JPH02174161A - 画像読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はファクシミリやスキャナ等に用いられる画像読
取装置に係り、特に分解能を向上させるためのＥＬ発光
素子の構造に関するものである。

（従来の技術） 従来、ファクシミリやスキャナ等には、蛍光灯光源とイ
メージセンサと原稿からの反射光をイメージセンサに結
像させる光学系とから成り、原稿からの濃度に応じた反
射光による光信号を電気信号として直線状に配置した受
光素子アレイに電気的走査によって蓄積し、この電気信
号を時系列的に出力する画像読取装置が用いられいる。

この画像読取装置によれば、光学系としてロッドレンズ
アレイ等を使用するので装置の小型化が困難であるとい
う欠点があった。

そこで、光源としてＥＬ発光素子を用い、ＥＬ発光素子
と密着型イメージセンサとを一体化した超小型の画像読
取装置が提案されている。

この画像読取装置は、例えば第６図（ａ＞（ｂ）に示す
ように、ガラス、セラミック等で形成さ、れな基板１と
、この基板１上に複数の画素２１から成る受光素子アレ
イ２と、この受光素子アレイ２を覆うように形成された
透明絶縁層３と、前記透明絶縁層３上に配置されたＥＬ
発光素子４とから構成される。

ＥＬ発光素子４は、透明電極４１．絶縁層４２゜発光層
４３．絶縁層４２．金属電極４４を透明基板５上に順次
積層して成る。金属電極４４には、受光素子アレイ２の
各画素子２１上に対応する方形状あるいは円形、楕円形
等の光入射窓６が開口され、発光層４３から発光した光
が原稿１００で反射し、反射光が画素２１へ照射するよ
うに構成している。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら上述した画像読取装置の構造によると、受
光素子アレイ２の画素２１には、原稿１００からの反射
光α１反射光αが金属電極４４の背面で反射することに
よって生じる多重反射光βが照射される。従って、画素
２１では、これらの光の総光量に対して電荷を蓄積する
ので、画素２１から出力される電気信号には不要な光に
よるものを含むこととなり、受光素子の分解能（ＭＴＦ
＞の低下をまねくという問題点があった。

本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、ＥＬ発光素
子と密着型イメージセンサとを一体化して小型化を図り
つつ、画像読み収りの分解能の向上を図ることができる
画像読取装置を提供することを目的とする。

（課題を解決するための手段） 上記従来例の問題点を解消するなめ本発明の画像読取装
置は、次の構成を特徴としている。

少なくとも金属電極を有するＥＬ発光素子と受光素子と
を絶縁層を介して配設する。

ＢＬ発光素子の透明電極側に配置された原稿がらの反射
光を前記受光素子へ導くための光入射窓を前記金属電極
に設ける。

前記受光素子に対面した原稿からの反射光を透過する窓
部を有した遮光層を、前記ＥＬ発光素子と受光素子との
間に介在させ葛。

（作用） 本発明によれば、ＥＬＱ光素子と受光素子との間に遮光
層を介在させたので、受光素子の各画素上に対応する原
稿以外からの光を遮光層で遮断し、前記受光素子へ入射
することを防ぐ。

（実施例） 本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する
。

第１図は実施例に係る画像読取装置の断面説明図であり
、第６図と同様の構成をとる部分については同一符号を
付している。

受光素子アレイ２は、例えば、画素２１に対応する複数
の個別電極（クロムパターン）と帯状の透明電極（ＩＴ
Ｏ）とでアモルファスシリコン（ａ−３ｔ）を挟持した
サンドイッチ構造のセンサで形成されている。

Ｅし発光素子４は、ＺｎＳ：Ｍｎ等から成る発光層４３
を、Ｙ２Ｏ，、Ｓｉ、Ｎ、、ＢａＴＬＯｌ等から成る絶
縁層４２で挟持し、更にこれらをＩＴＯ，Ｉｎ、Ｏ，、
ＳｎＯ，等から成る透明電＠４１とアルミニウム等の金
属から成る不透明な金属電極４４とで挟持して構成され
る。

金属電極４４には、発光層４３から発光した光が原稿１
００で反射し、反射光が前記受光素子アレイ２に照射す
るように、受光素子アレイ２の各画素２１上に画素より
面積が小さい方形状の光入射窓６が開口されている。

受光素子アレイ２とＥＬ発光素子４とのｎには透明ガラ
ス板１０が挿間され、この透明ガラス板１０の表面に前
記光入射窓６と同じ大きさの窓部１１を有する遮光層１
２が形成されている。この窓部１１はそれぞれ光入射窓
６に対応するように形成され、窓部１１の直上に光入射
窓６が位置するように配置している。この遮光層１２は
、光入射窓６の直上に位置する原稿以外からの反射光や
発光層４３から放射された光が直接画素２１へ導かれる
ことを防ぐためのものである。

ＥＬ発光素子４上には透明基板５が配置され、画像読取
装置が読み取る原稿１００の原稿面とＥＬ発光素子４と
が直接接触することによりＥＬ発光素子４が庫耗するの
を防止している。あるいは、透明基板５上にＥＬ発光素
子４を形成し、透明ガラス板１０にこのＥＬ発光素子が
形成された透明基板５を配置してもよい。

ＥＬ発光素子発光のための駆動信号を金属電極４４と透
明電極４１との間に与えれば、これらの画電極で挟まれ
た部分の発光層４３が発光し、光入射窓６の直上部分の
発光層４３は発光しない。

発光層４３から上方に放射される光は原稿１００で反射
し、その反射光αが光入射窓６から各画素２１に照射す
るが、第５図に示すような多重反射光βは遮光層１２で
遮断され金属電極４４の背面に達することがなく、従っ
て、各画素２１へ照射することがない。また、第１図に
おいて画素２１ａに注目すると、その直上の光入射窓６
ａを通過する原稿面１００からの反射光α１は、画素２
１ａに照射するが、隣接する原稿面からの反射光（例え
ば反射光α２）は遮光層１２で遮断される。

本実施例では遮光層１２を透明ガラス板１０のＥＬ発光
素子４ｆｆ！！Ｉに形成したが、受光素子アレイ２側に
形成してもよい、また、透明ガラス板１０の両面に形成
すれば原稿面からの不要な反射光をより以上に遮断する
ことができる。

また、受光素子アレイ２とＥＬ発光素子４との間に遮光
層１２を一層だけ介在させ、隣接する原稿面からの反射
光を画素２１へ照射させないように有効に遮断するため
には、受光素子アレイ２とＥＬ発光素子４との間のどの
位置に遮光層１２を配置するかによってその効果が異な
る。すなわち、受光素子アレイ２とＥＬ発光素子４との
距離の２／３の位置でＥＬ発光素子４寄りに挿間させる
と（第４図）、遮光層１２を介在させない場合（第３図
）に比較して反射光α２．α３．α４．α５゜α７を遮
断でき、特に近接光入射窓６ｂを通過する最も光量の大
きな反射光α２を遮断することができるので、隣接原稿
面からの不要な反射光を有効に遮断することができる。

従って、それぞれの受光素子が読み取るべき原稿面から
の反射光を各受光素子へ入射させるとともに、受光素子
の各画素２１上に対応する原稿以外からの光を遮光層１
２で有効に遮断して前記受光素子へ入射することを防ぐ
ので、受光素子の分解能の向上を図ることができる。

次に上述の画像読取装置の製造方法について説明する。

この画像読取装置は、受光素子アレイ２．ＥＬ発光素子
４をそれぞれ別に作製し、最後にこれらを接合して形成
する。

すなわち、ガラス、セラミック等で形成された基板１上
に受光素子アレイ２を形成する。受光素子アレイ２は、
例えば基板１上にクロムを着膜しフォトリソ法によりパ
ターニングして複数の個別電極を形成し、この個別電極
を覆うようにアモルファスシリコンを着膜して帯状の光
導電層を形成し、この光導電層上に酸化インジウム・ス
ズを着膜して帯状の透明電極を形成して成る。

ガラス板等で形成した透明基板５上にＩＴＯ。

Ｉ　ｎ２０．、ＳｎＯ，等をスパッタ法等で着膜して透
明電極４１を形成し、透明電極４１上にＹ。

０、、Ｓｔ、Ｎ、、ＢａＴｉ０．等を着膜して絶縁層４
２を形成し、絶縁層４２上にスパッタ法等でＺｎＳ　：
　Ｍｎ等を着膜して帯状の発光層４３を形成し、再度前
記同様の絶縁層４２を形成し、絶縁層４２上にアルミニ
ウム等の金属を蒸着し、フォトリソ法によりパターニン
グして光入射窓６を有する金属電極４１を形成してＥＬ
発光素子４を作製する。

次に、絶縁性を有する透明ガラス板１０上に、その全面
を覆うように遮光Ｊｌｌｉ（Ｂｒｅｗｅｒ　　５ｃｉｅ
ｎｃｅ社製　ＤＡＲＣ）を塗布または着膜する。そして
、前記入射窓６の形成の際に使用したマスクと同じ大き
さの開口部を有するマスクで、透明ガラス板１０が露出
するまで遮光膜をエツチングし、窓部１１を有する遮光
層１２を形成する。

受光素子アレイ２を形成した基板１とＥＬ発光素子４を
形成した透明基板５との間に、透明ガラス板１０を配置
させ、画素２１と窓部１１．窓部１１と入射窓６とが相
対応するように接着剤９により接合する。

第５図は本発明の他の実施例を示すもので、遮光層１２
をＥＬ発光素子４の金属電極４４に連続して形成したも
のである。この場合、アルミニウム及び遮光膜（Ｂｒｅ
ｗｅｒ　　５ｃｉｅｎｃｅ社製　ＤＡＲＣ＞を続けて着
膜し、同一マスクを用いてそれぞれエツチングして入射
窓６を有する電極及び窓部１１を有する遮光層１２を形
成することができる０本構成によれば、反射光の多重反
射光を画素２１に照射することを防ぐことができる。

また、受光素子アレイ２の製造工程において、共通電極
上に絶縁層を形成し、この絶縁層上に窓部１１を有する
遮光層１２を形成してもよい。

Ｆ、Ｌ発光素子４や受光素子アレイ２に連続して遮光層
１２を形成すれば、受光素子アレイ２とＥＬ発光素子４
との間の透明ガラス板１０が不要となり、パッシベーシ
ョン膜３０を挾んでＥし発光素子４と受光素子アレイ２
とを接合する。

（発明の効果） 本発明によれば、ＥＬ発光素子と受光素子との間に遮光
層を介在させたので、各画素に入射する不要な反射光を
遮光層で遮断することができ、受光素子の分解能の向上
を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例の画像読取装置の断面説明図、第
２図は透明ガラス板に形成した遮光層の平面説明図、第
３図及び第４図は原稿面からの反射光の照射状態を示す
説明図、第５図は本発明の他の実施例を示す断面説明図
、第６図（ａ）は従来の受光素子１発元素子一体型の画
像読取装置の平面説明図、第２図（ｂ）は同上の断面説
明図である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・受光素子アレイ ２１・・・・・・画素 ４・・・・・・ＥＬ発光素子 ５・・・・・・透明基板 ６・・・・・・光入射窓 １０・・・・・・透明ガラス板 １１・・・・・・窓部 １２・・・・・・遮光層 第１図 第３図 第４図 手続補正書 （方式） ％式％ 事件の表示 昭和６３年特許願第３２６２７１、 発明の名称 画像読取装置 ＜５４９）富士上゛ロツクスイ末式会社平成 １年３月２８日（発送臼） ６、補正の対象 明細書の「図面の簡単な説明」の欄 と補正する。 第６図 （ａ） （ｂ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 少なくとも金属電極を有するＥＬ発光素子と受光素子と
   を絶縁層を介して配設し、ＥＬ発光素子側に配置された
   原稿からの反射光を前記受光素子へ導くための光入射窓
   を金属電極に設けた画像読取装置において、 前記受光素子に対面した原稿からの反射光を透過する窓
   部を有した遮光層を、前記ＥＬ発光素子と受光素子との
   間に介在させたことを特徴とする画像読取装置。