JPH0374554B2

JPH0374554B2 -

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Publication number: JPH0374554B2
Application number: JP57150122A
Authority: JP
Priority date: 1982-08-31
Filing date: 1982-08-31
Publication date: 1991-11-27
Also published as: JPS5940779A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、固体撮像素子を用いて撮像する電子
スチルカメラ或いはシヤツタータイム可変ビデオ
カメラに用いて好適なインターライン転送CCD
の駆動装置に関する。

電子スチルカメラ、例えば特開昭49−52912号
公報に示されているような電子的撮像手段とそれ
により得られる電気信号を記録或いは再生できる
ような電気又は磁気的記録手段とを有する静止画
撮影記録用のカメラ、或いはシヤツタータイム可
変式のビデオカメラ等に用いる固体撮像素子に電
子的にシヤツター機能を持たせる場合、従来から
固体撮像素子としてインターライン転送CCDを
用いることが知られている。

ところで、従来のインターライン転送CCDの
構造の代表的な例を部分的に示すと第１ａおよび
１ｂ図の通りである。すなわち受光部としてのフ
オトダイオードアレイ１を挾んでその片側に過剰
電荷の排出手段となるオーバーフロードレイン２
を、他の片側に信号電荷の垂直転送用のCCDか
らなる垂直転送部３をそれぞれ並置し、フオトダ
イオードアレイ１とオーバーフロードレイン２と
の間にはオーバーフロー電位を制御するためのオ
ーバーフローコントロールゲート４を設け、また
フオトダイオードアレイ１と垂直転送部３との間
にはフオトダイオードアレイ１に蓄積された信号
電荷を垂直転送部３の転送電極３−１の下の埋め
込みチヤネル３−２に転送するためのトランスフ
アーゲート５を設け、これをインターライン転送
CCDの垂直方向の受光・転送チヤネルの１素子
単位として、各単位間に電荷の水平方向への拡が
りを防止するためのチヤネルストツプ６を配置し
てこれら素子単位を複数配列することにより２次
元イメージセンサとして構成してなるものであ
る。尚、垂直転送電極３−１と埋め込みチヤネル
３−２とで形成された垂直転送部３では、第１ｂ
図の下方に位置的に合わせて示した第１ｃ図のポ
テンシヤル線図に示すように、垂直転送にあたり
電極３−２の下部の電位が実線位置と破線位置と
の間で上下することになる。

このような構造の従来のインターライン転送
CCDに電子的なシヤツター機能を持たせるには、
受光部フオトダイオードアレイに蓄積されている
電荷を先ず一括して排出したのち必要時間の露光
を行なつて、この露光の完了時点で何等かの手段
によりすでに不要電荷を排出済みの垂直転送電極
下に前記露光で得られたフオトダイオードの信号
電荷を転送するという動作機能が要求される。こ
のため従来の駆動装置では、露光に先立つフオト
ダイオードアレイ１の不要電荷の一括排出につい
てはオーバーフローコントロールゲート４に高電
圧を印加してフオトダイオードとオーバーフロー
ドレインとの間のポテンシヤル障壁を下げること
で行ない、垂直転送電極３−１の下の不要電荷は
露光完了後の転送以前に垂直転送及び水平転送を
行なうことで、信号電荷と同じ経路で転送用
CCDの外へ順次排出するようにしてシヤツター
機能を得ていた。

しかしながらこのような従来のインターライン
転送CCDによる電子シヤツター機能には以下に
述べるようにいくつかの問題点がある。

すなわち、その第１は、垂直転送電極下の不要
電荷、例えば暗電流による電荷を排出するのに信
号電荷転送と同じ経路を用いるため、いくら高速
で転送を行なうとしても不要電化の排出に無視で
きない時間を要するという点である。

例えば、露出制御をTTLダイレクト測光方式
で行なう場合について考えると、暗電流等によつ
て垂直転送部３に生成された不要電荷を前記測光
の完了後に排出したのでは、特に高速シヤツター
（露光時間が非常に短い場合）の場合には不要電
荷排出時間が露光時間に加算されるため、その分
だけ露出が過剰になる恐れがある。そこで垂直転
送部３の不要電荷の排出を測光完了前に終了させ
ることが考えられるが、TTLダイレクト測光方
式では予じめシヤツター速度を知ることができな
いから、結局、露光開始前或いは露光開始時点か
ら不要電荷の排出を行なわなければならず、この
ため低速シヤツター（露光時間が非常に長い場
合）の場合に長時間にわたつて転送クロツクを与
えつづけなければならなくなり、消費電力の増大
という問題を生じてしまう。

第２の問題点は、フオトダイオードの不要電荷
をトランスフアーゲートを用いずに、オーバーフ
ローコントロールゲートを用いてオーバーフロー
ドレインに排出したため生じた。すなわち、露光
に先だつて不要電荷をオーバーフロードレインに
排出し、引続きシヤツタータイムに相当する時間
だけ露光した後、フオトダイオードに蓄積された
信号電荷を垂直転送CCDにトランスフアーゲー
トを用いて転送していたが、製造プロセス等の原
因により素子内部に幾何学的寸法、不純物濃度等
の不整、不均一等が生じて、オーバーフローコン
トロールゲートのポテンシヤル障壁の高さとトラ
ンスフアーゲート下のポテンシヤル障壁の高さと
が、１つのフオトダイオードに関して水平方向に
まちまちとなる。さらに前記両ポテンシヤル障壁
は垂直方向にもそれぞれが相互に無関係にまちま
ちである。そのため露光完了後のフオトダイオー
ドから垂直転送CCDへの電荷転送に際し、信号
電荷の不完全転送や逆に余分な電荷までも転送し
て雑音が重畳され、信号電荷のＳ／Ｎを著しく低
下させてしまうという不都合を生じていた。これ
は、結果として画質の劣化につながるため、従
来、オーバーフロードレインへの不要電荷排出機
能を実現させるためには、高い素子の均一性が要
求されるという欠点となつていた。

更に、第３の問題点は、フオトダイオードから
垂直転送CCDへのトランスフアーゲートを用い
た信号電荷転送にあつた。すなわち、従来、トラ
ンスフアーゲートに低電圧を印加することによ
り、トランスフアーゲート下のポテンシヤル障壁
の高さがオーバーフローコントロールゲート下の
ポテンシヤル障壁の高さよりも高くなるようにし
た状態で露光して電荷を蓄積した後、瞬間的にト
ランスフアーゲートに高い電圧パルスを印加して
トランスフアーゲート下のポテンシヤル障壁を下
げ、フオトダイオードから垂直転送CCDへ信号
電荷を転送している。

ところが、フオトダイオードの信号電荷は、こ
のような短時間の転送によつては垂直転送CCD
に完全に転送されず、どうしても信号電荷の一部
がフオトダイオードに残つてしまうという欠点が
あつた。このことは、また露光に先だつ不要電荷
の排出についても問題となり、不要電荷がフオト
ダイオードから完全に排出されず残つてしまい、
本来の露光による信号電荷と混合され、画質を損
なう原因ともなつていた。

第４の問題点は、インターライン転送CCDで
良好なシヤツター機能を得ようとすると素子の電
極構造が複雑となり、そのために製造の歩留りが
低下するという欠点になつていた。しかしなが
ら、この第４の問題点はトランスフアーゲートと
垂直転送電極とを共通にすることで一部解決され
てはいるが全体として依然電極構造が複雑であ
る。

第２ａ図および第２ｂ図に示すものはトランス
フアーゲートを用いずに、垂直転送電極３−１を
フオトダイオードアレイ１寄りに拡大させること
でその役割を兼ねさせ、このようにして前記第４
の欠点である電極構造の複雑さを一部軽減した例
である。すなわち第２ｃ図のポテンシヤル線図に
も示すように、垂直転送電極３−１に破線で示し
た高電圧V_Hを印加すればフオトダイオード１と
転送部チヤネル３−２の間のポテンシヤル障壁が
最も低くなり、それを超えるような電位レベルの
電荷がフオトダイオード１からチヤネル３−２へ
転送され、従つてこのようにフオトダイオード１
にまで張り出した転送電極３−１に高電圧V_Hを
印加することがトランスフアーゲートの機能と等
価となる。その後、垂直方向に電荷を転送するに
は、第２ｃ図の実線に示す如く電圧V_IとV_Lとい
う２つの電圧を電極３−１に繰返し印加すればよ
く、この場合、垂直転送の電極電圧V_IとV_Lとに
よるフオトダイオード１との間のポテンシヤル障
壁は、フオトダイオード１とオーバーフロードレ
イン２との間のポテンシヤル障壁よりも高くなる
ように調整され、従つて垂直転送中にフオトダイ
オード１に光によつて生成された電荷のうちのあ
ふれた分は全てオーバーフロードレイン２を通し
て排出され、垂直転送の障害になることはない。

しかしながらこのように改良されたものでも第
１の欠点である垂直転送部３における不要電荷の
排出を始めとし第２、第３の欠点については第１
ａおよび１ｂ図に示した例と全く同じで変わると
ころがなく、CCD自体の持つ電子シヤツター機
能を用いた電子スチルカメラやシヤツタータイム
可変でストロボ効果を持つビデオカメラに適用し
た際には前述と同様の問題を生じ、実用上満足で
きる性能を持つものとは言えなかつた。

本発明は、これら従来のものの欠点を除去し、
高性能の電子シヤツター機能付き電子スチルカメ
ラ或いはシヤツタータイム可変式ビデオカメラ等
の固体撮像素子に好適なインターライン転送
CCDの駆動装置を提供しようとするものである。
以下、本発明をその実施例図面に基づいて説明す
る。

第３ａ図は本発明に用いられるインターライン
転送CCDの一実施例についてその構造を示す平
面説明図であり、第３ｂ図は第３ａ図においてＡ
−A′で示した部分の断面図である。

これらの図において、３１は受光部フオトダイ
オード、３２はオーバーフロードレイン、３２′
は隣接する他の素子列単位のオーバーフロードレ
イン、３３は垂直転送CCDの埋め込みチヤンネ
ル、３４はオーバーフローコントロールゲート、
３５はトランスフアーゲートである。上記３１〜
３５によつて１つの素子列単位を構成する。本実
施例の場合、垂直転送CCDは４相駆動の場合を
示しており、φ₁〜φ₄が垂直転送CCDの電極を示
している。３６及び３７はチヤネルストツプであ
る。チヤネルストツプ３７は、フオトダイオード
３１で生成した電荷の垂直方向の拡がりを阻止す
る。

本素子が従来の素子と異なる点は、従来水平方
向への電荷の拡がりを阻止するため設けられ、従
つて垂直方向に連続する直線状に設けられていた
チヤネルストツプに、各画素毎に図示の如く切欠
きを設け且つその上に切欠き部の電子に対するポ
テンシヤル障壁をコントロールするゲート３８
（以下これをクリアゲートと呼ぶ。）を設けた点に
ある。

本素子は、第３ｂ図に示すごとく、ｎ型基板上
にボロンイオン等を注入することでｐ層を形成
し、そのｐ層に対して更にリン、ヒ素等をイオン
注入することでｎ及びn⁺層を形成して、オーバ
ーフロードレイン部３２やフオトダイオード部３
１、垂直転送CCDの埋込みチヤンネル部３３が
作られている。

ここで、トランスフアーゲート３５は、もちろ
ん従来例の様に垂直転送CCDの電極を第２ｂ図
の如き構造とすることで代替することも可能であ
る。

第３ｂ図において３９は光遮へい膜であり、フ
オトダイオード部３１以外の部分の露光を防止
し、特に垂直転送CCDに信号電荷が保持され読
み出されている時の信号劣化を防いでいる。ま
た、素子のフオトダイオード部をnpn三層構造と
して周知のようにスミア成分を防止している。

以下、本発明の一実施例に係る駆動装置を本素
子に基づいて説明する。

第４図は、本素子を電子スチルカメラに用いた
場合の主要な駆動パルスのタイミングチヤートを
示している。ψ₁，ψ₂，ψ₃，ψ₄は垂直転送CCDの
４つの転送電極印加電圧波形を示しており、ψ_TG
及びψ_CGは各々トランスフアーゲート及びクリア
ゲート印加電圧波形を示している。

また、第５ａ図〜第５ｇ図は、第４図に示した
各時刻での素子の各部に於ける電子に対するポテ
ンシアル障壁の模式図を示しており、以下では時
間の流れに従つて説明を進めることとする。

本素子を用いた電子スチルカメラは、本実施例
においては撮影露光の前は時刻ｔ＝t₀の状態を保
つている。すなわち、垂直転送電極はψ₁，ψ₂が
高電圧をψ₃，ψ₄が低電圧を印加され、且つψ_CG，
ψ_TGともに低電圧であるためそのポテンシアル障
壁は第５ａ図に示す如くなつている。

第５ａ図において、フオトダイオードの飽和点
を越えた電荷は、オーバーフローコントロールゲ
ート３４下のポテンシアル障壁がトランスフアー
ゲート３５下のポテンシアル障壁より低く設定さ
れているため、オーバーフロードレイン３２に排
出される。

また、垂直転送CCDには図示した如く暗電流
電荷が蓄積されている。この状態から撮影に入る
ときは、まず、時刻ｔ＝t₁でクリアゲート３８に
高電圧を印加してその下のポテンシヤル障壁を下
げると共に、電極φ₁及びφ₂の電圧を下げてその
下のポテンシヤル障壁を持ち上げて、第５ｂ図に
示すように垂直転送CCDの埋め込みチヤンネル
３３の不要電荷を隣接する他の素子列単位のオー
バーフロードレイン３２′に排出する。第５ｂ図
は電極φ₁及びφ₂の下の電子に対するポテンシヤ
ルψ₁，ψ₂がだんだん上昇していく途中を示して
おり、最終的には破線のレベルまで上昇する。垂
直転送CCDの埋め込みチヤンネル３３の不要電
荷は、この動作で、転送動作することなしに、オ
ーバーフロードレイン３２′に一括して排出され
る。

続いて、転送電極φ₁，φ₂の電圧を再び高電圧
とし、時刻ｔ＝t₂でトランスフアーゲート３５に
電圧を印加する。この結果、電極φ₁，φ₂の下の
ポテンシヤル井戸には、フオトダイオード３１か
ら第５ｃ図の如く、トランスフアーゲート印加電
圧ψ_TGにより定まるポテンシヤル障壁を越える電
荷が転送される。この時、トランスフアーゲート
３５に対する電圧印加時間は、充分に長く例えば
1msec程度としても実用上差支えは無い。従つ
て、この転送はほぼ完全転送と考えて良い。

時刻ｔ＝t₃においてトランスフアーゲート３５
への電圧を再び低電圧に復帰し、フオトダイオー
ド３１の一定基準ポテンシヤル障壁を越える電荷
を垂直転送CCD３３に転送した後、時刻ｔ＝t₄に
おいて再び第５ｂ図に示す如くこの電荷を隣接す
る他の素子列単位のオーバーフロードレイン３
２′に排出する。

以上の動作により、撮影に先だつて、垂直転送
CCD３３とフオトダイオード３１の双方の不要
電荷をクリアゲート３８を通して、又はこのゲー
トとトランスフアーゲート３５を通して排出する
ことができる。

一方、信号電荷の蓄積は、トランスフアーゲー
ト３５を低電圧に復帰した時刻ｔ＝t₃より開始さ
れる。垂直転送CCD３３に移されたフオトダイ
オード３１の電荷を排出する時刻t₃からt₅に致る
時間は数μsecと充分短い。従つて、露光は時刻t₅
以降も続けられることになる。時刻t₅以降トラン
スフアーゲート３５には再び高電圧が印加され、
適正露光時間が完了する時刻t₆まで第５ｄ図或い
は第５ｅ図のポテンシアル障壁模式図となる。す
なわち、フオトダイオード３１で生成された信号
電荷は、トランスフアーゲート３５下のポテンシ
アル障壁を越えて垂直転送CCD３３に移つてい
く。この時クリアゲート３８には、第４図にV_I
で示した電圧が印加され、クリアゲート３８下の
ポテンシアル障壁はトランスフアーゲート３５下
のポテンシアル障壁より低く設定されている。

この時、クリアゲート３８下のポテンシアル障
壁は、もちろん垂直転送CCD３３の電圧が印加
されていない電極φ₃，φ₄下の電子に対するポテ
ンシアルψ₃，ψ₄よりも低くなつており、あふれ
た信号電荷の垂直方向への拡がりが阻止されてい
るのは言うまでも無い。

この結果、垂直転送CCD３３であふれた電荷
は、隣接する素子列単位のオーバーフロードレイ
ン３２′に第５ｅ図の如く排出される。

時刻t₃に始まりt₆で終る適正露光時間は、別に
設けた測光素子及び測光回路を用いて算出するの
が簡便である。

露光が完了し、トランスフアーゲート電圧もク
リアゲート電圧も低電圧となつた時刻t₇以降垂直
転送CCD３３に蓄積された信号電荷は、通常の
インターライン転送CCD同様に転送され読み出
される。この時のポテンシアル図を示したのが第
５ｆ図及び第５ｇ図である。撮影完了直後は、大
部分のフオトダイオード３１は飽和状態に無く第
５ｆ図のようになつている。ところが、ある時間
以上経過すると電荷が飽和するフオトダイオード
がではじめ、そこでは第５ｇ図の如くあふれた電
荷が同一素子列単位のオーバーフロードレイン３
２に排出される。よつて、信号電荷読み出し中の
ブルーミング現象は抑制される。

第６図は、本発明の動作を説明するために示し
た電子スチルカメラの一部ブロツク図であり、第
７図は、第６図の各所に於けるパルスのタイミン
グを示すタイミングチヤートである。説明を簡単
にするためここではCCDイメージセンサに必要
なパルスのうちクリアゲートパルスψ_CG、トラン
スフアーゲートパルスψ_TG及び４相の垂直転送ク
ロツクψ₁〜ψ₄についてその発生方法を示す。第
６図の６１で示したレリーズスイツチがONされ
ると、２つのNANDゲートより構成されたフリ
ツプフロツプ６２のＱ出力Q₀がHighレベルとな
る。出力Q₀は、14bitのシフトレジスタ６３と測
光演算回路６４とに印加されており、シフトレジ
スタ６３に対してはシフトイン入力に、測光演算
回路６４に対してはイニシアライズパルスにな
る。

本実施例では、露出のタイミングはテレビジヨ
ン同期信号発生回路（不図示）に同期しており、
シフトレジスタ６３もクロツクとして水平駆動信
号HDが入力されている。従つてシフトレジスタ
６３の14bitの出力Q₁〜Q₁₄には第７図のタイミン
グチヤートに示すようなパルスが入力Q₀に対し
て与えられる。

これらの出力より、第６図の中央に一点鎖線で
囲つて示した論理回路７２によりクリアゲートに
高電圧V_Hを印加するパルスψ_CGH、中間電圧V_Iを
印加するパルスψ_CGI、トランスフアーゲートパル
スψ_TG、垂直転送クロツクψ₁，ψ₂を強制的にロー
レベルとするパルス₁₂を第７図の如きタイミン
グチヤートで生成する。また、出力Q₉は直接測
光演算回路６４に印加され、測光素子６５の出力
に応じて露光時間の演算を開始させている。測光
演算回路６４は、イメージセンサ６６に対する適
正露光量に達した時第６図及び第７図にψ_eで示
した露光完了パルスを生成する。パルスψ_eは、
フリツプフロツプ６２、シフトレジスタ６３及び
２つのＤフリツプフロツプ６７，６８をクリアし
ている。但し、一方のＤフリツプフロツプ６７を
クリアするに当つては遅延回路６９を介してお
り、従つて、パルスψ_CGIの立下りは他のパルスよ
り時間τ₁だけ遅れている。この遅れ時間τ₁は第７
図タイミングチヤートでは時刻ｔ＝t₆からｔ＝t₇
の間の時間に相当する。パルスψ_sは、更に別の遅
延回路７０を介して垂直転送駆動回路７１のスタ
ートパルスψ_eとなり、素子の信号電荷の垂直方
向転送が開始される。

タイミングチヤート第７図の最下段に示した時
刻t₁〜t₇は先に第４図で示した時刻t₁〜t₇と完全
に対応している。

第８図は、本発明をオートフオーカス用センサ
に適用した例であり、オートフオーカスの原理と
しては前ピン後ピン両像のボケ検出方式、二重係
合致方式のいずれに対しても適用が可能である。

図中、受光部PDは２列が平行して設けられて
おり、これら２つの受光部PDの間には共通のオ
ーバーフロードレインOFDが、該オーバーフロ
ードレインOFDの両側にはこのオーバーフロー
ドレインOFDへの電荷排出の際のポテンシアル
の高さを制御するオーバーフローコントロールゲ
ートOFCGが設けられている。各フオトダイオー
ドは水平方向にはチヤネルストツプ（不図示）で
分離されているのは言うまでもない。フオトダイ
オードPDに生成された電荷は、バリアゲートBG
を介してストアゲートSTORE下のポテンシアル
井戸に蓄積される。所定時間の露光が完了すれば
バリアゲートBGは閉じられストアゲート
STORE下の電荷は、トランスフアーゲートTG
を介して水平転送CCD（H.CCD）に読み込まれ
る。水平転送CCD（H.CCD）はここでは２相クロ
ツクψ₁，ψ₂で駆動されている。水平転送CCD（H.
CCD）のトランスフアーゲートの反対側にはク
リアゲートCGとクリアドレインCDが設けられて
おり、水平転送CCD（H.CCD）の電荷を一括して
排出可能となつている。この結果、素子内部の不
要電荷（暗電流電荷或いは素子駆動のタイミング
上生じる不要電荷）は、たかだか数クロツクの転
送で素子外への排出が可能となる。尚、斜線で示
したMPDは光遮へいされた受光素子であり、オ
プテイカルブラツククランプとして用いられる。

また、図ではフオトダイオードPDのみが露光
可能となつており素子の他の部分は光遮へいされ
ている。

以上述べた如き撮像素子と駆動装置を用いれ
ば、従来問題となつた欠点が根本的に解決でき
る。

すなわち、第１の問題点であつた垂直転送
CCDの不要電荷排出の問題は、垂直転送CCDと
隣接するオーバーフロードレインとの間にクリア
ゲートを設け、そのゲート下のポテンシヤル障壁
の高さを制御することによつて、不要電荷を一括
して極く短時間に排出可能となり解決された。

第２の問題点であつた、フオトダイオードの不
要電荷をオーバーフローコントロールゲートを利
用して一括排出したため、信号電荷の読み出しに
際し素子の不整、不均一の影響を受けた点につい
ては、フオトダイオードからの不要電荷排出が信
号電荷読み出しと同一条件となるように、ともに
トランスフアーゲートを介して行うようにしたこ
とで解決された。

更に第３の問題点であつた、信号電荷の短時間
での転送による不完全転送の問題は、有効露光時
間中その大部分の時間をトランスフアーゲート下
のポテンシヤル障壁を下げ続け、絶えずフオトダ
イオードから垂直転送CCDに信号電荷が流れ込
むようにしたことで解決された。

又、簡単な電極構造により良好なシヤツター機
能を得られることにより第４の問題点も解決され
た。

以上の説明から明らかなように、本発明に係る
インターライン転送CCDの駆動装置によれば、
フオトダイオード及び垂直転送CCDからの不要
電荷の排出が極めて短時間で実現でき、しかも素
子製造プロセス上の不均一等の影響も少いため消
費電力の低減、歩留りの向上につながるのみなら
ず、フオトダイオードから垂直転送CCDへの信
号電荷の転送も完全に行なわれるため、良好な電
子シヤツター機能を実現できるという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１ａ図、第１ｂ図及び第１ｃ図は、従来のイ
ンターライン転送CCDの一例の要部を模式的に
示す平面図、断面図及びポテンシヤル障壁模式
図、第２ａ図、第２ｂ図及び第２ｃ図は別の従来
例の要部を模式的に示す平面図、断面図及びポテ
ンシヤル障壁模式図である。第３ａ図及び第３ｂ
図は、本発明に用いられる素子の１実施例の要部
を模式的に示す平面説明図及び断面図、第４図
は、上記素子の駆動方法の一例を示すタイミング
チヤート、第５ａ図〜第５ｇ図は、第４図に示し
た動作の主要時刻における各部に於ける電子に対
するポテンシヤル障壁の状態を示す模式図であ
る。第６図は本発明を電子スチルカメラに適用し
た場合の要部ブロツク図、第７図は第６図の各所
に於けるパルスのタイミングを示すタイミングチ
ヤート図、第８図は本発明をオートフオーカス用
センサに適用した場合の説明図である。１，３１……受光部フオトダイオード、２，３
２……オーバーフロードレイン、３２′……他の
素子列単位のオーバーフロードレイン、３，３３
……垂直転送部、３−１……垂直転送CCD、３
−２……埋め込みチヤンネル、４，３４……オー
バーフローコントロールゲート、５，３５……ト
ランスフアーゲート、６，３６，３７……チヤン
ネルストツプ、３８……クリアゲート、９，３９
……光遮へい膜。

Claims

【特許請求の範囲】１受光部の片側にオーバーフローコントロール
ゲートを介してオーバーフロードレインを並設
し、他の片側にトランスフアーゲートを介して垂
直転送部を並設した素子列単位をチヤンネルスト
ツパーを介して複数並列配置したインターライン
転送CCDに於いて、前記チヤンネルストツパー
にクリアゲートを設けて該クリアゲートに印加す
る電圧によつて電子に対するポテンシヤル障壁を
制御可能とし、露光に先だつて各素子列単位のト
ランスフアーゲートに高電圧を印加して該トラン
スフアーゲートを介して受光部の不要電荷を垂直
転送部へ転送した後、各素子列単位のクリアゲー
トに高電圧を印加して該クリアゲートを介して隣
接する他の素子列単位のオーバーフロードレイン
に排出せしめる如く制御することを特徴とするイ
ンターライン転送CCDの駆動装置。２特許請求の範囲第１項に於いて、露光開始
後、クリアゲートに高電圧を印加して垂直転送部
の不要電荷を該クリアゲートを介して隣接する他
の素子列単位のオーバーフロードレインに排出
し、その後前記クリアゲートに中間電圧を印加し
た後トランスフアーゲートに高電圧を印加して受
光部の信号電荷を垂直転送部へ移送せしめる如く
制御することを特徴とするインターライン転送
CCDの駆動装置。３特許請求の範囲第２項に於いて、露光完了後
信号電荷を転送している期間は、オーバーフロー
コントロールゲートに予め定めた電圧を印加して
前記期間に受光部に発生する電荷の一部を同一素
子列単位のオーバーフロードレインに排出せしめ
る如く制御することを特徴とするインターライン
転送CCDの駆動装置。４特許請求の範囲第３項に於いて、オーバーフ
ローコントロールゲートに印加する電圧は、露光
に先だつて受光部の不要電荷を垂直転送部へ移送
する時にトランスフアーゲートに高電圧を印加し
て得られる該トランスフアーゲート下の電子に対
するポテンシヤル障壁より前記オーバーフローコ
ントロールゲート下の電子に対するポテンシヤル
障壁を高くする様な電圧であることを特徴とする
インターライン転送CCDの駆動装置。