JPH0119528B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0119528B2 JPH0119528B2 JP57029296A JP2929682A JPH0119528B2 JP H0119528 B2 JPH0119528 B2 JP H0119528B2 JP 57029296 A JP57029296 A JP 57029296A JP 2929682 A JP2929682 A JP 2929682A JP H0119528 B2 JPH0119528 B2 JP H0119528B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- metal
- container
- sensitive diaphragm
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 12
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0007—Fluidic connecting means
- G01L19/003—Fluidic connecting means using a detachable interface or adapter between the process medium and the pressure gauge
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/145—Housings with stress relieving means
- G01L19/146—Housings with stress relieving means using flexible element between the transducer and the support
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Child & Adolescent Psychology (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は内部空間が基準圧力室を形成する容器
の金属からなる底板に、容器内部空間と反対の側
に外部圧力が導入される半導体感圧ダイヤフラム
と、感圧ダイヤフラムのストレンゲージと接続さ
れる回路を備えた回路基板とが固定された半導体
式圧力センサに関する。
の金属からなる底板に、容器内部空間と反対の側
に外部圧力が導入される半導体感圧ダイヤフラム
と、感圧ダイヤフラムのストレンゲージと接続さ
れる回路を備えた回路基板とが固定された半導体
式圧力センサに関する。
そのような圧力センサは、感圧ダイヤフラムの
みを収容した容器の外に増幅回路等を備えた回路
基板を配置して樹脂モールドした従来の圧力セン
サの機械的、熱的安定性等の改善をするものとし
て既に本出願人等によつて出願されている（特願
昭56−71021）。第１図はその一例で、センサの容
器として半導体素子に用いられるような金属キヤ
ツプ１と金属基板（ステム）２からなる金属パツ
ケージ、例えばMD18相当品を用いる。ただしス
テム２には中央に開口部３が設けられ、その中に
シリコンからなる円筒体の台座４が配置されてい
る。台座４にはその中央の貫通孔５を塞ぐように
シリコン感圧ダイヤフラム６が固定されている。
台座４はその貫通孔５の連通する導圧パイプ７に
接合されており、導圧パイプ７は金属キヤツプ８
を介してステム２に支持されている。ステム２の
上面には、感圧ダイヤフラム６を取囲んでセラミ
ツク基板９が固着されている。セラミツク基板９
上には図示しないが厚膜回路を介して演算増幅器
チツプ、ダイオードチツプなどを搭載して増幅、
調整回路が構成され、感圧ダイヤフラム６に形成
されたストレーンゲージのブリツジと細い導線１
０のワイヤボンデイングにより接続されている。
調整、増幅回路の出力側は、ハーメチツクシール
によりステム２と絶縁されたポスト１１と同様に
細い導線１２のワイヤボンデイングにより接続さ
れているので、ポスト１１に接続された外部引出
用リード線１３から外部へセンサ出力を取り出す
ことができる。このセンサ出力は導圧パイプ７か
ら台座４の貫通孔５を介して感圧ダイヤフラム６
の一方の側に導かれる測定圧力とキヤツプ１の内
部の基準圧力室１４の圧力との差に依存するの
で、基準圧力室１４の圧力を調整することによつ
てセンサ出力レベルを調整することができる。こ
の調整は、容器内の感圧ダイヤフラム、セラミツ
ク基板上の厚膜回路あるいは半導体チツプの保護
と気密チエツクの目的で封入パイプ１５を通じて
導入されるヘリウムあるいはヘリウムを含んだ不
活性ガスをセンサ出力レベルが規定値に到達した
時点で止め、封入パイプ１５を封じ切ることによ
つて行われる。
みを収容した容器の外に増幅回路等を備えた回路
基板を配置して樹脂モールドした従来の圧力セン
サの機械的、熱的安定性等の改善をするものとし
て既に本出願人等によつて出願されている（特願
昭56−71021）。第１図はその一例で、センサの容
器として半導体素子に用いられるような金属キヤ
ツプ１と金属基板（ステム）２からなる金属パツ
ケージ、例えばMD18相当品を用いる。ただしス
テム２には中央に開口部３が設けられ、その中に
シリコンからなる円筒体の台座４が配置されてい
る。台座４にはその中央の貫通孔５を塞ぐように
シリコン感圧ダイヤフラム６が固定されている。
台座４はその貫通孔５の連通する導圧パイプ７に
接合されており、導圧パイプ７は金属キヤツプ８
を介してステム２に支持されている。ステム２の
上面には、感圧ダイヤフラム６を取囲んでセラミ
ツク基板９が固着されている。セラミツク基板９
上には図示しないが厚膜回路を介して演算増幅器
チツプ、ダイオードチツプなどを搭載して増幅、
調整回路が構成され、感圧ダイヤフラム６に形成
されたストレーンゲージのブリツジと細い導線１
０のワイヤボンデイングにより接続されている。
調整、増幅回路の出力側は、ハーメチツクシール
によりステム２と絶縁されたポスト１１と同様に
細い導線１２のワイヤボンデイングにより接続さ
れているので、ポスト１１に接続された外部引出
用リード線１３から外部へセンサ出力を取り出す
ことができる。このセンサ出力は導圧パイプ７か
ら台座４の貫通孔５を介して感圧ダイヤフラム６
の一方の側に導かれる測定圧力とキヤツプ１の内
部の基準圧力室１４の圧力との差に依存するの
で、基準圧力室１４の圧力を調整することによつ
てセンサ出力レベルを調整することができる。こ
の調整は、容器内の感圧ダイヤフラム、セラミツ
ク基板上の厚膜回路あるいは半導体チツプの保護
と気密チエツクの目的で封入パイプ１５を通じて
導入されるヘリウムあるいはヘリウムを含んだ不
活性ガスをセンサ出力レベルが規定値に到達した
時点で止め、封入パイプ１５を封じ切ることによ
つて行われる。
しかしこのようなセンサにおいて、ステム２の
材料に例えば熱膨脹係数11.7×10-6の鉄を用いた
場合、セラミツク基板９の熱膨脹係数７×10-6と
は差があるため、基板９をステム２に軟ろう付け
した場合には熱膨脹係数の差に基づく応力が生じ
て基板９の上に印刷された抵抗の抵抗値に影響を
及ぼし１％程度の変動を生ずる場合がある。この
ような応力を防ぐために基板９を一部分だけステ
ム２に軟ろう付することも考えられるが、金属と
セラミツクとの軟ろう付の接着強度は一般に弱い
ため、ある程度広い接合面積を必要とし、一部分
だけの接合では不十分である。軟ろうによらない
で加熱の必要のない接着剤によつて基板９をステ
ムに接着することも考えられるが、接着強度の低
いことあるいは使用中の温度変化によりやはり基
板９に応力が生ずることなどの問題がある。
材料に例えば熱膨脹係数11.7×10-6の鉄を用いた
場合、セラミツク基板９の熱膨脹係数７×10-6と
は差があるため、基板９をステム２に軟ろう付け
した場合には熱膨脹係数の差に基づく応力が生じ
て基板９の上に印刷された抵抗の抵抗値に影響を
及ぼし１％程度の変動を生ずる場合がある。この
ような応力を防ぐために基板９を一部分だけステ
ム２に軟ろう付することも考えられるが、金属と
セラミツクとの軟ろう付の接着強度は一般に弱い
ため、ある程度広い接合面積を必要とし、一部分
だけの接合では不十分である。軟ろうによらない
で加熱の必要のない接着剤によつて基板９をステ
ムに接着することも考えられるが、接着強度の低
いことあるいは使用中の温度変化によりやはり基
板９に応力が生ずることなどの問題がある。
本発明は金属からなる底板を有する容器中に感
圧ダイヤフラムと共に封入されるセラミツク回路
基板に応力の加わるおそれのない半導体式圧力セ
ンサを提供することを目的とする。
圧ダイヤフラムと共に封入されるセラミツク回路
基板に応力の加わるおそれのない半導体式圧力セ
ンサを提供することを目的とする。
この目的は回路基板が基板材料の熱膨脹係数に
近似した熱膨脹係数を有する金属板の一方の側に
固着され、その金属板の他方の側が局部的に容器
底板に固着されることによつて達成される。
近似した熱膨脹係数を有する金属板の一方の側に
固着され、その金属板の他方の側が局部的に容器
底板に固着されることによつて達成される。
以下図を引用して本発明の実施例について説明
する。各図における第１図と共通の部分には同一
の符号が付されている。第２図においてセラミツ
ク基板９は直接ステム２に固着されないでセラミ
ツクスの熱膨脹係数に近い値の膨脹係数を有する
金属、例えば鉄・ニツケル合金などからなる支持
板１６の上にろう付などで接合され、この支持板
１６はステム２に開口部３に近い部分で、例えば
軟ろう層のみで局部的に接合されている。このよ
うに構成することによりセラミツク基板９と支持
板１６との接合の際には双方の熱膨脹係数が近似
しているため熱応力は生ぜず、また支持板１６と
ステム２の接合の際には接合部が局部的であるた
め熱応力が生じない。この場合支持板１６とステ
ム２は双方金属よりなるためろう付、溶接などに
よる接着強度は金属とセラミツクスの接合の場合
に比してはるかに大きく、従つて局部的な接合で
強度的に満足される。
する。各図における第１図と共通の部分には同一
の符号が付されている。第２図においてセラミツ
ク基板９は直接ステム２に固着されないでセラミ
ツクスの熱膨脹係数に近い値の膨脹係数を有する
金属、例えば鉄・ニツケル合金などからなる支持
板１６の上にろう付などで接合され、この支持板
１６はステム２に開口部３に近い部分で、例えば
軟ろう層のみで局部的に接合されている。このよ
うに構成することによりセラミツク基板９と支持
板１６との接合の際には双方の熱膨脹係数が近似
しているため熱応力は生ぜず、また支持板１６と
ステム２の接合の際には接合部が局部的であるた
め熱応力が生じない。この場合支持板１６とステ
ム２は双方金属よりなるためろう付、溶接などに
よる接着強度は金属とセラミツクスの接合の場合
に比してはるかに大きく、従つて局部的な接合で
強度的に満足される。
第３図においては感圧ダイヤフラム６を支持す
る台座が金属キヤツプ８に固着され、このキヤツ
プ８に導圧パイプ７が接合されている点が第２図
と異なるほかは本発明に基づく構造を有する。
る台座が金属キヤツプ８に固着され、このキヤツ
プ８に導圧パイプ７が接合されている点が第２図
と異なるほかは本発明に基づく構造を有する。
本発明による構造においては、−40℃から＋120
℃まで温度が変化してもセラミツク基板上の抵抗
の抵抗値の変化は0.1％以下であるため温度によ
る出力電圧の変動が著しく小さくなる。
℃まで温度が変化してもセラミツク基板上の抵抗
の抵抗値の変化は0.1％以下であるため温度によ
る出力電圧の変動が著しく小さくなる。
以上述べたように本発明は半導体感圧ダイヤフ
ラムと同一容器内に封入される回路基板にろう付
あるいは使用中の温度変化により応力が生ずるの
を防ぐために、回路基板を先ず基板材料と熱膨脹
係数の近似した金属からなる支持板上に固着す
る。この支持板と容器底板との間は金属同志の接
合となるためろう付などにより十分な接着強度を
有するので、局部的に接合することにより熱膨脹
係数の差による応力を防ぐもので、これによつて
熱応力の発生のおそれのない高精度の半導体式圧
力センサを得ることができ、効果は極めて高い。
ラムと同一容器内に封入される回路基板にろう付
あるいは使用中の温度変化により応力が生ずるの
を防ぐために、回路基板を先ず基板材料と熱膨脹
係数の近似した金属からなる支持板上に固着す
る。この支持板と容器底板との間は金属同志の接
合となるためろう付などにより十分な接着強度を
有するので、局部的に接合することにより熱膨脹
係数の差による応力を防ぐもので、これによつて
熱応力の発生のおそれのない高精度の半導体式圧
力センサを得ることができ、効果は極めて高い。
また、以上の説明では、基準圧力室にヘリウム
あるいはヘリウムを含んだ不活用ガスを所期の圧
力値になるように封入し、その圧力を基準圧力と
するいわゆる絶対圧センサについて述べてきた
が、本発明はこれだけに限定されるものではな
く、封入パイプを閉じないで開放にしたままで大
気等の圧力を基準圧とする相対圧センサにも同様
の効果が得られる。但しこの場合は基準圧力室の
半導体感圧基板および増幅回路等を備えたセラミ
ツク基板に劣化防止用の保護膜を塗布することが
望ましい。
あるいはヘリウムを含んだ不活用ガスを所期の圧
力値になるように封入し、その圧力を基準圧力と
するいわゆる絶対圧センサについて述べてきた
が、本発明はこれだけに限定されるものではな
く、封入パイプを閉じないで開放にしたままで大
気等の圧力を基準圧とする相対圧センサにも同様
の効果が得られる。但しこの場合は基準圧力室の
半導体感圧基板および増幅回路等を備えたセラミ
ツク基板に劣化防止用の保護膜を塗布することが
望ましい。
第１図は半導体式圧力センサの従来例の断面
図、第２図は本発明一実施例、第３図は別の実施
例のそれぞれの断面図である。 １……容器キヤツプ、２……容器底板、６……
感圧ダイヤフラム、７……導圧パイプ、９……回
路基板、１０……導線、１６……金属支持板、１
７……軟ろう層。
図、第２図は本発明一実施例、第３図は別の実施
例のそれぞれの断面図である。 １……容器キヤツプ、２……容器底板、６……
感圧ダイヤフラム、７……導圧パイプ、９……回
路基板、１０……導線、１６……金属支持板、１
７……軟ろう層。
Claims (1)
- １ 内部空間が基準圧力室を形成する容器の金属
からなる底板に、容器内部空間と反対の側に外部
圧力が導入される半導体感圧ダイヤフラムと、感
圧ダイヤフラムのストレンゲージと接続される回
路を備えた回路基板とが固定されるものにおい
て、回路基板が基板材料の燃膨張係数に近似した
熱膨張係数を有する金属板の一方の側に固着さ
れ、該金属板の他方の側が局部的に容器低板に固
着されたことを特徴とする半導体式圧力センサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57029296A JPS58146827A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 半導体式圧力センサ |
| US06/466,125 US4563697A (en) | 1982-02-25 | 1983-02-14 | Semiconductor pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57029296A JPS58146827A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 半導体式圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58146827A JPS58146827A (ja) | 1983-09-01 |
| JPH0119528B2 true JPH0119528B2 (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=12272273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57029296A Granted JPS58146827A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 半導体式圧力センサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4563697A (ja) |
| JP (1) | JPS58146827A (ja) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3625842A1 (de) * | 1986-07-30 | 1988-02-04 | Pfister Gmbh | Druckmesszelle |
| EP0261208A4 (en) * | 1986-03-21 | 1988-10-27 | Integrated Ionics Inc | ENVIRONMENTAL CONDITIONS TESTING CONVERSION ARRANGEMENTS WITH HEAT DAMPING. |
| JPS62165539U (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-21 | ||
| US4800758A (en) * | 1986-06-23 | 1989-01-31 | Rosemount Inc. | Pressure transducer with stress isolation for hard mounting |
| FI81911C (fi) * | 1987-12-07 | 1990-12-10 | Vaisala Oy | Trycksaendare. |
| CA2091465A1 (en) * | 1990-09-27 | 1992-03-28 | James C. Young | Thermal stress-relieved composite microelectronic device |
| US6388203B1 (en) | 1995-04-04 | 2002-05-14 | Unitive International Limited | Controlled-shaped solder reservoirs for increasing the volume of solder bumps, and structures formed thereby |
| WO1996031905A1 (en) | 1995-04-05 | 1996-10-10 | Mcnc | A solder bump structure for a microelectronic substrate |
| US5939785A (en) * | 1996-04-12 | 1999-08-17 | Texas Instruments Incorporated | Micromechanical device including time-release passivant |
| US6025767A (en) * | 1996-08-05 | 2000-02-15 | Mcnc | Encapsulated micro-relay modules and methods of fabricating same |
| WO1998053288A1 (en) * | 1997-05-23 | 1998-11-26 | Honeywell Inc. | Sensor capsule for pressure transmitter |
| JPH11211594A (ja) * | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
| US6038961A (en) * | 1998-03-02 | 2000-03-21 | Rosemount Inc. | Flush mount remote seal |
| US6550337B1 (en) * | 2000-01-19 | 2003-04-22 | Measurement Specialties, Inc. | Isolation technique for pressure sensing structure |
| AU2002228926A1 (en) * | 2000-11-10 | 2002-05-21 | Unitive Electronics, Inc. | Methods of positioning components using liquid prime movers and related structures |
| US6863209B2 (en) | 2000-12-15 | 2005-03-08 | Unitivie International Limited | Low temperature methods of bonding components |
| WO2003008921A1 (en) * | 2001-07-17 | 2003-01-30 | Measurement Specialties, Inc. | Isolation technique for pressure sensing structure |
| US20030167851A1 (en) * | 2002-01-30 | 2003-09-11 | Parker Gregory D. | Absolute micromachined silicon pressure sensor with backside hermetic cover and method of making the same |
| US6960828B2 (en) | 2002-06-25 | 2005-11-01 | Unitive International Limited | Electronic structures including conductive shunt layers |
| US7547623B2 (en) * | 2002-06-25 | 2009-06-16 | Unitive International Limited | Methods of forming lead free solder bumps |
| US7531898B2 (en) * | 2002-06-25 | 2009-05-12 | Unitive International Limited | Non-Circular via holes for bumping pads and related structures |
| TWI225899B (en) * | 2003-02-18 | 2005-01-01 | Unitive Semiconductor Taiwan C | Etching solution and method for manufacturing conductive bump using the etching solution to selectively remove barrier layer |
| US7049216B2 (en) * | 2003-10-14 | 2006-05-23 | Unitive International Limited | Methods of providing solder structures for out plane connections |
| WO2005101499A2 (en) | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Unitive International Limited | Methods of forming solder bumps on exposed metal pads and related structures |
| US20060205170A1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Rinne Glenn A | Methods of forming self-healing metal-insulator-metal (MIM) structures and related devices |
| US7674701B2 (en) | 2006-02-08 | 2010-03-09 | Amkor Technology, Inc. | Methods of forming metal layers using multi-layer lift-off patterns |
| US7932615B2 (en) * | 2006-02-08 | 2011-04-26 | Amkor Technology, Inc. | Electronic devices including solder bumps on compliant dielectric layers |
| EP1837303A1 (en) * | 2006-03-24 | 2007-09-26 | Infineon Technologies SensoNor AS | Integrated pedestal mount for mems structure |
| TWI341014B (en) * | 2007-05-30 | 2011-04-21 | Ind Tech Res Inst | A device structure with preformed ring and method therefor |
| US9901268B2 (en) | 2011-04-13 | 2018-02-27 | Branchpoint Technologies, Inc. | Sensor, circuitry, and method for wireless intracranial pressure monitoring |
| JP5761126B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2015-08-12 | 日本精機株式会社 | 圧力検出装置 |
| JP6395389B2 (ja) | 2014-02-05 | 2018-09-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光器 |
| US9848789B2 (en) * | 2014-04-17 | 2017-12-26 | Branchpoint Technologies, Inc. | Wireless intracranial monitoring system |
| US9963341B2 (en) * | 2015-05-19 | 2018-05-08 | Rosemount Aerospace, Inc. | Pressure sensor package with stress isolation features |
| JP6838461B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2021-03-03 | 日本電産トーソク株式会社 | 油圧センサ取付構造 |
| CN110207885A (zh) * | 2019-07-08 | 2019-09-06 | 南京新力感电子科技有限公司 | 基于倒装焊芯片的压力传感器芯体、芯体制造及封装方法和压力传感器 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1248087A (en) * | 1969-02-28 | 1971-09-29 | Ferranti Ltd | Improvements relating to pressure gauges |
| JPS5386576A (en) * | 1977-01-10 | 1978-07-31 | Nec Corp | Package for semiconductor element |
| US4127840A (en) * | 1977-02-22 | 1978-11-28 | Conrac Corporation | Solid state force transducer |
| JPS5524423A (en) * | 1978-08-10 | 1980-02-21 | Nissan Motor Co Ltd | Semiconductor pressure sensor |
| US4218694A (en) * | 1978-10-23 | 1980-08-19 | Ford Motor Company | Rectifying apparatus including six semiconductor diodes sandwiched between ceramic wafers |
| JPS5937716Y2 (ja) * | 1979-01-31 | 1984-10-19 | 日産自動車株式会社 | 半導体差圧センサ |
| JPS55112864U (ja) * | 1979-02-02 | 1980-08-08 |
-
1982
- 1982-02-25 JP JP57029296A patent/JPS58146827A/ja active Granted
-
1983
- 1983-02-14 US US06/466,125 patent/US4563697A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4563697A (en) | 1986-01-07 |
| JPS58146827A (ja) | 1983-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0119528B2 (ja) | ||
| US3817107A (en) | Semiconductor pressure transducer | |
| US6351996B1 (en) | Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors | |
| JP3136087B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH08178778A (ja) | 半導体圧力検出装置 | |
| JPS6153876B2 (ja) | ||
| US4560826A (en) | Hermetically sealed chip carrier | |
| JP3374620B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH03233334A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| US4558346A (en) | Highly reliable hermetically sealed package for a semiconductor device | |
| US4400682A (en) | Pressure sensor | |
| JPH08334426A (ja) | 圧力センサ | |
| JPH11160179A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH02196938A (ja) | 圧力センサ | |
| JP3278926B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH0245721A (ja) | 絶対圧型半導体圧力センサ | |
| JPS6029628A (ja) | 半導体式圧力センサ | |
| JPS59174728A (ja) | 半導体式圧力センサ | |
| JPH05121492A (ja) | Ｔａｂテープ | |
| JPS63269031A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH0566979B2 (ja) | ||
| JPS63195537A (ja) | 絶対圧形半導体圧力センサ | |
| JPS6056297B2 (ja) | 集積回路素子の気密実装構造 | |
| JP2735107B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS6182447A (ja) | 半導体装置 |