JPH0352132B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 利用産業分野 この発明は、セラミツクス材料からなる磁気デ
イスク用基板の製造方法に係り、表面が無孔・無
歪表面ガラス層からなり、すぐれた表面粗度を有
する磁気デイスク用基板の製造方法に関する。

背景技術 一般に、磁気デイスク用基板としては、次のよ
うな特性が要求される。

(1) 0.3μｍ以下の低い磁気ヘツド浮上高さに伴な
い磁気ヘツドの安定な浮上と記録特性の安定性
を得るため、研摩後の基板表面粗度がすぐれて
いること、 (2) 基板表面に形成される磁性薄膜の欠陥の要因
となる突起や孔状のへこみがないこと、 (3) 機械加工、研摩あるいは使用時の高速・回転
に十分耐える機械的強度を有すること、 (4) 耐食性、耐侯性、及び耐熱性にすぐれるこ
と。

従来、磁気デイスク用基板には、アルミニウム
合金が使用されているが、アルミニウム合金基板
では、材料の結晶異方性、材料欠陥及び材料中に
存在する非金属介在物等のため、機械加工や研摩
加工において、非金属介在物が基板表面に突起と
して残存したり、あるいは脱落して凹みを生じ、
十分研摩を施しても精々200Å程度の表面粗度し
か得られず、突起や凹み、うねりのある表面状態
では、高密度磁気記録用磁気デイスク用基板材と
しては十分でない。

すなわち、磁気デイスク基板表面の加工の良否
が、そのまま、磁気デイスクのランアウト、加速
度成分、媒体の信号エラー等に影響するのであ
る。

ところで、アルミニウム合金の基板の場合、金
属材料のため、ビツカース硬度も100Kg／mm²程度
（セラミツクの場合600Kg／mm²以上）であり、曲げ
強度も1000Kg／cm²（セラミツクの場合4000Kg／cm²
以上）であつて、高密度磁気記録となるに従つ
て、スクラツチ、疵、平坦度、うねりなどの形状
精度も厳しくなるため、加工は一層困難となつて
いる。

また、アルミニウム合金基板の場合、砥粒加工
の際に、砥粒が表面凹みに埋め込まれやすく、欠
陥となり、さらに、表面の耐食性、耐侯性を高め
て汚染を防ぐ上で、施削工程、ポリツシング工
程、保管の際、清浄度、防錆、汚れ等には十分な
配慮が必要となる。

アルミニウム合金基板の改善のため、その表面
に高硬度の膜を形成する方法が提案されており、
例えば、アルミニウム合金基板表面にアルマイト
層を形成して硬度を増加させ、研摩加工性を向上
させる方法が取られるが、アルマイト形成中にア
ルミニウム合金中の微量不純物（Fe、Mn、Si）
が金属間化合物として析出するため、アルマイト
処理後、上記化合物部分が凹みの発生要因となつ
ている。

また、アルミニウム合金母材の高純度化を計る
ことは、製造工程上至難に近く、さらに、耐食
性、清浄度の面でも取り扱いが問題となる。

また、アルミニウム合金表面へのスパツタリン
グやメツキによつて薄膜磁性媒体を形成する場
合、該合金と磁性膜との化学反応や拡散の問題を
生じ、更に、磁性膜被着時の熱処理により、基板
の変形と共に基板回転時の面振れ、加速度が増加
する問題がある。

一方、アルミニウム合金基板上に、SiO₂、
Al₂O₃等の酸化物をスパツタリングによつて形成
する方法も提案されているが、該合金基板とスパ
ツタ形成後の被膜との密着力が弱いという欠点が
あつた。

今日、アルミナ系セラミツク材料が、アルミニ
ウム合金材料に比べて、耐熱性、耐摩耗性、耐侯
性、絶縁性、及び機械的強度のすぐれているた
め、各種分野の広範囲な用途に利用されている
が、磁気デイスク用基板としては、基板表面に薄
膜磁性媒体を形成する必要並びに、媒体の薄膜
化、高密度化に伴ない、アルミナ系セラミツク基
板表面の無孔化・無歪化を計ることが切望されて
いる。

一般に、セラミツク基板の製造方法として、単
結晶法、金型成形、ラバープレス、ドクターブレ
ード法等により成形後に焼結する方法、さらに高
密度化のため、ホツトプレス法、熱間静水圧プレ
ス法が知られているが、前者の単結晶化法では製
造コストが高い上に、大口径基板の製造が困難で
あり、また、後者のホツトプレスや熱間静水圧プ
レスにより高密度化された基板であつても、5μ
ｍ以下の微細孔が基板に存在するため、磁気デイ
スク用基板に要することは、表面微細欠陥による
ドロツプアウトの発生、ヘツドクラツシユ等の信
頼性を損う等の問題があつた。

また、一般に、磁気デイスク基板等に適用し得
る表面研摩法として、メカノケミカル研摩法は、
シリコン基板、GGG結晶、フエライト等の表面
物性を劣化させることなく精密表面に仕上げる方
法として公知であるが、微細孔の存在するセラミ
ツクス材料にこのメカノケミカル研摩法を適用す
る場合は、微細孔がセラミツクス表面に露出した
状態となり、薄膜媒体を被着する該基板材として
は不十分であり、また、アルミナ系セラミツク材
にメカノケミカル研摩法を適用すると、各材質あ
るいは結晶面での化学浸蝕速度が異なるため、微
細孔の露出と同時に結晶段差を生ずる問題があつ
た。

そこで、セラミツクス材料からなる磁気デイス
ク用基板の欠点を解決し、すぐれた表面粗度を有
し、かつ無孔で無歪みの表面を有するセラミツク
ス系磁気デイスク用基板を目的として検討した結
果、アルミナ系セラミツク材料表面に、ガラスコ
ーテイングし、被着後に特定の条件のメカノケミ
カル研摩を施し、すぐれた表面粗度でかつ無孔・
無歪のガラスコーテイング膜を設けた磁気デイス
ク用基板を開発した。

しかし、セラミツクス材料基板表面に種々の製
法で被着したガラスコーテイング膜中、例えば、
外径130mmφ×内径40mmφのデイスク板のガラス
コーテイング膜中には、0.5μｍ〜5μｍの径の気泡
が約100個程度表面に露出するため、磁気記録媒
体を被覆して磁気デイスクとなした際に、記録信
号が前記気泡部にてエラーあるいはノイズの発生
原因となり、磁気デイスク使用時の信頼性の低下
を招来し、これを解決するには前記気泡の露出を
10個以下にする必要があつた。

発明の目的 この発明は、上述の問題点に鑑み、セラミツク
ス材料からなる磁気デイスク用基板の欠点を解決
し、すぐれた表面粗度を有し、かつ無孔で無歪み
の表面を有するガラスコーテイング膜を有するセ
ラミツクス系磁気デイスク用基板において、ガラ
スコーテイング膜の気泡を激減させて、磁気デイ
スク使用時の信頼性を向上させた磁気デイスク用
基板の製造方法を目的としている。

発明の構成 この発明は、磁気デイスク用基板として要求さ
れる無孔・無歪ですぐれた表面粗度を有するセラ
ミツクス系該基板を目的に種々検討した結果、ア
ルミナ系セラミツク材料表面に、ガラスコーテイ
ングし、ついで該材料を熱間静水圧プレス処理
し、さらに特定の条件のメカノケミカル研摩を施
し、すぐれた表面粗度でかつ無孔・無歪・無気泡
のガラスコーテイング膜を設けることによつて、
前述した磁気デイスク用基板として要求される条
件を満足した磁気デイスク用アルミナ系セラミツ
ク基板が得られることを知見したものである。

すなわち、この発明は、 5μｍ以下の微細孔を有し、相対理論密度が90
％以上のアルミナ系セラミツク材料からなる基板
表面に、該基板との熱膨張係数差が２×10^-6／
deg以下、軟化点が400℃以上のガラスコーテイ
ング膜を形成し、熱間静水圧プレス処理した後、
該コーテイング膜を、粒径1.0μｍ以下のFe₂O₃、
SiO₂、MgO、CeO₂またはAl₂O₃微粉のうち少な
くとも１種を、0.1wt％〜50wt％純水中に懸濁し
た懸濁液で、0.05Kg／cm²〜２Kg／cm²の相対的ラツ
プ荷重で研摩加工し、表面粗度（Rz）が180Å以
下でかつ無孔無歪表面を有する0.3μｍ〜200μｍ膜
厚みのガラスコーテイング膜を設けることを特徴
とする磁気デイスク用基板の製造方法である。

この発明による磁気デイスク用基板は、研摩後
の基板表面粗度がすぐれているため、0.3μｍ以下
の浮上高さにおける磁気ヘツドの安定な浮上と記
録特性の安定性が得られ、また、ガラスコーテイ
ング膜に気泡がなく、基板表面に形成される磁性
薄膜の欠陥の要因となる突起や孔状の凹みがな
く、磁性薄膜の密着性、特性、信頼性が向上し、
さらに機械加工、研摩あるいは使用時の高速・回
転に十分耐える機械的強度を有し、耐食性、耐侯
性、及び耐熱性にすぐれており、該基板に要求さ
れる条件をすべて満足する。

発明の限定条件 この発明において、アルミナ系セラミツク材
は、Al₂O₃を主成分とし、その他に金属酸化物を
含有するもので、、金型成形、押出成形、射出成
形、シート成形等により成型され、焼成処理され
て得られるものである。また、アルミナ系セラミ
ツク材料の微細孔大きさが5μｍを越えると、材
料表面にガラスコーテイングした際に、微細孔部
に気泡が発生して膜精度が劣化するため、微細孔
は5μｍ以下が望ましく、好ましくは3μｍ以下に
する必要がある。

さらに、アルミナ系セラミツク材料の相対理論
密度を90％としたのは、上記した微細孔の大きさ
が5μｍ以上となりやすいためである。

ガラスコーテイング膜に用いるガラスには、基
板との熱膨張係数差が２×10^-6／deg以下、軟化
点が400℃以上を満足する、 ソーダ石灰ガラス（Na₂O−CaO−SiO₂系）、 鉛ガラス（PbO−SiO₂系）、 バリウムガラス（BaO−Al₂O₃−SiO₂系）、 ホウケイ酸ガラス（Na₂O−B₂O₃−SiO₂系）、 アルミナケイ酸ガラス（Al₂O₃−SiO₂系）、 リチヤアルミナケイ酸ガラス（Li₂O−Al₂O₃−
SiO₂系）等のケイ酸塩ガラス、 鉛ホウ酸ガラス（PbO−B₂O₃−SiO₂）、 アルミナホウ酸ガラス（Al₂O₃−B₂O₃）等のホ
ウ酸塩ガラス、 アルミナリン酸ガラス（Al₂O₃−P₂O₃）、 などを用いることができる。

この発明におけるガラスの軟化点を400℃以上
としたのは、400℃未満では熱膨脹係数が大きく
なりすぎて、基板のそれに合致せず、化学的に安
定性を欠き好ましくないためである。

このガラスコーテイング膜と前記基板との熱膨
張係数｛20℃〜歪点（ガラスの粘度約10^14.5ポイ
ズに相当する温度）｝の差は、差が大きくなると
相互応力が増し、そりや破壊等の問題が生じるた
め、両者の熱膨張係数の相対差が２×10^-6／deg
以下であることが必要であり、また、ガラスコー
テイング膜表面に圧縮応力が掛る方が好ましいた
め、コーテイング膜材料の熱膨張係数が、該基板
材料の熱膨張係数より小さいほうが望ましい。ま
た、ガラスコーテイング膜と前記基板との熱膨張
係数（20℃〜歪点）は、同一傾向を有するものが
最も好ましい。

基板表面にガラスコーテイング膜を設けたの
ち、熱間静水圧プレス処理を施し、さらにガラス
コーテイング膜の研摩加工法を行うが、その条件
は、粒径1.0μｍ以下のFe₂O₃、SiO₂、MgO、
CeO₂またはAl₂O₃微粉中のうち少なくとも１種
を、0.1wt％〜50wt％純水中に懸濁した懸濁液
で、0.05Kg／cm²〜２Kg／cm²の相対的ラツプ荷重で
研摩加工し、粒径が1.0μｍを越えるとコーテイン
グ膜表面に疵が発生し、表面粗度が劣化するため
好ましくなく、また懸濁液の該微粉末含有量が
0.1wt％未満であると研摩効果が少なく、50wt％
を越えると微粉末による粘性の増加にともない、
研摩抵抗が増加するため、0.1wt％〜50wt％とす
る。

また、純水には、有機汚濁物や浮遊物を含まな
い水で、イオン交換水や蒸溜水がよく、ラツプ盤
には、Sn、はんだ合金、Pb等の軟質金属あるい
は硬質クロス等が適しており、ラツプ荷重は、
0.05Kg／cm²未満では所要の表面粗度が得られず、
かつ加工能率が悪く、また、２Kg／cm²を越える
と、加工能率の点では望ましいが、研摩精度が劣
化するため、0.05Kg／cm²〜２Kg／cm²の相対的ラツ
プ荷重とする。

メカノケミカル研摩後のガラスコーテイング膜
の厚みは、アルミナ基板が表面に露出せず、均一
にコーテイングされていることが必要でかつ研摩
精度を考慮すると0.3μｍ以上の膜厚みが必要であ
るが、200μｍを越えると、基板との熱膨張係数
の差によつて生じる応力が、基板内に大きな歪み
をもたらす恐れがあるため、0.3μｍ〜200μｍとす
る。

また、ガラスコーテイング膜表面粗度（Rz）
を180Å以下としたのは、180Åを越えるとデイス
クの特性を劣化させるためである。

好ましい実施態様 この発明におけるアルミナ系セラミツク材料の
組成は、スパツター法によりガラスコーテイング
膜を形成する場合には、Al₂O₃、Al₂O₃−TiC系、
Al₂O₃−TiO₂系、Al₂O₃−Fe₂O₃−TiC系等、
Al₂O₃を主成分とし、そのほかに金属酸化物を含
有するアルミナ系セラミツクス材が好ましく、ま
た、グレージング法によりガラスコーテイング膜
を形成する場合には、Al₂O₃、Al₂O₃−TiO₂系
等、Al₂O₃を主成分とし、そのほかに金属酸化物
を含有するアルミナ系セラミツクス材が好まし
く、金型成形、ラバープレス、ドクターブレード
法等により成形され、さらに熱間成形法（HP
法）、熱間静水圧プレス法（HIP）にて加圧焼結
処理して得られるものが好ましい。また、該組成
にMgO、NiO、Cr₂O₃等の公知の粒成長抑制剤や
その他の焼結助剤を含有させることができる。

また、アルミナ系セラミツク基板材の平均結晶
粒径は、5μｍ以下が好ましく、理論密度90％以
上の一般市販規格品を用いることができる。

この発明において、アルミナ系セラミツク基板
へのガラスコーテイング膜は、グレージング法、
スパツタ法、蒸着法、イオンプレーテイング法等
の被着方法で、均一な膜厚みを得て表面の研摩加
工を可能ならしめるが、コーテイング膜の形成に
際し、SiO₂膜を先に形成したのち、所要のガラ
スコーテイングを行なうと、基板とコーテイング
ガラスとの接着密度及び濡れ性を改善することが
できる。

また、スパツタ用ガラスとしては、前述した
種々のガラスのうち軟化点が500℃以上の高融点
ガラスが、ターゲツト強度が高くなり、ターゲツ
トへの負荷電圧を高くできるため好ましく、グレ
ージング用ガラスとしては、軟化点が400℃〜750
℃のガラスが好ましく、400℃未満では熱膨脹係
数が大きくなりすぎて、基板のそに合致せず、化
学的に安定性を欠き好ましくなく、また、750℃
を越えると、熱処理温度が高くなりすぎるため好
ましくない。

また、ガラスコーテイング膜の研摩加工前の被
着膜厚みは、0.5μｍ〜220μｍが望ましく、均一な
膜厚みを得て表面の研摩加工を可能ならしめるの
に必要な膜厚みであり、さらに熱膨張係数差に起
因して基板内に歪が発生するのを防止するためで
ある。

この発明によるガラスコーテイング膜の厚み
は、用途や使用する材質等に応じて種々選定され
るが、基板への被着方法としてグレージング法を
用いた場合は、膜厚みが10μｍ未満では、均一な
コーテイング膜とすることが困難であり、前述し
た条件のメカノケミカル研摩によつて所要の表面
粗度及び無孔化無歪化が得られず、また、220μ
ｍを越えると、基板との熱膨張係数差により生じ
る応力によつて基板内に大きな歪を発生させる恐
れがあるため、膜厚みは10μｍ〜220μｍとする必
要がある。

スパツタ法の場合は、膜厚みが5μｍ未満では、
均一なコーテイング膜とすることが困難であり、
前述した条件のメカノケミカル研摩によつて所要
の表面粗度及び無孔化無歪化が得られず、また、
220μｍを越えると、基板との熱膨張係数差によ
り生じる応力によつて基板内に大きな歪を発生さ
せる恐れがあるため、膜厚みは5μｍ〜220μｍと
する必要があり、さらに、膜形成速度の点から、
好ましくは15μｍ〜25μｍ厚みである。

また、コーテイング膜のメカノケミカル研摩後
の厚みは、研摩精度を考慮して、被着方法がグレ
ージング法の場合は、3μｍ〜200μｍであり、ス
パツタ法の場合は、0.3μｍ〜200μｍであり、さら
に好ましくは10μｍ〜20μｍである。

ガラスコーテイング膜を設けた後の基板に、熱
間静水圧プレス処理を施すが、望ましくは、酸素
含有量が10％以下のAr、N₂ガス等の不活性雰囲
気中で、ガラスの粘性が10⁶ポイズ〜10⁸ポイズに
相当する温度で、10Kg／cm²〜2000Kg／cm²の条件で
処理する必要がある。

ガラスの粘性が10⁶ポイズ未満の温度ではガラ
スの流動が少なく、気泡減少効果が少ない。ま
た、10⁸ポイズを越える温度では、粘性が増大し
すぎて、コーテイング被膜の形状を損う恐れがあ
り好ましくない。また、圧力が10Kg／cm²未満で
は、気泡減少の効果が少なく、2000Kg／cm²を越え
ると、設備コストの増大を招来し好ましくない。

発明の効果 この発明による磁気デイスク用基板は、研摩後
の基板表面粗度がすぐれているため、0.3μｍ以下
の浮上高さにおけるる磁気ヘツドの安定な浮上と
記録特性の安定性が得られ、また、基板表面に形
成される磁性薄膜の欠陥の要因となる突起や孔状
の凹み及びガラスコーテイング膜の気泡がなく、
磁性薄膜の密着性、特性、信頼性の向上が得ら
れ、さらに、機械加工、研摩あるいは使用時の高
速・回転に十分耐える機械的強度を有し、耐食
性、耐侯性、及び耐熱性にすぐれており、該基板
に要求される条件のすべてを満足する。

また、この発明によるアルミナ系セラミツク基
板を、両面記録用磁気デイスクに用いる場合は、
該基板両面にガラスコーテイング膜を形成し、両
面を同時にメカノケミカル研摩加工することによ
り、両面の薄膜中の内部応力は相殺され、平坦度
がすぐれ、かつ表面粗度並びに無孔化無歪化のす
ぐれた基板が得られる。

所定のガラスコーテイング膜を被着し、熱間静
水圧プレス処理したアルミナ系セラミツクからな
るこの発明による磁気デイスク用基板は、研摩加
工での形状精度の管理が従来と比較して容易であ
り、さらに、基板自体の耐食性、耐侯性に特別配
慮する必要がなく、表面の汚染も、ガラスコーテ
イングをスパツタで行なう際に、スパツタクリー
ニングによつて清浄化することができる利点があ
る。

また、従来のアルミニウム合金のものは、合金
の施削加工した際に、表面に加工変質層が残存す
るのに対して、この発明によるアルミナ系セラミ
ツク基板は、メカノケミカル研摩仕上げによつ
て、表面にはバルクでの応力歪が生じることがな
く、基板に被着される磁性薄膜への歪みの転写が
生じない利点がある。

すなわち、基板表面にガラスコーテイング膜を
設けるため、ガラス膜結晶がアモルフアスの均一
構造となつており、かつ熱間静水圧プレス処理に
より気泡もなく、この発明によるメカノケミカル
研摩によつて加工歪も発生させないことが可能と
なつた。

上述したように、この発明の磁気デイスク用基
板を用いることにより、信頼性が著しく向上した
高密度磁気デイスク記録媒体を製作することがで
き、また、出発シリカ・アルミナ系セラミツク材
料に理論密度90％以上の規格品が使用でき、量産
性にすぐれている。

実施例 実施例 １ 基板には、組成がAl₂O₃99.7％で、圧縮成形後、
HIP処理を施し、5μｍ以下の微細孔を有し、平均
結晶粒径が4.0μｍ有し、相対理論密度が97％で、
熱膨張係数が77×10^-7／deg、寸法130mmφ×２mm
厚みのアルミナ系セラミツク基板を用いた。

つぎに、上記のアルミナ系セラミツク基板の表
面を精密ラツプ法により表面粗度0.2μｍ以下に精
密研摩した。

熱膨張係数（20℃〜歪点）が65×10^-7／deg、
軟化点565℃、平均粉末粒径が300メツシユスルー
のPbO₂−SiO₂−B₂O₃系ガラスをペースト状に
し、これを上記基板の研摩表面に、100μｍ厚み
で、回転数800rpmのスピンコーテイングし、空
気中、1050℃、４時間保持する条件でガラスコー
テイングした。

コーテイング時の昇温速度は500℃／hr、冷却
速度は歪点までは500℃／hrであり、歪点にて１
時間保持し歪取りを行なつてから徐冷した。ガラ
スコーテイング膜の膜厚みは60μｍであつた。

ガラスコーテイング膜を設けたアルミナセラミ
ツクス材を、１％O₂分圧のAr雰囲気中で、600℃
（ガラスの粘性10⁷ポイズに相当する温度）、500
Kg／cm²の条件で、熱間静水圧プレス処理した。

次に、該コーテイング膜を、粒径0.1μｍの
CeO₂微粉末を、純水中に10wt％懸濁した懸濁液
で、ラツプ盤にクロス盤を用い、0.5Kg／cm²の相
対的ラツプ荷重で研摩加工し、表面粗度（Rz）
を40Åに仕上げた。この際の研摩代は20μｍで平
坦度は1μｍであつた。また、ガラスコーテイン
グ膜には気泡が全く見られなかつた。

接触針径0.1μｍＲの薄膜段差測定器
（Talystep）により、上記の研摩後のコーテイン
グ膜の表面状況を測定し、その結果を第１図Ａに
示す。また、同様に、コーテイング前の基板の表
面状況を測定し、その結果を第１図Ｂに示す。

第１図より、アルミナ系セラミツク基板表面の
微細孔は、熱間静水圧プレス処理したコーテイン
グ膜の研摩により表面の無孔化が得られており、
表面粗度（Rz）40Åに仕上げられたことが明ら
かである。

また、この研摩仕上げした膜面の欠陥をカウン
トすると、熱間静水圧プレス処理前のものについ
ては、50〜150個／枚であるのに対し、熱間静水
圧プレス処理後のものについては、５〜10個／枚
であつた。

実施例 ２ 基板には、組成Al₂O₃99.5wt％からなり、成形
後、熱間静水圧プレス処理を施し、5μｍ以下の
微細孔を有し、平均結晶粒経4μｍ、相対理論密
度が97％で、熱膨張係数（20℃〜510℃）が77×
10^-7／deg、寸法90mmφ×1.5mm厚みのAl₂O₃セラ
ミツクス基板を用いた。

つぎに、上記の基板表面を精密ラツプ法により
表面粗度200Å以下に精密研摩した。

熱膨張係数（20℃〜510℃）が74×10^-7／deg、
軟化点850℃、歪点670℃のBaO−SiO₂系ガラス
からなる寸法直径350mm×厚み６mmのターゲツト
板を用い、高周波スパツタ装置により、スパツタ
アルゴン圧１×10^-5mbarに到達排気後に、基板
表面の洗浄のため、スパツタクリーニングより、
表面層を500Å程度除去し、スパツタリングした。

正スパツタの投入パワー5kWであり、基板側
に負のバイアス（−100V）を印加した。バイア
ス効果により、セラミツクボア部のステツプカバ
レージが図られ、ポア部にもアルミナが付着し
た。また、スパツタ膜面の表面粗度は500Åであ
つた。

なお、従来の酸化物のスパツタ法では、スパツ
タ速度が遅く、被着に時間を要したが、電極間距
離を40mmとして投入パワーを大きくしたことによ
り、スパツタレートは500Å／minで、20μｍ厚み
形成するのに400分を要した。

ガラスコーテイング膜を設けたアルミナセラミ
ツクス材を、１％O₂分圧のAr雰囲気中で、800℃
（ガラスの粘性10⁸ポイズに相当する温度）、500
Kg／cm²の条件で、熱間静水圧プレス処理した。次
に、該コーテイング膜を、粒径0.01μｍのSiO₂微
粉末を、純水中に5wt％懸濁した懸濁液で、ラツ
プ盤にSnを用い、0.5Kg／cm²の相対的ラツプ荷重
で研摩加工し、表面粗度（Rz）を40Åに仕上げ
た。この際の研摩代は5μｍで平坦度は1μｍであ
つた。また、ガラスコーテイング膜には気泡が全
く見られなかつた。このときの表面欠陥をカウン
トすると、熱間静水圧プレス処理のものについて
は、30〜80個／枚であるのに対し、熱間静水圧プ
レス処理後のものについては、約５個／枚程度で
あつた。

接触針径0.1μｍＲの薄膜段差測定器
（Talystep）により、上記の研摩後のコーテイン
グ膜の表面状況及びコーテイング前の基板の表面
状況を測定したところ、第１図と同様の結果を得
た。

実施例から明らかなように、基板表面に形成さ
れる磁性薄膜の欠陥の要因となるセラミツクス基
板の微細孔、突起や孔状の凹み及び基板表面に被
着したガラスコーテイング膜の気泡がなく、磁性
薄膜の密着性、特性、信頼性の向上が得られるこ
とが分る。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ図とＢ図は、実施例において、薄膜段
差測定器（Talystep）により、基板表面に被着
して研摩後のコーテイング膜の表面状況と、コー
テイング前の基板の表面状況を示すグラフであ
る。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 5μｍ以下の微細孔を有し、相対理論密度が
   90％以上のアルミナ系セラミツク材料からなる基
   板表面に、該基板との熱膨張係数差が２×10^-6／
   deg以下、軟化点が400℃以上のガラスコーテイ
   ング膜を形成し、熱間静水圧プレス処理した後、
   該コーテイング膜を、粒径1.0μｍ以下のFe₂O₃、
   SiO₂、MgO、CeO₂またはAl₂O₃微粉のうち少な
   くとも１種を、0.1wt％〜50wt％純水中に懸濁し
   た懸濁液で、0.05Kg／cm²〜２Kg／cm²の相対的ラツ
   プ荷重で研摩加工し、表面粗度（Rz）が180Å以
   下でかつ無孔無歪表面を有する0.3μｍ〜200μｍ膜
   厚みのガラスコーテイング膜を設けることを特徴
   とする磁気デイスク用基板の製造方法。