JPH10321698A - Substrate treatment method and its equipment - Google Patents
Substrate treatment method and its equipmentInfo
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- JPH10321698A JPH10321698A JP14865097A JP14865097A JPH10321698A JP H10321698 A JPH10321698 A JP H10321698A JP 14865097 A JP14865097 A JP 14865097A JP 14865097 A JP14865097 A JP 14865097A JP H10321698 A JPH10321698 A JP H10321698A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理方法及び
その装置に関する。[0001] The present invention relates to a substrate processing method and apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体ウエハ(以下ウエハという)の製
造プロセスの一つに成膜処理や酸化膜の形成等の熱処理
があり、このような熱処理は例えば図8に示す熱処理装
置にて行われている。この熱処理装置は、オペレ−タや
自動搬送ロボットが当該カセット1を持ち運ぶ作業領域
S1と、当該作業領域S1よりはクリ−ン度が高いロ−
ディングエリアS2とに壁部11により区画されてお
り、ロ−ディングエリアS2には後述する熱処理炉が設
けられている。2. Description of the Related Art One of the manufacturing processes of a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) includes a heat treatment such as a film forming process and an oxide film formation. Such a heat treatment is performed by, for example, a heat treatment apparatus shown in FIG. I have. This heat treatment apparatus includes a work area S1 in which an operator or an automatic transfer robot carries the cassette 1, and a roll having a higher degree of cleanness than the work area S1.
And a loading area S2. The loading area S2 is partitioned by a wall portion 11, and a heat treatment furnace described later is provided in the loading area S2.
【0003】このような装置では、例えばロ−ディング
エリアS2は自然酸化膜の発生や熱処理炉内への大気の
巻き込みを防止するために窒素(N2 )ガスでパ−ジさ
れていると共に、作業領域S1よりも陽圧に設定され、
ロ−ディングエリアS2のクリ−ンエアを作業領域S1
に向けて流出させて、作業領域S1からロ−ディングエ
リアS2へのパーティクルの侵入を防止するようにして
いる。このためロ−ディングエリアS2には、当該領域
内の窒素濃度を一定に保つために常時一定量の窒素ガス
が供給されており、これにより当該領域の圧力は例えば
大気圧に対して例えば1Pa以上、好ましくは100P
a程度陽圧になるように調整されている。In such an apparatus, for example, the loading area S2 is purged with nitrogen (N 2 ) gas in order to prevent the formation of a natural oxide film and the entrapment of air into the heat treatment furnace. It is set to a positive pressure than the work area S1,
Clean air in the loading area S2 is applied to the work area S1.
To prevent particles from entering the working area S1 into the loading area S2. For this reason, a constant amount of nitrogen gas is always supplied to the loading area S2 in order to keep the nitrogen concentration in the area constant, whereby the pressure in the area is, for example, 1 Pa or more with respect to the atmospheric pressure. , Preferably 100P
The pressure is adjusted to be about a positive pressure.
【0004】ところで半導体ウエハ(以下ウエハとい
う)のパーティクル汚染を抑えるために密閉型のウエハ
カセット(以下クロ−ズ型カセットという)が検討され
ており(月刊Semiconductor World
1997年1月号等参照)、このクロ−ズ型カセット
はウエハWを例えば13枚収納するカセット本体10
と、このカセット本体10に形成されたウエハ取り出し
口を気密に塞ぐための蓋体10aとを備えている。[0004] In order to suppress particle contamination of a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer), a closed wafer cassette (hereinafter, referred to as a close type cassette) has been studied (Monthly Semiconductor Semiconductor World).
This close type cassette is a cassette body 10 for accommodating, for example, 13 wafers W.
And a lid 10a for hermetically closing a wafer take-out opening formed in the cassette body 10.
【0005】このクロ−ズ型カセットを上述の熱処理装
置に適用する場合には、クロ−ズ型カセット1は作業領
域S1側に設けられた載置台12上に載置されて、前記
壁部11に形成された開口部11aに作業領域S1側か
ら装着される。ここで前記開口部11aは常時扉部13
により閉じられており、この扉部13に設けられた開閉
手段14により蓋体10aが開かれる。取り外された蓋
体10aは、扉部13を昇降させ、水平方向に移動させ
る扉開閉機構15により、扉部13と共にロ−ディング
エリアS2内に運ばれ、この後ロ−ディングエリアS2
側から昇降自在、進退自在、回転自在に設けられた移載
手段16によりクロ−ズ型カセット1内のウエハWが取
り出されてウエハボ−ト17に移載される。次いでウエ
ハボ−ト17が熱処理炉18内に搬入されて所定の熱処
理が行われる。When this close type cassette is applied to the above-described heat treatment apparatus, the close type cassette 1 is mounted on a mounting table 12 provided on the work area S1 side, and Is mounted from the side of the work area S1 into the opening 11a formed at the bottom. Here, the opening 11a is always the door 13
The cover 10a is opened by the opening / closing means 14 provided on the door portion 13. The removed lid body 10a is carried together with the door portion 13 into the loading area S2 by the door opening / closing mechanism 15 for moving the door portion 13 up and down and moving in the horizontal direction, and thereafter the loading area S2.
The wafer W in the close type cassette 1 is taken out by the transfer means 16 which can be moved up and down, advance and retreat, and rotate freely from the side, and is transferred to the wafer boat 17. Next, the wafer boat 17 is carried into the heat treatment furnace 18 where a predetermined heat treatment is performed.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで前記クロ−ズ
型カセット1の内部は例えば窒素ガスによりパ−ジされ
ているが、カセット1内の圧力は約1気圧(大気圧)に
設定されている。従ってロ−ディングエリアS2よりも
クロ−ズ型カセット1内の圧力がわずかに小さいため、
クロ−ズ型カセット1を壁部11の開口部11aに装着
して蓋体10aを開こうとすると、両者の差圧により蓋
体10aが開きにくくなり、蓋体10aを扉部13と共
に取り外すための扉開閉機構15の駆動に大きなパワ−
が必要となる。The inside of the close cassette 1 is purged with, for example, nitrogen gas, but the pressure in the cassette 1 is set at about 1 atm (atmospheric pressure). . Therefore, since the pressure in the close cassette 1 is slightly smaller than the loading area S2,
When the close cassette 10 is mounted on the opening 11a of the wall 11 and the lid 10a is to be opened, it is difficult to open the lid 10a due to the pressure difference between the two, and the lid 10a is removed together with the door 13. Large power for driving the door opening and closing mechanism 15
Is required.
【0007】また上述のように、クロ−ズ型カセット1
内とロ−ディングエリアS2との間に差圧があると、蓋
体10aを開いた際に気体が急激に低圧側のカセット1
内に流れ込むので、これによってパーティクルが発生す
るおそれもある。As described above, the close type cassette 1
When there is a pressure difference between the inside and the loading area S2, when the lid 10a is opened, the gas suddenly drops.
As a result, particles may be generated.
【0008】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は基板収容空間が大気圧又はほぼ大
気圧である密閉型の基板カセット内を陽圧雰囲気の搬入
室内に開放するにあたって、基板カセットの蓋体をスム
−ズに開くことができる基板処理方法及びその装置を提
供することにある。The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to open a sealed substrate cassette in which a substrate accommodating space is at or near atmospheric pressure into a loading chamber in a positive pressure atmosphere. In this regard, it is an object of the present invention to provide a substrate processing method and apparatus capable of smoothly opening a lid of a substrate cassette.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】このため本発明の基板処
理方法は、基板収容空間が大気圧又はほぼ大気圧であっ
て常時密閉されている基板カセットから不活性ガス雰囲
気の搬入室内に基板を搬入し、その後この基板を処理す
る方法において、前記搬入室内に不活性ガスを供給して
当該搬入室内を不活性ガスによる陽圧雰囲気にする工程
と、前記基板カセットの蓋体を開く少し前に、前記不活
性ガスの供給を停止する工程と、次いで前記基板カセッ
トの蓋体を開けて基板収容空間を搬入室内に開放する工
程と、その後前記不活性ガスの供給を再開して搬入室内
を不活性ガスによる陽圧雰囲気にする工程と、を含むこ
とを特徴とする。For this reason, the substrate processing method of the present invention provides a method for transferring a substrate from a substrate cassette in which a substrate accommodating space is at atmospheric pressure or almost atmospheric pressure and which is always closed, into a carry-in chamber of an inert gas atmosphere. In the method of loading and thereafter processing the substrate, a step of supplying an inert gas into the loading chamber to make the loading chamber a positive pressure atmosphere by the inert gas, and a step immediately before opening the lid of the substrate cassette. Stopping the supply of the inert gas, then opening the lid of the substrate cassette to open the substrate housing space into the loading chamber, and then restarting the supply of the inert gas to disconnect the loading chamber. Producing a positive pressure atmosphere with an active gas.
【0010】また本発明の基板処理装置は、大気圧雰囲
気と基板処理部との間に介在する不活性ガス雰囲気の搬
入室と、基板収容空間が大気圧又はほぼ大気圧であって
常時密閉されている基板カセットと、前記搬入室の壁部
に形成され、常時は閉じられていると共に前記基板カセ
ットが大気圧雰囲気側から装着されたときには開かれて
基板カセット内の基板収容空間を前記搬入室に開放する
基板受け渡し用の搬入口と、を備え、前記搬入室におい
て前記基板カセット内の基板を取り出して前記基板処理
部で処理する基板処理装置において、前記搬入室へ不活
性ガスを供給する不活性ガス供給路を開閉するための開
閉弁と、前記基板カセットの蓋体が開かれる前であっ
て、当該基板カセットが所定位置にあることを検出する
ための検出部と、この検出部からの検出信号に基づいて
前記開閉弁の閉指令信号を出力すると共に、基板カセッ
トが開いた後前記開閉弁の開指令信号を出力する制御手
段と、を備えたことを特徴とする。ここで前記制御手段
は、基板カセットの蓋体を開閉するための蓋体開閉部が
前記蓋体を開いたときに出力される信号に基づいて前記
開閉弁の開指令信号を出力するように構成してもよい。In the substrate processing apparatus of the present invention, a carry-in chamber of an inert gas atmosphere interposed between an atmospheric pressure atmosphere and a substrate processing section, and a substrate accommodating space at atmospheric pressure or almost atmospheric pressure, are always sealed. And a substrate cassette formed on the wall of the loading chamber, which is normally closed and opened when the substrate cassette is mounted from the atmospheric pressure side to move the substrate accommodation space in the substrate cassette into the loading chamber. A loading / unloading port for transferring the substrate to the loading chamber, wherein the loading chamber takes out the substrate from the substrate cassette and processes the substrate in the substrate processing unit. An opening / closing valve for opening / closing the active gas supply path, a detection unit for detecting that the substrate cassette is at a predetermined position before the lid of the substrate cassette is opened, Outputs a closing command signal of the on-off valve on the basis of a detection signal from the detection unit, characterized by comprising control means for outputting an open command signal of the on-off valve after the substrate cassette is opened, the. Here, the control means is configured to output an opening command signal for the on-off valve based on a signal output when the lid opening / closing section for opening / closing the lid of the substrate cassette opens the lid. May be.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】本発明の基板処理装置を縦型熱処
理装置に適用した場合について説明する。図1は縦型熱
処理装置の一実施の形態を示す断面図であり、図2はそ
の要部を示す斜視図である。先ず縦型熱処理装置の全体
構成について簡単に説明すると、この装置は壁部21に
より大気圧雰囲気の作業領域S1と搬入室をなすロ−デ
ィングエリアS2とに区画されている。壁部21には基
板例えばウエハWの受け渡し用の搬入口である開口部2
1aが形成されており、この開口部21aの作業領域S
1側には、密閉型の基板カセットをなすクロ−ズ型カセ
ット3(以下カセット3という)が装着される。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A case where the substrate processing apparatus of the present invention is applied to a vertical heat treatment apparatus will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of a vertical heat treatment apparatus, and FIG. 2 is a perspective view showing a main part thereof. First, the overall configuration of the vertical heat treatment apparatus will be briefly described. This apparatus is divided by a wall 21 into a working area S1 in an atmospheric pressure atmosphere and a loading area S2 forming a loading chamber. The wall 21 has an opening 2 serving as a carry-in port for transferring a substrate, for example, a wafer W.
1a is formed, and the working area S of the opening 21a is formed.
On one side, a closed type cassette 3 (hereinafter, referred to as a cassette 3) as a closed type substrate cassette is mounted.
【0012】カセット3について図3、図4に基づいて
説明すると、このカセット3は例えば13枚のウエハW
を棚状に保持するようにウエハ保持部30が多段に形成
されたカセット本体31と、このカセット本体31のウ
エハ取り出し口である開口部33を気密に塞ぐための蓋
体32とを備えている。前記蓋体32には、例えば2か
所に鍵穴34が形成されており、この鍵穴34に後述す
るキ−操作機構に設けられたキ−35を挿入して回すこ
とにより、蓋体32の上端と下端とから図示しないロッ
クピンが突出して、カセット本体31に蓋体32が固定
されるように構成されている。またカセット3の底部に
は例えば3か所の位置に凹部36が形成されている。The cassette 3 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. For example, the cassette 3 has 13 wafers W.
The cassette body 31 has a wafer holding unit 30 formed in multiple stages so as to hold the wafer in a shelf shape, and a lid 32 for hermetically closing an opening 33 which is a wafer take-out port of the cassette body 31. . The cover 32 has, for example, two key holes 34 formed therein. A key 35 provided in a key operation mechanism to be described later is inserted into the key hole 34 and turned, whereby an upper end of the cover 32 is formed. A lock pin (not shown) protrudes from the lower end and the lower end, and the lid 32 is fixed to the cassette main body 31. In the bottom of the cassette 3, for example, concave portions 36 are formed at three positions.
【0013】このようなカセット3は、作業領域S1の
開口部21aの下方側に設けられたカセット載置部4の
ステ−ジ41上に載置されており、このカセット載置部
4によりカセット3は前記開口部21aに適合する位置
に保持される。ステ−ジ41はステ−ジ支持台42によ
り支持されており、ステ−ジ支持台42はカセット3の
着脱方向に基台44上に設けられたガイドレ−ル43に
より、前記着脱方向に移動できるように構成されてい
る。The cassette 3 is mounted on a stage 41 of a cassette mounting portion 4 provided below the opening 21a of the work area S1. 3 is held at a position suitable for the opening 21a. The stage 41 is supported by a stage support 42, and the stage support 42 can be moved in the mounting / removing direction by a guide rail 43 provided on a base 44 in the mounting / removing direction of the cassette 3. It is configured as follows.
【0014】前記ステ−ジ41の上面には、前記カセッ
ト3の凹部36と適合する位置に例えば3個の突起41
aが設けられており、カセット3の凹部36に突起41
aが係合してカセット3のステ−ジ41上での位置合わ
せが行われるように構成されている。またステ−ジ41
の上面には検出部をなすスイッチ5が設けられている。
このスイッチ5は、例えばステ−ジ41から突出してい
て常時は上に抑制されているピン51が、この抑制力に
反して上から押圧されたときに、制御手段(コントロ−
ラ)Cに信号を出力するように構成されている。なお図
1中40は複数のカセット3を上下方向に配列して収容
するストッカ40である。On the upper surface of the stage 41, for example, three projections 41 are provided at positions corresponding to the concave portions 36 of the cassette 3.
a is provided in the recess 36 of the cassette 3.
a is engaged so that the position of the cassette 3 on the stage 41 is adjusted. Also, stage 41
Is provided with a switch 5 serving as a detection unit.
The switch 5 is provided, for example, when a pin 51 projecting from the stage 41 and constantly suppressed upward is pressed from above against the restraining force, the control means (control).
B) It is configured to output a signal to C. In FIG. 1, reference numeral 40 denotes a stocker 40 that accommodates a plurality of cassettes 3 arranged vertically.
【0015】前記開口部21aのロ−ディングエリアS
2側には、当該開口部21aを気密に塞ぐための壁部用
の扉部60が設けられている。この扉部60は開口部2
1aの周縁部を覆う大きさに形成されており、扉開閉機
構61により開閉されるように構成されている。扉開閉
機構61は扉部60を昇降軸62aによって昇降させる
ための昇降基台62と、この昇降基台62を水平方向に
移動させるための水平基台63とを備えている。The loading area S of the opening 21a
On the second side, a door portion 60 for a wall portion for airtightly closing the opening 21a is provided. This door portion 60 has an opening 2
1 a is formed so as to cover the periphery thereof, and is configured to be opened and closed by a door opening and closing mechanism 61. The door opening / closing mechanism 61 includes a lifting base 62 for moving the door unit 60 up and down by a lifting shaft 62a, and a horizontal base 63 for moving the lifting base 62 in the horizontal direction.
【0016】扉部60にはカセット3の蓋体32を開閉
するための、キ−35を進退、回転させるキ−操作機構
64が組み合わせて設けられている。これら扉部60と
蓋体32の開閉を行うための扉開閉機構6及びキ−操作
機構64は蓋体開閉部6を構成しており、この蓋体開閉
部6はコントロ−ラCにより駆動が制御されるように構
成されていると共に、蓋体32を開いたことを認識し、
この認識した信号をコントロ−ラCに出力するように構
成されている。The door section 60 is provided with a key operating mechanism 64 for opening and closing the lid 32 of the cassette 3 for moving the key 35 forward and backward and rotating the key. The door opening / closing mechanism 6 and the key operating mechanism 64 for opening / closing the door section 60 and the lid 32 constitute a lid opening / closing section 6, and the lid opening / closing section 6 is driven by the controller C. It is configured to be controlled and recognizes that the lid 32 has been opened,
The recognized signal is output to the controller C.
【0017】ロ−ディングエリアS2の奥側には、ウエ
ハに対して熱処理を行うための基板処理部をなす熱処理
炉71が設けられており、この熱処理炉71の下方側に
は、例えば150枚のウエハWを棚状に保持して、ボ−
トエレベ−タ73により熱処理炉71に搬入するための
ウエハボ−ト72が設けられている。またロ−ディング
エリアS2の開口部21aの直ぐ奥側には、カセット3
とウエハボ−ト72と間でウエハの移載を行うための移
載機構8が設けられており、この移載機構8はウエハを
複数枚例えば5枚一括して移載でき、また1枚づつの移
載もできるように例えば5枚移載ア−ム81を備えてい
て、この移載ア−ム81は進退自在、昇降自在、回転自
在に構成されている。At the back of the loading area S2, there is provided a heat treatment furnace 71 serving as a substrate processing section for performing a heat treatment on the wafer. Below the heat treatment furnace 71, for example, 150 wafers are provided. Holding the wafer W in a shelf shape,
A wafer boat 72 for carrying the heat treatment furnace 71 by the elevator 73 is provided. The cassette 3 is located immediately behind the opening 21a of the loading area S2.
A transfer mechanism 8 for transferring wafers between the wafer boat 72 and the wafer boat 72 is provided. The transfer mechanism 8 can transfer a plurality of wafers, for example, five wafers at a time, and one by one. For example, five transfer arms 81 are provided so that the transfer can be performed, and the transfer arm 81 is configured to be able to move forward and backward, move up and down, and rotate freely.
【0018】またロ−ディングエリアS2の側壁には、
例えば熱処理炉71とウエハWの移載位置にある場合の
ウエハボ−ト72との間に開口するように不活性ガス供
給路をなすガス供給管22が設けられており、このガス
供給管22の他端側には図示しない不活性ガス例えば窒
素ガスの供給源が接続されている。ガス供給管22はコ
ントロ−ラCにより開閉が制御されるように構成された
開閉弁(開閉バルブ)V1を備えており、ロ−ディング
エリアS2への窒素ガスの供給の停止、開始がコントロ
−ラCにより制御されるようになっている。さらにロ−
ディングエリアS2の側壁の下部側には排気管23が接
続されており、この排気管23の他端側は大気開放の工
場排気に開口されている。Also, on the side wall of the loading area S2,
For example, a gas supply pipe 22 serving as an inert gas supply path is provided so as to open between the heat treatment furnace 71 and the wafer boat 72 when the wafer W is at the transfer position of the wafer W. A supply source of an inert gas (not shown) such as a nitrogen gas is connected to the other end. The gas supply pipe 22 is provided with an on-off valve (on-off valve) V1 configured to be opened and closed by the controller C, and the control of stopping and starting the supply of nitrogen gas to the loading area S2 is performed. It is controlled by the laser C. Furthermore,
An exhaust pipe 23 is connected to the lower side of the side wall of the loading area S2, and the other end of the exhaust pipe 23 is open to the factory exhaust which is open to the atmosphere.
【0019】続いて上記の装置にて実施される基板処理
方法について図5〜7に基づいて説明する。前記カセッ
ト3は、ウエハWが収納された後、例えば窒素ガスによ
りパ−ジされており、カセット3内は大気圧又はほぼ大
気圧に維持されている。一方ロ−ディングエリアS2内
は排気管23を介して排気しながら、窒素ガスがガス供
給管22により常時一定量供給されており、例えば大気
圧よりも1Pa以上、好ましくは100Pa程度陽圧に
なるように維持されている(図7ステップS1)。Next, a substrate processing method performed by the above apparatus will be described with reference to FIGS. After the wafers W are stored in the cassette 3, the cassette 3 is purged with, for example, nitrogen gas, and the inside of the cassette 3 is maintained at or substantially at atmospheric pressure. On the other hand, a constant amount of nitrogen gas is constantly supplied through the gas supply pipe 22 while exhausting the loading area S2 through the exhaust pipe 23. For example, the pressure becomes 1 Pa or more, preferably about 100 Pa, higher than the atmospheric pressure. (Step S1 in FIG. 7).
【0020】先ずカセット3を、図示しない自動搬送ロ
ボットにより図5(a)に示すように、カセット載置部
4のステ−ジ41上の突起41aとカセット3の凹部3
6との位置を合わせながら、突起41aが凹部36と係
合するように載置する(ステップS2)。そして図示し
ない押圧機構によりステ−ジ支持台42を押圧してカセ
ット3を開口部に21aに装着する。この際スイッチ5
では、カセット3がカセット載置部4に載置されると、
図5(b)に示すように、ピン51がカセット本体31
の底面により押圧されてオン状態となり、コントロ−ラ
Cに信号A1を出力する(図6参照)。First, as shown in FIG. 5 (a), the cassette 3 is transferred to the projection 41a on the stage 41 of the cassette mounting portion 4 by the automatic transfer robot (not shown) and the concave portion 3 of the cassette 3.
6, the projection 41a is placed so as to engage with the recess 36 (step S2). Then, the stage support 42 is pressed by a pressing mechanism (not shown), and the cassette 3 is mounted on the opening 21a at the opening. At this time, switch 5
Then, when the cassette 3 is mounted on the cassette mounting portion 4,
As shown in FIG. 5B, the pin 51 is
Is turned on by being pressed by the bottom surface of the controller C, and outputs a signal A1 to the controller C (see FIG. 6).
【0021】コントロ−ラCでは前記信号A1に基づい
て、常時は開いている開閉バルブV1に閉指令信号B1
を出力し、これにより開閉バルブV1が閉じて、ロ−デ
ィングエリアS2への窒素ガスの供給が停止する(ステ
ップS3)。そして窒素ガスの供給が停止してから所定
時間例えば20〜30秒経過後、コントロ−ラCにより
蓋体開閉部6に対して扉部60と蓋体32とを開くよう
に信号B2を出力する(ステップS4)。In the controller C, based on the signal A1, the closing command signal B1 is supplied to the normally open / closed valve V1.
Is output, whereby the opening / closing valve V1 is closed, and the supply of nitrogen gas to the loading area S2 is stopped (step S3). After a predetermined time, for example, 20 to 30 seconds, has elapsed since the supply of the nitrogen gas was stopped, the controller B outputs a signal B2 to the lid opening / closing section 6 so as to open the door 60 and the lid 32. (Step S4).
【0022】このように窒素ガスの供給が停止すると、
大気開放の工場排気によりロ−ディングエリアS2内の
圧力は徐々に低下していき、供給停止から20〜30秒
経過後にはほぼ大気圧程度まで減圧する。なお窒素ガス
の供給を20〜30秒停止しても排気管23は十分に長
いため外気が逆流する心配はない。When the supply of nitrogen gas is stopped,
The pressure in the loading area S2 gradually decreases due to the factory exhaust that is opened to the atmosphere, and after 20 to 30 seconds from the stop of the supply, the pressure is reduced to approximately the atmospheric pressure. Even if the supply of the nitrogen gas is stopped for 20 to 30 seconds, the exhaust pipe 23 is sufficiently long, so that there is no fear that the outside air flows backward.
【0023】蓋体開閉部6では前記信号B2に基づい
て、蓋体開閉手段63のキ−操作機構65のキ−35を
蓋体32の鍵穴34に挿入して回し、これによりロック
ピンを解除する。そして扉開閉機構61の水平基台63
により扉部60を後退させてから、昇降基台62により
下降させて、蓋体32を扉部60と共に開口部21aか
ら取り外す。In the lid opening / closing section 6, based on the signal B2, the key 35 of the key operating mechanism 65 of the lid opening / closing means 63 is inserted into the keyhole 34 of the lid 32 and turned, thereby releasing the lock pin. I do. And the horizontal base 63 of the door opening / closing mechanism 61
Then, the door unit 60 is moved backward, and then lowered by the elevating base 62 to remove the lid 32 together with the door unit 60 from the opening 21a.
【0024】この際蓋体開閉部6では蓋体32が取り外
されると、コントロ−ラCに信号A2を出力する。コン
トロ−ラCでは前記信号A2に基づいて、閉じている開
閉バルブV1に開指令信号B3を出力し、これにより開
閉バルブV1が開いて、ロ−ディングエリアS2への窒
素ガスの供給が再開される(ステップS5)。At this time, when the lid 32 is removed from the lid opening / closing section 6, a signal A2 is output to the controller C. The controller C outputs an open command signal B3 to the closed on-off valve V1 based on the signal A2, thereby opening the on-off valve V1 and restarting the supply of nitrogen gas to the loading area S2. (Step S5).
【0025】一方ロ−ディングエリアS2では、移載機
構8の移載ア−ム81をカセット3内に進入させてカセ
ット3の5枚のウエハWを一括して掬い上げて保持し、
ウエハボ−ト72に移載する。こうしてウエハボ−ト7
2に例えば150枚のウエハWを移載した後、ボ−トエ
レベ−タ73によりウエハボ−ト72を上昇させて熱処
理炉71内に搬入し、ウエハWに対して所定の熱処理を
行う。On the other hand, in the loading area S2, the transfer arm 81 of the transfer mechanism 8 is advanced into the cassette 3, and the five wafers W of the cassette 3 are collectively picked up and held.
The wafer is transferred to the wafer boat 72. Thus, the wafer boat 7
After transferring, for example, 150 wafers W to the wafer 2, the wafer boat 72 is raised by the boat elevator 73 and loaded into the heat treatment furnace 71, and the wafer W is subjected to a predetermined heat treatment.
【0026】このような基板処理方法では、ロ−ディン
グエリアS2への窒素ガスの供給を停止し、当該エリア
S2の圧力をほぼ大気圧程度として、ロ−ディングエリ
アS2内とカセット3内の差圧をなくすか又はかなり小
さくしてから蓋体32が開かれる。このため蓋体32を
外部からの押圧力をほとんど受けることなくスム−ズに
開くことができ、これにより蓋体32を取り外すための
蓋体開閉部6の駆動力が小さくて済む。また蓋体32を
開いた際に気体が急激にカセット3内に流れ込むことが
抑えられ、パーティクルの発生が防止される。In such a substrate processing method, the supply of the nitrogen gas to the loading area S2 is stopped, and the pressure in the area S2 is set to approximately the atmospheric pressure so that the difference between the loading area S2 and the cassette 3 is reduced. After the pressure has been removed or is significantly reduced, the lid 32 is opened. For this reason, the lid 32 can be smoothly opened with almost no external pressing force, and the driving force of the lid opening / closing portion 6 for removing the lid 32 can be reduced. In addition, when the lid 32 is opened, the gas is prevented from suddenly flowing into the cassette 3, and the generation of particles is prevented.
【0027】上述の形態では、開閉バルブV1を閉じた
後、20〜30秒経過後にロ−ディングエリアS2の圧
力が下がることを見込んで蓋体32を開くようにしてい
るが、ロ−ディングエリアS2内の圧力を検出し、この
圧力が所定値まで下がったときに蓋体開閉部6に扉部6
0及び蓋体32を開くための信号を出力するようにして
もよい。またカセット3の位置の検出は、カセット3を
カセット載置部4に載置したことを検出する構成に限ら
ず、例えば作業領域S1内にカセットを搬送するための
自動搬送ロボットがカセット3を離したことを検出する
構成としてもよい。In the above-described embodiment, the lid 32 is opened in anticipation that the pressure in the loading area S2 will decrease after a lapse of 20 to 30 seconds after the opening and closing valve V1 is closed. The pressure in S2 is detected, and when this pressure falls to a predetermined value, the door
0 and a signal for opening the lid 32 may be output. Further, the detection of the position of the cassette 3 is not limited to the configuration for detecting that the cassette 3 is mounted on the cassette mounting portion 4. For example, an automatic transport robot for transporting the cassette into the work area S1 separates the cassette 3. It may be configured to detect that the operation is performed.
【0028】さらに窒素ガスの供給が停止されてから大
気圧に下がるまでの時間Tを予め求めておき、自動搬送
ロボットのカセットの搬送過程において、カセットの蓋
体を開く時点から時間Tだけ前に相当する搬送時点にな
ったことをソフトウェア上で検出し、制御系に信号を送
るようにしてもよく、このように構成するとカセット3
を壁部21に装着してから蓋体32を開くまでに待機す
る時間を省略することができるので、スル−プットを向
上することができる。Further, a time T from when the supply of the nitrogen gas is stopped to when the pressure is reduced to the atmospheric pressure is obtained in advance, and in the process of transporting the cassette by the automatic transport robot, the time T before the time when the lid of the cassette is opened is removed. The corresponding transfer point may be detected on software and a signal may be sent to the control system.
Can be omitted from the time of waiting until the cover 32 is opened after the cover is mounted on the wall 21, so that the throughput can be improved.
【0029】さらにまた上述の形態では、蓋体開閉部6
が蓋体32を開いたときに出力される信号に基づいてコ
ントロ−ラCから前記開閉バルブV1の開指令信号を出
力するようにしているが、カセット3の位置を検出した
ときにタイマが起動されて、開閉バルブV1が閉じられ
てからカセット3の蓋体32が開かれるまでの時間経過
後にタイムアップし、このタイムアップ時に出力される
信号に基づいて開閉バルブV1を開くようにしてもよ
い。Further, in the above embodiment, the lid opening / closing section 6
The controller C outputs an opening command signal for the opening / closing valve V1 based on a signal output when the lid 32 is opened, but a timer is started when the position of the cassette 3 is detected. Then, the time is up after a lapse of time from the closing of the opening / closing valve V1 to the opening of the lid 32 of the cassette 3, and the opening / closing valve V1 may be opened based on a signal output at the time. .
【0030】なお上述の実施の形態においては、ロ−デ
ィングエリアS2を排気管23を介して大気開放の工場
排気に接続するように構成したが、排気管23の他端側
を排気用ポンプに接続すると共に、排気管23の途中に
排気用バルブを設けるように構成してもよい。このよう
な構成では、窒素ガスの供給が停止すると、排気ポンプ
による排気によりロ−ディングエリアS2内の圧力は徐
々に低下していき、窒素ガスの供給停止から20〜30
秒経過後にはほぼ大気圧まで減圧される。この際排気ポ
ンプの排気パワ−は小さいので、ロ−ディングエリアS
2内はほとんど負圧にならず、処理上問題になることは
ない。In the above-described embodiment, the loading area S2 is connected to the factory exhaust which is open to the atmosphere via the exhaust pipe 23, but the other end of the exhaust pipe 23 is connected to the exhaust pump. In addition to the connection, an exhaust valve may be provided in the exhaust pipe 23. In such a configuration, when the supply of the nitrogen gas is stopped, the pressure in the loading area S2 is gradually reduced due to the exhaust by the exhaust pump, and 20 to 30 minutes after the supply of the nitrogen gas is stopped.
After a lapse of seconds, the pressure is reduced to almost the atmospheric pressure. At this time, since the exhaust power of the exhaust pump is small, the loading area S
There is almost no negative pressure in 2 and there is no problem in processing.
【0031】[0031]
【発明の効果】本発明によれば、基板収容空間が大気圧
又はほぼ大気圧である密閉型の基板カセットを陽圧雰囲
気の搬入室内に開放するにあたって、基板カセットの蓋
体をスム−ズに開くことができる。According to the present invention, when a closed substrate cassette whose substrate accommodation space is at or near atmospheric pressure is opened into a loading chamber in a positive pressure atmosphere, the lid of the substrate cassette is smoothly opened. Can be opened.
【図1】本発明の基板処理装置の一実施の形態を示す断
面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.
【図2】本発明の基板処理装置の一実施の形態の要部を
示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a main part of an embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
【図3】密閉型の基板カセット(クロ−ズ型カセット)
を示す斜視図である。FIG. 3 is a closed type substrate cassette (closed type cassette).
FIG.
【図4】クロ−ズ型カセットを示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a close cassette.
【図5】クロ−ズ型カセットをカセット載置部に載置す
る様子を説明するための側面図である。FIG. 5 is a side view for explaining a state in which a close type cassette is mounted on a cassette mounting portion.
【図6】本発明の基板処理方法の一実施の形態を説明す
るための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining one embodiment of the substrate processing method of the present invention.
【図7】本発明の基板処理方法の一実施の形態を説明す
るためのフロ−チャ−トである。FIG. 7 is a flowchart for explaining one embodiment of the substrate processing method of the present invention.
【図8】従来のクロ−ズ型カセットを用いた縦型熱処理
装置を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a conventional vertical heat treatment apparatus using a close type cassette.
21 壁部 21a 開口部 22 ガス供給管 3 クロ−ズ型カセット 4 カセット載置部 5 スイッチ 6 蓋体開閉部 60 扉部 C コントロ−ラ S1 作業領域 S2 ロ−ディングエリア V1 開閉バルブ DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 Wall part 21a Opening 22 Gas supply pipe 3 Closed cassette 4 Cassette mounting part 5 Switch 6 Lid opening / closing part 60 Door part C Controller S1 Working area S2 Loading area V1 Opening / closing valve
Claims (3)
状態であって常時密閉されている基板カセットから不活
性ガス雰囲気の搬入室内に基板を搬入し、その後この基
板を処理する方法において、 前記搬入室内に不活性ガスを供給して当該搬入室内を不
活性ガスによる陽圧雰囲気にする工程と、 前記基板カセットの蓋体を開く少し前に、前記不活性ガ
スの供給を停止する工程と、 次いで前記基板カセットの蓋体を開けて基板収容空間を
搬入室内に開放する工程と、 その後前記不活性ガスの供給を再開して搬入室内を不活
性ガスによる陽圧雰囲気にする工程と、 を含むことを特徴とする基板処理方法。1. A method of carrying a substrate into a carry-in chamber in an inert gas atmosphere from a substrate cassette which is always closed and has a substrate accommodation space at or substantially at atmospheric pressure, and thereafter processes the substrate. A step of supplying an inert gas into the loading chamber to make the loading chamber a positive pressure atmosphere by the inert gas; and a step of stopping the supply of the inert gas shortly before opening the lid of the substrate cassette. Next, a step of opening the lid of the substrate cassette to open the substrate accommodating space into the loading chamber, and a step of resuming the supply of the inert gas to bring the loading chamber into a positive pressure atmosphere by the inert gas. A substrate processing method comprising:
する不活性ガス雰囲気の搬入室と、基板収容空間が大気
圧又はほぼ大気圧の状態であって常時密閉されている基
板カセットと、前記搬入室の壁部に形成され、常時は閉
じられていると共に前記基板カセットが大気圧雰囲気側
から装着されたときには開かれて基板カセット内の基板
収容空間を前記搬入室内に開放する基板受け渡し用の搬
入口と、を備え、前記搬入室において前記基板カセット
内の基板を取り出して前記基板処理部で処理する基板処
理装置において、 前記搬入室へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給路を
開閉するための開閉弁と、 前記基板カセットの蓋体が開かれる前であって、当該基
板カセットが所定位置にあることを検出するための検出
部と、 この検出部からの検出信号に基づいて前記開閉弁の閉指
令信号を出力すると共に、基板カセットが開いた後前記
開閉弁の開指令信号を出力する制御手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。2. A loading chamber for an inert gas atmosphere interposed between an atmospheric pressure atmosphere and a substrate processing section, and a substrate cassette in which a substrate accommodating space is at or near atmospheric pressure and is always sealed. A substrate transfer formed on a wall of the loading chamber, which is normally closed and opened when the substrate cassette is mounted from the atmospheric pressure atmosphere side to open a substrate accommodation space in the substrate cassette into the loading chamber. A loading port, and a substrate processing apparatus that takes out a substrate from the substrate cassette in the loading chamber and processes the substrate in the substrate processing unit, wherein an inert gas supply path that supplies an inert gas to the loading chamber is provided. An on-off valve for opening and closing; a detection unit for detecting that the substrate cassette is at a predetermined position before the lid of the substrate cassette is opened; and a detection from the detection unit. Control means for outputting a closing command signal for the on-off valve based on the signal and outputting an opening command signal for the on-off valve after the substrate cassette is opened.
開閉するための蓋体開閉部が前記蓋体を開いたときに出
力される信号に基づいて前記開閉弁の開指令信号を出力
することを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。3. The control means outputs an opening command signal for the on / off valve based on a signal output when a lid opening / closing section for opening / closing the lid of the substrate cassette opens the lid. 3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein:
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14865097A JPH10321698A (en) | 1997-05-21 | 1997-05-21 | Substrate treatment method and its equipment |
US09/080,254 US6390754B2 (en) | 1997-05-21 | 1998-05-18 | Wafer processing apparatus, method of operating the same and wafer detecting system |
TW087107817A TW411546B (en) | 1997-05-21 | 1998-05-20 | Wafer processing apparatus, method of operating the same and wafer detecting system |
KR10-1998-0019358A KR100472341B1 (en) | 1997-05-21 | 1998-05-27 | Substrate Processing System, Operation Method and Substrate Detection System |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP14865097A JPH10321698A (en) | 1997-05-21 | 1997-05-21 | Substrate treatment method and its equipment |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH10321698A true JPH10321698A (en) | 1998-12-04 |
Family
ID=15457557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP (1) | JPH10321698A (en) |
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- 1997-05-21 JP JP14865097A patent/JPH10321698A/en active Pending
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