JPH03139885A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH03139885A JPH03139885A JP1279243A JP27924389A JPH03139885A JP H03139885 A JPH03139885 A JP H03139885A JP 1279243 A JP1279243 A JP 1279243A JP 27924389 A JP27924389 A JP 27924389A JP H03139885 A JPH03139885 A JP H03139885A
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Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、テレビカメラなどに適用される固体撮像装置
に関し、さらに詳しくは、光電変換部と信号転送部とを
重ねた積層型固体撮像装置に関するものである。
に関し、さらに詳しくは、光電変換部と信号転送部とを
重ねた積層型固体撮像装置に関するものである。
従来例によるこの種の積層型固体撮像装置として、ここ
では、例えば文献（菊地誠監修、田中−宜編著、「アモ
ルファス半導体の基礎」、オーム社発行）の１９５真に
記載されている積層型固体撮像装置の概要断面を第３図
に示す。
では、例えば文献（菊地誠監修、田中−宜編著、「アモ
ルファス半導体の基礎」、オーム社発行）の１９５真に
記載されている積層型固体撮像装置の概要断面を第３図
に示す。
すなわち、この第３図の従来例の構成において、■は半
導体基板、２，３および４は半導体基板１の主面上に形
成されて、後述する信号電荷を外部ニ読み出すための素
子構成で、ここでは、いわゆるＭＯＳＦＥＴを構成する
それぞれにソース領域ドレイン領域およびゲート電極、
５はこれらの構成２．３．４の上に形成された絶縁膜、
６はソース領域２から取り出されたソース電極配線、７
および７ａはドレイン領域３がら取り出されたドレイン
電極配線（アルミニウムから成る配線、以下「アルミニ
ウム配線」という）およびアルミニウム配線、８はソー
ス電極配線６とアルミニウム配線７，７ａとの間を隔て
る眉間絶縁膜、９はこれらの上部を覆い、かつアルミニ
ウム配線７，７ａに接して堆積形成され、外部からの入
射光１１を電気信号に変換する光電変換膜、１ｏは光電
変換膜９上に形成された透明導電膜である。
導体基板、２，３および４は半導体基板１の主面上に形
成されて、後述する信号電荷を外部ニ読み出すための素
子構成で、ここでは、いわゆるＭＯＳＦＥＴを構成する
それぞれにソース領域ドレイン領域およびゲート電極、
５はこれらの構成２．３．４の上に形成された絶縁膜、
６はソース領域２から取り出されたソース電極配線、７
および７ａはドレイン領域３がら取り出されたドレイン
電極配線（アルミニウムから成る配線、以下「アルミニ
ウム配線」という）およびアルミニウム配線、８はソー
ス電極配線６とアルミニウム配線７，７ａとの間を隔て
る眉間絶縁膜、９はこれらの上部を覆い、かつアルミニ
ウム配線７，７ａに接して堆積形成され、外部からの入
射光１１を電気信号に変換する光電変換膜、１ｏは光電
変換膜９上に形成された透明導電膜である。
そして、この従来例の装置の場合には、まず、半導体基
板１の主面上にあって、ソース領域２゜ドレイン領域３
およびゲート電極４からなる信号電荷を読み出すための
ＭＯＳ Ｆ ＥＴを構成させ、また、絶縁膜５を形成し
た後、ソース領域２に接続されるソース電極配線６を施
し、かつこのソース電極配線６との間の眉間絶縁膜８を
形成した後、次の上層での充電変換膜９に接するアルミ
ニウム配線７ａを有して、ドレイン領域３に接続される
アルミニウム配線（ドレイン電極配線）７を施す。
板１の主面上にあって、ソース領域２゜ドレイン領域３
およびゲート電極４からなる信号電荷を読み出すための
ＭＯＳ Ｆ ＥＴを構成させ、また、絶縁膜５を形成し
た後、ソース領域２に接続されるソース電極配線６を施
し、かつこのソース電極配線６との間の眉間絶縁膜８を
形成した後、次の上層での充電変換膜９に接するアルミ
ニウム配線７ａを有して、ドレイン領域３に接続される
アルミニウム配線（ドレイン電極配線）７を施す。
続いて、これらの上部にあって、アルミニウム配線７，
７ａに接して、アモルファスシリコンなどの光電変換膜
９を堆積させ、さらにその上に透明導電膜ｌＯを形成さ
せて、装置構成を完成する。
７ａに接して、アモルファスシリコンなどの光電変換膜
９を堆積させ、さらにその上に透明導電膜ｌＯを形成さ
せて、装置構成を完成する。
従って、この従来例装置の構成では、透明導電膜１０側
から入射される信号入射光１１により、光電変換膜９内
で信号電荷が発生され、この発生された信号電荷は、透
明導電膜１０とアルミニウム配線７．７ａ間の電界によ
り、アルミニウム配線７を通してドレイン領域３に一旦
蓄積されると共に、このドレイン領域３に一定時間だけ
蓄積された信号電荷は、読み出しのための素子であるＭ
ＯＳＦＥＴを通して外部に読み出されるのである。
から入射される信号入射光１１により、光電変換膜９内
で信号電荷が発生され、この発生された信号電荷は、透
明導電膜１０とアルミニウム配線７．７ａ間の電界によ
り、アルミニウム配線７を通してドレイン領域３に一旦
蓄積されると共に、このドレイン領域３に一定時間だけ
蓄積された信号電荷は、読み出しのための素子であるＭ
ＯＳＦＥＴを通して外部に読み出されるのである。
従来の積層型固体撮像装置は以上のように構成されてお
り、アルミニウム配線７，７ａ上に直接光電変換膜９が
堆積される。そのため、光電変換膜９の堆積時あるいは
装置完成後の常温放置によって、アルミニウムが光電変
換膜９内に拡散し、特性を劣化させるという問題があっ
た。
り、アルミニウム配線７，７ａ上に直接光電変換膜９が
堆積される。そのため、光電変換膜９の堆積時あるいは
装置完成後の常温放置によって、アルミニウムが光電変
換膜９内に拡散し、特性を劣化させるという問題があっ
た。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、アルミニウムの光電変換膜内へ
の拡散をなくすことができる積層型固体撮像装置を得る
ことにある。
の目的とするところは、アルミニウムの光電変換膜内へ
の拡散をなくすことができる積層型固体撮像装置を得る
ことにある。
このような課題を解決するために本発明は、信号電荷蓄
積部と光電変換部とをつなぐ配線上に高融点金属を積層
して、この高融点金属で上記配線を被覆するようにした
ものである。
積部と光電変換部とをつなぐ配線上に高融点金属を積層
して、この高融点金属で上記配線を被覆するようにした
ものである。
本発明による固体撮像装置において、高融点金属は、ア
ルミニウムの光電変換膜への拡散を防止し、光電変換膜
の劣化を抑える。
ルミニウムの光電変換膜への拡散を防止し、光電変換膜
の劣化を抑える。
以下、本発明による固体撮像装置の一実施例を図を用い
て説明する。
て説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は、本発明の一実施例の製造方法
を説明するための断面図である。同図において、Ｉ２は
タングステンなどの高融点金属層である。
を説明するための断面図である。同図において、Ｉ２は
タングステンなどの高融点金属層である。
なお、第１図において第３図と同一部分又は相当部分に
は同一符号が付しである。また、光電変換膜９と透明導
電膜１０は光電変換部を構成する。
は同一符号が付しである。また、光電変換膜９と透明導
電膜１０は光電変換部を構成する。
第１図（ａ）は、従来の積層型固体撮像装置と同様にし
てアルミニウム配線７，７ａまで施したものを示す断面
図である。
てアルミニウム配線７，７ａまで施したものを示す断面
図である。
次に、第１図（ｂｌに示すように、アルミニウム配線７
，７ａをタングステンなどの高融点金属１２で被覆する
。
，７ａをタングステンなどの高融点金属１２で被覆する
。
次に、第１図（Ｃ１に示すように、従来の積層型固体撮
像装置と同様にしてアモルファスシリコンなどの光電変
換膜９を堆積させ、さらにその上に透明導電膜１０を形
成させて装置構成を完成する。
像装置と同様にしてアモルファスシリコンなどの光電変
換膜９を堆積させ、さらにその上に透明導電膜１０を形
成させて装置構成を完成する。
次に、アルミニウム配線７．７ａ上に高融点金属１２を
選択的に形成する方法を説明する。アルミニウム配線７
．７ａ上に高融点金属１２を形成することは、例えば第
２図に示すような装置を用い、タングステンの選択ＣＶ
Ｄ法によって行なうことができる。具体的には、第１図
（ａ）に示した状態の半加工製品１３（第２図）を第２
図に示すＣＶＤ装置の反応室１４内に配置した後、反応
室１４内の気圧を０．ＩＴｏｒｒにする。この状態で反
応室１４に六弗化タングステン（ＷＦ６）および水素（
Ｈ２）を導入し、ヒータ１５によって加熱して反応室１
４内の温度を４００℃〜５００℃に設定する。この条件
下では、アルミニウム配線７７ａ上においては、ＷＦ、
がＳｉと接触して還元されるため、タングステンＷが堆
積する。
選択的に形成する方法を説明する。アルミニウム配線７
．７ａ上に高融点金属１２を形成することは、例えば第
２図に示すような装置を用い、タングステンの選択ＣＶ
Ｄ法によって行なうことができる。具体的には、第１図
（ａ）に示した状態の半加工製品１３（第２図）を第２
図に示すＣＶＤ装置の反応室１４内に配置した後、反応
室１４内の気圧を０．ＩＴｏｒｒにする。この状態で反
応室１４に六弗化タングステン（ＷＦ６）および水素（
Ｈ２）を導入し、ヒータ１５によって加熱して反応室１
４内の温度を４００℃〜５００℃に設定する。この条件
下では、アルミニウム配線７７ａ上においては、ＷＦ、
がＳｉと接触して還元されるため、タングステンＷが堆
積する。
なお、上記実施例で示した選択ＣＶＤ法では、ＷＦ、と
Ｈ２を用いた場合について示したが、Ｈ２の代わりにシ
ラン（ＳｉＨａ）を用いても同様にタングステン膜１２
を形成することができる。この場合の反応室１４の温度
は３００℃程度に保てばよい。
Ｈ２を用いた場合について示したが、Ｈ２の代わりにシ
ラン（ＳｉＨａ）を用いても同様にタングステン膜１２
を形成することができる。この場合の反応室１４の温度
は３００℃程度に保てばよい。
また、第１図の実施例の構成においては、信号電荷を読
み出すための素子として、ＭＯＳＦＥＴを用いる場合に
ついて述べたが、ＣＣＤを用いる積層型固体撮像装置で
あってもよく、同様な作用、効果を奏し得る。
み出すための素子として、ＭＯＳＦＥＴを用いる場合に
ついて述べたが、ＣＣＤを用いる積層型固体撮像装置で
あってもよく、同様な作用、効果を奏し得る。
以上説明したように本発明は、アルミニウム配線を高融
点金属で被覆したことにより、アルミニウムの光電変換
膜への拡散を防止することができ、光電変換膜の劣化を
なくすことができる効果がある。
点金属で被覆したことにより、アルミニウムの光電変換
膜への拡散を防止することができ、光電変換膜の劣化を
なくすことができる効果がある。
第１図は本発明による固体撮像装置の一実施例の製造工
程を示す断面図、第２図は第１図の実施例のタングステ
ン膜を選択的に形成するためのＣＶＤ装置の概略を示す
構成図、第３図は従来の積層型固体撮像装置を示す断面
図である。 １・・・半導体基板、２・・・ソース領域、３・・・ド
レイン領域、４・・・ゲート電極、５・・・絶縁膜、６
・・・ソース電極配線、７，７ａ・・・アルミニウム配
線、８・・・層間絶縁膜、９・・・光電変換膜、１０・
・・透明導電膜、１１・・・入射光、１２・・・高融点
金属。
程を示す断面図、第２図は第１図の実施例のタングステ
ン膜を選択的に形成するためのＣＶＤ装置の概略を示す
構成図、第３図は従来の積層型固体撮像装置を示す断面
図である。 １・・・半導体基板、２・・・ソース領域、３・・・ド
レイン領域、４・・・ゲート電極、５・・・絶縁膜、６
・・・ソース電極配線、７，７ａ・・・アルミニウム配
線、８・・・層間絶縁膜、９・・・光電変換膜、１０・
・・透明導電膜、１１・・・入射光、１２・・・高融点
金属。
Claims (1)
- 信号電荷蓄積部と信号電荷読出し部とが形成された固
体撮像素子基板上に光電変換部が積層された固体撮像装
置において、前記信号電荷蓄積部と光電変換部とをつな
ぐ配線上に高融点金属を積層して前記高融点金属で前記
配線を被覆したことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1279243A JPH03139885A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1279243A JPH03139885A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03139885A true JPH03139885A (ja) | 1991-06-14 |
Family
ID=17608437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1279243A Pending JPH03139885A (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03139885A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010161390A (ja) * | 2002-01-11 | 2010-07-22 | Crosstek Capital Llc | イメージセンサ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56152280A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Hitachi Ltd | Light receiving surface |
| JPS5994971A (ja) * | 1983-11-02 | 1984-05-31 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
-
1989
- 1989-10-25 JP JP1279243A patent/JPH03139885A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56152280A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Hitachi Ltd | Light receiving surface |
| JPS5994971A (ja) * | 1983-11-02 | 1984-05-31 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010161390A (ja) * | 2002-01-11 | 2010-07-22 | Crosstek Capital Llc | イメージセンサ |
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