JPH0327867A - 蒸気槽内蒸気レベル制御方法 - Google Patents
蒸気槽内蒸気レベル制御方法Info
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- JPH0327867A JPH0327867A JP13728490A JP13728490A JPH0327867A JP H0327867 A JPH0327867 A JP H0327867A JP 13728490 A JP13728490 A JP 13728490A JP 13728490 A JP13728490 A JP 13728490A JP H0327867 A JPH0327867 A JP H0327867A
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、電子部品が取付けられたプリント基板の半田
付けを自動的に行う気相式半田リフロー装置における蒸
気レベル制御方法に関する。
付けを自動的に行う気相式半田リフロー装置における蒸
気レベル制御方法に関する。
〈従来の技術〉
従来の気相式半田リフロー装置としては、第3図に示す
ようなものがある。
ようなものがある。
第4図に示すように基板31上に設けられた銅製等のラ
ンド32a.32bには半田ペースト33を介して両端
に電極34a,34bを有する部品36が仮固定されて
いる。
ンド32a.32bには半田ペースト33を介して両端
に電極34a,34bを有する部品36が仮固定されて
いる。
該基板31は基板搬送面39に沿って第3図において右
方より左方に搬送される。
方より左方に搬送される。
該基板31はパネルヒー夕、またはシーズヒータ等の熱
源40を備えた予備加熱ゾーン41にて常温より温度T
Iまで加熱され、その温度T1を保持したまま蒸気槽4
2に搬送される。
源40を備えた予備加熱ゾーン41にて常温より温度T
Iまで加熱され、その温度T1を保持したまま蒸気槽4
2に搬送される。
予備加熱ゾーン41においては気相式半田リフロー装置
に入ってくる基板3lを予熱して、部品36が該蒸気相
にて急加熱されることを緩和している。
に入ってくる基板3lを予熱して、部品36が該蒸気相
にて急加熱されることを緩和している。
蒸気相42には、沸騰温度T2が半田ペースト33の溶
融温度T3より高温である例えばフッソ系の不活性液4
3が満たされており、該不活性液43は蒸気槽42の底
面44に設けたヒータ45により加熱される。
融温度T3より高温である例えばフッソ系の不活性液4
3が満たされており、該不活性液43は蒸気槽42の底
面44に設けたヒータ45により加熱される。
蒸気槽42には、該不活性液43を前記半田の溶融温度
T3より若干低い温度であるT5に常時保持するための
定温保持用ヒータ45aが、常時ONの状態で、前記蒸
気槽42全長に渡って設けられており、また、該蒸気槽
42の下流側近傍に設けられた蒸気センサ47によりO
N,OFF制御され、ONとなったとき前記不活性液4
3を半田の溶融温度T3より若干高い温度である該不活
性液43の沸点T2まで更に加熱するコントロール用ヒ
ータ45bが蒸気槽42の下流側のみに設けられている
。
T3より若干低い温度であるT5に常時保持するための
定温保持用ヒータ45aが、常時ONの状態で、前記蒸
気槽42全長に渡って設けられており、また、該蒸気槽
42の下流側近傍に設けられた蒸気センサ47によりO
N,OFF制御され、ONとなったとき前記不活性液4
3を半田の溶融温度T3より若干高い温度である該不活
性液43の沸点T2まで更に加熱するコントロール用ヒ
ータ45bが蒸気槽42の下流側のみに設けられている
。
即ち、該不活性液43の気化した蒸気48は前記基板搬
送面39より上方に設けた蒸気センサ47により蒸気レ
ベル46が検出されるが、蒸気センサ47が該蒸気レベ
ル46を検出していない時は、コントロール用ヒータ4
5bもONにして、蒸気量を増加させる。一方、蒸気セ
ンサ47が該蒸気レベル46を検出すると、コントロー
ル用ヒータ45bをOFFにして、定温保持用ヒータ4
5aのみで該蒸気レベル46を保持している。
送面39より上方に設けた蒸気センサ47により蒸気レ
ベル46が検出されるが、蒸気センサ47が該蒸気レベ
ル46を検出していない時は、コントロール用ヒータ4
5bもONにして、蒸気量を増加させる。一方、蒸気セ
ンサ47が該蒸気レベル46を検出すると、コントロー
ル用ヒータ45bをOFFにして、定温保持用ヒータ4
5aのみで該蒸気レベル46を保持している。
また、該蒸気槽42には、前記コントロール用ヒ一夕4
5bの搬送方向上流側の一端近傍、および、蒸気槽42
の搬送方向下流側の壁近傍に、前記蒸気レベル46を一
定にするために仕切板5lおよび仕切板52が設けられ
ている。
5bの搬送方向上流側の一端近傍、および、蒸気槽42
の搬送方向下流側の壁近傍に、前記蒸気レベル46を一
定にするために仕切板5lおよび仕切板52が設けられ
ている。
該蒸気48は、該蒸気槽42の前後に設けられた冷却パ
イプ49. 50により、沸点T2以下まで冷却され、
前記不活性液43の状態に液化されて回収される。
イプ49. 50により、沸点T2以下まで冷却され、
前記不活性液43の状態に液化されて回収される。
基板3lは予備加熱ゾーン4lにてTIまで加熱され、
蒸気槽42にてT2まで加熱されて、半田ペースト33
が溶融され、部品36が基板3lに半田付けされた状態
で図示しない次工程に搬送される。
蒸気槽42にてT2まで加熱されて、半田ペースト33
が溶融され、部品36が基板3lに半田付けされた状態
で図示しない次工程に搬送される。
く発明が解決しようとする課題〉
第5図に示すように、基板31は部品36が該蒸気槽4
2にて急加熱されることによって生じる熱ストレスを緩
和するために、予備加熱ゾーン4lにおいて温度T1ま
で加熱され、その後蒸気槽42に搬送されている。しか
し、仕切板51より下流側の蒸気48bは、該蒸気面4
6が定温保持用ヒータ45aとコントロール用ヒータ4
5bとによってほぼ一定のレベルに保たれているにも関
わらず、仕切板51の上流側の該仕切板5lを才一バー
フロ゛一した蒸気48aは、該蒸気の比重が空気よりも
大きいためそのレベルが急激に低下し、蒸気48aと蒸
気48bとか接している前記仕切板5lの上流において
、蒸気のレベルか急勾配となり、もって蒸気48aと蒸
気48bとが接している前記仕切板5lの上流において
、急激な温度勾配(15〜30℃/S’)が生じること
になる。
2にて急加熱されることによって生じる熱ストレスを緩
和するために、予備加熱ゾーン4lにおいて温度T1ま
で加熱され、その後蒸気槽42に搬送されている。しか
し、仕切板51より下流側の蒸気48bは、該蒸気面4
6が定温保持用ヒータ45aとコントロール用ヒータ4
5bとによってほぼ一定のレベルに保たれているにも関
わらず、仕切板51の上流側の該仕切板5lを才一バー
フロ゛一した蒸気48aは、該蒸気の比重が空気よりも
大きいためそのレベルが急激に低下し、蒸気48aと蒸
気48bとか接している前記仕切板5lの上流において
、蒸気のレベルか急勾配となり、もって蒸気48aと蒸
気48bとが接している前記仕切板5lの上流において
、急激な温度勾配(15〜30℃/S’)が生じること
になる。
このような急激な温度勾配により、基板上の何方か片方
のランド(第4図において2点鎖線で示すように例えば
32b)に接している半田ペースト33のみが溶融して
、他方の半田ペースト33が溶融する以前に、片側の電
極(例えば34b)のみ基板31に半田され、跳ね上が
る現象(以下マンハッタン現象と称する)が生じる。
のランド(第4図において2点鎖線で示すように例えば
32b)に接している半田ペースト33のみが溶融して
、他方の半田ペースト33が溶融する以前に、片側の電
極(例えば34b)のみ基板31に半田され、跳ね上が
る現象(以下マンハッタン現象と称する)が生じる。
該マンハッタン現象は基板3lのランド32の大きさ、
半田ペースト33の量、電極34の半田のぬれ具合、部
品36の重量等によっても左右されるが、前記温度勾配
が該マンハッタン現象の発生の有無には最も影響を与え
る。
半田ペースト33の量、電極34の半田のぬれ具合、部
品36の重量等によっても左右されるが、前記温度勾配
が該マンハッタン現象の発生の有無には最も影響を与え
る。
即ち、前記マンハッタン現象は、赤外線ランプを多数配
設してその複写熱により半田ペースト33を溶融する赤
外線リフロー装置や、熱風を循環させて多量の雰囲気を
加熱して、該雰囲気の対流により半田ペースト33を溶
融する熱風式リフロー装置においても発生するが、その
発生率は気相式リフロー装置の方が大きく、該リフロー
装置の後工程における手直しを必要としている。これは
他の装置に比較して、気相式リフロー装置においては、
前述の如く、蒸気槽42にて急激な温度勾配を生じる急
加熱が行われるため、部品36に熱ストレスが発生し、
該熱ストレスを緩和しきれていないことに起因している
。
設してその複写熱により半田ペースト33を溶融する赤
外線リフロー装置や、熱風を循環させて多量の雰囲気を
加熱して、該雰囲気の対流により半田ペースト33を溶
融する熱風式リフロー装置においても発生するが、その
発生率は気相式リフロー装置の方が大きく、該リフロー
装置の後工程における手直しを必要としている。これは
他の装置に比較して、気相式リフロー装置においては、
前述の如く、蒸気槽42にて急激な温度勾配を生じる急
加熱が行われるため、部品36に熱ストレスが発生し、
該熱ストレスを緩和しきれていないことに起因している
。
よって、本発明では、一定レベルで搬送される基板を緩
やかな温度勾配にて加熱することによって、半田ペース
トをその溶融温度まで加熱して、前記マンハッタン現象
の発生を抑える蒸気槽内蒸気レベル制御方法を提供する
ことを目的としている。
やかな温度勾配にて加熱することによって、半田ペース
トをその溶融温度まで加熱して、前記マンハッタン現象
の発生を抑える蒸気槽内蒸気レベル制御方法を提供する
ことを目的としている。
〈課題を解決するための手段〉
このため、本発明は、蒸気槽内に基板を一定レベルで搬
送通過させ、該蒸気槽内の蒸気によって半田を加熱溶融
して半田付けを行うよう構成された気相式半田リフロー
装置における蒸気槽内蒸気レベル制御方法であって、前
記蒸気槽を基板の搬送方向に複数に分割し、各々の蒸気
槽の蒸気レベルを検出する蒸気センサを設け、該蒸気セ
ンサの検出部を上流側ほど低く取付けることにより上流
側に位置する蒸気槽の蒸気レベルを低く制御する方法と
した。
送通過させ、該蒸気槽内の蒸気によって半田を加熱溶融
して半田付けを行うよう構成された気相式半田リフロー
装置における蒸気槽内蒸気レベル制御方法であって、前
記蒸気槽を基板の搬送方向に複数に分割し、各々の蒸気
槽の蒸気レベルを検出する蒸気センサを設け、該蒸気セ
ンサの検出部を上流側ほど低く取付けることにより上流
側に位置する蒸気槽の蒸気レベルを低く制御する方法と
した。
〈作用〉
そして、かかる方法では複数分割された蒸気槽において
、それぞれ独立して、より上流に位置する蒸気槽ほど蒸
気レベルか低くなるように制御されるので、その蒸気レ
ベルの勾配を緩やかにすることができ、もって基板の加
熱に係わる温度勾配を緩やかにすることができる。
、それぞれ独立して、より上流に位置する蒸気槽ほど蒸
気レベルか低くなるように制御されるので、その蒸気レ
ベルの勾配を緩やかにすることができ、もって基板の加
熱に係わる温度勾配を緩やかにすることができる。
く実施例〉
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第1図において、基板3lが一定レベルの基板搬送面1
に沿って、フッソ系の不活性液14が満たされている蒸
気槽2に搬送通過されるのは、従来と同様である。蒸気
槽2には仕切板3. 4, 5. 6が設けられ
、該蒸気槽2の搬送方向上流の壁7とともに、該蒸気槽
2が複数に分割され、加熱槽10、予熱槽11.緩衝槽
12. 13が形成される。
に沿って、フッソ系の不活性液14が満たされている蒸
気槽2に搬送通過されるのは、従来と同様である。蒸気
槽2には仕切板3. 4, 5. 6が設けられ
、該蒸気槽2の搬送方向上流の壁7とともに、該蒸気槽
2が複数に分割され、加熱槽10、予熱槽11.緩衝槽
12. 13が形成される。
蒸気槽2には、該不活性液I4を、前記半田の溶融温度
T3より若干低い温度であるT5に常時保持するための
定温保持用ヒータl8が、常時ONの状態で前記蒸気槽
2全長に渡って設けられており、さらに蒸気センサl7
によりON.OFF制御され、ONになったときに前記
不活性液I4を、半田の溶融温度T3より若干高い温度
である該不活性液l4の沸点T2まで更に加熱するコン
トロール用ヒータl9が、加熱槽10のみに設けられて
いる。
T3より若干低い温度であるT5に常時保持するための
定温保持用ヒータl8が、常時ONの状態で前記蒸気槽
2全長に渡って設けられており、さらに蒸気センサl7
によりON.OFF制御され、ONになったときに前記
不活性液I4を、半田の溶融温度T3より若干高い温度
である該不活性液l4の沸点T2まで更に加熱するコン
トロール用ヒータl9が、加熱槽10のみに設けられて
いる。
即ち、前記基板搬送面lより上方に設けた蒸気センサI
7により、該不活性液l4の気化した蒸気26の加熱槽
蒸気レベル16が検出される。蒸気センサl7により該
蒸気レベルl6が検出されない時は、コントロール用ヒ
ータl9がONとなり、蒸気量を増加させる。一方、蒸
気センサ17により該蒸気レベル16が検出されると、
コントロール用ヒータ19はOFFとなり、定温保持用
ヒータl8のみで該蒸気レベルl6が保持される。
7により、該不活性液l4の気化した蒸気26の加熱槽
蒸気レベル16が検出される。蒸気センサl7により該
蒸気レベルl6が検出されない時は、コントロール用ヒ
ータl9がONとなり、蒸気量を増加させる。一方、蒸
気センサ17により該蒸気レベル16が検出されると、
コントロール用ヒータ19はOFFとなり、定温保持用
ヒータl8のみで該蒸気レベルl6が保持される。
また、予熱槽1lの該液面l5の上方にも、前記基板搬
送面1より上方で、かつ前記第1蒸気センサl7より下
方に、第2蒸気センサ2lが設けられている。予熱槽1
1も第2蒸気センサ2lにより予熱槽蒸気レベル22が
検出され、この予熱槽蒸気レベル22を一定に保つため
に、前記蒸気槽2全長に渡って設けられて常時ONとな
っている定温保持用ヒータ18と、予熱槽11のみに設
けられるコントロール用ヒータ20と、が設けられてい
る。
送面1より上方で、かつ前記第1蒸気センサl7より下
方に、第2蒸気センサ2lが設けられている。予熱槽1
1も第2蒸気センサ2lにより予熱槽蒸気レベル22が
検出され、この予熱槽蒸気レベル22を一定に保つため
に、前記蒸気槽2全長に渡って設けられて常時ONとな
っている定温保持用ヒータ18と、予熱槽11のみに設
けられるコントロール用ヒータ20と、が設けられてい
る。
即ち加熱槽lOにおいては、前記第1蒸気センサl7に
よってコントロール用ヒータl9のON.OFFが制御
され、加熱槽蒸気レベルl6は仕切板5と仕切板6との
間でほぼ一定に制御される。また、予熱槽11において
も、加熱槽10とは別に、前記第2蒸気センサ2lによ
ってコントロール用ヒータ20のON.OFFが制御さ
れ、予熱槽蒸気レベル22は仕切板4と仕切板3との間
でほほ一定に、かつ前記加熱槽序記レベル16より低位
のレベルに、制御される。
よってコントロール用ヒータl9のON.OFFが制御
され、加熱槽蒸気レベルl6は仕切板5と仕切板6との
間でほぼ一定に制御される。また、予熱槽11において
も、加熱槽10とは別に、前記第2蒸気センサ2lによ
ってコントロール用ヒータ20のON.OFFが制御さ
れ、予熱槽蒸気レベル22は仕切板4と仕切板3との間
でほほ一定に、かつ前記加熱槽序記レベル16より低位
のレベルに、制御される。
また、前記不活性液l4の蒸気は仕切板3の上流側に設
けた冷却パイプ24、および仕切板6の下流側に設けた
冷却パイブ23により、沸点以下の温度まで冷却されて
、液化される。
けた冷却パイプ24、および仕切板6の下流側に設けた
冷却パイブ23により、沸点以下の温度まで冷却されて
、液化される。
一方、前記加熱槽蒸気レベルl6と予熱槽蒸気レベル2
2とは、仕切板4と仕切板5との間に位置する緩衝槽l
2において、緩やかに連続する。
2とは、仕切板4と仕切板5との間に位置する緩衝槽l
2において、緩やかに連続する。
一方、前記加熱槽lOと予熱槽11との間に位置する緩
衝槽12及び、予熱槽11の上流に位置する緩衝槽l3
においては蒸気センサが設けられていないため、加熱槽
10及び予熱槽Hよりオーバーフローした蒸気が溜まり
、該緩衝槽12. 13内の液面l5において液化され
ることなく、一時的に緩衝槽蒸気レベル25. 27が
高くなることが考えられる。よって、緩やかに該蒸気レ
ベル25. 27を搬送方向に従って高くなるようにす
るために、蒸気センサが設けられていない、緩衝槽l2
およびl3に、冷却パイプ23.24により液化された
前記不活性液14の沸点T2より低温である再生液を、
図示しないパイプ等で導き、供給しても良い。これによ
り、低温の再生液が該緩衝槽12. 13に供給される
ことになり、緩衝槽12の不活性液の温度を部分的に下
げることか可能となる。よって、該緩衝槽12. 13
内の液面l5に接触する該不活性液の蒸気は液化され、
該緩衝槽12. 13の緩衝槽蒸気レベル25. 27
の急激な変化を防止すること、および前述した予熱槽蒸
気レベル22を加熱槽蒸気レベルl6より低位に維持す
ることが、より効果的になる。
衝槽12及び、予熱槽11の上流に位置する緩衝槽l3
においては蒸気センサが設けられていないため、加熱槽
10及び予熱槽Hよりオーバーフローした蒸気が溜まり
、該緩衝槽12. 13内の液面l5において液化され
ることなく、一時的に緩衝槽蒸気レベル25. 27が
高くなることが考えられる。よって、緩やかに該蒸気レ
ベル25. 27を搬送方向に従って高くなるようにす
るために、蒸気センサが設けられていない、緩衝槽l2
およびl3に、冷却パイプ23.24により液化された
前記不活性液14の沸点T2より低温である再生液を、
図示しないパイプ等で導き、供給しても良い。これによ
り、低温の再生液が該緩衝槽12. 13に供給される
ことになり、緩衝槽12の不活性液の温度を部分的に下
げることか可能となる。よって、該緩衝槽12. 13
内の液面l5に接触する該不活性液の蒸気は液化され、
該緩衝槽12. 13の緩衝槽蒸気レベル25. 27
の急激な変化を防止すること、および前述した予熱槽蒸
気レベル22を加熱槽蒸気レベルl6より低位に維持す
ることが、より効果的になる。
かかる構成による方法によれば、加熱槽蒸気レベル16
.予熱槽蒸気・レベル22とも一定のレベルに維持され
、かつ加熱槽IOの上流側に位置するところの予熱槽l
1の予熱槽蒸気レベル22は、加熱槽蒸気レベルl6よ
り低位のレベルに維持される。よって、基板搬送面lに
沿って蒸気槽2に搬送されてきた基板は、加熱槽10に
入る前に、該加熱槽蒸気レベル16より低位の蒸気レベ
ルである予熱槽蒸気レベル22を有する予熱槽11を通
ることになる。
.予熱槽蒸気・レベル22とも一定のレベルに維持され
、かつ加熱槽IOの上流側に位置するところの予熱槽l
1の予熱槽蒸気レベル22は、加熱槽蒸気レベルl6よ
り低位のレベルに維持される。よって、基板搬送面lに
沿って蒸気槽2に搬送されてきた基板は、加熱槽10に
入る前に、該加熱槽蒸気レベル16より低位の蒸気レベ
ルである予熱槽蒸気レベル22を有する予熱槽11を通
ることになる。
従って、基板はまず予熱槽1lにて半田の溶融温度より
低い温度T4まで加熱され、その後、加熱槽10にて半
田溶融温度T2まで加熱されて半田付けがなされたこと
になり、基板上の部品の温度勾配は第2図に示すように
急激とはならず、マンハッタン現象の発生が抑えられる
。よって、気相式半田リフロー装置の後工程における半
田の手直し等が不要となる。
低い温度T4まで加熱され、その後、加熱槽10にて半
田溶融温度T2まで加熱されて半田付けがなされたこと
になり、基板上の部品の温度勾配は第2図に示すように
急激とはならず、マンハッタン現象の発生が抑えられる
。よって、気相式半田リフロー装置の後工程における半
田の手直し等が不要となる。
尚、本実施例では加熱槽10の搬送方向上流の蒸気槽2
の中に仕切板3, 4. 5を設けて予熱槽11を
1槽と、該予熱槽蒸気レベル22を制御するための第2
蒸気センサ2lとを設けたが、予熱槽はl槽でなくとも
よい。即ち、仕切板を該予熱槽に対応する数だけ設ける
ことにより、蒸気槽を複数分割して、各蒸気槽の蒸気レ
ベルを検出する蒸気センサを各蒸気槽に設置する。この
ような構成において、各蒸気槽蒸気レベルを、基板搬送
方向にしたがって低位の高さから前記加熱槽蒸気レベル
16を越えないレベルまで、徐々に高くなるよう制御す
ることにより、半田の溶融温度まで加熱していくような
、本実施例より細かい蒸気レベル制御方法を用いてもな
んら問題はない。
の中に仕切板3, 4. 5を設けて予熱槽11を
1槽と、該予熱槽蒸気レベル22を制御するための第2
蒸気センサ2lとを設けたが、予熱槽はl槽でなくとも
よい。即ち、仕切板を該予熱槽に対応する数だけ設ける
ことにより、蒸気槽を複数分割して、各蒸気槽の蒸気レ
ベルを検出する蒸気センサを各蒸気槽に設置する。この
ような構成において、各蒸気槽蒸気レベルを、基板搬送
方向にしたがって低位の高さから前記加熱槽蒸気レベル
16を越えないレベルまで、徐々に高くなるよう制御す
ることにより、半田の溶融温度まで加熱していくような
、本実施例より細かい蒸気レベル制御方法を用いてもな
んら問題はない。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、気相式半田リフ
ロー装置における蒸気槽において、基板の搬送方向に複
数分割した蒸気槽の蒸気レベルを上流側に位置するほど
低く制御する方法としたため、一定レベルで搬送される
基板を緩やかな温度勾配にて加熱することが可能となる
。よって、基板上の部品に与える急激な温度上昇による
熱ストレスが緩和されるので、マンハッタン現象の発生
が抑えられ、均一な半田付けが実現できる。従って、品
質の向上、後工程における手直し工数の低減、工数低減
による低価格化及び生産性の向上等の種々の効果が得ら
れる。
ロー装置における蒸気槽において、基板の搬送方向に複
数分割した蒸気槽の蒸気レベルを上流側に位置するほど
低く制御する方法としたため、一定レベルで搬送される
基板を緩やかな温度勾配にて加熱することが可能となる
。よって、基板上の部品に与える急激な温度上昇による
熱ストレスが緩和されるので、マンハッタン現象の発生
が抑えられ、均一な半田付けが実現できる。従って、品
質の向上、後工程における手直し工数の低減、工数低減
による低価格化及び生産性の向上等の種々の効果が得ら
れる。
第1図は本発明の一実施例を示す気相式半田リフロー装
置の概略構成図、第2図は本発明の作用説明図、第3図
は従来の気相式半田リフロー装置を示す概略構成図、第
4図は搬送される基板を示す側面図、第5図は従来の作
用説明図である。 l・・・基板搬送面 2・・・蒸気槽 3. 4
, 5.6・・・仕切板 10・・・加熱槽 1
1・・・予熱槽 l4・・・不活性液 l6・・・
加熱槽蒸気レベル l7・・・第1蒸気センサ 2
l・・・第2蒸気センサ 22・・・予熱槽蒸気レベ
ル 23. 24・・・冷却バイブ 3l・・・基
板
置の概略構成図、第2図は本発明の作用説明図、第3図
は従来の気相式半田リフロー装置を示す概略構成図、第
4図は搬送される基板を示す側面図、第5図は従来の作
用説明図である。 l・・・基板搬送面 2・・・蒸気槽 3. 4
, 5.6・・・仕切板 10・・・加熱槽 1
1・・・予熱槽 l4・・・不活性液 l6・・・
加熱槽蒸気レベル l7・・・第1蒸気センサ 2
l・・・第2蒸気センサ 22・・・予熱槽蒸気レベ
ル 23. 24・・・冷却バイブ 3l・・・基
板
Claims (1)
- 蒸気槽内に基板を一定レベルで搬送通過させ、該蒸気槽
内の蒸気によって半田を加熱溶融して半田付けを行うよ
う構成された気相式半田リフロー装置における蒸気槽内
蒸気レベル制御方法であって、前記蒸気槽を基板の搬送
方向に複数に分割し、各々の蒸気槽の蒸気レベルを検出
する蒸気センサを設け、該蒸気センサの検出部を上流側
ほど低く取付けることにより上流側に位置する蒸気槽の
蒸気レベルを低く制御することを特徴とする蒸気槽内蒸
気レベル制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13728490A JPH0327867A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 蒸気槽内蒸気レベル制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13728490A JPH0327867A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 蒸気槽内蒸気レベル制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0327867A true JPH0327867A (ja) | 1991-02-06 |
JPH0416265B2 JPH0416265B2 (ja) | 1992-03-23 |
Family
ID=15195088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13728490A Granted JPH0327867A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 蒸気槽内蒸気レベル制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0327867A (ja) |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP13728490A patent/JPH0327867A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0416265B2 (ja) | 1992-03-23 |
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