム
状接着剤を使用する必要がなく、従来に比べて半導体搭
載用基板21の低コスト化を図ることができる。また、
印刷法であると、例えばディスペンサを使用した場合に
比較して作業が短時間で済むため、半導体搭載用基板2
1を効率よく生産することができる。 [第3の実施の形態]次に、図4,図5に基づいて実施
形態3の半導体搭載用基板31を説明する。なお、ここ
では実施形態2との相違点を中心に述べ、共通点につい
ては同じ部材番号を付すのみとする。
(C) In the present embodiment, the formation of the outer frame 16 and the inner frame 22 and the application of the adhesive 4 are both performed by printing. Therefore, it is not necessary to use an expensive film adhesive, and the cost of the semiconductor mounting substrate 21 can be reduced as compared with the conventional case. Also,
With the printing method, the work can be completed in a shorter time than in the case of using a dispenser, for example.
1 can be produced efficiently. Third Embodiment Next, a semiconductor mounting substrate 31 according to a third embodiment will be described with reference to FIGS. Here, the differences from the second embodiment will be mainly described, and the common points will only be assigned the same member numbers.

【0041】この半導体搭載用基板31では、内周側枠
体22の周囲にある凸状構造物の形状が大きく相違して
いる。即ち、メタルスラグ3の片面において各コーナー
部近傍には、円柱状の突起32(本実施形態では高さ6
0μm ,直径1mm弱)が凸状構造物としてそれぞれ突設
されている。なお、これら4つの突起32は、熱硬化性
樹脂の印刷・熱硬化によって形成される。
In the semiconductor mounting substrate 31, the shape of the convex structure around the inner peripheral frame 22 is greatly different. That is, a columnar projection 32 (having a height of 6 in this embodiment) near each corner on one side of the metal slag 3.
0 μm and a little less than 1 mm in diameter) are respectively protruded as convex structures. The four projections 32 are formed by printing and thermosetting a thermosetting resin.

【0042】一方、プリント配線板2の放熱体接合面側
において各突起32に対応する位置には、突起32が嵌
合しうる断面円形状の嵌合凹部33(本実施形態では深
さ35μm )が形成されている。これらの突起32は、
自身の頭部を嵌合凹部33の底面に当接させるようにし
て配置される。その結果、プリント配線板2とメタルス
ラグ3との隙間が一定距離に保持されるようになってい
る。
On the other hand, at a position corresponding to each of the projections 32 on the heat radiator joining surface side of the printed wiring board 2, a fitting recess 33 having a circular cross section to which the projection 32 can be fitted (35 μm in depth in this embodiment). Are formed. These projections 32
It is arranged such that its own head comes into contact with the bottom surface of the fitting recess 33. As a result, the gap between the printed wiring board 2 and the metal slag 3 is maintained at a fixed distance.

【0043】次に、この半導体搭載用基板31を製造す
る手順の一例を紹介する。まず、従来公知のサブトラク
ティブプロセスに従い、プリント配線板2を作製する。
即ち、あらかじめ内層配線パターン11が形成された内
層基板の両面に、プリプレグを介してそれぞれ銅箔を貼
着する。そして、このような積層物における銅箔をエッ
チングすることにより、所定部分に放熱体接合用パター
ン12を形成する。その際、放熱体接合用パターン12
の一部に段差23及び嵌合凹部33を形成する。この
後、開孔5の穴あけ及びピン立て等の工程を実施する。
Next, an example of a procedure for manufacturing the semiconductor mounting substrate 31 will be described. First, the printed wiring board 2 is manufactured according to a conventionally known subtractive process.
That is, copper foils are adhered to both surfaces of the inner layer substrate on which the inner layer wiring patterns 11 are formed in advance via prepregs. Then, the copper foil in such a laminate is etched to form the radiator bonding pattern 12 at a predetermined portion. At this time, the heat radiator bonding pattern 12
Is formed with a step 23 and a fitting concave portion 33 in a part thereof. Thereafter, steps such as drilling of the holes 5 and pin setting are performed.

【0044】次に、メタルスラグ3の片面に熱硬化性樹
脂を印刷しかつそれを熱硬化させることにより、内周側
枠体22及び突起32を形成する。このような印刷工程
を行った後、実施形態1の手順に従って半導体搭載用基
板31を製造する。
Next, a thermosetting resin is printed on one surface of the metal slag 3 and is thermoset to form the inner peripheral frame 22 and the projections 32. After performing such a printing process, the semiconductor mounting substrate 31 is manufactured according to the procedure of the first embodiment.

【0045】(イ)本実施形態の半導体搭載用基板31
は、実施形態2にて述べた好適な内周側枠体22を備え
ている。このため、半導体搭載部の汚れを防止すること
ができ、かつプリント配線板2とメタルスラグ3との密
着性を確保することができる。そればかりでなく、この
半導体搭載用基板31はスペーサ及び位置決め手段とし
て働く突起32を備えている。そのため、半導体搭載部
の汚れ防止や密着性の確保等について相乗的な効果を期
待することができる。
(A) Semiconductor mounting substrate 31 of the present embodiment
Is provided with the suitable inner peripheral frame 22 described in the second embodiment. Therefore, contamination of the semiconductor mounting portion can be prevented, and the adhesion between the printed wiring board 2 and the metal slag 3 can be ensured. In addition, the semiconductor mounting substrate 31 includes a projection 32 which functions as a spacer and a positioning means. Therefore, a synergistic effect can be expected with respect to prevention of contamination of the semiconductor mounting portion and securing of adhesion.

【0046】(ロ)さらに、本実施形態の構成である
と、段差23に内周側枠体22を係合させることができ
るばかりでなく、各嵌合凹部33に各突起32を嵌合さ
せることができる。このため、プリント配線板2に対す
るメタルスラグ3の位置決め精度が高くなり、間接的に
生産効率も向上する。また、導体層のエッチングにより
段差23や嵌合凹部33を形成していることから、それ
ら23,33をプリント配線板2における正確な位置に
形成することができる。このことも位置決め精度の向上
に寄与している。
(B) Further, according to the configuration of the present embodiment, not only can the inner peripheral frame 22 be engaged with the step 23, but also each projection 32 is fitted into each fitting recess 33. be able to. For this reason, the positioning accuracy of the metal slug 3 with respect to the printed wiring board 2 is increased, and the production efficiency is indirectly improved. In addition, since the steps 23 and the fitting recesses 33 are formed by etching the conductive layer, the steps 23 and 33 can be formed at accurate positions on the printed wiring board 2. This also contributes to the improvement of the positioning accuracy.

【0047】(ハ)本実施形態では、突起32及び内周
側枠体22の形成並びに接着剤4の塗布を、ともに印刷
により行なっている。このため、高価なフィルム状接着
剤を使用する必要がなく、従来に比べて半導体搭載用基
板31の低コスト化を図ることができる。また、印刷法
であると、例えばディスペンサを使用した場合に比較し
て作業が短時間で済むため、半導体搭載用基板31を効
率よく生産することができる。なお、特に本実施形態で
は、内周側枠体22及び各突起32の高さを等しく設定
しているので、両者を1回の印刷により同時に形成する
ことができるという利点がある。
(C) In the present embodiment, the formation of the projections 32 and the inner peripheral side frame 22 and the application of the adhesive 4 are both performed by printing. Therefore, it is not necessary to use an expensive film adhesive, and the cost of the semiconductor mounting substrate 31 can be reduced as compared with the related art. In addition, in the case of the printing method, the work can be performed in a shorter time than in the case of using a dispenser, for example, so that the semiconductor mounting substrate 31 can be efficiently produced. In particular, in the present embodiment, since the heights of the inner peripheral frame 22 and the projections 32 are set to be equal, there is an advantage that both can be formed simultaneously by one printing.

【0048】なお、本発明は例えば次のように変更する
ことが可能である。 (1)図6に示される別例1の半導体搭載用基板41の
ように、内周側枠体を省略して外周側枠体16だけ突設
した構成としてもよい。逆に、図7に示される別例2の
半導体搭載用基板51のように、外周側枠体を省略して
内周側枠体22だけ突設した構成としてもよい。
The present invention can be modified, for example, as follows. (1) As in the semiconductor mounting substrate 41 of another example 1 shown in FIG. 6, the inner peripheral side frame may be omitted and only the outer peripheral side frame 16 may be protruded. Conversely, as in a semiconductor mounting substrate 51 of another example 2 shown in FIG. 7, the outer frame may be omitted and only the inner frame 22 may be protruded.

【0049】(2)図8に示される別例3の半導体搭載
用基板61は、メタルスラグ3の片面外周部の全体にあ
らかじめはんだボール62を配置しておき、この状態で
加熱溶融してプリント配線板2とメタルスラグ3とをは
んだ付けしたものである。この場合、はんだボール62
の粒径は揃っていることがよい。かかる方法によれば、
はんだボール62がスペーサとして働くことにより、プ
リント配線板2とメタルスラグ3との隙間が一定距離に
保持される。従って、接着剤4が過剰に流出することが
なくなり、半導体搭載部の汚れを防止することができ
る。また、接着剤4中にボイドができることがなくな
り、プリント配線板2とメタルスラグ3との間に高い密
着性を確保することができる。
(2) In a semiconductor mounting substrate 61 of another example 3 shown in FIG. 8, solder balls 62 are arranged in advance on the entire outer peripheral portion of one surface of the metal slag 3, and are heated and melted in this state for printing. The wiring board 2 and the metal slag 3 are soldered. In this case, the solder balls 62
Are preferably uniform. According to such a method,
The gap between the printed wiring board 2 and the metal slug 3 is maintained at a fixed distance by the solder ball 62 acting as a spacer. Accordingly, the adhesive 4 does not flow out excessively, and the contamination of the semiconductor mounting portion can be prevented. Further, voids are not formed in the adhesive 4, and high adhesion between the printed wiring board 2 and the metal slag 3 can be secured.

【0050】(3)実施形態において示した凸状構造物
(内周側枠体15,22、外周側枠体16、突起32)
は、印刷法以外の方法、例えば転写等によって形成され
てもよい。
(3) The convex structure shown in the embodiment (inner peripheral frames 15, 22, outer peripheral frame 16, projection 32)
May be formed by a method other than the printing method, for example, transfer.

【0051】(4)凸状構造物を形成するための樹脂材
料は、必ずしも熱硬化性樹脂でなくてよく、例えば光硬
化性樹脂であってもよい。さらに、樹脂以外の材料、例
えばセラミックスや金属などを用いて凸状構造物を形成
することも許容される。
(4) The resin material for forming the convex structure is not necessarily a thermosetting resin, but may be, for example, a photocurable resin. Further, the formation of the convex structure using a material other than the resin, for example, ceramics or metal, is also permitted.

【0052】(5)内周側枠体15や外周側枠体16を
放熱体3側ではなく基材2側に形成したり、接着剤4を
基材2側でなく放熱体3側に印刷塗布することも可能で
ある。
(5) The inner peripheral frame 15 and the outer peripheral frame 16 are formed on the base material 2 side instead of the radiator 3 side, and the adhesive 4 is printed on the radiator 3 side instead of the base 2 side. It is also possible to apply.

【0053】ここで、特許請求の範囲に記載された技術
的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される
技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 (1) 請求項1または3において、高さが均一であっ
て前記開孔のサイズに略等しい大きさの凸状構造物を前
記放熱体に突設するとともに、前記基材の放熱体接合面
側における前記開孔の縁部に段差を形成し、その段差に
前記凸状構造物を係合することでその凸状構造物の頭部
を同段差の底面に当接させるようにして配置したことを
特徴とする半導体搭載用基板。この構成であると、相乗
効果によりいっそう半導体搭載部の汚れ防止及び密着性
の向上を図ることができる。
Here, in addition to the technical ideas described in the claims, the technical ideas grasped by the above-described embodiments are listed below together with their effects. (1) The radiator joining surface of the base material according to claim 1 or 3, wherein a convex structure having a uniform height and a size substantially equal to the size of the opening is projected from the radiator. A step is formed at the edge of the opening on the side, and the convex structure is engaged with the step to arrange the head of the convex structure so as to contact the bottom surface of the step. A substrate for mounting a semiconductor, comprising: With this configuration, it is possible to further prevent contamination of the semiconductor mounting portion and improve adhesion due to a synergistic effect.

【0054】(2) 半導体搭載部となるべき位置に開
孔を有する基材に対し接着剤を介して放熱体が接合され
ている半導体搭載用基板を製造する方法であって、粒径
の揃ったはんだボールを前記放熱体の片面外周部に配置
する工程及び前記基材の放熱体接合面に前記接着剤を印
刷塗布する工程を実施した後、その接着剤を介して前記
放熱体を前記基材に接合する工程を実施し、さらに加熱
により前記接着剤を完全硬化させるとともに前記はんだ
ボールを溶融させることにより、前記放熱体及び前記基
材を一体化することを特徴とする半導体搭載用基板の製
造方法。この方法であっても、半導体搭載部の汚れがな
くしかも密着性に優れた半導体搭載用基板を、低コスト
でかつ効率よく製造することができる。
(2) A method of manufacturing a semiconductor mounting substrate in which a heat radiator is bonded to a base material having an opening at a position to be a semiconductor mounting portion via an adhesive, and has a uniform particle size. After arranging the solder balls on the outer peripheral surface of one side of the radiator and printing and applying the adhesive on the radiator joint surface of the base material, the radiator is attached to the base via the adhesive. A step of bonding the heat sink and the base material by performing a step of joining to the material, further curing the adhesive completely by heating and melting the solder balls, Production method. Even with this method, a semiconductor mounting substrate free from contamination of the semiconductor mounting portion and having excellent adhesion can be efficiently manufactured at low cost.

【0055】なお、本明細書中において使用した技術用
語を次のように定義する。「熱硬化性樹脂: 加熱によ
り硬化する性質を持った樹脂であって、例えばエポキシ
樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹
脂、シリコーン樹脂、キシレン樹脂等がある。」
The technical terms used in this specification are defined as follows. "Thermosetting resin: a resin having a property of being cured by heating, for example, epoxy resin, phenol resin, melamine resin, polyester resin, silicone resin, xylene resin, etc."

【0056】[0056]

【発明の効果】以上詳述したように、請求項1〜4に記
載の発明によれば、半導体搭載部の汚れがなく、しかも
基材と放熱体との間の密着性に優れた半導体搭載用基板
を提供することができる。
As described above in detail, according to the first to fourth aspects of the present invention, the semiconductor mounting portion is free from contamination of the semiconductor mounting portion and has excellent adhesion between the substrate and the heat radiator. Substrate can be provided.

【0057】特に、請求項2,3に記載の発明によれ
ば、基材に対する放熱体の位置決め精度の向上を図るこ
とができる。また、請求項4に記載の発明によれば、さ
らなる位置決め精度の向上を図ることができる。
In particular, according to the second and third aspects of the present invention, it is possible to improve the positioning accuracy of the radiator with respect to the base material. According to the invention described in claim 4, the positioning accuracy can be further improved.

【0058】請求項5に記載の発明によれば、上記の優
れた半導体搭載用基板を低コストかつ効率よく製造する
ことができる方法を提供することができる。
According to the fifth aspect of the present invention, it is possible to provide a method capable of manufacturing the above-described excellent semiconductor mounting substrate efficiently at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態1の半導体搭載用基板の分解斜視図。FIG. 1 is an exploded perspective view of a semiconductor mounting substrate according to a first embodiment.

【図2】同じくその半導体搭載用基板の要部拡大断面
図。
FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part of the semiconductor mounting substrate.

【図3】実施形態2の半導体搭載用基板の要部拡大断面
図。
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a semiconductor mounting substrate according to a second embodiment.

【図4】実施形態3の半導体搭載用基板の分解斜視図。FIG. 4 is an exploded perspective view of a semiconductor mounting substrate according to a third embodiment.

【図5】同じくその半導体搭載用基板の要部拡大断面
図。
FIG. 5 is an enlarged sectional view of a main part of the semiconductor mounting substrate.

【図6】別例1の半導体搭載用基板の要部拡大断面図。FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a semiconductor mounting substrate of another example 1;

【図7】別例2の半導体搭載用基板の要部拡大断面図。FIG. 7 is an enlarged sectional view of a main part of a semiconductor mounting substrate according to another embodiment 2;

【図8】別例3の半導体搭載用基板の要部拡大断面図。FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a semiconductor mounting substrate of another example 3;

【図9】従来例の半導体搭載用基板の要部拡大断面図。FIG. 9 is an enlarged sectional view of a main part of a conventional semiconductor mounting substrate.

【図10】従来例の半導体搭載用基板の要部拡大断面
図。
FIG. 10 is an enlarged sectional view of a main part of a conventional semiconductor mounting substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,21,31,41,51,61…半導体搭載用基
板、2…基材としてのプリント配線板、3…放熱体とし
てのメタルスラグ、4…接着剤、5…開孔、15,22
…凸状構造物としての内周側枠体、16…凸状構造物と
しての外周側枠体、23…段差、32…凸状構造物とし
ての突起、33…嵌合凹部。
1, 21, 31, 41, 51, 61: semiconductor mounting substrate, 2: printed wiring board as base material, 3: metal slag as heat radiator, 4: adhesive, 5: aperture, 15, 22
... inner peripheral side frame as a convex structure, 16 ... outer peripheral side frame as a convex structure, 23 ... step, 32 ... projection as a convex structure, 33 ... fitting concave part.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基材に対し接着剤を介して放熱体が接合さ
れている半導体搭載用基板において、高さが均一な凸状
構造物を前記放熱体に突設し、かつその頭部を前記基材
の放熱体接合面に当接させるようにして配置したことを
特徴とする半導体搭載用基板。
1. A semiconductor mounting substrate in which a heat radiator is bonded to a base material via an adhesive, wherein a convex structure having a uniform height is protruded from the heat radiator, and its head is attached to the heat radiator. A substrate for mounting a semiconductor, wherein the substrate is arranged so as to be in contact with a radiator joining surface of the base material.
【請求項2】半導体搭載部となるべき位置に開孔を有す
る基材に対し接着剤を介して放熱体が接合されている半
導体搭載用基板において、 高さが均一であって前記開孔のサイズに略等しい大きさ
の凸状構造物を前記放熱体に突設するとともに、前記基
材の放熱体接合面側における前記開孔の縁部に段差を形
成し、その段差に前記凸状構造物を係合することでその
凸状構造物の頭部を同段差の底面に当接させるようにし
て配置したことを特徴とする半導体搭載用基板。
2. A semiconductor mounting substrate in which a heat radiator is bonded via an adhesive to a base material having an opening at a position to be a semiconductor mounting portion, wherein the height of the opening is uniform. A projecting structure having a size substantially equal to the size is projected from the radiator, and a step is formed at the edge of the opening on the radiator joining surface side of the base material, and the projecting structure is formed at the step. A semiconductor mounting substrate, wherein a head of a convex structure is brought into contact with a bottom surface of the step by engaging an object.
【請求項3】半導体搭載部となるべき位置に開孔を有す
る基材に対し接着剤を介して放熱体が接合されている半
導体搭載用基板において、 高さが均一な凸状構造物を前記放熱体における複数箇所
に突設し、かつ前記基材の放熱体接合面側における前記
開孔の周囲に複数の嵌合凹部を形成し、それらの嵌合凹
部に前記凸状構造物を嵌合することで同凸状構造物の頭
部を同嵌合凹部の底面に当接させるようにして配置した
ことを特徴とする半導体搭載用基板。
3. A semiconductor mounting substrate in which a heat radiator is bonded via an adhesive to a base material having an opening at a position to be a semiconductor mounting portion, wherein the convex structure having a uniform height is formed. A plurality of fitting recesses are formed at a plurality of locations in the heat radiator, and a plurality of fitting recesses are formed around the openings on the heat sink bonding surface side of the base material, and the convex structures are fitted into the fitting recesses. A semiconductor mounting board, wherein the head of the convex structure is arranged so as to contact the bottom of the fitting recess.
【請求項4】前記段差及び前記嵌合凹部は、前記基材の
放熱体接合面側にある導体層をエッチングすることによ
って形成されたものであることを特徴とする請求項2ま
たは3に記載の半導体搭載用基板。
4. The method according to claim 2, wherein the step and the fitting recess are formed by etching a conductor layer on the heat radiator joining surface side of the base material. Semiconductor mounting substrate.
【請求項5】請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半
導体搭載用基板を製造する方法であって、前記放熱体に
熱硬化性樹脂を印刷しかつそれを熱硬化させることによ
り前記凸状構造物を形成する工程及び前記基材の放熱体
接合面に前記接着剤を印刷塗布する工程を実施した後、
その接着剤を介して前記放熱体を前記基材に接合する工
程を実施することにより、前記放熱体及び前記基材を一
体化することを特徴とする半導体搭載用基板の製造方
法。
5. The method for manufacturing a semiconductor mounting substrate according to claim 1, wherein a thermosetting resin is printed on the radiator and the thermosetting resin is thermoset. After performing the step of forming the convex structure and the step of printing and applying the adhesive on the heat sink joining surface of the base material,
A method for manufacturing a substrate for mounting a semiconductor, wherein the step of bonding the heat radiator to the base material via the adhesive is performed to integrate the heat radiator and the base material.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2016092226A (en) * 2014-11-05 2016-05-23 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor device

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