Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JPH01158773A - 電荷結合装置 - Google Patents

電荷結合装置

Info

Publication number
JPH01158773A
JPH01158773A JP63268353A JP26835388A JPH01158773A JP H01158773 A JPH01158773 A JP H01158773A JP 63268353 A JP63268353 A JP 63268353A JP 26835388 A JP26835388 A JP 26835388A JP H01158773 A JPH01158773 A JP H01158773A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charge
charge storage
storage electrode
transfer
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63268353A
Other languages
English (en)
Inventor
Karel E Kuyk
カレル・エルベルト・クイク
Jan W Slotboom
ヤン・ウィレム・スロトボーム
Geert J T Davids
ヘールト・ヤン・トーマス・ダビッヅ
Wiegert Wiertsema
ウィーヘルト・ウィールトセマ
Arie Slob
アリー・スロブ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of JPH01158773A publication Critical patent/JPH01158773A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C15/00Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762Charge transfer devices
    • H01L29/765Charge-coupled devices
    • H01L29/768Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76816Output structures
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • G11C19/287Organisation of a multiplicity of shift registers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C27/00Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
    • G11C27/04Shift registers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は直曲直列(SPS)の電荷結合装置(CCD)
メモリの出力段として用いるのに特に適した電荷結合装
置に関するものである。
SPSメモリは直列入力及び出力レジスタをもち、該各
レジスタは、それを横切って電荷蓄積及び電荷転送電極
が交互に展開する電荷伝導チャネルを有し、以て該チャ
ネルに沿い電荷パケットの移動を可能ならしめるもので
ある。直列レジスタの間には、それを横切って電荷蓄積
及び電荷転送電極が交互に展開する多数の並列チャネル
をもつ並列セクション又はレジスタがある。該並列レジ
スタの各電荷蓄積電極は、直列入力レジスタから並列レ
ジスタへ転送する情報を蓄積するための電荷蓄積部分の
列が下に位置するチャネルによって決定されるように配
列しである。1列の情報が直列レジスタへ入力されたと
き、直列レジスタの交互電荷蓄積部分は空であるから、
並列レジスタ内の蓄積スペースを全部使用できるように
するため、「インターレース」と呼ばれる技法が用いら
れる。
かくして、情報の1つの補助列が直列レジスタから並列
レジスタへ転送され、従って並列レジスタの第1列の交
互電荷蓄積部分だけが占有された後に、情報のもう1つ
の補助列が直列入力レジスタに入力されて、第1列の残
りの電荷蓄積部分を占有するようになる。
情報がメモリに入力されたのと同じ順序で出力されるた
めには、インターレースされた補助列を復元(de−i
nterlacing)する技法、すなわち1つの補助
列が直列レジスタの出力端から出力され、引続きもう一
方の補助列が出力されることのできるような技法が必須
である。
米国特許第3967254号には、そのような技法、す
なわち並列レジスタは1つの出力段又は出力構造をもち
、該出力段は第1及び第2電荷蓄積電極をもち、該電極
はそれぞれ第1及び第2歯列をもち、該歯列は第1列の
歯が一方のチャネル補助群の対応するチャネルの上にあ
り、第2列の歯が他方のチャネル補助群の対応するチャ
ネルの上にあるように櫛形に噛合させる技法について記
述しである。
出力段の第1電荷転送電極は、情報の列を、並列セクシ
ョンの1つ前の電荷蓄積電極の下にある電荷蓄積部分列
から、第1電荷蓄積電極の下にある電荷蓄積部分列へ転
送するようになっている。
第2電荷転送電極は、第1歯列と第2歯列の下にある電
荷蓄積部分との間の、第1電荷蓄積電極の一部分の下の
電荷蓄積部分間を、電荷パケットが転送されるようにな
っている、また一方で第3電荷転送電極は、第1歯列の
下にある電荷蓄積部分と、第2列の歯間の第2電荷蓄積
電極の一部分との間を、電荷パケットが転送されるよう
になっている。
第1及び第2電荷蓄積電極を制御するクロック線に適切
なりロック信号を供給することにより情報の補助列を分
割することができ、それによって、例えば、第1列の歯
の下の電荷蓄積部分に蓄積された情報の補助列は第2電
荷蓄積電極の下の電荷蓄積部分に転送されそれから転送
ゲート及び直列出力レジスタを経由して出力することが
できる、また一方、それ以外の補助列は第1電荷蓄積電
極の介在部の下の電荷蓄積部分に蓄積されたままで、以
後逐次出力される。
米国特許第3967254号記載の出力段は、計時パル
スのドロップ・クロック(drop−clock)方式
が用いられている場合は必要な情報の補助列の分割を可
能ならしめているが、若し計時パルスのブツシュ・クロ
ック(push−clock)方式を用いることが好ま
しいならば、米国特許第3967254号記載の出力段
は受容しがたい。その理由は出力段の第1電荷蓄積電極
にクロック信号を適用することが不可能であって、それ
により例えば第1列の歯の下に蓄積されていた電荷パケ
ッrを(第3電荷転送電極に適当なりロック信号を与え
ると)第2電荷蓄積電極の下にある電荷蓄積部分に於て
形成されているポテンシャル・ウェル(potenti
al well)へと押出すことになり、その一方で残
りの情報補助列に対するポテンシャル・ウェルは第1電
荷蓄積電極の介在部の下にある電荷蓄積部分に依然とし
て保持されているからである。
本発明の最初の視点においては、一連の並列電荷伝導チ
ャネルを決める半導体基体と、該ヂャネ=15− ルを横切って展開している電荷蓄積電極であって、その
展開の仕方は該電荷蓄積電極の各々がそれぞれ対応の電
荷蓄積部分列を該チャネルで定められてなる電荷蓄積電
極と、電荷蓄積部分間に電荷パケットを転送するため該
チャネルを横切って展開している電荷転送電極とを有す
る電荷結合装置があって、この装置はチャネルの1つの
補助群の上に位置する第1歯列をもつ第1電荷蓄積電極
と、第2及び第3歯列をもち、該第2歯列はチャネルの
もう一方の補助群の上に位置するように第1歯列と噛合
している第2電荷蓄積電極と、第3歯列と噛合している
第4歯列であって、第3.第4歯列のどちらかが前述の
チャネルの補助群の1つの上に位置し、第3.第4歯列
の他方はもう一方の補助群の上に位置してなる第4歯列
をもつ第3電荷蓄積電極と、電荷パケットを前記のチャ
ネルと第1電荷蓄積電極とにより決定する電荷蓄積部分
列へ転送するための第1電荷転送電極と、電荷パケット
を第1電荷蓄積電極の下にある電荷蓄積部分と第2歯列
の下にある電荷蓄積部分との間で転送する第2電荷転送
電極と、電荷パケットを第1歯列の下にある電荷蓄積部
分と第2電荷蓄積電極の下にある電荷蓄積部分との間で
転送する第3電荷転送電極と、電荷パケットを第2電荷
蓄積電極の下にある電荷蓄積部分と第4歯列の下にある
電荷蓄積部分との間で転送する第4電荷転送電極と、電
荷パケットを第3歯列の下にある電荷蓄積部分と第3電
荷蓄積電極の下にある電荷蓄積部分との間で転送する第
5電荷転送電極をもっているのである。
本発明の実施例の電荷結合装置の1つでは、第1歯列の
下にある電荷蓄積部分において形成されるポテンシャル
・ウェルに蓄積されている情報を、たとえ計時パルスの
ブツシュ・クロック方式が用いられている場合でも、第
1電荷蓄積電極の介在部の下にある電荷蓄積部分におい
て形成されるポテンシャル・ウェルに蓄積されている情
報から分割せしめることが可能である。
第3歯列は第2歯列から派生していることもあり、その
場合第3列の歯は上述のチャネルの補助群の1つの上に
位置し、第4列の歯は上述のもう一方のチャネルの補助
群の上に位置する。これによってチャネルに沿っている
電荷蓄積電極の最大長を最小に保たしめることが可能で
ある。けれどもこのことが重要でない場合は、第3歯列
は第2歯列と一線に揃え、第4歯列は第1歯列と一線に
揃えることが可能である。
各歯は一般的に唯1つのチャネルの上に位置しているが
、1つの歯が2つ以上の隣り合ったチャネルの上に位置
していることが望ましいという状況もあるかも知れない
。通常は上述のチャネルの補助群の一方は1つおきのチ
ャネルで形成され、上述のもう一方のチャネルの補助群
は残りのチャネルで形成される。
本発明の実施例の電荷結合装置は情報の補助列を分割す
ることが望ましいいかなる状況下にも用いることができ
るが、該電荷結合装置は−チャネル及びそのチャネルの
上を横切って展開する電荷蓄積及び転送電極によって定
まる並列レジスタと、 一更に他の1チャネル及び更に他の電荷蓄積及び転送電
極を有する直列出力レジスタで、該直列出力レジスタの
電荷蓄積電極の各々は並列レジスタの1チャネルと関連
しており、かつ第1.第2゜第3電荷蓄積電極と関連電
荷転送電極とが並列レジスタの出力段、すなわち電荷パ
ケットを第3電荷蓄積電極の下にあるポテンシャル・ウ
ェルから直列出力レジスタへ転送するための出力転送ゲ
ートを形成してなる直列出力レジスタと を有することが好ましく、更にまた該電荷結合装置は −1つのチャネル及び関連電荷蓄積、転送電極を有する
直列入力レジスタで、該直列入力レジスタの電荷蓄積電
極の各々は並列レジスタの1ヂヤネルと関連してなる直
列入力レジスタと、−電荷パケットを直列入力レジスタ
から並列レジスタへ転送するための入力転送ゲートとを
有することが好ましい。該直列出力レジスタ又は直列入
力及び出力レジスタの各々は4相レジスタであってもよ
い。
本発明は、前記最初の視点に従う電荷結合装置の操作方
法をも用意する、該方法は −第1電荷蓄積電極によって定められる電荷蓄積部分列
において形成されるポテンシャル・ウェルに電荷パケッ
ト列を蓄積し、 一電荷パケット列を第2電荷蓄積電極によって定められ
る電荷蓄積部分のポテンシャル・ウェルに転送せしめる
ようにし、 一第2電荷蓄積電極の下にあるポテンシャル・ウェルに
蓄積されている電荷パケットを移動せしめるようにし、 −また同時に電荷転送阻止信号を、第3と第2電荷転送
電極のどちらか1つ及び第4と第5電荷転送電極のどち
らか1つに適用して、それにより電荷転送阻止信号が第
3及び第4電荷転送電極か第2及び第5電荷転送電極か
のいすかに当てはめられるようにすることを含み、それ
によって−前記のチャネル補助群の一方により定まる電
荷蓄積部分に蓄積された電荷パケットを第2電荷蓄積電
極の下にあるポテンシャル・ウェルから第1及び第3電
荷蓄積電極のどちらかの下にあるポテンシャル・ウェル
に移動せしめ、同時に、前記のチャネル補助群のもう一
方により定まる電荷蓄積部分に蓄積された電荷パケット
を第2電荷蓄積電極の下にあるポテンシャル・ウェルか
ら第1及び第3電荷蓄積電極の残りの方の下にあるポテ
ンシャル・ウェルに移動せしめ、結局電荷パケットの列
を第1と第2補助列に分割することを含む。
電荷パケットはクロック信号のブツシュ・クロック列を
電荷蓄積及び転送電極に適用することにより移動させる
ことができるが、その他の適当な計時方法を用いること
も可能である。
本発明の実施例の手法の1つとして、電荷転送可能化信
号を第2及び第3電荷転送電極に適用し、それから第2
電荷蓄積電極に適用された電荷蓄積可能化信号と共に、
第1電荷蓄積電極によって定まる電荷蓄積部分から電荷
パケットを押出すため電荷蓄積阻止信号を第1電荷蓄積
電極に適用することにより、電荷パケットを第2電荷蓄
積電極の下にあるポテンシャル・ウェルへ転送せしめる
ことも含まれる。
1つのやり方として、電荷パケットの列が第2電荷蓄積
電極の下にあるポテンシャル・ウェルへ転送せしめる段
階は、電荷蓄積阻止信号を第1電荷蓄積電極へ適用した
後で電荷転送阻止信号を第2及び第3電荷転送電極へ適
用し、以て電荷パテ7トの列を第2電荷蓄積電極のみの
下にあるポテンシャル・ウェルへ押出すことを含み、同
じ制御信号は第2及び第5電荷転送電極と第3及び第4
電荷転送電極の双方またはそのいずれか一方に適用する
こともできる。
もう1つのやり方として、電荷パケットの列が第2電荷
蓄積電極の下にあるポテンシャル・ウェルへ転送せしめ
る段階は、電荷蓄積阻止信号を第1電荷蓄積電極へ適用
する前に電荷転送可能化信号を第4及び第5電荷転送電
極の他の方へ適用し、電荷蓄積可能化信号を第3電荷蓄
積電極へ適用することを含み、同じ制御信号は第4及び
第5電荷蓄積電極の他の方へと同様第3及び第2電荷蓄
積電極の他の方へ適用することもできる。
第2電荷蓄積電極により定まる電荷蓄積部分に蓄積され
た電荷パケットは、電荷転送阻止信号を前記の第3及び
第2電荷転送電極の1つと前記の第4及び第5電荷転送
電極の1つへ適用し、同時に電荷転送可能化信号を第3
及び第2電荷転送電極の他の方と第4及び第5電荷転送
電極の他の方へ適用し、かつ第1及び第2補助列の電荷
パケットを第2電荷蓄積電極により定まる電荷蓄積部分
から反対の方向に押出すため電荷蓄積阻止信号を第2電
荷蓄積電極へ適用することにより移動せしめることがで
きる。
上述の1つのやり方では、第2電荷蓄積電極により定ま
る電荷蓄積部分に蓄積された電荷パケットは、電荷転送
阻止信号を前記第3及び第2電荷転送電極の1つと前記
第4及び第5電荷転送電極の1つとへ適用している間に
、電荷転送可能化信号を第3及び第2電荷転送電極の他
の方と第4及び第5電荷転送電極の他の方とへ適用する
のと同時に、電荷蓄積可能化信号を第1及び第3電荷蓄
積電極へ適用し、それから第1及び第2補助列の電荷パ
ケットを第2電荷蓄積電極により定まる電荷蓄積部分か
ら反対方向に押出すため電荷蓄積阻止信号を第2電荷蓄
積電極へ適用することにより移動せしめることができる
本発明の実施例の手法の1つとして、電荷蓄積阻止信号
を第2電荷蓄積電極へ適用した後、第1及び第2補助列
の電荷パケットを前記の反対方向へ更に押出すため電荷
転送阻止信号を第3及び第2電荷転送電極の前記他の方
と第4及び第5電荷転送電極の前記他の方とへ適用し、
その結果として第1及び第2補助列の一方の電荷パケッ
トは第1電荷蓄積電極のみの下にあるポテンシャル・ウ
ェルへと押出され、第1及び第2補助列の他方の電荷パ
ケットは第3電荷蓄積電極のみの下にあるポテンシャル
・ウェルへと押出されることも含まれる。
電荷パケットの列を第1及び第2補助列に分割した後、
本発明実施例の一手法として補助列の第3電荷蓄積電極
の下にあるポテンシャル・ウェルに蓄積された電荷パケ
ットを出力し、それから逐次第1電荷蓄積電極の下にあ
るポテンシャル・ウェルに蓄積された他の補助列の電荷
パケットを第3電荷蓄積電極の下にあるポテンシャル・
ウェルに移動し、然る後に該他の補助列の電荷パケット
を出力することも含まれる。
例えば、該他の補助列の電荷パケットは、第2電荷蓄積
電極へ適用される電荷蓄積可能化信号と共に、電荷転送
可能化信号を第3及び第2電荷転送電極の他方へ適用し
、それから電荷蓄積阻止信号を第1電荷蓄積電極へ適用
し、引続き第3及び第2電荷転送電極の該他方−・適用
し、以て他の補助列の電荷パケットを第2電荷蓄積電極
の下にあるポテンシャル・ウェルへと押出し、次に電荷
転送可能化信号を第4及び第5電荷転送電極の他方へ適
用し、電荷蓄積可能化信号を第3電荷蓄積電極へ適用し
、以後引続き電荷蓄積阻止信号を第2電荷蓄積電極へ適
用し、それから電荷転送阻止信号を第4及び第5電荷転
送電極の該他方へ適用し、以て他の補助列の電荷パケッ
トを第3電荷蓄積電極のみの下にあるポテンシャル・ウ
ェルへと押出すことにより、出力のため第1電荷蓄積電
極の下にあるポテンシャル・ウェルから第3電荷蓄積電
極の下にあるポテンシャル・ウェルへと転送させること
ができる。
益で用いているように、「電荷蓄積可能化信号」なる語
は、電荷蓄積電極の下に電荷蓄積ポテンシャル・ウェル
を供給する電圧信号を意味し、該電圧信号はこの電荷蓄
積電極に対し適用されるのであり、又一方「電荷蓄積阻
止信号」なる語は、電荷蓄積電極の下で電荷が存在でき
るポテンシャル・ウェルがあるか又は最早ないかという
電圧の信号を意味し、この電荷蓄積電極に対し該電荷蓄
積阻止信号は適用されるのである。同様に、「電荷転送
可能化信号」なる語は、電荷転送電極の下にポテンシャ
ル・ウェルを供給する電圧信号を意味し、該信号はこの
電荷転送電極に対し適用され以て電荷パケットの転送を
可能ならしめるものであり、又一方「電荷転送阻止信号
」なる語は、電荷転送電極の下で電荷が存在できるポテ
ンシャル・ウェルがあるか又は最早ないかという電圧の
信号を意味し、この電荷転送電極に対し該電荷転送阻止
信号は適用されるのである。
以下本発明の実施例を、実例を用い添付図面を引用して
説明する。図面を引用するに当り、最初に申上げておき
たいのはこれらの図面はいずれも略図であって必ずしも
実寸に忠実ではないということである。特に、厚さとい
うような類の寸法は誇張されており、一方その他の寸法
は図面の明確さということに重点をおいて縮小されてい
る場合もある。
第1図は直曲直列(SPS)メモリ装置のメモリ・ブロ
ックの一部分の概略配置を示し、これはそのようなメモ
リ・ブロックが4つ又はそれ以上並列に接続されている
場合である。
本発明の実施例である電荷結合装置は第1図ないし第6
図にみられるように、直列入力レジスタAと並列レジス
タCと、直列出力レジスタBとをもっている。
直列入力レジスタAは半導体基体30内に於て、フィー
ルド酸化物パターン2の一部分と入力転送ゲートT1と
交互電荷転送及び蓄積電極3b及び3aとによって定ま
るチャネル1を有し、以て電荷パケットがクロック信号
の制御下に人力節点9から直列入力レジスタAに導入さ
れ、蓄積されるようになっている。図示されているよう
に、直列入力レジスタAは4相電荷結合装置構造で、ク
ロック信号φぐ〜φ脅によって制御される(第2図)。
直列出力レジスタBも同様に半導体基体30内に於て、
フィールド酸化物パターン2の一部分と出力転送ゲート
T2と交互電荷転送及び蓄積電極4b及び4aとによっ
て定まるチャネル4を有する。該出力直列レジスタもま
た4相電荷結合装置構造で、その動作はクロック信号φ
1〜φ4によって制御される(第2図)。
人力転送ゲー)T、 (第2図)は、転送電荷パケット
を直列入力レジスタAから並列レジスタすなわちCセク
ションへ転送するために配置されている。
第1図及び第2図で極めて明確に示されているように、
並列セクションCはフィールド酸化物パターン2の条片
12により定まる多くの(第1図ではただ6つのみ示さ
れているが、実際にはもっと沢山の)並列チャネル11
を有する。交互電荷転送及び蓄積電極はチャネル11の
上を横切って、図中ではそれに垂直に展開している。電
荷蓄積電極13a−−−−Naの各々はチャネル11と
共に、それを横切って、図中ではそれに垂直に、展開す
る電荷蓄積部分の列を定める、一方電荷転送電極14b
−−−−Nb(これは電荷蓄積電極14a−−−−Na
とそれぞれ連係している)は電荷パケットの列を並列セ
クションに沿って1列ずつ転送するのに使われる。
並列セクションCを通って1列ずつ電荷パケットの移動
を制御する信号を供給するためのクロック線は、2相、
3相あるいは4相システムのいずれでもよいが、並列セ
クションCは多重相または波形ンステムで制御されるの
が好ましい、すなわち例えば並列セクションCの10番
目ごとの電荷転送電極と10番目ごとの電荷蓄積電極と
は同じクロック線に接続され、それによって、就中英国
特許第2105111号に述べられているように、10
個の連続蓄積列のうち9個には情報が満たされ、第10
番目は空のままとするというやり方である。空の個所を
並列レジスタCの一番下から一番上へと移動させること
により、情報を一番上から一番下へと1列ずつ移動させ
ることができる。この操作方法の利点は、並列セクショ
ンで10列ごとにたった1列だけ空の列が生じるので高
い情報密度が得られるということである。
並列セクションCの使用度を最大にするためには、すべ
てのチャネル11が電荷パケットを運ぶのに使われるよ
うにすることが望ましい。2相、3相又は4相りロック
方式が用いられるならば直列レジスタA及びBの交互電
荷蓄積部分だけが同時に一杯になるだろうから、インタ
ーレースという技法が使われる。
かくして、情報の第1補助列が電荷パケットとして入力
直列レジスタAに入力され、交互電荷蓄積電極すなわち
電荷蓄積電極3“aか電荷蓄積電極3″aかどちらかの
下の電荷蓄積部分に於てクロック線φ仝〜φイヘ適用さ
れる高いクロック信号電圧により形成されるポテンシャ
ル・ウェルに蓄積されるようになる。この第1補助列は
それから、電荷蓄積電極13aとチャネルlla又はl
lbの第1又は第2補助群のいずれかとにより定まる電
荷蓄積部分に於て形成されるポテンシャル・ウェルへ転
送される。第1補助列が、転送前には直列レジスタA内
の電荷蓄積電極37aの下にあるポテンシャル・ウェル
中にある場合には、該第1補助列は、電荷蓄積電極13
aとチャネルllaの第1補助群とで定まる電荷蓄積部
分に於るポテンシャル・ウェルに転送され、これに対し
て第1補助列が入力直列レジスタA内の電荷蓄積電極3
゛′aの下にあるポテンシャル・ウェル中にある場合に
は、第1補助列は、電荷蓄積電極13aとチャネルll
bの第2補助群とで定まる電荷蓄積部分に於るポテンシ
ャル・ウェルに転送される。
情報の第2補助列はそれから、直列入力レジスタAに入
力され、転送の直前には第1補助列により今まで占めら
れたことのない電荷蓄積電極の下にある電荷蓄積部分に
於るポテンシャル・ウェルを満たし、入力転送ゲートT
1を経由して転送され、チャネルの残りの補助群と電荷
蓄積電極13aとで定まる電荷蓄積部分に於るポテンシ
ャル・ウェルに置かれるようになる。情報の第1補助列
が電荷蓄積電極3taの下にあるポテンシャル・ウェル
からチャネルllaの第1補助群と電荷蓄積電極13a
とで定まる電荷蓄積部分に於て形成されるポテンシャル
・ウェルへ転送される場合には、情報の第2補助列が電
荷蓄積電極3″aの下にあるポテンシャル・ウェルから
チャネルllbの第2補助群と電荷蓄積電極13aとで
定まる電荷蓄積部分に於て形成されるポテンシャル・ウ
ェルへ転送されることになり、その逆も成立つことは勿
論である。
情報の第1及び第2補助列は、かくしてインターレース
され並列セクションC内の情報列を形成し、それはそれ
から多重相または波形クロック計時システムを用いる通
常のやり方で電荷蓄積部分を1列ずつ直列出力レジスタ
Bの方へ向って運ばれる。
メモリ・ブロックから情報を人力されたのと同じ順序で
出力するために情報列のインターレース復元の手段が必
要となる。従って並列セクションCはインターレース復
元出力段20をもち、以て情報の第1補助列が出力転送
ゲー)T2と直列出力レジスタBを経由して出力節点1
0へ転送せしめられ続いて情報の関連第2補助列が従う
ようにされる。
第1図及び第2図で極めて明確に示しているように、並
列セクションCのインターレース復元出力段20は、3
つの電荷蓄積電極21,22及び23と、5つの連係す
る電荷転送電極24.25.26.27及び28をもつ
出力段20の第1電荷蓄積電極21にはチャネル11を
横切って展開するスパイン(稜線)21aと該スパイン
21aから突き出る第1歯列21bがあり、各歯21b
はそれぞれ対応のチャネル11の上にある。
図示のように、各歯21bはチャネルllbの第2補助
群の対応するものの上にあるのである。
出力段20の第2電荷蓄積電極22は、スパイン22a
と該スパイン22aから第1電荷蓄積電極21へ向って
突き出る第2歯列22bをもち、該第2歯列22bは第
1歯列21bから派生し、かつチャネルllbの第1補
助群の上に位置し第1歯列21bと噛合している。
第3歯列22Cはスパイン22aから電荷蓄積電極21
とは反対の方向へ延びて、第3電荷蓄積電極23のスパ
イン23aから突き出る第4歯列23bと噛合する。図
示のとおり第3列の歯22cは第2列の歯22bから派
生し、従って第3及び第4歯列22c及び23bはチャ
ネルllb及びllaの第2及び第1補助群の上にそれ
ぞれ位置する。
出力段20の第1電荷転送電極24は電荷パケットを並
列セクションCの波形動作段の最終列から第1電荷蓄積
電極21の下にあるポテンシャル・ウェルへ転送するよ
うになっている。
上述のように、出力段20の電荷転送電極24ないし2
8の各々はチャネル11の上を横切って、図中では垂直
に展開している。チャネル11に沿う方向で、第2電荷
転送電極25は第1電荷転送電極からは間をあけてスパ
イン21a とは重なるようにし、チャネル11に沿っ
て歯21bの終端に重なるのに十分だが各歯21bの長
さの一部分しか覆わない距離だけ延びている。第3電荷
転送電極26は第2電荷転送電極25とは間をあけ歯2
1b とは重なるようにし、チャネル11に沿って歯2
2bの上をスパイン22aと重なるように延びている。
同様に、第4電荷転送電極27は第3電荷転送電極26
Cとは間をあけスパイン22a と重なるようにし、チ
ャネル11に沿って歯23b cDa=端と重なるには
十分だが歯22Cの長さの一部分しか覆わない距離だけ
延びている、そして第5電荷転送電極28は第4電荷転
送電極27とは間をあけ歯22cの終端と重なるように
し、チャネル11に沿って歯23bの上をスパイン23
a と重なるように延びている。
出力転送ゲー)T2は、出力段20の第3電荷蓄積電極
23の下にある電荷蓄積部分から直列出力レジスタBへ
電荷パケットを転送するのに用いられる。
次に本電荷結合装置の構造を、第1図、第2図および特
に第3図から第6図によって更に詳細に言凭明する。
本電荷結合装置は上に述べたように、半導体基体30を
、この例の場合は単結晶シリコンのp型半導体基体をも
っている。該半導体基体30は少なくとも表面層31を
もち、該表面層は比較的低いドーピング濃度、例えばc
m当り受容体くアクセプタ)原子数が1015と101
6の間のドーピング濃度をもつ。
核層31は半導体基体の厚みの全部を占めることもある
が、代案としてオーム抵抗値の低いp型基板でそのドー
ピング濃度が例えばc+rt当り1018と1020の
間の原子数の基板32の上に被せる比較的にオーム抵抗
値が高く厚さが5μmと15μmの間の表面層とするこ
ともできる。
チャネル1,4及び11はフィールド酸化物パターン2
により境界づけられ従ってそれにより定まる。該フィー
ルド酸化物パターン2はまた図に示す部分より外側に開
口部をもちそれに周辺回路を配置する。該フィールド酸
化物パターン2の厚さは例えば0.3〜0.7 μmで
あるが、本実施例においてはシリコン基体の局部酸化に
より形成される。
寄生チャネルの形成を妨げるために酸化物パターン2の
下のドーピング濃度はp型チャネルストッパー・ゾーン
35を用いることにより増大する。
薄い誘電層、例えば酸化シリコン層36でその厚さは例
えば大略0.02μmと0.05μmの間にある層が、
半導体基体30のチャネル1,4及び11の領域の表面
を覆っている。
本実施例ではすべての電荷蓄積電極は誘電層36の上の
第1ドープ多結晶シリコン層にデポジット及びパターン
によって作られる。誘電素材のその次の薄い層、これ又
例えば酸化シリコン層36aが第1多結晶シリコン層に
よって定まる電荷蓄積電極を覆い、第2ドープ多結晶シ
リコン層のデポジット及びパターンによってすべての電
荷転送電極とこれに加えて出力転送ゲートT、及びT2
が作られる。
その次の誘電素材、例えば二酸化シリコンの層36bが
第2多結晶シリコン層の上に置かれ、必要な接点窓が定
められた後、伝導素材、例えばアルミニウムのような金
属がデポジット及びパターンされて必要な接続のための
伝導路を作る。
電荷結合装置すなわちメモリ・ブロックはただ1つだけ
図示しであるが、完全なメモリ装置は例えば4つのそん
なブロックと全ブロックに亘って展開する並列セクショ
ンC用の並列蓄積及び並列転送電極で構成され、それに
よって情報は各メモリ・ブロック内で列から列へ同時に
転送することができる。
上に論じた装置の動作についてこれから簡単に説明する
上記のように直列入力及び出力レジスタA及びBは4層
電荷結合装置構造で、ブツシュ・クロック計時方式で動
作し、第3図ないし第6図から明らかなように、非対称
性構成ではない計時信号により要求される方向へ電荷パ
ケットを移動せしめる必要な方向性をもっている。
沢山の情報列が人力されメモリ・ブロック中を動き廻る
ことはいずれよく理解して頂けるであろうが、苑では簡
単のためメモリ・ブロック中をインターレースされた第
1及び第2情報補助列から成るただ1つの情報列の通路
を説明することにする。
第1の情報補助列は、クロック線φ1ないしφ。
上のブツシュ・クロック信号の制御下に直列入力レジス
タAへ、この例においては交互電荷蓄積電極31aの下
にある電荷蓄積部分にポテンシャル・ウェルが形成され
るまで移動する電荷パケットがデータで占められるので
、人力節点すなわちダイオード9を経由して人力される
図中のクロック線φ4゛に接続する電荷蓄積電極3va
の下にあるポテンシャル・ウェルに蓄積された電荷パケ
ットを考えると、一連のクロック信号は次のように前進
する。
一番初めにクロック線φ1及びφ3 (これらはそれぞ
れ電荷蓄積電極3“a及び3″aに接続している)上の
クロック信号は高い(すなわち電荷蓄積を可能ならしめ
る程に)ので電荷蓄積電極3“a及び3″aの下にある
ポテンシャル・ウェルを作り、電荷蓄積電極31 aの
下にあるポテンシャル・ウェルはいうまでもなく転送さ
れるべき電荷パケットをもっている。それからクロック
線φ)上のクロック信号が高められ(即ち電荷転送を可
能な−らし=39− める程に)、それにより電荷蓄積電極3“aの下にある
ポテンシャル・ウェルは隣のく第1.第2図では右の)
電荷蓄積電極3″aと接続する。それからクロック線φ
1上のクロック信号は低くなり、その後直きにクロック
線φ合上のクロック信号が続き(即ち電荷蓄積阻止信号
及び電荷転送阻止信号が適用され)、電荷パケットは第
1.第2図では右の方へ押出され、初めは電荷転送電極
3bの下にあるポテンシャル・ウェル及び隣の(第1.
第2図では右の)電荷蓄積電極3″aに位置し、それか
ら電荷蓄積電極3″aの下のみに定まるポテンシャル・
ウェルに位置する。
クロック線φ1上のクロック信号が高くなり(電荷蓄積
電極3taの下にあるポテンシャル・ウェルが次の電荷
パケットのための用意が整い)、その直後にクロック線
φ2上のクロック信号が低くなり、該クロック線φ令上
のクロック信号は電荷蓄積電極3“aの下にある電荷蓄
積部分に於てかように形成されたポテンシャル・ウェル
へ電荷カ戻るのに対しこれを阻止する障壁となる。
それからクロック線φ(上のクロック信号が高くなり、
以て電荷蓄積電極3゛′aの下に展開するポテンシャル
・ウェルと、中間電荷転送電極3bと次の(第1.第2
図では右の)電荷蓄積電極3vaとへ電荷パケットが拡
がることを可能ならしめ、その次には、まずクロック線
φ今上のクロック信号が、それからクロック線φく上の
それが低くなり、電荷パケットを第1.第2図では右へ
、前述の次の(第1.第2図では右の)電荷蓄積電極3
“aのみの下にあるポテンシャル・ウェルへと押出す。
クロック線φ3上のクロック信号はクロック線φ4上の
クロック信号が低くなった直後に高くなり、クロック線
φす上のクロック信号は電荷の逆流への障壁となる。上
述の過程は情報の第1補助列が直列入力レジスタAへと
計時されるまで繰返される。
各電荷蓄積電極3Yaの下にあるポテンシャル・ウェル
に電荷パケットが入っており、従って第1補助列は直列
入力レジスタA内に蓄積されているとき、高クロック信
号が人力転送ゲート・クロツり線φ、1に適用され、以
て電荷パケットを入力転送ゲートT1及び電荷蓄積電極
13aの下に展開するポテンシャル・ウェルへと拡げる
ことを可能ならしめ、クロック線φ13a上のクロック
信号を高める。再びブツシュ・クロック操作、すなわち
クロック線φ1上の電圧と引続きクロック線φT1上の
電圧とを低下させることにより、第1補助列の電荷パケ
ットがチャネルllaと電荷蓄積電極13aとで定まる
電荷蓄積部分に形成されるポテンシャル・ウェルへと押
出される。
クロック線φ1.上のクロック信号が再び低くなった後
、情報の第2補助列が、上述とほぼ同様のやり方で直列
入力レジスタAへと計時される、ただしクロック線φ1
ないしφを上のクロック信号及びクロック線φT1上の
人力転送ゲート・クロック信号は、電荷蓄積電極3″a
の下にある電荷蓄積部分に於て形成されるポテンシャル
・ウェルが一杯のときには、電荷パケットを並列レジス
タCへと転送するのに協力し、それにより並列レジスタ
Cへ転送されたときは情報の第2補助列はチャネルll
bと電荷蓄積電極13aとで定まる電荷蓄積部分に於る
ポテンシャル・ウェルに位置し、かくして第1補助列と
インターレースされる。
インターレースされた情報列は、上述のように波形クロ
ック・システムを用いて並列レジスタCを通り抜けて移
動する。再びブツシュ・クロック・システムが使われて
、並列レジスタCの波形クロック動作部分のn番目ごと
の(例えば第10番目ごとの)電荷蓄積電極が同じクロ
ック線に接続され、同様にn番目ごとの(例えば第10
番目ごとの)電荷転送電極が同じクロック線に接続され
る。同時にn番目ごとの(例えば第10番目ごとの)情
報列が並列レジスタCの一段下の列に移り、次の字列に
入るのであるが、それは字列のクロック線上のクロック
信号が高く、まず初必に介在する電荷転送電極のクロッ
ク線上のクロック信号を高くして字列のポテンシャル・
ウェルへと並列パケットを拡げさせ、それからまず電荷
蓄積電極上のクロック信号を低くし、その次に介在する
電荷転送電極のそれを低くして電荷パケットをチャネル
11に沿って字列へと押出すという訳である。それから
、情報列が前にはその下にあった電荷蓄積電極のクロッ
ク信号は高くなり(前と同様に介在する電荷転送電極の
クロック線上のクロック信号が低くなって逆流を阻止し
た後)字列となるのである。かくして字列は一度に直列
入力レジスタAの方へ1列戻るのである。
インターレースされた情報列が、電荷蓄積電極Naの下
にある電荷蓄積部分に於て形成されるポテンシャル・ウ
ェルに蓄積されているときは、高電圧信号がインターレ
ース復元出力段20の第1電荷転送電極24のクロック
線φ24及び第1電荷蓄積電極21のクロック線φ21
に加えられ、以て電荷パケットを電荷蓄積電極21の下
に拡げさせ、それから上述と同様のやり方で、電荷パケ
ットは、まず電荷蓄積電極Naのクロック線φNa上の
クロック信号電圧を低くし、それらか電荷の逆流を妨げ
るためクロック線φ2.を低くすることにより、第1電
荷蓄積電極21の下にあるポテンシャル・ウェルへと押
出される。
このインターレースされた情報列の電荷パケットは今や
第1電荷蓄積電極21の下にあるポテンシャル・ウェル
にあり、併せて情報の第2補助列は歯21bの下にある
ポテンシャル・ウェルに、また情報の第1補助列は第1
電荷蓄積電極21の介在スパイン部分で定まるポテンシ
ャル・ウェルにあることになる。
インターレース復元を達成するために、イン、ターレー
スされた情報の第1及び第2補助列が第2電荷蓄積電極
の下にあるポテンシャル・ウェルに移動した後で、クロ
ック線φ26及びφ27上のクロック信号を第3及び第
4電荷転送電極26及び27へ低く適用して電荷転送を
阻止し、クロック線φ25及びφ28上のクロック信号
を第2及び第5電荷転送電極25及び28へ高く適用し
くこれは第1補助列がチャネルllaの第1補助群内に
定まるポテンシャル・ウェル中にあるとき)、又はその
逆(これは第1補助列がチャネルllbの第2補助群内
に定まるポテンシャル・ウェル中にあるとき)とし、お
よびクロック線21及び23上のクロック信号を高(し
て、以てクロック線φ22上のクロック信号を低下せし
めて、それにより第1及び第2補助列は反対方向へ押出
され、第2補助列は第1電荷蓄積電極21の下にあるポ
テンシャル・ウェルへ入り第1補助列は第3電荷蓄積電
極23の下にあるポテンシャル・ウェルへ入る。かくし
て、第1補助列は第3電荷蓄積電極23の下にあるポテ
ンシャル・ウェルから出力直列レジスタBへと出力され
、一方第2補助列は第1電荷蓄積電繍21の下にあるポ
テンシャル・ウェルに蓄積される。
上述のインターレース復元を遂行するためのクロックパ
ルスの3つの可能な方式をこれから詳細に説明する。但
しこれ以外にも多くの配置又は方式も可能なことは理解
されるだろう。
まず初めに第7a図から第7b図までを参照すると、第
7a図はクロック線φ2□からφ28までの上のクロッ
クパルスを示すタイミング図であって、これらのクロッ
クパルスは情報の第1及び第2補助列の分割を制御する
ためと、情報の第1補助列の出力径情報の第2補助列か
らの転送を制御するためのものである。
第7b図は、チャネルlla及びllbの1対に対する
出力段20の概略説明図であって、情報の第1及び第2
補助列のそれぞれの電荷バケツ)C,及びC2の状態を
説明している。
時点t1において、クロック線φ22からφ28までの
上のクロック信号は低い(この例ではOボルト)、一方
りロック線φ2.上のクロック信号は高い。それ故電荷
パケットC0はスパイン21aとチャネルllaとで定
まるポテンシャル・ウェルに蓄積されている、一方電荷
バケツ)C2は歯21b とチャネル1ltlとで定ま
るポテンシャル・ウェルに蓄積されている。
時点t2においては、クロック線φ22.φ23.φ2
5゜φ26及びφ27上の電圧は高められ(この例では
5ボルト)、電荷バケツ)C2はかくして歯21bと電
荷転送電極26と第2電荷蓄積電極22との下で定まる
ポテンシャル・ウェルへ拡げられる、一方電荷パケット
C1は3つの電荷蓄積電極21.22及び23のすべて
の下に展開されるポテンシャル・ウエルヘ−47〜 と拡げられる。
時点t3においては、クロック線φ21の電圧は既に低
くなっており、電荷バケツ)CI及びC2を第1電荷蓄
積電極21の下にあるポテンシャル・ウェルから押出す
それからクロック線φ25上のクロック・パルスは時点
t4において低くなり、電荷パケットC8を電荷転送電
極25の下にあるポテンシャル・ウェルから押出す。時
点t5において、クロック線φ21上の電圧は再び高く
なり、以て電荷バケツ)C2を歯21bの下に拡げる。
クロック線φ21.φ23.φ26及びφ27上の信号
を高く保ちクロック線φ21.φ25及びφ28上の信
号を低く保つことにより、クロック線φ22上のクロッ
ク信号は低められ(時点t6)、第2電荷蓄積電極22
の下にあるポテンシャル・ウェルから並列パケット01
及びC2が共に押出される。
゛クロック線φ25及びφ2Bの低い電圧の信号がそれ
ぞれ電荷パケットC1及びC2の移動の障壁になってい
るので、電荷パケットC2は押出されて歯21bと電荷
転送電極26の下にあるポテンシャル・ウェルの中に入
り、一方電荷パケットC0は押出されて歯23bと電荷
転送電極27の下にあるポテンシャル・ウェルの中に入
る。時点t7においてはクロック線φ26及びφ2□上
の信号が低くなり、電荷パケット自及びC2をそれぞれ
歯23b及び21bの下にあるポテンシャル・ウェルへ
と押出す。
それから、電荷バケツ)C,(及び電荷パケットC1と
同時に移動した第1情報列を構成する残りの電荷パケッ
トも同様に)は、クロック線φ、2及びφP上の高電圧
クロック信号と引続きクロック線φ23上の電圧を低く
しさらにクロック線φT2上の電圧を低くすることによ
り、直列出力レジスタBへと移動させることができ、よ
って電荷パケットを直列出力レジスタBの電荷蓄積電極
4“aの下にあるポテンシャル・ウェルへと押出す。
情報の第1補助列はそれから出力接続すなわちダイオー
ド10を経由して、クロック信号φ1ないしφイ′と同
様の動作をするブツシュ・クロック信号φPないしφ4
の制御の下に出力する。
第1補助列の出力と共に、関連の第2補助列もインター
レース復元出力段20を通り出力転送ゲートT2経出で
直列出力レジスタBへ転送される。かくして時点t8に
おいては電荷バケツ)C2は歯21bの下のポテンシャ
ル・ウェルに入っている。時点t9においては、タロツ
ク線φ22.φ26及びφ28上のクロック信号は高め
られ、よって電荷ノ(ケ・ソトC2は電荷蓄積電極22
及び電荷転送電極28の下に展開するポテンシャル・ウ
ェルの中へと拡げられる。
時点t1□までにクロック線φ23上の信号は高くなっ
ており、電荷パケットC2は第3電荷蓄積電極23の下
のポテンシャル・ウェルの中へと拡げられうるようにな
る。時点t13までにクロック線φ22上の信号が低く
なり時点14までにクロック線φ28上の信号が低くな
り、よって電荷バケツ)C2を完全に第3電荷蓄積電極
23の下のポテンシャル・ウェルの中へと押出す。
情報の第2補助列のすべての電荷パケットは同時にイン
ターレース復元出力段20を通って移動するので、その
後第2補助列は第3電荷蓄積電極の下にあるポテンシャ
ル・ウェルの中にあり、上述の第1補助列に対すると同
じやり方で直列出力レジスタの電荷蓄積電極4″aの下
にあるポテンシャル・ウェルへ転送することができ、や
はり第1補助列と同じやり方でタロツク線φVないしφ
?上のクロック信号の制御下に出力接続10へ出力させ
ることができる。
第7a図及び第7b図に関連して上述のやり方において
、クロック線φ26及びφ2□上のクロック信号は同期
してふり、従って電荷転送電極26及び27は1つのク
ロック信号に接続されていてよい。
第7a図及び第7b図を参照して論じた配置では、まっ
先に出力される情報補助列は、インターレース復元出力
段20に入ることによりスパイン21aの介在部分の下
のポテンシャル・ウェルの中にあるようになっている。
このことは、直列入力レジスタAに対する計時方式を変
えて第1及び第2補助列が直列入力レジスタAに人力さ
れたときそれぞれ電荷蓄積電極3″a及び3“aの下に
あるポテンシャル・ウェル中に存在するか、あるいはそ
の代りに装置の構造を変えて歯21b及び22Cがチャ
ネル11aの上にあり歯22b及び23bがチャネルl
lbの上にあるようにするか、いずれかにより達成され
る。第8a図及び第8b図は以上のような場合に用いる
に適したインターレース復元を実現する代案を説明する
ものであり、第7a図及び第7b図で説明した計時方式
はその場合用に改変することはもち論可能で、それはク
ロック線φ25及びφ26に適用するクロック信号とク
ロック線φ27及びφ28に適用するクロック信号とを
入れ換えて第7b図に示すクロック線φ2S+  φ2
6.φ27及びφ28に対するクロック信号をそれぞれ
電荷転送電極φ26.φ25.φ28及びφ27に適用
し、図示のようにはしないのである。
第8a図及び第8b図に示すように、時点t8において
は電荷パケッ1−C6及びC3はスパイン21aの介在
部分及び隣りの歯21bの1つの下にあるポテンシャル
・ウェルにそれぞれ存在する。この段階ではクロック線
φ23ないしφ28上のクロック信号は低く、一方クロ
ック線φ2.及びφ22上のクロック信号は高い。
時点t、において、クロック線φ25及びφ26上の信
号は高くなっており、以て電荷パケットC3及びC6を
第2電荷蓄積電極の下に拡げさせうる。第8a図中に点
線で示したように、クロック線φ27及びφ28上のク
ロック信号はクロック線φ26及びφ25上のそれらと
それぞれ同期していて、以て電荷転送電極25及び28
を共通りロック線に接続することを可能ならしめ、同様
に電荷転送電極26及び27を共通りロック線に接続す
ることを可能ならしめられる。第8b図は、もしクロッ
ク線φ26及びφ2□上の信号とクロック線φ25及び
φ2.上の信号が同じであるならば、電荷パケットC4
及びC3は電荷転送電極27及び28の下にそれぞれ展
開するように更に拡げられることを、点線によって示し
ている。
時点t。において、クロック線φ2゜上の信号は既に低
くなっており、第1電荷蓄積電極21の上から電荷パケ
ット[3及びC4を押出し、一方時点tdにおいてはク
ロック線φ25及びφ26(もし上述のような接続がさ
れているなら、並びにφ27及びφ28も)の上の信号
は低くなっており、第8b図に示すように、電荷バケツ
)C3及びC4は第2電荷蓄積電極22の下に存在する
時点t8までに、クロック線φ2.及びφ23上の信号
は高くなっており、引続き時点1.までにクロック線φ
25及びφ28上の信号は高くなっており、以て電荷パ
ケット[3をスパイン23aの下に拡げしめ、電荷バケ
ツ)C4をスパイン21aの下に拡げしめている。
次に、時点t、における状態の示す処により、クロック
線φ22土の信号は低くなり第2電荷蓄積電極22の下
から電荷パケットを押出す。時点thまでに、クロック
線φ28及びφ25上の信号もやはり低くなり、電荷パ
ケットC3及びC4はスパイン23a 及び21aの下
のポテンシャル・ウェルへとそれぞれ押出される。クロ
ック線φ22上のクロック信号はそれから高電位の状態
に戻る。
情報の第1補助列(これは電荷パケットC3を含んでい
る)は、それから上述のように、まずクロック線φT2
上の高いクロック信号を用い、電荷パケットを電荷蓄積
電極4″aの下にあるポテンシャル・ウェルへ転送し、
電荷パケットをクロック信号φ1ないしφ4の制御下に
出力接続10へ運ぶという順序で出力することができる
第1補助列が出力されたあと、第2補助列がインターレ
ース復元出力段20を通って転送される。
かくして、時点t、においては、クロック線φ2.及び
φ22上のクロック信号は高くクロック線φ23ないし
φ28上の信号は低い、そして電荷パケットC4はスパ
イン21aの下のポテンシャル・ウェルにある。時点t
、までにクロック線φ26及びφ25(もしクロック線
φ26及びφ2.にそれぞれ接続さているならば、φ2
7及びφ28も)の上の信号は高くなり、以て電荷パケ
ットC4を拡げて第2電荷蓄積電極22の下に(加えて
、もしφ25とφ28が接続しているならば点線で示し
たように電荷転送電極28の下にも)展開せしめる。時
点t5においてクロック線φ2、上の信号は低くなって
おり、電荷パケットを第1電荷蓄積電極21の下のポテ
ンシャル・ウェルから押出し、時点t、までにクロック
線φ25及びφ26上の信号は低くなっており、よって
電荷パケットC4は第2電荷蓄積電極22の下に存在す
る。
時点t。(第8b図には示されていない)までにクロッ
ク線φ2.及びφ23上の信号は高くなっており、時点
t。までにクロック線φ26(もしクロック線φ27に
つながれていれば)及びφ27上の信号は高くなってお
り、よって電荷パケットC4は拡がって第3電荷蓄積電
極23の下に展開される。時点t。において、クロック
線φ22上のクロック信号は低くなり、時点tpにおい
てクロック線φ27(及びもしφ27につながれていれ
ばφ26も〉上のクロック信号は低くなり、電荷パケッ
トC4を第2電荷蓄積電極22の下から押出す。時点t
q (第8b図には示されていない)までにφ2□上の
クロック信号は再び高くなり、電荷パケットC4は第3
電荷蓄積電極23の下に蓄積され(第2補助列のその他
の電荷パケットと同様に)、上述のようにまずクロック
線φ72上の信号の制御下に電荷蓄積電極4“aの下の
ポテンシャル・ウェルへと出力され、それからクロック
線φヤないしφ、上のクロック信号の制御下に出力接続
10へ出力される。
第9a図及び第9h図は第8a図及び第8b図に示した
計時方式の1変形を説明するものであって、弦では時点
taにおいて電荷バケツ)C’、及びC?3はスパイン
21aの介在部分及び隣りの歯21bのうちの1つの下
にあるポテンシャル・ウェルにそれぞれ入っている。
第8a図と第9a図および第8b図と第9b図を対比す
れば理解されるように、第9a図及び第9b図に示す計
時方式は第8a図及び第8b図のそれと極めて類似であ
る、従って苑では相違点のみを強調する。
かように時点tdまでは第9a図及び第9b図に示す計
時方式は第8a図及び第8b図に示す計時方式と同じや
り方であって、電荷バケツ)C’4及びC“3は共に第
2電荷蓄積電極の下にあるポテンシャル・ウェルの中に
ある。
しかるに時点tYeにおいては、クロック線φ2□。
φ25.φ23及びφ28上のクロック信号は高くなっ
ており、一方クロック線φ26及びφ27上のクロック
信号は低いままであって、従って電荷パケットC14は
拡がってスパイン21aの介在部分の下に展開し、電荷
バケツ)C“3は拡がってスパイン23aの介在部分の
下に展開している(第8a図における時点trの状態)
時点t1fまでにクロック線φ22上のクロ・ンク信号
は低くなっており、よって電荷パケ・ントロ73及びC
”4を第5電荷転送電極28及びスパイン23aの介在
部分の下にあるポテンシャル・ウェルと電荷転送電極2
5及びスパイン21aの介在部分の下にあるポテンシャ
ル・ウェルとへそれぞれ押出す。引続き時点t“、まで
にクロック線φ28及びφ25上のクロック信号は低く
なっており、従って電荷ノ々ケッ)C’3及びC10は
スパイン23a及び21aの下のポテンシャル・ウェル
へとそれぞれ押出される(第8b図における時点Ll+
の状態)。クロック線φ22上のクロック信号はそれか
ら高電位の状態に戻る。
情報の第1補助列はそれから上述のように出力されるこ
とができ、引続き第2補助列が出力されることができる
。第8a図と第9a図および第8b図と第9b図の対比
から分るように、時点t1から時点t1までは第9a図
及び第9b図に示す改変計時方式で用いられる計時信号
は第8a図及び第8b図に示すものと全く同じである。
しかるに時点t″。までにクロック線φ21.φ23゜
φ26(これはもしクロック線φ27につながれていれ
ば)及びφ27上の信号は高くなっており、従って電荷
パケットC4は拡がって第3電荷蓄積電極23の下に展
開している(第8a図及び第8b図における時点t。の
状態)。時点t1.(第8a図及び第8b図における時
点t。の状態)においてはクロック線φ22上のクロッ
ク信号は低くなっており、時点t“。においてはクロッ
ク線φ27(もしφ26がφ27につながれていれば、
及びφ26)上のクロック信号は低くなっており、よっ
て電荷パケットC7を第2電荷蓄積電極22の下から押
出す(第8a図及び第8b図における時点t、の状態)
。クロック線φ22上のクロック信号は時点t“、(第
8a図及び第8b図における時点t9の状態)において
は再び高くなっており、電荷パケットC4は第3電荷蓄
積電極23の下に蓄積され(第2補助列のその他の電荷
パケットと同様に)、上述のようにまずクロック線φ1
□上の信号の制御下に電荷蓄積電極4 T aの下のポ
テンシャル・ウェルへと出力され、さらにクロック線φ
、ないしφ4上のクロック信号の制御下に出力接続10
へ出力されることができる。
第7a図及び第7b図の計時方式の場合に関しては、第
8a図及び第8b図の計時方式並びに第9a図及び第9
b図の改変方式において、クロック線φ2.及びφ26
に適用するクロック信号とクロック線φ28及びφ27
に適用するクロック信号とを逆にして、第9b図でクロ
ック線φ25.φ26.φ27及びφ28に対するクロ
ック信号はその代りに電荷転送電極26.25゜28及
び27へそれぞれ適用して、従って電荷バケツ)C4が
まず出力されることができる。
第8a図から第9b図までの考察により理解されるよう
に、第9a図及び第9b図に示す計時方式では第8a図
及び第8b図に示すそれよりも少い計時信号の変更しか
必要としない、その上、それが可能なときには、クロッ
ク線上の信号は同時に変更する(例えば時点t18にお
ける状態を作り出すクロック信号の変更を見よ)。この
ことは計時方式の複雑さを減少せしめ、更にクロック線
上の頻繁な電圧変更により生ずる好ましからざるキャパ
シタンス及びアバランシュ効果を減少せしめるのに役立
つ。
上述の配置に於ては、第2補助列の電荷パケットは、第
1補助列の出力直列レジスタBからの出力中、第1電荷
蓄積電極21の下に留っているが、これらの電荷パケッ
トは適当なりロック信号の制御下に移動して少くとも第
2電荷蓄積電極22の下に存在して、次の電荷転送電極
28及び第3電荷蓄積電極23と共に直列出力レジスタ
Bとの漏話に対する十分なる障壁を供することができる
。第2補助列は、移動して第3電荷蓄積電極23の下に
いることさえもできる、もしもバッファー配置がインタ
ーレース復元出力段20と出力転送ゲートとの間に設け
られているときは特に然りであって、このことについて
は、例えば英国特許第2110874号に記載されてい
る。
更に第7a図から第9b図までを参照した上述の配置に
於ては、クロック線φ24」−のクロック信号は低いま
まに維持しているので、インターレース復元される列の
第2補助列が出力接続10へ出力されてしまう以前には
、インターレース復元出力段20に入る後続のインター
レースされた情報列に対して障壁になっているけれども
、先行列の情報の第2補助列が未だ第7a図及び第7b
図中の時点t13又はt14(あるいは時点tBでさえ
も)において示される状態、あるいは第8a図及び第8
b図中の時点to(あるいは電荷蓄積電極21に加わる
電圧が高いならば時点t□でさえも)において示される
状態にあるときは、後続のインターレースされた情報列
を人力させ第1電荷蓄積電極21の下のポテンシャル・
ウェルにおくのを許すことも可能である。供しながら通
常は、インターレース複合出力段の計時速度は、インタ
ーレースされた情報列の次のインターレースされた列が
電荷蓄積電極Naの下に現れる時までに先行列の第2補
助列が出力接続10へ出力されてしまうように調整され
ているであろう。
もし情報が入力されたのと同じ順序で出力されることが
望ましくないならば、第2補助列が第1補助列より前に
出力されることも可能であるのはいうまでもない。同様
に各歯は2つ又はそれ以上の隣接するチャネル上に展開
されることもあり、複合歯であって各チャネルが自分自
身の制御電荷転送電極と連係することもできる。
上述の配置は4相計時方式であるが、別の計時システム
を用いることもできる。更に上述の配置はブツシュ・ク
ロック計時システムを用いているが、本発明の実施例と
しての電荷結合装置はドロップ・クロック計時システム
と電荷転送電極の下の注入された耐障壁とにより動作さ
せて電荷蓄積及び電荷転送電極の下にあるポテンシャル
の非対称をもたらすこともできる。
上述の配置においては、表面チャネル電荷結合装置構造
が使われているが、埋込みチャネル形電荷結合装置構造
も用いることができる。また、上述の配置は直曲直列メ
モリに関するものだが、本発明は類似の装置、例えば映
像センサ等にも用いうる。更に本発明は半導体基体がn
伝導形のものにも適用できる、但しこのときはクロック
信号の−63〜 電圧を適当に変更することが必要となろう。同様に本発
明は、半導体基体がシリコン以外の半導体素材で形成さ
れる場合にも、半導体基体の異なる特性への適切な配慮
があれば、電荷蓄積及び電荷転送電極が導電素材で形成
されるとかドーピングされた多結晶シリコン以外の異な
る導電素材の層の複合で形成されるとかの場合にも応用
できる。
本発明はその他多くの変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例の直曲直列(SPS)メモリ
装置の一部分の概略配置図、 第2図は、第1図に示した電荷結合メモリ装置の一部の
更に詳細な、かつ一部を切り開いた平面図、 第3図は、第2図に示す装置を、第2図中のIII−I
線で切った断面図、 第4図は、同じ< IV−1’V線で切った断面図、第
5図は、同じ<V−V線で切った断面図、第6図は、同
じ< VI−VI線で切った断面図、第7a図は、第2
図に掲げた電荷結合装置の並列セクションのインターレ
ース復元出力段の操作を制御するクロック信号の一例を
示すタイミング・ダイアグラム、 第7b図は、第7a図に示す出力段の一部の概略を表わ
し、クロック信号の制御下での電荷パケットの動きを説
明する図、 第8a図は、第2図に掲げた電荷結合装置の並列セクシ
ョンのインターレース復元出力段の操作を制御するクロ
ック信号の別の一例を示すタイミング・ダイアグラム、 第8h図は、第8a図に示゛す出力段の一部の概略を表
わし、クロック信号の制御下での電荷パケットの動きを
説明する図、 第9a図は、第8a図のインターレース復元出力段制御
用クロック信号の一変形を示すタイミング・ダイアグラ
ム、 第9b図は、第9a図に示す出力段の一部の概略を表わ
し、クロック信号の一変形下での電荷パケットの動きを
説明する図である。 1.4.11・・・チャネル 3a、、 3 ’ a、 、 3 ”a・・・電荷蓄積
電極3b、 3’b、  3”b・・・電荷転送電極9
・・・入力節点 10・・・出力接続 20・・・インターレース復元出力段 21・・・第1電荷蓄積電極 21a・・・スパイン(稜線) 21b、 22c・=・歯 30・・・半導体基体 A・・・直列入力レジスタ B・・・直列出力レジスタ C・・・並列レジスタ T1・・・入力転送ゲート T2・・・出力転送ゲート Ln           αフ ()           Cフ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一連の並列電荷伝導チャネルを明確に定める半導体
    基体と、該チャネルを横切って展開し、その各電荷蓄積
    電極がチャネルと共にそれぞれ電荷蓄積部分の列を明確
    に定めてなる複数の電荷蓄積電極と、チャネルを横切っ
    て展開し、電荷蓄積部分の列の間を電荷パケットが転送
    されるための複数の電荷転送電極とを有する電荷結合装
    置であって、 −チャネルの補助群の1つの上に位置する 第1歯列をもつ第1電荷蓄積電極と、 −第2歯列と第3歯列とをもち、該第2歯 列はチャネルのもう1つの補助群の上に位置する如く第
    1歯列と噛合してなる第2電荷蓄積電極と、 −第3歯列と噛合する第4歯列をもつ第3 電荷蓄積電極とを含み、 −第3歯列と第4歯列の一方は上述のチャ ネルの補助群の1つの上に位置し、第3歯列と第4歯列
    のもう一方は上述のチャネルのもう1つの補助群の上に
    位置しており、さらに−電荷パケットを、チャネルと第
    1電荷蓄 積電極とにより明確に定められる電荷蓄積部分へ転送す
    るための第1電荷転送電極と、 −電荷パケットを、第1電荷蓄積電極の下 にある電荷蓄積部分と第2歯列の下にある電荷蓄積部分
    との間を転送せしめるための第2電荷転送電極と、 −電荷パケットを、第1歯列の下にある電 荷蓄積部分と第2電荷蓄積電極の下にある電荷蓄積部分
    との間を転送せしめるための第3電荷転送電極と、 −電荷パケットを、第2電荷蓄積電極の下 にある電荷蓄積部分と第4歯列の下にある電荷蓄積部分
    との間を転送せしめるための第4電荷転送電極と、 −電荷パケットを、第3歯列の下にある電 荷蓄積部分と第3電荷蓄積電極の下にある電荷蓄積部分
    との間を転送せしめるための第5電荷転送電極とを含む ことを特徴とする電荷結合装置。 2、第3歯列は第2歯列から派生し、第3列の歯は上述
    のチャネルの補助群の1つの上に位置せしめ、第4列の
    歯は上述のチャネルのもう1つの補助群の上に位置せし
    めたことを特徴とする請求項1に記載の電荷結合装置。 3、各歯はただ1つのチャネルの上に位置することを特
    徴とする請求項1または2に記載の電荷結合装置。 4、上述のチャネルの補助群の1つはチャネルを1つお
    きに選んで形成され、上述のチャネルのもう1つの補助
    群は残りのチャネルで形成されることを特徴とする請求
    項1、2または3のいずれか1つに記載の電荷結合装置
    。 5、チャネルとそのチャネルの上を横切って展開する電
    荷蓄積及び転送電極とにより明確に定められる1つの並
    列レジスタと、更に他の1チャネルと更に他の電荷蓄積
    及び転送電極とを有する1つの直列出力レジスタとを含
    み、該直列出力レジスタの電荷蓄積及び転送電極の各々
    は該並列レジスタの1つのチャネルと連係し、かつ第1
    、第2及び第3電荷蓄積電極と連係電荷転送電極とが該
    並列レジスタの出力段すなわち電荷パケットを第3電荷
    蓄積電極の下にある電荷蓄積部分から該直列出力レジス
    タへ転送するための出力転送ゲートを形成してなること
    を特徴とする請求項1、2、3または4のいずれか1つ
    に記載の電荷結合装置。 6、1チャネルと連係電荷蓄積及び転送電極とをもつ直
    列入力レジスタを含み、該直列入力レジスタの電荷蓄積
    レジスタの各々は上記並列レジスタの1チャネルと連係
    しており、さらに電荷パケットを該直列入力レジスタか
    ら該並列レジスタへ転送するための入力転送ゲートを含
    むことを特徴とする請求項5に記載の電荷結合装置。 7、上記直列出力レジスタもしくは直列入力及び出力レ
    ジスタの各々は4相レジスタでなることを特徴とする請
    求項5または6に記載の電荷結合装置。 8、1列の電荷パケットを、第1電荷蓄積電極により明
    確に定められる電荷蓄積部分の列に於て形成されるポテ
    ンシャル・ウェル中に蓄積し、 以て該電荷パケット列を第2電荷蓄積電極 により明確に定められる電荷蓄積部分に於るポテンシャ
    ル・ウェルへ転送せしめ、かつ第2電荷蓄積電極の下に
    あるポテンシャル・ウェル中に蓄積された電荷パケット
    を移動せしめ、 一方において、電荷転送阻止信号を第3及 び第2電荷転送電極のどちらかと第4及び第5電荷転送
    電極のどちらかとへ適用し、その結果電荷転送阻止信号
    が第3及び第4電荷転送電極に適用されるか又は第2及
    び第5電荷転送電極に適用されるのかいずれかならしめ
    、これによって上述のチャネルの補助群の1 つにより明確に定められる電荷蓄積部分に蓄積された電
    荷パケットを、第2電荷蓄積電極の下にあるポテンシャ
    ル・ウェルから第1及び第3電荷蓄積電極のどちらか一
    方の下にあるポテンシャル・ウェルへ移動せしめ、 他方において、上述のチャネルのもう1つ の補助群により明確に定められる電荷蓄積部分に蓄積さ
    れた電荷パケットを、第2電荷蓄積電極から第1及び第
    3電荷蓄積電極の前記と反対の方の下にあるポテンシャ
    ル・ウェルへ移動せしめ、 以上によって該電荷パケット列を第1補助 列と第2補助列とに分割せしめる ことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記
    載の電荷結合装置構造を操作する方法。 9、電荷転送可能化信号を第2及び第3電荷転送電極へ
    適用することにより上述の電荷パケット列を第2電荷蓄
    積電極の下にあるポテンシャル・ウェルへ転送せしめ、
    その次に第2電荷蓄積電極へ適用される電荷蓄積可能化
    信号と共に第1電荷蓄積電極へ電荷蓄積阻止信号を適用
    せしめ、それにより電荷パケットを、第1電荷蓄積電極
    により明確に定められる電荷蓄積部分から押し出すこと
    により、上述の電荷パケット列を第2電荷蓄積電極の下
    にあるポテンシャル・ウェルへ転送せしめることを特徴
    とする請求項8に記載の方法。 10、上述の電荷パケット列を第2電荷蓄積電極の下に
    あるポテンシャル・ウェルへ転送せしめる順序は、電荷
    蓄積阻止信号を第1電荷蓄積電極へ適用した後に電荷転
    送阻止信号を第2及び第3電荷転送電極へ適用し、それ
    により該電荷パケット列は第2電荷蓄積電極のみの下に
    あるポテンシャル・ウェルへと押出される如くせしめる
    ことを特徴とする請求項9に記載の方法。 11、同じ制御信号を第2及び第5電荷転送電極へ適用
    することと、同じ制御信号を第3及び第4電荷転送電極
    へ適用することとの双方またはいずれか一方を含むこと
    を特徴とする請求項9または10に記載の方法。 12、上述の電荷パケット列を第2電荷蓄積電極の下に
    あるポテンシャル・ウェルへ転送せしめる順序は、電荷
    蓄積阻止信号を第1電荷蓄積電極へ適用する前に電荷転
    送可能化信号を第4及び第5電荷転送電極のうち以前と
    反対の方へ適用し、かつ電荷蓄積可能化信号を第3電荷
    蓄積電極へ適用することを含むことを特徴とする請求項
    9記載の方法。 13、同じ制御信号を第3及び第2電荷転送電極のうち
    以前と反対の方へ適用し、並びに第4及び第5電荷転送
    電極のうち以前と反対の方へ適用することを特徴とする
    請求項12に記載の方法。 14、電荷転送阻止信号を上述の第3及び第2電荷転送
    電極のうちいずれか一方へ、また上述の第4及び第5電
    荷転送電極のうちいずれか一方へ適用し、他方、電荷転
    送可能化信号を第3及び第2電荷転送電極のうち以前と
    反対の方へ、また第4及び第5電荷転送電極のうち以前
    と反対の方へ、そして電荷蓄積可能化信号を第1及び第
    3電荷蓄積電極へそれぞれ適用し、並びに電荷蓄積阻止
    信号を第2電荷蓄積電極へ適用し、以て第1及び第2補
    助列の電荷パケットを、第2電荷蓄積電極により明確に
    定められる電荷部分から反対方向へ押出することによっ
    て、第2電荷蓄積電極により明確に定められる電荷蓄積
    部分に蓄積されている電荷パケットを移動せしめること
    を特徴とする請求項8ないし13のうちいずれか1つに
    記載の方法。 15、電荷転送阻止信号を上述の第3及び第2電荷転送
    電極のうちいずれか一方と上述の第4及び第5電荷転送
    電極のうちいずれか一方とへ適用している間に、電荷蓄
    積可能化信号を第1及び第3電荷蓄積電極へ適用すると
    同時に、電荷転送可能化信号を第3及び第2電荷転送電
    極のうち以前と反対の方へ、並びに第4及び第5電荷転
    送電極のうち以前と反対の方へそれぞれ適用し、然る後
    に電荷蓄積阻止信号を第2電荷蓄積電極へ適用し、以て
    第1及び第2補助列の電荷パケットを第2電荷蓄積電極
    により明確に定められる電荷蓄積部分から反対方向へ押
    出すことによって、第2電荷蓄積電極により明確に定め
    られる電荷蓄積部分に蓄積されている電荷パケットを移
    動せしめることを特徴とする請求項8ないし11のうち
    のいずれか1つに記載の方法。 16、電荷蓄積阻止信号を第2電荷蓄積電極へ適用した
    後に、電荷転送阻止信号を、上述の第3及び第2電荷転
    送電極のうち以前と反対の方と上述の第4及び第5電荷
    転送電極のうち以前と反対の方とへ適用することを含み
    、以て第1及び第2補助列の電荷パケットを更に上述の
    反対方向へ押出し、その結果第1及び第2補助列のうち
    の一方の電荷パケットが第1電荷蓄積電極のみの下にあ
    るポテンシャル・ウェルへと押出され、第1及び第2補
    助列のうちの他方の電荷パケットが第3電荷蓄積電極の
    みの下にあるポテンシャル・ウェルへと押出される如く
    ならしめることを特徴とする請求項14または15に記
    載の方法。 17、電荷パケット列を第1及び第2補助列に分割した
    後に、該補助列の一方の第3電荷蓄積電極の下にあるポ
    テンシャル・ウェルに蓄積された電荷パケットを出力せ
    しめ、然る後に引続き第1電荷蓄積電極の下にあるポテ
    ンシャル・ウェルに蓄積されたもう一方の該補助列の電
    荷パケットを第3電荷蓄積電極の下にあるポテンシャル
    ・ウェルへ移動せしめ、然る後に該もう一方の補助列の
    電荷パケットを出力せしめることをも更に含むことを特
    徴とする請求項8ないし16のうちのいずれか1つに記
    載の方法。 18、前記もう一方の補助列の電荷パケットを、第2電
    荷蓄積電極へ適用する電荷蓄積可能化信号と共に電荷転
    送可能化信号を第3及び第2電荷転送電極のうち以前と
    反対の方へ適用することにより、第1電荷蓄積電極の下
    にあるポテンシャル・ウェルから出力のため第3電荷蓄
    積電極の下にあるポテンシャル・ウェルへ転送せしめ、
    然る後に電荷蓄積阻止信号を第1電荷蓄積電極と並びに
    引続き該第3及び第2電荷転送電極のうち以前と反対の
    方とへ適用し、以て前記もう一方の補助列の電荷パケッ
    トを第2電荷蓄積電極の下にあるポテンシャル・ウェル
    へと押出さしめ、電荷転送可能化信号を第4及び第5電
    荷転送電極のうち以前と反対の方へ、また電荷蓄積可能
    化信号を第3電荷蓄積電極へ適用せしめ、更に引続き電
    荷蓄積阻止信号を第2電荷蓄積電極へ、然る後に電荷転
    送阻止信号を該第4及び第5電荷転送電極のうち以前と
    反対の方へそれぞれ適用し、以て該もう一方の補助列の
    電荷パケットを第3電荷蓄積電極のみの下にあるポテン
    シャル・ウェルへと押出さしめることを含むことを特徴
    とする請求項17に記載の方法。
JP63268353A 1987-10-28 1988-10-26 電荷結合装置 Pending JPH01158773A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB8725255 1987-10-28
GB8725255A GB2211660A (en) 1987-10-28 1987-10-28 A charge-coupled device de-interlacer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01158773A true JPH01158773A (ja) 1989-06-21

Family

ID=10626043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63268353A Pending JPH01158773A (ja) 1987-10-28 1988-10-26 電荷結合装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4998153A (ja)
EP (1) EP0314215A3 (ja)
JP (1) JPH01158773A (ja)
KR (1) KR890007293A (ja)
GB (1) GB2211660A (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3560990B2 (ja) * 1993-06-30 2004-09-02 株式会社東芝 固体撮像装置
US6288744B1 (en) * 1994-11-11 2001-09-11 Sanyo Electric Co., Ltd. Solid-state image pickup device with a shared shift register and method of driving the same
US5796433A (en) * 1996-03-20 1998-08-18 Loral Fairchild Corp. Multiple-frame CCD image sensor with overlying photosensitive layer
US6269484B1 (en) 1997-06-24 2001-07-31 Ati Technologies Method and apparatus for de-interlacing interlaced content using motion vectors in compressed video streams
US8115863B2 (en) * 2007-04-04 2012-02-14 Freescale Semiconductor, Inc. Video de-interlacer using pixel trajectory
US8300987B2 (en) * 2007-09-28 2012-10-30 Ati Technologies Ulc Apparatus and method for generating a detail-enhanced upscaled image
US8964117B2 (en) 2007-09-28 2015-02-24 Ati Technologies Ulc Single-pass motion adaptive deinterlacer and method therefore
US8259228B2 (en) * 2007-12-10 2012-09-04 Ati Technologies Ulc Method and apparatus for high quality video motion adaptive edge-directional deinterlacing
US8396129B2 (en) * 2007-12-28 2013-03-12 Ati Technologies Ulc Apparatus and method for single-pass, gradient-based motion compensated image rate conversion

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4347656A (en) * 1970-10-29 1982-09-07 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of fabricating polysilicon electrodes
US3967254A (en) * 1974-11-18 1976-06-29 Rca Corporation Charge transfer memory
NL7510311A (nl) * 1975-09-02 1977-03-04 Philips Nv Ladingsoverdrachtinrichting.
US4236830A (en) * 1978-12-29 1980-12-02 International Business Machines Corporation CCD Parallel-serial and serial-parallel charge transfer method and apparatus
EP0060198A3 (en) * 1981-03-09 1985-05-15 FAIRCHILD CAMERA & INSTRUMENT CORPORATION Serial-parallel-serial charge coupled device and method of transferring charge therein
DE3147986C2 (de) * 1981-12-04 1992-02-27 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren
NL8105397A (nl) * 1981-11-30 1983-06-16 Philips Nv Ladingsgekoppelde inrichting.
JPH06105560B2 (ja) * 1985-09-17 1994-12-21 沖電気工業株式会社 電荷移送装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0314215A3 (en) 1990-08-22
GB8725255D0 (en) 1987-12-02
US4998153A (en) 1991-03-05
EP0314215A2 (en) 1989-05-03
KR890007293A (ko) 1989-06-19
GB2211660A (en) 1989-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3967254A (en) Charge transfer memory
DE2201150C3 (de) Ladungsgekoppelte Schaltungsanordnung und Verfahren zur Fortleitung einer Ladung mit hoher Geschwindigkeit
US4178614A (en) Readout of a densely packed CCD
JPH01158773A (ja) 電荷結合装置
US4236830A (en) CCD Parallel-serial and serial-parallel charge transfer method and apparatus
JPH0319700B2 (ja)
JPS588150B2 (ja) 電荷結合半導体装置の動作方法
US4165539A (en) Bidirectional serial-parallel-serial charge-coupled device
JPS61184062A (ja) 電荷結合イメージセンサ装置
DE2325922A1 (de) Aus schieberegistern aufgebaute speicheranordnung mit dynamischer umordnung
US4347656A (en) Method of fabricating polysilicon electrodes
US5369293A (en) Charge-coupled device having reduced cross-talk
US4376897A (en) Low voltage serial to parallel to serial charge coupled device
US3921195A (en) Two and four phase charge coupled devices
JPH05276448A (ja) 電荷転送方法及び電荷転送装置並びにこれを用いた固体撮像装置
US4211937A (en) Multi-channel charge coupled transfer device
JPS6012768A (ja) 電荷結合半導体装置及び電荷結合撮像装置
US3961352A (en) Multi-ripple charge coupled device
US4881250A (en) Compact charge-coupled device having a conductive shielding layer
CA1080847A (en) Charge coupled circuits
JP2899486B2 (ja) 電荷転送装置
JPS5826115B2 (ja) Ccdシフトレジスタ
EP0028311A1 (en) Serial-parallel-serial CCD memory system with fan out and fan in circuits
US4303992A (en) Serial parallel charge coupled device employing a gate splitting device
GB2206995A (en) A charge-coupled device