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JPH10189869A - High-frequency module substrate and manufacturing method therefor - Google Patents

High-frequency module substrate and manufacturing method therefor

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Publication number
JPH10189869A
JPH10189869A JP35086696A JP35086696A JPH10189869A JP H10189869 A JPH10189869 A JP H10189869A JP 35086696 A JP35086696 A JP 35086696A JP 35086696 A JP35086696 A JP 35086696A JP H10189869 A JPH10189869 A JP H10189869A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric
insulating layer
molded body
substrate
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP35086696A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuro Nakamata
克朗 中俣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP35086696A priority Critical patent/JPH10189869A/en
Publication of JPH10189869A publication Critical patent/JPH10189869A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-frequency module substrate suitable for mass production, moreover capable of miniaturizing and reducing mutual interferences between respective functional blocks. SOLUTION: This high-frequency module substrate is provided with a dielectric substrate 1 with various circuit elements packaged on the main surface thereof, dielectric walls 2 erected for the formation of a plurality of cavities on the main surface of the dielectric substrate 1, grounding electrodes 81 provided on the main surface of the dielectric substrate 1, vertical grounding electrodes 21 with its upper part exposed from the upper end of the dielectric walls 2 and connecting to the grounding electrodes 81 on the lower ends thereof and a seal cap 71 made of conductive material covering the plurality of cavities, furthermore connecting to the upper ends of the vertical grounding electrodes 21.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波モジュール
基板に関し、特に携帯通信用電話機等の高周波回路無線
機に利用する高周波回路基板等に使用される高周波モジ
ュール基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency module board, and more particularly to a high-frequency module board used for a high-frequency circuit board used in a high-frequency circuit radio such as a portable communication telephone.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の高周波回路基板では、ガラスエポ
キシ樹脂などの積層基板の表面に各種回路素子を実装す
るためのパッドやアース電極などが形成されている。た
とえば、移動体通信機などに用いられる回路素子として
は、パワーアンプブロック、シンセサイザブロックなど
の各機能ブロックを構成する素子が実装され、各ブロッ
ク間をアース電極によって分離している。
2. Description of the Related Art In a conventional high-frequency circuit board, pads and ground electrodes for mounting various circuit elements are formed on the surface of a laminated board made of glass epoxy resin or the like. For example, as circuit elements used in a mobile communication device or the like, elements constituting each functional block such as a power amplifier block and a synthesizer block are mounted, and each block is separated by a ground electrode.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上述のような高周波回
路基板では、各機能ブロック間がアース電極を用いて分
離されているものの、電磁波が空間や基板内部を通って
干渉を引き起こすおそれがある。たとえば、他の機能ブ
ロックからの電磁波の干渉により、周波数シンセサイザ
ブロックの発振周波数に揺れが生じるという問題点があ
った。また、このような各機能ブロック間の電磁波の干
渉を低減するためには、各機能ブロックを引き離して配
置することが考えられるが、回路基板が大型化して、装
置の小型化の要求に対応することができなくなる。
In the above-described high-frequency circuit board, although each functional block is separated by using a ground electrode, there is a possibility that electromagnetic waves may cause interference through a space or the inside of the board. For example, there has been a problem that the oscillation frequency of the frequency synthesizer block fluctuates due to interference of electromagnetic waves from other functional blocks. Further, in order to reduce the interference of electromagnetic waves between the respective functional blocks, it is conceivable to dispose the respective functional blocks apart from each other. However, the circuit board is enlarged to meet the demand for miniaturization of the device. You will not be able to do it.

【0004】本発明の目的は、小型化が可能で、各機能
ブロック間の相互干渉を低減する事ができ、且つ量産性
に適した高周波モジュール基板を提供することを目的と
する。
An object of the present invention is to provide a high-frequency module substrate which can be reduced in size, can reduce mutual interference between functional blocks, and is suitable for mass production.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明に係る高周波モジ
ュール基板は、誘電体基板と、誘電体壁と、アース電極
と、垂直アース電極と、シールキャップとを備えてい
る。誘電体基板は、セラミック誘電体層を積層してなり
主表面に各種回路素子が実装される。誘電体壁は、誘電
体基板の主表面に複数のキャビティを形成するために、
誘電体基板上に立設される。アース電極は、誘電体基板
の主表面に設けられる。垂直アース電極は、上端部が誘
電体壁の上端から露出し、下端部においてアース電極に
接続されている。シールキャップは、垂直アース電極の
上端部と接続され、複数のキャビティ上方を覆う導電性
材料で構成されている。
A high-frequency module substrate according to the present invention includes a dielectric substrate, a dielectric wall, a ground electrode, a vertical ground electrode, and a seal cap. The dielectric substrate is formed by laminating ceramic dielectric layers, and various circuit elements are mounted on the main surface. The dielectric wall is used to form a plurality of cavities in the main surface of the dielectric substrate.
It is erected on a dielectric substrate. The ground electrode is provided on the main surface of the dielectric substrate. The vertical ground electrode has an upper end exposed from the upper end of the dielectric wall and a lower end connected to the ground electrode. The seal cap is connected to the upper end of the vertical ground electrode, and is made of a conductive material that covers the plurality of cavities.

【0006】このことにより、垂直アース電極およびシ
ールキャップがアース電位に固定される、複数のキャビ
ティ内に実装された各機能ブロックの電磁波をそのキャ
ビティ内に封じ込めることができるため、各機能ブロッ
ク間の相互干渉を低減することができる。垂直アース電
極として、その中間部が誘電体壁の内部に埋設される構
成とすることができる。また、垂直アース電極は、その
下端部がアース電極と交差して誘電体基板内部に突出す
る構成とすることができる。この場合、誘電体基板内部
を介して電磁波が伝播することによる各機能ブロック間
の相互干渉を緩和できる。
[0006] With this configuration, the electromagnetic waves of each functional block mounted in a plurality of cavities, in which the vertical ground electrode and the seal cap are fixed at the ground potential, can be sealed in the cavities. Mutual interference can be reduced. The vertical ground electrode may be configured such that its middle part is buried inside the dielectric wall. Further, the vertical ground electrode may have a configuration in which a lower end portion crosses the ground electrode and protrudes into the dielectric substrate. In this case, mutual interference between the functional blocks due to the propagation of the electromagnetic wave through the inside of the dielectric substrate can be reduced.

【0007】本発明に係る高周波モジュール基板の製造
方法は、(a)誘電体基板の主面に導電性ペーストを塗
布して、回路素子を実装するためのパッドおよびアース
電極を形成する工程と、(b)少なくともセラミックま
たはガラスセラミックからなる絶縁層材料と、光硬化可
能な樹脂とを含有するスリップを、前記誘電体基板の主
面上に塗布し、さらに乾燥して絶縁層成形体を形成する
工程と、(c)絶縁層成形体を露光現像しキャビティ用
貫通孔および電極用貫通孔を形成し、前記電極用貫通孔
に導電性ペーストを充填するとともに、前記キャビティ
用貫通孔に光硬化または熱硬化可能なモノマーを含有す
る樹脂ペーストを充填し、前記樹脂ペーストを露光ある
いは加熱により硬化させる工程と、(d)前記スリップ
により絶縁層成形体を作成する工程と前記(c)の工程
を繰り返して誘電体壁用の積層成形体を作成するととも
に前記アース電極と導通し、上端部が前記誘電体壁用の
積層成形体の上部から露出する垂直アース電極を作成す
る工程と、(e)前記誘電体基板上に絶縁層成形体が積
層された積層物を所定温度で焼成して、前記キャビティ
用貫通孔に充填されている樹脂ペーストを飛散させる工
程と、(f)前記キャビティ内部の前記誘電体基板の主
表面に各種回路素子を実装した後、前記垂直アース電極
の上端部と接続され、前記複数のキャビティ上方を覆う
導電性材料でなるシールキャップを設ける工程とを具備
している。
A method for manufacturing a high-frequency module substrate according to the present invention comprises the steps of: (a) applying a conductive paste to a main surface of a dielectric substrate to form pads and ground electrodes for mounting circuit elements; (B) A slip containing at least an insulating layer material made of ceramic or glass ceramic and a photocurable resin is applied on the main surface of the dielectric substrate, and further dried to form an insulating layer molded body. And (c) exposing and developing the insulating layer molded body to form a through hole for a cavity and a through hole for an electrode, filling the through hole for an electrode with a conductive paste, and curing or curing the through hole for a cavity. Filling a resin paste containing a thermosetting monomer, and curing the resin paste by exposure or heating; and (d) forming an insulating layer by the slip. Is repeated and the step (c) is repeated to form a laminated molded body for a dielectric wall, and at the same time, it is electrically connected to the ground electrode, and the upper end is exposed from the upper part of the laminated molded body for the dielectric wall. Forming a vertical ground electrode; and (e) sintering a laminate in which an insulating layer molded body is laminated on the dielectric substrate at a predetermined temperature to scatter the resin paste filled in the cavity through-hole. And (f) after mounting various circuit elements on the main surface of the dielectric substrate inside the cavity, the conductive material is connected to the upper end of the vertical ground electrode, and covers the plurality of cavities. Providing a seal cap.

【0008】このようにした本発明の高周波モジュール
基板の製造方法では、製造が容易であり、量産性に優
れ、小型化に適した高周波モジュール基板を作成するこ
とができる。また、(g)少なくともセラミックまたは
ガラスセラミックからなる絶縁層材料と、光硬化可能な
樹脂とを含有するスリップを作成する工程と、(h)前
記スリップを塗布して乾燥させて絶縁層成形体を形成す
る工程と、(i)前記絶縁層成形体に露光処理を施し、
絶縁層成形体を硬化させる工程と、(j)前記(h)、
(i)の工程を順次繰り返して誘電体基板を作成する工
程とをさらに含む構成とすることができる。この場合、
高周波モジュール基板の製造工程がさらに簡単になり、
量産性が向上する。
According to the method for manufacturing a high-frequency module substrate of the present invention as described above, a high-frequency module substrate that is easy to manufacture, has excellent mass productivity, and is suitable for miniaturization can be manufactured. (G) a step of preparing a slip containing at least an insulating layer material made of ceramic or glass ceramic, and a photocurable resin; and (h) applying the slip and drying to form an insulating layer molded body. Forming; and (i) subjecting the insulating layer molded body to an exposure treatment;
Curing the insulating layer molded body, (j) the above (h),
Forming a dielectric substrate by sequentially repeating the step (i). in this case,
The manufacturing process of the high-frequency module substrate has been simplified,
Mass productivity is improved.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明の1実施形態が採用される
高周波モジュール基板を図1に基づいて説明する。この
高周波モジュール基板は、セラミック誘電体層を複数枚
積層することにより形成された誘電体基板1を有してい
る。誘電体基板1の主表面には、誘電体基板1と同様の
材料で構成された誘電体壁2が立設されている。誘電体
基板1の主表面上方は、この誘電体壁2によって分割さ
れた複数のキャビティ51を構成している。各キャビテ
ィ51を構成する誘電体基板1の主表面は、それぞれ移
動体通信機などで用いられるパワーアンプブロック、シ
ンセサイザブロックなどの各機能ブロック毎にそれを構
成する回路素子が実装されるエリアとなっている。この
誘電体基板1主表面の各エリアには、その機能ブロック
を構成する回路素子を実装するためのパッド(図示せ
ず)およびパッドの周辺に位置してアース電極81が、
導電性材料を印刷することによって形成されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A high-frequency module substrate to which one embodiment of the present invention is applied will be described with reference to FIG. This high-frequency module substrate has a dielectric substrate 1 formed by laminating a plurality of ceramic dielectric layers. On the main surface of the dielectric substrate 1, a dielectric wall 2 made of the same material as the dielectric substrate 1 is provided upright. Above the main surface of the dielectric substrate 1, a plurality of cavities 51 divided by the dielectric wall 2 are formed. The main surface of the dielectric substrate 1 constituting each cavity 51 is an area in which a circuit element constituting each functional block such as a power amplifier block and a synthesizer block used in a mobile communication device is mounted. ing. In each area of the main surface of the dielectric substrate 1, pads (not shown) for mounting circuit elements constituting the functional blocks and ground electrodes 81 located around the pads are provided.
It is formed by printing a conductive material.

【0010】このような高周波モジュール基板は以下の
ようにして作成できる。まず、図2に示すように、ガラ
スやセラミック等の支持基板9上に絶縁層成形体10d
を形成する。この絶縁層成形体10dは、たとえば、セ
ラミック材料、光硬化可能な樹脂、有機バインダと、有
機溶剤または水とを均質混練したスリップ材を乾燥後の
膜厚が40〜200μmとなるように塗布し、乾燥して
形成する。光硬化可能な樹脂としてはモノマーやオリゴ
マーがある。
[0010] Such a high-frequency module substrate can be produced as follows. First, as shown in FIG. 2, an insulating layer molded body 10d is formed on a supporting substrate 9 such as glass or ceramic.
To form This insulating layer molded body 10d is coated, for example, with a slip material obtained by homogeneously kneading a ceramic material, a photocurable resin, an organic binder, and an organic solvent or water so that the film thickness after drying is 40 to 200 μm. , Dried and formed. Photocurable resins include monomers and oligomers.

【0011】セラミック材料としては、金属元素として
少なくともMg,Ti,Caを含有する複合酸化物であ
って、その金属元素酸化物による組成式を(1−x)M
gTiO3 −xCaTiO3 (但し、式中xは重量比を
表し、0.01≦x≦0.15)で表される主成分10
0重量部に対して、硼素含有化合物をB2 3 換算で3
〜30重量部、アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属
炭酸塩換算で1〜25重量部添加含有してなるものが望
ましい。この場合には、測定周波数7GHzでのQ値が
1300以上、かつ850〜1050℃の低温でAu、
CuまたはAgを主成分とする導電性ペーストと同時焼
成することができ、Q値が高く、高周波領域で優れた電
子部品や基板を得ることができる。この組成の場合に
は、測定周波数7GHzでのQ値を3000以上、特に
は5000以上とすることも可能となる。
The ceramic material is a composite oxide containing at least Mg, Ti, and Ca as metal elements, and the composition formula of the metal element oxide is (1-x) M
gTiO 3 -xCaTiO 3 (where x represents a weight ratio, and 0.01 ≦ x ≦ 0.15).
Relative to 0 parts by weight, the boron-containing compound in terms of B 2 O 3 3
It is desirable to add and contain an alkali metal-containing compound in an amount of 1 to 25 parts by weight in terms of an alkali metal carbonate in an amount of from 30 to 30 parts by weight. In this case, the Q value at the measurement frequency of 7 GHz is 1300 or more, and Au at a low temperature of 850 to 1050 ° C.
It can be co-fired with a conductive paste containing Cu or Ag as a main component, so that an electronic component or substrate having a high Q value and excellent in a high frequency region can be obtained. In the case of this composition, the Q value at the measurement frequency of 7 GHz can be 3000 or more, particularly 5000 or more.

【0012】また、その他のセラミック材料として、金
属元素として少なくともCa,Zrを含有する複合酸化
物であって、これらのモル比による組成式をxCaO・
ZrO2 と表したとき、前記xが0.87≦x≦1.3
6を満足する主成分100重量部に対して、硼素含有化
合物をB2 3 換算でa重量部、アルカリ金属含有化合
物をアルカリ金属炭酸塩換算でb重量部の範囲で添加含
有してなり、かつ、前記a,bが0≦a≦30、0≦b
≦20、1.5≦a+bを満足するものがある。この場
合には、900〜1050℃程度の比較的低温でAg系
やCu系、Au系等の導体金属と同時に焼成でき、誘電
体セラミックスの比誘電率εrを使用周波数に適したも
のを選べ、かつQ値が高い等の特徴を有する。
Another ceramic material is a composite oxide containing at least Ca and Zr as metal elements.
When expressed as ZrO 2 , x is 0.87 ≦ x ≦ 1.3.
6, based on 100 parts by weight of the main component satisfying 6, the boron-containing compound is added and contained in the range of a part by weight in terms of B 2 O 3 , and the alkali metal-containing compound in the range of b parts by weight in terms of alkali metal carbonate, And a and b are 0 ≦ a ≦ 30, 0 ≦ b
Some satisfies ≦ 20 and 1.5 ≦ a + b. In this case, at a relatively low temperature of about 900 to 1050 ° C., a conductor metal such as Ag-based, Cu-based, or Au-based can be fired at the same time and a dielectric ceramic having a relative permittivity εr suitable for the frequency used can be selected. It has features such as a high Q value.

【0013】また、金属元素として少なくともBa、T
iを含有する複合酸化物であって、これらのモル比によ
る組成式を、BaO・x(Ti1-a Zra )O2 と表し
たとき、前記x、aが、3.5≦x≦4.5、0≦a≦
0.20を満足する主成分100重量部に対して、亜鉛
含有化合物をZnO換算で4〜30重量部、硼素含有化
合物をB2 3 換算で1〜20重量部、アルカリ金属含
有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で1〜10重量部含
有するものがある。この場合には、比誘電率が20〜4
0で、Qf値が30000〔GHz〕以上であり、−4
0〜85℃の温度範囲で共振周波数の温度係数τfを−
40〜+40〔ppm/℃〕の範囲で、かつ、焼成温度
を950℃以下とすることが可能となり、Agを主成分
とする導体を具備した電子部品を、誘電体磁器と導体を
同時焼成して形成することが可能となる。アルカリ金属
としては、Li,Na,Kがある。
Further, at least Ba, T
i is a composite oxide containing i, and when a composition formula based on these molar ratios is expressed as BaO · x (Ti 1-a Zr a ) O 2 , the x and a are 3.5 ≦ x ≦ 4.5, 0 ≦ a ≦
Relative to 100 parts by weight of the main component which satisfies 0.20, 4 to 30 parts by weight of zinc-containing compound calculated as ZnO, 1-20 parts by weight of a boron-containing compound in terms of B 2 O 3, the alkali metal-containing compound alkali Some include 1 to 10 parts by weight in terms of metal carbonate. In this case, the relative dielectric constant is 20 to 4
0, the Qf value was 30000 [GHz] or more, and -4
The temperature coefficient τf of the resonance frequency in the temperature range of 0 to 85 ° C.
It is possible to set the firing temperature within the range of 40 to +40 [ppm / ° C.] and the firing temperature at 950 ° C. or lower. Can be formed. Examples of the alkali metal include Li, Na, and K.

【0014】上述のセラミック材料の他に、スリップ材
の構成材料としては、焼結によって消失される光硬化可
能な樹脂、有機バインダと、さらに、有機溶剤または水
とを含んでいる。有機溶剤を含むスリップ材は溶剤系ス
リップ材といい、また、水を含むスリップ材は水系スリ
ップ材といい、溶剤系スリップ材と水系スリップ材とで
は、光硬化可能な樹脂及び有機バインダとが若干異な
る。
In addition to the above-mentioned ceramic materials, the constituent materials of the slip material include a photocurable resin which is lost by sintering, an organic binder, and further, an organic solvent or water. A slip material containing an organic solvent is called a solvent-based slip material, and a slip material containing water is called a water-based slip material.In the solvent-based slip material and the water-based slip material, the photocurable resin and the organic binder are slightly mixed. different.

【0015】なお、有機溶剤または水は主にスリップの
粘度等を調整するものであり、焼成工程の脱バインダ過
程で完全に消失してしまう。溶剤系スリップ材の光硬化
可能な樹脂は、低温短時間の焼成工程に対応するため
に、熱分解性に優れたものでなくてはならない。光硬化
可能な樹脂としては、スリップ材の塗布・乾燥後の露光
によって、光重合される必要があり、遊離ラジカルの形
成、連鎖生長付加重合が可能で、2級もしくは3級炭素
を有したモノマーが好ましく、たとえば少なくとも1つ
の重合可能なエチレン系基を有するブチルアクリレート
等のアルキルアクリレート及びそれらに対応するアルキ
ルメタクリレートが有効である。また、テトラエチレン
グリコールジアクリレート等のポリエチレングリコール
ジアクリレート及びそれらに対応するメタクリレートも
有効である。光硬化可能な樹脂は、露光で硬化され、現
像で露光以外の部分が容易に除去できるような範囲で添
加され、たとえば、固形分100重量部に対して5〜1
5重量部以下である。
The organic solvent or water mainly adjusts the viscosity of the slip and the like, and is completely lost during the binder removal in the firing step. The photocurable resin of the solvent-based slip material must have excellent thermal decomposability in order to cope with a low-temperature and short-time baking process. As a photo-curable resin, a monomer that needs to be photopolymerized by exposure after application and drying of a slip material, capable of forming free radicals and chain-growth addition polymerization, and having a secondary or tertiary carbon For example, alkyl acrylates such as butyl acrylate having at least one polymerizable ethylenic group and the corresponding alkyl methacrylates are effective. Further, polyethylene glycol diacrylates such as tetraethylene glycol diacrylate and methacrylates corresponding thereto are also effective. The photocurable resin is cured by exposure, and is added in a range such that portions other than the exposure can be easily removed by development.
5 parts by weight or less.

【0016】溶剤系スリップ材の有機バインダは、光硬
化可能な樹脂と同様に熱分解性の良好なものでなくては
ならない。同時にスリップの粘性を決めるものであるた
め、固形分との濡れ性も重視せねばならず、本発明者等
の検討によればアクリル酸もしくはメタクリル酸系重合
体のようなカルボキシル基、アルコール性水酸基を備え
たエチレン性不飽和化合物が好ましい。添加量としては
固形分100重量部に対して25重量部以下が好まし
い。
The organic binder of the solvent-based slip material must have good thermal decomposability like the photocurable resin. At the same time, because it determines the viscosity of the slip, wettability with solids must also be emphasized. According to studies by the present inventors, carboxyl groups such as acrylic acid or methacrylic acid-based polymers, alcoholic hydroxyl groups Preferred are ethylenically unsaturated compounds with The addition amount is preferably 25 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the solid content.

【0017】また、水系スリップ材の光硬化可能な樹脂
及び有機バインダは、水溶性である必要があり、樹脂及
び有機バインダには、親水性の官能基、たとえばカルボ
キシル基が付加されている。その付加量は酸価で表せば
2〜300であり、好ましくは5〜100である。付加
量が少ない場合は水への溶解性、固形成分の粉末の分散
性が悪くなり、多い場合は熱分解性が悪くなるため、付
加量は、水への溶解性、分散性、熱分解性を考慮して、
上述の範囲で適宜付加される。
The photocurable resin and the organic binder of the aqueous slip material must be water-soluble, and a hydrophilic functional group, for example, a carboxyl group is added to the resin and the organic binder. The amount of addition is 2 to 300, and preferably 5 to 100 in terms of acid value. If the added amount is small, the solubility in water and the dispersibility of the solid component powder become poor, and if the added amount is large, the thermal decomposability becomes poor. in view of,
It is appropriately added within the above range.

【0018】いずれの系のスリップ材においても光硬化
可能な樹脂及び有機バインダは上述したように熱分解性
の良好なものでなくてはならないが、具体的には600
℃以下で熱分解が可能でなくてはならない。さらに好ま
しくは500℃以下で熱分解が可能なものがよい。熱分
解温度が600℃を超えると、誘電体層内に残存してし
まい、カーボンとしてトラップし、誘電体層を灰色に変
色させたり、誘電体層の絶縁抵抗までも低下させてしま
う。またボイドとなりデラミネーションを起こすことが
ある。
In any of the slip materials, the photocurable resin and the organic binder must have good thermal decomposability as described above.
It must be capable of thermal decomposition below ℃. More preferably, those which can be thermally decomposed at 500 ° C. or lower are preferable. If the thermal decomposition temperature exceeds 600 ° C., it remains in the dielectric layer, is trapped as carbon, changes the color of the dielectric layer to gray, and lowers the insulation resistance of the dielectric layer. In addition, it may become a void and cause delamination.

【0019】また、スリップ材として、増感剤、光開始
系材料等を必要に応じて添加しても構わない。たとえ
ば、光開始系材料としては、ベンゾフェノン類、アシロ
インエステル類化合物等が挙げられる。上述のように、
セラミック材料、光硬化可能な樹脂、有機バインダさら
に、有機溶剤または水を混合、混練して、溶剤系スリッ
プ材または水系スリップ材が構成される。混合・混練方
法は従来より用いられている方法、たとえば、ボールミ
ルによる方法を用いればよい。スリップ材の薄層化方法
は、たとえば、ドクターブレード法(ナイフコート
法)、ロールコート法、印刷法等により形成され、特に
塗布後の絶縁層成形体の表面が平坦化することが容易な
ドクターブレード法等が好適である。なお、塗布方法に
応じて所定粘度に調整される。
As a slip material, a sensitizer, a photo-initiating material or the like may be added as required. For example, the photoinitiating material includes benzophenones, acyloin ester compounds, and the like. As mentioned above,
A ceramic material, a photocurable resin, an organic binder, and an organic solvent or water are mixed and kneaded to form a solvent-based slip material or a water-based slip material. The method of mixing and kneading may be a conventionally used method, for example, a method using a ball mill. The slip material can be made thinner by, for example, a doctor blade method (knife coat method), a roll coat method, a printing method, or the like. In particular, a doctor can easily flatten the surface of the molded insulating layer after application. A blade method or the like is suitable. The viscosity is adjusted to a predetermined value according to the application method.

【0020】乾燥方法としては、バッチ式乾燥炉、イン
ライン式乾燥炉を用いて行われ、乾燥温度は100℃以
下が望ましい。急激な乾燥は、表面にクラック等を発生
させる可能性があるため、急加熱は避ける必要がある。
次に、絶縁層成形体10dに、下記に示すような露光処
理を施して硬化させる。スリップ材の塗布から露光処理
の工程を繰り返して図3に示すように絶縁層成形体10
a〜10dが積層された誘電体基板1の成形体10を作
製する。この誘電体基板1内に配線層、スルーホール、
ビアホール等を設ける必要がある場合にも、後述するよ
うな露光・現像処理を行うことで容易に形成することが
可能である。そして、誘電体基板1の成形体10の表面
に、導電性ペーストを塗布してアース電極導電部材82
およびパッド電極となる導電部材(図示せず)を形成す
る。
The drying is carried out using a batch drying oven or an in-line drying oven, and the drying temperature is desirably 100 ° C. or lower. Since rapid drying may cause cracks or the like on the surface, it is necessary to avoid rapid heating.
Next, the insulating layer molded body 10d is subjected to the following exposure treatment and cured. The process from the application of the slip material to the exposure process is repeated, and as shown in FIG.
A molded body 10 of the dielectric substrate 1 on which a to d are laminated is manufactured. Wiring layers, through holes,
Even when a via hole or the like needs to be provided, it can be easily formed by performing exposure and development processing as described later. Then, a conductive paste is applied to the surface of the molded body 10 of the dielectric substrate 1 to form a ground electrode conductive member 82.
Then, a conductive member (not shown) serving as a pad electrode is formed.

【0021】次に、アース電極導電部材82が形成され
た誘電体基板1の成形体10の表面に、前記スリップ材
を塗布して図4に示すような絶縁層成形体20dを形成
する。この絶縁層成形体20d上に、図5に示すように
貫通孔が形成される領域が遮光されるようなフォトター
ゲット91を載置して、超高圧水銀灯(10mW/cm
2 )を光源として用いて露光を行う。スリップ材に含ま
れる光硬化性モノマーはネガ型であるため、これによ
り、貫通孔が形成される領域の絶縁層成形体20dにお
いては、光硬化可能な樹脂の光重合反応が起こらず、貫
通穴が形成される領域以外の絶縁層成形体20dにおい
ては、光重合反応が起こる。ここで光重合反応が起こっ
た部位を不溶化部xといい、光重合反応が起こらない部
位を溶化部yという。なお、厚み100μm程度の絶縁
層成形体20dは、超高圧水銀灯(10mW/cm2
を10〜15秒程度照射すれば露光を行うことができ
る。
Next, the slip material is applied to the surface of the molded body 10 of the dielectric substrate 1 on which the ground electrode conductive member 82 is formed to form an insulating layer molded body 20d as shown in FIG. As shown in FIG. 5, a photo target 91 is placed on the insulating layer molded body 20d so that the area where the through hole is formed is shielded from light, and an ultra-high pressure mercury lamp (10 mW / cm
Exposure is performed using 2 ) as a light source. Since the photocurable monomer contained in the slip material is a negative type, the photopolymerization reaction of the photocurable resin does not occur in the insulating layer molded body 20d in a region where the through hole is formed, and the through hole is not formed. A photopolymerization reaction occurs in the insulating layer molded body 20d other than the region where is formed. Here, the site where the photopolymerization reaction has occurred is called an insolubilized portion x, and the site where the photopolymerization reaction does not occur is called a solubilized portion y. In addition, the insulating layer molded body 20d having a thickness of about 100 μm is formed by an ultrahigh pressure mercury lamp (10 mW / cm 2 ).
Is exposed for about 10 to 15 seconds to perform exposure.

【0022】現像処理は、絶縁層成形体20dの溶化部
yを現像液で除去するもので、具体的には1,1,1−
トリクロロエタンを用いてスプレー法で現像を行う。そ
の後、絶縁層成形体20dを現像によって生じる不要な
カス等を洗浄、乾燥工程により完全に除去し、図6に示
すように絶縁層成形体20dにキャビティ用貫通孔92
および電極用貫通孔93を形成する。
The developing treatment is to remove the solubilized portion y of the insulating layer molded body 20d with a developing solution.
The development is performed by a spray method using trichloroethane. Thereafter, unnecessary debris and the like generated by the development of the insulating layer molded body 20d are completely removed by washing and drying processes, and as shown in FIG.
Then, an electrode through hole 93 is formed.

【0023】次に、図7に示すように電極用貫通孔93
内に導体ペーストをスクリーン印刷方式にて充填し乾燥
する。また、キャビティ用貫通孔92内には、熱硬化ま
たは光硬化可能なモノマーを含有する熱分解性の良好な
樹脂ペーストを充填して、熱硬化または露光硬化させて
樹脂充填層94を形成する。樹脂充填層94を構成する
樹脂ペーストは、光硬化性材料としてはアルキルメタク
リレートなどが用いられ、熱硬化性材料としてはアクリ
レート系の不飽和ポリエステル樹脂などが利用可能であ
る。
Next, as shown in FIG.
The inside is filled with a conductor paste by a screen printing method and dried. Further, a resin paste having good thermal decomposability containing a thermosetting or photocurable monomer is filled in the cavity through-hole 92, and the resin filling layer 94 is formed by thermosetting or exposure curing. As the resin paste constituting the resin filling layer 94, alkyl methacrylate or the like is used as a photocurable material, and an acrylate-based unsaturated polyester resin or the like can be used as a thermosetting material.

【0024】このあと、さらにスリップ材を塗布し同様
の工程を繰り返して、図8に示すように、絶縁層成形体
20a〜20dが積層された誘電体壁2の積層成形体2
0を形成する。このとき、各絶縁層成形体20a〜20
dのキャビティ用貫通孔92内には樹脂充填層94が充
填され、電極用貫通孔93内には導電性材料で形成され
た垂直アース電極21を構成するアース電極用導電部材
96が形成される。さらに、誘電体壁2の積層成形体2
0の上端部には、垂直アース電極21と導通するように
導電性ペーストが塗布されて、電極61を構成するため
の電極導電部材95が形成される。このようにして積層
成形体を得る。
Thereafter, a slip material is further applied and the same process is repeated to form a laminated molded body 2 of the dielectric wall 2 on which the insulating layer molded bodies 20a to 20d are laminated as shown in FIG.
0 is formed. At this time, each of the insulating layer molded bodies 20a to 20
A resin filling layer 94 is filled in the cavity through hole 92 of d, and a ground electrode conductive member 96 constituting the vertical ground electrode 21 formed of a conductive material is formed in the electrode through hole 93. . Furthermore, the laminated molded body 2 of the dielectric wall 2
A conductive paste is applied to the upper end of the electrode 0 so as to be electrically connected to the vertical ground electrode 21 to form an electrode conductive member 95 for forming the electrode 61. Thus, a laminated molded article is obtained.

【0025】次に、支持基板9を取り外す。そして、必
要に応じて、積層成形体をプレスで形状を整えたり、分
割溝を形成したりする。次に、焼成を行う。焼成は、脱
バインダ工程と、本焼成工程からなる。脱バインダ工程
は、概ね600℃以下の温度領域であり、絶縁層成形体
10a〜10d、20a〜20d、樹脂充填層94、導
電部材82,96,95の導電性ペーストに含まれてい
る有機バインダ、光硬化可能な樹脂を消失させる過程で
あり、本焼成工程は、ピーク温度850〜1050℃、
たとえば、900℃30分ピークの焼成過程である。
Next, the support substrate 9 is removed. Then, if necessary, the shape of the laminated molded product is adjusted by a press, or a divided groove is formed. Next, baking is performed. The firing includes a binder removing step and a main firing step. The binder removal step is performed in a temperature range of about 600 ° C. or less, and the organic binder contained in the conductive paste of the insulating layer molded bodies 10 a to 10 d and 20 a to 20 d, the resin filling layer 94, and the conductive members 82, 96 and 95. , A process of erasing the photo-curable resin, and the main baking step is performed at a peak temperature of 850 to 1050 ° C.
For example, it is a baking process of a peak at 900 ° C. for 30 minutes.

【0026】なお、導電部材82,95,96の導電性
ペーストは金、銀、銅もしくはその合金のうち少なくと
も1つの金属材料の粉末と、低融点ガラス成分と、有機
バインダと有機溶剤とを均質混練したものが使用され
る。特に、焼成温度が850〜1050℃の場合には、
金属材料としては比較的低融点であり、かつ低抵抗材料
が選択され、また、低融点ガラス成分も絶縁層成形体
(スリップ材を塗布、乾燥したもの)との焼結挙動を考
慮して、その屈伏点が700℃前後となるものが使用さ
れる。
The conductive paste of the conductive members 82, 95 and 96 is made of a powder of at least one metal material of gold, silver, copper or an alloy thereof, a low-melting-point glass component, an organic binder and an organic solvent. A kneaded product is used. In particular, when the firing temperature is 850 to 1050 ° C,
As the metal material, a material having a relatively low melting point and a low resistance material is selected, and the low melting glass component is also considered in consideration of the sintering behavior with the insulating layer molded body (coated with a slip material and dried). The one whose yield point is around 700 ° C. is used.

【0027】このように焼成された絶縁層成形体では、
キャビティ用貫通孔92に充填されている樹脂充填層9
4が焼成時に消失して、図10に示すように、キャビテ
ィ51が形成されることとなる。図10に示すように、
誘電体基板1の主表面側に、電極形成用溝31に連続す
る電極形成用溝32を形成し、垂直アース電極21と連
続する垂直電極22を設けることも可能である。電極形
成用溝32および垂直電極22は、誘電体基板1を作成
する際に、この電極形成用溝32に対応する位置を露光
・現像処理して電極形成用溝32を形成し、この電極形
成用溝32に導電性ペーストを充填する工程を繰り返し
て、作成することができる。この場合、垂直アース電極
21、22は一体となってアース電極81と交差する形
状となる。
In the insulating layer molded body thus fired,
Resin-filled layer 9 filled in cavity through-hole 92
4 disappears at the time of firing, and a cavity 51 is formed as shown in FIG. As shown in FIG.
On the main surface side of the dielectric substrate 1, it is also possible to form an electrode forming groove 32 continuous with the electrode forming groove 31, and to provide the vertical electrode 22 continuous with the vertical earth electrode 21. When forming the dielectric substrate 1, the electrode forming groove 32 and the vertical electrode 22 are exposed and developed at positions corresponding to the electrode forming groove 32 to form the electrode forming groove 32. The process of filling the conductive groove into the groove 32 can be repeated. In this case, the vertical ground electrodes 21 and 22 have a shape intersecting with the ground electrode 81 integrally.

【0028】誘電体壁2のさらに上方に位置して金属製
のシールキャップ71が設けられる。このシールキャッ
プ71は、各キャビティ51の上方を覆うように設けら
れ、電極61と導電性接着剤により接続される。各キャ
ビティ51を構成する誘電体基板1のエリアには、シー
ルキャップ71が被覆される前に、各機能ブロックに対
応する回路素子が実装される。
A metal seal cap 71 is provided further above the dielectric wall 2. The seal cap 71 is provided so as to cover the upper part of each cavity 51, and is connected to the electrode 61 by a conductive adhesive. Circuit elements corresponding to each functional block are mounted in the area of the dielectric substrate 1 constituting each cavity 51 before the seal cap 71 is covered.

【0029】このようにしてなる本発明の高周波モジュ
ール基板では、各エリアに実装されている機能ブロック
に対応する回路素子から電磁波が放出されても、垂直ア
ース電極21、22、アース電極81およびシールキャ
ップ71によって、そのキャビティ内に電磁波が封じ込
められるため、機能ブロック間の相互干渉を低減するこ
とが可能となる。なお、支持基板9上に誘電体基板1の
積層成形体10を形成した例について説明したが、異な
る方法で作成した誘電体基板を利用する場合には、これ
を支持基板としてもよい。この場合、支持基板を取り外
す工程は省略できる。 〔他の実施例〕アース電極21を誘電体壁2の周面に形
成することも可能である。
In the high-frequency module substrate of the present invention thus configured, even if electromagnetic waves are emitted from the circuit elements corresponding to the functional blocks mounted in each area, the vertical earth electrodes 21 and 22, the earth electrode 81 and the seal Since the electromagnetic wave is sealed in the cavity by the cap 71, it is possible to reduce mutual interference between the functional blocks. Although the example in which the laminated molded body 10 of the dielectric substrate 1 is formed on the support substrate 9 has been described, when a dielectric substrate created by a different method is used, this may be used as the support substrate. In this case, the step of removing the support substrate can be omitted. [Other Embodiments] The ground electrode 21 may be formed on the peripheral surface of the dielectric wall 2.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明では、実装される各機能ブロック
を構成する回路素子から放出される電磁波を、各キャビ
ティ内に閉じこめることが可能であり、各素子間の相互
干渉を低減することができ、小型化および量産性に優れ
た高周波モジュール基板を提供することができる。
According to the present invention, it is possible to confine electromagnetic waves emitted from circuit elements constituting each functional block to be mounted in each cavity, and to reduce mutual interference between the elements. A high-frequency module substrate excellent in miniaturization and mass productivity can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態が採用される高周波モジュ
ール基板の概略構成を示す斜視図。
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a high-frequency module substrate to which an embodiment of the present invention is applied.

【図2】その製造方法を示す工程図。FIG. 2 is a process chart showing the manufacturing method.

【図3】その製造方法を示す工程図。FIG. 3 is a process chart showing the manufacturing method.

【図4】その製造方法を示す工程図。FIG. 4 is a process chart showing the manufacturing method.

【図5】その製造方法を示す工程図。FIG. 5 is a process chart showing the manufacturing method.

【図6】その製造方法を示す工程図。FIG. 6 is a process chart showing the manufacturing method.

【図7】その製造方法を示す工程図。FIG. 7 is a process chart showing the manufacturing method.

【図8】その製造方法を示す工程図。FIG. 8 is a process chart showing the manufacturing method.

【図9】その製造方法を示す工程図。FIG. 9 is a process chart showing the manufacturing method.

【図10】その縦断面概略構成図。FIG. 10 is a schematic configuration diagram of a longitudinal section.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 誘電体基板 2 誘電体壁 21 垂直アース電極 22 垂直アース電極 31 電極形成用溝 32 電極形成用溝 51 キャビティ 61 電極 71 シールキャップ 81 アース電極 91 フォトターゲット 92 キャビティ用貫通孔 93 電極用貫通孔 94 樹脂充填層 95 電極導電部材 96 アース電極導電部材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Dielectric substrate 2 Dielectric wall 21 Vertical earth electrode 22 Vertical earth electrode 31 Electrode forming groove 32 Electrode forming groove 51 Cavity 61 Electrode 71 Seal cap 81 Ground electrode 91 Photo target 92 Cavity through hole 93 Electrode through hole 94 Resin filling layer 95 Electrode conductive member 96 Earth electrode conductive member

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】セラミック誘電体層を積層してなり主表面
に各種回路素子が実装される誘電体基板と、 前記誘電体基板の主表面に複数のキャビティを形成する
ために、前記誘電体基板上に立設される誘電体壁と、 前記誘電体基板の主表面に設けられるアース電極と、 上端部が前記誘電体壁の上端から露出し、下端部におい
て前記アース電極に接続されてなる垂直アース電極と、 前記垂直アース電極の上端部と接続され、前記複数のキ
ャビティ上方を覆う導電性材料でなるシールキャップ
と、を備える高周波モジュール基板。
1. A dielectric substrate on which a ceramic dielectric layer is laminated and on which a variety of circuit elements are mounted on a main surface, and the dielectric substrate for forming a plurality of cavities on the main surface of the dielectric substrate. A dielectric wall provided upright, a ground electrode provided on a main surface of the dielectric substrate, and a vertical end exposed from the upper end of the dielectric wall and connected to the ground electrode at a lower end. A high-frequency module substrate, comprising: a ground electrode; and a seal cap made of a conductive material that is connected to an upper end of the vertical ground electrode and covers an upper part of the plurality of cavities.
【請求項2】前記垂直アース電極は、その中間部が前記
誘電体壁の内部に埋設されている、請求項1に記載の高
周波モジュール基板。
2. The high-frequency module substrate according to claim 1, wherein said vertical earth electrode has a middle portion embedded in said dielectric wall.
【請求項3】前記垂直アース電極は、その下端部が前記
アース電極と交差して前記誘電体基板内部に突出してい
る、請求項1または2に記載の高周波モジュール基板。
3. The high-frequency module substrate according to claim 1, wherein said vertical earth electrode has a lower end crossing said earth electrode and projecting into said dielectric substrate.
【請求項4】(a)誘電体基板の主面に導電性ペースト
を塗布して、回路素子を実装するためのパッドおよびア
ース電極を形成する工程と、(b)少なくともセラミッ
クまたはガラスセラミックからなる絶縁層材料と、光硬
化可能な樹脂とを含有するスリップを、前記誘電体基板
の主面上に塗布し、さらに乾燥して絶縁層成形体を形成
する工程と、(c)絶縁層成形体を露光現像しキャビテ
ィ用貫通孔および電極用貫通孔を形成し、前記電極用貫
通孔に導電性ペーストを充填するとともに、前記キャビ
ティ用貫通孔に光硬化または熱硬化可能なモノマーを含
有する樹脂ペーストを充填し、前記樹脂ペーストを露光
あるいは加熱により硬化させる工程と、(d)前記スリ
ップにより絶縁層成形体を作成する工程と前記(c)の
工程を繰り返して誘電体壁用の積層成形体を作成すると
ともに前記アース電極と導通し、上端部が前記誘電体壁
用の積層成形体の上部から露出する垂直アース電極を作
成する工程と、(e)前記誘電体基板上に絶縁層成形体
が積層された積層物を所定温度で焼成して、前記キャビ
ティ用貫通孔に充填されている樹脂ペーストを飛散させ
る工程と、(f)前記キャビティ内部の前記誘電体基板
の主表面に各種回路素子を実装した後、前記垂直アース
電極の上端部と接続され、前記複数のキャビティ上方を
覆う導電性材料でなるシールキャップを設ける工程と、
を具備する高周波モジュール基板の製造方法。
4. A step of: (a) applying a conductive paste to a main surface of a dielectric substrate to form pads and ground electrodes for mounting circuit elements; and (b) at least ceramic or glass ceramic. A step of applying a slip containing an insulating layer material and a photocurable resin on the main surface of the dielectric substrate, and further drying to form an insulating layer molded body; (c) an insulating layer molded body Is exposed and developed to form a through hole for a cavity and a through hole for an electrode, a conductive paste is filled in the through hole for an electrode, and a resin paste containing a photocurable or thermosetting monomer in the through hole for the cavity. And curing the resin paste by exposure or heating, (d) forming an insulating layer molded body by the slip, and repeating the step (c). (E) forming a vertical ground electrode that is electrically connected to the ground electrode and that has an upper end exposed from an upper portion of the multilayer molded body for the dielectric wall, while forming a laminated molded body for an electric body wall; Baking a laminate in which an insulating layer molded body is laminated on a body substrate at a predetermined temperature to disperse the resin paste filled in the through-holes for the cavity; and (f) the dielectric in the cavity. After mounting various circuit elements on the main surface of the substrate, a step of providing a seal cap made of a conductive material connected to the upper end of the vertical ground electrode and covering the plurality of cavities,
A method for manufacturing a high-frequency module substrate comprising:
【請求項5】(g)少なくともセラミックまたはガラス
セラミックからなる絶縁層材料と、光硬化可能な樹脂と
を含有するスリップを作成する工程と、(h)前記スリ
ップを塗布して乾燥させて絶縁層成形体を形成する工程
と、(i)前記絶縁層成形体に露光処理を施し、絶縁層
成形体を硬化させる工程と、(j)前記(h)、(i)
の工程を順次繰り返して誘電体基板を作成する工程と、
をさらに含む、請求項4に記載の高周波モジュール基板
の製造方法。
5. A step of preparing a slip containing at least a ceramic or glass-ceramic insulating layer material and a photocurable resin; and (h) applying and drying the slip to form an insulating layer. Forming a molded body, (i) subjecting the insulating layer molded body to exposure treatment and curing the insulating layer molded body, and (j) the steps (h) and (i).
Forming a dielectric substrate by sequentially repeating the steps of
The method for manufacturing a high-frequency module substrate according to claim 4, further comprising:
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