JPH03102316A - 液晶注入方法 - Google Patents
液晶注入方法Info
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- JPH03102316A JPH03102316A JP24116789A JP24116789A JPH03102316A JP H03102316 A JPH03102316 A JP H03102316A JP 24116789 A JP24116789 A JP 24116789A JP 24116789 A JP24116789 A JP 24116789A JP H03102316 A JPH03102316 A JP H03102316A
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
本発明は、時計，テレビ、パソコン等の表示部に使用さ
れる液晶パネルにおいて液晶を注入する方法及びその装
置に関する． ［従来の技術］ 従来は、液晶パネル全体を真空チャンバ内へ入れ、真空
チャンバを真空排気することにより、液晶を注入すべき
パネルの一部開放端よりパネル内のガスを出し真空にし
，その後，同所開放端へ液晶をたらす等の方法で，開放
端を液晶で覆うようにし、真空チャンバを大気に開放、
あるいは１気圧以上に加圧してパネル内へ液晶を注入し
ていた． ［発明が解決しようとする課題１ しかし、従来の方法では液晶パネルが大きくなるに従が
い真空チャンバち大きくなり、スペースをとると共に、
装置が高価となるということ、また、液晶を注入する際
，加熱あるいはｌ気圧以上を必要とし、真空チャンバ内
が複雑となること，さらには、パネル内の一括排気，一
括注入を行うため、注入しながら排気するということが
不可能であり、パネル内に気泡が残る等の問題があった
． そこで本発明は、このような問題を解決するちので、そ
の目的とするところは省スペースで安価に，かつ簡単な
方法で、しかち気泡等が残らない液晶の注入方法を提供
するところにある．〔課題を解決するための手段〕 本発明の液晶注入方法は、液晶を用いた表示パネルにお
いて、上部ガラス基板と下部ガラス基板のすき間を、一
度真空にした後液晶を注入する方法として、パネル全体
を真空チャンバの中へ入れることなく、前記上部ガラス
と下部ガラス、そしてシール材で形成する閉じた系の一
個あるいは複数個の開放端に，真空排気ポンプへ接続さ
れた真空排気用ノズルを密着し、真空排気を行い、かつ
真空排気後バルブを切り換え，前記真空排気用ノズルか
ら液晶をたらし、再度バルブを切り換えることにより、
大気あるいは１気圧以上の圧力を背圧として液晶を注入
することを特徴とする．（２）液晶を用いた表示パネル
において、上部ガラス基板と下部ガラス基板をシール材
で接合し，前記上部ガラス基板と下部ガラス基板のすき
間を、一度真空にした後液晶を注入する方法として、パ
ネル全体を真空チャンバの中へ入れることなく、前記上
部ガラスと下部ガラス、そしてシール材で形成する閉じ
た系の複数個の開放端に、真空排気ボンブヘ接続された
真空排気用ノズルを密着し、真空排気を行い、かつ真空
排気後いくつかの真空排気用ノズルのバルブを切り換え
，その切り換えられた排気用ノズルから液晶をたらし、
再度バルブを切り換えることにより、大気あるいは１気
圧以上の圧力を背圧として液晶を注入すると共に、一部
液晶をたらさなかった真空排気用ノズルからは連続的あ
るいは断続的に真空排気を行うことを特徴とする。
れる液晶パネルにおいて液晶を注入する方法及びその装
置に関する． ［従来の技術］ 従来は、液晶パネル全体を真空チャンバ内へ入れ、真空
チャンバを真空排気することにより、液晶を注入すべき
パネルの一部開放端よりパネル内のガスを出し真空にし
，その後，同所開放端へ液晶をたらす等の方法で，開放
端を液晶で覆うようにし、真空チャンバを大気に開放、
あるいは１気圧以上に加圧してパネル内へ液晶を注入し
ていた． ［発明が解決しようとする課題１ しかし、従来の方法では液晶パネルが大きくなるに従が
い真空チャンバち大きくなり、スペースをとると共に、
装置が高価となるということ、また、液晶を注入する際
，加熱あるいはｌ気圧以上を必要とし、真空チャンバ内
が複雑となること，さらには、パネル内の一括排気，一
括注入を行うため、注入しながら排気するということが
不可能であり、パネル内に気泡が残る等の問題があった
． そこで本発明は、このような問題を解決するちので、そ
の目的とするところは省スペースで安価に，かつ簡単な
方法で、しかち気泡等が残らない液晶の注入方法を提供
するところにある．〔課題を解決するための手段〕 本発明の液晶注入方法は、液晶を用いた表示パネルにお
いて、上部ガラス基板と下部ガラス基板のすき間を、一
度真空にした後液晶を注入する方法として、パネル全体
を真空チャンバの中へ入れることなく、前記上部ガラス
と下部ガラス、そしてシール材で形成する閉じた系の一
個あるいは複数個の開放端に，真空排気ポンプへ接続さ
れた真空排気用ノズルを密着し、真空排気を行い、かつ
真空排気後バルブを切り換え，前記真空排気用ノズルか
ら液晶をたらし、再度バルブを切り換えることにより、
大気あるいは１気圧以上の圧力を背圧として液晶を注入
することを特徴とする．（２）液晶を用いた表示パネル
において、上部ガラス基板と下部ガラス基板をシール材
で接合し，前記上部ガラス基板と下部ガラス基板のすき
間を、一度真空にした後液晶を注入する方法として、パ
ネル全体を真空チャンバの中へ入れることなく、前記上
部ガラスと下部ガラス、そしてシール材で形成する閉じ
た系の複数個の開放端に、真空排気ボンブヘ接続された
真空排気用ノズルを密着し、真空排気を行い、かつ真空
排気後いくつかの真空排気用ノズルのバルブを切り換え
，その切り換えられた排気用ノズルから液晶をたらし、
再度バルブを切り換えることにより、大気あるいは１気
圧以上の圧力を背圧として液晶を注入すると共に、一部
液晶をたらさなかった真空排気用ノズルからは連続的あ
るいは断続的に真空排気を行うことを特徴とする。
〔実 施 例］
従来の液晶注入方法の一例を第５図に示す。
真空チャンバｌ内にテーブル４にセットされたパネル３
と、液晶溜め７に入った液晶８を設ｔｔ，これらを真空
ボンブに接続された真空排気口２より真空排気する．パ
ネル３からはガスが抜け出てくると同時に，液晶８は脱
泡される．バネル３からのガス出しを充分に行った後，
テフロンバイブ６を通して，バネルガス出し口を兼ねる
液晶注入口５へ液晶８を垂らす．その後真空チャンバｌ
全体を大気に開放し、その圧力（１気圧）で液晶８を注
入する． 以上が従来の液晶注入方法であるが、バネル３を真空に
さらす時間は以下の事から決定される。
と、液晶溜め７に入った液晶８を設ｔｔ，これらを真空
ボンブに接続された真空排気口２より真空排気する．パ
ネル３からはガスが抜け出てくると同時に，液晶８は脱
泡される．バネル３からのガス出しを充分に行った後，
テフロンバイブ６を通して，バネルガス出し口を兼ねる
液晶注入口５へ液晶８を垂らす．その後真空チャンバｌ
全体を大気に開放し、その圧力（１気圧）で液晶８を注
入する． 以上が従来の液晶注入方法であるが、バネル３を真空に
さらす時間は以下の事から決定される。
まず，パネル内の圧力をどの位にしなければならないか
を考える． バネル３中に液晶を注入した時に発生する最大許容気泡
の大きさをＶ１、パネル３中のギャップすなわち液晶を
注入すべき内容積をＶ，とすると，バネル３中の真空度
Ｐ．は Ｐｇ ＝Ｖ．ｘ７６０ｘｌ３３／Ｖｇ （Ｐ．）・・
・１）式 で表わされる．従って■，が大きくなるとＰ２をより低
圧にしなければならない．たとえば、Ｖ １ ＝ Ｑ
． ４ ｍ ｍ Ｘ Ｑ、４ｍｍＸ５ｕｍＶａ ＝８ｃ
ｍＸ８ｃｍＸ５ａｍ とすると．Ｐ＃２．５ （Ｐ．） まで排気しなけれ
ばならない．すなわち、真空チャンバの到達真空度をＰ
１とすると ｐ，＜２．５ （Ｐ．）とする必要がある．次に、液晶
バネル３中の真空度Ｐ２が２．５（Ｐ．）になるまでの
時間ｔを考える．一般的に、真空チャンバ１の真空排気
口２のコンダクタンスは、液晶注入口５（バネルガス出
し口）のそれより非常に大きく、従って真空チャンバｌ
の到達圧力までの排気時間は考えなくともよく、常に到
達圧力に達つしていると仮定できる．前記仮定で、真空
チャンバ１の到達真空度をＰ１とするとＶａ ｄＰ＊
／ｄｔ＝Ｃ・ （ｐ．−ｐ．）よって ｔ ＝ （Ｖ２／ Ｃ ） ・１２ ｎ ［ ｆｈ
（初朋） −ＰＩ ）／ （ｐｇ （２． ５Ｐ．
） −ＰＩ） ］２）式 となる．ここでＣはパネルの液晶注入口５（バネルガス
出し口）のコンダクタンスである．ここで ｐ ＋
＜ ｐ ｍ （ ２、５Ｐ．）とするとｔ＝ （Ｖ＊
／Ｃ） ・ｊ２ｎ ［Ｐｚ （初期）／Ｐ． （
２． ５Ｐ．）］ −−・３）式となる． これらから言えることは、真空チャンバｌの到達圧力は
、求めるバネル３中の圧力の１／５〜１／１０位で良く
、これ以下の圧力にしてもさほど意味がないということ
、さらには真空チャンバ１の真空排気口２は、リーク量
さえ小さければ小さくでき、かつ真空ボンブ６高排気ボ
ンブ（ターポボンブ等）ではなく、メカニカルブースタ
ポンプ等の小さい排気速度のものでもかまわないという
ことである． 本発明の液晶注入方法を以下に説明する．本発明は真空
チャンバｌを必要としない。第１図はパネル３中を真空
にする方法を示した模式図である．テーブル４にクッシ
ョン９を挟んでパネル３をセットする．真空ボンブにつ
ながれたフレキホース１ｌ、そのフレキホースの先端に
取り付けた配管ｌＯが真空排気系をなし、０リング１２
をシールとして液晶注入口５（バネルガス出し口）に接
続する．このように，バネル３中の液晶を注入すべき空
洞部を真空チャンバと見なし、真空排気を行う．真空排
気コンダクタンスは液晶注入口５（バネルガス出し口）
の口径に律１１＋１されるため、また前記理由により、
このような方法で６可能なのである． 第２図に本発明の液晶注入方法のシステムを示す。
を考える． バネル３中に液晶を注入した時に発生する最大許容気泡
の大きさをＶ１、パネル３中のギャップすなわち液晶を
注入すべき内容積をＶ，とすると，バネル３中の真空度
Ｐ．は Ｐｇ ＝Ｖ．ｘ７６０ｘｌ３３／Ｖｇ （Ｐ．）・・
・１）式 で表わされる．従って■，が大きくなるとＰ２をより低
圧にしなければならない．たとえば、Ｖ １ ＝ Ｑ
． ４ ｍ ｍ Ｘ Ｑ、４ｍｍＸ５ｕｍＶａ ＝８ｃ
ｍＸ８ｃｍＸ５ａｍ とすると．Ｐ＃２．５ （Ｐ．） まで排気しなけれ
ばならない．すなわち、真空チャンバの到達真空度をＰ
１とすると ｐ，＜２．５ （Ｐ．）とする必要がある．次に、液晶
バネル３中の真空度Ｐ２が２．５（Ｐ．）になるまでの
時間ｔを考える．一般的に、真空チャンバ１の真空排気
口２のコンダクタンスは、液晶注入口５（バネルガス出
し口）のそれより非常に大きく、従って真空チャンバｌ
の到達圧力までの排気時間は考えなくともよく、常に到
達圧力に達つしていると仮定できる．前記仮定で、真空
チャンバ１の到達真空度をＰ１とするとＶａ ｄＰ＊
／ｄｔ＝Ｃ・ （ｐ．−ｐ．）よって ｔ ＝ （Ｖ２／ Ｃ ） ・１２ ｎ ［ ｆｈ
（初朋） −ＰＩ ）／ （ｐｇ （２． ５Ｐ．
） −ＰＩ） ］２）式 となる．ここでＣはパネルの液晶注入口５（バネルガス
出し口）のコンダクタンスである．ここで ｐ ＋
＜ ｐ ｍ （ ２、５Ｐ．）とするとｔ＝ （Ｖ＊
／Ｃ） ・ｊ２ｎ ［Ｐｚ （初期）／Ｐ． （
２． ５Ｐ．）］ −−・３）式となる． これらから言えることは、真空チャンバｌの到達圧力は
、求めるバネル３中の圧力の１／５〜１／１０位で良く
、これ以下の圧力にしてもさほど意味がないということ
、さらには真空チャンバ１の真空排気口２は、リーク量
さえ小さければ小さくでき、かつ真空ボンブ６高排気ボ
ンブ（ターポボンブ等）ではなく、メカニカルブースタ
ポンプ等の小さい排気速度のものでもかまわないという
ことである． 本発明の液晶注入方法を以下に説明する．本発明は真空
チャンバｌを必要としない。第１図はパネル３中を真空
にする方法を示した模式図である．テーブル４にクッシ
ョン９を挟んでパネル３をセットする．真空ボンブにつ
ながれたフレキホース１ｌ、そのフレキホースの先端に
取り付けた配管ｌＯが真空排気系をなし、０リング１２
をシールとして液晶注入口５（バネルガス出し口）に接
続する．このように，バネル３中の液晶を注入すべき空
洞部を真空チャンバと見なし、真空排気を行う．真空排
気コンダクタンスは液晶注入口５（バネルガス出し口）
の口径に律１１＋１されるため、また前記理由により、
このような方法で６可能なのである． 第２図に本発明の液晶注入方法のシステムを示す。
まず真空ボンブｌ５を起動させると共に，ボンブリーク
バルプ１６を閉じる．そして液晶溜め７を真空にし液晶
８を脱泡するため，前記液晶溜め７と真空ボンブｌ５と
の配管の間に位置するバルブｌ８を開ける．その後前記
バルブ１８を閉じ、真空ボンプ１５とパネル３の液晶注
入口５（バネルガス出し口）との配管の間のバルブ１７
を開き、バネル３中を真空排気する．充分な真空排気後
、前記バルブｌ７を閉じ、液晶溜め７と液晶注入口５の
間のバルブ２ｌを開き、前記液晶溜め７をバネル３より
高い位置にすることにより液晶を液晶注入口５に注ぐ．
そして前記バルブ２ｌを閉じる．次に圧縮された窒素ガ
スをバルブ１９を開いて、液晶注入口５に注がれた液晶
の背圧として印加する．これにより，液晶のパネル３中
への注入をよりスムースとする．液晶が注入されたら前
記バルブ１９を閉じ、大気へつながれたバルブ２１を開
いて、窒素ガスの圧力を開放し、バネル３を取り出す． 別の実施例を説明する。
バルプ１６を閉じる．そして液晶溜め７を真空にし液晶
８を脱泡するため，前記液晶溜め７と真空ボンブｌ５と
の配管の間に位置するバルブｌ８を開ける．その後前記
バルブ１８を閉じ、真空ボンプ１５とパネル３の液晶注
入口５（バネルガス出し口）との配管の間のバルブ１７
を開き、バネル３中を真空排気する．充分な真空排気後
、前記バルブｌ７を閉じ、液晶溜め７と液晶注入口５の
間のバルブ２ｌを開き、前記液晶溜め７をバネル３より
高い位置にすることにより液晶を液晶注入口５に注ぐ．
そして前記バルブ２ｌを閉じる．次に圧縮された窒素ガ
スをバルブ１９を開いて、液晶注入口５に注がれた液晶
の背圧として印加する．これにより，液晶のパネル３中
への注入をよりスムースとする．液晶が注入されたら前
記バルブ１９を閉じ、大気へつながれたバルブ２１を開
いて、窒素ガスの圧力を開放し、バネル３を取り出す． 別の実施例を説明する。
第３図に本実施例のパネル３の様子を示す。バネル３に
対角線上に一方が液晶注入口３１、他方がバネルガス出
し口３２とそれぞれ専用の小穴を開ける．このバネル３
を使用して，液晶を注入する方法及びシステムを第４図
に示す。
対角線上に一方が液晶注入口３１、他方がバネルガス出
し口３２とそれぞれ専用の小穴を開ける．このバネル３
を使用して，液晶を注入する方法及びシステムを第４図
に示す。
まず真空ボンプｌ５を起動させると共に、ボンブリーク
バルブｌ６を閉じる。そして液晶溜め７を真空にし液晶
８を脱泡するため，前記液晶溜め７と真空ポンブｌ５と
の配管の間に位置するバルブ１８を開ける．その後前記
バルブｌ８を閉し、真杢ボンブ１５とバネル３の液晶注
入口３１，及びバネルガス出し口３２との配管の間のバ
ルブｌ７、２２を開き、バネル３中を真空排気する．こ
の真空排気時間は前実施例に示したシステムより短くて
よい．すなわち２低真空でよい．その後バルブ１７．２
２を閉じ液晶溜め７と液晶注入口３ｌの間のバルブ２１
を開き、前記液晶溜め７をバネル３より高い位置にする
ことにより液晶を液晶注入口３１に注ぐ．そして前記バ
ルブ２１を閉じる．次に圧縮された窒素ガスをバルブｌ
９を開いて、液晶注入口３ｌに注がれた液晶の背圧とし
て印加する．液晶がバネル３中へ入っていき気泡を生じ
たら、バルブ２２を開き適時真空排気する．液晶の注入
が完了したらバルブｌ９を閉じ大気へつながれたバルブ
２ｌを開いて、窒素ガスの圧力を開放し、バネル３を取
り出す．この方法、システムによれば、パネル３中を真
空排気する時間を短くできるばかりでな《、パネル３中
に気泡が残ることもなく、表示不良などのトラブルを防
ぐことができる．従来は、たとえばバネル３に液晶注入
口３ｌとバネルガス出し口３２を専用に設けても、パネ
ル全体を真空チャンバ内へ入れるため、本実施例に示す
ような液晶注入方法がとれなかった． 〔発明の効果１ 本発明によれば，真空チャンバを必要としないがため安
価で，かつ液晶を注入しながら真空排気する等の手段が
とれるため気泡などの残らない、しかも簡単な方法での
液晶注入が可能である．
バルブｌ６を閉じる。そして液晶溜め７を真空にし液晶
８を脱泡するため，前記液晶溜め７と真空ポンブｌ５と
の配管の間に位置するバルブ１８を開ける．その後前記
バルブｌ８を閉し、真杢ボンブ１５とバネル３の液晶注
入口３１，及びバネルガス出し口３２との配管の間のバ
ルブｌ７、２２を開き、バネル３中を真空排気する．こ
の真空排気時間は前実施例に示したシステムより短くて
よい．すなわち２低真空でよい．その後バルブ１７．２
２を閉じ液晶溜め７と液晶注入口３ｌの間のバルブ２１
を開き、前記液晶溜め７をバネル３より高い位置にする
ことにより液晶を液晶注入口３１に注ぐ．そして前記バ
ルブ２１を閉じる．次に圧縮された窒素ガスをバルブｌ
９を開いて、液晶注入口３ｌに注がれた液晶の背圧とし
て印加する．液晶がバネル３中へ入っていき気泡を生じ
たら、バルブ２２を開き適時真空排気する．液晶の注入
が完了したらバルブｌ９を閉じ大気へつながれたバルブ
２ｌを開いて、窒素ガスの圧力を開放し、バネル３を取
り出す．この方法、システムによれば、パネル３中を真
空排気する時間を短くできるばかりでな《、パネル３中
に気泡が残ることもなく、表示不良などのトラブルを防
ぐことができる．従来は、たとえばバネル３に液晶注入
口３ｌとバネルガス出し口３２を専用に設けても、パネ
ル全体を真空チャンバ内へ入れるため、本実施例に示す
ような液晶注入方法がとれなかった． 〔発明の効果１ 本発明によれば，真空チャンバを必要としないがため安
価で，かつ液晶を注入しながら真空排気する等の手段が
とれるため気泡などの残らない、しかも簡単な方法での
液晶注入が可能である．
第１図は本発明のバネル３中を真空にする方法を示した
模式図、第２図は本発明の一実施例で液晶注入方法のシ
ステム図，第３図は別の実施例に用いるパネルの図、第
４図は別の実施例の液晶注入方法及びシステム図、第５
図は従来の液晶注入方法を示す図． ｌ・・真空チャンバ ２・・真空排気口 ３・・バネル ４・・テーブル 液晶注入口（バネルガス出し口兼用） テフロンバイブ 液晶溜め 液晶 クッション 配管 フレキホース ・Ｏリング ・真空ボンブ ・ボンブリークバルブ ・真空ポンプとパネルの液晶注入口との配管の間のバル
ブ（パネル中真空排気 用バルブ） ｌ８・・真空ボンブと液晶溜めとの配管の間のバルブ（
液晶脱泡用バルブ） 窒素ガス加圧用バルブ 大気開放用バルブ 液晶注入用バルブ パネル中真空排気専用バルブ 液晶注入口（専用） ｌ ９ ２ ０ ２ｌ ２２ ３ｌ ３２・・パネルガス出し口（専用） 以上
模式図、第２図は本発明の一実施例で液晶注入方法のシ
ステム図，第３図は別の実施例に用いるパネルの図、第
４図は別の実施例の液晶注入方法及びシステム図、第５
図は従来の液晶注入方法を示す図． ｌ・・真空チャンバ ２・・真空排気口 ３・・バネル ４・・テーブル 液晶注入口（バネルガス出し口兼用） テフロンバイブ 液晶溜め 液晶 クッション 配管 フレキホース ・Ｏリング ・真空ボンブ ・ボンブリークバルブ ・真空ポンプとパネルの液晶注入口との配管の間のバル
ブ（パネル中真空排気 用バルブ） ｌ８・・真空ボンブと液晶溜めとの配管の間のバルブ（
液晶脱泡用バルブ） 窒素ガス加圧用バルブ 大気開放用バルブ 液晶注入用バルブ パネル中真空排気専用バルブ 液晶注入口（専用） ｌ ９ ２ ０ ２ｌ ２２ ３ｌ ３２・・パネルガス出し口（専用） 以上
Claims (2)
- （１）液晶を用いた表示パネルにおいて、上部ガラス基
板と下部ガラス基板をシール材で接合し、前記上部ガラ
ス基板と下部ガラス基板のすき間を、一度真空にした後
液晶を注入する方法として、パネル全体を真空チャンバ
の中へ入れることなく、前記上部ガラスと下部ガラス、
そしてシール材で形成する閉じた系の一個あるいは複数
個の開放端に、真空排気ポンプへ接続された真空排気用
ノズルを密着し、真空排気を行い、かつ真空排気後バル
ブを切り換え、前記真空排気用ノズルから液晶をたらし
、再度バルブを切り換えることにより、大気あるいは１
気圧以上の圧力を背圧として液晶を注入することを特徴
とする液晶注入方法。 - （２）液晶を用いた表示パネルにおいて、上部ガラス基
板と下部ガラス基板をシール材で接合し、前記上部ガラ
ス基板と下部ガラス基板のすき間を、一度真空にした後
液晶を注入する方法として、パネル全体を真空チャンバ
の中へ入れることなく、前記上部ガラスと下部ガラス、
そしてシール材で形成する閉じた系の複数個の開放端に
、真空排気ポンプへ接続された真空排気用ノズルを密着
し、真空排気を行い、かつ真空排気後いくつかの真空排
気用ノズルのバルブを切り換え、その切り換えられた排
気用ノズルから液晶をたらし、再度バルブを切り換える
ことにより、大気あるいは１気圧以上の圧力を背圧とし
て液晶を注入すると共に、一部液晶をたらさなかった真
空排気用ノズルからは連続的あるいは断続的に真空排気
を行うことを特徴とする液晶注入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24116789A JPH03102316A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 液晶注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24116789A JPH03102316A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 液晶注入方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03102316A true JPH03102316A (ja) | 1991-04-26 |
Family
ID=17070248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24116789A Pending JPH03102316A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 液晶注入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03102316A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8493542B2 (en) * | 1995-01-11 | 2013-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and system for fabricating liquid crystal cells |
| WO2013145700A1 (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 液注入方法及び液注入装置 |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP24116789A patent/JPH03102316A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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