JPH0282696A - 電磁波シールド用金属薄膜積層体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、電磁波シールド用金属薄膜８ｉ層体に関する
ものである。さらに詳しくは、エレクトロニクス機器の
ハウジング、絶縁電線、電カケープルの被覆、建材（床
、壁、天井、カーテンなど）などに使用したり、電子機
器および磁気記録体などを包装する電磁波シールド用金
属薄膜積層体に関するものである。

［従来の技術］ 従来から、エレクトロニクス機器の発達普及に伴い、こ
れらの機器および磁気記録体などを、静電気および電磁
波の悪影響から保護することが必要になり、この保護材
料として電磁波シールド用シート材料ないしは包装用シ
ート材料の需要が拡大している。

従来、エレクトロニクス機器、絶縁電線、電カケープル
、磁気記録体などを電磁波や静電気の影響から保護する
ために、カーボンブラック、カーボン繊維、金属短繊維
、金属鱗片または金属粉末を含有する導電性材料を含む
導電性シートが知られている。

［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、上記従来の導電性シートはつぎのごとき
欠点を有する。

つまり、このような従来の導電性シートは、エレクトロ
ニクス機器、絶縁電線、電カケープル、磁気記録体など
を電磁波の影響から保護する目的には充分に効果がある
とはいえないものであり、かつ、その可撓性か不充分で
、保護すべき機器の形状にフィツトしにくいものてあっ
た。

また電磁波シールド性を有する金属ホイルそのもの、電
磁波シールド性を有する金属ホイルに合成樹脂フィルム
を貼着した積層シートも開発されたが、金属ホイルおよ
び金属ホイル積層シートは硬く可撓性が不充分で、この
積層シートをエレクトロニクス機器、絶縁電線、電カケ
ープル、磁気記録体などの被覆包装用に用いても、これ
らの機器にフィツトせず、しかも屈曲、折り曲げにより
金属ホイルが容易に折損したり、折れ目が残ったり、金
属ホイル積層シートでは構成層が互いに他の構成層から
剥離したりするという問題点があった。

さらにまた、合成樹脂フィルムの片面に金属薄膜層を蒸
着形成した積層シートも知られていて、この積層シート
は可撓性に優れエレクトロニクス機器、絶縁電線、電カ
ケープル、磁気記録体などの被覆包装用に用いるのに適
しているが、電磁波シールド特性が不充分であるという
問題点があった。

本発明は前記の種々の問題点を完全に解消した電磁波シ
ールド用金属薄膜積層体を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］ 本発明の電磁波シールド用金属薄膜積層体は、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリフェニレンオキサイド、ポリ
イミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリブチレンテ
レフタレート、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリエチ
レン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリメチル
メタクリレート、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ＡＢ
Ｓ樹脂、ポリアセタールなどのプラスチックフィルムや
、紙、織物、編物、不織布なとの可撓性に富んだ非導電
性基材の両面に、従来の金属ホイルにかえて金属薄膜層
を設けたことを特徴としている。

［作　用］ 本発明の電磁波シールド用金属薄膜積層体においては、
従来の金属ホイルにかえて金属薄膜層を採用し、しかも
その金属薄膜層をポリエチレンテレフタレート、ポリフ
ェニレンオキサイド、ポリイミド、ポリフェニレンサル
ファイド、ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド、
ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリ塩
化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリ
メチルメタクリレート、エチレン−酢酸ビニル共重合体
、ＡＢＳ樹脂、ポリアセタール、ポリカーボネートなど
のプラスチックフィルムや、紙、織物、編物、不織布な
との可撓性に富んだ非導電性基材の両面に設けるように
したので、従来の電磁波シールド性を有する金属ホイル
に１合成樹脂フィルムを貼着した金属ホイル積層シート
が硬く可撓性が不充分で、この積層シートをエレクトロ
ニクス機器、絶縁電線、電カケープル、磁気記録体など
の被覆包装用に用いても、これらの機器にフィツトせず
、しかも屈曲、折り曲げにより金属ホイルが容易に折損
したり、折れ目が残ったり、積層構成層が互いに他の構
成層から剥離したりするという問題点があったのをこと
ごとく解消できたのである。

本発明の電磁波シールド用金属薄膜積層体において用い
る非導電性基材（１）としては特に制限はないが、たと
えばポリエチレンテレフタレートポリフェニレンオキサ
イド、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリ
ブチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリプロピレン
、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリメチルメタクリ
レート、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ＡＢＳ樹脂、
ポリアセタール、ポリカーボネートなどのプラスチック
フィルムや、ポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイ
ミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、セルロースアセ
チイト、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、アクリル
、レーヨンなどの繊維からなる織物、ｍ物、不織布や、
和紙、洋紙、合成紙などが適宜用いられる。

非導電性基材（１）の厚さとしては特に制限はないが、
たとえば通常２−〜５１−程度、好ましくは厚さか６Ｊ
ａ〜５０〇−程度の厚さのものが用いられる。厚さか２
μｓ未満では柔らか過ぎてしわか発生したり、加工むら
を生じやすく、製品ロスも増加するため実用性がなく、
一方厚さが５■を超えると柔軟性に乏しく硬い電磁波シ
ールド用金属薄膜積層体となるため特殊な用途以外には
不向きで実用性に乏しい。

非導電性基材（１）が金属薄膜層（２）との密着性に劣
るものである場合にはあらかじめ下塗ｍＣ３）を設けて
おくのが好ましい。

下塗層（３）の厚さとしては特に制限はないが通常０．
１〜２−程度である。

下塗層（３）を形成する塗料としては、たとえばポリエ
ステル、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエチレン
、ポリプロピレン、セルロースアセチイト、ニトロセル
ロース、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、アクリル
樹脂、アクリル酸低級アルキルエステル樹脂、ウレタン
樹脂、尿素−メラミン樹脂、エポキシ樹脂、アミノアル
キッド樹脂、不飽和ポリエステル、フェノール樹脂など
の樹脂やＳＢＲ，ＮＢＲ，ＮＲ、シリコンゴムなどの合
成ゴムの１種もしくは２種以上の混合物が用いられる。

本発明の電磁波シールド用金属薄膜積層体において、従
来の金属ホイルにかえて用いる金属薄膜層（２）として
は特に制限はないが、本発明において金属薄膜層（２）
としては１通常アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、錫
、銀、金、インジウム、クロム、白金、鉄、コバルト、
モリブデン、チタン、ベリリウム、パラジウム、タンタ
ル、鉛、ニオブなどの金属、それらの金属をふくむ・合
金などの導電性を有するものが真空蒸着法、スパッタリ
ング法、イオンブレーティング法などの通常の方法によ
って前記非導電性基材（１）の両面上に前記下塗層（３
）を介しあるいは介さずして蒸着形成され、その厚さが
通常１ｎｍ〜５００ｎｍ程度のものが好ましい、厚さが
通常Ｉｎ−未満では充分なシールド効果が得られず、　
５００ｎｍを超えてもシールド効果に差が生じないこと
および得られる電磁波シールド用金属薄膜積層体か可撓
性に欠けるので好ましくない。

なお、金属薄膜層（２）は−旦仮の担持体上に形成した
金属薄膜層を接着剤を介し又は介さずして前記非導電性
基材（１）上に転写形成するようにしてもよい。

金属薄膜層（２）は一般に物理的、化学的損傷を受は易
いので上塗層（４）が設けられるのが普通である。

上塗層（４）を形成する塗料としては、たとえばポリエ
ステル、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエチレン
、ポリプロピレン、セルロースアセチイト、ニトロセル
ロース、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、アクリル
樹脂、アクリル酸低級アルキルエステル樹脂、ウレタン
樹脂、尿素−メラミン樹脂、エポキシ４！ｌ脂、アミノ
アルキッド樹脂、不飽和ポリエステル、フェノール樹脂
などの樹脂やＳＢＲ，ＮＢＲ，ＮＲ、シリコンゴムなど
の合成ゴムの１種もしくは２種以上の混合物が用いられ
る。

上塗層（４）の厚さは通常０．１μｓ〜２１程度である
。

本発明のこのようにして得られた電磁波シールド用金属
薄膜積層体はそのまま用いてもよく、またこれらを細幅
に裁断したものをそのまま糸として、あるいは他の普通
糸と引き揃えたり、撚糸したり、絡ませたりした糸を用
いて電磁波シールド用の織物、編物、不織布として用い
ることもできる。

［実施例］ つぎに実施例をあげて本発明を説明する。

実施例１ 厚さ　９趨のポリエチレンテレフタレートフィルムの両
面にそれぞれアルミニウム薄膜層を抵抗加熱真空蒸着法
で厚さ１１００ｎに形成し、本発明の電磁波シールド用
金属薄膜積層体を得た。

得られた本発明の電磁波シールド用金属薄膜積層体は、
エレクトロニクス機器、絶縁電線、電カケープル、磁気
記録体などを電磁波の影響から保護する目的には充分な
効果があり、その上可撓性も充分で保護すべき機器の形
状に良くフィツトして、ｌＯ日間経過後も目視によるテ
ストではその金属表面に変化は認められなかった。

実施例２ 厚さ１２−のポリエチレンテレフタレートフィルムの片
面にアルミニウム薄膜層を抵抗加熱真空蒸着法て厚さ１
００１厘に形成し、他の片面に銅薄膜層をスパッタリン
グ法で厚さ２００ｎｍに形成し、本発明の電磁波シール
ド用金属薄膜積層体を得た。

得られた本発明の電磁波シールド用金属８８８層体は、
エレクトロニクス機器、絶縁電線、電カケープル、磁気
記録体などを電磁波の影響から保護する目的には充分な
効果があり、その上可撓性も充分で保護すべき機器の形
状に良くフィツトするものであった。

実施例３ 実施例１で得たアルミニウム両面蒸着ポリエチレンテレ
フタレートフィルムの片面のアルミニウム薄膜層上にさ
らに塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体の溶剤溶液をグラ
ビアコーティング法で塗布乾燥して厚さ１μｓの上塗層
を形成し、本発明の電磁波シールド用金属薄膜積層体を
得た。

得られた本発明の電磁波シールド用金属薄膜積層体は、
エレクトロニクス機器、絶縁電線、電カケープル、磁気
記録体などを電磁波の影響から保護する目的には充分な
効果（実施例１のものと同程度）があり、その上可撓性
も充分て保護すべき機器の形状に良くフィツトして、ｌ
Ｏ日間経過後も目視によるテストではその金属表面に変
化は認められなかった。

実施例４ 実施例２の銅スパツタリングの前処理としてエポキシ−
メラミン樹脂の溶剤溶液をロールコーティング法で塗布
乾燥して厚さ　ｌμｓの下塗層を形成した後、銅薄膜層
をスパッタリング法で厚さ２００ｎｍに形成した。さら
に銅薄膜層上に、ベンゾトリアゾール系樹脂の溶剤溶液
をグラビアコーティング法で塗布乾燥して、厚さ０．５
μｓの上塗層を形成し、本発明の電磁波シールド用金属
薄Ｍ積層体を得た。

得られた本発明の電磁波シールド用金属薄膜積層体は、
エレクトロニクス機器、絶縁電線、電カケープル、磁気
記録体などを電磁波の影響から保護する目的には充分な
効果（実施例２のものと同程度）があり、その上可撓性
も充分で保護ずべき機器の形状に良くフィツトして、ｌ
Ｏ日間経過後も目視によるテストではその金属表面に変
化は認められなかった。

実施例５ 表面を離型処理した厚さ１２μｓのポリエチレンテレフ
タレートフィルムのｆａ型熱処理面上、ニッケル薄膜層
をイオンブレーティング法で厚さ２０００■に形成し、
さらにニッケル薄膜層上にポリエステル系ホットメルト
接着剤層をロールコーティング法で塗布して厚さ１０趨
に形成して転写箔を作成した。この転写箔の接着剤層側
を目付け４０ｇ／ｍ２．厚さ１ｍｌの不織布（素材：ポ
リエステル）の両面にシリコンゴムローラーで熱圧着後
、転写箔のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離
してニッケル薄膜層／接着剤層／不織布メ接着剤層／ニ
ッケル薄膜層の構成を有する本発明の電磁波シールド用
金属薄膜積層体を得た。

得られた本発明のｔｔＢ１波シールド用金属薄膜積層体
は、エレクトロニクス機器、絶縁電線、電カケープル、
磁気記録体などを電磁波の影響から保護する目的には充
分な効果があり、その上可撓性も充分で保護すべき機器
の形状に極めて良くフィツトして、３０日間経過後も目
視によるテストてはその金属表面に変化は認められなか
った。

比較例１ 厚さ９趨のポリエチレンテレフタレートフィルムの片面
にアルミニウム薄膜層を抵抗加熱真空蒸着法で厚さ２０
０ｎｍに形成し、電磁波シールド用金属薄膜積層体を得
た。

得られた本発明の電磁波シールド用金属薄膜積層体は、
エレクトロニクス機器、絶縁電線、電カケープル、磁気
記録体などを電磁波の影響から保護する目的にはその効
果は充分でなく不満があったが、可撓性は充分で保護す
べき機器の形状に良くフィツトし、１０日間経過後も目
視によるテストではその金属表面に変化は認められなか
った。

比較例２ 厚さ１２−のポリエチレンテレフタレートフィルムの片
面に、銅薄膜層をスパッタリング法で厚さ２００ｎ１１
に形成し、さらに同じ面上にアルミニウム薄膜層を抵抗
加熱真空蒸着法で厚さ１１００ｎに形成し、電磁波シー
ルド用金属薄膜積層体を得た。

得られた本発明の電磁波シールド用金属薄膜積層体は、
エレクトロニクス機器、絶縁電線、電カケープル、磁気
記録体などを電磁波の影響から保護する目的にはその効
果に不満があったが、可撓性は充分で保護すべき機器の
形状に良くフィツトし、１０日間経過後も目視によるテ
ストてはその金属表面に変化は認められなかった。

比較例３ 厚さ６−のポリエチレンテレフタレートフィルムの片面
に厚さ７μｓのアルミニウムホイルをドライラミネート
法により貼り合わせて、電磁波シールド用金属薄膜積層
体を得た。

得られた本発明の電磁波シールド用金属薄膜積層体は、
エレクトロニクス機器、絶縁電線、電カケープル、磁気
記録体などを電磁波の影響から保護する目的には充分な
効果かあり、その上１０日間経過後も目視によるテスト
てはその金属表面に変化は認められなかったが、可撓性
に欠は保護すべき機器の形状にフィツトせず、使用しづ
らいものであった。

比較例４ 厚さ１２μｓのポリエチレンテレフタレートフィルムの
片面に厚さ　９１の銅ホイルをトライラミネート法によ
り貼り合わせて、電磁波シールド用金属薄膜積層体を得
た。

得られた本発明の電磁波シールド用金属薄膜積層体は、
エレクトロニクス機器、絶縁電線、電カケープル、磁気
記録体などを電磁波の影響から保護する目的には充分な
効果があったが、１０日間経過後には目視によるテスト
でその金属表面に変化が認められ耐食性に欠け、その上
、可撓性にも欠は保護すべき機器の形状にフィツトせず
、使用しづらいものであった。

実施例１、実施例２て得られた本発明の電磁波シールド
用金属薄膜積層体と、比較例１〜４のものとの電磁波シ
ールド特性を表−１に示した。

電磁波シールド特性は、社団法人関西電子振興センター
、ＫＥＣ法（電界モード）にて１〜１００１００Ｏの範
囲で測定した。

［発明の効果］ 実施例１〜５および比較例１〜４から明らかな通り、本
発明の電磁波シールド用金属薄膜８１層体は、エレクト
ロニクス機器、絶縁電線、電カケープル、磁気記録体な
どを電磁波の影響から保護する目的には充分な効果があ
り、その上可撓性も充分て、保護すべき機器の形状にフ
ィツトしやすいものであった。

表−１ ［発明の効果］ 実施例１〜５および比較例１〜４から明らかな通り、本
発明の電磁波シールド用金属薄膜積層体は、エレクトロ
ニクス機器、絶縁電線、電カケープル、磁気記録体など
を電磁波の影響から保護する目的には充分な効果があり
、その上可撓性も充分て、保護すべき機器の形状にフィ
ツトしやすいものであった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電磁波シールド用金属薄膜積層体の基
本構成を示す概略斜視図であり、第２図は本発明の電磁
波シールド用金属薄膜積層体の基本構成を示す概略部分
拡大断面図であり、第３図は本発明の電磁波シールド用
金属薄膜積層体の他の実施態様を示す概略部分拡大断面
図である。 （図面の符号） （１）：非導電性基材 （２）：金属薄膜層 （３）：下塗層 ：上塗層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １　非導電性基材の両面に、金属薄膜層を設けたことを
   特徴とする電磁波シールド用金属薄膜積層体。