JPH10263763A - 連続鋳造ストランド内の流動制御方法及び流動制御装置 - Google Patents
連続鋳造ストランド内の流動制御方法及び流動制御装置Info
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- JPH10263763A JPH10263763A JP8553497A JP8553497A JPH10263763A JP H10263763 A JPH10263763 A JP H10263763A JP 8553497 A JP8553497 A JP 8553497A JP 8553497 A JP8553497 A JP 8553497A JP H10263763 A JPH10263763 A JP H10263763A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 矩形断面鋳型の短辺の近くで電磁ブレーキに
よる速い流れが生じ、これに乗って非金属介在物がスト
ランドプールの奥まで侵入し、また、ストランド内に流
入した微小介在物が再浮上できないため、製品欠陥の要
因になる。 【解決手段】 注入ノズルから下向きに溶融金属を矩形
断面を有する鋳型へ注入し、鋳型の上部に配設された電
磁コイル４により注入ノズルからの溶融金属の注入流に
対して所定の制動力を付与するに際し、鋳型の短辺付近
の磁束密度が幅方向の中心付近に比べて小さくなるよう
にする。これにより、ストランド内に流入した微小介在
物を再浮上させる通路が鋳型の短辺付近に形成され、ス
トランド内に捕捉された微小介在物に起因する製品欠陥
が低減される。
よる速い流れが生じ、これに乗って非金属介在物がスト
ランドプールの奥まで侵入し、また、ストランド内に流
入した微小介在物が再浮上できないため、製品欠陥の要
因になる。 【解決手段】 注入ノズルから下向きに溶融金属を矩形
断面を有する鋳型へ注入し、鋳型の上部に配設された電
磁コイル４により注入ノズルからの溶融金属の注入流に
対して所定の制動力を付与するに際し、鋳型の短辺付近
の磁束密度が幅方向の中心付近に比べて小さくなるよう
にする。これにより、ストランド内に流入した微小介在
物を再浮上させる通路が鋳型の短辺付近に形成され、ス
トランド内に捕捉された微小介在物に起因する製品欠陥
が低減される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、連続鋳造装置にお
けるストランド内の溶鋼流を電磁コイルを用いて制御す
るための連続鋳造ストランド内の流動制御方法及び装置
に関するものである。
けるストランド内の溶鋼流を電磁コイルを用いて制御す
るための連続鋳造ストランド内の流動制御方法及び装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】連続鋳造工程においてタンディッシュ内
の溶融金属を鋳型内に注入する際、浸漬ノズルとタンデ
ィッシュの間に設置されるスライディングノズルの絞り
開度や鋳造速度により、溶融金属流動に揺らぎが生じた
場合、或いは浸漬ノズル内壁における酸化物系介在物の
付着が生じた場合、浸漬ノズル内部を流動する溶融金属
の速度分布の対称性が悪化し、浸漬ノズルから吐出する
溶融金属の速度分布も対称性が悪化する。この結果、鋳
型内において溶融金属の鋳型長辺及び短辺方向に対する
対称性の損なわれた偏流現象が生じる。
の溶融金属を鋳型内に注入する際、浸漬ノズルとタンデ
ィッシュの間に設置されるスライディングノズルの絞り
開度や鋳造速度により、溶融金属流動に揺らぎが生じた
場合、或いは浸漬ノズル内壁における酸化物系介在物の
付着が生じた場合、浸漬ノズル内部を流動する溶融金属
の速度分布の対称性が悪化し、浸漬ノズルから吐出する
溶融金属の速度分布も対称性が悪化する。この結果、鋳
型内において溶融金属の鋳型長辺及び短辺方向に対する
対称性の損なわれた偏流現象が生じる。
【０００３】偏流が生じた場合、偏流が無い場合に比
べ、浸漬ノズルから吐出する溶融金属が鋳型内の深部ま
で達するのに伴って、溶融金属中の非金属介在物も鋳型
内の深部まで到達する。非金属介在物の大部分は湯面に
浮上するが、一部は浮上せずに鋳片内部に捕捉され、こ
れが製品欠陥を誘発させる。
べ、浸漬ノズルから吐出する溶融金属が鋳型内の深部ま
で達するのに伴って、溶融金属中の非金属介在物も鋳型
内の深部まで到達する。非金属介在物の大部分は湯面に
浮上するが、一部は浮上せずに鋳片内部に捕捉され、こ
れが製品欠陥を誘発させる。
【０００４】鋳型内溶融金属の偏流を制御する手段とし
て、鋳型に電磁ブレーキを配設して制御する方法が提案
されている。つまり、電磁コイルに通電してノズルから
吐出される溶融金属に磁場を付与し、吐出流を減速させ
て侵入深さを浅くしようとするものである。この具体例
に、ＰＣＴ国際公開番号ＷＯ９５／２６２４３、特願平
６−５０８７３号公報等がある。
て、鋳型に電磁ブレーキを配設して制御する方法が提案
されている。つまり、電磁コイルに通電してノズルから
吐出される溶融金属に磁場を付与し、吐出流を減速させ
て侵入深さを浅くしようとするものである。この具体例
に、ＰＣＴ国際公開番号ＷＯ９５／２６２４３、特願平
６−５０８７３号公報等がある。
【０００５】ＰＣＴ国際公開番号ＷＯ９５／２６２４３
における方法は、鋳型に電磁コイルを設置し、溶鋼表面
のメニスカスの流速が０．２０〜０．４０ｍ／秒の範囲
になるように、電磁コイルにより電界（又は磁束）を付
与し、メニスカスの流速を制御している。これにより、
幅方向に均一な注入量制御が可能になる。
における方法は、鋳型に電磁コイルを設置し、溶鋼表面
のメニスカスの流速が０．２０〜０．４０ｍ／秒の範囲
になるように、電磁コイルにより電界（又は磁束）を付
与し、メニスカスの流速を制御している。これにより、
幅方向に均一な注入量制御が可能になる。
【０００６】また、特願平６−５０８７３号公報におけ
る方法は、矩形断面鋳型の幅方向に均一な磁束密度を有
する直流磁場を鋳型厚み方向に印加し、注入流に制動力
を付与して連続鋳造を行うに際し、注入ノズルからの溶
融金属注入流をフラットかつ下向きに吐出させ、注入ノ
ズルの吐出口から下方に設置されたコイルの下方の流れ
を整流化している。この整流化により、介在物の内部へ
の侵入を少なくすることができ、介在物に起因する欠陥
の発生を防止することができる。
る方法は、矩形断面鋳型の幅方向に均一な磁束密度を有
する直流磁場を鋳型厚み方向に印加し、注入流に制動力
を付与して連続鋳造を行うに際し、注入ノズルからの溶
融金属注入流をフラットかつ下向きに吐出させ、注入ノ
ズルの吐出口から下方に設置されたコイルの下方の流れ
を整流化している。この整流化により、介在物の内部へ
の侵入を少なくすることができ、介在物に起因する欠陥
の発生を防止することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たＰＣＴ国際公開番号ＷＯ９５／２６２４３では、矩形
断面鋳型の短辺の近くで電磁ブレーキによる速い流れが
生じ、制動漏れが生じる。すなわち、図４の（ａ）の鋳
型平面図、（ｂ）の正面断面図に示すように、スラブを
連続鋳造する矩形鋳型１０においては、丸断面ノズル１
１の吐出口からの短辺側へ角度をもって吐出された注入
流と電磁コイル１２からの直流磁場の関係から、鋳型短
辺付近では誘導電流の回り込みがあり、一部加速力１３
が下向きに作用するため、（ｃ）のように、ブレーキ効
果が低下する。この結果、短辺寄りのノズル注入流に乗
った非金属介在物（アルミナ系介在物）がストランドプ
ールの奥まで侵入し、製品欠陥の原因になる。
たＰＣＴ国際公開番号ＷＯ９５／２６２４３では、矩形
断面鋳型の短辺の近くで電磁ブレーキによる速い流れが
生じ、制動漏れが生じる。すなわち、図４の（ａ）の鋳
型平面図、（ｂ）の正面断面図に示すように、スラブを
連続鋳造する矩形鋳型１０においては、丸断面ノズル１
１の吐出口からの短辺側へ角度をもって吐出された注入
流と電磁コイル１２からの直流磁場の関係から、鋳型短
辺付近では誘導電流の回り込みがあり、一部加速力１３
が下向きに作用するため、（ｃ）のように、ブレーキ効
果が低下する。この結果、短辺寄りのノズル注入流に乗
った非金属介在物（アルミナ系介在物）がストランドプ
ールの奥まで侵入し、製品欠陥の原因になる。
【０００８】また、特願平６−５０８７３号公報では、
流れが均一化されるので制動不良の問題は解消される
が、ストランド内に流入した微小介在物の再浮上する場
所（経路）がなく、電磁コイルの下方で捕捉されたまま
になるため、同様に製品欠陥の原因になる。
流れが均一化されるので制動不良の問題は解消される
が、ストランド内に流入した微小介在物の再浮上する場
所（経路）がなく、電磁コイルの下方で捕捉されたまま
になるため、同様に製品欠陥の原因になる。
【０００９】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
で、電磁ブレーキ部より下方に存在する介在物の量を少
なくできるようにした連続鋳造ストランド内の流動制御
方法を提供することを目的としている。
で、電磁ブレーキ部より下方に存在する介在物の量を少
なくできるようにした連続鋳造ストランド内の流動制御
方法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本出願に係る発明の目的
を実現する方法は、請求項１及び２に記載のように、注
入ノズルから下向きに溶融金属を矩形断面を有する鋳型
へ注入し、前記鋳型の外周または鋳型壁内に配設された
電磁コイルの磁力により前記注入ノズルからの溶融金属
の注入流に対して所定の制動力を付与する溶融金属の流
動制御方法及び装置において、前記鋳型の短辺付近の磁
束密度が幅方向の中心付近に比べて小さくなるようにし
た方法及び装置にある。
を実現する方法は、請求項１及び２に記載のように、注
入ノズルから下向きに溶融金属を矩形断面を有する鋳型
へ注入し、前記鋳型の外周または鋳型壁内に配設された
電磁コイルの磁力により前記注入ノズルからの溶融金属
の注入流に対して所定の制動力を付与する溶融金属の流
動制御方法及び装置において、前記鋳型の短辺付近の磁
束密度が幅方向の中心付近に比べて小さくなるようにし
た方法及び装置にある。
【００１１】この方法及び装置によれば、電磁コイル
は、電磁ブレーキとして動作するときの制動効果を示す
ほか、ストランド内に流入した微小介在物を再浮上させ
る通路を鋳型の短辺付近に形成し、溶融金属の上昇流と
共に微小介在物が上昇し、制動領域の上部へ移動させ
る。この結果、ストランド内に捕捉された微小介在物に
起因する製品欠陥が低減され、製品の品質向上が可能に
なる。
は、電磁ブレーキとして動作するときの制動効果を示す
ほか、ストランド内に流入した微小介在物を再浮上させ
る通路を鋳型の短辺付近に形成し、溶融金属の上昇流と
共に微小介在物が上昇し、制動領域の上部へ移動させ
る。この結果、ストランド内に捕捉された微小介在物に
起因する製品欠陥が低減され、製品の品質向上が可能に
なる。
【００１２】本出願に係る発明の目的を実現する具体的
な方法及び装置は、請求項３及び４に記載のように、ス
トランド幅をＷ1、前記磁束密度の形成幅をＷ2とすると
き、０．０５（ｍ）≦Ｗ2≦０．２５Ｗ1（ｍ）の関係が
満たされ、かつ前記短辺付近以外の磁束密度をＢ1、前
記短辺付近の磁束密度をＢ2とするとき、０．３≦（Ｂ2
／Ｂ1）≦０．７の関係が満たされるように設定した方
法及び装置にある。
な方法及び装置は、請求項３及び４に記載のように、ス
トランド幅をＷ1、前記磁束密度の形成幅をＷ2とすると
き、０．０５（ｍ）≦Ｗ2≦０．２５Ｗ1（ｍ）の関係が
満たされ、かつ前記短辺付近以外の磁束密度をＢ1、前
記短辺付近の磁束密度をＢ2とするとき、０．３≦（Ｂ2
／Ｂ1）≦０．７の関係が満たされるように設定した方
法及び装置にある。
【００１３】この方法によれば、電磁ブレーキが効果的
に機能するほか、ストランド内に流入した微小介在物を
再浮上させるための通路が確実に形成されるので、製品
の品質向上が可能になる。
に機能するほか、ストランド内に流入した微小介在物を
再浮上させるための通路が確実に形成されるので、製品
の品質向上が可能になる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１５】図１は本発明による流動制御方法の原理を
示す説明図である。また、図２は本発明の流動制御方法
が適用される連続鋳造設備の概略構成図である。
示す説明図である。また、図２は本発明の流動制御方法
が適用される連続鋳造設備の概略構成図である。
【００１６】図２に示すように、矩形断面の鋳型１の上
部には、不図示のタンディッシュに連結された注入ノズ
ル２が配設されている。注入ノズル２の下端部は、鋳型
１内の溶融金属３に浸漬する状態に配設される。注入ノ
ズル２の下端部に近接した鋳型１の外周（或いは鋳型内
壁内）には、電磁ブレーキの主要部を構成する電磁コイ
ル４が設置されている。
部には、不図示のタンディッシュに連結された注入ノズ
ル２が配設されている。注入ノズル２の下端部は、鋳型
１内の溶融金属３に浸漬する状態に配設される。注入ノ
ズル２の下端部に近接した鋳型１の外周（或いは鋳型内
壁内）には、電磁ブレーキの主要部を構成する電磁コイ
ル４が設置されている。
【００１７】電磁コイル４に直流電流を印加すると、図
１の（ａ）に示すように、鋳型幅方向の全体にわたって
直流磁場５を鋳型厚み方向に生じさせた場合、フレミン
グの左手の法則により、鋳型幅方向に誘導電流６が生成
される。ついで、フレミングの右手の法則により上向き
のブレーキ力７が発生し、制動作用により注入ノズル２
からの注入流８が整流化される。
１の（ａ）に示すように、鋳型幅方向の全体にわたって
直流磁場５を鋳型厚み方向に生じさせた場合、フレミン
グの左手の法則により、鋳型幅方向に誘導電流６が生成
される。ついで、フレミングの右手の法則により上向き
のブレーキ力７が発生し、制動作用により注入ノズル２
からの注入流８が整流化される。
【００１８】上記したように、このままでは特願平６−
５０８７３号公報で説明したように、ストランド内に流
入した微小介在物の再浮上する場所（経路）がなく、電
磁コイルの下方で捕捉されたままになる。そこで、本発
明においては、短辺付近に上昇流を形成すべく、図１の
（ｂ）に示すように、短辺付近の磁束密度を幅方向の中
心付近より低くしている。その具体的な値を示せば、以
下の如くである。
５０８７３号公報で説明したように、ストランド内に流
入した微小介在物の再浮上する場所（経路）がなく、電
磁コイルの下方で捕捉されたままになる。そこで、本発
明においては、短辺付近に上昇流を形成すべく、図１の
（ｂ）に示すように、短辺付近の磁束密度を幅方向の中
心付近より低くしている。その具体的な値を示せば、以
下の如くである。
【００１９】ストランド幅をＷ1（ｍ）、低磁束密度部
の幅をＷ2（ｍ）、短辺以外の磁束密度をＢ1、短辺の磁
束密度をＢ2とするとき、 ０．３≦（Ｂ2／Ｂ1）≦０．７ ０．０５≦Ｗ2≦０．２５Ｗ1 に設定する。ここで、Ｂ2／Ｂ1を０．３以下にした場
合、注入流８（吐出流）が磁場帯を迂回し、ブレーキ効
果が形成されなくなる。また、０．７以上にすると、本
発明の作用効果を得にくくなる。更に、Ｗ2を０．０５
ｍより短くすると、凝固シェルを除いた非金属介在物の
長さが短くなる。また、Ｗ2を０．２５×Ｗ1（ｍ）より
長くすると、本発明の作用効果が得られ難くなる。
の幅をＷ2（ｍ）、短辺以外の磁束密度をＢ1、短辺の磁
束密度をＢ2とするとき、 ０．３≦（Ｂ2／Ｂ1）≦０．７ ０．０５≦Ｗ2≦０．２５Ｗ1 に設定する。ここで、Ｂ2／Ｂ1を０．３以下にした場
合、注入流８（吐出流）が磁場帯を迂回し、ブレーキ効
果が形成されなくなる。また、０．７以上にすると、本
発明の作用効果を得にくくなる。更に、Ｗ2を０．０５
ｍより短くすると、凝固シェルを除いた非金属介在物の
長さが短くなる。また、Ｗ2を０．２５×Ｗ1（ｍ）より
長くすると、本発明の作用効果が得られ難くなる。
【００２０】このように、鋳型１の短辺に付与する磁束
密度を小さくすることにより、図２のように、上昇流９
ａ，９ｂが形成され、この経路を通してストランド内に
流入した微小介在物は再浮上する。したがって、微小介
在物が捕捉されることに起因する製品欠陥を低減するこ
とができる。
密度を小さくすることにより、図２のように、上昇流９
ａ，９ｂが形成され、この経路を通してストランド内に
流入した微小介在物は再浮上する。したがって、微小介
在物が捕捉されることに起因する製品欠陥を低減するこ
とができる。
【００２１】本発明者らは、下記の条件により溶融金属
の流動制御を試みた。
の流動制御を試みた。
【００２２】 〔対象金属〕 低炭アルミキルド鋼 〔鋳造設備の仕様〕 鋳造ストランド幅（Ｗ1） ：１，５００ｍｍ 鋳片の厚み ：２５０ｍｍ 鋳造速度 ：２ｍ／ｍｉｎ 注入ノズル ：下向きストレートノズル 磁場（電磁ブレーキ中心位置）：メニスカスから５００ｍｍ そして、比較例として、電磁ブレーキを設けない場合
（試験Ｉ）、電磁ブレーキを設けたが磁束密度が全域で
均一な場合（試験Ｊ）、図２の（ｂ）のように短辺付近
の磁束密度を小さくした場合（試験Ｋ）の３つのケース
について、内部非金属介在物指数（電磁ブレーキ領域よ
り下位で凝固した部分が対象）を計測したところ、図３
の結果を得た。
（試験Ｉ）、電磁ブレーキを設けたが磁束密度が全域で
均一な場合（試験Ｊ）、図２の（ｂ）のように短辺付近
の磁束密度を小さくした場合（試験Ｋ）の３つのケース
について、内部非金属介在物指数（電磁ブレーキ領域よ
り下位で凝固した部分が対象）を計測したところ、図３
の結果を得た。
【００２３】図３から明らかなように、従来技術による
試験Ｊは、電磁ブレーキを設けない試験Ｉの約１／２に
内部非金属介在物指数が低減されている。しかし、本発
明による試験Ｋは、試験Ｊよりも更に内部非金属介在物
指数が低減している。
試験Ｊは、電磁ブレーキを設けない試験Ｉの約１／２に
内部非金属介在物指数が低減されている。しかし、本発
明による試験Ｋは、試験Ｊよりも更に内部非金属介在物
指数が低減している。
【００２４】このように、本発明によれば、ストランド
内に流入した微小介在物は電磁コイルの下方で捕捉され
たままにならないため、再浮上が容易になる。したがっ
て、微小介在物の捕捉に起因した製品欠陥を低減するこ
とが可能になる。
内に流入した微小介在物は電磁コイルの下方で捕捉され
たままにならないため、再浮上が容易になる。したがっ
て、微小介在物の捕捉に起因した製品欠陥を低減するこ
とが可能になる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１及び２に
示した本発明は、電磁コイルを用いて注入ノズルからの
溶融金属に磁力による制動力を付与するに際し、鋳型の
短辺付近の磁束密度が幅方向の中心付近に比べて小さく
なるようにしたので、ストランド内に捕捉された微小介
在物に起因する製品欠陥が低減され、製品の品質向上が
可能になる。
示した本発明は、電磁コイルを用いて注入ノズルからの
溶融金属に磁力による制動力を付与するに際し、鋳型の
短辺付近の磁束密度が幅方向の中心付近に比べて小さく
なるようにしたので、ストランド内に捕捉された微小介
在物に起因する製品欠陥が低減され、製品の品質向上が
可能になる。
【００２６】また、請求項３及び４に示した本発明は、
電磁コイルによって付与する磁束密度を、ストランド幅
Ｗ1と短辺付近の磁束密度の形成幅Ｗ2の関係、及び短辺
付近以外の磁束密度Ｂ1と短辺付近の磁束密度Ｂ2の関係
を所定の値に設定するようにしたので、ストランド内に
流入した微小介在物を再浮上させるための通路が確実に
形成され、製品の品質向上が可能になる。
電磁コイルによって付与する磁束密度を、ストランド幅
Ｗ1と短辺付近の磁束密度の形成幅Ｗ2の関係、及び短辺
付近以外の磁束密度Ｂ1と短辺付近の磁束密度Ｂ2の関係
を所定の値に設定するようにしたので、ストランド内に
流入した微小介在物を再浮上させるための通路が確実に
形成され、製品の品質向上が可能になる。
【図１】本発明による流動制御方法の原理を示す説明図
である。
である。
【図２】本発明の流動制御方法が適用される連続鋳造設
備の概略構成図である。
備の概略構成図である。
【図３】本発明と従来の効果を比較するための比較説明
図である。
図である。
【図４】矩形断面型の鋳型の短辺付近で電磁ブレーキ効
果が低下する理由を示す説明図である。
果が低下する理由を示す説明図である。
１ 鋳型 ２ 注入ノズル ３ 溶融金属 ４ 電磁コイル ５ 直流磁場 ６ 誘導電流 ７ ブレーキ力 ８ 注入流 ９ａ，９ｂ 上昇流
Claims (4)
- 【請求項１】 注入ノズルから下向きに溶融金属を矩形
断面を有する鋳型へ注入し、前記鋳型の外周または鋳型
壁内に配設された電磁コイルの磁力により前記注入ノズ
ルからの溶融金属の注入流に対して所定の制動力を付与
する溶融金属の流動制御方法において、 前記鋳型の短辺付近の磁束密度が幅方向の中心付近に比
べて小さくなるようにしたことを特徴とする連続鋳造ス
トランド内の流動制御方法。 - 【請求項２】 溶融金属を矩形断面を有する鋳型へ下向
きに注入する注入ノズルと、前記鋳型の外周または鋳型
壁内に配設された電磁コイルと、この電磁コイルの磁力
により前記注入ノズルからの溶融金属の注入流に対して
所定の制動力を付与する溶融金属の流動制御装置におい
て、 前記鋳型の短辺付近の磁束密度が幅方向の中心付近に比
べて小さくなるように制御することを特徴とする連続鋳
造ストランド内の流動制御装置。 - 【請求項３】 ストランド幅をＷ1、前記磁束密度の形
成幅をＷ2とするとき、０．０５（ｍ）≦Ｗ2≦０．２５
Ｗ1（ｍ）の関係が満たされ、かつ前記短辺付近以外の
磁束密度をＢ1、前記短辺付近の磁束密度をＢ2とすると
き、０．３≦（Ｂ2／Ｂ1）≦０．７の関係が満たされる
ように設定することを特徴とする請求項１記載の連続鋳
造ストランド内の流動制御方法。 - 【請求項４】 ストランド幅をＷ1、前記磁束密度の形
成幅をＷ2とするとき、０．０５（ｍ）≦Ｗ2≦０．２５
Ｗ1（ｍ）の関係が満たされ、かつ前記短辺付近以外の
磁束密度をＢ1、前記短辺付近の磁束密度をＢ2とすると
き、０．３≦（Ｂ2／Ｂ1）≦０．７の関係が満たされる
ように設定することを特徴とする請求項２記載の連続鋳
造ストランド内の流動制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8553497A JPH10263763A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 連続鋳造ストランド内の流動制御方法及び流動制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8553497A JPH10263763A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 連続鋳造ストランド内の流動制御方法及び流動制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10263763A true JPH10263763A (ja) | 1998-10-06 |
Family
ID=13861557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8553497A Withdrawn JPH10263763A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 連続鋳造ストランド内の流動制御方法及び流動制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10263763A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100954789B1 (ko) * | 2002-12-23 | 2010-04-28 | 주식회사 포스코 | 전자기 단공 침지노즐을 이용한 슬래브 연속주조장치 및연속주조방법 |
| JP2010221275A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Jfe Steel Corp | 連続鋳造装置及び連続鋳造方法 |
| JP2010221276A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Jfe Steel Corp | 連続鋳造装置及び連続鋳造方法 |
| JP2014076481A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-01 | Jfe Steel Corp | 連続鋳造設備及び連続鋳造方法 |
-
1997
- 1997-03-21 JP JP8553497A patent/JPH10263763A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2010221275A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Jfe Steel Corp | 連続鋳造装置及び連続鋳造方法 |
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