JPH1063807A - カード型情報制御装置 - Google Patents
カード型情報制御装置Info
- Publication number
- JPH1063807A JPH1063807A JP8222438A JP22243896A JPH1063807A JP H1063807 A JPH1063807 A JP H1063807A JP 8222438 A JP8222438 A JP 8222438A JP 22243896 A JP22243896 A JP 22243896A JP H1063807 A JPH1063807 A JP H1063807A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- card
- light emitting
- light
- receiving element
- type information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Credit Cards Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部装置と非接触で外部装置と情報の授受を
行なうとともにカード基板に情報を表示すること。 【解決手段】 カード基板１０に発光素子１２、受光素
子１４、制御駆動回路３２、半導体集積回路３６等を実
装し、受光素子１４の受光による光信号を電気信号に変
換し、この電気信号にしたがった情報を半導体集積回路
３６で処理し、半導体集積回路３６の処理により表示情
報を生成する。そして、この表示情報にしたがった電気
信号を制御駆動回路３２を発光素子１２に出力し、指定
の発光素子１２から外部装置に対して出射光２６を出射
し、光信号を電送媒体として外部装置と情報の授受を行
なうとともに、発光素子１２によって情報を表示する。
行なうとともにカード基板に情報を表示すること。 【解決手段】 カード基板１０に発光素子１２、受光素
子１４、制御駆動回路３２、半導体集積回路３６等を実
装し、受光素子１４の受光による光信号を電気信号に変
換し、この電気信号にしたがった情報を半導体集積回路
３６で処理し、半導体集積回路３６の処理により表示情
報を生成する。そして、この表示情報にしたがった電気
信号を制御駆動回路３２を発光素子１２に出力し、指定
の発光素子１２から外部装置に対して出射光２６を出射
し、光信号を電送媒体として外部装置と情報の授受を行
なうとともに、発光素子１２によって情報を表示する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カード型情報制御
装置に係り、特に、携帯用に構成されたカード基板を用
いて外部装置と情報の授受を行なうに好適なカード型情
報制御装置に関する。
装置に係り、特に、携帯用に構成されたカード基板を用
いて外部装置と情報の授受を行なうに好適なカード型情
報制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】カード型情報制御装置としては、例え
ば、特開平３−８７２９９号公報に記載されているよう
に、薄型ＬＳＩを内蔵したＩＣカードが知られている。
ＩＣカードはその内部にマイクロプロセッサとメモリを
備えており、ＩＣカードを外部装置に挿入することで、
外部装置と情報の授受を行なうことができる。従来、こ
の種のＩＣカードにおいては、ＩＣカード内に蓄えられ
た情報あるいはＩＣカード内で処理された情報を表示す
るに際しては、ＩＣカードから一旦外部装置に情報を出
力した後、外部装置を介して表示する必要がある。
ば、特開平３−８７２９９号公報に記載されているよう
に、薄型ＬＳＩを内蔵したＩＣカードが知られている。
ＩＣカードはその内部にマイクロプロセッサとメモリを
備えており、ＩＣカードを外部装置に挿入することで、
外部装置と情報の授受を行なうことができる。従来、こ
の種のＩＣカードにおいては、ＩＣカード内に蓄えられ
た情報あるいはＩＣカード内で処理された情報を表示す
るに際しては、ＩＣカードから一旦外部装置に情報を出
力した後、外部装置を介して表示する必要がある。
【０００３】そこで、ＩＣカードに、ＩＣカード内の情
報を表示するための表示装置として液晶表示装置を搭載
することも考えられる。しかし、液晶表示装置は装置自
身の厚さが１ｍｍ以上必要であることから、ＩＣカード
に液晶表示装置を搭載すると、ＩＣカード全体の厚さが
１ｍｍを越えることになり、ＩＣカードを薄型に構成す
ることが困難となる。さらに、ＩＣカードに液晶表示装
置を搭載した場合、液晶材料を封止した表示パネルの信
頼性を確保することが困難となる。すなわち、表示パネ
ルの平行性を維持しながら折り曲げに対する柔軟性を表
示パネルに持たせることは、液晶材料を封止する点にお
いて困難であり、液晶表示パネルの折り曲げ許容度を低
くすることが余儀なくされる。
報を表示するための表示装置として液晶表示装置を搭載
することも考えられる。しかし、液晶表示装置は装置自
身の厚さが１ｍｍ以上必要であることから、ＩＣカード
に液晶表示装置を搭載すると、ＩＣカード全体の厚さが
１ｍｍを越えることになり、ＩＣカードを薄型に構成す
ることが困難となる。さらに、ＩＣカードに液晶表示装
置を搭載した場合、液晶材料を封止した表示パネルの信
頼性を確保することが困難となる。すなわち、表示パネ
ルの平行性を維持しながら折り曲げに対する柔軟性を表
示パネルに持たせることは、液晶材料を封止する点にお
いて困難であり、液晶表示パネルの折り曲げ許容度を低
くすることが余儀なくされる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、ＩＣカ
ードを外部装置に装着した後、ＩＣカードに関する情報
を外部装置に表示しなければならず、外部装置と非接触
で外部装置と情報の授受を行なったり、ＩＣカード自体
で情報を表示したりすることができない。なお、ＩＣカ
ードに搭載されたインダクタをアンテナとして用い、電
磁波を情報伝送媒体として用いることもできるが、電磁
波を情報伝達媒体とすると、誘導ノイズの影響を受けや
すく、その対策のために伝送速度が制限される。またＩ
Ｃカードに発光素子、受光素子あるいは光変調素子を搭
載し、光信号を情報伝送媒体として用いることもできる
が、発光素子や受光素子等を単にＩＣカードに搭載して
も、素子自体の厚さが厚くなり、カードの折り曲げに対
応することができない。
ードを外部装置に装着した後、ＩＣカードに関する情報
を外部装置に表示しなければならず、外部装置と非接触
で外部装置と情報の授受を行なったり、ＩＣカード自体
で情報を表示したりすることができない。なお、ＩＣカ
ードに搭載されたインダクタをアンテナとして用い、電
磁波を情報伝送媒体として用いることもできるが、電磁
波を情報伝達媒体とすると、誘導ノイズの影響を受けや
すく、その対策のために伝送速度が制限される。またＩ
Ｃカードに発光素子、受光素子あるいは光変調素子を搭
載し、光信号を情報伝送媒体として用いることもできる
が、発光素子や受光素子等を単にＩＣカードに搭載して
も、素子自体の厚さが厚くなり、カードの折り曲げに対
応することができない。
【０００５】本発明の目的は、外部装置と非接触で情報
の授受を行なうことができるとともにカード基板に情報
を表示することができるカード型情報制御装置を提供す
ることにある。
の授受を行なうことができるとともにカード基板に情報
を表示することができるカード型情報制御装置を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、入射光を電気信号に変換するとともに電
気信号を光信号に変換する受発光素子と、半導体集積回
路素子、コンデンサ、およびインダクタを主要素として
受発光素子からの電気信号に基づいて受発光素子と少な
くとも表示情報の授受を行う電子回路とを備え、受発光
素子と電子回路をカード基板上に実装してなるカード型
情報制御装置を構成したものである。
に、本発明は、入射光を電気信号に変換するとともに電
気信号を光信号に変換する受発光素子と、半導体集積回
路素子、コンデンサ、およびインダクタを主要素として
受発光素子からの電気信号に基づいて受発光素子と少な
くとも表示情報の授受を行う電子回路とを備え、受発光
素子と電子回路をカード基板上に実装してなるカード型
情報制御装置を構成したものである。
【０００７】前記カード型情報制御装置を構成するに際
しては、以下の要素を付加することができる。
しては、以下の要素を付加することができる。
【０００８】（１）受発光素子は、少なくとも発光素子
と受光素子を含み、発光素子が表示画素として複数個配
置され、電子回路は、受光素子の受光に基づいた表示情
報を生成しこの表示情報に従って各発光素子の発光を制
御してなる。
と受光素子を含み、発光素子が表示画素として複数個配
置され、電子回路は、受光素子の受光に基づいた表示情
報を生成しこの表示情報に従って各発光素子の発光を制
御してなる。
【０００９】（２）受発光素子は化合物半導体材料から
構成され、且つその厚さが１０μｍ以下である。
構成され、且つその厚さが１０μｍ以下である。
【００１０】（３）カード基板は光信号を透過する透明
基板で構成され、受発光素子と電子回路が透明基板の一
方の面に実装されてなる。
基板で構成され、受発光素子と電子回路が透明基板の一
方の面に実装されてなる。
【００１１】（４）カード基板にはカード基板外からの
光信号を電力に変換する光電変換素子が実装され、光電
変換素子から発生する電力が受発光素子と電子回路に供
給されてなる。
光信号を電力に変換する光電変換素子が実装され、光電
変換素子から発生する電力が受発光素子と電子回路に供
給されてなる。
【００１２】（５）光電変換素子は化合物半導体材料か
ら構成され、且つその厚さが１０μｍ以下である。
ら構成され、且つその厚さが１０μｍ以下である。
【００１３】（６）カード基板にはカード基板外からの
光信号を収光して受発光素子に導くとともに受発光素子
からの光をカード基板外に放射する光学系が実装されて
なる。 （７）カード基板には、少なくともカード基板
に実装された受発光素子と電子回路を覆うラミネート構
造の保護シートが装着され、保護シートの回路部品側に
は、少なくとも受発光素子と電子回路の一部と電気的に
接続された導電性パターンが形成されてなる。
光信号を収光して受発光素子に導くとともに受発光素子
からの光をカード基板外に放射する光学系が実装されて
なる。 （７）カード基板には、少なくともカード基板
に実装された受発光素子と電子回路を覆うラミネート構
造の保護シートが装着され、保護シートの回路部品側に
は、少なくとも受発光素子と電子回路の一部と電気的に
接続された導電性パターンが形成されてなる。
【００１４】（８）カード基板には、少なくともカード
基板に実装された受発光素子と電子回路を覆うラミネー
ト構造の保護シートが装着され、保護シートの回路部品
側には、少なくとも受発光素子と電子回路の一部と電気
的に接続されて受発光素子と電子回路の共通電位を示す
導電性パターンが形成されてなる。
基板に実装された受発光素子と電子回路を覆うラミネー
ト構造の保護シートが装着され、保護シートの回路部品
側には、少なくとも受発光素子と電子回路の一部と電気
的に接続されて受発光素子と電子回路の共通電位を示す
導電性パターンが形成されてなる。
【００１５】（９）少なくとも受発光素子とカード基板
との間隙に樹脂性の充填剤が埋め込まれてなる。
との間隙に樹脂性の充填剤が埋め込まれてなる。
【００１６】（１０）カード基板は一定程度までの屈曲
力に対して復元力を有する合成樹脂材料で構成されてな
る。
力に対して復元力を有する合成樹脂材料で構成されてな
る。
【００１７】前記した手段によれば、受発光素子の電子
回路との間で表示情報の授受が行なわれるため、受発光
素子と外部装置との間で光信号の授受を行なうことで、
非接触でも外部装置と情報の授受を行なうことができ
る。さらに受発光素子のうち発光素子を表示画素に対応
づけて配列し、発光素子の波長を可視域とすることでカ
ード基板自体で情報を表示することができる。また受発
光素子の厚さを１０μｍ以下とすることで、カード基板
を、一定程度までの屈曲力に対して復元力を有する合成
樹脂材料で構成することができる。
回路との間で表示情報の授受が行なわれるため、受発光
素子と外部装置との間で光信号の授受を行なうことで、
非接触でも外部装置と情報の授受を行なうことができ
る。さらに受発光素子のうち発光素子を表示画素に対応
づけて配列し、発光素子の波長を可視域とすることでカ
ード基板自体で情報を表示することができる。また受発
光素子の厚さを１０μｍ以下とすることで、カード基板
を、一定程度までの屈曲力に対して復元力を有する合成
樹脂材料で構成することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１９】図１は本発明の一実施形態であるカード型
情報制御装置の表面側から見た斜視図、図２はカード型
制御装置の裏面側から見た斜視図、図３はカード型情報
制御装置の要部断面側面図、図４はカード型情報制御装
置の要部側面拡大断面図、図５はカード型情報制御装置
の要部側面拡大断面図である。
情報制御装置の表面側から見た斜視図、図２はカード型
制御装置の裏面側から見た斜視図、図３はカード型情報
制御装置の要部断面側面図、図４はカード型情報制御装
置の要部側面拡大断面図、図５はカード型情報制御装置
の要部側面拡大断面図である。
【００２０】図１ないし図５において、カード基板１０
は一定程度までの屈曲力に対し復元力を有する合成樹脂
材料、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
を用いて構成され、長方形形状に形成されている。この
カード基板１０はその厚さがほぼ１ミリ程度に形成さ
れ、光を透過可能な透明基板として構成されており、こ
のカード基板１０には、カード基板１０の折り曲げに対
しても追従できるように薄膜化された各種の部品が実装
されている。例えば、カード基板１０の裏面側には、複
数の発光素子１２と複数の受光素子１４が受発光素子と
してアレイ状に配列されている。発光素子１２と受光素
子１４は１０ミクロンメートル（μｍ）以下に薄膜化さ
れた化合物半導体材料、例えば、砒化バリウム、アルミ
ニウムガリウム砒素、インジウムガリウム砒素、ガリウ
ムインジウム燐あるいはガリウムインジウム砒素燐、窒
化ガリウム等のIII−Ｖ族半導体ないしはこれらを組合
わせたものから構成されている。そして、これら受発光
素子としてはレーザーダイオードあるいは発光ダイオー
ドが用いられている。
は一定程度までの屈曲力に対し復元力を有する合成樹脂
材料、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
を用いて構成され、長方形形状に形成されている。この
カード基板１０はその厚さがほぼ１ミリ程度に形成さ
れ、光を透過可能な透明基板として構成されており、こ
のカード基板１０には、カード基板１０の折り曲げに対
しても追従できるように薄膜化された各種の部品が実装
されている。例えば、カード基板１０の裏面側には、複
数の発光素子１２と複数の受光素子１４が受発光素子と
してアレイ状に配列されている。発光素子１２と受光素
子１４は１０ミクロンメートル（μｍ）以下に薄膜化さ
れた化合物半導体材料、例えば、砒化バリウム、アルミ
ニウムガリウム砒素、インジウムガリウム砒素、ガリウ
ムインジウム燐あるいはガリウムインジウム砒素燐、窒
化ガリウム等のIII−Ｖ族半導体ないしはこれらを組合
わせたものから構成されている。そして、これら受発光
素子としてはレーザーダイオードあるいは発光ダイオー
ドが用いられている。
【００２１】発光素子１２と受光素子１４に相対向する
カード基板１０の表面側には光学系として、複数個のレ
ンズ１６、１８、レンズホルダ２０、２２が設けられて
いる。受光素子１４はレンズ１８を介して収光された入
射光２４を電気信号に変換するように構成されており、
発光素子１２は電気信号に応答して、電気信号に応じた
光信号を出射光２６としてレンズ１６を介して放射する
ようになっている。各発光素子１２と受光素子１４はそ
れぞれ配線２８、３０を介して制御駆動回路３２に接続
されており、制御駆動回路３２からの電気信号が発光素
子１２に供給され、受光素子１４から発生する電気信号
が制御駆動回路３２に入力されている。制御駆動回路３
２は配線３４を介して半導体集積回路３６に接続されて
いる。半導体集積回路３６は配線３８を介して記憶回路
４０に接続されているとともに、配線４２を介してコン
デンサ４４に接続され、配線４６を介してインダクタ４
８に接続されている。制御駆動回路３２、半導体集積回
路３６、記憶回路４０、コンデンサ４４、インダクタ４
８は、発光素子１２、受光素子１４と表示情報の授受を
行なうための電子回路として構成され、カード基板１０
の裏面側に固定されている。また配線２８、３０、３
４、３８、４２、４６は導電性パターンとしてカード基
板１０の裏面側に形成されている。そして発光素子１
２、受光素子１４、制御駆動回路３２、半導体集積回路
３６等の一部には表面電極５０が形成されており、各表
面電極５０と導電性パターンとがフリップチップボンデ
ィング法によって半田バンプ５２を介して溶着されてい
る。すなわち受発光素子と電子回路はそれぞれ表面電極
５０を介して配線と電気的に接続されている。
カード基板１０の表面側には光学系として、複数個のレ
ンズ１６、１８、レンズホルダ２０、２２が設けられて
いる。受光素子１４はレンズ１８を介して収光された入
射光２４を電気信号に変換するように構成されており、
発光素子１２は電気信号に応答して、電気信号に応じた
光信号を出射光２６としてレンズ１６を介して放射する
ようになっている。各発光素子１２と受光素子１４はそ
れぞれ配線２８、３０を介して制御駆動回路３２に接続
されており、制御駆動回路３２からの電気信号が発光素
子１２に供給され、受光素子１４から発生する電気信号
が制御駆動回路３２に入力されている。制御駆動回路３
２は配線３４を介して半導体集積回路３６に接続されて
いる。半導体集積回路３６は配線３８を介して記憶回路
４０に接続されているとともに、配線４２を介してコン
デンサ４４に接続され、配線４６を介してインダクタ４
８に接続されている。制御駆動回路３２、半導体集積回
路３６、記憶回路４０、コンデンサ４４、インダクタ４
８は、発光素子１２、受光素子１４と表示情報の授受を
行なうための電子回路として構成され、カード基板１０
の裏面側に固定されている。また配線２８、３０、３
４、３８、４２、４６は導電性パターンとしてカード基
板１０の裏面側に形成されている。そして発光素子１
２、受光素子１４、制御駆動回路３２、半導体集積回路
３６等の一部には表面電極５０が形成されており、各表
面電極５０と導電性パターンとがフリップチップボンデ
ィング法によって半田バンプ５２を介して溶着されてい
る。すなわち受発光素子と電子回路はそれぞれ表面電極
５０を介して配線と電気的に接続されている。
【００２２】また、カード基板１０の裏面側に固定され
た受発光素子及び電子回路部品はラミネート構造の保護
シート５４によって覆われている。この保護シート５４
は受発光素子及び電子回路部品の保護・固定のために用
いられており、この保護シート５４の一部には導電性パ
ターンが形成されている。この導電性パターンは発光素
子１２、受光素子１４の裏面電極５６と接続され、この
導電性パターンを介して発光素子１２、受光素子１４が
それぞれ制御駆動回路３２に接続されている。すなわち
発光素子１２、受光素子１４は、表面電極５０、配線２
８、３０を介して制御駆動回路３２に接続されていると
ともに、保護シート５４に形成された導電性パターン、
裏面電極５６を介して制御駆動回路３２に接続されてい
る。このため、発光素子１２、受光素子１４の数が多く
ても、２系統の配線を利用することで複雑な結線が可能
となる。また保護シート５４にはラミネート構造で非導
電性の保護シート５８が装着されており、受発光素子及
び電子回路部品が保護シート５４、５８によって覆われ
ている。
た受発光素子及び電子回路部品はラミネート構造の保護
シート５４によって覆われている。この保護シート５４
は受発光素子及び電子回路部品の保護・固定のために用
いられており、この保護シート５４の一部には導電性パ
ターンが形成されている。この導電性パターンは発光素
子１２、受光素子１４の裏面電極５６と接続され、この
導電性パターンを介して発光素子１２、受光素子１４が
それぞれ制御駆動回路３２に接続されている。すなわち
発光素子１２、受光素子１４は、表面電極５０、配線２
８、３０を介して制御駆動回路３２に接続されていると
ともに、保護シート５４に形成された導電性パターン、
裏面電極５６を介して制御駆動回路３２に接続されてい
る。このため、発光素子１２、受光素子１４の数が多く
ても、２系統の配線を利用することで複雑な結線が可能
となる。また保護シート５４にはラミネート構造で非導
電性の保護シート５８が装着されており、受発光素子及
び電子回路部品が保護シート５４、５８によって覆われ
ている。
【００２３】上記構成によるカード基板１０を、受光素
子１４が外部装置の光信号送信部に向くように配置し、
外部装置からの入射光２４を受光素子１４が受けると、
入射光１４に応じた電気信号が受光素子１４から半導体
集積回路３６に出力される。半導体集積回路３６は入射
光２４に基づいた電気信号と記憶回路４０のデータを基
に各種の論理演算等を実行し、表示情報などを生成す
る。半導体集積回路３６の演算処理によって表示情報が
生成されると、この表示情報に従った電気信号が制御駆
動回路３２を介して指定の発光素子１２に供給され、指
定の発光素子１２から出射光２６が放射される。
子１４が外部装置の光信号送信部に向くように配置し、
外部装置からの入射光２４を受光素子１４が受けると、
入射光１４に応じた電気信号が受光素子１４から半導体
集積回路３６に出力される。半導体集積回路３６は入射
光２４に基づいた電気信号と記憶回路４０のデータを基
に各種の論理演算等を実行し、表示情報などを生成す
る。半導体集積回路３６の演算処理によって表示情報が
生成されると、この表示情報に従った電気信号が制御駆
動回路３２を介して指定の発光素子１２に供給され、指
定の発光素子１２から出射光２６が放射される。
【００２４】このように、本実施形態によれば、出射光
２６が外部装置２６の受光部に放射されることで、外部
装置と光信号を伝送媒体とした情報の授受を行なうこと
ができる。さらに発光素子１２をそれぞれ一表示画素と
して配列することで、カード基板１０自身で情報を表示
することができる。さらにカード基板１０は受光素子や
電子回路部品が１０ミクロン以下の厚さで構成され、折
り曲げに対して復元力を有する柔軟な材料としてポリエ
チレンテレフタレートを用いて構成されているため、折
り曲げに対しても対応することができる。
２６が外部装置２６の受光部に放射されることで、外部
装置と光信号を伝送媒体とした情報の授受を行なうこと
ができる。さらに発光素子１２をそれぞれ一表示画素と
して配列することで、カード基板１０自身で情報を表示
することができる。さらにカード基板１０は受光素子や
電子回路部品が１０ミクロン以下の厚さで構成され、折
り曲げに対して復元力を有する柔軟な材料としてポリエ
チレンテレフタレートを用いて構成されているため、折
り曲げに対しても対応することができる。
【００２５】また、本実施形態においては、発光素子１
２として、単一の光源から構成されるもの、あるいは複
数の光源が同一基板上に形成されたもの、さらには単一
の光源が複数個組合わされたものを用いることができ
る。またカード基板１０としては、少なくとも出射光２
６の経路となる部位の材料として出射光２６の波長に対
して透明になるような材料で構成することが望ましい。
２として、単一の光源から構成されるもの、あるいは複
数の光源が同一基板上に形成されたもの、さらには単一
の光源が複数個組合わされたものを用いることができ
る。またカード基板１０としては、少なくとも出射光２
６の経路となる部位の材料として出射光２６の波長に対
して透明になるような材料で構成することが望ましい。
【００２６】また、保護シート５４に導電性パターンを
形成する場合、半導体集積回路３６の複数の素子に渡っ
て共通電位となるように、複数の素子全体を共通で覆う
ように導電性パターンを形成すれば、導電性パターンを
接地電位として用いることができる。導電性パターンを
接地電位として用いると、基板の電位を各半導体チップ
（半導体集積回路３６のチップ）の広い面積に渡って固
定することができ、寄生サイリスタ効果、いわゆるラッ
チアップによって素子が動作できなくなるのを防止する
ことができるとともに、外部からのノイズによって素子
が誤動作するのを防止することができる。
形成する場合、半導体集積回路３６の複数の素子に渡っ
て共通電位となるように、複数の素子全体を共通で覆う
ように導電性パターンを形成すれば、導電性パターンを
接地電位として用いることができる。導電性パターンを
接地電位として用いると、基板の電位を各半導体チップ
（半導体集積回路３６のチップ）の広い面積に渡って固
定することができ、寄生サイリスタ効果、いわゆるラッ
チアップによって素子が動作できなくなるのを防止する
ことができるとともに、外部からのノイズによって素子
が誤動作するのを防止することができる。
【００２７】また、図６に示すように、非導電性の保護
シート５８のみを用いて各部品を覆うようにすることも
できる。すなわち、保護シート５４の導電性パターンを
共通の電位にすると障害が生じるときには、非導電性の
保護シート５８のみを用いて各種部品を覆う構造とする
ことができる。この場合には、発光素子１２、受光素子
１４については配線２８、３０を利用して電気的な結線
を行なうことになる。
シート５８のみを用いて各部品を覆うようにすることも
できる。すなわち、保護シート５４の導電性パターンを
共通の電位にすると障害が生じるときには、非導電性の
保護シート５８のみを用いて各種部品を覆う構造とする
ことができる。この場合には、発光素子１２、受光素子
１４については配線２８、３０を利用して電気的な結線
を行なうことになる。
【００２８】また、図７に示すように、発光素子１２、
受光素子１４を用いる代わりに、受光素子と発光素子の
機能を備えた受発光素子６０を用いることもできる。こ
の受発光素子６０は、基本的には発光素子１２とほぼ同
じ構造であり、III−Ｖ族化合物半導体を材料とし、カ
ード基板１０の変形に追従できるように薄膜した状態で
カード基板１０に実装される。受発光素子６０を用いる
と、発光と受光を同時に行なうことはできないが、単一
の受発光素子６０が発光と受光の二つの機能を備えるこ
とで部品点数が少なくなり、製造コストを低減すること
ができる。
受光素子１４を用いる代わりに、受光素子と発光素子の
機能を備えた受発光素子６０を用いることもできる。こ
の受発光素子６０は、基本的には発光素子１２とほぼ同
じ構造であり、III−Ｖ族化合物半導体を材料とし、カ
ード基板１０の変形に追従できるように薄膜した状態で
カード基板１０に実装される。受発光素子６０を用いる
と、発光と受光を同時に行なうことはできないが、単一
の受発光素子６０が発光と受光の二つの機能を備えるこ
とで部品点数が少なくなり、製造コストを低減すること
ができる。
【００２９】図８はカード基板１０に電源を搭載したと
きの実施形態を示す。
きの実施形態を示す。
【００３０】本実施形態においては、カード基板１０上
に実装された発光素子１２、受光素子１４、半導体集積
回路３６等に電力を供給するために、カード基板１０の
裏面側に太陽電池６０が実装されている。太陽電池６０
は、発光素子１２等と同様にフリップチップボンディン
グ法によってカード基板１０の裏面側に電気的及び機械
的に結合されている。この太陽電池６０は入射光６２を
受けて入射光に応じた電力を発生する光電変換素子から
構成されている。この光電変換素子の材料としては、薄
膜の状態でも高い光電変換効率が得られるような材料が
用いて構成されている。この材料としては、例えば、非
晶質シリコン、ＣｕＩｎＥｅ2に代表されるようなカル
コパイオライト系の材料あるいはIII−Ｖ族系の化合物
半導体材料を用いることができる。特に、III−Ｖ族系
化合物半導体は高い光電変換効率が実現できるため、カ
ード１０上の限られた面積の中でも大きな電力を得るこ
とができる。そして太陽電池６０から発生した電力は、
保護シート５４の導電性パターンを介して半導体集積回
路３６、制御駆動回路３２、発光素子１２、受光素子１
４等に供給されている。
に実装された発光素子１２、受光素子１４、半導体集積
回路３６等に電力を供給するために、カード基板１０の
裏面側に太陽電池６０が実装されている。太陽電池６０
は、発光素子１２等と同様にフリップチップボンディン
グ法によってカード基板１０の裏面側に電気的及び機械
的に結合されている。この太陽電池６０は入射光６２を
受けて入射光に応じた電力を発生する光電変換素子から
構成されている。この光電変換素子の材料としては、薄
膜の状態でも高い光電変換効率が得られるような材料が
用いて構成されている。この材料としては、例えば、非
晶質シリコン、ＣｕＩｎＥｅ2に代表されるようなカル
コパイオライト系の材料あるいはIII−Ｖ族系の化合物
半導体材料を用いることができる。特に、III−Ｖ族系
化合物半導体は高い光電変換効率が実現できるため、カ
ード１０上の限られた面積の中でも大きな電力を得るこ
とができる。そして太陽電池６０から発生した電力は、
保護シート５４の導電性パターンを介して半導体集積回
路３６、制御駆動回路３２、発光素子１２、受光素子１
４等に供給されている。
【００３１】またカード基板１０に光学系を実装するに
際しては、図９に示すように、レンズ１６をカード基板
１０と一体に成形することができる。この場合、出射光
２６の拡散を抑えて外部装置に向けて高い効率で光を送
ることができるとともに、光学系のコストを低減するこ
とができる。光学系に複雑な構造あるいは基板１０と異
なる材料系が要求されるときには、光学系を別に作成し
てカード基板１０に接着することも可能である。また、
樹脂から構成されたカード基板１０においてイオンの導
入あるいは局所的な熱処理によって部分的に基板材料の
屈折率を調整することにより、基板１０に光学系を成形
することもできる。
際しては、図９に示すように、レンズ１６をカード基板
１０と一体に成形することができる。この場合、出射光
２６の拡散を抑えて外部装置に向けて高い効率で光を送
ることができるとともに、光学系のコストを低減するこ
とができる。光学系に複雑な構造あるいは基板１０と異
なる材料系が要求されるときには、光学系を別に作成し
てカード基板１０に接着することも可能である。また、
樹脂から構成されたカード基板１０においてイオンの導
入あるいは局所的な熱処理によって部分的に基板材料の
屈折率を調整することにより、基板１０に光学系を成形
することもできる。
【００３２】また図１０に示すように、発光素子１２と
カード基板１０との間に形成された間隙に充填剤６４を
埋め込む構造を採用することができる。この場合、充填
剤６４として、屈折率がガラスと同程度以上の材料を用
いることで、出射光２６の伝送損失を減少させることが
できる。
カード基板１０との間に形成された間隙に充填剤６４を
埋め込む構造を採用することができる。この場合、充填
剤６４として、屈折率がガラスと同程度以上の材料を用
いることで、出射光２６の伝送損失を減少させることが
できる。
【００３３】次に、カード型情報製造装置の製造工程の
一例を図１１及び図１２にしたがって説明する。なお、
ここでは、III−Ｖ族化合物半導体からなる発光ダイオ
ードを作成して薄膜化し、これをカード基板１０に搭載
する手順について説明する。
一例を図１１及び図１２にしたがって説明する。なお、
ここでは、III−Ｖ族化合物半導体からなる発光ダイオ
ードを作成して薄膜化し、これをカード基板１０に搭載
する手順について説明する。
【００３４】まず、成長工程として、ｎ型ＧａＡｓ基板
８０上に分子線エピタキシー法により発光ダイオード
（ＬＥＤ）を構成するエッチストップ層８２と発光素子
層８４を形成する。発光素子層８４は最初にバッファと
して、不純物のＳｉを加えて厚さ０．５ミクロンメート
ルのｎ型ＧａＡｓ層、以下続いて、裏面側障壁層とし
て、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓを０．１ミクロンメートル、厚
さ５ミクロンメートルの活性層となるｎ型ＧａＡｓ層及
び厚さ０．５ミクロンメートルのＢｅをドープしたｐ型
ＧａＡｓ層、表面側障壁層となる厚さ０．０５ミクロン
メートルのＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓとなる。そして最後にコ
ンタク層となる厚さ０.３ミクロンメートルの高濃度に
ＢｅをドープしたＧａＡｓ層からなる。エッチストップ
層８２は、厚さ０.２ミクロンメートルのＡｌ0.6Ｇａ0.
4Ａｓを発光素子層８４の前に成長する。
８０上に分子線エピタキシー法により発光ダイオード
（ＬＥＤ）を構成するエッチストップ層８２と発光素子
層８４を形成する。発光素子層８４は最初にバッファと
して、不純物のＳｉを加えて厚さ０．５ミクロンメート
ルのｎ型ＧａＡｓ層、以下続いて、裏面側障壁層とし
て、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓを０．１ミクロンメートル、厚
さ５ミクロンメートルの活性層となるｎ型ＧａＡｓ層及
び厚さ０．５ミクロンメートルのＢｅをドープしたｐ型
ＧａＡｓ層、表面側障壁層となる厚さ０．０５ミクロン
メートルのＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓとなる。そして最後にコ
ンタク層となる厚さ０.３ミクロンメートルの高濃度に
ＢｅをドープしたＧａＡｓ層からなる。エッチストップ
層８２は、厚さ０.２ミクロンメートルのＡｌ0.6Ｇａ0.
4Ａｓを発光素子層８４の前に成長する。
【００３５】次に、加工工程として、フォトリソグラフ
ィ技術によりフォトレジストをパターンニングし、Ａｕ
−Ｚｎ系合金を蒸着してからリフトオフ法により発光素
子層８４に表面電極５０を形成し、このあと燐酸溶液か
らなるエッチング液を用いて素子分離を行なって発光素
子１２を形成する。
ィ技術によりフォトレジストをパターンニングし、Ａｕ
−Ｚｎ系合金を蒸着してからリフトオフ法により発光素
子層８４に表面電極５０を形成し、このあと燐酸溶液か
らなるエッチング液を用いて素子分離を行なって発光素
子１２を形成する。
【００３６】次に、裏面電極形成工程として、発光素子
１２の表面に支持基板８８を貼り付け、支持基板８８の
表面側を保護してから、ヨウ化カリウム（ＫＩ）溶液に
よりＧａＡｓ基板８０をエッチングで除去する。次に、
エッチストップ層８２をエッチングにより除去した後Ａ
ｕ−Ｇｅ系合金を蒸着して裏面電極５６を形成する。
１２の表面に支持基板８８を貼り付け、支持基板８８の
表面側を保護してから、ヨウ化カリウム（ＫＩ）溶液に
よりＧａＡｓ基板８０をエッチングで除去する。次に、
エッチストップ層８２をエッチングにより除去した後Ａ
ｕ−Ｇｅ系合金を蒸着して裏面電極５６を形成する。
【００３７】次に支持基板への転写工程として、支持基
板８６とは異なる支持基板８８を、薄膜化した発光ダイ
オードの裏面側に貼付たあと、表面側の支持基板８６を
除去する。このあとカード基板貼付工程として、カード
基板１０の裏面側に薄膜化した発光ダイオード（発光素
子）１２を貼付る。このあとラミネート処理工程とし
て、発光素子１２から支持基板８８を取り除いて発光素
子１２とカード基板１０との間隙に充填剤６４を埋め込
む。このあと発光素子１２の周囲を導電性保護シート５
４と非導電性保護シート５８によって覆う。以上の処理
によりカード基板１０上に発光素子１２としての発光ダ
イオードを実装することができる。
板８６とは異なる支持基板８８を、薄膜化した発光ダイ
オードの裏面側に貼付たあと、表面側の支持基板８６を
除去する。このあとカード基板貼付工程として、カード
基板１０の裏面側に薄膜化した発光ダイオード（発光素
子）１２を貼付る。このあとラミネート処理工程とし
て、発光素子１２から支持基板８８を取り除いて発光素
子１２とカード基板１０との間隙に充填剤６４を埋め込
む。このあと発光素子１２の周囲を導電性保護シート５
４と非導電性保護シート５８によって覆う。以上の処理
によりカード基板１０上に発光素子１２としての発光ダ
イオードを実装することができる。
【００３８】上記の実装工程は、受光素子１４にも適用
することができ、受光素子の成長方としては、液相エピ
タキシー（ＬＰＥ）、有機金属化学的気相成長法等を用
いることができる。また受光素子としては、発光ダイオ
ードのほか、レーザーダイオードにも適用することがで
きる。レーザーダイオードを用いるに際しては、端面発
光型のものを用いることもできるが、面発光型のレーザ
ーダイオードを用いれば、素子からの光が成長面と垂直
方向に出射されるため、上記実装工程をレーザーダイオ
ードにも適用することができる。
することができ、受光素子の成長方としては、液相エピ
タキシー（ＬＰＥ）、有機金属化学的気相成長法等を用
いることができる。また受光素子としては、発光ダイオ
ードのほか、レーザーダイオードにも適用することがで
きる。レーザーダイオードを用いるに際しては、端面発
光型のものを用いることもできるが、面発光型のレーザ
ーダイオードを用いれば、素子からの光が成長面と垂直
方向に出射されるため、上記実装工程をレーザーダイオ
ードにも適用することができる。
【００３９】加工工程で発光素子１２を１０ミクロン以
下に薄膜化するに際しては、エピタキシャルリフトオフ
（ＥＬＯ）法を用いることができる。このエピタキシャ
ルリフトオフ法を用いた場合、成長工程において、エッ
チストップ層８２に替えて選択エッチ層を成長する。そ
してこの選択エッチ層としては、例えば厚さ１０ｍｍの
ＡｌＡｓ層を用いることができる。また加工工程では、
基板エッチング除去の代わりに選択エッチングを行な
う。この選択エッチングにはフッ酸溶液を使用し、選択
エッチ層であるＡｌＡｓ層だけを選択的にエッチング
し、薄膜素子部を基板から剥離する。このＥＬＯ法を用
いれば、素子を剥離した後には基板が残るため、基板を
再利用することができ、製造コストの低減に寄与するこ
とができる。
下に薄膜化するに際しては、エピタキシャルリフトオフ
（ＥＬＯ）法を用いることができる。このエピタキシャ
ルリフトオフ法を用いた場合、成長工程において、エッ
チストップ層８２に替えて選択エッチ層を成長する。そ
してこの選択エッチ層としては、例えば厚さ１０ｍｍの
ＡｌＡｓ層を用いることができる。また加工工程では、
基板エッチング除去の代わりに選択エッチングを行な
う。この選択エッチングにはフッ酸溶液を使用し、選択
エッチ層であるＡｌＡｓ層だけを選択的にエッチング
し、薄膜素子部を基板から剥離する。このＥＬＯ法を用
いれば、素子を剥離した後には基板が残るため、基板を
再利用することができ、製造コストの低減に寄与するこ
とができる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
カード基板上に受発光素子と電子回路とを搭載するよう
にしたため、非接触で外部装置と情報の授受を行なうこ
とができるとともに、カード基板上に情報を表示させる
ことができる。
カード基板上に受発光素子と電子回路とを搭載するよう
にしたため、非接触で外部装置と情報の授受を行なうこ
とができるとともに、カード基板上に情報を表示させる
ことができる。
【図１】本発明の一実施形態を示すカード型情報制御装
置の表面側から見た斜視図である。
置の表面側から見た斜視図である。
【図２】カード型情報制御装置の裏面側から見た斜視図
である。
である。
【図３】カード型情報制御装置の要部側面断面図であ
る。
る。
【図４】カード型情報制御装置の要部拡大側面断面図で
ある。
ある。
【図５】カード基板のラミネート構造を説明するための
要部拡大側面断面図である。
要部拡大側面断面図である。
【図６】カード基板の他のラミネート構造を説明するた
めの要部拡大側面断面図でる。
めの要部拡大側面断面図でる。
【図７】本発明の他の実施形態を示す斜視図である。
【図８】カード基板に太陽電池を設けたときの構成を示
す要部側面断面図である。
す要部側面断面図である。
【図９】基板に光学系が一体化されたときの構成を示す
要部側面断面図である。
要部側面断面図である。
【図１０】カード基板と保護シートの間に充填剤が埋め
込まれたときの構造を示す要部側面断面図である。
込まれたときの構造を示す要部側面断面図である。
【図１１】発光素子の製造工程及び実装工程を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
【図１２】発光素子の製造工程及び実装工程を説明する
ための斜視図である。
ための斜視図である。
１０ カード基板 １２ 発光素子 １４ 受光素子 １６、１８ レンズ ３２ 制御駆動回路 ３６ 半導体集積回路 ４０ 記憶回路 ４４ コンデンサ ４８ インダクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｃ 5/00 Ｇ１１Ｃ 5/00 ３０１Ａ ３０１ Ｇ０６Ｋ 19/00 Ｊ Ｈ (72)発明者 綿引 誠次 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 北谷 健 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (11)
- 【請求項１】 入射光を電気信号に変換するとともに電
気信号を光信号に変換する受発光素子と、半導体集積回
路素子、コンデンサ、およびインダクタを主要素として
受発光素子からの電気信号に基づいて受発光素子と少な
くとも表示情報の授受を行う電子回路とを備え、受発光
素子と電子回路をカード基板上に実装してなるカード型
情報制御装置。 - 【請求項２】 受発光素子は、少なくとも発光素子と受
光素子を含み、発光素子が表示画素として複数個配置さ
れ、電子回路は、受光素子の受光に基づいた表示情報を
生成しこの表示情報に従って各発光素子の発光を制御し
てなる請求項１記載のカード型情報制御装置。 - 【請求項３】 受発光素子は化合物半導体材料から構成
され、且つその厚さが１０μｍ以下である請求項１また
は２記載のカード型情報制御装置。 - 【請求項４】 カード基板は光信号を透過する透明基板
で構成され、受発光素子と電子回路が透明基板の一方の
面に実装されてなる請求項１、２または３記載のカード
型情報制御装置。 - 【請求項５】 カード基板にはカード基板外からの光信
号を電力に変換する光電変換素子が実装され、光電変換
素子から発生する電力が受発光素子と電子回路に供給さ
れてなる請求項１、２、３または４記載のカード型情報
制御装置。 - 【請求項６】 光電変換素子は化合物半導体材料から構
成され、且つその厚さが１０μｍ以下である請求項５記
載のカード型情報制御装置。 - 【請求項７】 カード基板にはカード基板外からの光信
号を収光して受発光素子に導くとともに受発光素子から
の光をカード基板外に放射する光学系が実装されてなる
請求項１、２、３、４、５または６記載のカード型情報
制御装置。 - 【請求項８】 カード基板には、少なくともカード基板
に実装された受発光素子と電子回路を覆うラミネート構
造の保護シートが装着され、保護シートの回路部品側に
は、少なくとも受発光素子と電子回路の一部と電気的に
接続された導電性パターンが形成されてなる請求項１乃
至７のうちいずれか１項に記載のカード型情報制御装
置。 - 【請求項９】 カード基板には、少なくともカード基板
に実装された受発光素子と電子回路を覆うラミネート構
造の保護シートが装着され、保護シートの回路部品側に
は、少なくとも受発光素子と電子回路の一部と電気的に
接続されて受発光素子と電子回路の共通電位を示す導電
性パターンが形成されてなる請求項１乃至７のうちいず
れか１項に記載のカード型情報制御装置。 - 【請求項１０】 少なくとも受発光素子とカード基板と
の間隙に樹脂性の充填剤が埋め込まれてなる請求項１乃
至９のうちいずれか１項に記載のカード型情報制御装
置。 - 【請求項１１】 カード基板は一定程度までの屈曲力に
対して復元力を有する合成樹脂材料で構成されてなる請
求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載のカード型情
報制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8222438A JPH1063807A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | カード型情報制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8222438A JPH1063807A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | カード型情報制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1063807A true JPH1063807A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16782408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8222438A Pending JPH1063807A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | カード型情報制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1063807A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002196571A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Canon Inc | 画像形成装置 |
| EP1418624A2 (en) | 2002-11-11 | 2004-05-12 | Oki Data Corporation | Light emitting diode array and print head |
| EP1420456A2 (en) | 2002-11-13 | 2004-05-19 | Oki Data Corporation | Monolithic semiconductor component and optical print head |
| EP1434269A2 (en) | 2002-12-24 | 2004-06-30 | Oki Data Corporation | Semiconductor device assembly having wiring layers and semiconductor thin films, and optical print head |
| US6790695B2 (en) | 2002-11-20 | 2004-09-14 | Oki Data Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| EP1705702A2 (en) | 2005-03-25 | 2006-09-27 | Oki Data Corporation | Hybrid semiconductor apparatus, print head and image forming apparatus |
| US7122834B2 (en) | 2002-12-25 | 2006-10-17 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus having adhesion layer and semiconductor thin film |
| JP2007129462A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 非接触型データ及び電力伝送装置 |
| US7361935B2 (en) | 2005-02-25 | 2008-04-22 | Oki Data Corporation | Semiconductor device, LED print head, that uses the semiconductor, and image forming apparatus that uses the LED print head |
| US7385655B2 (en) | 2002-09-02 | 2008-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic circuit device with optical sensors and optical shutters at specific locations |
| US7459726B2 (en) | 2003-02-12 | 2008-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a light emitting element and a light receiving element |
| WO2009044677A1 (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半導体記憶装置および記憶システム |
| US7769253B2 (en) | 2002-09-02 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic circuit device |
| US7847298B2 (en) | 2005-03-02 | 2010-12-07 | Oki Data Corporation | Semiconductor composite apparatus, LED, LED printhead, and image forming apparatus |
| US8664668B2 (en) | 2002-12-24 | 2014-03-04 | Oki Data Corporation | Combined semiconductor apparatus with semiconductor thin film |
| US9093562B2 (en) | 2004-11-10 | 2015-07-28 | Oki Data Corporation | Semiconductor composite apparatus, method for manufacturing the semiconductor composite apparatus, LED head that employs the semiconductor composite apparatus, and image forming apparatus that employs the LED head |
-
1996
- 1996-08-23 JP JP8222438A patent/JPH1063807A/ja active Pending
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002196571A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Canon Inc | 画像形成装置 |
| JP4574006B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2010-11-04 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
| US7769253B2 (en) | 2002-09-02 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic circuit device |
| US7385655B2 (en) | 2002-09-02 | 2008-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic circuit device with optical sensors and optical shutters at specific locations |
| US8445935B2 (en) | 2002-11-11 | 2013-05-21 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus with thin semiconductor film |
| EP2610910A1 (en) | 2002-11-11 | 2013-07-03 | Oki Data Corporation | Semicondcuctor apparatus with thin semiconductor film |
| US8395159B2 (en) | 2002-11-11 | 2013-03-12 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus with thin semiconductor film |
| US7180099B2 (en) | 2002-11-11 | 2007-02-20 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus with thin semiconductor film |
| US8816384B2 (en) | 2002-11-11 | 2014-08-26 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus with thin semiconductor film |
| EP1418624A2 (en) | 2002-11-11 | 2004-05-12 | Oki Data Corporation | Light emitting diode array and print head |
| US7871834B2 (en) | 2002-11-13 | 2011-01-18 | Oki Data Corporation | Combined semiconductor apparatus with thin semiconductor films |
| US7239337B2 (en) | 2002-11-13 | 2007-07-03 | Oki Data Corporation | Combined semiconductor apparatus with thin semiconductor films |
| EP1420456A2 (en) | 2002-11-13 | 2004-05-19 | Oki Data Corporation | Monolithic semiconductor component and optical print head |
| US6790695B2 (en) | 2002-11-20 | 2004-09-14 | Oki Data Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US7486307B2 (en) | 2002-12-24 | 2009-02-03 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus having conductive layers and semiconductor thin films |
| US7135708B2 (en) * | 2002-12-24 | 2006-11-14 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus having conductive layers and semiconductor thin films |
| EP1434269A2 (en) | 2002-12-24 | 2004-06-30 | Oki Data Corporation | Semiconductor device assembly having wiring layers and semiconductor thin films, and optical print head |
| US8664668B2 (en) | 2002-12-24 | 2014-03-04 | Oki Data Corporation | Combined semiconductor apparatus with semiconductor thin film |
| US7122834B2 (en) | 2002-12-25 | 2006-10-17 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus having adhesion layer and semiconductor thin film |
| US7459726B2 (en) | 2003-02-12 | 2008-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a light emitting element and a light receiving element |
| US9093562B2 (en) | 2004-11-10 | 2015-07-28 | Oki Data Corporation | Semiconductor composite apparatus, method for manufacturing the semiconductor composite apparatus, LED head that employs the semiconductor composite apparatus, and image forming apparatus that employs the LED head |
| US7361935B2 (en) | 2005-02-25 | 2008-04-22 | Oki Data Corporation | Semiconductor device, LED print head, that uses the semiconductor, and image forming apparatus that uses the LED print head |
| US7847298B2 (en) | 2005-03-02 | 2010-12-07 | Oki Data Corporation | Semiconductor composite apparatus, LED, LED printhead, and image forming apparatus |
| US8174028B2 (en) | 2005-03-02 | 2012-05-08 | Oki Data Corporation | Semiconductor composite apparatus, LED, LED printhead, and image forming apparatus |
| EP2287912A2 (en) | 2005-03-02 | 2011-02-23 | Oki Data Corporation | Semiconductor composite LED apparatus |
| US8415680B2 (en) | 2005-03-25 | 2013-04-09 | Oki Data Corporation | Semiconductor composite apparatus, print head, and image forming apparatus |
| EP1705702A2 (en) | 2005-03-25 | 2006-09-27 | Oki Data Corporation | Hybrid semiconductor apparatus, print head and image forming apparatus |
| JP2007129462A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 非接触型データ及び電力伝送装置 |
| US8655350B2 (en) | 2007-10-02 | 2014-02-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor storage device and storage system |
| WO2009044677A1 (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半導体記憶装置および記憶システム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1063807A (ja) | カード型情報制御装置 | |
| EP0653654B1 (en) | Optical detectors and sources with merged holographic optical elements suitable for optoelectronic interconnects | |
| US6836579B2 (en) | Surface optical device apparatus, method of fabricating the same, and apparatus using the same | |
| US6027958A (en) | Transferred flexible integrated circuit | |
| EP1219994B1 (en) | Semiconductor device and optoelectronic board | |
| US9343450B2 (en) | Wafer scale packaging platform for transceivers | |
| KR100489452B1 (ko) | 기판을제거한led디스플레이패키지및그제조방법 | |
| US6588949B1 (en) | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices | |
| US5299046A (en) | Self-sufficient photon-driven component | |
| JP3728147B2 (ja) | 光電気混載配線基板 | |
| US5621225A (en) | Light emitting diode display package | |
| CN1706051B (zh) | 光电混合集成模块和使用该模块作为部件的光输入/输出设备 | |
| US7470069B1 (en) | Optoelectronic MCM package | |
| JPH071792B2 (ja) | 光学通信システム | |
| US20080285303A1 (en) | Optical module and manufacturing method thereof | |
| JPH0583123A (ja) | 光通信論理素子部品 | |
| JP3684112B2 (ja) | 光電気混載配線基板、その駆動方法、およびそれを用いた電子回路装置 | |
| US5332899A (en) | System for converting an infrared image into a visible or near infrared image | |
| JP2002031747A (ja) | 面型光素子実装体、その作製方法、及びそれを用いた装置 | |
| US7245648B2 (en) | Optoelectronic arrangement | |
| JP2005044861A (ja) | 半導体装置、半導体装置の使用方法、半導体装置の製造方法および電子機器 | |
| JP2009027088A (ja) | 半導体発光装置 | |
| US6897485B2 (en) | Device for optical and/or electrical data transmission and/or processing | |
| JP4797221B2 (ja) | 光電子集積回路装置 | |
| JP2725169B2 (ja) | 光学的相互接続用送信機モジュール |