JPH01298879A - Drive method for charge coupled device - Google Patents
Drive method for charge coupled deviceInfo
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- JPH01298879A JPH01298879A JP63128303A JP12830388A JPH01298879A JP H01298879 A JPH01298879 A JP H01298879A JP 63128303 A JP63128303 A JP 63128303A JP 12830388 A JP12830388 A JP 12830388A JP H01298879 A JPH01298879 A JP H01298879A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は電子スチルカメラ等において固体撮像素子とし
て使用される電荷結合素子(以下、ccDと称す)の駆
動方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a method for driving a charge coupled device (hereinafter referred to as CCD) used as a solid-state image sensor in an electronic still camera or the like.
〈従来の技術〉
CCDは、光電変換素子をマトリックス状に多数配設し
て形成されている。そして、電子スチルカメラにおいて
は光学レンズからの光学像を前記CCDの光電変換素子
に結像させて光電変換させ、その電荷を蓄積部に蓄積さ
せる。<Prior Art> A CCD is formed by arranging a large number of photoelectric conversion elements in a matrix. In an electronic still camera, an optical image from an optical lens is formed on a photoelectric conversion element of the CCD for photoelectric conversion, and the resulting charge is accumulated in an accumulation section.
そして、前記蓄積部に蓄えられた電荷を、ゲート部及び
電極部を介して転送部に移動させた後、色分離等の処理
回路等に転送しさらに磁気ディスクに画像信号として記
録させるようになっている。Then, the charges stored in the storage section are transferred to a transfer section via a gate section and an electrode section, and then transferred to a processing circuit such as color separation, and then recorded on a magnetic disk as an image signal. ing.
ところで、CCDの光電変換素子、ゲート電極部及び転
送部等は半導体素子から構成されている。そして、蓄積
部から転送部に電荷を移動させるときには、前記電極部
への印加電圧をコントロールして電極部の表面ポテンシ
ャルを変化させて蓄積部から転送部に電荷を移動させる
。また、蓄積部に電荷を蓄積させるときには、前記ゲー
ト部の表面ポテンシャルにより電荷が転送部に流れない
ようにしている。Incidentally, the photoelectric conversion element, gate electrode section, transfer section, etc. of a CCD are composed of semiconductor elements. When moving charges from the accumulation section to the transfer section, the voltage applied to the electrode section is controlled to change the surface potential of the electrode section, thereby moving the charges from the accumulation section to the transfer section. Furthermore, when charges are accumulated in the storage section, the surface potential of the gate section prevents the charges from flowing into the transfer section.
また、特開昭62−290279号公報及び特開昭63
−36676公報に示すように、受光部から垂直転送C
CDに一度電荷を転送した後その電荷を受光部に転送し
なおすことにより、フレーム過影を可能にしたものがあ
る。Also, JP-A-62-290279 and JP-A-63
- As shown in Publication No. 36676, vertical transfer C from the light receiving section
There is a device that enables frame overshadowing by transferring charge once to the CD and then transferring the charge again to the light receiving section.
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、このような従来のものでは、蓄積部と転
送部との間にゲート部及び電極部があるため、逆に転送
部から蓄積部に電荷を移動させることができなかった。<Problems to be Solved by the Invention> However, in such conventional devices, since there is a gate part and an electrode part between the storage part and the transfer part, it is difficult to move the charge from the transfer part to the storage part. I couldn't do it.
また、転送部から蓄積部に電荷を移動させるためには、
蓄積部と転送部との間に独立したゲート部及び電極部を
設ける必要があり、コスト高になると共にCCDの大型
化を招きCCD製作上不利であった。In addition, in order to move the charge from the transfer section to the storage section,
It is necessary to provide an independent gate section and an electrode section between the storage section and the transfer section, which increases the cost and increases the size of the CCD, which is disadvantageous in manufacturing the CCD.
本発明は、このような実状に鑑みてなされたもので、独
立したゲートを設けることなく蓄積部と転送部との間で
電荷を相互に移動できる電荷結合素子の駆動方法を提供
することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for driving a charge-coupled device that can mutually transfer charges between an accumulation section and a transfer section without providing an independent gate. shall be.
く課題を解決するための手段及び作用〉このため、本発
明は、7トリツクス状に配設された複数の光電変換素子
と、各光電変換素子により光電変換された電荷を夫々蓄
積する蓄積部と、所定方向にて隣接する蓄積部の間に配
設されて電極への印加電圧に応じて表面ポテンシャルを
変化させ前記蓄積部に蓄積された電荷を前記所定方向と
直交する他方向に転送する転送部と、該転送部と前記蓄
積部との間に配設されて電極への印加電圧に応じて表面
ポテンシャルを変化させ前記蓄積部から転送部に電荷を
移動させるゲート部と、前記転送部と当該転送部とは前
記所定方向にて隣接する蓄積部との間に配設され略一定
の表面ポテンシャルを有する分離部と、を備える電荷結
合素子の駆動方法であって、前記転送部の電極への印加
電圧を異なる4値の電圧に可変制御し、その電圧のうち
の2値で電荷を前記他方向に転送させ、他の1値で前記
蓄積部から転送部に電荷を移動させ、残りの1値で転送
部から隣接する蓄積部に電荷を前記分離部を乗越えて移
動させるようにした。Means and Effects for Solving the Problems> For this reason, the present invention provides a plurality of photoelectric conversion elements arranged in a 7-trix pattern, and a storage section that accumulates charges photoelectrically converted by each photoelectric conversion element. , a transfer device that is disposed between adjacent storage portions in a predetermined direction, changes the surface potential according to the voltage applied to the electrode, and transfers the charge accumulated in the storage portion to another direction orthogonal to the predetermined direction. a gate section disposed between the transfer section and the storage section to change the surface potential in accordance with the voltage applied to the electrode and transfer charges from the storage section to the transfer section; The transfer section is a method for driving a charge-coupled device, comprising: a separation section disposed between adjacent accumulation sections in the predetermined direction and having a substantially constant surface potential; The applied voltage is variably controlled to four different voltage values, two of the voltages are used to transfer the charge in the other direction, another value is used to transfer the charge from the storage section to the transfer section, and the remaining voltage is When the value is 1, the charge is moved from the transfer section to the adjacent storage section by overcoming the separation section.
〈実施例〉
以下に、本発明の一実施例を第1図〜第5図に基づいて
説明する。<Example> An example of the present invention will be described below based on FIGS. 1 to 5.
第1図において、受光ダイオード等からなる光電変換素
子lがマトリックス状に多数配設されている。これら光
電変換素子lの間には各光電変換素子lの蓄積部1aの
電荷を垂直方向に転送する転送部としての垂直転送CC
D2が設けられ、この垂直転送CCD2には電極が垂直
方向に各光電変換素子1に対応する数だけ所定間隔で配
設されている。その対応する数としては通常光電変換素
子1個に対し電極2個の割合になっている。前記光電変
換素子1とこれに対応する垂直転送CCD2とが半導体
等からなるゲート部3により接続され、これらゲート部
3には該ゲート 部3の表面ポテンシャルを変化させる
電極が取付けられている。また、垂直転送CCD2と隣
接する光電変換素子1の蓄積部1aとが半導体等からな
る分離部4により接続され、これら分離部4は所定電圧
が印加されて略一定の表面ポテンシャルを有している。In FIG. 1, a large number of photoelectric conversion elements 1 consisting of light-receiving diodes and the like are arranged in a matrix. Between these photoelectric conversion elements l, there is a vertical transfer CC as a transfer part that vertically transfers the charge in the storage part 1a of each photoelectric conversion element l.
A number of electrodes corresponding to the respective photoelectric conversion elements 1 are arranged in the vertical direction on this vertical transfer CCD 2 at predetermined intervals. The corresponding number is usually two electrodes for one photoelectric conversion element. The photoelectric conversion element 1 and the corresponding vertical transfer CCD 2 are connected by a gate section 3 made of a semiconductor or the like, and electrodes for changing the surface potential of the gate section 3 are attached to these gate sections 3. Further, the vertical transfer CCD 2 and the storage section 1a of the adjacent photoelectric conversion element 1 are connected by a separation section 4 made of a semiconductor or the like, and a predetermined voltage is applied to these separation sections 4 so that they have a substantially constant surface potential. .
また、前記垂直転送CCD2からの電荷を水平方向に転
送する水平転送CCD5が設けられ、水平転送CCD5
の最終段は切換スイッチ6を介して出力アンプ7の入力
端子に接続されている。Further, a horizontal transfer CCD 5 is provided which transfers charges from the vertical transfer CCD 2 in the horizontal direction.
The final stage of is connected to the input terminal of an output amplifier 7 via a changeover switch 6.
前記出力アンプ7の出力信号は第3図に示すように第1
及び第2サンプルホールド回路8.9に夫々入力されて
いる。第1サンプルホールド回路8は第1アンプ7の出
力信号に基づいてカラー信号処理等を行い所定タイミン
グでグリーン信号をマトリックス回路IOに入力させる
。また、第2サンプルホールド回路9は第1アンプ7の
出力信号に基づいてカラー信号処理を行いレッド信号又
はブルー信号をマトリックス回路10に人力させる。The output signal of the output amplifier 7 is the first one as shown in FIG.
and a second sample-and-hold circuit 8.9, respectively. The first sample and hold circuit 8 performs color signal processing based on the output signal of the first amplifier 7, and inputs a green signal to the matrix circuit IO at a predetermined timing. Further, the second sample and hold circuit 9 performs color signal processing based on the output signal of the first amplifier 7 and outputs a red signal or a blue signal to the matrix circuit 10 .
また、第2サンプルホールド回路9はIHデイレイ回路
11を介してブルー信号又はレッド信号をマトリックス
回路10に入力させる。Further, the second sample hold circuit 9 inputs a blue signal or a red signal to the matrix circuit 10 via the IH delay circuit 11.
前記第1及び第2サンプルホールド回路8,9には第1
及び第2AND回路12.13から作動信号が夫々入力
されている。第1及び第2AND回路12、13の各一
端子にはクロックパルス信号CLKが入力されている。The first and second sample and hold circuits 8 and 9 include a first
Actuation signals are input from the and second AND circuits 12 and 13, respectively. A clock pulse signal CLK is input to one terminal of each of the first and second AND circuits 12 and 13.
また、第1AND回路12の他端子には動作切換パルス
信号TPが切換スイッチ14を介して入力され、第2A
ND回路12の他端子には切換スイッチ14及び第1イ
ンバータ15を介して動作切換パルス信号TPが入力さ
れている。また、切換スイッチ14の一方の入力端子に
は第2インバータ16が設けられ、切換スイッチ14の
選択動作により、前記動作切換パルス信号TPが直接或
いは第2インバータ16により反転されて第1インバー
タ16及び第1AND回路15に入力されるようになっ
ている。Further, the operation switching pulse signal TP is input to the other terminal of the first AND circuit 12 via the changeover switch 14, and the second
An operation switching pulse signal TP is input to the other terminal of the ND circuit 12 via a changeover switch 14 and a first inverter 15. Further, a second inverter 16 is provided at one input terminal of the changeover switch 14, and by the selection operation of the changeover switch 14, the operation switching pulse signal TP is directly or inverted by the second inverter 16, and the operation changeover pulse signal TP is inverted directly or by the second inverter 16. The signal is input to the first AND circuit 15.
ここで、垂直転送CCD2.ゲート部3の電極の電圧は
複数段に切換えられ、それらの表面ボテンシャルエネル
ギーが第2図に示すように変化する。Here, vertical transfer CCD2. The voltage of the electrode of the gate section 3 is switched in multiple stages, and the surface potential energy thereof changes as shown in FIG.
次に作用を第2図を参照しつつ説明する。Next, the operation will be explained with reference to FIG.
本発明にかかるCCDの駆動方法を行うときには、切替
スイッチ6の操作により水平転送CCD5の最終段の2
段前から転送された電荷を出力アンプ7に人力させる。When performing the CCD driving method according to the present invention, the final stage two of the horizontal transfer CCD 5 is operated by operating the changeover switch 6.
The charges transferred from the front stage are manually supplied to the output amplifier 7.
また、切換スイッチ14の操作により第2インバータ1
6にて反転された動作切換パルス信号TPを第1AND
回路12及び第1インバータ15に出力させる。Also, by operating the changeover switch 14, the second inverter 1
The operation switching pulse signal TP inverted in step 6 is subjected to the first AND
It is output to the circuit 12 and the first inverter 15.
そして、第2図面に示すように垂直転送CCD2の電極
電圧をり。に設定すると共にゲート部3の電極電圧を前
記L0より高いMに設定する。このようにすると、光電
変換素子lの蓄積部1a及び垂直転送CCD2の表面ポ
テンシャルが共に低くなりそれらよりゲート部3の表面
ポテンシャルが高くなり、蓄積部1aから垂直転送CC
D2への電荷移動が停止される。Then, as shown in the second drawing, the electrode voltage of the vertical transfer CCD 2 is changed. At the same time, the electrode voltage of the gate section 3 is set to M higher than the above-mentioned L0. In this way, the surface potentials of the storage section 1a and the vertical transfer CCD 2 of the photoelectric conversion element 1 are both lowered, and the surface potential of the gate section 3 is higher than them, and the vertical transfer CCD 2 is transferred from the storage section 1a.
Charge transfer to D2 is stopped.
かかる状態で、光電変換素子lに光が導入されると、光
電変換された電荷(画素)が蓄積部1aに蓄えられる。In this state, when light is introduced into the photoelectric conversion element 1, photoelectrically converted charges (pixels) are stored in the storage section 1a.
この電荷蓄積時には垂直転送CCD2を高速駆動して余
分な電荷を捨てておく。During this charge accumulation, the vertical transfer CCD 2 is driven at high speed to discard excess charges.
そして、蓄積が終了したら、全画素に対して第2図■に
示すように垂直転送CCD2の電極電圧を前記し。より
低いLlに設定すると共にゲート部3の電極電圧を前記
L0に設定する。これにより、第2図に示すようにゲー
ト部3の表面ポテンシャルが蓄積部1aのものと同様に
なると共に垂直転送CCD2の表面ポテンシャルがゲー
ト部3よりも低くなる。When the accumulation is completed, the electrode voltage of the vertical transfer CCD 2 is applied to all pixels as shown in FIG. At the same time, the electrode voltage of the gate section 3 is set to the above-mentioned L0. As a result, as shown in FIG. 2, the surface potential of the gate section 3 becomes similar to that of the storage section 1a, and the surface potential of the vertical transfer CCD 2 becomes lower than that of the gate section 3.
そして、蓄積部1aに蓄積された電荷を、第2図に示す
ように、前記蓄積部1aに対応する垂直転送CCD2に
移動させる。Then, as shown in FIG. 2, the charges accumulated in the accumulation section 1a are transferred to the vertical transfer CCD 2 corresponding to the accumulation section 1a.
そして、移動直後に、第2図0に示すように、ゲート部
3の電極電圧をMに復帰させると共に垂直転送CCD2
の電極電圧をり。に復帰させる。Immediately after the movement, as shown in FIG. 2, the electrode voltage of the gate section 3 is returned to M, and the vertical transfer CCD 2
The electrode voltage of to be restored.
このとき、光電変換素子lを遮光すると共にオーバフロ
ーコントロールゲート(図示せず)を制御し、遮光され
るまでに蓄積部1aに蓄えられた不要電荷を捨ててから
第2図0の状態に移行させる。At this time, the photoelectric conversion element 1 is shielded from light and an overflow control gate (not shown) is controlled to discard the unnecessary charges accumulated in the storage section 1a until the light is shielded, and then the state is shifted to the state shown in FIG. 2 0. .
すなわち、垂直転送CCD2の電極電圧を分離部4の電
極電圧と同様に14゜に設定すると共にゲート部3の電
極電圧を前記■1゜より高いH,に設定する。これによ
り、第2図0に示すように、垂直転送CCD2の表面ポ
テンシャルが分離部4のものと同様になると共にゲート
部3の表面ポテンシャルが垂直転送CCD2のものより
高くなる。That is, the electrode voltage of the vertical transfer CCD 2 is set to 14 degrees, similar to the electrode voltage of the separation section 4, and the electrode voltage of the gate section 3 is set to H, which is higher than the aforementioned 1 degree. As a result, as shown in FIG. 2, the surface potential of the vertical transfer CCD 2 becomes similar to that of the separation section 4, and the surface potential of the gate section 3 becomes higher than that of the vertical transfer CCD 2.
このため、垂直転送CCD2の電荷が分離部4を乗越え
て隣接する蓄積部1aに移動される。Therefore, the charges in the vertical transfer CCD 2 are transferred to the adjacent storage section 1a over the separation section 4.
そして、第2図■に示すように、垂直転送CCD2及び
ゲート部3の電極電圧を第2図面の状態に復帰させ、さ
らに片方のフィールドの画素に対して第2図Q〜0の電
圧制御を行って蓄積部1aの電荷をそれに対応する垂直
転送CCD2に移動させる。Then, as shown in FIG. 2 (■), the electrode voltages of the vertical transfer CCD 2 and gate section 3 are returned to the state shown in FIG. 2, and voltage control of Q to 0 in FIG. The charge in the storage section 1a is transferred to the corresponding vertical transfer CCD 2.
そして、垂直転送CCD2において、隣接する垂直転送
CCD2を第2図0の状態と第2図[F]の状態とを交
互に繰返して電荷を垂直方向に移動させて水平転送CC
D5に転送する。Then, in the vertical transfer CCD 2, the adjacent vertical transfer CCD 2 is alternately put into the state shown in FIG. 2 0 and the state shown in FIG.
Transfer to D5.
このとき、通常よりも1ライン隣り(第1図で右側)の
垂直転送CCD2から電荷(画素)が水平転送CCD5
に転送されるため、水平転送CCD5の最終段より2段
前から電荷を出力アンプ7に入力させ、そのずれを補正
するようにしている。At this time, charges (pixels) are transferred from the vertical transfer CCD 2 one line adjacent (on the right side in FIG. 1) to the horizontal transfer CCD 5 than usual.
Therefore, charges are input to the output amplifier 7 from two stages before the final stage of the horizontal transfer CCD 5, and the shift is corrected.
尚、このときにそのずれを補正することなく色分離回路
或いはCODの中でそのずれを補正するようにしてもよ
い。Incidentally, the deviation may not be corrected at this time, but may be corrected in the color separation circuit or COD.
ここにおいて、CCDに第4図に示す構成の色フィルタ
を装着したときには、インターレースで一本おきに読出
すのでCCD出力はlラインおきにレッド(R)信号或
いはグリーン(G)信号とグリーン信号或いはブルーC
B)信号とになる。Here, when a color filter having the configuration shown in Fig. 4 is attached to the CCD, since every other line is read out in an interlaced manner, the CCD output is a red (R) signal or a green (G) signal and a green signal or green signal for every other line. Blue C
B) becomes a signal.
このため、第5図に示すように1ライン毎に電圧が変化
する動作切換パルス信号T、とクロックパルス信号CL
Kとを出力し、第1及び第2サンプルホールド回路8.
9から色信号をマトリックス回路lOに交互に出力させ
る。そして、マトリックス回路10から出力された信号
が信号処理回路(図示せず)を介して磁気ディスク(図
示せず)に画像信号として記録される。次に、他方のフ
ィールドの画素に対して第2図(A)〜(C)の電圧制
御を行い、以下同様の制御を行う。For this reason, as shown in FIG. 5, the operation switching pulse signal T whose voltage changes for each line and the clock pulse signal CL
K and the first and second sample and hold circuits 8.
9 alternately output color signals to the matrix circuit IO. The signal output from the matrix circuit 10 is then recorded as an image signal on a magnetic disk (not shown) via a signal processing circuit (not shown). Next, the voltage control shown in FIGS. 2A to 2C is performed on the pixels in the other field, and the same control is performed thereafter.
このようにすると、同時露光された2フイールド(1フ
レーム)の画像信号が読出されて磁気ディスクに記録さ
れる。以上の説明の中で垂直転送CCD2よりゲート部
3のポテンシャルが高いという一定の関係が保たれてい
る。したがって、CCD製作のプロセス中の加工により
、同じ電圧を加えてもゲート部3のポテンシャルの方画
高くなるような構造に作ればCCD2とゲート部3の電
極は共通のものにして構造を簡単にできる。In this way, image signals of two fields (one frame) exposed simultaneously are read out and recorded on the magnetic disk. In the above explanation, a certain relationship is maintained that the potential of the gate section 3 is higher than that of the vertical transfer CCD 2. Therefore, by machining during the CCD manufacturing process, if a structure is created in which the potential of the gate part 3 becomes higher even when the same voltage is applied, the electrodes of the CCD 2 and the gate part 3 can be made common and the structure can be simplified. can.
以上説明したように、垂直転送CCD2の電極への印加
電圧をH,、H,、L、及びLlの4値の電圧に可変制
御するようにしたので、垂直転送CCD2への印加電圧
のうち2値(L、、 M)で垂直転送CCD2内を電
荷を垂直方向に転送でき、他のl値(L、)で蓄積部1
aから垂直転送CCD2に電荷を移動でき、さらに残り
の1値(H3)で垂直転送CCD2から隣接する蓄積部
1aに移動できる。このため、独立したゲート部等を設
けることなく垂直転送CCD2から蓄積部1aに電荷を
移動できるので、CCDのコスト上昇を抑制できると共
に大型化を抑制でき、もってCCDの製作上有利となる
。As explained above, since the voltage applied to the electrodes of the vertical transfer CCD 2 is variably controlled to four voltage values of H, , H, , L, and Ll, two of the voltages applied to the vertical transfer CCD 2 are With the value (L,, M), charges can be vertically transferred in the vertical transfer CCD 2, and with other l values (L,), the charge can be transferred vertically in the storage section 1.
Charges can be transferred from a to the vertical transfer CCD 2, and the remaining 1 value (H3) can be transferred from the vertical transfer CCD 2 to the adjacent storage section 1a. Therefore, charges can be transferred from the vertical transfer CCD 2 to the storage section 1a without providing an independent gate section, etc., so that it is possible to suppress an increase in the cost of the CCD and an increase in size, which is advantageous in manufacturing the CCD.
〈発明の効果〉
本発明は、以上説明したように、転送部の電極への印加
電圧を異なる4値の電圧に可変制御するようにしたので
、独立したゲート等を設けることなく蓄積部と転送部と
の間を電荷を移動できるためCCDの製作上有利となる
。<Effects of the Invention> As explained above, the present invention variably controls the voltage applied to the electrodes of the transfer section to four different voltage levels, so that the storage section and the transfer section can be connected without providing an independent gate or the like. This is advantageous in manufacturing the CCD because the charge can be transferred between the parts.
第1図は本発明の一実施例を示すCCDの構成図、第2
図は同上の作用を説明するための図、第3図は同上の他
の要部回路図、第4図はCCDの色フィルタの一例を示
す図、第5図は第4図のタイムチャートである。
l・・・光電変換素子 1a・・・蓄積部 2・・
・垂直転送CCD 3・・・ゲート部 4・・・
分離部第1図
CLに 」L几」土」L珪」下Fig. 1 is a configuration diagram of a CCD showing an embodiment of the present invention;
The figure is a diagram for explaining the action of the above, Figure 3 is a circuit diagram of other essential parts of the same as the above, Figure 4 is a diagram showing an example of a CCD color filter, and Figure 5 is a time chart of Figure 4. be. l...Photoelectric conversion element 1a...Storage section 2...
・Vertical transfer CCD 3...Gate section 4...
Separation part Figure 1 CL "L 几" soil "L 珪" bottom
Claims (1)
各光電変換素子により光電変換された電荷を夫々蓄積す
る蓄積部と、所定方向にて隣接する蓄積部の間に配設さ
れて電極への印加電圧に応じて表面ポテンシャルを変化
させ前記蓄積部に蓄積された電荷を前記所定方向と直交
する他方向に転送する転送部と、該転送部と前記蓄積部
との間に配設されて電極への印加電圧に応じて表面ポテ
ンシャルを変化させ前記蓄積部から転送部に電荷を移動
させるゲート部と、前記転送部と当該転送部とは前記所
定方向にて隣接する蓄積部との間に配設され略一定の表
面ポテンシャルを有する分離部と、を備える電荷結合素
子の駆動方法であって、前記転送部の電極への印加電圧
を異なる4値の電圧に可変制御し、その電圧のうちの2
値で電荷を前記他方向に転送させ、他の1値で前記蓄積
部から転送部に電荷を移動させ、残りの1値で転送部か
ら隣接する蓄積部に電荷を前記分離部を乗越えて移動さ
せるようにしたことを特徴とする電荷結合素子の駆動方
法。A plurality of photoelectric conversion elements arranged in a matrix,
An accumulation section that accumulates the charge photoelectrically converted by each photoelectric conversion element, and an accumulation section that is arranged between adjacent accumulation sections in a predetermined direction and changes the surface potential according to the voltage applied to the electrode. a transfer section that transfers the accumulated charge in another direction orthogonal to the predetermined direction; and a transfer section that is disposed between the transfer section and the accumulation section and changes the surface potential according to the voltage applied to the electrode to accumulate the charge. a gate section for transferring charges from the transfer section to the transfer section; and a separation section disposed between the transfer section and an accumulation section adjacent to the transfer section in the predetermined direction and having a substantially constant surface potential. A method for driving a charge-coupled device comprising: variably controlling the voltage applied to the electrode of the transfer section to four different voltage values;
A value transfers the charge in the other direction, another value moves the charge from the storage section to the transfer section, and the remaining one value moves the charge from the transfer section to the adjacent storage section over the separation section. 1. A method for driving a charge-coupled device, characterized in that:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63128303A JPH01298879A (en) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | Drive method for charge coupled device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP63128303A JPH01298879A (en) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | Drive method for charge coupled device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01298879A true JPH01298879A (en) | 1989-12-01 |
Family
ID=14981448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63128303A Pending JPH01298879A (en) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | Drive method for charge coupled device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01298879A (en) |
-
1988
- 1988-05-27 JP JP63128303A patent/JPH01298879A/en active Pending
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