JPH10135399A - Semiconductor device, manufacture thereof and lead frame using it - Google Patents
Semiconductor device, manufacture thereof and lead frame using itInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に、リードフレームが使用される半導体装置の
製造技術に関し、例えば、多ピンを備えている半導体集
積回路装置に利用して有効なものに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing technology, and more particularly to a semiconductor device manufacturing technology using a lead frame. About things.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、多ピンを備えている半導体集積
回路装置（以下、ＩＣという。）のパッケージの形態と
しては、クワッド・フラット・パッケージ（以下、ＱＦ
Ｐという。）が広く知られている。すなわち、ＱＦＰを
備えているＩＣ（以下、ＱＦＰ・ＩＣという。）は、半
導体集積回路が作り込まれている半導体ペレット（以
下、ペレットという。）と、ペレットがボンディングさ
れているタブと、タブの四方に放射状に配線されている
複数本のインナリードと、各インナリードとペレットと
の間にそれぞれ橋絡されているワイヤ群と、各インナリ
ードにそれぞれ一体的に連設されているアウタリード群
と、ペレット、インナリード群およびワイヤ群を樹脂封
止する正方形平盤形状の樹脂封止体とを備えており、ア
ウタリード群が樹脂封止体の４側面から突設されてガル
・ウイング形状に屈曲されている。2. Description of the Related Art Generally, a quad flat package (hereinafter, referred to as QF) is used as a package of a semiconductor integrated circuit device (hereinafter, referred to as IC) having many pins.
It is called P. ) Is widely known. That is, an IC including a QFP (hereinafter, referred to as a QFP · IC) includes a semiconductor pellet (hereinafter, referred to as a pellet) in which a semiconductor integrated circuit is formed, a tab to which the pellet is bonded, and a tab. A plurality of inner leads radially wired in four directions, a wire group bridged between each inner lead and the pellet, and an outer lead group integrally connected to each inner lead respectively. , A pellet, an inner lead group, and a square flat resin sealing body for resin sealing the wire group. The outer lead group is projected from four sides of the resin sealing body and bent into a gull wing shape. Have been.
【０００３】近年、このＱＦＰ・ＩＣにおいても多ピン
化やリードの狭ピッチ化が益々要求されて来ている。と
ころが、リードフレーム・パッケージの多ピン化の限界
はリードフレームの加工限界によって制約されるため、
ＱＦＰ・ＩＣのインナリードピッチは最小ピッチの限界
に達している。In recent years, there has been an increasing demand for more QFPs / ICs with more pins and narrower lead pitches. However, the limit of increasing the number of pins in the lead frame package is limited by the processing limit of the lead frame.
The inner lead pitch of the QFP IC has reached the minimum pitch limit.
【０００４】なお、ＱＦＰ・ＩＣの多ピン化およびリー
ドの狭ピッチ化を述べてある例としては、株式会社日経
ＢＰ社１９９３年５月３１日発行「ＶＬＳＩパッケージ
ング技術（下）」Ｐ１６５〜Ｐ１７０がある。[0004] As an example describing the increase in the number of pins of the QFP IC and the reduction in the pitch of the leads, see "VLSI Packaging Technology (Lower)", P165 to P170, issued on May 31, 1993 by Nikkei BP Co., Ltd. There is.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】隣合うインナリード間
のピッチが狭いと、隣合うワイヤ同士のワイヤ流れに対
する余裕が無くなるため、隣合うワイヤ同士の接触を充
分に防止することができないという問題点がある。If the pitch between adjacent inner leads is narrow, there is no room for wire flow between adjacent wires, so that contact between adjacent wires cannot be sufficiently prevented. There is.
【０００６】本発明の目的は、隣合うインナリード間の
ピッチが狭くても隣合うワイヤ同士の接触を防止するこ
とができる半導体装置の製造技術を提供することにあ
る。An object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing technique capable of preventing contact between adjacent wires even when the pitch between adjacent inner leads is narrow.
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。[0007] The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application is as follows.
【０００９】すなわち、本発明に係る半導体装置は、イ
ンナリード群の少なくとも複数本に段差が形成されてお
り、半導体ペレットとの間に橋絡されたワイヤ群のイン
ナリード側ボンディング端部がインナリード群に交互に
上段と下段との関係になるようにボンディングされてい
ることを特徴とする。That is, in the semiconductor device according to the present invention, a step is formed in at least a plurality of the inner lead groups, and the inner lead side bonding end of the wire group bridged with the semiconductor pellet is formed in the inner lead group. It is characterized in that the groups are alternately bonded so as to have a relationship between an upper stage and a lower stage.
【００１０】前記した手段によれば、隣合うワイヤ同士
が上段と下段との関係になることにより互いの間隔が広
くなるため、同一のピッチであれば、隣合うワイヤ同士
が上段と下段との関係に無い場合に比べて隣合うワイヤ
同士の接触を防止することができる。また、隣合うワイ
ヤ同士の接触に対する余裕（マージン）が同一になるよ
うに設定する場合には、隣合うインナリード間のピッチ
を広く設定することができる。According to the above-described means, since the distance between the adjacent wires is increased due to the relationship between the adjacent wires in the upper row and the lower row, if the pitch is the same, the distance between the adjacent wires in the upper row and the lower row is equal. The contact between adjacent wires can be prevented as compared with the case where there is no relationship. When the margins for contact between adjacent wires are set to be the same, the pitch between adjacent inner leads can be set wide.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態である
ＱＦＰ・ＩＣを示しており、（ａ）は正面断面図、
（ｂ）は主要部の樹脂封止体を省略した拡大斜視図であ
る。図２以降は本発明の一実施形態であるＱＦＰ・ＩＣ
の製造方法を示す各説明図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a QFP IC according to an embodiment of the present invention.
(B) is an enlarged perspective view in which a resin sealing body of a main part is omitted. FIG. 2 et seq. Show a QFP / IC according to an embodiment of the present invention.
It is each explanatory drawing which shows the manufacturing method of.
【００１２】本実施形態の半導体装置であるＱＦＰ・Ｉ
Ｃ２８は、半導体素子を含む半導体集積回路が作り込ま
れているペレット２２と、ペレット２２がボンディング
されているタブと、タブの四方に放射状に配線されてい
る複数本のインナリードと、各インナリードとペレット
との間にそれぞれ橋絡されているワイヤ群と、各インナ
リードにそれぞれ一体的に連設されているアウタリード
群と、ペレット、インナリード群およびワイヤ群を樹脂
封止する正方形平盤形状の樹脂封止体とを備えており、
アウタリード群が樹脂封止体の４側面から突設されてガ
ル・ウイング形状に屈曲されている。隣合うインナリー
ドには段差がハーフエッチング加工によって交互に形成
されており、ワイヤのインナリード側ボンディング端部
が１個置きに段差の下段にボンディングされている。The semiconductor device QFP · I of this embodiment
C28 includes a pellet 22 in which a semiconductor integrated circuit including a semiconductor element is built, a tab to which the pellet 22 is bonded, a plurality of inner leads radially wired on four sides of the tab, and each inner lead. Wire group that is bridged between the inner lead and the pellet, outer lead group that is integrally connected to each inner lead, and a square flat plate shape that seals the pellet, inner lead group, and wire group with resin And a resin sealing body of
Outer leads are protruded from four side surfaces of the resin sealing body and are bent in a gull wing shape. Steps are alternately formed on adjacent inner leads by half-etching, and bonding ends of the wires on the inner lead side are bonded to every other lower step.
【００１３】そして、前記構成に係るＱＦＰ・ＩＣは次
の半導体装置の製造方法により製造されている。以下、
本発明の一実施形態であるＱＦＰ・ＩＣの製造方法を説
明する。この説明により、前記したＱＦＰ・ＩＣの構成
の詳細が明らかにされる。The QFP IC according to the above configuration is manufactured by the following method for manufacturing a semiconductor device. Less than,
A method for manufacturing a QFP / IC according to an embodiment of the present invention will be described. From this description, the details of the configuration of the QFP IC described above will be clarified.
【００１４】本実施形態において、ＱＦＰ・ＩＣの製造
方法には図２に示されている多連リードフレーム１１が
使用されている。多連リードフレーム１１は鉄−ニッケ
ル合金や燐青銅等の比較的大きい機械的強度を有するば
ね材料からなる薄板が用いられて、打ち抜きプレス加工
またはエッチング加工等の適当な手段により一体成形さ
れている。多連リードフレーム１１には複数の単位リー
ドフレーム１２が横方向に１列に並設されている。但
し、便宜上、一単位のみが図示および説明されている。
単位リードフレーム１２は位置決め孔１３ａが開設され
ている外枠１３を一対備えており、両外枠１３、１３は
所定の間隔で平行になるように配されて一連にそれぞれ
延設されている。隣合う単位リードフレーム１２、１２
間には一対のセクション枠１４が両外枠１３、１３間に
互いに平行に配されて一体的に架設されており、これら
外枠、セクション枠により形成される略正方形の枠体
（フレーム）内に単位リードフレーム１２が構成されて
いる。In the present embodiment, a multiple lead frame 11 shown in FIG. 2 is used for a method of manufacturing a QFP / IC. The multiple lead frame 11 is made of a thin plate made of a spring material having relatively high mechanical strength such as an iron-nickel alloy or phosphor bronze, and is integrally formed by an appropriate means such as a punching press process or an etching process. . In the multiple lead frame 11, a plurality of unit lead frames 12 are arranged in a row in the horizontal direction. However, for convenience, only one unit is shown and described.
The unit lead frame 12 includes a pair of outer frames 13 having positioning holes 13a, and the outer frames 13, 13 are arranged in parallel at a predetermined interval and extend in series. Adjacent unit lead frames 12, 12
A pair of section frames 14 are arranged in parallel with each other between the outer frames 13 and 13 and are integrally bridged therebetween, and a substantially square frame (frame) formed by these outer frames and section frames is provided. A unit lead frame 12 is formed.
【００１５】各単位リードフレーム１２において、外枠
１３およびセクション枠１４の接続部にはダム吊り部材
１５が一体的に突設されており、各ダム吊り部材１５に
は４本のダム部材１６が略正方形の枠形状になるように
配されて一体的に吊持されている。また、各ダム部材１
６にはタブ吊りリード１７が略４５度方向に突設されて
おり、各タブ吊りリード１７の先端には略正方形の平板
形状に形成されたタブ１８がダム部材１６群の枠形状と
同心的に配されて、これらタブ吊りリード１７により吊
持されるように連設されている。各タブ吊りリード１７
は２回背向するようにそれぞれ屈曲されており、この屈
曲によって、タブ１８は後記するインナリード群を含む
平面よりも、後記するペレットの厚さ分程度下げられて
いる。所謂タブ下げである。In each unit lead frame 12, a dam suspending member 15 is integrally provided at a connection portion between the outer frame 13 and the section frame 14, and each dam suspending member 15 is provided with four dam members 16. They are arranged so as to have a substantially square frame shape and are integrally suspended. In addition, each dam member 1
6 are provided with tab suspension leads 17 projecting in the direction of approximately 45 degrees, and tabs 18 formed in a substantially square flat plate shape at the end of each tab suspension lead 17 are concentric with the frame shape of the dam member 16 group. And are continuously provided so as to be suspended by these tab suspension leads 17. Each tab suspension lead 17
Are bent twice so as to face back, and the bending lowers the tab 18 by about the thickness of a pellet described later from a plane including an inner lead group described later. This is a so-called tab lowering.
【００１６】各ダム部材１６の内側端辺には電気配線と
してのインナリード１９が複数本、長手方向に等間隔に
配されて直角にそれぞれ突設されており、インナリード
１９群の先端部はタブ１８を取り囲むように放射状に配
線されている。インナリード１９の先端部群のうち１個
置きの各先端部には、各段差１９ａがハーフエッチング
加工によってそれぞれ形成されている。段差１９ａはイ
ンナリード１９の厚みの半分程度だけ一定深さ切り欠か
れており、段差１９ａにおける厚さはインナリード１９
の厚さの半分程度になっている。段差１９ａの先端辺か
らの奥行き寸法は、約０．１ｍｍに設定されている。A plurality of inner leads 19 as electric wiring are arranged at equal intervals in the longitudinal direction and project at right angles from the inner end side of each dam member 16. It is wired radially so as to surround the tab 18. Each step 19a is formed by half-etching processing at every other end of the end group of the inner leads 19. The step 19a is cut out by a constant depth about half of the thickness of the inner lead 19, and the thickness at the step 19a is
It is about half the thickness. The depth from the tip side of the step 19a is set to about 0.1 mm.
【００１７】他方、各ダム部材１６の外側端辺には外部
端子としてのアウタリード２０が複数本、長手方向に等
間隔に配されて直角にそれぞれ突設されており、各アウ
タリード２０の内側端は各インナリード１９の外側端に
一直線になるように設定されている。各アウタリード２
０の外側端は外枠１３およびセクション枠１４に連結さ
れている。ダム部材１６における隣り合うアウタリード
２０、２０間の部分は、後述する樹脂封止体成形時にレ
ジンの流れをせき止めるダム１６ａを構成するようにな
っている。On the other hand, a plurality of outer leads 20 as external terminals are arranged at equal intervals in the longitudinal direction and project at right angles from the outer end side of each dam member 16. Each inner lead 19 is set so as to be aligned with the outer end. Each outer lead 2
The outer end of 0 is connected to the outer frame 13 and the section frame 14. A portion between the adjacent outer leads 20 in the dam member 16 constitutes a dam 16a for damping the flow of the resin at the time of molding a resin sealing body described later.
【００１８】多連リードフレーム成形工程において準備
された以上の構成に係る多連リードフレーム１１には、
ペレット・ボンディング工程およびワイヤ・ボンディン
グ工程において、ペレット・ボンディング作業、続い
て、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。これらボ
ンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ
送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次
実施される。このピッチ送りに際して、段差１９ａはハ
ーフエッチング加工によって形成され、インナリード１
９の下面には突出部がないため、引っ掛かることなく円
滑なピッチ送りが確保される。The multiple lead frame 11 according to the above configuration prepared in the multiple lead frame forming step includes:
In the pellet bonding step and the wire bonding step, a pellet bonding operation is performed, followed by a wire bonding operation. These bonding operations are sequentially performed for each unit lead frame by feeding the multiple lead frames at a pitch in the horizontal direction. At the time of this pitch feed, the step 19a is formed by half etching, and the inner lead 1
Since there is no protrusion on the lower surface of 9, a smooth pitch feed is ensured without being caught.
【００１９】まず、ペレット・ボンディング作業におい
て、図３に示されているように、正方形の小平板形状に
形成されたペレット２２が各単位リードフレーム１２に
おけるタブ１８の上に配されて、タブ１８とペレット２
２との間に形成されたボンディング層２１によって機械
的に固着される。ちなみに、ボンディング層２１の形成
手段としては、銀ペースト接着層によるペレットボンデ
ィング法が用いられている。但し、必要に応じて、金−
シリコン共晶層およびはんだ付け層によるペレットボン
ディング法を用いることが可能である。First, in the pellet bonding operation, as shown in FIG. 3, a pellet 22 formed in the shape of a small square plate is placed on the tab 18 of each unit lead frame 12, and And pellet 2
2 is mechanically fixed by a bonding layer 21 formed between the first and second substrates. Incidentally, as a means for forming the bonding layer 21, a pellet bonding method using a silver paste adhesive layer is used. However, if necessary,
It is possible to use a pellet bonding method using a silicon eutectic layer and a soldering layer.
【００２０】ペレット２２はＩＣの製造工程における所
謂前工程において半導体ウエハの状態で半導体素子を含
む半導体集積回路を作り込まれた後に、ＩＣの製造工程
における所謂後工程である組立工程のダイシング工程で
半導体ウエハを分断されて製造される。本実施形態にお
いて、図３に示されているように、ペレット２２のボン
ディングパッド（以下、パッドという。）２３は外側列
と内側列との２列に配列されており、かつまた、外側列
のパッド（以下、外側パッドという。）２３ａと、内側
列のパッド（以下、内側パッドという。）２３ｂとは千
鳥状になるように配置されている。ちなみに、パッド２
３群は前工程においてウエハの状態で形成される。The pellets 22 are formed in a so-called pre-process in an IC manufacturing process, after a semiconductor integrated circuit including semiconductor elements is built in a semiconductor wafer state, and then in a dicing process in a so-called post-process in an IC manufacturing process. It is manufactured by dividing a semiconductor wafer. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the bonding pads (hereinafter, referred to as pads) 23 of the pellets 22 are arranged in two rows, an outer row and an inner row. The pads (hereinafter, referred to as outer pads) 23a and the pads in the inner row (hereinafter, referred to as inner pads) 23b are arranged in a staggered manner. By the way, pad 2
The third group is formed in a wafer state in the previous process.
【００２１】続いて、図３に示されているように、電気
配線としてのワイヤ２４がペレット２２のパッド２３と
各インナリード１９の先端部との間に、図４および図５
に示されている超音波熱圧着式ワイヤボンディング装置
が使用されて橋絡される。これにより、ペレット２２に
作り込まれた集積回路はパッド２３、ワイヤ２４および
インナリード１９を介してアウタリード２０に電気的に
外部に引き出された状態になる。Subsequently, as shown in FIG. 3, a wire 24 as an electric wiring is provided between the pad 23 of the pellet 22 and the tip of each inner lead 19, as shown in FIGS.
An ultrasonic thermocompression wire bonding apparatus shown in FIG. As a result, the integrated circuit formed in the pellet 22 is electrically pulled out to the outer lead 20 via the pad 23, the wire 24 and the inner lead 19.
【００２２】この際、一端がペレット２２の外側パッド
２３ａに第１ボンディングされたワイヤ（以下、下段ワ
イヤという。）２４ａの第２ボンディングは、第２ボン
ディング位置が下段になるインナリード１９の段差１９
ａに実施され、一端がペレット２２の内側パッド２３ｂ
に第１ボンディングされたワイヤ（以下、上段ワイヤと
いう。）２４ｂの第２ボンディングは、第２ボンディン
グ位置が上段になる段差の無いインナリード１９の先端
部上面１９ｂに実施される。At this time, the second bonding of the wire (hereinafter, referred to as a lower wire) 24a, one end of which is first bonded to the outer pad 23a of the pellet 22, is a step 19 of the inner lead 19 in which the second bonding position is lower.
a, one end of the inner pad 23b of the pellet 22
The second bonding of the first bonded wire (hereinafter referred to as the upper wire) 24b is performed on the upper surface 19b of the front end portion of the stepless inner lead 19 in which the second bonding position is the upper stage.
【００２３】ここで、ワイヤボンディング作業について
説明する。図４および図５に示されているワイヤボンデ
ィング装置３０はペレット２２のパッド２３と各インナ
リード１９の先端部との間にワイヤ２４を橋絡するよう
に構成されている。ワイヤボンディング装置３０はフィ
ーダ３１を備えており、フィーダ３１は多連リードフレ
ーム１１を長手方向について摺動自在に保持して、単位
リードフレーム１２のピッチをもって歩進送りし得るよ
うに構成されている。フィーダ３１にはヒートブロック
３２が単位リードフレーム１２毎に加熱し得るように設
備されている。フィーダ３１におけるボンディングステ
ージの外部にはＸＹテーブル３３がＸＹ方向に移動し得
るように設備されており、ＸＹテーブル３３の上にはボ
ンディングヘッド３４が搭載されている。ボンディング
ヘッド３４にはボンディングアーム３５が基端を回転自
在に軸支されて支持されており、ボンディングアーム３
５はその先端に固設されたキャピラリー３６を上下動さ
せるように、カム機構（図示せず）により駆動されるよ
うに構成されている。また、ボンディングヘッド３４に
はボンディングアーム３５を通じてキャピラリー３６を
超音波振動させる超音波発振装置（図示せず）が設備さ
れている。Here, the wire bonding operation will be described. The wire bonding apparatus 30 shown in FIGS. 4 and 5 is configured to bridge the wire 24 between the pad 23 of the pellet 22 and the tip of each inner lead 19. The wire bonding apparatus 30 includes a feeder 31, and the feeder 31 is configured to hold the multiple lead frames 11 slidably in the longitudinal direction so that the multiple lead frames 11 can be stepped forward at a pitch of the unit lead frame 12. . The feeder 31 is provided with a heat block 32 capable of heating the unit lead frame 12. An XY table 33 is provided outside the bonding stage in the feeder 31 so as to be movable in the XY directions, and a bonding head 34 is mounted on the XY table 33. A bonding arm 35 is rotatably supported at the base end thereof and supported by the bonding head 34.
Numeral 5 is configured to be driven by a cam mechanism (not shown) so as to move up and down a capillary 36 fixed to the tip. The bonding head 34 is provided with an ultrasonic oscillator (not shown) for ultrasonically vibrating the capillary 36 through the bonding arm 35.
【００２４】ボンディングアーム３５の上側には一対の
クランパアーム３７、３８が電磁プランジャ機構等の適
当な手段（図示せず）によって作動されるように設備さ
れており、両クランパアーム３７、３８の各先端はキャ
ピラリー３６の真上位置に配されてクランパ３９を構成
している。クランパ３９にはリール（図示せず）から繰
り出されるワイヤ素材５８がガイド４０を介して挿通さ
れており、ワイヤ素材５８はさらにキャピラリー３６に
挿通されている。キャピラリー３６の近傍には放電電極
４１が独立して設備されており、放電電極４１は上端部
が回転自在に軸支されることにより、先端部がキャピラ
リー３６の下方位置すなわちワイヤ素材５８の先端の真
下位置と、キャピラリー３６の側方位置（退避位置）と
の間を移動されるように構成されている。また、放電電
極４１と前記クランパ３９との間には電源回路４２が接
続されており、放電電極４１とワイヤ素材５８の間で放
電アークを生成させるようになっている。Above the bonding arm 35, a pair of clamper arms 37, 38 are provided so as to be operated by a suitable means (not shown) such as an electromagnetic plunger mechanism. The tip is disposed just above the capillary 36 to form a clamper 39. A wire material 58 fed from a reel (not shown) is inserted into the clamper 39 via a guide 40, and the wire material 58 is further inserted into the capillary 36. A discharge electrode 41 is provided independently near the capillary 36, and the upper end of the discharge electrode 41 is rotatably supported so that the distal end is positioned below the capillary 36, that is, at the distal end of the wire material 58. It is configured to be moved between a position directly below and a side position (retreat position) of the capillary 36. Further, a power supply circuit 42 is connected between the discharge electrode 41 and the clamper 39 so that a discharge arc is generated between the discharge electrode 41 and the wire material 58.
【００２５】ワイヤボンディング装置３０はワイヤ素材
５８の先端で生成されるボールの周囲にガスを供給する
ことによってガス雰囲気を形成するためのチューブ４３
を備えており、このガス供給手段としてのチューブ４３
は放電電極４１にチューブ開口部をキャピラリー３６の
下方位置に向けて取り付けられている。チューブ４３に
は還元作用のある還元性ガス４５、例えば、窒素ガスと
水素ガスとの混合ガス等を供給するためのガス供給源４
４が接続されており、チューブ４３の内部にはガス加熱
手段としてのヒータ４６が挿入されている。ヒータ４６
はガス供給源４４から供給された還元性ガス４５をチュ
ーブ４３とヒータ４６との隙間を通過する際に加熱する
ことにより、所定の温度に制御し得るように構成されて
いる。The wire bonding apparatus 30 includes a tube 43 for forming a gas atmosphere by supplying gas around a ball generated at the tip of a wire material 58.
And a tube 43 as the gas supply means.
Is attached to the discharge electrode 41 with the tube opening facing the position below the capillary 36. A gas supply source 4 for supplying a reducing gas 45 having a reducing action, for example, a mixed gas of nitrogen gas and hydrogen gas, to the tube 43 is provided.
4 is connected, and a heater 46 as a gas heating means is inserted into the tube 43. Heater 46
Is configured to be able to control the temperature to a predetermined temperature by heating the reducing gas 45 supplied from the gas supply source 44 when passing through the gap between the tube 43 and the heater 46.
【００２６】一方、フィーダ３１の底部には多連リード
フレームの酸化を防止するための還元性ガス（以下、リ
ードフレーム酸化防止用ガスという。）５０を供給する
手段としての還元性ガス供給装置５１が設備されてお
り、還元性ガス供給装置５１は吹出口５２を備えてい
る。吹出口５２は多連リードフレーム１１の周囲にリー
ドフレーム酸化防止用ガス５０を緩やかに吹き出し得る
ように、フィーダ３１の上面に複数個開設されており、
この吹出口５２群にはガス供給路５３が接続されてい
る。ガス供給路５３はガス供給ユニット５４に接続され
ており、ガス供給ユニット５４は還元性ガス、例えば、
窒素および水素から成る混合ガスを、予め設定された流
量をもって供給し得るように構成されている。On the other hand, at the bottom of the feeder 31, a reducing gas supply device 51 is provided as a means for supplying a reducing gas (hereinafter referred to as a lead frame oxidation preventing gas) 50 for preventing oxidation of the multiple lead frames. Is provided, and the reducing gas supply device 51 has an outlet 52. A plurality of outlets 52 are provided on the upper surface of the feeder 31 so that the lead frame oxidation preventing gas 50 can be gently blown around the multiple lead frame 11.
A gas supply path 53 is connected to the outlet 52 group. The gas supply path 53 is connected to a gas supply unit 54, and the gas supply unit 54 is provided with a reducing gas, for example,
It is configured such that a mixed gas composed of nitrogen and hydrogen can be supplied at a preset flow rate.
【００２７】フィーダ３１上にはカバー５５がフィーダ
３１を送られる多連リードフレーム１１を略全体にわた
って被覆するように設備されており、カバー５５は多連
リードフレーム１１の周囲に供給されたリードフレーム
酸化防止用ガス５０を多連リードフレーム１１の周囲に
可及的に停滞させるようになっている。カバー５５には
窓孔５６がキャピラリー３６の真下におけるボンディン
グステージとなる位置に配されて、ワイヤボンディング
を実施し得る大きさの略正方形形状に開設されている。
窓孔５６には略正方形枠形状に形成されたリードフレー
ム押さえ具５７が昇降自在に嵌合されており、リードフ
レーム押さえ具５７はカム機構等の適当な駆動装置（図
示せず）によりフィーダ３１の間欠送り作動に連携して
上下動するように構成されている。すなわち、リードフ
レーム押さえ具５７はワイヤボンディングが実施される
時に単位リードフレーム１２を上から押さえることによ
り、リードフレームの遊動を防止するように構成されて
いる。A cover 55 is provided on the feeder 31 so as to cover substantially the entire multiple lead frame 11 to which the feeder 31 is fed, and the cover 55 is provided with the lead frame supplied around the multiple lead frame 11. The antioxidant gas 50 is caused to stay as much as possible around the multiple lead frame 11. A window hole 56 is provided in the cover 55 at a position directly below the capillary 36 to be a bonding stage, and is formed in a substantially square shape large enough to perform wire bonding.
A lead frame retainer 57 formed in a substantially square frame shape is fitted in the window hole 56 so as to be able to move up and down, and the lead frame retainer 57 is fed by a suitable driving device (not shown) such as a cam mechanism. It is configured to move up and down in cooperation with the intermittent feed operation. That is, the lead frame holding member 57 is configured to hold the unit lead frame 12 from above when wire bonding is performed, thereby preventing the lead frame from floating.
【００２８】次に、以上のように構成されたワイヤボン
ディング装置によるワイヤボンディング方法を説明す
る。単位リードフレーム１２がフィーダ３１におけるボ
ンディングステージにピッチ送りされて間欠停止される
と、窓孔５６内においてリードフレーム押さえ具５７が
下降されることにより、単位リードフレーム１２がリー
ドフレーム押さえ具５７により押さえ付けられる。その
後、ＸＹテーブル３３が適宜移動される。Next, a wire bonding method using the wire bonding apparatus configured as described above will be described. When the unit lead frame 12 is pitch-fed to the bonding stage of the feeder 31 and is intermittently stopped, the lead frame presser 57 is lowered in the window hole 56, and the unit lead frame 12 is pressed by the lead frame presser 57. Attached. Thereafter, the XY table 33 is appropriately moved.
【００２９】他方、キャピラリー３６においては、放電
電極４１が金線等からなるワイヤ素材５８の下端に接近
されるとともに、電源回路４２が閉じられることにより
ワイヤ素材５８の先端にボール５９が溶融形成される。
このとき、チューブ４３から還元性ガス４５が供給さ
れ、ワイヤ素材５８と放電電極４１との間が還元性ガス
雰囲気に保持される。続いて、キャピラリー３６がボン
ディングアーム３５を介してボンディングヘッド３４に
より下降され、ワイヤ素材５８の先端部に形成されたボ
ール５９が、ペレット２２のパッド２３に押着される。
このとき、キャピラリー３６に超音波振動が付勢される
とともに、ペレット２２がヒートブロック３２によって
加熱されているため、ボール５９はペレット２２のパッ
ド２３上に超音波熱圧着される。On the other hand, in the capillary 36, the discharge electrode 41 approaches the lower end of the wire material 58 made of a gold wire or the like, and the power supply circuit 42 is closed, so that the ball 59 is melt-formed at the tip of the wire material 58. You.
At this time, the reducing gas 45 is supplied from the tube 43, and the space between the wire material 58 and the discharge electrode 41 is maintained in the reducing gas atmosphere. Subsequently, the capillary 36 is lowered by the bonding head 34 via the bonding arm 35, and the ball 59 formed at the tip of the wire material 58 is pressed against the pad 23 of the pellet 22.
At this time, the ultrasonic vibration is applied to the capillary 36 and the pellets 22 are heated by the heat block 32, so that the balls 59 are ultrasonically thermocompression-bonded onto the pads 23 of the pellets 22.
【００３０】第１ボンディング部が形成された後、キャ
ピラリー３６がＸＹテーブル３３およびボンディングヘ
ッド３４により３次元的に相対移動され、インナリード
１９の先端部にワイヤ素材５８の中間部が押着される。
このとき、キャピラリー３６に超音波振動が付勢される
とともに、インナリード１９がヒートブロック３２によ
り加熱されているため、ワイヤ素材５８の中間部がイン
ナリード１９の先端部に超音波熱圧着され、第２ボンデ
ィング部が形成される。After the first bonding portion is formed, the capillary 36 is three-dimensionally moved relative to each other by the XY table 33 and the bonding head 34, and the intermediate portion of the wire material 58 is pressed to the tip of the inner lead 19. .
At this time, the ultrasonic vibration is applied to the capillary 36 and the inner lead 19 is heated by the heat block 32. Therefore, the intermediate portion of the wire material 58 is ultrasonically thermocompression-bonded to the tip of the inner lead 19, A second bonding portion is formed.
【００３１】第２ボンディング部が形成されると、クラ
ンパ３９によりワイヤ素材５８が把持され、クランパ３
９がキャピラリー３６と共に第２ボンディング部から相
対的に離反移動される。この離反移動により、ワイヤ素
材５８は第２ボンディング部から引き千切られる。これ
によって、ペレット２２のパッド２３とインナリード１
９との間には、ワイヤ２４が橋絡されたことになる。When the second bonding portion is formed, the wire material 58 is gripped by the clamper 39 and
9 is relatively moved away from the second bonding portion together with the capillary 36. Due to this separation movement, the wire material 58 is cut off from the second bonding portion. Thereby, the pad 23 of the pellet 22 and the inner lead 1
9, the wire 24 is bridged.
【００３２】その後、第２ボンディング作業を終えたワ
イヤ素材５８とキャピラリー３６とが若干相対移動され
ることにより、ワイヤ素材５８の先端部がボール５９の
成形に必要な長さだけ相対的に突き出される。所謂、テ
ール出し動作である。以降、前記作動が繰り返し実施さ
れることにより、残りのパッド２３と各インナリード１
９との間にワイヤ２４が順次橋絡されて行く。一つの単
位リードフレーム１２についてのワイヤボンディング作
業が終了すると、リードフレーム押さえ具５７が上昇さ
れ、次の単位リードフレーム１２がボンディングステー
ジの所へ位置するように多連リードフレーム１１が１ピ
ッチ送られる。以後、各単位リードフレーム１２につい
て前記ワイヤボンディング作業が順次実施されて行く。Thereafter, the wire material 58 after the second bonding operation and the capillary 36 are slightly moved relative to each other, so that the distal end of the wire material 58 is relatively protruded by a length necessary for forming the ball 59. You. This is a so-called tailing operation. Thereafter, the above operation is repeatedly performed, so that the remaining pads 23 and each inner lead 1 are formed.
9, the wires 24 are sequentially bridged. When the wire bonding operation for one unit lead frame 12 is completed, the lead frame presser 57 is raised, and the multiple lead frames 11 are fed by one pitch so that the next unit lead frame 12 is located at the bonding stage. . Thereafter, the wire bonding operation is sequentially performed for each unit lead frame 12.
【００３３】ここで、以上のワイヤボンディング作業に
際して、本実施形態においては下段ワイヤ２４ａと上段
ワイヤ２４ｂとが交互に橋絡されるため、ワイヤボンデ
ィング作業の条件が変更されることになる。すなわち、
第１ボンディング部の位置は外側パッド２３ａと内側パ
ッド２３ｂとで相違し、第２ボンディング部の位置はイ
ンナリード１９の段差１９ａとインナリード１９の先端
部上面１９ｂとで相違するため、下段ワイヤ２４ａに対
するボンディング作業実施時におけるＸＹテーブル３３
およびボンディングヘッド３４の操作条件と、上段ワイ
ヤ２４ｂのボンディング作業実施時におけるＸＹテーブ
ル３３およびボンディングヘッド３４の操作条件とは異
なることになる。Here, in the above wire bonding operation, in the present embodiment, the lower wire 24a and the upper wire 24b are alternately bridged, so that the conditions of the wire bonding operation are changed. That is,
Since the position of the first bonding portion is different between the outer pad 23a and the inner pad 23b, and the position of the second bonding portion is different between the step 19a of the inner lead 19 and the upper surface 19b of the tip of the inner lead 19, the lower wire 24a is different. XY table 33 at the time of performing the bonding operation for
The operating conditions of the bonding head 34 are different from the operating conditions of the XY table 33 and the bonding head 34 when the upper wire 24b is bonded.
【００３４】本実施形態においては、図５に示されてい
るように、まず、下段ワイヤ２４ａの全てがワイヤボン
ディングされた後に、上段ワイヤ２４ｂの全てがワイヤ
ボンディングされる。このように下段ワイヤ２４ａ群お
よび上段ワイヤ２４ｂ群毎にワイヤボンディング作業を
実施した方が作業能率がよい。なぜならば、ワイヤボン
ディング作業を上下２段を交互に実施して行くと、ＸＹ
テーブル３３およびボンディングヘッド３４の操作条件
が各ワイヤボンディング毎に１回ずつ変更設定されて行
くことになり、作業能率が大幅に低下してしまうためで
ある。In this embodiment, as shown in FIG. 5, first, all of the lower wires 24a are wire-bonded, and then all of the upper wires 24b are wire-bonded. As described above, the efficiency of the operation is better when the wire bonding operation is performed for each of the lower wire group 24a and the upper wire group 24b. This is because if the wire bonding operation is performed alternately in the upper and lower two stages, XY
This is because the operating conditions of the table 33 and the bonding head 34 are changed and set once for each wire bonding, and the work efficiency is greatly reduced.
【００３５】また、ワイヤボンディング作業の順序とし
ては、下段ワイヤ２４ａ群についてのワイヤボンディン
グ作業を先に実施した方が、作業能率がよい。なぜなら
ば、インナリード１９の段差１９ａの方がインナリード
１９の先端部上面１９ｂよりも早く所定のボンディング
可能温度に達することにより、ワイヤボンディング作業
を早く開始することができるためである。そして、下段
ワイヤ２４ａについてワイヤボンディング作業が実施さ
れている間に、インナリード１９の先端部上面１９ｂの
温度がボンディング可能温度に達することになる。As for the order of the wire bonding work, it is more efficient to perform the wire bonding work for the lower wire group 24a first. This is because the step 19a of the inner lead 19 reaches a predetermined bondable temperature earlier than the upper surface 19b of the tip portion of the inner lead 19, so that the wire bonding operation can be started earlier. Then, while the wire bonding operation is being performed on the lower wire 24a, the temperature of the upper surface 19b of the distal end portion of the inner lead 19 reaches the bondable temperature.
【００３６】以上のようにしてペレットおよびワイヤ・
ボンディングされた組立体２５には、各単位リードフレ
ーム毎に樹脂封止する樹脂封止体２６が、図６に示され
ているようなトランスファ成形装置６０が使用されて、
単位リードフレーム群について同時成形される。As described above, the pellet and the wire
In the bonded assembly 25, a resin sealing body 26 for performing resin sealing for each unit lead frame is formed by using a transfer molding apparatus 60 as shown in FIG.
Simultaneous molding is performed for the unit lead frame group.
【００３７】図６に示されているトランスファ成形装置
６０は、シリンダ装置等（図示せず）によって互いに型
締めされる一対の上型６１と下型６２とを備えており、
上型６１と下型６２との合わせ面には上型キャビティー
凹部６３ａと下型キャビティー凹部６３ｂとが互いに協
働してキャビティー６３を形成するようにそれぞれ複数
組没設されている。上型６１の合わせ面にはポット６４
が開設されており、ポット６４にはシリンダ装置（図示
せず）により進退されるプランジャ６５が成形材料とし
ての樹脂（以下、レジンという。）を送給し得るように
挿入されている。下型６２の合わせ面にはカル６６がポ
ット６４との対向位置に配されて没設されているととも
に、複数条のランナ６７がポット６４にそれぞれ接続す
るように放射状に配されて没設されている。各ランナ６
７の他端部は下型キャビティー凹部６３ｂにそれぞれ接
続されており、その接続部にはゲート６８がレジンをキ
ャビティー６３内に注入し得るように形成されている。
また、下型６２の合わせ面にはリードフレーム逃げ凹所
６９がリードフレームの厚みを逃げ得るように、多連リ
ードフレーム１１の外形よりも若干大きめの長方形で、
その厚さと略等しい寸法の一定深さに没設されている。The transfer molding apparatus 60 shown in FIG. 6 includes a pair of upper mold 61 and lower mold 62 which are clamped to each other by a cylinder device or the like (not shown).
On the mating surface of the upper mold 61 and the lower mold 62, a plurality of sets of upper mold cavity concavities 63a and lower mold cavity concavities 63b are respectively provided so as to form cavities 63 in cooperation with each other. Pot 64 on the mating surface of upper mold 61
A plunger 65 which is advanced and retracted by a cylinder device (not shown) is inserted into the pot 64 so as to be able to feed a resin (hereinafter, referred to as resin) as a molding material. On the mating surface of the lower mold 62, a cull 66 is disposed at a position facing the pot 64 and is laid down, and a plurality of runners 67 are radially disposed so as to be connected to the pot 64 and laid down. ing. Each runner 6
The other end of 7 is connected to the lower cavity recess 63b, and a gate 68 is formed at the connection so that the resin can be injected into the cavity 63.
In addition, a rectangular shape slightly larger than the outer shape of the multiple lead frame 11 is formed on the mating surface of the lower mold 62 so that the lead frame escape recess 69 can escape the thickness of the lead frame.
It is immersed at a certain depth with dimensions almost equal to its thickness.
【００３８】前記構成にかかる組立体２５が用いられて
樹脂封止体２６がトランスファ成形される場合、上型６
１および下型６２における各キャビティー６３は各単位
リードフレーム１２における一対のダム１６ａ、１６ａ
間の空間にそれぞれ対応される。トランスファ成形時に
おいて、組立体２５は多連リードフレーム１１が下型６
２に没設されているリードフレーム逃げ凹所６９内に収
容され、各単位リードフレーム１２におけるペレット２
２が各キャビティー６３内にそれぞれ収容されるように
配されてセットされる。When the resin sealing body 26 is transfer-molded by using the assembly 25 according to the above configuration, the upper mold 6
Each cavity 63 in the first and lower molds 62 is a pair of dams 16a, 16a in each unit lead frame 12.
It corresponds to the space between them. At the time of transfer molding, the multiple lead frame 11 is
The pellet 2 in each unit lead frame 12 is accommodated in the lead frame escape recess 69 submerged in
2 are arranged and set so as to be accommodated in the respective cavities 63.
【００３９】続いて、上型６１と下型６２とが型締めさ
れ、ポット６４からプランジャ６５によりレジン７０が
ランナ６７およびゲート６８を通じて各キャビティー６
３に送給されて圧入される。Subsequently, the upper mold 61 and the lower mold 62 are clamped, and the resin 70 is moved from the pot 64 by the plunger 65 through the runner 67 and the gate 68 to each cavity 6.
3 and press-fitted.
【００４０】ここで、レジン７０はキャビティー６３に
勢いよく注入されるため、橋絡されたワイヤが注入され
たレジン７０の流れによって押し流されることがある。
ワイヤが設計された位置に対して大きく押し流される
と、ワイヤショート不良が発生してしまう。しかし、本
実施形態においては、外側パッド２３ａとインナリード
１９の段差１９ａとの間に橋絡された下段ワイヤ２４ａ
と、内側パッド２３ｂとインナリード１９の先端部上面
１９ｂとの間に橋絡された上段ワイヤ２４ｂとが交互に
隣合わせに配置されることにより、隣合う下段ワイヤ２
４ａと上段ワイヤ２４ｂとの間隔が広くなっているた
め、万一、ワイヤ流れが発生したとしても、ワイヤショ
ート不良の発生は引き起こされない。Here, since the resin 70 is vigorously injected into the cavity 63, the bridged wire may be swept away by the flow of the injected resin 70.
If the wire is largely swept away from the designed position, a wire short-circuit defect occurs. However, in this embodiment, the lower wire 24a bridged between the outer pad 23a and the step 19a of the inner lead 19 is used.
And the upper wire 24b bridged between the inner pad 23b and the tip upper surface 19b of the inner lead 19 are alternately arranged adjacent to each other, so that the lower wire 2
Since the distance between the upper wire 4a and the upper wire 24b is wide, even if a wire flow occurs, a wire short-circuit failure does not occur.
【００４１】注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止体
２６が成形されると、上型６１および下型６２は型開き
されるとともに、エジェクタ・ピン（図示せず）により
樹脂封止体２６が離型される。樹脂封止体２６群が成形
されて離型された成形体はトランスファ成形装置６０か
ら脱装される。そして、図７に示されているように、成
形体２７における樹脂封止体２６の内部には、タブ１
８、ペレット２２、インナリード１９群およびワイヤ２
４群が樹脂封止された状態になっている。After the injection, when the resin is thermally cured to form the resin sealing body 26, the upper mold 61 and the lower mold 62 are opened, and the resin sealing body 26 is ejected by an ejector pin (not shown). 26 is released. The molded body from which the resin sealing body 26 group has been molded and released from the mold is removed from the transfer molding device 60. As shown in FIG. 7, a tab 1 is provided inside the resin sealing body 26 in the molded body 27.
8, pellet 22, inner lead 19 group and wire 2
Four groups are in a resin-sealed state.
【００４２】樹脂封止体２６を成形された成形体２７は
リード切断成形工程（図示せず）において各単位リード
フレーム毎に順次、外枠１３、セクション枠１４および
ダム１６ａを切り落とされるとともに、各アウタリード
２０をガル・ウイング形状に屈曲形成される。以上のよ
うにして、図１に示されている前記構成に係るＱＦＰ・
ＩＣ２８が製造されたことになる。In the lead cutting and forming step (not shown), the molded body 27 in which the resin sealing body 26 has been molded is cut off the outer frame 13, the section frame 14 and the dam 16a sequentially for each unit lead frame. The outer lead 20 is bent and formed in a gull-wing shape. As described above, the QFP according to the configuration shown in FIG.
The IC 28 has been manufactured.
【００４３】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。 外側パッド２３ａとインナリード１９の段差１９ａ
との間に下段ワイヤ２４ａを、内側パッド２３ｂとイン
ナリード１９の先端部上面１９ｂとの間に上段ワイヤ２
４ｂをそれぞれボンディングするとともに、下段ワイヤ
２４ａと上段ワイヤ２４ｂとを交互に隣合わせに配置す
ることにより、隣合う下段ワイヤ２４ａと上段ワイヤ２
４ｂとの間隔を広く設定することができるため、万一、
樹脂封止体２６の成形に際してワイヤ流れが発生したと
しても、ワイヤショート不良の発生は防止することがで
きる。According to the above embodiment, the following effects can be obtained. Step 19a between outer pad 23a and inner lead 19
And the lower wire 24a between the inner pad 23b and the top surface 19b of the tip of the inner lead 19.
4b, and the lower wire 24a and the upper wire 24b are alternately arranged adjacent to each other, so that the adjacent lower wire 24a and upper wire 2
4b can be set wider,
Even if a wire flow occurs at the time of molding the resin sealing body 26, it is possible to prevent the occurrence of a wire short-circuit failure.
【００４４】 下段ワイヤ２４ａと上段ワイヤ２４ｂ
との間隔を従来の隣合うワイヤ同士の接触に対する余裕
（マージン）と同一に設定した場合には、下段ワイヤ２
４ａが橋絡される段差１９ａのインナリード１９と、上
段ワイヤ２４ｂが橋絡される先端部上面１９ｂのインナ
リード１９との間のピッチを広く設定することができる
ため、リードフレームの加工限界に対処することができ
る。The lower wire 24a and the upper wire 24b
Is set to be equal to the conventional margin for contact between adjacent wires, the lower wire 2
Since the pitch between the inner lead 19 of the step 19a where the upper wire 24b is bridged and the inner lead 19 of the upper surface 19b of the tip portion where the upper wire 24b is bridged can be set wider, the processing limit of the lead frame is reduced. I can deal with it.
【００４５】 下段ワイヤ２４ａの全てをワイヤボン
ディングした後に、上段ワイヤ２４ｂの全てをワイヤボ
ンディングすることにより、ワイヤボンディング作業の
能率を高めることができる。After all of the lower wires 24a are wire-bonded, all of the upper wires 24b are wire-bonded, so that the efficiency of the wire bonding operation can be improved.
【００４６】 下段ワイヤ２４ａ群についてのワイヤ
ボンディング作業を上段ワイヤ２４ｂについてのワイヤ
ボンディング作業よりも先に実施することにより、ワイ
ヤボンディング作業の能率を高めることができる。The efficiency of the wire bonding operation can be increased by performing the wire bonding operation on the lower-stage wires 24a before the wire bonding operation on the upper-stage wires 24b.
【００４７】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention is not limited to the embodiment, and various changes can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.
【００４８】例えば、段差はインナリードに１個置きに
形成するに限らず、全てのインナリードに形成してもよ
い。この場合、上段ワイヤの第２ボンディング位置はイ
ンナリードにおける段差の外寄りに配置されることにな
る。For example, the steps are not limited to being formed every other inner lead, but may be formed on all the inner leads. In this case, the second bonding position of the upper wire is located outside the step in the inner lead.
【００４９】段差はインナリードの先端部にエッチング
加工によって形成するに限らず、段差に対応する領域に
凹部が形成された異形のリードフレーム素板を使用し
て、リードフレームと共にプレス加工によって成形して
もよい。The step is not limited to being formed by etching at the tip of the inner lead, and is formed by pressing together with the lead frame using a deformed lead frame base plate having a recess formed in a region corresponding to the step. You may.
【００５０】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である樹脂封
止形ＱＦＰ・ＩＣに適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、その他の樹脂封止形パ
ッケージを備えているＩＣ等の半導体装置全般に適用す
ることができる。特に、本発明は多ピンを備えている半
導体装置に適用して優れた効果が奏される。In the above description, the case where the invention made by the present inventor is applied to the resin-encapsulated QFP / IC, which is the application field as the background, has been mainly described.
The present invention is not limited to this, and can be applied to general semiconductor devices such as ICs provided with other resin-sealed packages. In particular, the present invention has an excellent effect when applied to a semiconductor device having multiple pins.
【００５１】[0051]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。The effects obtained by typical aspects of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.
【００５２】インナリード群の少なくとも複数本に段差
を形成し半導体ペレットとの間に橋絡されるワイヤ群の
インナリード側ボンディング端部をインナリード群に交
互に上段と下段との関係になるようにボンディングする
ことにより、隣合うワイヤ同士が上段と下段との関係に
なって互いの間隔が広くなるため、同一のピッチであれ
ば、隣合うワイヤ同士が上段と下段との関係に無い場合
に比べて隣合うワイヤ同士の接触を防止することができ
る。また、隣合うワイヤ同士の接触に対する余裕（マー
ジン）を同一になるように設定した場合には、隣合うイ
ンナリード間のピッチを広く設定することができる。Steps are formed in at least a plurality of the inner lead groups, and the bonding ends of the inner lead side of the wire group bridged between the inner lead group and the semiconductor pellet are alternately formed in the inner lead group in a relation between the upper stage and the lower stage. By bonding to adjacent wires, the adjacent wires are in the relationship between the upper and lower stages and the interval between them is widened. Therefore, if the same pitch is used, when the adjacent wires are not in the relationship between the upper and lower stages, In comparison, contact between adjacent wires can be prevented. Also, when the margins for contact between adjacent wires are set to be the same, the pitch between adjacent inner leads can be set wide.
【図１】本発明の一実施形態であるＱＦＰ・ＩＣを示し
ており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は主要部の樹脂封
止体を省略した拡大斜視図である。1A and 1B show a QFP IC according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a front sectional view, and FIG. 1B is an enlarged perspective view in which a main part of a resin sealing body is omitted.
【図２】本発明の一実施形態であるＱＦＰ・ＩＣの製造
方法に使用される多連リードフレームを示す一部省略平
面図である。FIG. 2 is a partially omitted plan view showing a multiple lead frame used in a method of manufacturing a QFP / IC according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施形態であＱＦＰ・ＩＣの製造方
法におけるペレットボンディングおよびワイヤボンディ
ング工程後を示しており、（ａ）は一部省略平面図、
（ｂ）は正面断面図である。FIG. 3 shows a state after a pellet bonding step and a wire bonding step in a method of manufacturing a QFP / IC according to an embodiment of the present invention, and FIG.
(B) is a front sectional view.
【図４】同じくワイヤボンディング工程を示す一部切断
正面図である。FIG. 4 is a partially cut front view showing the wire bonding step.
【図５】同じく主要部の斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of the main part.
【図６】樹脂封止体成形工程を示す側面断面図である。FIG. 6 is a side sectional view showing a resin sealing body forming step.
【図７】樹脂封止体成形工程後を示しており、（ａ）は
一部省略一部切断平面図、（ｂ）は一部切断正面図であ
る。7A and 7B show a state after a resin sealing body forming step, in which FIG. 7A is a partially cutaway plan view with a part omitted, and FIG. 7B is a partially cutaway front view.
１１…多連リードフレーム、１２…単位リードフレー
ム、１３…外枠、１４…セクション枠、１５…ダム吊り
部材、１６…ダム部材、１６ａ…ダム、１７…タブ吊り
リード、１８…タブ、１９…インナリード、１９ａ…段
差、１９ｂ…先端部上面、２０…アウタリード、２１…
ボンディング層、２２…ペレット、２３…パッド、２３
ａ…外側パッド、２３ｂ…内側パッド、２４…ワイヤ、
２４ａ…下段ワイヤ、２４ｂ…上段ワイヤ、２５…組立
体、２６…樹脂封止体、２７…成形体、２８…ＱＦＰ・
ＩＣ（半導体装置）、３０…ワイヤボンディング装置、
３１…フィーダ、３２…ヒートブロック、３３…ＸＹテ
ーブル、３４…ボンディングヘッド、３５…ボンディン
グアーム、３６…キャピラリー、３７、３８…クランパ
アーム、３９…クランパ、４０…ガイド、４１…放電電
極、４２…電源回路、４３…チューブ、４４…ガス供給
源、４５…還元性ガス、４６…ヒータ、５０…リードフ
レーム酸化防止用ガス、５１…還元性ガス供給装置、５
２…吹出口、５３…ガス供給路、５４…ガス供給ユニッ
ト、５５…カバー、５６…窓孔、５７…リードフレーム
押さえ具、５８…ワイヤ素材、５９…ボール、６０…ト
ランスファ成形装置、６１…上型、６２…下型、６３…
キャビティー、６４…ポット、６５…プランジャ、６６
…カル、６７…ランナ、６８…ゲート、６９…リードフ
レーム逃げ凹所、７０…レジン。11: Multiple lead frame, 12: Unit lead frame, 13: Outer frame, 14: Section frame, 15: Dam hanging member, 16: Dam member, 16a: Dam, 17: Tab hanging lead, 18: Tab, 19 ... Inner lead, 19a: step, 19b: upper surface of tip end, 20: outer lead, 21 ...
Bonding layer, 22: pellet, 23: pad, 23
a ... outer pad, 23b ... inner pad, 24 ... wire,
24a: lower wire, 24b: upper wire, 25: assembly, 26: resin sealing body, 27: molded body, 28: QFP
IC (semiconductor device), 30 ... wire bonding device,
31 ... feeder, 32 ... heat block, 33 ... XY table, 34 ... bonding head, 35 ... bonding arm, 36 ... capillary, 37, 38 ... clamper arm, 39 ... clamper, 40 ... guide, 41 ... discharge electrode, 42 ... Power supply circuit, 43: tube, 44: gas supply source, 45: reducing gas, 46: heater, 50: lead frame oxidation preventing gas, 51: reducing gas supply device, 5
2 ... Blow-out port, 53 ... Gas supply path, 54 ... Gas supply unit, 55 ... Cover, 56 ... Window hole, 57 ... Lead frame holder, 58 ... Wire material, 59 ... Ball, 60 ... Transfer molding device, 61 ... Upper mold, 62 ... Lower mold, 63 ...
Cavity, 64 pot, 65 plunger, 66
... Cul, 67 ... Runner, 68 ... Gate, 69 ... Lead frame escape recess, 70 ... Resin.
Claims (7)
ットと、半導体ペレットがボンディングされているタブ
と、タブの周囲に放射状に配線されている複数本のイン
ナリードと、各インナリードと半導体ペレットとの間に
それぞれ橋絡されているワイヤ群と、各インナリードに
それぞれ一体的に連設されているアウタリード群と、前
記半導体ペレット、インナリード群およびワイヤ群を樹
脂封止する樹脂封止体とを備えている半導体装置におい
て、 前記インナリード群の少なくとも複数本に段差が形成さ
れており、前記ワイヤ群のインナリード側ボンディング
端部がインナリード群に交互に上段と下段との関係にな
るようにボンディングされていることを特徴とする半導
体装置。1. A semiconductor pellet in which an electronic circuit is built, a tab to which the semiconductor pellet is bonded, a plurality of inner leads radially wired around the tab, each inner lead and the semiconductor pellet. , An outer lead group integrally connected to each inner lead, and a resin sealing body for resin sealing the semiconductor pellet, the inner lead group, and the wire group. Wherein a step is formed in at least a plurality of the inner lead groups, and the inner lead side bonding ends of the wire groups alternately have an upper and lower relation in the inner lead group. Semiconductor device characterized by being bonded as described above.
形成されており、前記ワイヤ群のインナリード側ボンデ
ィング端部が１個置きに段差の下段にボンディングされ
ていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。2. The method according to claim 1, wherein the steps are alternately formed on adjacent inner leads, and the bonding ends of the inner lead side of the wire group are bonded to every other one at the lower stage of the steps. 2. The semiconductor device according to 1.
されており、前記ワイヤ群のインナリード側ボンディン
グ端部が交互に段差の上段と下段とにボンディングされ
ていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。3. The step is formed in all the inner lead groups, and the bonding ends of the inner lead side of the wire group are alternately bonded to the upper step and the lower step of the step. 2. The semiconductor device according to 1.
チング加工によって形成されていることを特徴とする請
求項１、２または３に記載の半導体装置。4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the step is formed at an end of the inner lead by etching.
であって、 前記インナリード群の少なくとも複数本に段差が形成さ
れているリードフレームが準備されるリードフレーム製
造工程と、 前記リードフレームのタブに前記半導体ペレットがボン
ディングされるペレットボンディング工程と、 前記ワイヤ群のインナリード側ボンディング端部が前記
インナリード群に交互に上段と下段との関係になるよう
にボンディングされるワイヤボンディング工程と、 前記半導体ペレット、インナリード群およびワイヤ群を
樹脂封止する樹脂封止体が成形される樹脂封止体成形工
程と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a lead frame in which a step is formed in at least a plurality of the inner lead groups is prepared, and wherein the lead frame is provided. A pellet bonding step in which the semiconductor pellets are bonded to the tabs; and a wire bonding step in which the inner lead side bonding end of the wire group is alternately bonded to the inner lead group so as to have a relationship between an upper stage and a lower stage. A resin molded body molding step of molding a resin molded body for resin sealing the semiconductor pellet, the inner lead group and the wire group.
上側または下側となるワイヤ群についてワイヤボンディ
ングが実施された後に、他の側となるワイヤ群について
ワイヤボンディングが実施されることを特徴とする請求
項５に記載の半導体装置の製造方法。6. In the wire bonding step,
6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein after performing the wire bonding on the upper or lower wire group, the wire bonding is performed on the other wire group.
あって、前記インナリード群の少なくとも複数本に段差
が形成されていることを特徴とするリードフレーム。7. The lead frame according to claim 5, wherein a step is formed in at least a plurality of the inner lead groups.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8305701A JPH10135399A (en) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | Semiconductor device, manufacture thereof and lead frame using it |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8305701A JPH10135399A (en) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | Semiconductor device, manufacture thereof and lead frame using it |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135399A true JPH10135399A (en) | 1998-05-22 |
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ID=17948328
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8305701A Pending JPH10135399A (en) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | Semiconductor device, manufacture thereof and lead frame using it |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135399A (en) |
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